Изобретение относитс к контро1пю и измерению параметров изделий электронной техники, а именно измере нию параметров силовых полупроводниковых диодов. По основному авт. св. № 550600 известно устройство, содержащее гене ратор импульсов пр мого тока, генератор импульсов управлени с переклю чателем, соединенным с накопительной емкостью и регистрирующим блоком, вход схемы сравнени соединен параллельно резистору в силовой цепи испытуемого тиристора, а ее выход - с входом элемента згщержки, выход кото роге подключен к регистрирующему блоку Сll. Производимый устройством контроль качества диодов на основе измерени пр мого Пс1дени напр жени позвол ет судить только о соответствии пр мой вольтамерной характеристики установленным требовани ми и не позвол ет оценить другие параметры прибора. Основным показателем качества диода в пр мом провод щем состо нии вл етс предельный ток нагрузки, который определ етс при предельно допустимой температуре полупроводниковой структуры в заданных услови х охлаждени и зависит как от электрических, так и тепловых свойств диода. Цель изобретени - расширение функциональных возможностей устройства дл контрол падени напр жени путем оперативного контрол предельного тока. Поставленна цель достигаетс тем, что в устройство дл контрол падени напр жени на тиристорах, содержащее генератор импульсов пр мого тока, генератор импульсов управлени с переключателем, соединенным с накопительной емкостью и регистрирующим блоком, причем вход схемы срав нени соединен параллельно резис- тору в силовой цепи испытуемого тиристора , а ее выход - с входом злемента задержки, выход которого подклю чен к регистрирующему блоку, введены программный блок, стабилизатор напр жени , измерительный мост, коммутатор , усилитель, блок задержки, втора и треть схемл сравнени , первый и второй переключатели и решающий блок, причем первый выход програлв ного блока подключён к вхо- . ду стабилизатора напр жени и к ynpaif л ющим входам коммутатора, усилител / второй схемы сравнени , переключател и решающего блока, а второй выход программного блока подключен к первому управл ющему входу генератора импульсов пр мого тока, второй управл ющий вход которого соединен с первым выходом первого переключател , третий выход программного блока подключен к управл ющим входам первой и третьей схем сравнени , первого переключател и блока задержки, выход которого соединен с четвертым входом регистратора, выход третьей схемы сравнени подключен к входу первого переключател , выход которо го соединен с первыми входами решаю щего блока и схемы сравнени , второй вход которой соединен с первым выходом усилител , а выход - с первым входом второго переключател , второй вход которого подключен к второму выходу усилител , а выход второго переключател соединен с входом решающего блока, выход которого соединен с вторым входом регистрирующего блока, при этом входы измерительного моста подключены к клеммам дл подключени испытуемого полупроводникового прибора, а выход к входу коммутатора, выход которого соединен с входом усилител , а входы третьей схемы сравнени подклю-. чены к первому и второму входам регистрирующего блока. На фиг. 1 приведена схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 семейство зависимостей изменени пр ращени температуры структуры диода ( лТр) относительно температуры окру жа 01чвй среды в функции предельного тока(,|ц)при параметре пр мого падени напр жени /: UУстройство дл контрол падени напр жени на тиристорах содержит .генератор 1, импульсов, прибор 2, резистор,3, переключатель 4, накопительную емкость 5, регистрирующий блок 6, схему 7 сравнени , коммутирующий элемент 8, схему 9 задержки. Клеммы дл подключени испытуемого диода включены в плечо иэмерительного моста 10, соединенного со стабилизатором 11 напр жени , к диа гонали моста подключены последовательно соединенные коммутатор 12, усилитель 13, перва схема 14 сравнени , переключатель 15 и решающий блок 16, выход которого соединен с регистратором. Втора схема 17 срав нени соединена с выходом устройства и переключателем 18. С генератор импульсов пр мого тока св зан программирующий блок 19, к которому по ключены блоки 11 - 18 и блок 20 задержки . Устройство работает следующим образом. С помощью блока 19 программно го управлени производитс включение известного устройства (по авт. св. W 550600), которое производит измерение пр мого падени напр жени . В конце цикла измерени блоком 19 вклю чаетс втора схема 17 сравнени , на вход которой поступает сигнал измер емого значени пр мого падени напр жени , схема 17 сравнени отключаетс . Схема 17 сравнени производит включение переключател 18, который включает решающий блок 16 в режим работы, соответствующий измеренному значению пр мого падени напр жени (фиг. 2), т. е. выбираетс соответствующа характеристика в семействе зависимостей ДТ, -Е(1п) при параметре ли , а также подготавливает -схему 14 сравнени дл срабатывани по уровню напр жени , соответствующему величине С при In - I nv дл выбранной из семейства зависимости (. 1 - установленна норма предельного тока дл типа диода). С помощью блока 19 устройство переводитс в режим измерени предельного тока - включаетс стабилизатор 11 напр жени , коммутатор 12 и подаетс Напр жение питани на блоки 1316 . Со стабилизатора 11 напр жение поступает на мост 10, в плече которо го находитс испытуемый диод, через который проходит посто нный измерительный ток и обеспечиваетс баланс измерительного моста. Затем блоком 19 генератор 1 импульсов пр мого тока пер1еводитс в режим формировани импульсов силового однополупериодного тока с частотой 50 Гц. Величина силового тока устанавливаетс такой, чтобы мощность через любой испытуемый диод одного типа независимо от величины ди была одинаковой. Это достигаетс изменением внутреннего сопротивлени в цепи блока 1 с помощью переключающего блока 18, который измен ет сопротивление в соответствии с предварительно измеренной на испытуемом диоде величиной ди . Силовой ток протекает через испытуемый диод в течение интервала времени, равного времени начала разветвлени тепловых переходных характеристик испытуемого типа диодов, полученных при различных скорост х охлаждающего воздуха . Сигнал с диагонали измерительного моста 10 поступает на коммутатор 12, который выдел ет сигнал изменени пр мого падени напр жени на испытуемом диоде при прохождении измерительного тока в бестоковую.паузу силового тока от температуры полупроводниковой структуры диода, обусловленной его нагревом силовым током . Сигнал с коммутатора 12 усиливаетс усилителем 13, поступает на схему 14 сравнени и переключательThe invention relates to controlling and measuring the parameters of electronic products, namely measuring the parameters of power semiconductor diodes. According to the main author. St. No 550600, a device containing a generator of direct current pulses, a control pulse generator with a switch connected to a storage capacity and a recording unit, the input of the comparison circuit is connected parallel to a resistor in the power circuit of the test thyristor, and its output is connected to the input of the drive element, the output which is connected to the recording unit Сll. The quality control of the diodes produced by the device based on the measurement of direct voltage Ps1dn allows to judge only about the compliance of the direct current-voltage characteristic with the established requirements and does not allow to evaluate other parameters of the device. The main indicator of the quality of a diode in the forward conductive state is the limiting load current, which is determined at the maximum allowable temperature of the semiconductor structure under given cooling conditions and depends on both the electrical and thermal properties of the diode. The purpose of the invention is to expand the functionality of the device for monitoring voltage drop by operatively controlling the limiting current. The goal is achieved by the fact that a device for monitoring voltage drop on thyristors, containing a generator of direct current pulses, a control pulse generator with a switch connected to a storage tank and a recording unit, the input of the comparison circuit connected in parallel to the resistor in the power circuit the test thyristor, and its output - with the input of a delay element, the output of which is connected to the recording unit, are entered into a software unit, a voltage stabilizer, a measuring bridge, a switch, and e, the delay unit, the second and third comparison circuits, the first and second switches, and the decision block, the first output of the programming block being connected to the I / O. the voltage regulator and the ynpaif switch inputs, the amplifier / second comparison circuit, the switch and the decision block, and the second output of the program block is connected to the first control input of the forward current pulse generator, the second control input of which is connected to the first output of the first the switch, the third output of the program block is connected to the control inputs of the first and third comparison circuits, the first switch and the delay block, the output of which is connected to the fourth input of the recorder, the output of the third circuit The output is connected to the input of the first switch, the output of which is connected to the first inputs of the decision block and the comparison circuit, the second input of which is connected to the first output of the amplifier, and the output to the first input of the second switch, the second input of which is connected to the second output of the amplifier, and the second switch is connected to the input of the decision block, the output of which is connected to the second input of the registering block, while the inputs of the measuring bridge are connected to the terminals for connecting the tested semiconductor device, and to the input switch, whose output is connected to the input of the amplifier and the inputs of the third comparing circuit connected. to the first and second inputs of the recording unit. FIG. 1 shows a diagram of the proposed device; in fig. 2 is a family of dependences of the change in the temperature of the diode structure (lTR) relative to the temperature of the surrounding medium in the limiting current function (, | c) at the parameter direct voltage drop /: U The device for controlling the voltage drop on the thyristors contains the generator 1, pulses , device 2, resistor, 3, switch 4, storage capacitor 5, recording unit 6, comparison circuit 7, switching element 8, delay circuit 9. The terminals for connecting the test diode are included in the shoulder of the measuring bridge 10 connected to the voltage stabilizer 11, the switch 12, the amplifier 13, the first comparison circuit 14, the switch 15 and the decisive unit 16, the output of which is connected to the recorder, are connected to the bridge bridge. A second comparison circuit 17 is connected to the output of the device and a switch 18. A direct current pulse generator is associated with a programming unit 19, to which blocks 11 to 18 and a delay unit 20 are connected. The device works as follows. Using the software control unit 19, a known device is turned on (according to the author St. W 550600), which measures the direct voltage drop. At the end of the measurement cycle, block 19 turns on the second comparison circuit 17, to which the input signal of the measured value of the direct voltage drop is received, the comparison circuit 17 is turned off. The comparison circuit 17 switches on the switch 18, which turns the decision block 16 into an operation mode corresponding to the measured value of the forward voltage drop (Fig. 2), i.e., the corresponding characteristic is selected in the DT dependency family, -E (1n) with the parameter and, as well, prepares a comparison circuit 14 for triggering on a voltage level corresponding to the value of C for In - I nv for a dependency selected from the family (. 1 is the set current limit for a diode type). By means of block 19, the device is switched to the measurement mode of the current limit — the voltage regulator 11 is turned on, the switch 12 and the power supply is applied to the blocks 1316. From the stabilizer 11, the voltage is applied to the bridge 10, in the arm of which the test diode is located, through which the constant measuring current passes and the balance of the measuring bridge is ensured. Then, by block 19, the generator 1 of pulses of direct current is transferred to the mode of forming pulses of a half-power current with a frequency of 50 Hz. The magnitude of the power current is set such that the power through any diode of the same type under test, regardless of the magnitude di, is the same. This is achieved by changing the internal resistance in the circuit of the block 1 with the help of the switching unit 18, which changes the resistance in accordance with the di value previously measured on the diode under test. The power current flows through the test diode for a period of time equal to the time of the beginning of the branching of the thermal transient characteristics of the test diode type, obtained at different rates of cooling air. The signal from the diagonal of the measuring bridge 10 is fed to the switch 12, which separates the signal of a change in the direct voltage drop across the diode under test when the measuring current passes into the current-free power current from the temperature of the semiconductor structure of the diode due to its heating by the power current. The signal from the switch 12 is amplified by the amplifier 13, is fed to the comparison circuit 14 and the switch
15,а затем на вход решающего блока 15, and then to the input of the decision block
16,Решающий блок вьфабатывает сигг. нал, пропорциональный величине предельного тока диода, который фиксируетс регистратором б, запускающимс сигналом с блока 20 задержки в момент окончани прохождени силово го тока через диод.16, The decisive block is sigg. It is proportional to the magnitude of the diode current limit, which is recorded by the recorder b, triggered by a signal from the delay unit 20 at the moment when the power current passes through the diode.
Решающий блок 16 выполн ет логические операции в соответствии с семейством зависимостей дТр ) при параметре дОИспользование предлагаемого устройства позвол ет повысить качество силовых полупроводникошлс диодов, за счет оперативного контрол основного параметра - предельного тока диодов, однозначно характеризующего их свойства в пр мом провод щем соето нии . Solving unit 16 performs logical operations in accordance with the family of dependencies dTp) with the parameter dO. The use of the proposed device allows improving the quality of power semiconductors of the diodes due to the operational control of the main parameter — the current limit of the diodes, which uniquely characterizes their properties in a direct conductive network.