KR100186949B1 - 알킬알루미늄알킬산마그네슘과 그 제조 방법 및이를이용한알루민산마그네슘의합성 - Google Patents
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Abstract
본원 발명은 일반식 Mg[R1 2Al(OR2)2]2로 표현되는 알킬알루미늄알킬산마그네슘과 그의 제조 방법 및 이를 원료로 사용하여 알루민산마그네슘 막을 형성하는 방법에 대한 것이다. 알킬알루미늄알킬산마그네슘은 증기압이 높아 낮은 압력과 상온 정도의 온도에서 용이하게 기체 상태로 운반알 수 있으므로 화학증착법으로 반도체 기질 등에 알루민산마그네슘막을 형성시키기에 적합하다.
Description
본 발명은 알킬알루미늄알킬산마그네슘에 관한 것으로, 특히 마그네슘, 알루미늄 및 산소 원소가 1:2:4의 몰비로 들어 있는 화합물과 그 제조 방법 및 이 화합물을 사용하여 알루민산마그네슘을 합성하는 방법에 관한 것이다.
알루민산마그네슘은 유전율이 낮고 적외선에 투명하고 전기 충격 및 열충격에 강하면서 화학적으로 안정한 물질이다. 또한 규소 반도체 기질 위에 알루민산마그네슘 단결정 막을 적층 성장시킬 수 있고, 나아가 그 위에 PbTiO3, BaTiO3, SrTiO3등의 강유전체와 구리 산화물계 고온 초전도체 등의 페로브스카이트계 산화물 단결정 막을 적층 성장시킬수 있다 [Masao Mikami, Yasuaki Hokari, Koji Egami, Hideki Tsuya and Masaru Kanamori, Formation of Si Epi./MgO·Al2O3Epi./SiO2/Si and Its Epitaxial Film Quality, in Extended Abstracts of the 15th Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 31-34, Tokyo(1983); Shogo Matsubara, Sadahiko Miura, Yoichi Miyasaka, and Nobuaki Shohata, Preparation of Epitaxial ABO3Perovskite-Type Oxide Thin Films on a (100)MgAl2O4/Si Substrate, Journal of Applied Physics, 66,,5826 (1989)]. 따라서 반도체 접적 회로용 기질과 그 위에 형성되는 구리 산화물계 고온 초전도체 또는 강유전체로 된 막 사이에 알루민산마그네슘 완충층을 형성함으로써, 이들 막을 기질 위에 직접 형성할 때, 결정 격자 크기와 열팽창률이 달라서 생기는 용력을 줄일 수 있고 막 형성 물질이 기질 재료인 규소나 비소화갈륨과 반응하는 문제를 해결할 수 있다.
한편, 알킬알킬산화합물로부터 산화물을 얻는 방법의 예로서, 알킬알킬산아연과 알킬알킬산마그네슘이 열분해할 때 산화아연과 산화마그네슘을 부산물로 얻는 반응이 애쉬비(Ashby) 등에 의해 보고된 바 있다. [E. C. Ashby, G. F. Willard, and A. B. Goel, A New, Convenient, and Stereospecific Method for the Dehydration of Alcohols. The Thermal Decomposition of Magnesium, Zinc, and Aluminum Alkoxides. A Mechanistic Study, Journal of Organic Chemistry ,44, 1221,(197 9)]. 애쉬비 등은 자신들의 실험 결과와 다른 사람들의 실험 결과로부터 이 반응이 중간체 없이 6 개의 원자가 고리를 이루는 전이 상태를 거치는 단분자 반응 경로로 일어난다고 결론지었다.
R1MgOC(CHR2R3)R4R5→ R1H + R2R3C=CR4R5+ MgO
R1ZnOC(CHR2R3)R4R5→ R1H + R2R3C=CR4R5+ ZnO
상기 반응을 이용하여 별도의 산스 원료를 사용하지 않고 알킬알킬산 유도체만을 원료로 사용하여 화학증착법으로 산화아연과 산화마그네슘을 피막하는 방법을 올드(Auld) 등과 본 발명자들이 최근에 각각 보고하였다 [J,. Auld, D. J. Houlton, A. C. Jones, S. A. Rushworth, M. A. Malik, P. O'Brien, and G. W. Critchlow, Growth of ZnO by MOCVD using Alkylzinc Alkoxides as Single-source Precursors, Journal of Material Chemistry,4,1249 (1994); 김윤수·고원용·구수진, 산소와 마그네슘이 일대일의 비로 들어 있는 마그네슘 유도체를 사용하여 산화마그네슘을 기질 위에 피막하는 방법, 한국특허출원 제 19528 호 (1995)].
마그네슘과 알루미늄이 1:2로 포함된 복합 산화막을 형성할 때에 그 구성 물질인 마그네슘과 알루미늄의 원료를 따로 사용한다면 원하는 조성의 복합 산화물을 얻기 어렵다. 때문에 알루민산마그네슘의 조성과 같은 비율로 알루미늄과 마그네슘을 포함하고 있는, MgAl2(OR)8로 표현되는 알킬산 유도체를 사용하여 알루민산마그네슘을 합성하는 방법들이 보고되었다 [Ian M. Thomas, Liquid Double Alkoxides, 미국특허 3,761,500; Ian M. Thomas, Preperation of Ultra-Pure Compounds Correspon ding to the Formula CaAl2O4and MgAl2O4,미국특허 3,786,137]. 또한 알루미늄과 마그네슘의 알킬산 유도체, 특히 그 중 낮은 압력에서 기체 상태로 운반할 수 있는 이소프로필산 유도체를 써서 알루민산마그네슘을 기질에 피막하는 방법들도 연구되었다 [송명아·성명모·윤민영·김윤수, Preparation of MgAl2O4Buffer Layer on Silicon, Proceedings of the 15th Workshop on High TcSuperconductivity , pp. 253-254, Yongpyung, Korea (1991); Jmiing Zhang, Gregory T. Stauf, Robin Gardiner, Peter Van Buskirk, and John Steinbeck, Single Molecular Precursor Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of MgAl2O4Thin Flms, Journal of Materials Research, 9,1333 (1994); Richard E. Rocheleau, Zhe Zhang, John W.Gilje, and Juliane A Meese-Marktscheffel, MOCVD Deposition of MgAl2O4Films Using Metal Alkoxide Precursors, Chemistry of Materials, 6,1615 (l994)]. 그러나 마그네슘과 알루미늄의 이소프로필산 유도체에는 Mg[Al(OPri)4]2뿐만 아니라 {Mg[Al(OPri)4]2}n와 Mg2Al3(OPri)13의 형태도 섞여 있는 것이 밝혀졌다 [Julian A. Meese-Marktscheffel, Ruth Fukuchi, Melisa Kido, Glenn Tachibana, Craig M. Jensen, and John W. Gilje, Heterometallic Alumlinum Alkoxides. The Characterization of {Mg[Al(OPri)4]2}nand Mg2Al3(OPri)13Chemistry of Materials, 5, 755 (1993)]. 기질 위에 알루민산마그네슘 막을 형성시키기 위하여 Mg[Al(OPri)4]2를 기화시킬 때 그 증기압이 점차 감소하는 이유는 이처럼 {Mg[Al(OPri)4]2}n와 Mg2Al3(OPri)13등의 분자량이 큰 유도체가 생기기 때문으로 추정된다.
본 발명자들의 실험 결과에 의하면 원료인 알킬산 유도체를 낮은 압력에서 기체 상태로 운반하기 위해서는, 이소프로필산 유도체의 경우 원료 화합물을 200 ℃ 이상으로 가열해야 한다는 문제점이 있었다. 본 발명자들은 이소프로필산 유도체 대신에, 기화시키는 동안 증기압이 감소하는 문제를 해결한 tert-부틸산 유도체를 원료로 사용하여 같은 막형성 실험을 수행하였는 바, tert-부틸산 유도체의 경우에도 160℃ 이상으로 원료 화합물을 가열해야 했다 [고원용·김윤수, Magnesium aluminum alkoxide: a single molecular precursolr for chermical vapor deposition of MgAl2O4film, Proceedings of the 18th Workshop on High Temperature Superconductivity, pp, 253-254 Yongpyung, Korea(1993)].
본 발명자들은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하여 상온이나 100℃ 이하의 낮은 온도에서 기체 상태로 운반할 수 있는, 알루민산마그네슘 막을 형성할 수 있는 원료 물질에 대해 연구를 수행한 결과, 일반식 Mg[μ-OR')2AlR2]2로 표현되는 알킬알루미늄알킬산마그네슘을 합성하였고 종래 기술이 필요로 했던 온도보다 낮은 온도에서 알루민산마그네슘의 원료 물질을 기체 상태로 운반할 수 있음을 발견하여 본 발명에 이르게 되었다.
1968 년에 애트우드(Atwood)와 스터키(Stucky)는 Mg[Al(CH3)4]2을 디옥신에 녹여서 산소와 반응시켜 최초의 알킬알루미늄알킬산마그네슘 화합물인 메틸알루미늄메틸산마그네슘의 디옥신 착화합물을 합성하고 이 화합물의 X선 결정 구조를 발표하였다 [J. L. Atwood and G. D. Stucky, Mg[Al(OCH3)2(CH3)2]2·C4H8O2. A Novel Coordination Compound of a Metal Alkoxide and a Donor Molecule, Journal of Organometallic Chemistry, ,13,53 (1968)]. 애트우드와 스터키는 이 화합물의 융용 가능성이나 증기압에 대해서는 전혀 언급하지 않았다. 애트우드와 스터키의 합성 방법으로는 Mg[(μ-OR')2AlR2]2로 표현되는 알킬알루미늄알킬산마그네슘 가운데 R과 R'이 다른 알킬기인 것을 만들기 어렵다. 또한 알킬알루미늄알킬산마그네슘 중의 일부에 대한 것으로서, 최근에 장(Chang ) 등이 [Me2Al(μ-NPri 2)2MgMe4와 [Me2Al(μ-NEt2)2MgMe]2를 tert-부탄올과 반응시켜 Mg[(μ-OBut)2AlMe2]2의 화학식 으로 표현되는 메틸알루미늄-tert-부틸산마그네슘과 [Me2Al(μ-OBut)2Mg(μ-OBut)2]2를 각각 30 %와 20 %의 수율로 얻었다고 보고한 바 있다 [Chung-Cheng Chang, Wen-Hwa Lee, Tzong-Yih Her, Gene-Hsiang Lee, Shie-Ming Peng and Yu Wang, Chemical Reactivities of [Me2Al(μ-NPri 2)2MgMe]4and [Me2Al(μ-NEt2)2MgMe]2 :Crystal Structures of [Me2Al(μ-NPri 2)2Mg(μ-I)]2[Me2Al(μ-OBut)2Mg(μ-OBut)2]2, Me2Al(μ-NPri 2)(μ-OEt)Mg(μ-NPri 2)(μ-OEt)AlMe2and Me2Al(μ-OBut)2Mg(μ-OBut)2AlMe2,Journal of Chemical Society, Dalton Transactions, 315(1994)]. 그러나 장 등은 메틸알루미늄-tert-부틸산마그네슘의 NMR, IR, 질량 스펙트럼과 X선으로 분석한 결정 구조를 보고 하였을 뿐, 이 화합물의 융용 가능성이나 증기압 등에 대해서는 전혀 언급하지 않았다. 그리고 상기 물질의 합성에 사용한 원료인 [Me2Al(μ-NPri 2)2MgMe]4와 [Me2Al(μ-NEt2)2MgMe]2도, 이 원료를 합성하는 데 사용한 Mg(NPri 2)와 Mg(NEt2)2도 상업적으로 구할 수 없으므로 메틸알루미늄-tert-부틸산마그네슘을 원료로 사용하고자 할 때 장 등의 합성 방법은 적합하지 않다.
본 발명의 목적은 Mg[(μ-OPri)2AlMe2]2로 표현되는 메틸알루미늄이 소프로필산마그네슘과 Mg[(μ-OPri)2AlEt2]2로 표현되는 에틸알루미늄이 소프로필산마그네슘과 이들의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 일반식 Mg[μ-OR')2AlR2]2로 표현되는 알킬알루미늄알킬산마그네슘의 쉬운 제조 방법을 제공하는 데 있다.
[그림]
단, 상기식에서 R과 R'은 탄소 원자를 1 개 이상 10 개까지 포함하는 알킬기이다.
본 발명의 또 다른 목적은 일반식 Mg[μ-OR')2AlR2]2으로 표현되는 알킬알루미늄알킬산마그네슘을 사용하여 알루민산마그네슘 막을 형성하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 알킬알루미늄알킬산마그네슘은 반도체 소자, 광화소자 또는 광전자 소자에 알루민산마그네슘 막을 입히는 것과 같은 화학증착(chemical vapor deposition, CVD)이나, 다공성 물질(porous material)의 기공을 폐쇄하는 용도와 같은 화학증기 침투(chemical vapor infiltration, CVI)에 사용할 수 있으나, 반드시 이러한 용도에만 한정되는 것은 아니고 원료 물질을 기체 상태로 운반하여 원하는 곳에 알루민산마그네슘을 합성하는 곳이라면 사용 가능하다. 또한 알킬알루미늄알킬산마그네슘은 알루민산마그네슘 분말 합성의 원료로도 사용될 수 있다.
본 발명자들은 상기의 장 등이 언급한 메틸알루미늄-tert-부틸산마그네슘 이외에 Mg[(μ-OPri)2AlMe2]2로 표현되는 메틸알루미늄이소프로필산마그네슘과 Mg[(μ-OPri)2AlEt2]2로 표현되는 에틸알루미늄이소프로필산마그네슘을 비롯하여 Mg[μ-OR')2AlR2]2로 표현되는 구조식 (I)의 알킬알루미늄알킬산마그네슘을 상업적으로 쉽게 구할 수 있는 원료를 써서 합성하였을 뿐만 아니라, 이들 알킬알루미늄알킬산마그네슘을 원료로 하여 기질 위에 알루민산마그네슘 막을 형성하였다. 특히 메틸알루미늄이소프로필산마그네슘은 장 등이 합성한 메틸알루미늄-tert-부틸산마그네슘보다 증기압이 높아서 화학 증착법의 원료로 사용하기에 적합하다.
이하 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 알킬알루미늄알킬산마그네슘의 합성 방법은 다음과 같다.
(i) 먼저 알킬알루미늄을 알코올과 낮은 온도에서 반응시키거나, 알킬알루미윰을 알킬산알루미늄과 2:1로 상온에서 반응시켜 디알킬알킬산알루미늄을 합성한다.
또는
단, 상기식에서 R과 R'은 탄소 원자를 1 개 이상 10 개까지 포함하는 알킬기이다.
(ii) 상기 디알킬알킬산알루미늄을 알킬산알칼리금속과 반응시켜 알킬 알루미늄알킬산알칼리금속을 합성한다.
(iii) 상기 알킬알루미늄알킬산알칼리 금속을 할로겐화마그네슘과 반응시켜 알킬알루미늄알킬산마그네슘을 얻는다.
또는 (i) 식에서 얻은 디알킬알킬산알루미늅을 알킬산마그네슘과 반응시켜 알킬알루미늄알킬산마그네슘을 얻는다.
또는 위 반응에서 사용한 원료들을 한꺼번에 반응시켜 알킬알루미늄알킬산마그네슘을 얻는다.
반응에 사용한 용매는 모두 알려진 방법에 따라 물을 제거한 후 사용하였고 반응은 모두 질소나 아르곤 분위기에서 수행하였다.
[알킬 알루미늄알킬산마그네슘의 제조]
[실시예 1]
테트라히드로퓨탄(THF)에 녹인 메틸알루미늄 1.79 g(24.8 mmol)에 THF에 녹인 tert-부탄올 1.73 g(23.3 mmol)을 -70℃에서 천천히 더했다. 여기에 tert-부틸산칼륨 2.62g(23.3 mmol)을 넣고 하루 동안 교반하였다. 마그네슘 0.284 g(11.7 mmol)을 THF에서 1, 2-디브로모에탄 2.19 g(11.7 mmol)과 반응시켜 얻은 MgBr2용액을 위 용액에 더하고 하루 동안 교반하였다. 침전을 거르고 낮은 압력에서 용매를 제거한 후 60 ℃에서 진공 승화시켜 흰 고체 상태의 메틸알루미늄-tert-부틸산마그네슘 Mg[μ-OBut)2AlMe2]23.48 g(8.08 mmol, 수율 69 %)을 얻었다. 얻은 고체의 벤젠-d6용액의1H NMR 스펙트럼에는 δ -0.40[singlet, Al(CH3)2,12 H]와 1.27[si nglet, OC(CH3)3, 36 H] 위치에 봉우리가 관찰되었다. 이것은 상기 장 등의 보고와 일치한다.
[실시예 2]
에틸알루미늄 3.13 g(27.4 mmol)과 이소프로필산알루미늄 2.80g(13.7 mmol)을 에틸에테르에 넣고 하루 동안 교반하였다. 여기에 이소프로필산나트륨 3.38 g(41.2 mmol)을 넣고 하루 동안 교반하였다. 염화 마그네슘 1.96 g(20.6 mmol)을 위 용액에 하고 하루 동안 교반하였다.
침전을 거르고 낮은 압력에서 용매를 제거하여 에틸알루미늄이소프로필산마그네슘 Mg[(μ-OPri)2AlEt2]26.28 g(17.12 mmol, 수율 83 %)을 얻었다. 얻은 액체의 벤젠-d6용액의 1H NMR 스펙트럼에는 δ 0.15[quartet, Al(CH2CH3)2, 8 H]와 1.11[doublet, OCH(CH3)2, 24 H]와 1.35[triplet, Al(CH2CH3)2, 12 H]와 3.95[he ptet, OCH(CH3)2, 4 H] 위치에 봉우리가 관찰되었다.
[실시예 3]
메틸알루미늄 0.81 g(11.2 mmol)에 이소프로필산알루미늄 1.14g(5.6 mmol)을 더한 후 에틸에테르에 넣고 이소프로필산나트륨 1.38g(16.8 mmol)과 염화마그네슘 0.80 g (8.4 mmol)을 더한 후 하루 동안 교반하였다. 낮은 압력에서 용매를 제거한 후 60℃에서 승화시켜 흰 고체 메틸알루미늄이 소프로필산마그네슘 Mg[(μ-OPri)2AlMe]2]21.22g(3·93 mmol, 수율 47 %)을 얻었다. 얻은 고체의 벤젠-d6용액의1H NMR 스펙트럼에는 δ -0.45[singlet, Al(CH3)2, 12 H]와 1.08[doublet, OCH(CH3)2, 24 H]와 3.94[heptet, OCH(CH3)2, 4 H] 위치에 봉우리가 관찰되었다.
[알루민산마그네슘 막의 형성]
전열체를 삽입하거나 적외선을 쪼여 가열한 흑연 덩어리 위에 Si 또는 GaAs 단결정 기질을 올려 놓고, 낮은 압력에서 알킬알루미늄알킬산마그네슘만을 기체 상태로 운반하여 기질과 접촉시킴으로써 기질 위에 알루민산마그네슘 막을 형성시켰다.
[실시예 4]
Mg[(μU-OBut)2AlMe2]2을 60℃에서 기화시켜, 400 ℃로 가열한 Si(l00) 기질 위에 1 시간 40 분 동안 화학증착을 실시하였다.
증착된 막의 X선 광전자 스펙트럼에는 마그네슘, 알루미늄, 산소, 및 탄소에 의한 봉우리만이 관찰되었다. 각 원소에 의한 봉우리의 넓이를 비교하여 알아낸 막 표면의 원소 조성은 마그네슘 : 알루미늄 : 산소 = 1.0 : 2.3 : 5.6이었다.
[실시예 5]
Mg[(μU-OBut)2AlMe2]2을 60℃에서 기화시켜, 400 ℃로 가열한 GaAs(100) 기질 위에 1 시간 15 분 동안 화학 증착을 실시하였다.
증착된 막의 X선 광전자 스펙트럼에는 마그네슘과 알루미늄과 산소와 탄소에 의한 봉우리만이 관찰되었다. 각 원소에 의한 봉우리의 넓이를 비교하여 알아낸 막 표면의 원소 조성은 마그네슘 : 알루미늄 : 산소 = 1.0 : 2.2 : 6.0이었다.
[실시예 6]
Mg[μ-OPri)2AlMe2]2을 상온에서 기화시켜, 600℃로 가열한 Si(100) 기질 위에 4 시간 동안 화학증착을 실시하였다. 증착된 막의 X선 광전자 스펙트럼에는 마그네슘과 알루미늄과 산소와 탄소에 의한 봉우리 만이 관찰되었다. 각 원소에 의한 봉우리의 넓이를 비교하여 알아낸 막 표면의 원소 조성은 마그네슘 : 알루미늄 : 산소 = 1.0 : 2.4 : 6.6이엇다.
[실시예 7]
Mg[μ-OPri)2AlEt2]2을 70℃에서 기화시켜, 400℃로 가열한 Si(100) 기질 위에 6 시간 동안 화학증착을 실시하였다. 증착된 막의 X선 광전자 스펙트럼에는 마그네슘과 알루미늄과 산소와 탄소에 의한 봉우리만이 관찰되었다. 각 원소에 의한 봉우리의 넓이를 비교하여 알아낸 막 표면의 원소 조성은 마그네슘 : 알루미늄 : 산스 = 1.0 : 1.8 : 5.2이었다.
본 발명자들이 알루민산마그네슘을 합성하는 데 사용한 알킬알루미늄알킬산마그네슘은 종래에 알루민산마그네슘을 합성하는 데 사용된 알루미늄과 마그네슘의 알킬산 유도체보다 증기압이 훨씬 높아, 원료 화합물을 상온 정도의 온도에서도 기체 상태로 쉽게 운반하여 원하는 곳에 알루민산마그네슘을 합성할 수 있다는 장점이 있다.
Claims (16)
- 아래 식으로 표현되는 알킬알루미늄알킬산알칸리금속을 할로겐화마그네슘과 반응시켜 Mg[(μ-OR')2AlR2]2로 표현되는 알킬알루미늄알킬산마그네슘을 제조하는 방법.M[(μ-OR' )2AlR2]단, 상기 식에서 M 은 Li 또는 Na 또는 K이고; R 및 R'은 탄소 원자를 1 개 이상 10 개까지 포함하는 알킬기이다.
- 제 3항에 있어서,메틸알루미늄이소프로필산알칼리 금속을 할로겐화마그네슘과 반응시켜 메틸알루미늄이 소프로필산마그네슘을 제조하는 방법.
- 제 1항에 있어서,에틸알루미늄이소프로필산알칼리 금속을 할로겐화마그네슘과 반응시켜 에틸알루미늄이 소프로필산마그네슘을 제조하는 방법.
- 제 2항에 있어서,가) 메틸알루니늄을 알코올과 반응시키거나 메틸알루미늄을 이소프로필산알루미늄과 2 : 1의 몰비로 상온에서 반응시켜 디메틸이소프로필산알루미늄을 합성하는 단계;나) 상기 디메틸이소프로필산알루미늄을 이소프로필산알칼리금속과 반응시켜 메틸알루미늄이소프로필산알칼리금속을 합성하는 단계; 및다) 상기 메틸알루미늄이소프로필산알칼리금속을 MgBr2와 반응시켜 메틸알루미늄이소프로필산마그네슘을 얻는 단계를 포함하는 방법.
- 제 3항에 있어서,가) 에틸알루미늄을 알코올과 반응시키거나 에틸알루미늄을 이소프로필산알루미늄과 2:1의 몰비로 상온에서 반응시켜 디에틸이소프로필산알루미늄을 합성하는 단계;나) 상기 디에틸이소프로필산알루미늄을 이소프로필산알칼리금속과 반응시켜 에틸알루미늄이소프로필산알칼리금속을 합성하는 단계; 및다) 상기 에틸알루미늄이소프로필산알칼리금속을 MgBr2와 반응시켜 에틸알루미늄이소프로필산마그네슘을 얻는 단계를 포함하는 방법.
- 아래 일반식으로 표현되는 알킬알루미늄알킬산마그네슘을 원료로사용하여 기질 위에 알루민산마그네슘 막을 형성하는 방법.Mg[(μ-OR ' )2AlR2]2단, 상기식에 R 및 R'는 탄소 원자를 1 개 이상 10 개까지 포함하는 알킬기이다.
- 제 6에 있어서,상기 알킬알루미늄알킬산마그네슘을 기체 상태로 상기 기질과 접촉시켜 상기 알루민산마그네슘 막을 형성하는 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 알킬알루미늄알킬산마그네슘의 알킬기가 메틸기이고 알킬산기가 이소프로필산기임을 특징으로 하는 방법.
- 제 8항에 있어서,상기 알킬알루미늄알킬산마그네슘이 상온에서 기체 상태로 되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 알킬알루미늄알킬산마그네슘의 알킬기가 에틸기이고 알킬산기가 이소프로필산기임을 특징으로 하는 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 알킬알루미늄알킬산마그네슘이 60℃에서 기체 상태로 되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 알킬알루미늄알킬산마그네슘의 알킬기가 메틸기이고 알킬산기가 tert-부틸기임을 특징으로 하는 방법.
- 제 12항에 있어서,상기 알킬알루미늄알킬산마그네슘이 60℃에서 기체 상태로 되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 기질이 규소 단결정 또는 비소화갈륨 단결정임을 특징으로 하는 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 기질이 반도체 기질인 것을 특징으로 하는 방법.
- Mg[(μ-OR')2AlR2]2(상기 식에서, R'은 이소프로필기이고, R은 메틸기 또는 에틸기이다)로 표현되는 알킬알루미늄알킬산마그네슘
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