KR0164984B1 - 화학증착에 의해 알킬산디알킬알루미늄으로부터 산화알루미늄막을 형성하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 별도의 산소 공급물질을 사용하지 않고서 상온에서도 하기식의 알킬산디알킬알루미늄을 원료로 사용하여 화학증착에 의해 기질위에 산화알루미늄막을 형성하는 방법에 관한 것이다:
R1 2AlOR2
상기식에서 R1과 R2는 같거나 서로 다르며, 각각 C1-C10알킬이다.

Description

화학증착에 의해 알킬산디알킬알루미늄으로부터 산화알루미늄막을 형성하는 방법
본 발명은 산소와 알루미늄이 직접 결합되어 있는 휘발성의 알루미늄 유도체를 사용하여 기질위에 산화알루미늄막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
염화알루미늄 또는 알킬산알루미늄을 사용하여 산화알루미늄을 화학증착하는 방법은 잘 알려져 있다[CVD 핸드북, pp 665-689, 일본 화학공학회 편집, 이시우·이전 공역, 반도출판사(1993)], 염화알루미늄의 증기압은 100℃에서 1torr이고, 알킬산알루미늄중에서 증기압이 가장 높은 이소프로필산알루미늄의 증기압은 100℃에서 1.1torr로서, 이들은 상온보다 높은 온도로 가열하여야만 기체 상태로 운반되어 화학증착할 수 있다는 단점이 있다.
또한 상온에서 액체이고 증기압이 높은 알킬알루미늄을 알루미늄의 원료로 사용하여 산화알루미늄을 화학증착하는 방법들도 알려져 있는데, 여기에서는 별도의산소 공급물질을 필요로 한다. 예를 들면 산소의 원료로 CO2를 사용하는 플라즈마 도움 화학증착법[Earl R. Lory and Leonard J. Olmer, Low Temperature Deposition Method for High Quality Aluminum Oxide Films, U. S. P. 4,675,089]과 N2O를 사용하는 레이저 화학증착법[Makoto Minakata and Yoshitaka Furukawa, ArF Excimer Laser Induced CVD of Aluminum Oxide Films, Joournal of Electronic Materials, 15, 159(1986)]이 있다. 그러나 레이저 화학증착법과 플라즈마 도움 화학증착법에 사용되는 장치는 열화학증착 장치보다 복잡할 뿐 아니라, 한 면 위에 놓인 기질 표면에서만 화학증착이 일어나기 때문에 증착장치 내부의 모든 공간에 놓인 기질 표면에서 화학증착이 일어나는 열화학증착법보다 대량 생산면에서 불리하다. 또한 알킬알루미늄은 공기에 노출되면 발화하므로 안정성이 떨어진다는 문제도 있다.
따라서 본 발명의 목적은 별도의 산소 공급 물질을 사용하지 않고 공기중에서 보다 안정한 원료를 사용하여, 고온으로 가열할 필요없이 상온에서도 용이하게 화학증착에 산화알루미늄막을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 하기식의 알킬산디알킬알루미늄을 사용하여 화학증착에 의해 기질위에 산화알루미늄막을 형성한다:
R1 2AlOR2
상기식에서 R1과 R2는 같거나 서로 다르며, 각각 C1-C10알킬이다.
이하 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 의하면 알킬산디알킬알루미늄을 원료로 사용함으로써 별도의 산소 공급물질을 사용하지 않고서도 화학증착에 의해 산화알루미늄막을 형성할 수 있다. 알킬산디알킬알루미늄은 휘발성이 커서 알킬알루미늄처럼 상온에서 쉽게 기체상태로 운반될 수 있으며, 공기에 노출되어도 알킬알루미늄처럼 발화하지 않기 때문에 휘발성 액체인 알킬알루미늄보다 훨씬 더 안전하다.
알킬산디알킬알루미늄은 공지된 방법에 따라 알킬알루미늄과 알코올을 저온에서 반응시키거나[Paul S. Coan, Kirsten Folting, John C. Huffman, and Kenneth G. Caulton, Organometallics, 8, 2724(1989)]:
R1 3Al + R2OH -→ R1 2AlOR2+ R1H
알킬알루미늄과 알킬산알루미늄을 상온에서 2:1의 비로 반응시켜 제조할 수 있다:
2R1 3Al + Al(OR2)3-→ 3R1 2AlOR2
상기식들에서 R1과 R2는 앞에서 정의한 것과 같다.
본 발명에 사용되는 알킬산디알킬알루미늄으로는 이소프로필산디메틸알루미늄, 이소프로필산디에틸알루미늄 또는 tert-부틸산디메틸알루미늄이 바람직하다, 이소프로필산디메틸알루미늄과 이소프로필산디에틸알루미늄은 상온에서 액체이고 tert-부틸산디메틸알루미늄은 상온에서 겔처럼 보이는 고체이다.
본 발명의 방법에 따르면 운반기체를 사용하지 않고서 알킬산디알킬알루미늄 약 0.05-0.1g을 0℃ 내지 상온에서 기화시켜, 300-600℃로 가열한 기질, 예를 들면 Si(100) 기질 위애 화학증착하여 산화알루미늄막을 제조할 수 있다. 알킬산디알킬알루미늄의 기화는 내부압력이 수 mbar 정도인 반응기내에서 행할 수 있다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명할 것이다. 단, 본 발명의 범위가 하기 실시예만으로 한정되는 것은 아니다.
[제조예 1 : tert-부틸산디메틸알루미늄의 제조]
물을 제거한 에틸에테르 용매에 용해시킨 메틸알루미늄 2.07g(28.7 mmol)에 -70℃에서 tert-부탄올 2.13g(28.7 mmol)을 첨가하고 교반하면서 온도를 상온까지 상승시켰다. 용매를 제거하고 남은 고체를 승화하여 겔처럼 보이는 고체 2.16g(16.6 mmol)을 얻었다. 얻은 고체의 벤젠-d6용액의1H NMR 스펙트럼에는 δ -0.42[s, Al(CH3)2, 6H]와 1.15[s, OC(CH3)3, 9H] 위치에 봉우리가 관찰되었다.
[제조예 2 : 이소프로필산디메틸알루미늄의 제조]
용매 없이 메틸알루미늄 2.75g(38.1 mmol)에 감압증류하여 정제한 이소프로필산알루미늄 3.90g(19.1 mmol)을 첨가하고 2일간 교반하였다. 얻은 액체의 벤젠-d6용액의1H NMR 스펙트럼에는 δ -0.47[s, Al(CH3)2, 6H]과 0.99[d, OCH(CH3)2, 6H]와 3.84[heptet, OCH(CH3)2, 1H] 위치에 봉우리가 관찰되었다.
[제조예 3 : 이소프로필산디에틸알루미늄의 제조]
용매 없이 에틸알루미늄 2.75g(38.1 mmol)에 감압증류하여 정제한 이소프로필산알루미늄 3.90g(19.1 mmol)을 첨가하고 2일간 교반하여 제조하였다.
[실시예 1]
상기 제조예 1에서 제조한 tert-부틸산디메틸알루미늄 0.05g을 0℃에서 기화시켜 400℃로 가열한 Si(100) 기질위에 3시간 동안 화학증착을 실시하였다. 증착후 반응기에서 꺼낸 피막된 기질응 바로 X선 광전자 분광기 안으로 옮겨서 피막이 공기에 최소한 노출되도록 하여 X선 광전자 스펙트럼을 측정하였다. 증착된 막의 X선 광전자 스펙트럼에는 모든 시료의 표면에서 나타나는 소량의 탄소외에 산소와 알루미늄에 의한 봉우리만이 관찰되었다. 또한 X선 광전자 스펙트럼에 규소에 의한 봉우리가 나타나지 않은 것으로 보아 산화알루미늄막이 기질인 규소를 완전히 덮었음을 알 수 있다.
[실시예 2]
상기 제조예 1에서 제조한 tert-부틸산디메틸알루미늄 0.05g을 0℃에서 기화시켜 300℃로 가열한 Si(100) 기질위에 1시간 동안 화학증착을 실시하였다. 증착된 막의 X선 광전자 스펙트럼에는 모든 시료의 표면에서 나타나는 소량의 탄소외에 산소와 알루미늄에 의한 봉우리만이 관찰되었다.
[실시예 3]
상기 제조예 2에서 제조한 이소프로필산디메틸알루미늄 0.1g을 상온에서 기화시켜 350℃로 가열한 Si(100) 기질위에 5시간 동안 화학증착을 실시하였다. 증착된 막의 X선 광전자 스펙트럼에는 모든 시료의 표면에서 나타나는 소량의 탄소외에 산소와 알루미늄에 의한 봉우리만이 관찰되었다.
[실시예 4]
상기 제조예 3에서 제조한 이소프로필산디에틸알루미늄 0.1g을 상온에서 기화시켜 350℃로 가열한 Si(100) 기질위에 2시간 동안 화학증착을 실시하였다. 증착된 막의 X선 광전자 스펙트럼에는 모든 시료의 표면에서 나타나는 소량의 탄소외에 산소와 알루미늄에 의한 봉우리만이 관찰되었다.
[실시예 5]
상기 제조예 2에서 제조한 이소프로필산디메틸알루미늄 0.1g을 상온에서 기화시켜 600℃로 가열한 Si(100) 기질위에 5시간 동안 화학증착을 실시하였다. 기질의 단면을 주사전자현미경으로 관찰하여 측정한 산화알루미늄피막의 두께는 300nm이었다.
알킬산디알킬알루미늄을 원료로 하여 산화알루미늄을 화학증착하는 본 발명의 방법에서는, 선구물질을 기화시키기 위하여 가열할 필요가 없고 산소 원료를 따로 사용할 필요가 없어 화학증착 장치의 설계를 쉽게 한다는 장점이 있으며, 알킬산디알킬알루미늄은 공기에 노출시켜도 알킬알루미늄처럼 발화하지 않기 때문에 훨씬 더 안전하다.

Claims (3)

  1. 하기식의 알킬산디알킬알루미늄을 기화시켜 화학증착에 의하여 기질위에 산화알루미늄막을 형성하는 방법:R1 2AlOR2상기식에서 R1과 R2는 같거나 서로 다르며, 각각 C1-C10알킬이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 알킬산디알킬알루미늄이 이소프로필산디메틸알루미늄, tert-부틸산디메틸알루미늄 또는 이소프로필산디에틸알루미늄인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기질이 규소 단결정인 것을 특징으로 하는 방법.
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ES96940725T ES2159057T3 (es) 1995-12-04 1996-12-03 Procedimiento para la preparacion de una pelicula de oxido de aluminio utilizando alcoxido de dialquilaluminio.
JP52117597A JP3148249B2 (ja) 1995-12-04 1996-12-03 ジアルキルアルミニウムアルコキシドを用いた酸化アルミニウム膜の製造方法

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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5912498A (en) * 1997-10-10 1999-06-15 Lucent Technologies Inc. Article comprising an oxide layer on GAN
KR100186949B1 (ko) * 1996-02-12 1999-05-15 재단법인 한국화학연구소 알킬알루미늄알킬산마그네슘과 그 제조 방법 및이를이용한알루민산마그네슘의합성
KR20000049201A (ko) * 1996-10-16 2000-07-25 조이스 브린톤 산화알루미늄의 화학 증착법
KR100254530B1 (ko) * 1997-08-12 2000-05-01 김충섭 2가 금속과 13족 금속의 알킬산알킬헤테로금속 화합물,이의 제조방법 및 이를 이용한 mm'2o4 형 복합 산화물 막의 제조방법
FI117942B (fi) * 1999-10-14 2007-04-30 Asm Int Menetelmä oksidiohutkalvojen kasvattamiseksi
JP4111756B2 (ja) 2002-06-20 2008-07-02 セントラル硝子株式会社 ３，３，３−トリフルオロ−２−ヒドロキシプロピオン酸およびその誘導体の製造方法
KR100480756B1 (ko) * 2002-08-02 2005-04-06 한국화학연구원 산화알루미늄 박막 제조 방법
US7160578B2 (en) 2004-03-10 2007-01-09 Pilkington North America Method for depositing aluminum oxide coatings on flat glass
CN100439293C (zh) * 2007-04-20 2008-12-03 江苏省陶瓷研究所有限公司 一种覆有纳米陶瓷过滤膜的多孔陶瓷过滤板及其制造方法
US9718249B2 (en) 2012-11-16 2017-08-01 Apple Inc. Laminated aluminum oxide cover component
KR102123996B1 (ko) * 2013-02-25 2020-06-17 삼성전자주식회사 알루미늄 전구체, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 커패시터 형성 방법
EP2778252A3 (en) 2013-03-15 2014-12-10 Apple Inc. Layered Coatings For Sapphire Structure
DE102013004558B4 (de) 2013-03-18 2018-04-05 Apple Inc. Verfahren zur Herstellung einer oberflächenverspannten Saphirscheibe, oberflächenverspannte Saphirscheibe und elektrisches Gerät mit einer transparenten Abdeckung
DE102013004559B4 (de) * 2013-03-18 2015-07-23 Apple Inc. Bruchstabile Saphirscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung
CN106086814A (zh) * 2016-06-17 2016-11-09 中山大学 一种玻璃面板镀膜层及其制备方法
RU2665498C1 (ru) * 2017-12-04 2018-08-30 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ) Способ модификации фотонного кристалла на основе наноструктурированного пористого анодного оксида алюминия
US11269374B2 (en) 2019-09-11 2022-03-08 Apple Inc. Electronic device with a cover assembly having an adhesion layer
WO2023177696A1 (en) * 2022-03-16 2023-09-21 Entegris, Inc. Process for preparing dialkyl aluminum alkoxides

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2202865A (en) * 1987-03-26 1988-10-05 Plessey Co Plc Thin film deposition process
DE3918932A1 (de) * 1989-06-08 1990-12-13 Schering Ag Verfahren zur herstellung duenner oxydschichten durch die plasma-umsetzung metallorganischer verbindungen
FI92897C (fi) * 1993-07-20 1995-01-10 Planar International Oy Ltd Menetelmä kerrosrakenteen valmistamiseksi elektroluminenssikomponentteja varten
US5389401A (en) * 1994-02-23 1995-02-14 Gordon; Roy G. Chemical vapor deposition of metal oxides

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US5922405A (en) 1999-07-13
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