KR0179148B1 - Overlay pattern for detecting alignment degree - Google Patents
Overlay pattern for detecting alignment degree Download PDFInfo
- Publication number
- KR0179148B1 KR0179148B1 KR1019950030263A KR19950030263A KR0179148B1 KR 0179148 B1 KR0179148 B1 KR 0179148B1 KR 1019950030263 A KR1019950030263 A KR 1019950030263A KR 19950030263 A KR19950030263 A KR 19950030263A KR 0179148 B1 KR0179148 B1 KR 0179148B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pattern
- overlay
- measuring
- alignment
- overlay pattern
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체장치 제조시의 정렬로 측정을 위한 오버레이(Overlay)패턴구조에 관한 것으로, 특히 오버레이 패턴형상으로 정렬도 측정을 용이하도록 한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an overlay pattern structure for measurement by alignment in semiconductor device fabrication, and particularly to facilitate alignment measurement in the shape of an overlay pattern.
이를 위한 본 발명의 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조는 스크라이브 라인상에 오버레이 패턴 측정을 위한 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 원형의 중심을 기준으로 원형일측이 타 일측에 비해 크게 형성되는 제1패턴과, 제1패턴 외측으로 제1패턴과 크기는 다르나 같은 형상으로 형성되는 제2패턴으로 구성되어 이루어진다.The overlay pattern structure for measuring the degree of alignment according to the present invention for forming the mask pattern for measuring the overlay pattern on the scribe line, the first pattern is formed on one side larger than the other side with respect to the center of the circle, and The first pattern is composed of a second pattern formed in the same shape but different in size from the first pattern.
Description
제1도는 종래의 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조도.1 is a conventional overlay pattern structure for measuring the degree of alignment.
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의한 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조도.2 is an overlay pattern structure diagram for measuring the degree of alignment according to the first embodiment of the present invention.
제3도는 본 발명의 제2실시예에 의한 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조도.3 is an overlay pattern structure diagram for measuring the degree of alignment according to a second embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 제1패턴 2 : 제2패턴1: first pattern 2: second pattern
3 : 요(凹)홈부3: yaw groove
본 발명은 반도체장치 제조시의 정렬도 측정용 오버레이(Overlay) 패턴구조에 관한 것으로, 특히 오버레이 패턴형상으로 정렬도 측정을 용이하도록 한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an overlay pattern structure for measuring the degree of alignment at the time of manufacturing a semiconductor device.
오버레이(Overlay) 측정이란 반도체를 만들기 위해 여러장의 마스크를 필요로 하는데 웨이퍼상에 마스크를 노광장비를 정렬시켜 노광시킬 때 하층에 있는 패턴이 정확하게 정렬되었는지를 체킹(Checking)하는 것을 말한다.Overlay measurement requires multiple masks to make a semiconductor, which means checking the pattern on the underlying layer when the mask is exposed on the wafer.
오버레이 패턴의 형성위치는 메인칩 사이의 스크라이브 라인(Scribe Line)에 형성하여 메인칩에 형성된 반도체 장치의 정렬도를 측정하게 되는 것이다.The overlay pattern is formed on a scribe line between main chips to measure the degree of alignment of the semiconductor device formed on the main chip.
종래에는 제1도(a)에 도시된 바와 같이 스크라이브 라인상에 오버레이 패턴 측정을 위한 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 사각형 형태의 제1패턴(1) 외측에 사각형 형태의 제2패턴(2)을 형성하여 오버레이 패턴을 형성한다.Conventionally, in forming a mask pattern for overlay pattern measurement on a scribe line, as shown in FIG. 1 (a), a second pattern 2 having a square shape is formed outside the first pattern 1 having a rectangular shape. To form an overlay pattern.
상기와 같이 형성된 제1패턴(1)과 제2패턴(2)은 X와 Y라는 직교좌표를 이용하는 계측기를 사용하여 정렬도를 측정한다.The first pattern 1 and the second pattern 2 formed as described above measure the degree of alignment using a measuring instrument using rectangular coordinates X and Y.
그러나 종래와 같은 사각형 구조의 오버레이 패턴은 와 Y라는 직교좌표를 사용하여 계측하므로 대각선으로만큼 벗어나면 쉽게 계측할 수 없었다.However, the overlay pattern of the conventional rectangular structure is measured diagonally since it is measured using a rectangular coordinate called and Y. As far as I could not measure easily.
또한 제1도(b)에 도시된 바와 같이 오버레이 패턴정렬시 제2패턴(2)이 제1패턴(1)에 대하여 회전되어 정렬되어을 경우 그 각도(θ)를 쉽게 알아낼 수 없는 문제점이 있었다.In addition, as illustrated in FIG. 1B, when the overlay patterns are aligned, when the second pattern 2 is rotated and aligned with respect to the first pattern 1, there is a problem in that the angle θ cannot be easily determined.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 본 발명의 목적은 오버레이 패턴의 구조를 측정하기 쉬운 형상으로 형성하고 극좌표를 이용하여 정확한 오버레이를 측정하기 쉬운 형상으로 형성하고 극좌표를 이용하여 정확한 오버레이를 측정할 수 있게 한 것이다.The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to form the shape of the overlay pattern easy to measure and to form an accurate overlay using a polar coordinates easy to measure and to use the polar coordinates to obtain an accurate overlay It is possible to measure.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1실시예에 의한 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조는 스크라이브 라인상에 오버레이 패턴을 위한 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 원형의 중심을 기준으로 원형일측이 타일측에 비해 크게 형성되는 제1패턴과, 제1패턴 외측으로 제1패턴과 크기는 다르나 같은 형상으로 형성되는 제2패턴으로 구성된다.In the overlay pattern structure for measuring alignment degree according to the first embodiment of the present invention for achieving the above object, in forming a mask pattern for the overlay pattern on the scribe line, one side of the circle relative to the center of the circle The first pattern is formed larger than the first pattern, and the second pattern is formed in the same shape but different in size from the first pattern.
이하, 본 발명의 제1실시예를 제2도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2.
제2도(a)에 도시된 바와 같이 오버레이를 측정하기 위한 제1패턴(1)이 원형 형태이나 원형의 중심을 기준으로 원형 중심부터 일측이 다른 일측보다 크게 형성되고, 상기 제1패턴(1) 외측에 제1패넌(1)과 같은 형태의 제2패턴(2)으로 형성되는 것이다.As shown in FIG. 2A, the first pattern 1 for measuring the overlay is formed in a circular shape or one side larger than the other side based on the center of the circle, and the first pattern 1 The second pattern 2 having the same shape as the first pann 1 is formed outside.
즉, 오버레이 패턴이 제1패턴(1)이 형상을 원형으로 하되 일측이 타측보다 크게 형성되어 다음공정 진행을 위한 제2패턴(2) 형성시 제1패턴(1)과 올바른 정렬이 되었는지를 용이하게 관찰하는 것이다.That is, the overlay pattern has a circular shape of the first pattern 1, but one side is formed larger than the other side, so that it is easy to correctly align the first pattern 1 with the second pattern 2 for the next process. To observe.
또한 제2도(b)에 도시된 바와 같이 제1패턴(1)과 제2패턴(2)이 정렬이 잘못되었을 때 그 각도(θ)를 쉽게 측정할 수 있고 원형으로 형성된 제1패턴(1) 및 제2패턴(2)으로 인해 특별히 측정기준이 제한되지 않고 어디에서나 측정할 수 있는 극좌표를 이용할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 2B, when the first pattern 1 and the second pattern 2 are misaligned, the angle θ can be easily measured and the first pattern 1 formed in a circular shape can be measured. ) And the second pattern (2) is not particularly limited to the measurement criteria, it is possible to use polar coordinates that can be measured anywhere.
제3도는 본 발명의 제2실시예에 의한 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조도로서 스크라이브 라인상에 오버레이 패턴 측정을 위한 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 일측에 요(凹)홈이 형성된 원형형상으로 형성되는 제1패턴과, 제1패턴 외측에 제1패턴 요(凹)홈쪽으로 요(凹)홈이 형성된 원형형상의 제2패턴으로 구성된다.FIG. 3 is an overlay pattern structure diagram for measuring alignment degree according to the second embodiment of the present invention. In forming a mask pattern for overlay pattern measurement on a scribe line, the groove is formed in a circular shape having a groove formed on one side thereof. It consists of a 1st pattern and a circular 2nd pattern in which the recessed groove was formed in the outer side of the 1st pattern toward the 1st pattern recessed groove.
이하 본 발명의 제2실시예를 제3도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.
제3도(a)에 도시된 바와 같이 오버레이를 측정하기 위한 제1패턴(1)을 원형으로 형성하되 원형형상의 제1패턴 일측에 요(凹)홈(3a)이 형성되고, 상기 제1패턴(1) 외측에 제1패턴(1)과 같은 형태의 제2패턴(2)이 형성되고 제2패턴(2)의 요(凹)홈(3b)이 제1패턴(1)이 요(凹)홈(3a)과 마주보게 형성되는 것이다.As shown in FIG. 3A, a first pattern 1 for measuring an overlay is formed in a circular shape, and a recess groove 3a is formed at one side of the circular first pattern, and the first pattern 1 is formed. The second pattern 2 having the same shape as the first pattern 1 is formed outside the pattern 1, and the groove 3b of the second pattern 2 is formed by the first pattern 1. Iii) It is formed to face the groove (3a).
즉 제3도(a)에 도시된 바와 같이 오버레이 패턴이 제1패턴(1)의 형상을 요(凹)홈(3a)이 있는 형상으로 형성되어 다음 공정진행을 위한 제2패턴(2) 형성시 제1패턴(1)과 올바른 정렬이 되었는지 용이하게 관찰할 수 있게 한 것이다.That is, as shown in FIG. 3A, the overlay pattern is formed in the shape of the first pattern 1 in the shape of the recess 3a to form the second pattern 2 for the next process. It is to be able to easily observe whether the correct alignment with the first pattern (1).
또한 제3도(b)에 도시된 바와 같이 제1패턴(1)과 제2패턴(2)의 정렬이 잘못되었을 때 그 각도(θ)를 를 쉽게 측정할 수 있고 요(凹)홈(3a)(3b)이 형성된 원형형상의 제1패턴(1)과 제2패턴(2)으로 인해 특별히 측정기준이 제한되지 않고 어디에서나 사용할 수 있는 극좌표를 이용할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 3 (b), when the first pattern 1 and the second pattern 2 are misaligned, the angle θ can be easily measured and the yaw groove 3a can be measured. Due to the circular first pattern 1 and the second pattern 2 in which the 3 b is formed, the polar coordinates that can be used anywhere are not particularly limited.
본 발명은 제2도 및 제3도에서와 같이 정렬도 측정을 위한 오버레이 패턴구조를 측정하기 쉬운 원형형상으로 하고, 상기 원형형상에 돌출부 또는 요(凹)홈부를 형성하여 정렬도 측정시 쉽게 관찰할 수 있게 하였고 극좌표를 이용하여 오버레이 패턴을 쉽게 측정할 수 있도록 하였다.In the present invention, as shown in FIGS. 2 and 3, the overlay pattern structure for measuring the degree of alignment is easy to measure, and a protrusion or a groove is formed on the circle to easily observe the alignment. The polar coordinates make it easy to measure overlay patterns.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030263A KR0179148B1 (en) | 1995-09-15 | 1995-09-15 | Overlay pattern for detecting alignment degree |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030263A KR0179148B1 (en) | 1995-09-15 | 1995-09-15 | Overlay pattern for detecting alignment degree |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018313A KR970018313A (en) | 1997-04-30 |
| KR0179148B1 true KR0179148B1 (en) | 1999-04-15 |
Family
ID=19426964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950030263A KR0179148B1 (en) | 1995-09-15 | 1995-09-15 | Overlay pattern for detecting alignment degree |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0179148B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100815763B1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Mask frame and method for aligning of mask frame and mask |
-
1995
- 1995-09-15 KR KR1019950030263A patent/KR0179148B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970018313A (en) | 1997-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6150231A (en) | Overlay measurement technique using moire patterns | |
| US7894660B2 (en) | Image processing alignment method and method of manufacturing semiconductor device | |
| US5868560A (en) | Reticle, pattern transferred thereby, and correction method | |
| JP2802561B2 (en) | Semiconductor chip alignment method and laser repair target | |
| TW388803B (en) | A structure and method of measuring overlapping marks | |
| JP6153117B2 (en) | Process substrate with crystal orientation mark, crystal orientation detection method, and crystal orientation mark readout device | |
| JPH11126746A (en) | Pattern and method for measuring alignment accuracy | |
| KR0179148B1 (en) | Overlay pattern for detecting alignment degree | |
| JP2650182B2 (en) | Alignment mark, electronic device having the mark, and method of manufacturing the same | |
| JP2806242B2 (en) | Alignment mark for electron beam exposure and method for detecting alignment mark for electron beam exposure | |
| KR100519374B1 (en) | Method for measuring overlay of semiconductor device | |
| JP2687418B2 (en) | Semiconductor device | |
| KR100298193B1 (en) | Reticle for leveling alignement of wafer | |
| KR100700467B1 (en) | Pattern measuring device and pattern measuring method | |
| JPS63199416A (en) | Mark for measuring positional displacement and measuring method for positional displacement using said mark | |
| KR960007621B1 (en) | Method of compensating for overlaying error in semiconductor device | |
| KR20000026310A (en) | Semiconductor apparatus | |
| KR100255087B1 (en) | Reticle for stepper formed dummycell | |
| KR960001466Y1 (en) | Chip magnification rate of exposure device | |
| KR20230003843A (en) | Overlay mark, overlay measurement method and semiconductor device manufacturing method using the overlay mark | |
| KR100546336B1 (en) | Overlay key having plurality of crossing and method for measuring overlay using the same | |
| KR20230003846A (en) | Overlay mark, overlay measurement method and semiconductor device manufacturing method using the overlay mark | |
| JPS60136326A (en) | Semiconductor device | |
| KR19990070018A (en) | Misalignment Measurement Pattern of Semiconductor Devices | |
| JPS61111531A (en) | Inspection method for mask alignment accuracy of semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20091028 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |