KR0176280B1 - 미용 또는 피부용 조성물에서 술폰산의 노화 방지제로서의 용도 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 내인성 노화를 치료하기 위한 미용 또는 피부용 조성물의 노화 방지제로서 일부 이상이 중화되지 아니한 하나 이상의 술폰산 기능을 가지는 하나 이상의 화합물의 용도, 및 피부의 내인성 노화에 대항할 목적의 신규 미용 및/또는 피부용 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 내인성 노화를 치료하기 위한 미용 또는 피부용 조성물의 노화 방지제로서 일부 이상이 중화되지 않은 하나 이상의 술폰산 기능을 가지는 하나 이상의 화합물의 용도에 관한 것이다.
본 발명은 피부의 내인성 노화에 대항할 목적의 신규 미용 및/또는 피부용 조성물에 관한 것이다.
내인성 또는 외인성 인자의 피부에 대한 영향으로부터 초래되는 피부의 노화 현상은 주름살과 미세한 선의 모습, 색소침착의 흠이 나타남에 따라 얼굴을 여위게 하는 피부의 황색화 현상, 통상 각질층과 표피가 두꺼워지고 피부가 얇아지는 결과를 초래하는 피부 두께의 변화, 탄성, 유연성 및 견고상의 상실을 초래하는 엘라스틴과 콜라겐 섬유의 분열, 및 모세혈관 확장 증세의 모습으로 나타난다.
이들중 일부 현상은 내인성 또는 생리적인 노화, 즉 나이가 들어감에 따른 정상적 인 노화에 관련된 것이지만, 다른 현상은 보다 특히 외인성 노화, 즉 통상 환경에 의한 노화이며; 이와 같은 노화는 보다 구체적으로는 태양, 빛, 또는 기타 다른 방사선에 대한 노출 때문에 발생하는 광-노화 현상이다.
본 발명은 오로지 내인성 또는 생리적 노화에 관련되어 있다. 내인성 노화로 인해 발생하는 피부의 변화는 내생 인자를 포함하는 유전상 프로그램된 서열의 결과이다. 이러한 내인성 노화는 특히 피부 세포의 재생을 점감시키며, 이는 피하 지방 조직의 감소와 같은 임상적 손상의 외관 및 미세한 선과 작은 주름살의 외관, 및 탄성 섬유의 수와 두께의 증가, 탄성 조직막으로 부터의 연직 섬유의 상실과 이러한 탄성 조직 세포에서 대형 불규칙 섬유 아세포의 존재와 같은 조직 병리학적 변화를 반영한다.
이와 대조적으로, 외인성 노화는 주름살이 두꺼워지고 축 늘어진 바랜 피부와 같은 임상적 손상, 및 피부 상부의 탄성 물질의 과다 축적과 콜라겐 섬유의 변질과 같은 조직 병리학적 변화를 초래한다.
피부의 노화 현상에 대항하는 각종 미용 조성물은 선행 기술에 공지되어 있다.
레티노산과 그의 유도체는 특히 미합중국 특허 제4,603,146호에서 미용 조성물의 노화 방지제로서 기재되어 있다. 유산, 글리콜산 또는 구연산과 같은 α-히드록시 산은 상기와 동일한 출원에 공지되어 있으며, 이들 산은 많은 특허 및 공보 (참조문헌의 예 : 특허출원 제EP-A-413 528호)에 기재되어 있으며, 시판되고 있는 많은 미용 조성물에 도입되고 있다.
살리실산과 같은 방향족 오르토-히드록시 산이 또한 제안되어 있다(참조 문헌의 예 : 특허출원 제WO 93/10756호 및 제WO 93/10755호).
상기의 모든 화합물은 박리를 구성하는 피부의 노화에 대한 작용, 즉 각질층 표면에서 죽은 세포를 제거한다. 이러한 박리를 각질 용해성이라고도 한다. 그러나 이 화합물은 사용자가 불쾌감을 느끼는 자통 및 홍조로 구성된 부작용을 가지고 있다.
적어도 선행 기술의 화합물과 같이 효과적인 작용을 가지지만 결점이 없는 노화 방지제, 특히 나이에 관계되는 노화에 대해 작용하는 시약에 대한 필요성이 있음을 관찰하였다.
본 발명에 의해 상기의 필요성이 제공되어 있다.
본 출원인은 일부 이상이 중화되지 않은 하나 이상의 술폰산 기능을 가지는 화합물이 피부의 내인성 또는 생리적 노화 방지제로서 미용 조성물에서 사용될 수 있음을 발견하였다.
본 출원인은 상기에 대한 충분한 설명없이, 상기 화합물이 적어도 전부 카르복실산인 선행 기술의 화합물과 같이 효과적인 노화 방지 작용을 가지며, 이 화합물을 포함하는 미용 또는 피부용 조성물이 피부에 사용될 때 어떠한 자극도 없고, 어떠한 홍조도 관찰되지 않는 한, 이 작용은 보다 부드럽다는 사실을 관찰하였다. 상기 술폰산 중 일부는 전에는 자외선으로부터 피부를 보호하기 위한, 즉 파장이 280 내지 400 nm, 바람직하게는 280 내지 360 nm 인 가벼운 방사선에 의한 화상 및 홍반으로부터 피부를 보호하기 위한 햇빛-방지 조성물로서 사용되어 왔다. 이와 같은 조성물은 특히 하기의 참고 문헌에 기재되어 있다 : US 제4,585,597호, FR 제2,236,515호, 제2,282,426호, 제2,645,148호, 제2,430,938호 및 제2,592,380호. 햇빛에 대한 보호는 피부가 광-노화에 대해 보호될 수 있도록 하지만, 내인성 노화를 치료하지는 못한다.
또한 상기 문헌중 그 어느 것도 술폰산에 의한 생리적 노화의 치료를 제안허고 있지 않다.
술폰산은 통상 완전히 중화된 형태로 사용되는데, 이러한 형태는 피부의 내인성 노화 치료에는 부적절하다.
본 발명의 목적은 따라서 미용 및 / 또는 피부용 조성물을 제조하고, 내인성 노화에 대항하기 위한 시약으로서, 일부 이상이 중화되지 아니한 하나 이상의 술폰산의 기능을 가지는 하나 이상의 화합물의 용도이다.
본 발명의 다른 목적은 일부 이상이 중화되지 아니하고, 내인성 노화로 인한 주름살 및/또는 미세한 선에 대항하기 위한 미용 및/또는 피부용 조성물을 제조하기 위한 하나 이상의 술폰산의 기능을 가지는 하나 이상의 화합물의 용도이다.
본 발명의 또 다른 목적은 일부 이상이 중화되지 아니하고, 피부로부터 죽은 세포를 제거하기 위한 미용 및/또는 피부용 조성물을 제조하기 위한 하나 이상의 술폰산의 기능을 가지는 하나 이상의 화합물의 용도이다.
본 발명의 또 다른 목적은 일부 이상이 중화되지 아니한 하나 이상의 술폰산의 기능을 가지는 하나 이상의 화합물을 포함하는 미용 및/또는 피부용 조성물을 피부에 사용하는 것을 특징으로 하는, 피부의 내인성 노화에 대항하기 위한 비-치료적 (non-therapeutic) 방법이다.
본 발명은 선행 기술에서 햇볕타기 방지제로서 사용된 술폰산을 중화된 형태로 사용할 때, 매우 특별한 부가적 장점을 가지고 있다. 사실 이 경우에 피부는 이들 특별한 술폰산, 심지어 그들의 산 형태로도 태양 광선을 여과시키는 능력에 의해 자외선의 해로운 영향으로부터 보호된다.
본 발명의 내용에서 사용될 수 있는 술폰산은 하기의 일반식(a)으로 나타낼 수 있다 :
R-SO3H (a)
(식중, R 은 치환될 수도 있는 지방족 또는 방향족 탄화수소기이다).
본 발명의 구체적인 구현예에 따르면, R은 탄소 원자수가 대략 1 내지 30 개인 알킬기와 탄소 원자수가 대략 2 내지 30 개인 알케닐기를 포함하는 기로 부로 선택되며, 이들 기는 직쇄 또는 측쇄로, 하나 이상의 히드록실, 알콕시, 아실옥시, 아릴, 시클로알킬 또는 폴리시클로알킬기로 치환될 수도 있다.
상술한 화합물의 예를 들면 하기와 같다 : 메탄술폰산 CH3SO3H, 에탄술폰산 CH3CH2SO3H, n-부탄-1-술폰산 CH3CH2CH2CH2SO3H, n-도데칸-1-술폰산 CH3-(CH2)11-SO3H, n-옥타도데칸-1-술폰산, CH3-(CH2)17-SO3H, 비닐술폰산 CH2=CHSO3H, 2-히드록시에탄-1-술폰산 HO-CH2CH2SO3H, 4-히드로부탄-1-술폰산 HO-(CH2)4SO3H, 및 10-캄포르술폰산.
본 발명의 다른 구현예에 따르면, R 은 탄소원자수가 대략 6 내지 10 개인 아릴기로서, 하나 이상의 히드록실, 알콕시, 알케닐옥시, 알킬, 아실옥시, 아릴, 아릴옥시, 아로일, 아로일옥시, 카르복실, 할로 또는 술포닐기로 치환될 수도 있다.
상술한 화합물의 예를 들면 하기와 같다 :
벤젠술폰산 :
4-메틸벤젠술폰산 :
도데실벤젠술폰산 ( 이성질체의 혼합물 ) :
5-술포살리실산 :
5-술포이소프탈산 :
4-메톡시벤젠술폰산:
크실렌술폰산 (이성질체의 혼합물 ) :
3,6-디히드록시나프탈렌-2,7-디술폰산 :
1,8-디히드록시나프탈렌-3,6-디술폰산 :
4-클로로벤젠술폰산 :
본 발명의 다른 구현예에 따르면, UV 선을 여과시키는 부가적 성질을 가지는 술폰산 유도체를 사용한다.
하기 일반식 (b) 의 화합물을 예로 들 수 있다 :
[식중, B 는 H 또는 SO3H 이고, 0P1 (이때 p = 0 일 때, B = SO3H 임), 0n4, D 는 동일 또는 상이한 하나 이상의 직쇄 또는 측쇄 알킬, 알케닐, 알케닐옥시, 알콕시기, 할로 또는 히드록시기를 나타내고, n≥2 일 때에는 대략 탄소수가 1 내지 18 개인 알킬, 알케닐, 알케닐옥시 또는 알콕시기이며, A 는 바람직하게는 메타 또는 파라 위치에서 SO3H 또는 하기의 기:
(식중 Y 는 H 또는 -SO3H 임) 또는 하기의 기:
(식중, R11은 수소 원자, 대략 탄소수가 1 내지 6 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 알콕시기 또는 SO3H 기이며, B = H 일 때 R11은 SO3H 이고, R12는 수소 원자, 또는 대략 탄소수가 1 내지 6 개인 직쇄는 측쇄 알킬 또는 알콕시기이고, X 는 산소 원자, 황 원자 또는 -NR- 기 (식중, R 은 수소 원자, 또는 대략 탄소수가 1 내지 6 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬기임) 이다)].
상술한 일반식 (b) 화합물의 구체적인 예로서 화학식 (1), (2) 및 (3) 의 하기 유도체가 있다 :
[식중, - Z 는 바람직하게는 파라 또는 메타 위치에서 하기의 기 :
(식중 Y 는 H 또는 SO3H 임) - n 은 0 또는 1 내지 4 의 정수이고 (0≤n≤4), - R1은 동일 또는 상이하며, 대략 탄소수가 1 내지 4 개인직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 알콕시기이다 ].
화학식 1의 특히 바람직한 화합물은 n = o, 파라 위치상의 Z, Y = SO3H 에 상응하는 화합물, 즉 벤젠-1,4-[디(3-메틸리덴-10-캄포르술폰)]산이다.
(식중, - R2는 수소 원자 또는 -SO3H 기이고, - R3, R4, R5및 R6은 동일 또는 상이하며, 히드록실기, 대략 탄소수가 1 내지 4 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬기, 대략 탄소수가 2 내지 4 개인 직쇄 또는 측쇄 알케닐기, 대략 탄소수가 1 내지 4 개인 직쇄 또는 측쇄 알콕시기, 대략 탄소수가 2 내지 4 개인 직쇄 또는 측쇄 알케닐옥시기 또는 할로기이고; 또한 R3내지 R6기중 오직 하나만이 SO3H 기일 수 있고, R2가 수소 원자일 때, R3내지 R6기중 하나 이상은 -SO3H 기이다).
구체적인 예로서 하기 화학식 2의 화합물을 들 수 있다; R4는 벤질리덴캄포르의 파라 위치에서 -SO3H 기를, R2, R3, R5및 R6은 각각 수소 원자를 나타내고, 즉 3-벤질리덴캄포르-4' -술폰산이다.
R3, R4, R5및 R6은 각각 수소 원자를, R2는 -SO3H기를 나타내고, 즉 3-벤질리덴-10-캄포르술폰산이다.
R4는 벤질리덴캄포르의 파라 위치에서 메틸기를, R5는 -SO3H기를, R2, R3및 R6은 수소 원자를 나타내고, 즉 3-벤질리덴캄포르-4' -메틸-3'-술폰산이다.
R4는 벤질리덴캄포르의 파라 위치에서 염소 원자를, R5는 -SO3H 기를 R2, R3및 R6은 수소 원자를 나타내고, 즉 3-벤질리덴캄포르-4' -클로로-3' -술폰산이다.
R4는 벤질리덴캄포르의 파라 위치에서 메틸기를, R3, R5,및 R6은 수소 원자를, R2는 -SO3H 기를 나타내고, 즉 4' -메틸-3-벤질리덴-10-캄포르술폰산이다.
R2는 SO3H 기를, R3은 메틸기를, R4는 수소 원자를, R5는 t-부틸기 및 R6은 히드록실기를 나타내고, 즉 3-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸)벤질리덴-10-캄포르술폰산이다.
R2는 SO3H 기를, R3은 메톡시기를, R4는 수소 원자를, R5는 t-부틸기 및 R6은 히드록실기를 나타내고, 즉 3-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메톡시)벤질리덴-10-캄포르술폰산이다.
R2는 SO3H 기를, R3및 R5는 각각 t-부틸기를, R4는 히드록실기 및 R6은 수소 원자를 나타내고, 즉 3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시)벤질리덴-10-캄포르술폰산이다.
R4는 파라-메톡시기를, R5는 SO3H 기를, R2, R3및 R6은 H를 나타내고, 즉 3-벤질리덴캄포르-4'-메톡시-3'-술폰산이다.
R2는 -SO3H 기를, R3및 R6은 H 를, R4및 R5는 메틸리덴디옥시기를 나타내고, 즉 3-(4,5-메틸렌디옥시)벤질리덴-10-캄포르술폰산이다.
R2는 -SO3H기를, R4는 메톡시기를, R3, R5및 R6은 H를 나타내고, 즉 3-(4-메톡시)벤질리덴-10-캄포르술폰산이다.
R2는 -SO3H 기를, R4및 R5는 둘 다 메톡시기를, R3및 R6은 H를 나타내고, 즉 3-(4,5-디메톡시)벤질리덴-10-캄포르술폰산이다.
R2는 -SO3H기를, R4는 n-부톡시기를, R3, R5및 R6은 수소 원자를 나타내고, 즉 3-(4-n-부톡시)벤질리덴-10-캄포르술폰산이다.
R2는 -SO3H기를, R4는 n-부톡시기를, R5는 메톡시기를, R3및 R6은 둘 다 수소 원자를 나타내고, 즉 3-(4-n-부톡시-5-메톡시)벤질리덴-10-캄포르술폰산이다.
[식중, -R11은 수소 원자, 또는 대략 탄소수가 1 내지 6 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 알콕시기 또는 -SO3H기이고, -R12는 수소 원자, 대략 탄소수가 1 내지 6 개인 직쇄 또는 측쇄 갈킬 또는 알콕시기이고, -R13은 수소 원자 또는 -SO3H기이고, -R11과 R13중 하나 이상은 -SO3H기이고, -X는 산소 원자, 황 원자 또는 -NR-기 (식중, R은 수소 원자, 또는 대략 탄소수가 1 내지 6 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬기임)이다.]
화학식(III)의 구체적인 화합물로 하기를 들 수 있다 : X는 -NK-기, R11은 -SO3H 기, R12와 R13은 둘 다 수소 원자인 화합물, 즉 2-[4-(캄포메틸리덴)페닐]벤즈이미다졸-5-술폰산이다.
화학식(I),(2) 및 (3)의 화합물은 미합중국 특허 제4,585,597호, FR 특허 제2,236,515호, 제2,282,426호, 제2,645,148호, 제2,430,938호 및 제2,592,380호에 기재되어 있다.
UV선을 여과시키는 특성을 가지는 화합물의 다른 예로서 하기 일반식(c)의 화합물이 있다 :
[식중, -R9는 이가 기 : -(CH2)m- 또는 -CH2-CHOH-CH2- 이고, m 은 1 내지 10의 정수이다. (1≤m≤10), -R10은 수소 원자 또는 대략 탄소수가 1 내지 4인 알콕시기이며, -Y 또는 Y'은 수소 원자 또는 -SO3H기이고, Y 또는 Y' 중 하나 이상은 수소 이외의 기이다].
일반식c의 화합물의 구체적인 예로서, Y는 SO3H, Y' 은 H, R10은 H 및 R9는 -CH2-CH2-인 화합물, 즉 에틸렌비스[3-(4'-옥시벤질리덴)-10-캄포르술폰]산을 들 수 있다.
상술한 UV선 햇볕타기 방지제의 부가적 성질을 가지는 술폰산 유도체의 예로서 하기 일반식(d)가 있다 :
(식중, -R14와 R15는 동일 또는 상이하며, 수소 원자 또는 대략 탄소수가 1 내지 8인 직쇄 또는 측쇄 알킬기이고, -a, b 및 c는 동일 또는 상이하며, 0 또는 1 이다).
일반식(d) 화합물의 구체적인 예로서 하기 화합물이 있다 : 2-히드록시-4-메톡시벤조페논-5-술폰산 [a,b 및 c가 0이고, R15는 메틸기인 일반식(d) 화합물]으로서, 이 화합물은 CTFA 사전에서 벤조페논 -4로 기재되어 있다.
UV 선을 여과시키는 특성을 가지는 술폰산 유도체의 다른 예로서 일반식(e)가 있다 :
[식중, X는 산소 원자 또는 -NH- 기이고, R16은 수소 원자, 대략 탄소수가 1 내지 8 인 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 알콕시기, 또는 화학식(IV)의 기 :
(식중 X'은 산소 원자 또는 -NH-기이고, W는 H 또는 SO3H 임)이다.]
일반식(e) 화합물의 구체적인 예로서, 하기 화합물이 있다 : -X는 -NH-기이고, R16은 수소 원자인 화합물, 즉 2-페닐벤즈이미다졸-5-술폰산으로, CTFA 사전에는 2-페닐벤즈이미다졸-5-술폰산으로 기재되어 있다.; -X는 -NH-기이고, R16은 화학식(IV)인 화합물 (이 때, W는 SO3H이고, X'은 -NH-기임), 즉 벤젠-1,4-디(벤즈이미다졸-2-일-5-술폰)산이 있다; -X는 산소 원자이고, R16은 화학식(IV)인 화합물 (이때, W는 SO3H이고, X'은 산소 원자임), 즉 벤젠 -1,4-디(벤족사졸-2-일-5-술폰)산이 있다.
일반식(d)와 (e)의 화합물은 선행 기술에 기재된 표준 방법에 따라 제조할 수 있는 공지된 화합물이다.
본 발명에 따라 사용된 술폰산의 양은 바람직하게는 0.1 내지 10중량%이고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5중량%이다.
중화도는 전체가 되어서는 안된다. 중화도가 보다 낮을수록, 조성물의 실질적인 노화-방지 작용은 더 커질 것이다.
중화도는 무기 또는 유기 염기, 즉 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 수용성 암모니아, 모노에탄올아민, 트리엔탄 올아민, 이소프로판올아민등을 사용하여 통상적인 방법으로 성취된다.
본 발명에 의한 미용 조성물은 본 발명에서 사용된 산성 친수성 시약은 물론, 이외에도 친수성 또는 친유성 UVA- 및/또는 UVB-활성 햇볕타기 방지제를 하나 이상 포함할 수 있다.
상기의 부가적 햇볕타기 방지제는 바람직하게는 2-에틸헥실 p-메톡시신남산염등의 신남산 유도체; 2-에틸헥실 살리실산염,호모멘틸 살리실산 염등의 살리실산 유도체; 3-(4-메틸벤질리덴)캄포르등의 캄포르 유도체; 2,4,6-트리스[p-(2'-에틸헥실-1'-옥시카르보닐)아닐리노]-1,3,5-트리아진등의 트리아진 유도체; 2-히드록시-4-메톡시벤조페논등의 벤조페논 유도체 ; 4-t-부틸-4'-메톡시디벤조일메틴등의 디벤조일메탄 유도체; 2-에틸헥실 α-시아노-β,β-디페닐아크릴산염, (옥틸 2-시아노-3,3-디페닐-2-프로페노산염)등의 β,β-디페닐아크릴산염 유도체; 옥틸 파라-디메틸아미노벤조산염, 멘틸 안트라닐산염등의 p-아미노벤조산 유도체, 특허출원 제WO-93-04665호에 기재된 스크리닝 중합체 및 스크리닝 실리콘으로부터 선택한다.
부가적인 스크리닝 시약으로서, 특히 금속 산화물, 티탄 산화물, 철산화물, 아연 산화물 및 지르코늄 산화물의 나노색소류와 같은 무기 물질을 사용할 수도 있다.
본 발명의 조성물은 통상적으로 사용하는 미용 보조제, 예컨대 유지, 유기 용매, 이온성 또는 비이온성 농축제, 연화제, 항산화제, 불투명화제, 안정화제, 실리콘, 항-기포제, 습윤제, 비타민, 향료, 보존제, 이온성 또는 비이온성 계면활성제, 충전물, 금속이온 봉쇄제, 염료 또는 화장품에 통상 사용하는 다른 성분을 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 조성물은 관련 분야의 전문가에 공지된 기술에 따라 제조한다.
본 발명에 의한 조성물은 용매나 유지에서의 분산매 또는 현탁액의 형태, 기포 분산매 또는 크림이나 밀크와 같은 유탁액의 형태, 연고, 겔, 고형 스틱, 에어로졸 기포 또는 스프레이의 형태로 제공된다.
후술하는 실시예는 여떠한 방법으로도 본 발명의 범위를 제한하지 않고 기술하고 있다. 퍼센트는 중량을 나타낸다.
[실시예 1]
하기의 조성을 가지는 보호용 크림을 제조한다.
스판 65(ICI) 1%
글리세릴 모노스테아르산염 3%
미르지(Myrj)52(ICI) 2%
케토스테아릴 알콜(50-50) 4%
퍼히드로스쿠알렌 15%
액체 바셀린 2%
글리세롤 3%
세피겔 305 (SEPPIC) 1%
이나트륨 EDTA 0.05%
보존제 0.1%
벤젠-1,4-[디(3-메틸리덴-10-캄포르술폰)]산 0.7%
탈염수 qs 100%
제제의 pH : 2
[실시예 2]
하기의 조성을 가지는 보호용 크림을 제조한다 :
스판 65(ICI) 1%
글리세릴 모노스테아르산염 3%
미르지(Myrj)52(ICI) 2%
케토스테아릴 알콜(50-50) 4%
퍼히드로스쿠알렌 15%
액체 바셀린 2%
글리세롤 3%
세피겔 305(SEPPIC) 1%
이나트륨 EDTA 0.05%
보존제 0.1%
벤젠-1,4-[디(3-메틸리덴-10-캄포르술폰)]산 0.7%
탈염수 qs 100%
트리에탄올아민 0.4%
제제의 pH : 4
[실시예 3]
하기의 조성을 가지는 겔을 제조한다 :
카르보머 934 P(GOODRICH) 1%
글리세롤 3%
프로필렌 글리콜 3%
크산탄 고무 0.4%
유졸렉스 (Eusolex) 232(MERCK) 1%
트리에탄올아민 0.1%
탈염수 qs 100%
제제의 pH : 4
[실시예 4]
하기의 조성을 가지는 혈청을 제조한다 :
미글리올 812(DYNAMIT NOBEL) 0.5%
이나트륨 EDTA 0.05%
방향/보존제 0.5%
카르보머 940(GOODRICH) 0.3%
크산탄 고무 0.15%
글리세롤 3%
세틸 알콜 0.1%
코프라 디에탄올아민 0.1%
글리세릴 모노스테아르산염 0.3%
PEG 100 스테아르산염 0.3%
벤젠-1,4-[디(3-메틸리덴-10-캄포르술폰)]산 1%
탈염수 qs 100%
제제의 pH : 3.8
[실시예 5]
하기의 조성을 가지는 크림을 제조한다 :
미르지 52 (I.C.I) 2%
스판 65(I.C.I) 1%
글리세릴 모노스테아르산염 2.5%
액체 바셀린 2%
시클로메티콘 15%
프로필렌 글리콜 3%
글리세롤 3%
세틸 알콜 3%
캄포르-10-술폰산 1%
트리에탄올아민 0.3%
탈염수 qs 100%
[실시예 6]
하기의 조성을 가지는 크림을 제조한다 :
미르지 52(I.C.I) 1.5%
스판 65(I.C.I) 1%
글리세릴 모노스테아르산염 2.5%
액체 바셀린 3%
파르졸 MCX(Givaudan) 0.5%
살구 심(kernel)오일 13%
프로필렌 글리콜 3%
글리세롤 3%
케토스테아릴 알콜 3%
UVINUL MS 40(B.A.S.F.) 1%
탈염수 qs 100%
[실시예 7]
하기의 조성을 가지는 크림을 제조한다 :
미르지 52(I.C.I) 2%
스판 65(I.C.I) 1%
글리세릴 모노스테아르산염 3%
세틸 알콜 2%
액체 바셀린 17%
글리세롤 3%
세피겔 305(SEPPIC) 1%
이나트륨 EDTA 0.05%
에탄술폰산 0.5%
트리에탄올아민 0.1%
탈염수 qs 100%
[실시예 8]
하기의 조성을 가지는 액체를 제조한다 :
수소화 콩 레시틴 0.5%
게네롤(Generol) 122 E5(HENKEL) 0.2%
살구 심 오일 2.5%
이나트륨 EDTA 0.05%
세피겔 305(SEPPIC) 0.15%
카르보폴 980(GOODRICH) 0.4%
글리세롤 6%
탈염수 qs 100%
유졸렉스 232(MERCK) 0.5%
벤젠-1,4-[디(메틸리덴-10-캄포르술폰)]산 0.5%
트리에탄올아민 0.2%
[실시예 9]
하기의 조성을 가지는 보호용 크림을 제조한다 :
미르지 52(I.C.I) 2%
스판 65(I.C.I) 1%
글리세릴 모노스테아르산염 2%
파르졸 MCX(MERCK) 1%
벤젠-1,4[디(메틸리덴-10-캄포프술폰)]산 0.7%
프로필렌 글리콜 3%
글리세롤 3%
세틸 알콜 3%
탈염수 qs 100%
해바라기유 18%
트리에탄올아민 0.1%
[실시예 10]
하기의 조성을 가지는 강장성 로션을 제조한다 :
벤젠-1,4[디(메틸리덴-10-캄포르술폰)]산 0.5%
UVINUL MS 40(B.A.S.F) 0.5%
메틸 파라-옥시벤조산염 0.1%
트리에탄올아민 0.1%
이나트륨 EDTA 0.05%
페물렌 TRI(GOODRICH) 0.15%
글리세롤 3%
프로필렌 글리콜 2%
D 판텐올 0.2%
탈염수 qs 100%
[실시예 11]
하기의 조성을 가지는 보호용 크림을 제조한다 :
액체 바셀린 15.0%
뎀스코네트 390(Tensia) 7.0%
Geleol Copeaux(Gattefosse) 2.0%
로롤 C16(Henkel) 1.5%
실리온 70 047 V 300(Rhone-Poulene) 1.5%
벤젠-1,4-[디(메틸리덴-10-캄포르술폰)]산 2.0%
파르졸 MCX(Givaudan Roure) 5.0%
부틸파라벤 0.2%
게르말 115 0.2%
물 qs 100%
제제의 pH : 1.3
[실시예 11 : 비교예]
실시예 1에 기재한 조성물은 하기 조성을 가지는 참고 생성물, 즉 상표명 TURNAROUND로 시판되는 살리실산 1% 부형제qs 100%와 비교할 때, 피부의 생리적 노화 치료시 임상 연구의 목적이었다.
5일간 비교용으로 상기 생성물을 사용한 30명의 위원에게 블라인드 시험을 행하였다 : 각각 동량의 생성물을 얼굴중 절반에 사용하였다.
피부의 생리적 노화 현상을 기준으로 할 때, 두 화합물은 서로 크게 다르지 않은 작용을 가지고 있다.
편함과 인내력의 관점에서, 실시예 1 의 제제를 가지고 행한 시험에서는 30명중 단지 1명만이 시험을 멈추었지만, 참고용 크림을 사용한 경우에는 7명의 시험을 멈추었다.
본 발명의 목적인 제제는 선행 기술의 제조방법의 단점을 보이지 아니하고, 피부의 생리적 노화치료에 입증된 효과성을 나타내고 있다.
Claims (23)
- 전체적으로 또는 부분적으로 중화되지 아니한 하나 이상의 술폰산 관능기를 가지는 하나 이상의 하기 화학식의 화합물을 포함하는, 내인성 노화에 대항하기 위한 미용 또는 피부병리학적 조성물;RSO3H (a)(식중, R은 치환 또는 비치환된 지방족 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다.)
- 전체적으로 또는 부분적으로 중화되지 아니한 하나 이상의 술폰산 관능기를 가지는 하나 이상의 하기 화학식의 화합물을 포함하는, 내인성 노화로 인한 주름살 또는 미세한 선에 대항하기 위한 미용 또는 피부용 조성물;RSO3H (a)(식중, R은 치환 또는 비치환된 지방족 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다.)
- 전체적으로 또는 부분적으로 중화되지 아니한 하나 이상의 술폰산 관능기를 가지는 하나 이상의 하기 화학식의 화합물을 포함하는, 죽은 세포를 피부로 부터 제거하기 위한 미용 또는 피부용 조성물 ;RSO3H (a)(식중, R은 치환 또는 비치환된 지방족 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다.)
- 제1항에 있어서, 식중에서 R은 직쇄 또는 측쇄이고, 하나 이상의 히드록실, 알콕시, 아실옥시, 아릴, 시클로알킬 또는 폴리시클로알킬기로 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 30 개의 알킬기 및 탄소수 2 내지 30개의 알케닐기를 포함하는 기로부터 선택된 지방족 탄화수소기인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 식중에서 R은 CH3또는 CH3-(CH2)11기인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 전술한 화합물이 캄포르-10-술폰산인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 식중에서 R은 하나 이상의 히드록실, 알콕시, 알케닐옥시, 알킬, 아실옥시, 아릴, 아릴옥시, 아로일, 아로일옥시, 카르복실, 할로 또는 술포닐기로 치환될 수도 있는 탄소수 6 내지 10개의 방향족 탄화수소기인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제7항에 있어서, 식중에서 R은 C6H5기인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제7항에 있어서, 식중에서 R은 하기의 기인 것을 특징으로 하는 조성물 :
- 제1항에 있어서, 전술한 화합물은 하기 일반식(b)를 가지는 것을 특징으로 하는 화합물의 용도 :[식중, B는 H 또는 SO3H 이고, 0≤p≤1 (이 때 p=0일때, B= SO3H 임), 0≤n≤4, D는 동일 또는 상이한 하나 이상의 직쇄 또는 측쇄 알킬, 알케닐, 알케닐옥시, 알콕시기, 할로 또는 히드록시기를 나타내고, n≥2 일때에는 탄소수가 1 내지 18 개인 알킬, 알케닐, 알케닐옥시 또는 알콕시기이며, A는 SO3H기 또는 하기의 기 :(식중 Y는 H 또는 SO3H 임)또는 하기의 기 :(식중, R11은 수소 원자, 탄소수가 1 내지 6 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 알콕시기, 또는 SO3H기이며, B=H 일 때 R11은 SO3H이고, R12는 수소 원자 또는 탄소수가 1 내지 6 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 알콕시기이고, X는 산소 원자 또는 황 원자 또는 -NR-기(식중, R은 수소 원자 또는 탄소수가 1 내지 6 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬기임)를 나타낸다)].
- 제10항에 있어서, 일반식(b)의 화합물이 하기 화학식(I)을 가지는 것을 특징으로 하는 조성물 :[식중, -Z 는 하기의 기이고,(식중, Y 는 H 또는 SO3H 임), -n 은 0, 또는 1 내지 4 의 정수이고 (0≤n≤4), -R1은 동일 또는 상이하며, 탄소수가 1 내지 4 개인 하나 이상의 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 알콕시기이다].
- 제11항에 있어서, 화학식(I)의 화합물이 벤젠-1,4-[디(3-메틸리덴-10-캄포르술폰)]산인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제10항에 있어서, 일반식(b)의 화합물이 하기 화학식(II)를 가지는 것을 특징으로 하는 조성물 :(식중, -R2는 수소 원자 또는 -SO3H기이고, -R3, R4, R5및 R6은 동일 또는 상이하며, 히드록실기, 탄소수가 1 내지 4 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬기, 탄소수가 2 내지 4 개인 직쇄 또는 측쇄 알케닐기, 탄소수가 1 내지 4 개인 직쇄 또는 측쇄 알콕시기, 탄소수가 2 내지 4 개인 직쇄 또는 측쇄 알케닐옥시기, 또는 할로기이고; 또한 R3내지 R6기중 하나 이상의 -SO3H기이다.)
- 제13항에 있어서, 화학식(II)의 화합물을 3-벤질리덴캄포르-4'-술폰산, 3-벤질리덴-10-캄포르술폰산, 3-벤질리덴캄포르-4'-메틸-3'-술폰산, 3-벤질리덴캄포르-4'-클로로-3'-술폰산, 4'-메틸-3-벤질리덴-10-캄포르술폰산, 3-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸)벤질리덴-10-캄포르술폰산, 3-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메톡시)벤질리덴-10-캄포르술폰산, 3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시)벤질리덴-10-캄포르술폰산, 3-벤질리덴캄포르-4'-메톡시-3'-술폰산, 3-(4,5-메틸렌디옥시)벤질리덴-10-캄포르술폰산, 3-(4-메톡시)벤질리덴-10-캄포르술폰산, 3-(4,5-디메톡시)벤질리덴-10-캄포르술포산, 3-(4-n-부톡시)벤질리덴-10-캄포르술폰산 또는 3-(4-n-부톡시-5-메톡시)벤질리덴-10-캄포르술폰산으로 부터 선택하는 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제10항에 있어서, 일반식(b)의 화합물이 하기 화학식(III)을 가지는 것을 특징으로 하는 조성물 :[식중, -R11은 수소 원자, 탄소수가 1 내지 6 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 알콕시기, 또는 -SO3H기이고, -R12는 수소 원자, 탄소수가 1 내지 6 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 알콕시기이고, -R13은 수소 원자 또는 -SO3H기이고, -R11과 R13기중, 하나 이상은 -SO3H기이고, -X는 산소 원자, 황 원자 또는 -NR-기 (식중 R은 수소 원자, 또는 탄소수가 1 내지 6 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬기임)이다.]
- 제15항에 있어서, 화학식(III)의 화합물이 2-[4-(캄포메틸리덴)페닐]벤즈이미다졸-5-술폰산인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 전술한 화합물이 하기 일반식(c)를 가지는 것을 특징으로 하는 조성물 :[식중, -R9는 이가 기 : -(CH2)m- 또는 -CH2-CHOH-CH2- 이고, m은 1 내지 10의 정수이며 (1≤m≤10), -R10은 수소 원자 또는 탄소수가 1 내지 4인 알콕시기이고, -Y 또는 Y'은 수소 원자 또는 -SO3H 기이고, Y 또는 Y'기중 하나 이상은 수소 이외의 기이다].
- 제17항에 있어서, 일반식(c)의 화합물이 에틸렌비스[3-(4'-옥시벤질리덴)-10-캄포르술폰산]산인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 전술한 화합물이 하기 일반식(d)를 가지는 것을 특징으로 하는 조성물 :(식중, -R14와 R15는 동일 또는 상이하며, 수소 원자 또는 탄소수가 1 내지 8 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬기이고, -a, b 및 c는 동일 또는 상이하며, 0 또는 1이다).
- 제19항에 있어서, 일반식(d)의 화합물이 2-히드록시-4-메톡시벤조페논-5-술폰산인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 전술한 화합물이 하기 일반식(e)를 가지는 것을 특징으로 하는 조성물 :[식중, -X는 산소 원자 또는 -NH-기이고, -R16은 수소 원자, 탄소수가 1 내지 8 개인 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 알콕시기, 또는 화학식(IV)의 기 :(식중, X'는 산소 원자 또는 -NH-기이고, W는 H 또는 SO3H 임)이다].
- 제21항에 있어서, 일반식(e)의 화합물이 2-페닐벤즈이미다졸-5-술폰산, 벤젠-1,4-디(벤즈이미다졸-2-일-5-술폰)산 또는 벤젠-1,4-디(벤족사졸-2-일-5-술폰)산인 것을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 이 화합물의 사용량이 조성물의 0.1 내지 10 중량%인 것을 특징으로 하는 조성물.
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