KR0170042B1 - 화상형성장치 및 감광체 - Google Patents

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KR0170042B1
KR0170042B1 KR1019950001736A KR19950001736A KR0170042B1 KR 0170042 B1 KR0170042 B1 KR 0170042B1 KR 1019950001736 A KR1019950001736 A KR 1019950001736A KR 19950001736 A KR19950001736 A KR 19950001736A KR 0170042 B1 KR0170042 B1 KR 0170042B1
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나까무라 야스시게
사와따리 노리오
다께이 후미오
다까하시 도루
사까모또 가쓰라
와따누끼 쓰네오
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세끼사와 다다시
후지쓰 가부시끼가이샤
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Abstract

접촉대전법에 의한 표면전위를 현상바이어스에 접근시키거나, 그보다 높게 하여 흐림을 방지한다. 감광체의 대전성을 향상시킨다. 대전성향상제를 감광체에 함유하면, 표면에 피복되고, 사용전에 도포한다. 불소화 암모늄염등의 혼합물, 강유전성물질, 등가일함수가 4.10이상의 고분자물질(불소수지) 등이 유효하다. 특히 광배면기록법에 향해져 있으나, 다른 접촉대전법기록방식에도 유효하다.

Description

화상형성장치 및 감광체
제1도는 광배면기록법의 원리를 설명하기 위한 장치구성도.
제2도는 (a)~(c)는 광배면기록법의 화상형성기본원리를 나타내는 도.
제3도는 종래법의 칼슨법의 장치구성을 나타내는 도.
제4도는 광배면기록법의 장치구성을 나타내는 도.
제5도는 칼슨법의 화상형성프로세스의 전위관계를 나타내는 도.
제6도는 광배면기록법의 화상형성프로세서의 전위관계를 나타내는 도.
제7도는 광배면기록법의 토너농도와 감광체표면전위의 관계를 나타내는 도.
제8도는 감광체표면의 대전성향상제의 유무에 의한 상기 이중층에 의한 흡수 전류의 증대현상의 차를 나타내는 도.
제9도는 광배면프린터 구성도.
제10도는 광배면컬러프린터 구성도.
제11도는 대전성향상제 도포수단을 가지는 광배면기록장치를 나타내는 도.
제12도는 브러시 대전형화상형성장치를 나타내는 도.
제13도는 롤러 대전형화상형성장치를 나타내는 도.
제14도는 블레이드 대전형화상형성장치를 나타내는 도.
본 발명은 화상형성장치 및 감광체에 관한 것이고, 특히, 감광체의 내측에서 화상노광하면 거의 동시에 현상을 하고, 감광체상에 토너를 얻는 화상형성장치로서, 종래의 칼슨프로세스를 대폭으로 개선하여, 인체에 유해한 오존의 발생이 없이 저비용으로 양호한 화상을 안정하게 얻기위한 장치에 관한 것이다. 근년, 컴퓨터 통신기술의 급속한 발전에 수반하여, 출력단말로서의 프린터의 수요가 점차 높아지고 있다. 전자사진 프린터는 기록속도나 인자품위등에 뛰어나다는 점에서 급속하게 보급되어 오고 있다. 본 발명은 이와같은 프린터 및 디지털 복사기, 팩스의 개발에 향해져 있다.
종래의 전자사진방식(칼슨프로세스)에서는 감광체를 기록매체에 사용하여, 대전.노광.현상.전사.정착.제전.클리닝이라는 복잡한 공정으로 기록이 행해지고 있으므로, 소형화, 저가격화, 유지료화에는 한계가 있고, 보다 간략한 현상프로세스가 요망되고 있다. 최근, 투명한 감광체를 사용하여 현상하는 것이 시도 되어지고 있고, 상기와 같은 종래방식의 대상기구를 없애고, 더욱이 광학계를 감광체내부에 배치함으로써, 소형화가 가능하다는 보고가 있다. 예를들면, 특원평 5-143262호 공보에서는, 유기감광체를 사용하여 자성토너와 고저항 캐리어에 의해 현상을 하고 있다.
이 원리에 대하여 설명한다.
제1도, 제2(a)~(c)도에 상기에 나타내는 본프로세스에 의한 화상형성의 기본원리를 도시한다. 감광체1은 투명기체2, 투명도전층3, 광도전층4에서 구성되고, 투명도전층이 아스에 접속되어 있다. 현상제5는 고저항 캐리어6과 절연성 토너7로서 되는 현상제를 사용하고 있다. 현상롤러8은 마그네트 롤러9상의 도전성 슬리브10이 설치되어 있고, 현상제는 자기력에 의해 현상롤러방향으로 끌어 당겨져서, 슬리브상에 부착하면서 감광체1에 옮겨진다. 또, 현상니프(nip)내에는 3개의 공정이 거의 순시에 차례로 행해진다. 다시말해서, 대역(1)에서는 감광체1은 현상제5를 통하여, 대전12된다. 다음에, 대역(2)에서는 대전한 감광체1에 투명기체2측에서 화상노광을 하고, 잠상을 형성한다. 11은 광학계이다. 더욱이, 대역(3)에서는, 잠상형성부에 있어서, 토너7의 감광체1에 대한 상기적부착력13이 마그네트롤러9에서의 자기력14보다 강하기 때문에 현상되고, 역으로, 잠상형성부 이외의 배경부에서는 마그네트롤러9에서의 자기력정상기력이 강하기 때문에 토너7이 회수된다. 현상된 토너7은 기록매체 즉 종이 또는 플라스틱 플레이트등에 전사되어 인쇄를 얻는다. 여기서의 감광체 드럼과 현상제슬리브의 회전방향은 같은 방향이거나 역방향으로도 좋다. 또, 여기서는 이상에 기술한 화상기록방법은 이후, 「광배면기록법」이라고 부르기로 한다.
더욱이, 본 광배면기록법과 종래의 칼슨법의 상위에 대하여 설명한다. 제3도에 칼슨법을 사용한 장치, 제4도에 광배면기록법을 사용한 장치를 도시한다.
제3도, 제4도에 있어서, 21은 감광체 드럼(불투명), 22는 대상기, 23은 표면전위, 24는 광학계, 25는 현상기, 25는 현상제, 26은 토너, 27은 기록지, 28은 전사기, 29는 정착기, 30은 제전램프, 31은 클리너, 32는 감광체 드럼(투명지지체), 33은 전사롤러이다.
칼슨법은 주지와 같이, 통상, 감광체의 대전, 노광, 현상을 다른 프로세스영역에서 행하므로, 감광체의 대전전위(절대치)는 현상 바이어스보다 높게 설정되고, 배경부흐림(fog)이 발생하지 않는다. 즉, 제5도, 제6도와 같이 종래 프로세스에서는, 잠상에 대하여 정전적으로 토너가 옮겨지지만 배경부에는 상기적인 반발에 의해 토너는 부착하지 않는다. 그런데, 광배면기록법으로는, 현상니프내의 감광체의 상류측에서 현상바이어스(Vb)에 의한 현상제에서의 전하주입 및 미소방전등에 의해 감광체에 표면전위가 발생한다고 생각되지만, 그때, 범용의 감광체를 사용하면 그 효율이 낮기 때문에 감광체의 전위가 현상바이어스 보다 낮아진다. 그 정도는 토너농도가 높을수록 현상바이어스와 감광체의 표면전위에 차가 나타나기 쉽다(제6도). 따라서, 자성토너를 사용하는 경우에는 저토너농도(7wt% 이하)에서는 감광체의 표면전위가 현상바이어스에 가까우므로 흐림은 적지만, 고토너농도(10wt% 이하)에서는 감광체의 표면전위가 낮아 흐려지기 쉽게된다. 이와같이, 토너농도에 의하여 표면전위(Vs)가 현상바이어스(Vb)보다 낮게되어 가면, 토너농도를 콘트롤하지 않는(예, 특개평5-150667호 공보)현상 기구성은 사용할 수 없다. 또, 투자율 센서등을 사용하여 토너농도를 콘트롤하는 통상의 2성분 현상기를 사용하여 저토너농도로 하는 경우에도 토너도 캐리어도 자성이기 때문에 콘트롤이 엄밀하게 하기 어렵고, 더구나, 감광체등의 롯트차를 얻기 쉽고, 흐림에 대하여 충분한 마진이 얻어지지 않고 있다.
또, 일반적인 컬러토너와 같이 비자성토너에서는 토너농도에 의하지 않고, 자기적인 토너의 회수력이 작용하지 않으므로 표면전위(Vs)는 현상바이어스(Vb)보다 높게되지 않고, 흐림이 발생해 있었다.
따라서, 자성토너에 있어서, 표면전위(Vs)를 현상바이어스(Vb)에 접근시키거나, 표면전위(Vs)를 현상바이어스(Vb)보다 높게함으로써, 넓은 토너농도영역에서 양호한 인쇄특성이 얻어지고, 내흐림마진을 확대할 수 있다. 더욱이, 또, 비자성 컬러토너에 있어서도 감광체의 표면전위가 현상바이어스보다 크게되면 흐림이 없이 현상될 수 있다.
예의 연구의 결과, 광배면기록에 있어서는 고토너농도의 상태에 있어서도 감광체를 순시로 효율좋게 대전시키도록 하는 것이 중요하고, 이하의 방법에 보다 감광체의 표면전위를 충분히 높여서, 자성토너에 있어서도 비자성토너에 있어서도 흐림이 없는 양호한 인자(印字)를 실현할 수가 있었다.
다시 말해서, 투명 또는 반투명기체, 투명 또는 반투명의 도전층 및 광도전층을 적층하여된 감광체와 그 감광체의 광도전층측에 배치된 캐리어 및 토너로서 되는 현상제와 상기 감광체의 투명 또는 반투명기체측에서 또한 상기 현상수단과 대향하는 위치에 설치되고, 화상노광을 하는 화상노광수단으로서 되고, 상기 현상제에 의해 감광체의 대전을 하면 거의 동시에 노광 및 현상을 하는 화상형성방법에 있어서, 자성토너를 사용한 경우에는 감광체에 부가포텐셜 전위(Vf)를 부여하는 수단을 갖음으로써 감광체의 표면전위(Vs)가 현상바이어스(Vb)에 접근시키거나 또는 현상바이어스(Vb)보다 크게 하는 것에 의해 배경부 흐림은 해소되고, 인자농도도 올라간다. 또, 범용의 컬러토너와 같이 비자성토너에서는 감광체 표면전위(Vs)가 현상바이어스(Vb)보다 크게 함으로써 배경부 흐림은 해소되고, 인자농도도 올라간다.
구체적으로는, 감광체에 부가 포텐셜 전위를 부여하는 수단으로서는, 감광체에 부가 포텐셜 전위를 부여하는 물질(이하, 「대전성향상제」라고 함)을 감광체에 함유시키거나, 감광체표면에 피복하거나, 또는 화상형성전에 적의 감광체표면에 도포한다.
이 대전성향상제로서는 적어도 상기의 것이 유효하다는 것이 확인되어 있다. 이것은 혼합하여 사용할 수 있다.
A) 하기 식(I)으로 표시되는 불소화 암모늄염.
[식중, R1~R4는 수소원자 또는 유기기를 의미하고; 기 R1~R4중 적어도 1개는 수산기, 클로로메틸기, 카르복실산아미드, 술폰산아미드기, 우레탄기, 아미노기, R5-O-R6기 및/또는 R7-COOR8기를 갖어도 좋은 탄소원자수 1~69의 불소원자수 3~66의 직쇄상 또는 분지상의 불소함유 알킬 또는 불소함유 알케닐기이고, 그때 제R5, R6, R7및 R8및 R8은 탄소원자수 1~30의 알킬기이고, 그리하여 기R1~R4의 최고3개는 무관하게 수소원자, 탄소원자수 1~30의 직쇄선 또는 분기상 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기(예를 들면, 페닐기, 나프틸기, 아릴알킬기, 벤질기)이고; 아릴기 및 아릴알킬기는 방향족핵에 있어서 탄소원자수 1~30의 알킬기, 탄소원자수 1~30의 알콕시기 또는 수산기 또는 할로겐원자(예를 들면, 불소원자, 염소원자, 취소원자)로 치환되어도 좋고; 그리하여 기 R1~R4의 2개는 서로 결합하여, 헤테로원자(예를들면 질소원자, 산소원자 또는 유황원자)에서 중단되어도 좋고, 또한 0~6개의 2중결합을 가지고 있어도 좋고, 또한 불소원자, 염소원자, 최소원자, 탄소원자수 1~6의 알킬기, 탄소원자수1~6의 알콕시기, 이니트로기 또는 아미노기로 치환되어 있는 탄소원자 수 4~12의 단핵 또는 다핵의 환계를 형성하여도 좋고; 그리하여 X-는 유기 또는 무기 음이온을 의미하고; R1~R4는 COO-또는 SO3 -기에 의하여 치환되어 있어도 좋지만, 이 경우에는 X-는 불필요하다.]
바람직한 화합물로서 상기를 예시할 수 있다.
이들의 화합물의 구체적인 제조방법은 미국특허 제3,535,381호, 독일 특허출원공개 1,922,277호, 동 2,244,297호, 동3,306,933호에 제시되어 있지만, 감광체용재료로서 쓰인 예는 없다. 또, 불소화되어 있지 않은 통상의 4급 암모늄염을 감광체의 보호층의 경화제로서 소량 사용하는 것은 공지되어 있다(특허평1-142733호)가 불소화되어 있지 않은 4급 암모늄염 재료는 광배면기록에는 전혀 효과가 없고, 비록 첨가했다하더라도 4급 암모늄염의 흡수성에 의해 감광체의 표면전위(Vs)는 오히려 저하해 버리는 것을 알수 있었다. 이는 4급 암모늄염이 불소화됨으로써 소수성의 향상과 마찰대전성이 향상한 것에 의한다.
B) 하기식(II)로 표시되는 붕소착제.
[식중, R1및 R4는 수소원자, 알킬기, 치환 또는 배치환의 방향환(축합환도 포함)을 표시하고, R2및 R3는 치환 또는 비치환의 방향환(축합환도)을 표시하고, X는 양이온을 표시함.]
바람직한 예로서 하기를 들 수 있다.
일반식(1)로 표시되는 화합물의 구체예를 상기에 표시한다.
C) 하기식 (III)으로 표시되는 붕소착제
[식중, R은 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자를 표시하고, m 및 n은 1, 2, 3 또는 4이고, X는 수소이온, 알칼리금속이온, 지방족암모늄이온(치환지방족 암모늄이온도 포함), 지방족암모늄이온, 방향족암모늄이온, 알킬암모늄이온, 지방족암모늄이온, 방향족암모늄이온, 알킬암모늄이온, 이미늄이온, 포스포늄이온 또는 헤테로 환상암모늄이온을 표시함.]
식(III)으로 표시되는 붕소착제의 음이온으로서는 상기와 같은 예를 들 수 있다.
또, 식(III)으로 표시되는 붕소착제의 양이온으로서의 방향족 암모늄이온, 아랄킬 암모늄이온, 이미늄이온, 포스포늄이온은 하기식
(식중, R1~R11은 각각 수소원자, 치환 또는 비치환의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 아랄킬기를 표시하고, R1~R4중 적어도 1개 및 R6~R7중 적어도 1개는 아릴기 또는 아랄킬기이고, Z1, Z2는 상기 식중의 질소원자와 결합하여 5원 또는 6원환을 형성하는 비금속원자군을 표시함.)
로 표시되며, 구체적으로는 상기를 예시할 수가 있다.
식(II), (III)의 혼합물의 구체적인 제조방법은 USP3, 539, 614호에 제시되어 있고, 또, 이 재료를 토너중에 첨가하는 방법으로서는 특개평 2-48674호, 특개평 2-306861호, 특개평 2-221967호에 있지만, 감광체용재료로서 사용된 예는 없다.
D) 하기식(IV)로 표시되는 금속착제.
[식중, a 또는 b는, 탄소수 4~9의 알킬기이더라도 좋은 벤젠환 또는 시클로헥센환을 표시하고, R1및 R2는 H 또는 탄소수 4~9의 알킬기(다만, 동시에 H는 아님) 또는, 탄소수4에서 9의 알킬기가 있더라도 좋은 또는 벤젠환 또는 시클로헥센환을 형성하여도 좋은 치환기를 표시하고, Me는 Cr, Co 또는 Fe를 표시하고, X는 대 이온을 표시함.]
이 금속착제는 대칭 또는 비대칭이 되는 것이 가능하나, 상기식(IV)중의 금속원자 Me의 좌측의 화합물로서는, 2-히드록시-3-나프토에산, 알킬기(C4~C9)-2-히드록시-3-나프토에산, 5, 6, 7, 8-테트라하이드로-2-히드록시-3-나프토에산, 알킬기(C4~C9)- 5, 6, 7, 8-테트라하이드로-2-히드록시-3-나프토에산, 1-히드록시-2-나프토에산, 알킬기(C4~C9)-1-히드록시-2-나프토에산, 5, 6, 7, 8-테트라하이드로-1-히드록시-2-나프토에산등은 예시되고, 또 금속원자 Me의 우측의 화합물로서는, 알킬기(C4~C9) 살리실산, 3, 5-디알킬(C4~C9) 살리실산, 2-히드록시-3-나프토에산, 알킬기(C4~C9)-2-히드록시-3-나프토에산, 5, 6, 7, 8-테트라하이드로-2-히드록시-3-나프토에산, 알킬기(C4~C9)-5, 6, 7, 8-테트라하이드로-2-3-나프토에산, 1-히드록시-2-나프토에산, 알킬기(C4~C9)-1-히드록시-2-나프토에산, 5, 6, 7, 8-테트라하이드로-1-히드록시-2-나프토에산등을 예시된다.
식(IV)의 화합물을 토너에 첨가하는 방법으로서는 특공소 58-41508호에 표시되어 있으나, 감광체용재료로서 사용된 예는 없다.
E) 하기식(V)로 표시되는 금속착제.
(식중, R1~R4는 H또는 알킬기이고, Me는 Cr, Cu 또한 Fe이다.)
상기식(V)중, R1~R4로서는 수소원자, 또는 탄소수5 이하의 알킬기, 터셔리부틸기, 터셔리아밀기, 더욱이 탄소수가 적은 알킬기등이 사용하기 쉽다.
식(V)의 화합물을 토너에 첨가하는 방법으로서는 특공소 55-42752호에 표시되어 있으나, 감광체용재료로서 사용된 예는 없다.
F) 하기식(VI)로 표시되는 이미드화합물.
[식중, M은 알칼리 금속 또는 암모님이온을 표시하고, R1은,
이고, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9는, 수소 또는 탄소수 1~18의 알킬기, 할로겐,
이들은 동일하거나 다르게 하고 있어도 좋고, R10은,
이고, R11, R12및 R13은 수소 또는 탄소수 1~5의 알킬기이고, 이것은 동일하거나 다르게 하고 있어도 좋음.]
상기 이미드화합물의 예를 상기에 표시한다.
식(VI)의 화합물을 토너에 첨가하는 방법으로서는 특개평 2-272461호에 제시되어 있지만, 감광체용재료로서 사용된 예는 없다.
G) 하기식(VII)로 표시되는 알킬페놀착체.
[식중, M2는 3가의 금속 또는 붕소를 표시하고, X는 수소이온, 알칼리금속이온 (치환지방족 암모늄이온을 포함.), 지환족 암모늄이온 또는 헤테로 환상암모늄이온을 표시함.]
식(VII)의 화합물을 토너에 첨가하는 방법으로서는 특개평 3-6753호에 표시되어 있지만, 감광체용재료로서 사용된 예는 없다.
이 알킬페놀착체는, 알킬페놀과 금속염 또는 붕소를 반응시켜서 얻을 수가 있다. 더욱이 이를 중화하여 각종의 결염(結鹽)화합물을 얻을 수가 있다. 금속염으로서는 염화아연, 염화니켈, 황산동, 염화코발트, 염화망간, 초산연, 황산, 염화칼슘, 황산마그네슘, 염화바륨, 황산알루미늄, 염화크롬, 염화제2철, 염화티탄을 예시할 수 있다.
또, 이 알킬페놀착체의 양이온으로서의 지방족 또는 지환족 암모늄이온은 일반식
로 표시되며, 식중 R1~R4의 예로서는 하기를 들수가 있다.
또, 헤테로 환상암모늄이온으로서는 하기와 같이 예시할 수 있다.
H) 하기식(VIII)로 표시되는 아연착체.
에서 선택되는 방향족 옥시카르복실산의 잔기 ((r)을 알킬기 또는 할로겐 원자를 표시하고, n은 0 또는 1~4의 정수를 표시함.)를 표시하고, M은 수소, 알칼리 금속, NH4및 아민의 암모늄의 어느것인가를 표시함.]
이 아연착체를 형성할 수 있는 치환기이더라도 좋은 방향족옥시카르복실산으로서는 알킬기(C4~C9) 살리실산, 3, 5-디알킬(C4~C9)살리실산, 2-히드록시-3-나프토에산, 알킬기(C4~C9)-2-히드록시-3-나프토에산, 5, 6, 7, 8-테트라할로겐-2-히드록시-3-나프토에산등을 들 수 있다.
식(VIII)의 화합물을 토너에 첨가하는 방법으로서는 특개소 62-145255호에 제시되어 있지만, 감광체용재료로서 사용된 예는 없다.
I) 하기식(IX)로 표시되는 금속착체.
(식중, X는 수소원자, 저급알킬기, 저급알콕시기, 니트로기 또는 할로겐원자를 표시하고, n은 1또는 2, m은 1~3의 정수를 표시하고, X는 동일하여도 달라도 좋고, M은 크롬 또는 코발트원자를 표시하고, A+는 수소, 나트륨, 칼슘 또는 암모늄이온을 표시함.)
식(IX)의 금속착체는 식(i)[식중, n은 1 또는 2임]으로 표시되는 디아조성분을 디아조화하고, 이 디아조화물을 식(ii)[식중의 X는 수소원자, 저급알킬기, 저급알콕시기, 니트로기 또는 할로겐원자를 표시하고, m은 1~3의 정수를 표시함]으로 표시되는 아조성분과 통상법에 따라 커플링함으로써, 식(iii)로 표시되는 모노아조화합물을 합성하여, 다음에 모노아조화합물을 물 또는 유기용매중에서, 크롬화부여제 또는 코발트화부여제로 가열처리함으로써, 고수율로 얻을 수가 있다. 본 발명에서 사용되는 식(i)의 디아조성분은, 예를 들면, 5-니트로-2-아미노페놀, 4, 6-디니트로-2-아미노페놀등을 들 수 있다. 또 식(ii)의 아조성분은, 예를 들면, 3-히드록시-2-나프토아닐리드, 3-히드록시-4'-클로로-2-나프토아닐리드. 3-히드록시-2-나프토-p-아니시디트, 3-히드록시-2-나프토-o-아니시디트, 3-히드록시-2-나프토-o-페네디트, 3-히드록시-2', 5'-디메톡시-2-나프토아닐리드, 3-히드록시-2-나프토-o-톨루이디트, 3-히드록시-2-나프토-2' 4'-크실리디트, 3-히드록시3' -니트로-2-나프토아닐리드, 3-히드록시-4'-클로로-2-나프토-o-톨루이디트, 3-히드록시-2', 4'-디메톡시-5'-클로로-2-나프토아닐리드등을 들 수 있다.
J) 식(X)로 표시되는 금속착체.
(식중, X는 니트로기, 술폰아미드기, 또는 할로겐원자, Y는 할로겐원자 또는 니트로기를 표시하고 (다만, X와 Y가 공히 니트로기의 것은 제외함), M은 크롬 또는 코발트원자를 표시함.]
식(x)의 금속착염화합물은, 식(iv) [식중, X는 니트로기, 술폰아미드기, 또는 할로겐원자, Y는 수소원자, 할로겐원자 또는 니트로기 (X와 Y가 공히 니트로기의 것은 제외함)로 표시되는 2-아미노페놀-유도체와 β-니프톨에서 얻어지는 모노아조화합물을 공지의 방법으로 크롬 또는 코발트부여제로 처리하여 얻어진다. 일반적으로는 (v)[식중, X와 Y는 전술과 같이, A+는 알칼리금속이온 또는 암모늄이온을 표시함.]로 표시되는 금속착염화합물을 수용성 알콜에 분산하고, 화학량론적으로 약간 과잉의 염산 또는 황산을 가함으로써 대이온을 H+로 하여 용이하게 얻을 수가 있다. 이 경우, 알콜로서는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올등의 저급알콜을 적절히 사용할 수가 있고, 알콜의 농도는 30~50%의 범위가 바람직하다.
이하, A)~J)의 화합물은, 대전속도를 향상시키는 작용과, 마찰대전성을 향상시키는 작용의 양쪽을 가진다고 생각될 수 있다. 특히 A)의 불소화 제4암모늄염이 알맞다.
K)강유전성성질.
강유전성물질은 대전속도를 향상시키는 작용이므로, 제1도의 대역(1)에서 대역(2)에 이르는 약간의 시간, 예를들면, 0.1초 정도의 기간내에 보다 높은 포텐셜전위(Vf)에 전달시키는 효과가 있다.
구체적으로는, 하기표의 무기 또는 유기강유전체를 들 수 있다.
L) 등가일함수가 4.10 이상의 고분자물질.
마찰대전을 일으키기 위한 원동력인 도전체와의 일함수의 차를 어느정도 크게하기 위해서 등가일함수가 4.10 이상, 보다 바람직하게는 4. 20 이상의 고분자물질이 유효하다는 것이 발견되었다.
절연체의 대전형상으로서 문제로 되는 것은 현재의 경우, 거의 고분자화합물의 대전이다. 고분자화합물은 매우 대전하기 쉬운 물질이지만, 이는 고분자화합물이 특별히 전하를 발생하기 쉬운 특성을 가지고 있다고 생각하는 것보다 절연성이 극히 좋고, 발생한 전하를 놓치지 않기 위해서라고 생각하는 것이 자연스러울 것이다.
고분자화합물이 금속과 접촉하는 경우에 발생하는 전하는 유기반도체의 예와 마찬가지로, 접촉하는 금속의 일함수에 의존하고, 일함수가 작은 금속에 대하여는 음으로, 큰 금속에 대하여는 양으로 대전하는 경향이 인정된다.
고분자화합물의 일함수와 대전량과의 상관도를 그리고, 전하=0의 때의 일함수를 구하면, 접촉하여도 대전하지 않은 금속의 일함수이고, 이로써 고분자화합물의 일함수로 된다 (예를 들면, 정전기 핸드북; R.G.C.Arridge : Brit. J. Appl. Phys., 13311, (1969) ; D.K.Pavies : J. Phys. D : Appl. Phys.2, 1533(1969)).
구체적으로는 폴리에틸렌수지, 폴리프로필렌수지, 폴리부텐수지, 폴리메틸펜텐수지, 폴리비닐부티랄수지, 에폭시수지, 폴리카보네이트수지, 폴리아크릴로니트릴수지, 폴리염화비닐수지, 폴리이미드수지, 불소화폴리에틸렌수지, 불소화폴리프로필렌수지, 퍼플루오로알킬수지, 불소화에틸렌프로필렌공중합수지, 폴리불화비닐수지, 그밖의 불소수지, 폴리스티렌수지, 니트릴고무, 불소화고무등을 들 수 있다.
M) 일렉트렉트수지능을 가지는 고분자물질.
일렉트렉트는 재료자신이 영구분극을 가지므로, 상기 J)와 마찬가지로 마찰대전성이 향상한다.
이것을 실현하는 재료로서는 폴리불화비닐리덴, 폴리불화비닐, 폴리불소화에틸렌, 불소화에틸렌프로필렌공중합체, 폴리-r-메틸글루타민산, 폴리염화비닐, 폴리메틸메타크릴레이트, 나일론, 폴리초산, 폴리스티렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌등이 있다. 그 외에 강유전성성질도 일렉트렉트형성능을 갖지만 이에 대해서는 앞에서 들었다.
상기 L), M)의 고분자물질중에는 바인더로서 쓰이는 물질도 포함되어 있으나, 본 발명에서는 바인더로서 사용하는 것은 아니고 대전성향상제로서 사용한다. 예를들면, 감광체의 외측에 피복하거나, 감광층중에 분산입자로서 사용하는 경우에는 명백히 바인더는 아니고, 또 감광층중에 보통으로 혼합하는 경우도 10중량% 이하에서는 바인더로서 작동한다고는 생각될 수 없다.
상기와 같은 대전성향상제는 감광체내부에 함유하는 경우는 감광체가 적층형의 경우는 전하수송층으로 하고, 단층형의 경우는 감광층에 함유한다. 또한, 감광체표면에 피복하는 경우는, 바인더(스티렌아크릴, 폴리에스테르, 실리콘 수지, 우레탄수지, 에폭시수지등)에 분산, 또는 용해하여 도포하는 방법이나, 재료를 에탄올, 아세톤등의 용제에 분산 또는 용해후, 그대로 도포하는 방법이 있다. 또한, 감광체에 오버코트층이 있는 경우에는 오버코트층의 내부나 오버코트층의 더 외측에 에탄올, 아세톤등의 용제에 분산 또는 용해후, 그대로 도포할 수도 있다.
그러나, 이와 같이 하여 제조한 감광체는 본방식의 광배면기록법에서는 대전성이 향상하는데 대하여, 코로나 대전기를 사용한 종래의 칼슨법에 의한 현상방법에서는 역으로 감광체의 표면전위가 저하하는 것을 알 수 있어, 사용할 수 없다. 이것은, 접촉대전과 비접촉의 대전의 상이함이라고 생각될 수 있다.
감광체의 제조방법으로서는 기본적으로 공지 (특원평 5-059057호)의 것이 사용되고, 프탈로시아닌 이나 아조계등의 유기감광층을 사용할 수가 있다. 감광체기체로서는, 유리, 아크릴수지등의 투명 또는 반투명의 재료를 사용할 수 있다. 또한, 감광체의 투명 또는 반투명의 도전층을 형성하는 방법으로서는, (a) ITO, SnO2등의 무기계의 재료의 증착이나, (b) ITO, SnO2등의 수지중에 분산후에 도포, (c)용제 가용의 폴리아닐린등의 유기계재료의 도포에 의할수도 있으나, 비용면에서 (b), (c)의 도포방식이 바람직하다.
다음에 유기광도전층을 단층형 내지 전하발생층-전하수송층 또는 전하수송층-전하발생층의 순으로 적층한 적층형유기광도전층을 사용하는 것이 가능하지만, 본 감광체의 구성으로서는 전하발생층, 전하수송층의 순으로 적층된 유기광도전층이 바람직하다. 이것의 각층은 퉁상전하발생물질 또는 전하수송물질을 바인더수지로 결착하여 얻어지고, 침지코트법, 스프레이코트법, 닥터블레이드코트법인 공지의 수법을 이용하여 도포형성된다. 또한, 전하발생층은 0.1~5㎛정도, 특히 1㎛ 이하의 막두께, 전하수송층은 5~30㎛정도가 바람직하다.
전하발생물질으로서는 프탈로시아닌계, 아조계, 스퀘어일륨(squarilium)계, 퍼릴렌계 등의 공지의 유기염안료를 단독 내지 혼합하여 사용되고, 분광감도특성을 고려하여 선택한다. 전하수송물질로서는 전하발생층에서 생성한 포토캐리어중 정공(正孔 또는 전자중 어느한쪽을 수송되는 화합물을 단독 내지 복합하여 사용한다. 정공수송성전하수송물질, 예를들면 히드라존, 트리아릴아민, 트리니트로플루오레논등이 알려져 있다. 더욱이, 폴리비닐카바졸, 폴리실란과 같이 그 자체로 전하수송능을 갖는 광도전성 폴리머를 사용하여도 좋고, 이 경우 바인더 수지를 생략할 수도 있다.
바인더수지로서는 폴리에스테르수지, 에폭시수지, 실리콘수지, 폴리비닐아세탈수지, 폴리카르보네이트수지, 아크릴수지, 우레탄수지등의 공지의 수지를 단독 내지 혼합하여 사용할 수가 있다. 또, 전기방법을 사용하여 각층을 도포형성하기 위한 용매는 알콜, 테트라히드로푸란, 클로로포름, 메틸셀로솔브, 톨루엔, 디클로로메탄 각종 유기용매를 단독 또는 혼합하여 사용할 수가 있다.
전기 대전성향상제는 이때, 바인더에 분산후, 전하수송층으로서 사용할 수도 있다. 또, 대전성향상제는 에탄올, 아세톤에 분산후, 감광체에 도포할 수도 있다. 감광체에 오버코트층이 있는 경우에는, 오버코트층의 내부나 오버코트층의 더 외측에 에탄올, 아세톤등의 용제에 분산 또는 용해후, 그대로 도포할 수도 있다.
또한, 도전층과 감광층의 사이에 셀루로즈, 풀루란, 카세인, PVA 등의 수지로서 되는 중간층을 설치해도 좋다. 중간층의 바람직한 막 두께는 0.1~5㎛, 더 바람직하게는 1~2㎛이고, 전기 감광층과 마찬가지로 공지의 방법으로 도포형성될 수 있다.
또한, 감광층의 표면의 기계적, 화학적열화를 방지하기 위하여, 또는 감광체의 암저항을 높이기 위하여 필요에 따라 감광층의 위에 절연층을 설치해도 좋다. 절연층에 사용하는 재료로서는 폴리카르보네이트, 폴리에스테르(폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트), 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리초산비닐, 폴리비닐알콜, 폴리술폰, 폴리에틸에테르케톤, 폴리염화비닐, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐포르말, 실리콘, 에폭시등의 열가소성수지, 열경화성수지 또는 광경화성수지등이 있고, 감광체의 절연층으로서 공지의 재료를 사용할 수가 있다. 절연층의 막두께는 0.01~5㎛, 바람직하게는 0.1~1㎛이고, 전기 감광층과 마찬가지로 공지의 방법으로 도포형성된다.
전기 감광층 또는 절연층에 함유시키는 대전향상제의 함유량은 감광층 또는 절연층에 대하여, 0.001~50중량%이고, 바람직하게는 0.01~10중량%, 보다 바람직하게는 0.1~5중량%이다. 또, 감광층 또는 절연층상에 대전향상제에 의한 층을 설치하여도 좋다. 형성방법으로서는, 침지도포법, 스프레이코트법, 닥터블레이드 코트법등 공지의 수단을 사용하여 도포형성된다. 프탈로시아닌등의 승화성이 있는 물질을 사용하는 경우는 대전향상제를 증착법에 의해 형성하여도 좋다. 또한, 도포형성하기 위한 용매는, 알콜, 테트라히드로푸란, 클로로포름, 에탄올, 메탄올등 각종 유기용매를 단독 또는 혼합하여 사용할 수가 있다. 감광층 또는 절연층에 피복하는 대전향상제층은 0.01~10㎛정도, 특히 0.1㎛ 이하가 바람직하다.
또, 토너로서는, 범용의 분쇄토너, 공지의 현탁중합토너(구형, 특개소 54-84730호, 특개평 3-155565호 참조), 공지의 유화종합토너(특개소 63-186253호 참조)등을 사용할 수가 있고, 감광체의 대전은 토너의 형상, 제조방법, 대전량, 재질(스티렌아크릴, 폴리에스테르, 에폭시등)에는 영향받지 않고, 어느 토너로도 사용할 수가 있다. 또, 토너에는 공지의 외첨제로서 실리카, 산화티탄, 알루미나, 스티렌아크릴수지분말, 멜라민분말등을 사용하여도 문제없다.
사용하는 캐리어의 종류는 철분, 마그네타이트, 페라이트등의 통상의 재료를 사용하는 것이 가능하고, 이들의 재료는 아크릴, 스티렌아크릴, 실리콘수지등의 범용의 코팅을 하는 것도 가능하다. 더욱이, 수지에 마그네타이트분말을 함유한 이른바 수지캐리어로도 사용할 수 있다. 그러나, 캐리어부착의 면에서는 자력의 가장 높은 철분이 바람직하다. 더구나, 이 입경에 관하여는, 평균입경이 10~50㎛임이 바람직하고, 더욱이, 바람직하게는 25~40㎛이다. 10㎛보다 작으면 미립자가 많기 때문에 감광체에의 캐리어부착이 많아지고, 캐리어가 감소하여 인자품위를 저하시킨다. 또, 50㎛보다 크면 광배면기록법에서는 감광체의 대전얼룩이 발생하므로, 해상성이 양호한 인자를 얻을 수 없다. 캐리어의 전기저항으로서는 105~1010Ω㎝가 바람직하고, 더 바람직하게는 107~109Ω㎝이다. 105Ω㎝보다 낮아도 인자할 수는 있으나, 연속인쇄를 행하고 있으면 현상바이어스의 리크(leak)에 의해 감광체를 파손할 수가 있다. 또, 1010Ω㎝ 이상에서는 감광체에 전하가 부여되기 어려우므로 바람직하지 않다. 여기서, 캐리어의 전기저항의 측정방법은 이하와 같이 하여 행하였다. 저항율 R은, 1㎤의 전기 캐리어를 일정자계(자속온도 950 가우스, 자계강도 3400e)의 동작하고 있는 1㎤의 평행전극간(전극간거리 1㎝)에 넣어 100V의 직류전압을 걸었을때에 흐르는 전류치 i(A)를 측정하고, R=100/i의 식에서 구한 값이다.
이상과 같이 대전성향상제 즉 부가포텐셜 전위(Vf)의 작용에 의해 전위의 절대치에 있어서, 감광체의 표면전위가 현상바이어스에 접근하거나 또는 보다 표면전위(Vs)가 높게되면, 자성토너를 없이 인자농도가 높은 인자를 얻을 수가 있다. 또, 현상바이어스(Vb)보다 표면전위(Vs)가 높아지면 비자성의 컬러토너도 인쇄가능하다.
이와같이 제조된 대전성향상제를 포함하거나 피복한 감광체층을 갖거나, 또는 감광체층에 대전성향상제를 도포하는 수단을 갖는 이외의 점은 종래의 광배면노광식화상형성장치와 같아도 좋다.
또, 본 발명에 의하면, 상기와 같이 대전성향상제를 감광체에 함유하거나 그에 피복한 감광체도 제공된다.
더욱이, 상기는 광배면기록법에 한정하여 기술했으나, 상기의 대전성향상수단의 효과는 이에 한정되지 않고, 코로나대전법을 사용하지 않고 접촉 대전법을 사용하는 전자사진기록법일반에 대하여 유효하다. 이와같은 접촉대전법으로서는 브러쉬 대전법, 롤러대전법, 블레이드대전법등이 있다.
이 경우에는 감광체의 도전성지지체는 투명 또는 반투명의 것에 한정되지 않고, 이미 알려진 감광체에 채용되어 있는 것의 어느것도 사용할 수가 있다. 구체적으로는 예를들면, 알루미늄, 스테인레스, 동등의 금속드럼, 시트 또는 이들의 금속박의 라미네이트물, 증착물을 들 수 있다. 더욱이, 금속분말, 인듐틴옥사이드, 산화석, 카본블랙, 요드화동, 도전성고분자등의 도전성물질을 단독 또는 상당한 수지와 함께 형성하여 도전처리한 글라스드럼, 플라스틱필름, 플라스틱드럼등 절연성필름, 드럼등을 들 수 있다.
감광체의 대전전위가 향상하는 메카니즘으로서는 이상의 점이 고려될 수 있다.
① 감광체의 대전속도의 향상
② 감광체표면과 현상제의 마찰대전에 의한 상승
① 에 관하여는 이하와 같이 고려될 수 있다.
본 발명자등은 상기의 문제점을 이하와 같이 하여 해결되는 것을 발견하였다. 광배면기록에서는 현상니프(약2㎜)에서 대전, 노광, 현상을 행하기 때문에 대전속도가 빠를수록 높은 표면전위가 얻어진다. 전자사진기록장치의 감광체계면에의 대전과정에 있어서, 대전효율에 영향을 준다고 생각되는 것은 표면의 외관의 저항, 즉, 롤러대전법에서는 롤러와 감광체의, 브러쉬대전법에서는 브러쉬와 감광체의, 블레이드 대전법에서는 블레이드와 감광체의, 또는 광배면 프로세스에서의 현상제의 접촉대전에서는 현상제선단과 감광체표면의 표면층에 대한 포텐셜 장벽에 의해 결정되는 접속저항과, 감광체의 정전용량이다.
감광체의 정전용량을 Co, 접촉저항을 Rs로 하면, 전압 Vo인가후 t초후의 표면전위 Vs는
Vs= Vo{ 1-exp ( - t/CoRs)}
로서 주어진다.
여기서, 표면에 분극가능한 커패시턴스층을 설치하면, 접촉저항을 통한 충전과 함께 그 커패시턴스층의 용량으로 정해지는 전위배분을 받기 때문에 실질적인 전위상승속도가 올라간다. 이때의 표면전위 Vs'는,
로서 주어진다.
따라서, Vo{C1/ (Co+ C1)}의 기여에 의해, 표면전위는 커패시턴스층을 설치하지 않을 경우에 비하여 올라간다. 즉, 분극가능한 유전성재료를 감광체 표면에 설치함으로써, 감광체의 대전속도가 향상하는 것으로 여겨진다.
실제, 이 분극성재료를 표면층으로 한때에, 표면근방에 형성하는 것으로 여겨지는 전기이중층에 의하여 흡수전류가 증대하는 측정결과를 얻고 있고(제7도), 캐패시턴스층으로서의 기능이 확인되어 있다. 제8도에 그 차를 나타낸 곡선을 도시하고 있다. 이것은, 감광체의 기체, 감광체 및 그 표면에 형성된 전극에 의하여, 구성되는 샌드위치형 셀에 있어서, 전압 20V를 인가하고, 30초간 보지한 후에 흐르는 흡수전류를 나타내고 있다. 도면중, 곡선1은 통상의 구성의 감광체를 사용한 경우, 곡선2는 감광체표면에 식(I)의 암모늄염화합물층(막두께 0.1㎛)를 형성한 경우의 결과를 나타내고 있다. 암모늄염화합물층에 대신하여 티탄산발륨 (BaTiO3)층 (0.1㎛두께)를 사용하고, 또는 감광체에 표I 또는 표II의 No. 번호 1의 2-메틸부틸-p-[p-(디시클로옥시벤질리덴)-아미노]-신나메이트 (이하 DOBAMBC라고 함)을 5~10중량% 첨가한 경우등에도 거의 제7도의 곡선2와 일치하는 곡선이 얻어졌다.
이상의 결과에서, 대전향상제에 사용함으로써, 감광체의 대전성을 향상시키는 것을 뒷받침하고, 이와같은 구성의 감광체가 접촉대전법에 있어서, 양호한 대전특성을 나타내는 것을 발견하였다. ①만으로는 Vs≥Vb는 얻어지지 않는다. 이에 관하여는 ②가 상승효과로서 나타나고 있다고 생각될 수 있다.
다시말해서, 현상제의 접촉대전으로는 현상제선단과 감광체표면의 표면층의 마찰에 있어서, 표면층의 페루미(Fermi) 준위의 차에 의하여 대전성은 양자의 차이가 클수록 커지는 것에 기인하고 있다. 본 발명에 나타낸 등가일함수는 이 한계치를 나타내는 것이고, 이차로서 접촉대전을 행함으로써, 대전성능을 향상시킬수가 있다.
이상과 같이 감광체의 Vs의 상승은 A~K의 재료를 감광체에 첨가함으로써 ① 및 ②의 상승효과가 얻어지고 있기 때문이라고 생각될 수 있다.
또한, 코로나대전법에 있어서는 대전향상제에 의한 효과는 전혀 얻어지지 않고, 오히려 대전성이 떨어져 버린다.
[실시예]
[장치]
(1)광배면프린터(제9도)
제9도에 광배면기록장치의 구성 (단면도)을 도시하고 있다. 도면중, 41은 감광드럼, 42는 LED, 43은 현상롤러, 44는 토너카트리지, 45는 수동가이드, 46은 PT판, 47은 레지스트롤러, 48은 전원, 49는 전사롤러, 50은 열정착기(thernal fixer), 51은 배지(排紙)롤러이다.
더 상세히 설명하면, 고정마그네트를 내부에 가지고, 슬리브만 회전되는 현상롤러43을 가지고, 전기 현상롤러에만 고저항캐리어가 존재하고, 토너만을 공급한다. 노광수단은 감광체41에 내장한 LED42를 사용하고, 전기 감광체41과 현상롤러43의 니프방향에 향해져 있다. 현상은 현상롤러측의 슬리브에서 교류전압VA가 피크간전압 VPP=700V, 주파수 800Hz, 직류전압 VDC=-350V로 설정하였다. 이때, 감광체와 현상롤러의 갭(gap)은 0.3㎜로 하였다.
본 장치에서는 종래 장치에 비하여 대전기, 제전램프, 클리너(cleaner)를 삭제시켜, 또, 광학계는 투명감광체내부에 배치되어 있다. 더욱이, 전사에 관하여도 코로나 전사에서 롤러전사함으로써 인체에 유해한 오존발생도 없고, 소형(100mm각단면), 경량, 저가격화가 가능한 프로세스로 되어 있다.
다만, 장치의 사용에 있어서는 전기와 같이, 슬리브에 AC전압에 DC전압을 충첩시킨 교번전압을 걸어도 좋고, 정전압제어를 해도 정전류제어를 해도 좋다.
더욱이, 현상법으로서는 토너농도를 엄밀하게 콘트롤하고, 캐리어와 토너가 현상기 전체에 존재하는 이른바 2성분 현상법에서도 특개평5-150667호등에 제시한 바와 같이 2성분법보다 소량의 캐리어량에 의해 현상제의 토너농도를 엄밀하게 콘트롤하지 않은 현상방법이라도 좋다. 본 장치는 후자의 방법을 취하고 있다. 다만, 토너는 자성분을 40% 첨가한 토너를 사용하였다. 또, 감광체의 주속도는 24㎜/s로 하였다.
(2)광배면컬러프린터(제10도)
비자성컬러토너를 사용한 컬러장치예를 제10도에 도시하고 있다. 현상은 범용의 2성분현상법을 사용하여 감광체가 1회전마다 1색의 비자성컬러토너를 현상하는 구조를 갖는다. LED는 감광체의 내부에 4개 탑재하고, 현상제의 방향에 향해져 있다. 그러나, 1개의 LED로 현상하는 색에 따라 그 색에 상당하는 현상제의 방향으로 회전시키는 기구를 가지고 있어도 좋다.
제10도중, 제9도와 동일한 부품은 동일한 참조부호를 사용한다(이하동일). 54는 용지카세트, 55는 픽업(pickup)롤러, 56은 중간전사체, 57은 스택커(stacker), 58은 컨넥터(connector)이다.
(3)대전성향상제 도포수단을 갖는 광배면프린터(제11도)
본 장치는 실험기이나, 감광체에 대전성향상제를 도포하는 수단을 갖는다. 도포하는 수단으로서는 회전하는 스폰지롤러가 바람직하다.
이 장치는 제4도의 장치와 마찬가지이지만, 대전성향상제61을 넣은 케이스와 스폰지롤러62를 감광체드럼21상에 갖는 점이 다르다. 또한, 감광드럼 21은 지지체21a와 감광층21b로서 된다.
(4)코로나대전기을 갖는 범용칼슨프로세스를 갖는 실험기를 도시한다.
[실시예 1]
[식 (I)의 암모늄염]
[감광체 제조예]
종래 감광체 (1)
감광체의 지지체는 투명글라스 원통을 사용하였다. 도전층은 가용성 폴리아닐린을 0.1㎛의 막두께로 형성하였다. 다음에, 시아노에틸화 풀루란 1부를 아세톤 10부(중량부)에 용해하고, 이것을 도전층의 위에 침지도포하여, 100℃에서 1시간 건조하여 막두께 1㎛의 중간층을 형성하였다. 다음에, α형 옥소티탈프날로시아닌1부, 폴리에스테르1부, 1, 1, 2-트리클로로에탄 20부를 경질글라스 보울(bowl)과 경질글라스 포토(pot)를 사용하여 24시간분산 혼합한 것을 전기의 중간층상에 도포하고, 100℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 0.3㎛의 전하발생층을 형성하였다. (이것을 전하발생층부 투명드럼 ①이라 함) 다음에, 전하수송층 형성을 위하에, 부타디엔 유도체 1부, 폴리카르보네이트 1부를 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 조정하였다. 이것을 전기의 전하발생층상에 침지도포하여 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 제조하여, 노광층을 형성하고, 종래 감광체를 얻었다.
감광체(2) -화합물1
부타디엔 유도체 1부, 폴리카르보네이트 1부, 하기 화합물1(미국 특허 제3,535,381호 기재의 제법에 의해 제조함)을 0.02부를 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 조제하였다. 이것을 전하발생층부 투명드럼 ①상에 침지도포하고 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하여, 감광체(2)를 얻었다.
감광체(3) -화합물1 도포
감광체(1)에 오버코트층으로서 폴리에스테르수지 (kao) 1부에 화합물 1을 0.01부를 도포하고, 90℃ 1시간 건조시켜서 막두께 약 1㎛의 층을 형성하여, 감광체(3)를 얻었다.
감광체(4) -화합물1 도포(에탄올)
감광체(1)상에 화합물1을 1부를 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하여, 감광체(4)를 얻었다.
감광체(5) -화합물1(오버코트층)
감광체(1)에 오버코트층의 접착층으로서 토스푸라이프(TOSUPRAIPU)(도시바 실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한후, 규소계코트제 토스가도(TOSUGADO) (도시바 실리콘제)1부를 침지도포하고, 90℃ 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 층을 형성하였다. 이어서, 화합물1을 1부를 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하여 감광체(5)를 얻었다.
감광체(6)
부타디엔 유도체1부, 폴리카르보네이트 1부, 수산화테트라메틸암모늄을 0.02부를 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 조제하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①상에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하여 감광체(6)를 얻었다.
감광체(7) -화합물1 도포
감광체(1)에 오버코트층으로서 폴리에스테르수지 (kao)1부에 수산화테트라메틸암모늄을 0.01부를 도포하고, 90℃ 1시간 건조시켜서 막두께 약 1㎛의 층을 형성하여, 감광체(7)를 얻었다.
감광체(8) -화합물1 도포(에탄올)
감광체(1)상에 수산화테트라메틸암모늄을 1부를 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하여, 감광체(8)를 얻었다.
감광체(9) -화합물1 (오버코트층)
감광체(1)에 오버코트층의 접착층으로서 토스푸라이프(도시바 실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한 후, 규소계코트제 토스가도(도시바 실리콘제) 1부를 침지도포하고, 90℃ 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 층을 형성하였다. 이어서, 수산화테트라메틸암모늄을 1부를 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하여, 감광체(9)를 얻었다.
[토너제조예]
① 유화중합토너 (흑색자성토너)
[단량체]
스티렌(Wako Junyaku제) 50중량부
부틸아크릴레이트(Wako Junyaku제) 10중량부
[중합개시제]
N-50(Wako Junyaku제) 2.5중량부
[유화제]
네오겐 SC (Daiichi Kogyo Seiyaku제) 0.2중량부
이상을 사용하여, 70℃에서 3시간 유화중합하여, 1~2㎛의 수지비드(bead)를 얻었다.
수지비드 55중량부
[착색제]
카본(BPL) 5중량부
[자성분]
마그네타이드(MTZ-703, Toda Kogyo, K.K.제) 40중량부
이상의 혼합물을 슬래셔(slasher)에서 분산교반하면서 90℃에서 6시간 보지하였다. 이 사이에 콤플렉스(complex)(토너)가 10~12㎛에 성장을 확인하였다. 다음에, 그대로 1시간 90℃의 물속에서 가온하고, 이들의 토너를 원심분리하여, 여과하였다. 이들의 토너를 pH가 8이하가 될 때까지 수세를 반복하여, 체적평균입경 7.2㎛의 자성토너를 얻었다.
②컬러토너
옐로우토너 : 바인더수지로서, 폴리에스테르수지 (NE-2150, Kao, K.K.제) 91중량부 및 착색제로서 컬러인덱스 No.의 C.I. 21090(Pigment Yellow 12, KET Yellow 406, Dainihon Ink Kagaku Kogyo)5중량부, 프로필렌왁스 (BISCORU 550P Sanyo Kasei제) 4중량부를 가압니더(Kneader)에 의해 160℃, 30분 융용혼련하고, 토너괴(toner lump)를 얻었다. 냉각한 토너괴를 로토플렉스(rotoplex) 분쇄기에 의해 약 2mm의 조토너(crude toner)로 하였다. 이어서, 조토너를 제트밀(jet mill)(PJM분쇄기, Nihon Pneumatic Kogyo제)를 사용하여 미분쇄(微粉碎)하여, 분쇄물을 풍력분급기 (Alpine Co.제)에 의해 분급하고, 체적평균입경 7.2㎛의 토너를 얻었다.
마젠타토너(Magenta toner) : 착색제로서 피그먼트옐로우(Pigment yellow) 대신에 컬러인덱스 No.의 C.I. 73916(Pigment red 122, KET Red 309, Dainihon Ink Kagaku Koayo) 5중량부를 사용한 이외는 옐로우 토너와 마찬가지의 방법으로 체적평균입경 7.1㎛의 마젠타토너를 얻었다.
시안토너(Cyan toner) : 착색제로서 피그먼트옐로우 대신에 컬러인덱스 No.의 C.I. 74160((Pigment blue-15, KET Blue 102, Dainihon Ink Kagaku Kogyo) 5중량부를 사용한 이외는 옐로우토너와 마찬가지의 방법으로 체적평균입경 7.3㎛의 시안토너를 얻었다.
블랙토너(Black toner) : 착색재로서 피그먼트옐로우 대신에 컬러인덱스 (Mogaru L, Cavot Co.제)5중량부를 사용한 이외는 옐로우토너와 마찬가지의 방법으로 체적평균입경 7.3㎛의 블랙토너를 얻었다.
캐리어의 제조방법
메틸트리에톡시실란 1g을 메탄올 11로 희석하여 코팅용액으로 하고, 캐리어 코어재(철분; 구상(球狀), 평균입경 30㎛) 5kg에 대하여, 로터리 드라이(rotary dry)법을 사용하여 코팅하였다. 코팅후, 공기분위기중에서 온도 120℃의 열처리를 1시간 행하여 샘플캐리어를 얻었다. 캐리어의 전기저항 109Ω㎝이었다.
[화상형성예]
이상의 감광체 및 장치를 사용하여 화상형성을 하여 평가하였다. 결과를 표 3 ~ 표 4에 표시하였다.
감광체를 바꾸어 평가를 했으나, 종래의 감광체 (1)와 불소화되어 있지 않은 암모늄염을 사용한 경우에는 표면전위(Vs)가 낮고 흐림이 발생한다. 이외의 감광체에서는 양호한 인자농도, 흐림 특성을 얻었다.
다만, 인자특성에 관한 평가는 이하와 같이하여 행하였다.
1. 인자농도가 OD에 1.3이상을 ○하였다. 다만, 인자농도는 코니카 덴시토미터 (konica densitometer;PDA-65, 코니카)를 사용하여 측정하였다.
2. 흐림은 상온상습(25℃, 50%RH)에서 감광체상의 흐림에 의한 농도차 △OD가 0.02이하를 ○으로 하였다. 여기서 흐림평가를 위한 인자농도 차(△OD)는, 용지에 전사하기 이전의 감광체상의 분상(粉像)을 테이프(scotch mending tape)에 취하고, 백지부의 농도를 측정하고, 테이프의 농도를 뺀값이다.
종래 감광체(1)와 (6)에서는, 낮은 토너농도영역에 있어서 양호한 인자농도가 얻어지나, 흐림특성이 나쁘다. 그외의 감광체에서는 표면전위(Vs)가 증가하고, 인자농도, 흐림이 모두 양호하게 되었다.
주) 장치(3)에 사용한 대전성향상제는 화합물 I로 한다.
비자성의 컬러토너로도 감광체(2)에서는 양호한 특성이 얻어지고 있다. 또한, 종래의 감광체(1)에서도 장치(3)를 사용하면 양호한 특성을 얻게된다.
광배면기록법에 있어서 양호한 표면전위(Vs)를 표시한 감광체도 칼슨법(코로나대전)으로 사용하면, 역으로 표면전위(Vs)가 저하하여 흐림이 발생하여 사용할 수 없다.
[실시예 2]
[식 (II)~(VIII)의 화합물]
화합물제조예
(1)식 (II), (III)로 표시되는 붕소착체의 예(화합물 2, 3)
붕산과 아민의 수용액에 하기화합물A와 B를 반응시켜서 붕소착체를 제조하였다.
(2)식 (IV)로 표시되는 Cr착체의 예(화합물 4)
(2-히드록시-3-나프토에산의 크롬착체의 합성)
2-히드록시-3-나프토에산 750g을 물 1500g중에 분산하고, 이에 Cr2(SO4)3의 40% 수용액을 98%가 하여, 95~98℃에 가온한다. 이에 가성소다 25g을 물200g에 가하여 녹인 액을 1시간 가한다. 더욱이, 95~98℃로 유지하여 3시간 교반한다. 반응물은 극히 얇은 황녹색의 슬러리로 되어, pH는 약 3.2이다. 슬러리를 여과하고, pH가 6~7로 될 때까지 수세하고, 건조하여, 2-히드록시-3-나프토에산의 크롬착화합물 88g을 얻었다.
(3)식 (V)로 표시되는 착체의 예 (화합물 5)
(3,5-디터셔리부틸살리실산의 크롬착 화합물의 합성)
3,5-디터셔리부틸살리실산 250g을 2250g의 메탄올에 용해하고, 이에 Cr2(SO4)3의 40% 수용액을 225g 가한다. 그에 25% 가성소다 수용액을 가해서 pH를 4~5로 조정한다. 이때에 요하는 가성소다 수용액은 24g이었다. 이 액을 약 70℃에 3시간 리플럭스(reflux)한다. 이때에, 극히 엷은 녹색의 침전이 생성한다. 이 침전물을 포함한 액을 약 50℃에 보온하면서 여과하고, 침전물을 수집한다. 다음에, 얻어진 덩어리를 1%희석황산으로 세정하고, 다시금 pH가 6~7에 될 때까지 수세한다. 이것을 건조하여, 목적의 반응생성물을 얻었다. 이와같이 하여 3,5-디터셔리부틸살리실산의 크롬착화합물85g을 얻었다.
(4)식 (VI)로 표시되는 이미드화합물의 예 (화합물6)
프탈이미드 29.4부와 수산화 칼슘13부를 물 300부에 용해하고, 80℃에 가온하였다. 그후, 2시간 교반을 계속하고, 이어서 실온까지 냉각하였다. 물을 제거하여 잔기를 50~60℃로 감압건조하여, 무색분말의 이미드화합물 30부를 얻었다.
(5)식 (VII)로 표시되는 알킬페놀착체의 예 (화합물7)
1,1-비스(4-히드록시페닐)-시클로헥산 26.8부와 가성소다 8부와 물 300부에 용해하고, 80℃ 가온하였다. 다음에 염화알루미늄 12.1부를 물100부에 용해한 용액에 천천히 가했다. 그후, 80℃에서 2시간후, 50~60℃에서 감압건조하고, 무색의 분말 알킬페놀금속착화합물 (화합물7) 27부를 얻었다.
(6)식 (VIII)로 나타낸 아연착체의 예 (화합물8)
(2-히드록시-3-나프토에산의 아연착 화합물의 합성)
2-히드록시-3-나프토에산의 42.2g (0.22몰)을 2.7% 가성소다 수용액 500g에 완전용해시켜서, 약 70℃로 승온한다. 다음에, 황산아연 35.5g(0.13몰)을 물 100g에 녹여서, 30분간 적하한다. 70~80℃에서 2시간 유지하고, pH를 7.0±0.5에 조정하고, 반응을 종료한다. 여과, 수세, 건조하여, 엷은 황색의 미분(微粉) 2-히드록시-3-나프토에산의 아연착화합물 (화합물8) 40g을 얻었다.
[감광체제조예]
감광체(10) -화합물2
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트1부, 화합물2를 0.02부를 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층을 가진 투명드럼 ①위에 침지도포하고 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(10)를 얻었다.
감광체(11) -화합물2도포
감광체 (1)에 오버코트층으로서 폴리에스테르수지(kao) 1부에 화합물 2를 0.01부를 도포하고, 90℃ 1시간 건조시켜서 막두께 약 1㎛의 층을 형성하고, 감광체(11)를 얻었다.
감광체(12) -화합물 2도포(에탄올)
감광체(1)상에 화합물2를 1부를 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하고, 감광체(12)를 얻었다.
감광체(13) -화합물2(오버코트층)
감광체(1)에 오버코트층의 접착층으로서 토스프라이프(도시바 실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한 후, 규소계코트제 토스카도(도시바 실리콘제) 1부를 침지도포하고, 90℃ 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 층을 형성하였다. 이어서, 화합물 2를 1부를 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하고, 감광체(13)를 얻었다.
감광체(14)
감광체(10)의 화합물2를 화합물3으로 바꾸어서 감광체(14)를 제조하였다.
감광체(15)
감광체(11)의 화합물2를 화합물3으로 바꾸어서 감광체(15)를 제조하였다.
감광체(16)
감광체(12)의 화합물2를 화합물3으로 바꾸어서 감광체(16)를 제조하였다.
감광체(17)
감광체(13)의 화합물2를 화합물3으로 바꾸어서 감광체(17)를 제조하였다.
감광체(18)
감광체(10)의 화합물2를 화합물4로 바꾸어서 감광체(18)를 제조하였다.
감광체(19)
감광체(11)의 화합물2를 화합물4로 바꾸어서 감광체(19)를 제조하였다.
감광체(20)
감광체(12)의 화합물2를 화합물4로 바꾸어서 감광체(20)를 제조하였다.
감광체(21)
감광체(13)의 화합물2를 화합물4로 바꾸어서 감광체(21)를 제조하였다.
감광체(22)
감광체(10)의 화합물2를 화합물5로 바꾸어서 감광체(22)를 제조하였다.
감광체(23)
감광체(11)의 화합물2를 화합물5로 바꾸어서 감광체(23)를 제조하였다.
감광체(24)
감광체(12)의 화합물2를 화합물5로 바꾸어서 감광체(24)를 제조하였다.
감광체(25)
감광체(13)의 화합물2를 화합물5로 바꾸어서 감광체(25)를 제조하였다.
감광체(26)
감광체(10)의 화합물2를 화합물6으로 바꾸어서 감광체(26)를 제조하였다.
감광체(27)
감광체(11)의 화합물2를 화합물6으로 바꾸어서 감광체(27)를 제조하였다.
감광체(28)
감광체(12)의 화합물2를 화합물6으로 바꾸어서 감광체(28)를 제조하였다.
감광체(29)
감광체(13)의 화합물2를 화합물6으로 바꾸어서 감광체(29)를 제조하였다.
감광체(30)
감광체(10)의 화합물2를 화합물7로 바꾸어서 감광체(30)를 제조하였다.
감광체(31)
감광체(11)의 화합물2를 화합물7로 바꾸어서 감광체(31)를 제조하였다.
감광체(32)
감광체(12)의 화합물2를 화합물7로 바꾸어서 감광체(32)를 제조하였다.
감광체(33)
감광체(13)의 화합물2를 화합물7로 바꾸어서 감광체(33)를 제조하였다.
감광체(34)
감광체(11)의 화합물2를 화합물8로 바꾸어서 감광체(34)를 제조하였다.
감광체(35)
감광체(12)의 화합물2를 화합물8로 바꾸어서 감광체(35)를 제조하였다.
감광체(36)
감광체(12)의 화합물2를 화합물8로 바꾸어서 감광체(36)를 제조하였다.
감광체(37)
감광체(13)의 화합물2를 화합물8로 바꾸어서 감광체(37)를 제조하였다.
토너와 캐리어의 제조
실시예 1과 마찬가지로 하였다.
화상형성예
이상의 감광체와 장치를 사용하여 화상형성을 행하여 평가하였다. 결과를 표 7~표 11에 나타낸다.
감광체를 바꾸어 평가를 했으나, 종래의 감광체(1)는 표면전위(VS)가 낮고 흐림이 발생한다. 그 이외의 감광체에서는 양호한 인자농도, 흐림특성이 얻고 있다.
다만, 인자특성에 관한 평가는 이하와 같이하여 행하였다.
1. 인자농도가 OD에서 1.3이상을 ○으로 하였다. 다만, 인자농도는 코니카 덴시토미터 (PDA-65, 코니카)를 사용하여 측정하였다.
2. 흐림은 상온상습(25℃, 50%RH)에서 감광체상의 흐림에 의한 농도차 △OD가 0.02이하를 ○으로 하였다. 여기서 흐림평가를 위한 인자농도차(△OD)와는, 용지에 전사하기 이전의 감광체상의 분상을 테이프(scotch mending tape)에 취하여, 백지부의 농도를 측정하고, 테이프의 농도를 뺀값이다.
주) 장치(3)에 쓰이는 대전성향상제를 화합물 II로 한다.
비자성의 컬러토너에서도 감광체(10)에서는 양호한 특성이 얻고 있다. 또한, 종래의 감광체(1)에서도 장치(3)를 사용하면 양호한 특성을 얻게 된다.
광배면기록법에 있어서 양호한 표면전위(VS)를 표시한 감광체도칼슨법(코로나대전)으로 사용하면, 역으로 표면전위(VS)가 저하하여 흐림이 발생하여 사용할 수 없 다.
[실시예 3]
[화합물 (IX)~(X)]
[화합물제조예]
(1)식 (IX)으로 나타내는 크롬착체 (화합물9)
20부의 4.6-디니트로-2-아미노페놀을 1부의 농충황유산 및 물 40부와 함께 교반후, 빙냉(氷冷)하여, 0~5℃로 하고, 아초산나트륨 0.7부 가하여, 2시간 교반하여 디아조화하였다. 이 디아조화물을 0부터 5℃에서 물 30부, 수산화나트륨 1부와 3-히드록시-2-나프트아닐리드 2.6부의 혼합액에 주입하고, 커플링반응을 행한후, 하기식(vi)의 모노아조화합물을 단리한다. 이 모노아조화합물의 페이스트(paste)를 15부의 에틸렌글리콜에 용해하고, 0.5부의 수산화나트륨과 1.7부의 크롬살리실산 나트륨을 가하여, 10~120℃에서 2시간 교반하고 크롬화를 행한후, 50℃까지 냉각하고, 콘고레드(Congo Red)산성으로서 상온으로 생성물을 여과단리하고, 50~60℃ 감압건조하여 하기식(vii)으로 나타내는 흑색분말의 크롬착제 4.9부를 얻을 수 있고, 화합물9를 제조하였다. 여기서, 부는 중량부를 표시한다.
(2)식 (IX)으로 나타내는 금속착체 (화합물 10~16)
이하, 표 10에 표시한 모노아조화합물 금속, 착염화합물을 사용하여, 화합물9와 마찬가지의 방법에 의하여 화합물 10~16의 금속착체를 얻었다.
(3)식 (IX)의 크롬착체 (화합물17)
1.5부의 5-니트로-2-아미노페놀을 화합물9와 마찬가지로 하여 디아조화하고, 2.6부의 3-히드록시-2-나프토아닐리드와 커플링하여 하기식 (viii)을 가지는 모노아조 화합물을 단리하였다. 얻어진 모노아조 화합물의 페이스트를 화합물9와 마찬가지로 처리하여 하기식(ix)으로 표시되는 흑색분말의 크롬착체 (화합물17) 4.4부를 얻었다.
(4)식 (IX)의 금속착체 (화합물18~24)
이하, 표 8에 표시한 모노아조화합물, 금속, 착체를 사용하여, 화합물9와 마찬가지의 방법에 의하여 화합물 18~24의 금속착체를 얻었다.
(5)식(X)의 금속착체 (화합물25)
하기식(x)에 표시되는 염료 10부를 50% 에탄올 수용액 75부에 분산하고, 교반하면서 36%염산 1.5부를 가하고, 5시간 교반후 물 100부에 넣어, 여과한다. 수세한 후, 건조하여 하기식(xi)으로 표시되는 화합물25의 금속착체화합물을 9부얻었다.
[감광체제조예]
감광체(38) ...화합물9
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물9를 0.02부를 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 드럼 ①위에 침지도포하고 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여 감광층을 형성하고, 감광체(38)를 얻었다.
감광체(39) ...화합물9도포
감광체(1)에 오버코트층의 접착층으로서 토스프라이프(도시바실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한후, 규소계 코트제 토스가도(도시바 실리콘제) 1부, 화합물9를 0.01부를 침지도포하고, 90℃ 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 층을 형성하고, 감광체(39)를 얻었다.
감광체(40) ...화합물9도포(에탄올)
감광체(1)상에 화합물9를 1부를 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하고, 감광체(40)를 얻었다.
감광체(41) ...화합물9(오버코트층)
감광체(1)에 오버코트층의 접착층으로서 토스프라이프(도시바실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한후, 규소계코트제 토스가도(도시바 실리콘제) 1부를 침지도포하고, 90℃ 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 층을 형성하고, 이어서, 화합물9를 1부를 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하고, 감광체(41)를 얻었다.
감광체(42) ...화합물10
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물10을 0.02부를 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고 90℃ 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(42)를 얻었다.
감광체(43) ...화합물11
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물11을 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(43)를 얻었다.
감광체(44) ...화합물12
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물12를 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(44)를 얻었다.
감광체(45) ...화합물13
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물13을 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(45)를 얻었다.
감광체(46) ...화합물14
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물14를 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(46)를 얻었다.
감광체(47) ...화합물15
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물15를 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하고, 감광층을 형성하여, 감광체(47)를 얻었다.
감광체(48) ...화합물16
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물16을 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(48)를 얻었다.
감광체(49) ...화합물17
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물17을 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(49)를 얻었다.
감광체(50) ...화합물18
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물18을 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(50)를 얻었다.
감광체(51) ...화합물19
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물19를 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(51)를 얻었다.
감광체(52) ...화합물20
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물20을 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(52)를 얻었다.
감광체(53) ...화합물21
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물21을 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(53)를 얻었다.
감광체(54) ...화합물22
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물22를 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(54)를 얻었다.
감광체(55) ...화합물23
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물23을 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(55)를 얻었다.
감광체(56) ...화합물24
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물11을 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(56)를 얻었다.
감광체(57) ...화합물25
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물11을 0.02부 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(57)를 얻었다.
토너 및 캐리어의 제조
실시예와 마찬가지로 하였다.
[화상형성예]
이상의 감광체 및 장치를 사용하여 화상형성을 행하여 평가하였다. 결과를 표 12I~표 13에 표시한다.
감광체를 바꾸어서 평가를 했으나, 종래의 감광체(1)는 표면전위(Vs)가 낮고 흐림이 발생한다. 그 이외의 감광체에서는 양호한 인자농도, 흐림특성을 얻고 있다.
다만, 인자특성에 관한 평가는 이하와 같이하여 행하였다.
1. 인자농도가 OD에 1.3이상을 ○으로 하였다. 다만, 인자농도는 코니카 덴시토미터 (PDA-65, 코니카)를 사용하여 측정하였다.
2. 흐림은 상온상습(25℃, 50%RH)에서 감광체상의 흐림에 의한 농도차 △OD가 0.02이하를 ○으로 하였다. 여기서 흐림평가를 위한 인자농도차(△OD)로는, 용지에 전사하기 이전의 감광체상의 분상을 테이프(scotch mending tape)에 취하고, 백지부의 농도를 측정하고, 테이프의 농도를 뺀값이다.
비자성의 컬러토너로도 감광체(38) 및 (40)에서는 양호한 특성이 얻어지고 있다. 또한, 종래의 감광체(1)에서도 장치(3), (4)를 사용하면 양호한 특성을 얻게 된다. 다만, 장치3(a)의 도포하는 화합물은 화합물9, 장치3(b)은 화합물 25로 하였다.
[실시예 4]
[강유전성물질]
[감광체제조예]
감광체(58)
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 표I중의 No.1화합물을 0.02부를 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(58)를 얻었다.
감광체(59)
감광체(58)의 표 중의 No. 1화합물의 대신에 No. 10의 화합물을 사용하여 감광체(59)를 제조하였다.
감광체(60)
감광체(58)의 표I중의 No.1화합물의 대신에 No.20의 화합물을 사용하여 감광체(60)를 제조하였다.
감광체(61)
감광체(58)의 표I중의 No.1화합물의 대신에 No.31의 화합물을 사용하여 감광체(61)를 제조하였다.
토너 및 캐리어 제조
실시예1과 마찬가지로 하였다.
[화상형성예]
상기의 감광체 및 장치를 사용하여 화상형성을 행하여 평가한 결과를 표XIV~표XV에 표시한다.
감광체를 바꾸어 평가를 했으나, 종래의 감광체(1)를 사용한 경우에는 표면전위(Vs)가 낮고 흐림이 발생한다. 그 이외의 감광체에서는 양호한 인자농도, 흐림특성을 얻고 있다.
다만, 인자특성에 관하여 평가는 이하와 같이하여 행하였다.
1. 인자농도가 OD에 1.3이상을 ○으로 하였다. 다만, 인자농도는 코니카 덴시토미터 (PDA-65, 코니카)를 사용하여 측정하였다.
2. 흐림은 상온상습(25℃, 50%RH)에서 감광체상의 흐림에 의한 농도차 △OD가 0.02이하를 ○으로 하였다. 여기서 흐림평가를 위한 인자농도차(△OD)로는, 용지에 전사하기 이전의 감광체상의 분상을 테이프(scotch mending tape)에 취하여, 백지부의 농도를 측정하고, 테이프의 농도를 뺀값이다.
주) 장치(3)에 쓰이는 대전성향상제는 표I중의 화합물 No.1로 한다.
비자성의 컬러토너로도 감광체(10)에서는 양호한 특성이 얻어지고 있다. 또한, 종래의 감광체(1)에서도 장치(3)를 사용하면 양호한 특성을 얻게 된다.
[실시예 5]
[강유전성액정물질]
[감광체제조예]
감광체(62) -액정재료 CTL
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 하기 화합물26을 0.02부를 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 투명드럼 ①위에 침지도포 하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(62)를 얻었다.
C2H6O-C6H4-N =CH-C6H4- COOH2C*H(CH3) C2H5
(화합물9)
감광체(63) -액정재료도포
감광체(1)에 절연층의 접착층으로서 토스프라이프 (도시바 실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한 후, 규소계코트제 토스카도(도시바 실리콘제) 1부, 화합물 26을 0.01부를 침지도포하여 90℃ 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 층을 형성하고, 감광체(63)를 얻었다.
감광체(64) -액정재료도포(에탄올)
감광체(1)상에 화합물26을 1부를 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하고, 감광체(64)를 얻었다.
감광체(65)
감광체(62)에서 쓰인 화합물26의 대신에 표II중의 No. 8의 화합물을 사용하여 감광체(65)를 제조하였다.
감광체(66)
감광체(62)에서 쓰인 화합물26의 대신에 표II중의 No. 17의 화합물을 사용하여 감광체(66)를 제조하였다.
감광체(67)
감광체(62)에서 쓰인 화합물26의 대신에 표II중의 No. 22의 화합물을 사용하여 감광체(67)를 제조하였다.
감광체(68)
감광체(62)에서 쓰인 화합물26의 대신에 표II중의 No. 37의 화합물을 사용하여 감광체(68)를 제조하였다.
감광체(69)
감광체(62)에서 쓰인 화합물26의 대신에 표II중의 No. 42의 화합물을 사용하여 감광체(69)를 제조하였다.
감광체(70)
감광체(62)에서 쓰인 화합물26의 대신에 표II중의 No. 17의 화합물을 사용하여 감광체(70)를 제조하였다.
토너 및 캐리어의 제조
실시예1과 마찬가지로 하였다.
[화상형성예]
이상의 감광체 및 장치를 사용하여 화상형성을 행하여 평가한 결과를 표 16~표18에 나타낸다.
감광체를 바꾸어 평가를 했으나, 종래의 감광체(1)는 표면전위(Vs)가 낮고 흐림이 발생한다. 그 이외의 감광체에서는 양호한 인자농도, 흐림특성을 얻었다.
다만, 인자특성에 관하여 평가는 이하와 같이하여 행하였다.
1. 인자농도가 OD에서 1.3이상을 ○으로 하였다. 다만, 인자농도는 코니카덴시토미터(PDA-65, 코니카)를 사용하여 측정하였다.
2. 흐림은 상온상습(25℃, 50%RH)에서 감광체상의 흐림에 의한 농도차 △OD가 0.02이하를 ○으로 하였다. 여기서 흐림평가를 위한 인자농도차(△OD)로는, 용지에 전사하기 이전의 감광체상의 분상을 테이프(scotch mending tape)에 취하여, 백지부의 농도를 측정하고, 테이프의 농도를 뺀값이다.
주) 장치(3)에 쓰이는 대전성향상제는 화합물9로 하였다.
비자성의 컬러토너에서도 감광체(2)에서는 양호한 특성이 얻어진다. 또한, 종래의 감광체(1)에서도 장치(3)를 사용하면 양호한 특성이 얻어진다.
광배면기록법에 있어서 양호한 표면전위(Vs)를 표시한 감광체도 칼슨법(코로나대전)으로 사용하면, 그 표면전위(Vs)가 저하하여 흐림이 발생하여 사용할 수 없다.
[실시예 6][등가일함수가 4.10 이상의 불소수지]
[감광체제조예]
감광체(71)
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 0.2㎛의 테프론입자를 0.02부를 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 불투명드럼 ①상에 침지도포 하고 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여 감광층을 형성하고, 감광체(71)를 얻었다.
감광체(72)
감광체(1)에 오버코트층으로 하여 폴리에스틸 수지 1부에 0.2㎛의 테프론 (폴리테트라플루오로에틸렌)입자를 0.01부 도포하고, 90℃ 1시간 건조시켜서 막두께 약 1㎛의 층을 형성하고, 감광체(72)를 얻었다.
감광체(73)
감광체(1)상에 0.2㎛의 테프론 입자 1부를 에탄올 100부에 용해하여 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하고, 감광체(73)를 얻었다.
감광체(74)
감광체(1)에 오버코트층의 접착층으로서 토스프라이프 (도시바 실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한후, 규소계 코트제 토스가도(도시바 실리콘제) 1부, 침지도포하고, 90℃ 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 층을 형성하였다. 이어서, 0.2㎛의 테프론 입자를 1부를 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하고, 감광체(74)를 얻었다.
감광체(75)
CH2= CHCOOCH2CH2-C8F1760부, 스티렌 10부, 부틸아크릴레이트 30부에 의해 공지의 유화중합을 행하고, 0.2㎛의 입자1을 얻었다.
다음에, 부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부와 입자1을 0.02부를 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 전하발생층이 있는 드럼 ①상에 침지도포하고 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여 감광층을 형성하고, 감광체(75)를 얻었다.
토너 및 캐리어 제조
실시예1과 마찬가지로 하였다.
[화상형성예]
상기의 감광체 및 장치를 사용하여 화상형성을 행하여 평가한 결과를 표19~표20에 표시한다.
감광체를 바꾸어서 평가를 했으나, 종래의 감광체(1)를 사용한 경우에는 표면전위(Vs)가 낮고 흐림이 발생한다. 그 이외의 감광체에서는 양호한 인자농도, 흐림특성을 얻었다.
다만, 인자특성에 관하여 평가는 이하와 같이하여 행하였다.
1. 인자농도가 OD에서 1.3이상을 ○으로 하였다. 다만, 인자농도는 코니카덴시토미터(PDA-65, 코니카)를 사용하여 측정하였다.
2. 흐림은 상온상습(25℃, 50%RH)에서 감광체상의 흐림에 의한 농도차 △OD가 0.02이하를 ○으로 하였다. 여기서 흐림평가를 위한 인자농도차(△OD)로는, 용지에 전사하기 이전의 감광체상의 분상을 테이프(scotch mending tape)에 취하여, 백지부의 농도를 측정하고, 테이프의 농도를 뺀값이다.
주) 장치(3)에 쓰이는 대전성향상제는 테플론입자로 하였다.
비자성의 컬러토너에서도 감광체(71), (75)에서는 양호한 특성이 얻어져 있다. 또한, 종래의 감광체(1)에서도 장치(3)를 사용하면 양호한 특성이 얻어진다.
[실시예 7]
[식(I)~식(VIII)의 화합물]
[감광체제조예]
감광체(101)
감광체의 지지체는 알루미늄 원통(ψ 40mm, A40S-H14, Kobe Seitetsu, k.k 제)을 하였다. 지지체상에 시아노에틸플루란 1부를 아세톤 10부(중량부)에 용해하고, 침지도포하여, 100℃에서 1시간 건조하여 막두께 1㎛의 중간층을 형성하였다. 다음에, α형옥소티탈프탈로시아닌 1부, 폴리에스테르 1부, 1,1,2-트리클로로에탄 20부를 경화글라스볼과 경화글라스포트를 사용하여 24시간 분산혼합한 것을 상기의 중간층상에 도포하고, 100℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 0.3㎛의 전하발생층을 형성하였다. (이것을 전하발생층이 있는 불투명드럼 ②이라 부른다). 다음에, 부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 대전향상제로서 불소화암모늄화합물 (화합물1)을 디클로로메탄 17부를 용해하고 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층상에 침지도포하고 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(101)를 얻었다.
감광체(102)
글라스원통(ψ 30mm, 7740 Corning제) 상에 인듐틴옥사이드를 막두께 100Å증착하고, 투명도전성지지체로 하였다. 이 투명도전성지지체는 도전성이 표면저항율 102Ω/?, 투과성이 전광선투과율 90%이상이다. 감광체의 지지체를 투명도전성지지체로한 이외 감광체(101)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(102)를 시작하였다.
감광체의 지지체에는 감광체(101)와 마찬가지의 것을 사용하였다. 다음에, 시아노에틸화플루란 1부를 아세톤10부 (중량부)에 용해하고, 이것을 지지체상에 침지도포하고, 100℃에서 1시간 건조하여 막두께 1㎛의 중간층을 형성하였다. 더욱이, α형 옥소티탈프탈로시아닌 1부, 부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트1부, 대전향상제로서 불소화암모니아(화합물1) 0.03부, 1,1,2-트리클로로에탄 20부를 경화글라스볼과 경질글라스포트를 사용하여 24시간 분산혼합한 것을 상기의 중간층상에 도포하고, 100℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 감광층을 형성하였다. 감광체(103)를 얻었다.
감광체(104)
지지체를 감광체(102)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(103)와 전적으로 마찬가지로한 감광체(104)를 얻었다.
감광체(105)
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명드럼 ②상에 침지도포하고 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하였다. 이 감광층상에 다시금 절연층의 접착층으로서 토스프라이프 (도시바 실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한 후, 규소계코트제 토스가도(도시바 실리콘제)1부, 대전향상제로서 불소화 암모늄화합물 (화합물1) 0.01부를 침지도포하고, 90℃ 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 절연층을 형성하고, 감광체(105)를 얻었다.
감광체(106)
지지체를 감광체(102)에 사용한 투명도전성지지체로 한 이외, 감광체(105)와 전적으로 마찬가지로한 감광체(106)를 얻었다.
감광체(107)
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명드럼 ②상에 침지도포하고 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하였다. 이 감광층상에 대전향상제로서 불소화 암모늄화합물(화합물1) 1부를 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하고, 감광체(107)를 얻었다.
감광체(108)
지지체를 감광체(102)에 사용한 투명도전성지지체로 한 이외, 감광체(107)와 전적으로 마찬가지로한 감광체(108)를 얻었다.
감광체(109)
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층상에 침지도포하고 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하였다. 이 감광층상에 더욱이 절연층의 접착층으로서 토스프라이프 (도시바 실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한후, 규소계코트제 토스가도 (도시바 실리콘제) 1부, 대전향상제로서 불소화암모늄화합물 (화합물1) 0.01부를 침지도포하고, 90℃ 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 절연층을 형성하였다. 이 절연층상에 대전향상제로서 불소화암모늄화합물 (화합물1) 1부를 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하고 감광체(109)를 얻었다.
감광체(110)
지지체를 감광체(102)에 사용한 투명도전성지지체로 한 이외, 감광체(109)와 전적으로 마찬가지의 감광체(110)를 얻었다.
감광체(111)
대전향상제를 실시예 2의 이미드 화합물(화합물6)로한 이외, 감광체(101)와 전적으로 마찬가지로 하여 감광체(111)를 얻었다.
감광체(112)
지지체를 감광체(102)에 사용한 투명도전성지지체로 한 이외, 감광체(111)와 전적으로 마찬가지의 감광체(112)를 얻었다.
감광체(113)
대전향상제를 실시예2의 3.5-디터셔리부틸살리실산의 크롬착화합물 (화합물5)로한 이외, 감광체(101)와 전적으로 마찬가지로 하여 감광체(113)를 얻었다.
감광체(114)
지지체를 감광체(102)에 사용한 투명도전성지지체로 한 이외, 감광체(113)와 전적으로 마찬가지로 하여 감광체(114)를 얻었다.
감광체(115)
대전향상제를 실시예2의 2-히드록시-3-나프토에산의 크롬착화합물(화합물4)로한 이외. 감광체(101)와 전적으로 마찬가지로 하여 감광체(115)를 얻었다.
감광체(116)
지지체를 감광체(112)에 사용한 투명도전성지지체로 한 이외, 감광체(115)와 전적으로 마찬가지로 하여 감광체(116)를 얻었다.
감광체(117)
대전향상제를 실시예2의 화합물2로 한 이외, 감광체(101)와 전적으로 마찬가지로 하여 실시예(117)의 감광체를 얻었다.
감광체(118)
지지체를 감광체(102)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(117)와 마찬가지로 하여 감광체(118)를 얻었다.
감광체(119)
대전향상제를 실시예2의 화합물3으로 한 이외, 감광체(101)와 전적으로 마찬가지로 하여 감광체(119)를 얻었다.
감광체(120)
지지체를 감광체(102)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(119)와 전적으로 마찬가지로 하여 감광체(120)를 얻었다.
감광체(121)
대전향상제를 실시예2의 2-히드록시-3-나프토에산의 아연착화합물(화합물8)로 한 이외, 감광체(120)와 전적으로 마찬가지로 하여 감광체(121)를 얻었다.
감광체(122)
지지체를 감광체(102)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(121)와 전적으로 마찬가지로 하여 감광체(122)를 얻었다.
감광체(123)
대전향상제를 실시예 2의 알킬페놀 금속착화합물(화합물7)로 한 이외, 감광체(101)와 전적으로 마찬가지로 하여 감광체(123)를 얻었다.
감광체(124)
지지체를 감광체(102)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(123)와 전적으로 마찬가지로 하여 감광체(124)를 얻었다.
감광체(125) -비교감광체(1)
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트1부를 디클로로메탄17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 그것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명드럼 ②상에 침지도포하고 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 비교감광체1의 감광체(125)를 얻었다.
감광체(126) -비교감광체(2)
지지체를 감광체(102)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(125)와 전적으로 마찬가지로한 비교감광체2의 감광체(126)를 얻었다.
감광체(127) -비교감광체(3)
감광체의 지지체에는 실시예1과 마찬가지의 것을 사용하였다. 시아노에틸화 플루란1부를 아세트10부 (중량부)에 용해하고, 이것을 지지체상에 침지도포하고, 100℃에서 1시간 건조하여 막두께 1㎛의 중간층을 형성하였다. 다음에, α형 옥소티탈프탈로시아닌1부, 부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트1부, 1,1,2-트리클로로에탄20부를 경질글라스볼과 경질글라스포트를 사용하여 24시간 분산혼합한 것을 상기의 중간층상에 도포하고, 100℃에서 1시간 건조시켜서 막두께의 약15㎛의 감광층을 형성하였다. 비교감광체3의 감광체(127)를 얻었다.
감광체(128) -비교감광체(4)
지지체를 감광체(102)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(127)와 전적으로 마찬가지로한 비교감광체4의 감광체(128)를 얻었다.
감광체(129) -비교감광체(5)
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명드럼 ②상에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하였다. 이 감광층상에 더욱이 절연층의 접착층으로서 토스프라이프 (도시바 실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한후, 규소계코트제 토스가도 (도시바 실리콘제) 1부를 침지도포하고, 90℃ 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 절연층을 형성하고, 실시예의 감광체를 얻었다.
감광체(130) -비교감광체(6)
지지체를 감광체(102)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(129)와 전적으로 마찬가지의 비교감광체6의 감광체(130)를 얻었다.
인쇄시험
인쇄시험(1)
인쇄시험기는 F6677C (Fujitsu 제)개조기를 사용하였다. 제12도에 인쇄시험기의 프로세스부 구조를 표시한다. 대전공정은 브러쉬대전법을 사용하였다. 브러쉬대전법은 대전브러쉬 65에 전압을 인가함으로써 감광체표면을 대전시키는 방법으로 인쇄시험 1을 행하였다. 또한, 인쇄조건을 하기에 표시한다.
현상제 : 상기 캐리어 및 상기 유화중합토너 ①을 사용한 현상제(토너농도 10wt%)
인쇄속도 : 4ppm
대전바이어스 : -600V
현상바이어스 : -500V
인쇄시험(2)
대전공정에 롤러대전법 (롤러 : 재질우레탄)을 사용한 인쇄시험기를 사용한 이외, 인쇄시험(1)과 전적으로 마찬가지로 하여, 인쇄시험(2)을 하였다. 인쇄시험기의 프로세스 구조를 제13도에 표시한다. 롤러68에 전압을 인가하여 감광체표면21을 대전시킨다.
인쇄시험(3)
인쇄시험은 대전공정에 블레이드대전법(블레이드 : 재질우레탄)을 사용한 이외, 인쇄시험(1)과 전적으로 마찬가지로 하여, 인쇄시험(3)을 하였다. 인쇄시험기의 프로세스 구조를 제14도에 표시한다. 대전블레이드 69를 사용한다.
인쇄시험(4)
인쇄시험4는 광배면프로세스에 바탕을 둔 인쇄시험기를 사용하여 행하였다. 제4도에 인쇄시험기의 프로세스부 구조를 표시하고, 제6도에 화상형성공정을 표시한다. 도면에 있어서, 내부에 광자계를 격납한 감광체는 투명도전층인 인듐틴옥사이드막이 접지되어 있다. 현상기내의 현상제는 토너에는 자성분 30wt 함유한 분쇄토너와 30㎛의 마그네타이트캐리어를 사용하여, 토너농도 20wt%로 Vb=-600V에 현상을 행하였다. 현상된 토너는 기록지(Fujitsu제)에 전사롤러를 개입하여 전사되고, 정착기를 거쳐 인쇄하여, 인쇄시험4를 행한다.
인쇄시험(5)
대전공정에 코로토론형 코로나 대전기를 사용한 이외, 인쇄시험(1)과 전적으로 마찬가지로 하여, 인쇄시험(3)을 행한다. 인쇄시험기의 프로세스 구조를 제3도에 표시한다.
인쇄시험
상기 감광체를 사용하여 인쇄시험을 행하였다. 인쇄시험의 평가 방법은 사쿠라덴시토미터 (PDA-65, 코니카제)를 사용하여, 인쇄시험에서 얻어진 인쇄물의 면화부 및 배경부의 Optical Density(O. D.)를 측정하고, 인자농도 및 배경부 흐림을 평가하였다. 면화부인자농도는 면화부의 O. D. 치, 배경부 흐림은 배경부의 인자농도와 기록지의 O. D. 치인 0.12와의 차 △O. D. 치로 하였다. 인자품질의 평가는 면화부인자농도가 1.3(O. D.)이상, 배경부 흐림이 0.02(△O. D. ) 이하에서 ○, 이 이외의 인쇄물은 ×로 하였다. 또, 인쇄시험 1~3에 있어서, 대전바이어스 -600V에서의 대전공정직후의 감광체의 표면전위와 표면전위의 편차도 측정하였다. 또한, 인쇄시험4에 있어서는 현상바이어스 -600V에서의 감광체와 현상제가 떨어진 직후의 감광체의 표면전위를 측정하였다.
표21에 인쇄시험의 평가결과와 감광체의 표면전위를 나타낸다.
인쇄시험 1~4에 있어서, 비교감광체에서는 흐림이 0.1이상 있었다. 또, 비교감광체의 표면전위는 인쇄시험기에 의하지 않고, 바이어스에 대하여 100V 이상 높은 전위로 편차가 50V 이상 있었다. 그것에 대하여, 실시예의 감광체에서는 면화부인자농도가 비교예의 감광체와 거의 달라지지 않으나, 배경부흐림이 0.02 이하로 저감하였다. 또한, 인쇄시험 1~4에서는 바이어스와 거의 같은 전위까지 대전하고, 또 표면전위의 편차가 5V 이하로 되었다. 안정되게 감광체를 대전될 수 있음으로써 배경부흐림이 저감가능케 되었다고 여겨진다. 그러나, 인쇄시험5에서는 비교감광체에 비해서 실시예의 감광체는 표면전위가 매우 낮고, 편차가 컸었다. 그러나 대전향상제는 접촉대전법만에 효과가 나타나는 것을 알았다.
[실시예 8][식 (X)~ 식(XI)의 화합물]
[감광체제조예]
감광체(131) ...화합물9
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 화합물1을 0.02부, 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명드럼 ②상에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고 감광체(131)를 얻었다.
감광체(132) ...화합물9
글라스원통(ψ 30mm, 7740 Corning제) 상에 인듐틴옥사이드를 막두께 100Å 증착하고, 투명도전성지지체로 하였다. 이 투명도전성지지체는 도전성이 표면저항율 102Ω/?, 투과성이 전광선투과율 90%이상이다. 감광체의 지지체를 투명도전성지지체로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(132)를 시작(試作)하였다.
감광체(133) ...화합물10
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물10으로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(133)를 얻었다.
감광체(134) ...화합물10
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(133)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(134)를 얻었다.
감광체(135) ...화합물11
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물11로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(135)를 얻었다.
감광체(136) ...화합물11
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(135)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(136)를 얻었다.
감광체(137) ...화합물12
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물12로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(137)를 얻었다.
감광체(138) ...화합물12
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(137)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(138)를 얻었다.
감광체(139) ...화합물13
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물13으로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(139)를 얻었다.
감광체(140) ...화합물13
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(139)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(140)를 얻었다.
감광체(141) ...화합물14
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물14로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(141)를 얻었다.
감광체(142) ...화합물14
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(141)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(142)를 얻었다.
감광체(143) ...화합물15
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물15로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(143)를 얻었다.
감광체(144) ...화합물15
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(143)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(144)를 얻었다.
감광체(145) ...화합물16
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물16으로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(145)를 얻었다.
감광체(146) ...화합물16
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(145)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(146)를 얻었다.
감광체(147) ...화합물17
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물17로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(147)를 얻었다.
감광체(148) ...화합물17
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(147)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(148)를 얻었다.
감광체(149) ...화합물18
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물18로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(149)를 얻었다.
감광체(150) ...화합물18
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(149)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(150)를 얻었다.
감광체(151) ...화합물19
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물19로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(151)를 얻었다.
감광체(152) ...화합물19
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(151)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(152)를 얻었다.
감광체(153) ...화합물20
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물20으로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(153)를 얻었다.
감광체(154) ...화합물20
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(153)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(154)를 얻었다.
감광체(155) ...화합물21
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물21로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(155)를 얻었다.
감광체(156) ...화합물21
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(155)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(156)를 얻었다.
감광체(157) ...화합물22
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물22로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(157)를 얻었다.
감광체(158) ...화합물22
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(157)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(158)를 얻었다.
감광체(159) ...화합물23
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물23으로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(159)를 얻었다.
감광체(160) ...화합물23
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(159)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(160)를 얻었다.
감광체(161) ...화합물24
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물24로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(161)를 얻었다.
감광체(162) ...화합물24
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(161)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(162)를 얻었다.
감광체(163) ...화합물25
감광체(131)에 쓰이는 화합물9를 화합물25로한 이외 감광체(131)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(163)를 얻었다.
감광체(164) ...화합물25
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(163)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(164)를 얻었다.
감광체(165) ...비교감광체(7)
감광체의 지지체는 알루미늄 원통(ψ 40mm, A40S-H14, Kobe Seitetsu, k.k 제)을 하였다. 지지체상에 시아노에틸화플루란 1부를 아세톤 10부(중량부)에 용해하고, 침지도포하고, 100℃에서 1시간 건조하여 막두께 1㎛의 중간층을 형성하였다. 다음에, α형옥소티탈프탈로시아닌 1부, 폴리에스테르 1부, 1,1,2-트리클로로에탄 20부를 경질글라스보울과 경질글라스포트를 사용하여 24시간 분산혼합한 것을 상기의 중간층상에 도포하고, 100℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 0.3㎛의 전하발생층을 형성하였다. 부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 디클로로메탄 17부를 용해하여, 도포액을 제조하였다. 이것을, 상기의 전하발생층상에 침지도포하고 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(165)를 얻었다.
감광체(166) ...비교감광체(8)
지지체를 감광체(132)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외 감광체(165)와 전적으로 마찬가지로한 감광체(166)를 얻었다.
인쇄시험
상기 감광체를 사용하여, 실시예7과 마찬가지의 인쇄시험을 행하였다. 인쇄시험기, 인쇄평가기준도 실시예7과 마찬가지이다.
표22에 인쇄시험의 평가결과 및 감광체 표면전위의 평가의 결과를 나타낸다.
제조한 감광체를 사용하여 인쇄시험을 행하였다. 인쇄시험의 평가 방법은 사쿠라텐시트메터 (PDA-65, 코니카제)를 사용하여, 인쇄시험에서 얻어진 인쇄물의 면화부 및 배경부의 Optical Density(O. D.)를 측정하고, 인자농도 및 배경부 흐림을 평가하였다. 면화부인자농도는 면화부의 O. D. 치, 배경부흐림은 배경부의 인자농도와 기록지의 O. D. 값인 0.12와의 차 △O. D. 값으로 하였다. 인자품질의 평가는, 면화부인자농도가 1.3(O. D.)이상, 배경부 흐림이 0.02(△O. D. ) 이하에서 ○, 이 이외의 인쇄물은 ×로 하였다. 또한, 인쇄시험 1~3에 있어서, 대전바이어스 -600V에서의 대전공정직후의 감광체의 표면전위 및 표면전위의 편차도 측정하였다. 또한, 인쇄시험4에 있어서는 현상바이어스 -600V에서의 감광체와 현상제가 떨어진 직후의 감광체의 표면전위를 측정하였다. 인쇄시험 1~4에 있어서, 감광체 (165) 및 (166)은 흐림이 0.1 이상이었다. 또한, 감광체(165) 및 (166)의 표면전위는 인쇄시험기에 의하지 않고, 바이어스에 대하여 100V 이상 높은 전위에서 편차가 50V 이상이었다. 그것에 대하여, 감광체(131)~(164)에서는 면화부인자농도가 감광체(165)와 (166)과 거의 다르지 않으나, 배경부흐림이 0.02 이하로 저감하였다. 또한, 인쇄시험 1~4에서는 바이어스와 거의 같은 전위까지 대전하고, 또한 표면전위의 편차가 5V 이하로 되었다. 안정하여 감광체를 대전시킴으로써, 배경부흐림이 저감가능하게 되었다고 여겨진다. 그러나, 인쇄시험(5)에서는 감광체(165)에 비해서 감광체(131)~(164)(다만, 우수의 넘버만)은 표면전위가 매우낮고, 편차가 컸었다. 이로부터, 화합물 9~26은, 접촉대전법만에 효과가 나타남을 알았다.
[실시예 9]
[강유전체]
[감광체제조예]
감광체(167)
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 대전향상제로서 표1의 No. 1의 티탄산바륨 0.02부를 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명드럼 ②상에 침지도포하고, 90℃ 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 실시예 6의 감광체를 얻었다.
감광체(168)
글라스원통(ψ 30mm, 7740 Corning제) 상에 인듐틴옥사이드를 막두께 100Å증착하고, 투명도전성지지체로 하였다. 이 투명도전성지지체는 도전성이 표면저항율 102Ω/?, 투과성이 전광선투과율 90%이상이다. 감광체의 지지체를 투명도전성지지체로한 이외 감광체(167)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(168)의 감광체를 제조하였다.
감광체(169)
감광체의 지지체에는 감광체(167)와 마찬가지의 것을 사용하였다. 다음에 시아노에틸화플루란1부를 아세트10부 (중량부)에 용해하고, 이것을 지지체상에 침지도포하고, 100℃에서 1시간 건조하여 막두께 1㎛의 중간층을 형성하였다. 더욱이, α형 옥시티탈프탈로시아닌1부, 부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트1부, 대전향상제로의 표1의 No. 1의 티탄산 바륨 0.03부, 1,1,2-트리클로로에탄20부를 경질글라스볼과 경질글라스포트를 사용하여 24시간 분산혼합한 것을 상기의 중간층상에 도포하고, 100℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 15㎛의 감광층을 형성하였다. 감광체(169)를 얻었다.
감광체(170)
지지체를 감광체(168)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(169)와 전적으로 마찬가지의 감광체(170)를 얻었다.
감광체(171)
부타디엔 유전체1부, 폴리카보네이트 1부, 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명드럼 ②상에 침지도포하고, 90℃ 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하였다. 이 감광층상에 다시금 절연층의 접착층으로서 토스프라이프 (도시바 실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한후, 규소계코트제 토스가도 (도시바 실리콘제) 1부, 대전향상제로서 표1의 No. 1의 티탄산 바륨 0.01부 혼합한 것을 침지도포하고, 90℃, 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 절연층을 형성하고, 실시예의 감광체(171)를 얻었다.
감광체(172)
지지체를 감광체(168)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(171)와 전적으로 마찬가지의 감광체(172)를 얻었다.
감광체(173)
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 붙은 불투명드럼 ②상에 침지도포하고, 90℃ 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하였다. 이 감광층상에 대전향상제로의 표1의 No. 1의 티탄산바륨 1부 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 형성하고, 감광체(173)를 얻었다.
감광체(174)
지지체를 감광체(168)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(173)와 전적으로 마찬가지의 감광체(174)를 얻었다.
감광체(175)
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명드럼 ②상에 침지도포하고, 90℃ 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하였다. 이 감광층상에 다시금 절연층의 접착층으로서 토스프라이프 (도시바 실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한후, 규소계코트제 토스가도 (도시바 실리콘제) 1부, 대전향상제로서 화합물1의 불소화 암모니움 화합물 0.01부를 침지도포하고, 90℃, 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 절연층을 형성하였다. 이 절연층상에 대전향상제로서 표1의 No. 1의 티탄산바륨의 불소화암모늄 화합물1부를 에탄올 100부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 100Å의 막을 피복하고, 감광체(175)를 얻었다.
감광체(176)
지지체를 감광체(168)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(175)와 전적으로 마찬가지의 감광체(176)를 얻었다.
감광체(177)
대전향상제를 표I의 No. 2의 니오브산 카드뮴(화학식 : Cd2Nb2O7)로한 이외 감광체(167)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(177)를 얻었다.
감광체(178)
지지체를 감광체(168)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(167)와 전적으로 마찬가지의 감광체(178)를 얻었다.
감광체(179)
대전향상제를 표I의 No. 3의 폴리불화비닐리덴(화학식 : (-CH2CF-)n)로한 이외, 감광체(167)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(179)를 얻었다.
감광체(180)
지지체를 감광체(168)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(179)와 전적으로 마찬가지의 감광체(180)를 얻었다.
인쇄시험
상기 감광체를 사용하여, 실시예7과 마찬가지의 인쇄시험을 행하였다. 인쇄시험기, 인쇄평가기준도 실시예7과 마찬가지이다.
표23에 인쇄시험의 평가결과 및 감광체표면전위의 평가의 결과를 나타낸다.
인쇄시험1~4에 있어서, 상기와 같이(실시예7 참조), 비교감광체는 흐림이 0.10 이상이었다. 또한, 비교감광체의 표면전위는 인쇄시험기에 의하지 않고, 바이어스에 대하여 절대치 100V 이상 낮은 전위로 편차가 50V 이상이었다. 그에 대하여, 실시예의 감광체에서는 면화부 인자농도가 비교감광체와 거의 달라지지 않았으나, 배경부흐림이 0.03 이하로 저감하였다. 또한, 인쇄시험 1~4에서는 바이어스와 거의 같은 전위까지 대전하고, 또한 표면전위의 편차가 5V 이하로 되었다. 안정하여 감광체를 대전시킴으로써, 배경부흐림이 저감가능케 되었고 여겨진다. 그러나, 인쇄시험5에서는 비교감광체와 비해서 실시예로 제조한 감광체는 표면전위가 매우 낮고, 편차가 크고, 배경부 흐림이 증대하였다. 코로나 대전법에 있어서는 대전향상제에 의한 효과는 전혀 얻어지지 않고, 오히려 대전성이 떨어지는 결과로 되었다.
이상의 평가결과에서, 대전향상제를 사용함으로써, 접촉대전법에 있어서, 감광체의 대전성을 향상하고, 양호한 대전특성을 나타내는 것을 알았다.
[실시예 10]
[강유전성액정]
[감광체제조예]
감광체(181)
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 표II의 No. 1~4의 쉬프(shiff) 염기계의 1예인 DOBAMBC 0.02부를 디클로로메탄 17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명드럼상에 침지도포하고, 90℃ 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(181)를 얻었다.
감광체(182)
글라스원통(ψ 30mm, 7740 Corning제) 상에 인듐틴옥사이드를 막두께 100Å증착하고, 투명도전성지지체로 하였다. 이 투명도전성지지체는 도전성이 표면저항율 102Ω/?, 투과성이 전광선투과율 90%이상이다. 감광체의 지지체를 투명도전성지지체로한 이외 감광체(181)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(182)를 제조하였다.
감광체(183)
감광체의 지지체에는 감광체(181)와 마찬가지의 것을 사용하였다. 다음에, 시아노에틸화플루란1부를 아세톤10부 (중량부)에 용해하고, 이것을 지지체상에 침지도포하고, 100℃에서 1시간 건조하여 막두께 1㎛의 중간층을 형성하였다. 다음에, α형 옥소티탈프탈로시아닌1부, 부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트1부, 표II의 No. 1의 DOBAMBC 0.03부, 1,1,2-트리클로로에탄20부를 경질글라스볼과 경질글라스포트를 사용하여 24시간 분산혼합한 것을 상기의 중간층상에 도포하고, 100℃에서 1시간 건조시켜서 막두께의 15㎛의 감광층을 형성하였다. 감광체(183)를 얻었다.
감광체(184)
지지체를 감광체(182)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(183)와 전적으로 마찬가지로 하여 감광체(184)를 얻었다.
감광체(185)
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 디클로로메탄17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명 드럼 ②상에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하였다. 이 감광층상에 더욱이 절연층의 접착층으로서 토스프라이프 (도시바 실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한후, 규소계코트제 토스가도 (도시바 실리콘제) 1부, 표II의 No. 1(n=10)의 DOBAMBC 0.01을 침지도포하고, 90℃ 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 절연층을 형성하고, 감광체(185)를 얻었다.
감광체(186)
지지체를 감광체(182)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(185)와 마찬가지의 감광체(186)를 얻었다.
강유전성액정재료를 표II의 No. 5, No. 6의 아조, 아족시계재료의 1예인 4-propionyl-4'-heptanoyloxy azobenzene으로 한 이외, 감광체(181)와 마찬가지로한 감광체(187)를 얻었다.
감광체(188)
강유전성액정재료를 표Ⅱ의 No. 5, No. 6의 아조, 아족시계재료의 1예인 4-propionyl-4'-heptanoyloxy azobenzene으로 한 이외, 감광체(146)와 마찬가지로 하여, 감광체(188)를 얻었다.
감광체(189)
강유전성액정재료를 표Ⅱ의 No. 7의 페닐계재료의 1예인 hexyl-4'-pentyloxybifeneyl- 4-carboxylate으로한 이외, 감광체(181)와 마찬가지로 하여, 감광체(189)를 얻었다.
감광체(190)
강유전성액정재료를 표Ⅱ의 No. 7의 페닐계재료의 1예인 hexyl-4'-pentyloxybifeneyl- 4-carboxylate으로한 이외, 감광체(182)와 마찬가지로 하여, 감광체(190)를 얻었다.
감광체(191)
강유전성액정재료를 표II의 No. 8~19의 에스테르계재료의 1예인 4 (2-methylbuty) phenyl-4'-octylbifenyl-4-carboxylate으로한 이외, 감광체(181)와 마찬가지로 하여, 감광체(191)를 얻었다.
감광체(192)
강유전성액정재료를 표II의 No. 8~19의 에스테르계재료의 1예인 4- (2-methylbuty) phenyl-4'-octylbifenyl-4-carboxylate으로한 이외, 감광체(192)와 마찬가지로 하여, 감광체(192)를 얻었다.
감광체(193)
강유전성액정재료를 표II의 No. 20~22의 시클로헥산환을 포함한 재료의 1예인 4-(2-methylbutyl)biphenyl-4'-octylbifenyl-4-cyclohexane으로한 이외, 감광체(181)와 마찬가지로 하여, 감광체(193)를 얻었다.
감광체(194)
강유전성액정재료를 표II의 No. 20~22의 시클로헥산환을 포함한 재료의 1예인 4-(2-methylbutyl)biphenyl-4'-octylbifenyl-4-cyclohexane으로한 이외, 감광체(182)와 마찬가지로 하여, 감광체(194)를 얻었다.
감광체(195)
강유전성액정재료를 표II의 No. 23~30의 No. 1~22 이상의 골격을 포함한 재료의 1예인 4-(2-methylbutyl)biphenyl-4'-octylbifenyl-4-acetylate로한 이외, 감광체(181)와 마찬가지로 하여, 감광체(195)를 얻었다.
감광체(196)
강유전성액정재료를 표II의 No. 23~30의 No. 1~22 이상의 골격을 포함한 재료의 1예인 4-(2-methylbutyl)biphenyl-4'-octylbifenyl-4-acetylate로한 이외, 감광체(182)와 마찬가지로 하여, 감광체(196)를 얻었다.
감광체(197)
강유전성액정재료를 표II의 No. 31~40의 복소환을 포함한 재료의 1예인 4-(2-methylbutyl)phenyl-4'-pentylpyrimidine으로한 이외, 감광체(181)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(197)를 얻었다.
감광체(198)
강유전성액정재료를 표II의 No. 31~40의 복소환을 포함한 재료의 1예인 4-(2-methylbutyl)phenyl-4'-pentylpyrimidine으로한 이외, 감광체(182)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(198)를 얻었다.
감광체(199)
강유전성액정재료를 표II의 No. 41~43의 환치환기를 포함한 재료의 1예인 4-(2-methylbutyl)-4'-pentylphenyl-4-(2-chloro)benzene으로한 이외, 감광체(181)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(199)를 얻었다.
감광체(200)
강유전성액정재료를 표II의 No. 41~43의 환치환기를 포함한 재료의 1예인 4-(2-methylbutyl)-4'-pentylphenyl-4-(2-chloro)benzene으로한 이외, 감광체(182)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(200)를 얻었다.
인쇄시험
상기의 감광체에 대하여, 실시예6과 마찬가지의 인쇄시험을 행하였다. 표XXIV에 인쇄시험의 평가결과 및 표면전위를 나타낸다.
상기와 같이 실시예 6에 표시한 비교감광체는 어느 인쇄시험에서도 0.1이상이고, 또한 감광체의 표면전위는 인쇄시험기에 의하지 않고, 바이어스에 대하여 100V 이상 높은 전위로 편차가 50V 이상이었다. 그것에 대하여, 실시예 8의 감광체에서는 면화부인자농도가 비교감광체와 거의 다르지 않으나, 배경부가 흐림 0.03 이하로 저감하였다. 또한 어느 인쇄시험기에서도 바이어스와 거의 같은 전위까지 대전하고, 또한 표면전위의 편차가 5V 이하로 되었다. 안정되어 감광체를 대전시킴으로써, 배경부 흐림이 저감가능케 되었다고 여겨진다.
[실시예 11]
[등가일함수 4.10 이상의 고분자물질, 일렉트렉트]
[감광체제조예]
감광체(201)
부타디엔 유도체1부, 폴리카보네이트 1부, 니트릴고무 0.05부를 디클로로메탄 17부를 용해·분산하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명드럼②상에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하고, 감광체(201)를 얻었다.
감광체(202)
글라스원통(ψ 30mm, 7740 Corning제) 상에 인듐틴옥사이드를 막두께 100Å증착하고, 투명도전성지지체로 하였다. 이 투명도전성지지체는 도전성이 표면저항율 102Ω/?, 투과성이 전광선투과율 90%이상이다. 감광체의 지지체를 투명도전성지지체로한 이외 감광체(201)와 전적으로 마찬가지로 하여, 감광체(202)를 제조하였다.
감광체(203)
감광체의 지지체에는 감광체(201)와 마찬가지의 것을 사용하였다. 다음에, 시아노에틸화플루란1부를 아세톤10부 (중량부)에 용해하고, 이것을 지지체상에 침지도포하고, 100℃에서 1시간 건조하여 막두께 1㎛의 중간층을 형성하였다. 더욱이, α형 옥소티탈프탈로시아닌1부, 부타디엔유도체1부, 폴리카보네이트1부, 폴리에틸렌수지(입경 0.5㎛) 0.05부, 1,1,2-트리클로로에탄20부를 경질글라스볼과 경질글라스포트를 사용하여 24시간 분산혼합한 것을 상기의 중간층상에 도포하고, 100℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 감광층을 형성하였다. 감광체(203)를 얻었다.
감광체(204)
지지체를 감광체(202)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(203)와 전적으로 마찬가지로한 감광체(204)를 얻었다.
감광체(205)
부타디엔유도체1부, 폴리카보네이트1부, 디클로로메탄17부를 용해·분산하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명드럼②상에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하였다. 이 감광층상에 다시금 절연층의 접착층으로서 토스프라이프 (도시바 실리콘제)를 침지도포, 90℃ 30분 건조한후, 규소계코트제 토스가도 (도시바 실리콘제) 1부, 폴리비닐부티랄수지 0.05부를 침지도포하고, 90℃ 1시간 경화시켜서 막두께 약 1㎛의 절연층을 형성하고, 감광체(205)를 얻었다.
감광체(206)
지지체를 감광체(202)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(205)와 전적으로 마찬가지로한 감광체(206)를 얻었다.
감광체(207)
부타디엔유도체1부, 폴리카보네이트1부, 디클로로메탄17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명드럼②상에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하였다. 이 감광층상에 폴리스티렌수지1부를 디클로로메탄 20부에 용해한 용액을 침지도포하고, 막두께 0.1㎛의 막을 형성하고, 감광체(207)를 얻었다.
감광체(208)
지지체를 감광체(202)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(207)와 전적으로 마찬가지로한 감광체(208)를 얻었다.
감광체(209)
부타디엔유도체1부, 폴리카보네이트1부, 디클로로메탄17부를 용해하여 도포액을 제조하였다. 이것을 상기의 전하발생층이 있는 불투명드럼②상에 침지도포하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 막두께 약 15㎛의 전하수송층을 형성하여, 감광층을 형성하였다. 감광층상에 폴리감마메틸글루타민산의 5%수용액을 도포, 건조후, 온도 90℃, 직류전계 -200V로 폴링(polling)처리를 하여, 표면에 일렉트렉층을 형성하고, 감광체(209)를 얻었다.
감광체(210)
지지체를 감광체(202)에 사용한 투명도전성지지체로한 이외, 감광체(209)와 전적으로 마찬가지의 감광체(210)를 얻었다.
인쇄시험
상기 감광체에 대하여, 실시예7와 마찬가지의 인쇄시험을 행하였다. 인쇄시험기, 인쇄평가기준도 실시예7와 마찬가지이다.
표25에 인쇄시험의 평가결과 및 감광체의 표면전위를 나타낸다.
상기 (실시예 7)와 같이 비교감광체는 어느 인쇄시험에서도 흐림이 0.1 이상이었다. 또한, 비교감광체의 표면전위는 인쇄시험기에 의하지 않고, 바이어스에 대하여 100V 이상 높은 전위로, 편차가 50V 이상이었다. 그것에 대하여, 실시예9로 제조한 감광체에서는 면화부인자 농도가 비교예의 감광체와 거의 다르지 않으나, 배경부 흐림이 0.03이하로 저감하였다. 또한, 인쇄시험기에서도 바이어스와 거의 같은 전위까지 대전하고, 또한 표면전위의 편차가 6V 이하로 되었다. 안정되어 감광체를 대전시킴으로써, 배경부 흐림이 저감가능케 되었다고 여겨진다.
이상에 표시한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 투명 또는 반투명기체, 투명 또는 반투명의 도전층 및 광도전층을 적층하여서 되는 감광체와, 그 감광체의 광도전층측에 배치된 캐리어 및 토너로서 되는 현상제와 상기 감광체의 투명 또는 반투명기체측에서 또한 상기 현상수단과 대향하는 위치에 설치되고, 화상노광을 행하는 화상노광수단으로서 이루어지고, 현상제에 의해 감광체의 대전을 하면 거의 같은 시간에 노광 및 현상을 행하는 화상형성방법에 있어서, 감광체에 부가포텐샬전위(Vf)를 주는 수단을 가짐으로써 노광체표면전위(Vs)가 현상바이어스(Vb)에 접근하거나, 또한 현상바이어스(Vb)보다도 크게됨으로써, 캐리어와 토너의 혼합비(토너농도) 마진이 확대되고, 양호한 인쇄특성이 장기간에 걸쳐 얻게 되고, 광프린터 장치의 소형화.저렴화에 기여하는 바가 매우 크다.
또한, 본 발명에 의하면, 도전성지지체상에 감광층 및 필요에 따라 절연층을 가지는 전자사진감광체에 있어서, 감광층 또는 절연층에 적어도 대전향상제를 가지는 감광체를 사용함으로써, 대전공정이 접촉대전법 또는 광배면프로세스에 있어서, 높은 대전성(대전효율 및 안정성)을 얻을 수 있는 효과를 이루고, 전자사진기록장치의 소형화, 저렴화에 기여하는 바가 크다.

Claims (19)

  1. 투명 또는 반투명기체, 투명 또는 반투명의 도전층 및 광도전층을 적층하여 이루어진 감광체와, 그 감광체의 광도전층측에 배치된 캐리어와 토너로서 되는 현상제와, 상기 감광체의 투명 또는 반투명기체측에서 상기 현상제와 대향하는 위치에 설치되고 화상노광을 행하는 화상노광수단으로서 이루어지고, 상기 현상제에 의해 감광체의 대전을 행함과 거의 동시에 노광 및 현상을 행하는 화상현상장치에 있어서, 감광체의 표면전위(Vs)의 절대치가 현상바이어스(Vb)의 절대치에 가까워지거나, 현상바이어스(Vb)의 절대치보다 크게되도록 감광체에 부가포텐샬 전위(Vf)를 부여하는 수단을 구비하되, 감광체에 부가포텐샬 전위(Vf)를 부여하는 수단이 감광체 내부에 함유된, 감광체에 부가포텐샬 전위(Vf)를 부여하는 물질(이하, 대전성향상제라고 함)이거나, 감광체표면에 피복된 대전성향상제이거나, 또는 감광체표면에 대전성향상제를 도포하는 수단인 것을 특징으로 하는 화상형성장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 토너로서 비자성 토너를 사용하는 화상형성장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 대전성향상제가 하기식(I)으로 표시되는 불소화암모늄염을 포함하는 화상형성장치.
    [식중, R1~R4는 수소원자 또는 유기기를 의미하고; R1~R4의 적어도 1개는 수산기, 클로로메틸기, 카르복실산아미드기, 술폰산아미드기, 우레탄기, 아미노기, R5-O-R6기 및/또는 R7-COOR8기를 갖는 탄소원자수 1~69와 불소원자수 3~66의 직쇄상 또는 분지상의 불소함유알킬 또는 불소함유 알케닐이고, R5, R6, R7및 R8은 탄소원자수 1~30의 알킬기이고; R1~R4의 최고3개는 서로 무관하게 수소원자, 탄소원자수 1~30의 직쇄상 또는 분지상 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기(예를 들면, 페닐기, 나프틸기, 아릴알킬기, 벤질기)이고; 아릴기 및 아랄킬기는 방향족핵에 있어서 탄소원자수 1~30의 알킬기, 탄소원자수 1~30의 알콕시기 또는 수산기 또는 할로겐원자(예를 들면, 불소원자, 염소원자, 취소원자)로 치환되고; R1~R4의 2개는 상호결합하여, 헤테로원자(예를들면 질소원자, 산소원자 또는 황원자)로 중단될 수 있고, 0~6개의 2중결합을 가지며, 불소원자, 염소원자, 취소원자, 탄소원자수 1~6의 알킬기, 탄소원자수 1~6의 알콕시기, 니트로기 또는 아미노기로 치환되어 있는 탄소원자수 4~12의 단핵 또는 다핵의 환계를 형성하며; X-는 유기 또는 무기 음이온을 의미하고; R1~R4는 COO-또는 SO- 3기에 의하여 치환될 수도 있으나, 이 경우에는 X-는 불필요함.]
  4. 제1항에 있어서, 상기 대전향상제가 하기식(II)으로 표시되는 붕소착체를 포함하는 화상형성장치.
    [식중, R1및 R4는 수소원자, 알킬기, 치환 또는 비치환의 방향환(축합환도 포함)을 표시하고, R2및 R3는 치환 또는 비치환의 방향환(축합환도 포함)을 표시하고, X는 양이온을 표시함.]
  5. 제1항에 있어서, 상기 대전성향상제가, 하기식(III)으로 표시되는 붕소착체를 포함하는 화상형성장치.
    [식중, R은 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자를 표시하고, m 및 n은 1, 2, 3 또는 4이고, X는 수소이온, 알칼리금속이온, 지방족암모늄이온(치환지방족 암모늄이온도 포함), 방향족암모늄이온, 알킬암모늄이온, 이미늄이온, 포스포늄이온 또는 헤테로 환상암모늄이온을 표시함.]
  6. 제1항에 있어서, 상기 대전성향상제가 하기식(IV)으로 표시되는 금속착체를 포함하는 화상형성장치.
    [식중, a 또는 b는 탄소수 4~9의 알킬기를 가질 수 있는 벤젠환 또는 시클로헥센환을 표시하고, R1 및 R2는 H 또는 탄소수 4~9의 알킬기(다만, 동시에 H는 아님) 또는, 탄소수 4~9의 알킬기를 가질 수 있고 또는 벤젠환 또는 시클로헥센환을 형성할 수 있는 치환기를 표시하고, Me는 Cr, Co 또는 Fe를 표시하고, X는 반대이온을 표시함.]
  7. 제1항에 있어서, 상기 대전성향상제가 하기식(V)으로 표시되는 금속착체를 포함하는 화상형성장치.
    [식중, R1~R4는 H 또는 알킬기이고, Me는 Cr, Cu 또는 Fe임.]
  8. 제1항에 있어서, 상기 대전성향상제가 하기식(IV)으로 표시되는 이미드화합물을 포함하는 화상형성장치.
    [식중, M은 알칼리 금속 또는 암모늄이온을 표시하고, R1은,
    이고, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9는 수소 또는 탄소수 1~8의 알킬기, 할로겐,
    -NO2또는 -SO3H이고, 이들은 동일하거나 달리할 수도 있고, R10은,
    이고, R11, R12및 R13은 수소 또는 탄소수 1~5의 알킬기이고, 이들은 동일하거나 달리할 수도 있음.]
  9. 제1항에 있어서, 상기 대전성향상제가 하기식(VII)으로 표시되는 알킬페놀착체를 포함하는 화상형성장치.
    [식중, M2는 3가의 금속 또는 붕소를 표시하고, X는 수소이온, 알칼리금속이온 (치환지방족 암모늄이온을 포함함), 지환족암모늄이온 또는 헤테로 환상암모늄이온을 표시함.]
  10. 제1항에 있어서, 상기 대전성향상제가 하기식(VIII)으로 표시되는 아연착체를 포함하는 화상형성장치.
    에서 선택되는 방향족옥시카르복실산의 잔기((r)은 알킬기 또는 할로겐원자를 표시하고, n은 0 또는 1~4의 정수를 표시함)를 표시하고, M은 수소, 알칼리 금속, NH4및 아민의 암모늄의 어느 하나를 표시함]
  11. 제1항에 있어서, 상기 대전성향상제가 하기식(IX)으로 표시되는 금속착체를 포함하는 화상형성장치.
    (식중, X는 수소원자, 저급알킬기, 저급알콕시기, 니트로기 또는 할로겐원자를 표시하고, n은 1또는 2, m은 1~3의 정수를 표시하고, X는 동일하거나 달리할 수도 있고, M은 크롬 또는 코발트원자를 표시하고, A+는 수소, 나트륨 또는 암모늄이온을 표시함.)
  12. 제1항에 있어서, 상기 대전성향상제가 하기식(X)으로 표시되는 금속착체를 포함하는 화상형성장치.
    (식중, X는 니트로기, 술폰아미드기, 또는 할로겐원자, Y는 할로겐원자 또는 니트로기를 표시하고 (여기서, X와 Y가 모두 니트로기의 것은 제외함), M은 크롬 또는 코발트원자를 표시함)
  13. 제1항에 있어서, 상기 대전성향상제가 강유전성물질을 포함하는 화상형성장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 대전성향상제가 등가일함수가 4.10이상인 고분자물질을 포함하는 화상형성장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 대전성향상제가 일렉트레트(electret) 형성능을 갖는 고분자물질을 포함하는 화상형성장치.
  16. 투명 또는 반투명기체, 투명 또는 반투명의 도전층 및 광도전층을 적층하여 이루어진 감광체와, 그 감광체의 광도전층측에 배치된 캐리어와 토너로서 되는 현상제와 상기 감광체의 투명 또는 반투명기체측에서 상기 현상제와 대향하는 위치에 설치되고 화상노광을 행하는 화상노광수단으로서 이루어지고, 상기 현상제에 의해 감광체의 대전을 행함과 거의 동시에 노광 및 현상을 행하는 화상현상장치에 사용되는 전자사진감광체로서, 상기 감광체가 감광체의 표면전위(Vs)의 절대치가 현상바이어스(Vb)의 절대치에 가까워지거나, 현상바이어스(Vb)의 절대치보다 크게되도록 감광체에 부가포텐샬 전위(Vf)를 부여하는 수단을 구비하되, 감광체에 부가포텐샬 전위(Vf)를 부여하는 수단이 감광체내부에 함유된, 감광체에 부가포텐샬 전위(Vf)를 부여하는 물질(이하, 대전성향상제라고 함)이거나, 감광체표면에 피복된 대전성향상제이거나, 또는 감광체표면에 도포된 대전성향상제인 것을 특징으로 하는 전자사진감광체.
  17. 제16항에 있어서, 전자사진감광체표면을 똑같이 대전시키기 위한 전압인가 대전수단과, 화상패턴에 따라서 상기 감광체상에 정전잠상을 형성하기 위한 노광수단과, 상기 정전잠상을 토너화상에 현상하기 위한 현상수단과, 상기 토너화상을 기록지에 전사하기 위한 전사수단을 포함하고, 상기 대전수단이 접촉대전법을 사용한 전자사진기록장치에 사용하는 전자사진감광체.
  18. 제16항에 있어서, 감광체가 도전성지지체상에 감광층과 그 위의 절연층으로서 되고, 상기 대전성향상제를 상기 절연층에 갖는 전자사진감광체.
  19. 제16항에 있어서, 감광체가 도전성지지체상에 감광층과 그위의 절연층으로서 되고, 상기 대전성향상제의 피복을 상기 절연층의 위에 갖는 전자사진감광체.
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