KR0169119B1 - 자계 전환 회로 - Google Patents

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KR0169119B1
KR0169119B1 KR1019900701523A KR900701523A KR0169119B1 KR 0169119 B1 KR0169119 B1 KR 0169119B1 KR 1019900701523 A KR1019900701523 A KR 1019900701523A KR 900701523 A KR900701523 A KR 900701523A KR 0169119 B1 KR0169119 B1 KR 0169119B1
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KR
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controllable switch
capacitor
circuit
diode
magnetic field
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KR1019900701523A
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KR900702522A (ko
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프리트헬름 쭈커
크리스챤 뷔힐러
Original Assignee
롤프-디이터 베르거
도이체 톰손-브란트 게엠베하
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    • H03K17/662—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to both load terminals each output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor

Abstract

내용 없음.

Description

자계 전환 회로
본 발명은 자계 전환 회로에 관한 것이다.
이러한 회로는 예컨대, 자기 광학 기록 및 재생장치에서 자기 광학 기록매체의 자기층내의 자화방향을 전환하기 위해 사용된다.
자기 광학 기록매체로는 예컨대 자기 광학 디스크가 공지되어 있으며, 자기 광학 디스크의 경우 광 투과층 다음에 자기 광학 층이 놓이고, 이 자기 광학 층에 데이터가 기록되며 이 자기 광학 층으로부터 데이터가 판독된다. 자기 광학 디스크에 데이터가 기록되는 방법을 설명하면 다음과 같다.
디스크상에 포커싱되는 레이저 빔에 의해 자기 광학 층이 퀴리온도 근처의 온도로 가열된다. 그러나, 대개 자기 광학 층은 대략 퀴리온도 이하의 보상온도까지만 가열되면 충분하다. 디스크상의 초점 뒤에는 전자석이 설치되어 있으며, 상기 전자석은 레이저 빔에 의해 가열되는 부분을 하나의 또는 다른 자화방향으로 자화시킨다. 레이저 빔의 차단후 가열된 장소를 다시 보상온도 이하로 냉각시키기 때문에 전자석에 의해 정해진 자화방향이 유지된다. 즉, 자화방향이 동결된다. 이러한 방법으로 각 비트가 상이한 자화방향의 영역에 기억된다. 예컨대, 한 영역의 한 자화방향은 논리 1을 나타내는 반면, 반대 자화방향은 논리 0을 나타낸다.
데이터의 판독에는 커효과(Kerr effect)를 이용한다. 선형으로 편광된 광빔의 편광면은 자화된 거울에 반사시 측정 가능한 각만큼 회전된다. 거울이 어떤 방향으로 자화되어 있느냐에 따라 반사된 광빔이 편광면이 오른쪽으로 또는 왼쪽으로 회전된다. 디스크상의 각 영역이 자화된 거울과 같이 작용하기 때문에, 스캐닝하는 광빔의 편광면이 스캐닝되는 영역의 자화방향에 따라 측정 가능한 각만큼 왼쪽 또는 오른쪽으로 회전된다.
디스크에 의해 반사되는 광빔의 편광면의 회전으로부터, 광학 스캐닝 장치는 어떤 비트인지를, 즉 논리 1인지 또는 논리 0인지를 안다.
자기 광학 층을 하나의 또는 다른 방향으로 자화시키는 공지된 방법은 자기 광학 디스크뒤에 전자석으로 작용하는, 코일을 가진 회로를 설치하는 것이다. 상기 코일은 광학 스캐닝 장치가 스위프하는 전체영역의 자화방향을 전환할 수 있는 치수로 설계되어야 한다. 상기 영역은 기록 및 재생장치의 타입에 따라 디스크 가장자리로부터 디스크중심으로 형성된 예컨대, 방사상 또는 원호형 스트립이다. 스트립의 자화방향을 전환하기 위해, 전체 스트립상에서 자계강도가 최소값을 가져야 하기 때문에 코일의 횡단면 및 인덕턴스가 비교적 커야 한다.
또 다른 공지된 방법에서는 코일이 광학 스캐닝 장치상에 고정된다. 상기 코일은 예컨대, 광학 스캐닝 장치의 대물렌즈 둘레에 감겨질 수 있다. 이 방법의 경우 코일은 광학 스캐닝 장치와 함께 트래킹 제어회로에 의해 자기 광학 디스크상의 데이터 트랙을 따라 이동되므로, 방사상 또는 원호형 스트립의 자화방향을 전환하는 것이 아니라 자기 광학 층의 중심점인 거의 점 형태의 레이저 점을 가진 보다 작은 예컨대, 원형 영역만의 자화방향을 전환시키면 되므로 동일한 최소 자계 강도를 발생시키는데 보다 작은 횡단면 및 인덕턴스가 필요하다.
본 발명의 목적은 자계의 전환이 확실하고 신속하게 이루어지도록 하는 코일을 가진 회로를 형성하는데 있다.
상기 목적은 본 발명에 따라 반대 극성을 가진 제 1 및 제 2 다이오드로 된 직렬회로가 하나의 코일 및 하나의 캐패시터로 된 발진회로와 병렬로 접속되고, 제 1 다이오드는 제 1 제어 가능한 스위치에 의해, 그리고 제 2 다이오드는 제 2 제어 가능한 스위치에 의해 브리지되며 캐패시터의 충·방전시마다 발진회로에 에너지가 공급됨으로서 달성된다.
본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참고로 설명하면 다음과 같다.
제1 내지 9도는 여러 스위칭 상태에서의 본 발명의 제 1 실시예를 나타낸 도면.
제10도는 제 1 실시예에 대한 제어 가능한 스위치의 스위칭 상태와 전류 및 전압 파형을 시간에 따라 나타낸 다이어그램.
제11도는 본 발명의 제 2 실시예를 나타낸 도면.
제12도는 제 2 실시예에 대한 제어 가능한 스위치의 스위칭 상태와 전류 및 전압 파형을 시간에 따라 나타낸 다이어그램.
제13도는 제어 가능한 스위치를 제어하기 위한 제어회로의 제 1 실시예를 나타낸 도면.
제14도는 제어 가능한 스위치의 제어신호 및 전류 및 전압 파형을 시간에 따라 나타낸 다이어그램.
제15도는 제어 가능한 스위치를 제어하기 위한 제어회로의 제 2 실시예를 나타낸 도면.
제16도는 제어 가능한 스위치의 제어신호와 전류 및 전압 파형을 시간에 따라 나타낸 다이어그램.
제17도는 본 발명의 제 3 실시예를 나타낸 도면.
먼저, 제1도 내지 9도를 참고로 본 발명의 제 1 실시예를 설명한다.
제1도에서, 2개의 서로 반대 극성을 가진 2개의 다이오드 D1 및 D2로 구성된 직렬회로가 하나의 코일 L 및 캐패시터 C로 구성된 발진회로와 병렬로 접속된다. 다이오드 D1는 제어 가능한 스위치 S1에 의해, 그리고 다이오드 D2는 제어 가능한 스위치 S2에 의해 브리지된다. 발진회로의 한 접점 A는 저항 R1 및 제어 가능한 스위치 S3로 구성된 직렬회로를 통해 직류 전압원 +U의 한 극에 접속되며, 상기 직류 전압원 +U의 다른 극은 2개의 다이오드 D1 및 D2의 공통 접속점에 접속된다. 발진회로의 다른 접점 B는 저항 R2 및 제어 가능한 스위치 S4로 된 직렬회로를 통해 전압원 +U의 한 극에 접속된다.
제어회로 S의 출력 A1 내지 A4는 제어 가능한 스위치 S1 내지 S4의 제어 입력과 접속되어, 제1도 내지 10도를 참고로 하기에 설명되는 바와 같이 주기적인 순서로 제어 가능한 스위치 S1 내지 S4를 개폐시킨다. 보다 명확히 나타내기 위해, 제2도 내지 9도에서는 제어회로 S를 생략했다.
제1도에서, 제어 가능한 스위치 S1 및 S2는 폐쇄되어 있는 반면 제어 가능한 스위치 S3 및 S4는 개방되어 있다. 편의상 그리고 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위해 자기 에너지가 이미 공급되어 있는 코일 L은 무손실 인덕턴스라고 가정하자. 그러면, 전류 I는 코일 L 및 2개의 제어 가능한 스위치 S1 및 S2로 형성된 회로에서 도시된 화살표 방향으로 흐른다. 전압원 +U의 작용에 의해 제어 가능한 스위치 S3 및 S4 그리고 저항 R1 및 R2에 후에 전류가 공급된다.
자계의 방향을 전환하기 위해, 제어회로 S는 제어 가능한 스위치 S1를 개방시킨다. 이제 코일 L과 제어 가능한 스위치 S1 및 S2를 통해 흐르는 전류가 차단되기 때문에, 전류 I는 단지 캐패시터 C만을 통해 흐르므로 캐패시터(C)는 제2도에 도시되어 있는 바와 같이 충전된다. 충전 과정동안 코일을 통과하는 전류 I는 0이 될 때까지 강하하는 반면, 캐패시터 C에서의 전압 UC은 최대가 된다. 이러한 상태는 제3도에 도시되어 있다. 이때, 캐패시터 C가 방전을 시작하기 때문에 전류 I는 코일 L을 통해 제4도에 화살표로 표시된 바와 같이, 반대방향으로 흐른다. 그러나, 캐패시터 C에서의 전압 UC이 0으로 강하되면 즉시, 다이오드 D1가 도통되기 시작한다. 그러면, 전류 I가 코일 L을 통해 동일한 방향으로 흐르기는 하지만 캐패시터 C를 통해 흐르는 것이 아니라 제어 가능한 스위치 S2 및 다이오드 D1를 통해 흐른다. 이러한 상태는 제5도에 도시되어 있다.
제6도에서, 제어회로 S는 제어 가능한 스위치 S2를 개방시키는 반면 동시에 제어 가능한 스위치 S1를 폐쇄시킨다. 따라서, 캐패시터는 캐패시터 C에서의 전압 UC이 최대 음의 값을 가질 때까지 반대로 충전된다. 이때, 제7도에 도시되어 있는 바와 같이, 코일 L을 통과하는 전류 I는 0이 된다.
캐패시터 C가 다시 방전되기 때문에 코일 L을 통과하는 전류의 흐름이 역전된다. 이러한 상태는 제8도에 도시되어 있다.
캐패시터 C에서의 전압 UC가 0이 되면, 즉시 다이오드 D2가 도통되기 시작한다. 제9도에 도시되어 있는 바와 같이, 전류 I는 코일 L, 제어 가능한 스위치 S1 및 다이오드 D2로 형성된 루프를 흐른다. 제어회로 S는 제어 가능한 스위치 S2를 폐쇄시킨다 ; 그러면 다시 제1도에 도시된 초기 상태가 된다.
그러나, 코일 L, 캐패시터 C, 2개의 다이오드 D1 및 D2, 그리고 2개의 제어 가능한 스위치 S1 및 S2가 무손실 부품이 아니고 저항손실을 가지는 부품이기 때문에 발진회로에 에너지가 공급되어야 한다. 따라서, 제어회로 S는 제어 가능한 스위치 S3를 폐쇄시키는 반면 제어 가능한 스위치 S1를 개방시킨다. 제2도에 도시되어 있는 바와 같이, 이러한 조치에 의해 발진회로가 전압원 +U에 접속된다. 마찬가지로 제어회로 S는 제어 가능한 스위치 S4를 폐쇄시키는 반면, 제어 가능한 스위치 S1를 폐쇄시키며 제어 가능한 스위치 S2를 개방시킨다. 마찬가지로, 발진회로는 전압원 +U에 접속된다. 이러한 스위칭 상태는 제6도에 나타나 있다.
제10도에는 코일 L을 통과하는 전류 I, 캐패시터 C에서의 전압 UC및 제어 가능한 스위치 S1 내지 S4의 스위칭 상태가 시간 t에 따라 도시되어 있다. 시점 t=0에서, 제어 가능한 스위치 S3 및 S4는 개방되는 반면, 제어 가능한 스위치 S1 및 S2는 폐쇄된다. 그러나, 다이오드 D2가 도통되기 때문에 제어 가능한 스위치 S2가 개방될 수도 있다.
전술한 바와 같이, 자계의 방향을 전환시키기 위하여 제어 가능한 스위치 S1이 개방되는 동시에 제어 가능한 스위치 S3가 폐쇄된다. 코일 L을 통과하는 전류 I는 강하하는 반면 동시에 캐패시터 C에서의 전압 UC이 상승한다. 코일 L을 통과하는 전류 I가 0이 되면 전압 UC은 그 최대값을 취한다. 이 시점 t1에서 제어 가능한 스위치 S3가 다시 개방된다 ; 제어 가능한 스위치 S2는 늦어도 시점 t1에서 폐쇄되어야 한다. 이제, 전류 I는 음이 되는 반면 동시에 전압 UC은 0으로 강하한다. 전류 I는 최대 음의 값을 가진다. 빨라도 이 시점 t2에서 제어 가능한 스위치 S1가 폐쇄될 수 있다. 시점 t3에서 제어회로 S는 제어 가능한 스위치 S2를 개방시키는 반면 동시에 제어 가능한 스위치 S4를 폐쇄시킨다. 전류 I는 0으로 강하한다 ; 동시에 캐패시터 C에서의 전압 UC은 음이 된다. 전류 I가 0이 되면 캐패시터 C에서의 전압 UC은 최대 음의 값을 취한다. 이 시점 t4에서 제어 가능한 스위치 S4는 다시 개방된다 ; 제어 가능한 스위치 S1는 늦어도 시점 t4에서 폐쇄되어야 한다. 전류 I는 최대 양의 값까지 상승하는 반면 동시에 전압 UC는 0으로 강하한다. 제어 가능한 스위치 S2는 이 시점 t5에서 폐쇄될 수 있다. 빗금친 부분에서는 스위치 S1 내지 S4의 상태가 임의로 될 수 있다. 저항 R1 및 R2은 발진회로를 통해 흐르는 전류를 제한한다.
제11도 및 제12도를 참고로 본 발명의 제 2 실시예를 설명하면 다음과 같다.
제11도에 도시된 제 2 실시예는 에너지가 공급되는 방법에 있어서 제 1 실시예와 다르다. 발진회로, 다이오드 D1 및 D2 그리고 제어 가능한 스위치 S1 및 S2로 된 병렬회로는 제 1 실시예에서와 똑같이 구성된다. 그러나, 발진회로의 접점 A는 다이오드 D3의 한 전극과 접속되고, 상기 다이오드 D3의 다른 전극은 제어 가능한 스위치 S3를 통해 전압원-U의 한 극과 접속되며 인덕턴스 L2 및 저항 R1으로 구성된 직렬회로를 통해 전압원 -U의 다른 극과 접속된다. 동일한 방법으로 발진회로의 다른 접점 B는 다이오드 D4의 한 전극과 접속되고, 상기 다이오드 D4의 다른 전극은 제어 가능한 스위치 S4를 통해 전압원 -U의 한 극과 접속되며 인덕턴스 L3 및 저항 R2로 구성된 직렬회로를 통해 전압원 -U의 다른 극과 접속된다.
제12도에는 코일 L을 통과하는 전류 I, 캐패시터 C에서의 전압 UC및 제어 가능한 스위치 S1 내지 S4의 상태가 시간 t에 따라 도시되어 있다.
전류파형 및 전압파형 그리고 제어 가능한 스위치 S1 및 S2의 상태는 제10도의 것과 동일하다. 에너지 공급은 전압원의 전압이 직접 인가됨으로써 이루어지는 것이 아니라 유도전압의 인가에 의해 이루어진다. 따라서, 제어 가능한 스위치 S3 및 S4는 캐패시터 C가 양 또는 음으로 충전될 때마다 단시간 동안 개방된다. 다이오드 D3 및 D4는, 제어 가능한 스위치 S3 및 S4의 폐쇄시 전류가 인덕턴스 L2 및 L3를 통해 흐르며 발진회로에 흐르지 않도록 극성을 가진다.
제12도에서 제어 가능한 스위치 S3는 시점 t1에서 개방되는 반면 캐패시터 C는 양으로 충전된다. 제어 가능한 스위치 S3의 개방에 의해 인덕턴스 L2에 유도전압이 발생되어 캐패시터 C에 공급된다. 빨라도 UC가 최대가 되고 I가 0이 되는 시점 t2에서 제어 가능한 스위치 S2가 다시 폐쇄된다. 시점 t3에서 제어 가능한 스위치 S4가 개방되는 반면 캐패시터 C는 음으로 충전된다. 인덕턴스 L3에서 발생하는 유도전압은 발진회로내의 에너지 손실을 보상한다. 빨라도 시점 t4에서 제어 가능한 스위치 S4가 다시 폐쇄되는 반면 전압 UC은 최대 음의 값을 가진다. 빗금친 부분에서는 제어 가능한 스위치 S1 내지 S4의 상태가 임의로 될 수 있다. 저항 R1 및 R2는 제 1 실시예에서와 같이 전류 제한기로서 작용한다. 제 1 실시예에 비해 제 2 실시예는, 발진회로의 에너지 손실을 보상하기 위한 높은 전압이 전압원에 의해 발생되는 것이 아니라 간단한 방식으로 하나의 인덕턴스에서 발생된다는 장점을 가진다. 따라서, 제 2 실시예에서의 공급전압 -U은 제 1 실시예에서의 공급전압 +U보다 적어도 10재 더 낮게 선택될 수 있다.
제17도에 도시된 본 발명의 제 3 실시예는 2개의 또 다른 다이오드 D5 및 D6가 설치되어 있다는 것이 제11도에 도시된 제 2 실시예와 다르다. 다이오드 D5는 다이오드 D3와 반대의 극성을 가지며 다이오드 D3와 인덕턴스 L2의 공통 접속점과 제어 가능한 스위치 S3 사이에 접속된다. 다이오드 D6는 다이오드 D4와 반대 극성을 가지며 다이오드 D4와 인덕턴스 L3의 공통 접속점과 제어 가능한 스위치 S4 사이에 접속된다.
제어 가능한 스위치 S3 및 S4가 트랜지스터로 설치되면, 다이오드 D5 및 인덕턴스 L2의 예에서 설명되어지는 바와 같이, 다이오드 D5 및 D6는 인덕턴스 L2 및 L3내의 기생용량을 신속히 방전시킨다.
제어 가능한 스위치 S3이 폐쇄되면 즉, 그것을 위해 설치된 트랜지스터가 도통되면, 전압 -U이 인덕턴스 L2에 인가되는 반면 전류를 인덕턴스 L2를 통해 선형으로 증가한다. 제어 가능한 스위치 S3가 개방되면 즉, 트랜지스터가 차단되면, 유도전압으로 인해 다이오드 D3 및 D5와 접속되어 있는 인덕턴스 L2의 한 접점에서의 전위가 최대값으로 급상승하는 반면 인덕턴스 L2를 통과하는 전류는 0으로 강하한다. 그러나, 그 다음 인덕턴스 L2의 한 접점에서의 전위가 다시 강하한다. 0의 값으로 떨어지면, 전류는 최소값을 가진다. 전위가 더 강하하는 반면 동시에 전류는 인덕턴스 L2를 통해 최소값으로 부터 다시 0의 값으로 상승한다. 다이오드 D5가 없으면, 제어 가능한 스위치로 사용되는 트랜지스터의 다이오드가 도통되기 때문에 전압원 -U의 음극에 대해 음으로 될 수 없다. 따라서, 다이오드 D5가 없으면 인덕턴스 L2의 기생용량이 서서히 방전된다. 그 결과, 제어 가능한 스위치 S3가 다시 폐쇄될 때도 여전히 기생용량이 완전히 방전되지 않고 인덕턴스 L2에 여전히 전류가 흐른다. 이러한 단점을 없애기 위해 다이오드 D5가 설치되며, 그러면 상기 다이오드 D5가 전압원 -U의 음극에 대해 인덕턴스 L2의 한 접점을 차단하기 때문에 상기 접점에서의 전위가 전압원 -U의 음극에 대해 음이 될 수 있다. 이로 인해, 인덕턴스 L2의 기생용량이 보다 신속히 방전되고, 그 결과 인덕턴스 L2에 보다 신속히 전류가 흐르지 않는다.
인덕턴스 L2의 적당한 치수 설정에 의해 그리고 제어 가능한 스위치 S3의 접속시점을 유리하게 선택함으로써, 제어 가능한 스위치 S3의 접속시 인덕턴스 L2내의 잔류 전류가 전압원 -U에 의해 발생되는 전류와 동일한 방향으로 흐르게 할 수 있다. 상기 잔류 전류로 인해 인덕턴스 L2내의 전류가 제어 가능한 스위치 S3의 접속시점에서 인덕턴스 L2에 전류가 흐르지 않을 때보다 신속히 최대값으로 상승한다.
전술한 바와 같이 본 발명을 자기 광학 기록매체의 자기층의 자화방향을 전환하는데 적합하다.
자기 광학 CD에서 데이터는 8 대 14 변조코드 즉, EFM 코드에 따라 기록된다.
제13도에는 예컨대, 기록되어야 할 데이터가 공급되는, 제어 가능한 스위치 S1 내지 S4를 제어하기 위한 제어회로의 제 1 실시예가 도시되어 있다.
클록 발생기 G의 클록 T 및, 예컨대 CD-플레이어에서 EFM 신호일 수 있는 디지털 신호 DS가 시프트 레지스터 SR에 공급된다. 디지털 신호 DS가 출력되는 시프트 레지스터 SR의 제 1 출력 T1은 NAND 게이트 N1 및 N2의 비반전입력 그리고 NAND 게이트 N3 및 N4의 반전입력과 접속된다. 하나의 클록만큼 지연된 디지털 신호 DS1가 출력되는 시프트 레지스터 SR의 제 2 출력 T2은 NAND 게이트 N1의 반전입력 및 NAND 게이트 N4의 비반전입력과 접속된다. 2개의 클록만큼 지연된 디지털 신호 DS2가 출력되는 시프트 레지스터 SR의 제 3 출력 T3은 NAND 게이트 N2의 반전입력 및 NAND 게이트 N3의 비반전입력과 접속된다. NAND 게이트 N1의 출력에서는 제어 가능한 스위치 S3에 대한 제어신호가, NAND 게이트 N2의 출력에서는 제어 가능한 스위치 S2에 대한 제어신호가, NAND 게이트 N3의 출력에서는 제어 가능한 스위치 S1에 대한 제어신호가 그리고 NAND 게이트 N4의 출력에서는 제어 가능한 스위치 S4에 대한 제어신호가 출력될 수 있다.
제14도에는 디지털 신호 DS, 하나의 클록만큼 지연된 디지털 신호 DS1, 2개의 클록만큼 지연된 디지털 신호 DS2, 코일 L을 통과하는 전류 I, 캐패시터 C에서의 전압 UC및 스위치 S1 내지 S4에 대한 제어신호가 시간 t에 따라 도시되어 있다. 디지털 신호는 예컨대, EFM 코드에 따라 형성된 데이터 신호일 수 있다.
제15도에는 제어 가능한 스위치 S1 내지 S4를 제어하기 위한 제어회로의 제 2 실시예가 도시되어 있다.
데이터 신호 DS는 마찬자기로 시프트 레지스터 SR에 공급되며 클록 발생기 G에 의해 발생된 클록 T에 의해 동기된다. 하나의 클록만큼 지연된 데이터 신호 DS1를 출력하는 시프트 레지스터 SR의 출력 T1은 NAND 게이트 N1의 반전입력 및 NAND 게이트 N4의 비반전입력과 접속된다. 2개의 클록만큼 지연된 데이터 신호 DS2를 공급하는 시프트 레지스터 SR의 출력 T2은 NAND 게이트 N1의 비반전입력 및 NAND 게이트 N4의 반전입력과 접속된다. 4개의 클록만큼 지연된 데이터 신호 DS4를 출력하는 출력 T4은 NAND 게이트 N2의 반전입력 및 NAND 게이트 N3의 반전입력과 접속된다. 5개의 클록만큼 지연된 데이터 신호 DS5를 출력하는 출력 T5은 NAND 게이트 N2의 비반전입력 및 NAND 게이트 N5의 반전입력과 접속된다. 6개의 클록만큼 지연된 데이터 신호 DS6를 출력하는 출력 T6은 NAND 게이트 N3의 비반전입력 및 NAND 게이트 N6의 반전입력과 접속된다. NAND 게이트 N1의 출력은 RS 플립플롭 FF1의 세트 입력과 접속되며 NAND 게이트 N2의 출력은 RS 플립플롭 FF1의 리세트 입력과 접속된다. RS 플립플롭 FF1의 Q 출력에서 제어 가능한 스위치 S3에 대한 제어신호가 출력될 수 있다. NAND 게이트 N4의 출력은 RS 플립플롭 FF2의 세트 입력과 접속되며 NAND 게이트 N5의 출력은 RS 플립플롭 FF2의 리세트 입력과 접속된다. RS 플립플롭 FF2의 Q 출력에서 제어 가능한 스위치 S4에 대한 제어신호가 출력될 수 있다. NAND 게이트 N3의 출력은 제어 가능한 스위치 S1에 대한 제어신호를 공급하는 반면 NAND 게이트 N6의 출력은 제어 가능한 스위치 S2에 대한 제어신호를 공급한다. 플립플롭이 상승구간에서 작용하는 경우에는 NAND 게이트 대신에 예컨대, AND 게이트가 사용될 수 있다.
제16도에는 클록 T, 데이터 신호 DS, 시프트 레지스터 SR의 출력 T1, T2, T4, T5 및 T6에서의 신호 DS1-DS5, NAND 게이트 N1의 출력에서의 신호 SN1, NAND 게이트 N2에서의 신호 SN2, NAND 게이트 N4의 출력에서의 신호 SN4, NAND 게이트 N5의 출력에서의 신호 SN5, 제어 가능한 스위치 S1-S4를 제어하기 위한 신호 S1-S4, 인덕턴스 L2를 통과하는 전류 I2, 인덕턴스 L3를 통과하는 전류 I3, 코일 L을 통과하는 전류 I 및 전압 UC이 시간 t에 따라 도시되어 있다. NAND 게이트 및 플립플롭의 작용은 당업자에게 공지되어 있기 때문에, 제16도에 도시된 펄스 다이어그램에 대한 설명은 생략한다.
본 발명은 자기 광학 기록 및 재생장치에서 데이터가 기록되는 자기 광학 디스크에 직접 새로운 데이터를 기록할 수 있다는 장점을 제공한다. 이에 반해, 공지된 자기 광학 기록 및 재생장치에서는 새로운 데이터를 기록하기 전에 먼저 예전에 기록된 데이터를 소거한다.
상기 목적을 위해 자기 광학층의 새로운 데이터가 기록되어야 할 부분이 레이저에 의해 보상온도로 가열된다. 이로 인해 상기 부분이 하나의 방향으로 자화된다. 상기 과정을 전문용어로 표현하면, 디스크가 초기화된다고 한다. 그 다음 코일에 발생된 자계의 방향이 다시 전환된다.
새로운 데이터를 기록하기 위한 레이저 출력은 기록되어야 할 비트에 따라 작은 값 및 큰 값에 접속된다. 전에 소거된 부분에 예컨대, 논리 0이 기록되어야 하면 레이저는 작은 출력으로 동작하며 그 결과 보상온도에 도달되지 않는다. 이에 반해 논리 1을 기록하기 위해서는 레이저가 새로이 기록되어야 할 부분을 보상온도로 가열함으로써 상기 부분의 자화방향이 코일에 의해 전환될 수 있다. 이러한 방식으로 자기 광학 디스크상의 데이터가 새로운 데이터를 기록하기 전에 소거된다.
본 발명의 자기광학장치뿐만 아니라 다른 자기기록장치에도 적합하다.

Claims (9)

  1. 서로 반대 극성을 가진 제 1 다이오드 및 제 2 다이오드(D1, D2)로 구성된 직렬회로가 코일(L) 및 캐패시터(C)로 구성된 발진회로와 병렬로 접속되고, 제 1 다이오드(D1)는 제 1 제어 가능한 스위치(S1)에 의해 그리고 제 2 다이오드(D2)는 제 2 제어 가능한 스위치(S2)에 의해 브리지되며, 캐패시터(C)의 충·방전시 상기 발진회로에 에너지가 공급되는 것을 특징으로 하는 자계 전환 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 에너지는 직류 전압원에 의해 발진회로에 공급되는 것을 특징으로 하는 자계 전환 회로.
  3. 제2항에 있어서, 자계의 방향을 전환시키기 위하여 제 1 제어 가능한 스위치(S1)가 개방되고, 제 2 제어 가능한 스위치(S2)는 늦어도 캐패시터(C)에서의 전압(UC)이 한 극치로 증가될 때 폐쇄되며, 제 1 제어 가능한 스위치(S1)는 빨라도 캐패시터에서의 전압(UC)이 한 극치로부터 다시 0으로 강하될 때 폐쇄되고, 자계의 새로운 전환을 위해 제 2 제어 가능한 스위치(S2)가 개방되지만 캐패시터(C)에서의 전압(UC)이 한 극치로부터 0으로 강하되기 전에는 개방되지 않으며, 제 1 제어 가능한 스위치(S1)는 늦어도 캐패시터(C)에서의 전압(UC)이 다른 극치로 증가될 때 폐쇄되고, 제 2 제어 가능한 스위치(S2)는 빨라도 캐패시터(C)에서의 전압(UC)이 다른 극치로부터 다시 0으로 강하될 때 폐쇄되는 것을 특징으로 하는 자계 전환 회로.
  4. 제3항에 있어서, 제어회로(S)가 제 1 및 제 2 제어 가능한 스위치(S1, S2)에서의 스위칭 과정을 주기적으로 반복하는 것을 특징으로 하는 자계 전환 회로.
  5. 제4항에 있어서, 발진회로의 한 접점(A)은 제 1 저항(R1) 및 제 3 제어 가능한 스위치(S3)로 구성된 직렬회로를 통해, 그리고 발진회로의 다른 접점(B)은 제 2 저항(R2) 및 제 4 제어 가능한 스위치(S4)로 구성된 직렬회로를 통해 전압원(+U)의 한 극에 접속되고, 상기 전압원(+U)의 다른 극은 2개의 다이오드(D1, D2)의 공통 접속점에 접속되며, 제 1 제어 가능한 스위치(S1)가 개방되는 반면 제 2 제어 가능한 스위치(S2)가 폐쇄될 때 제어회로(S)는 제 3 제어 가능한 스위치(S3)를 폐쇄시키고, 캐패시터(C)가 충전될 때 제어회로(S)는 다시 제 3 제어 가능한 스위치(S3)를 개방시키며, 제 2 제어 가능한 스위치(S2)가 개방되는 반면 제 1 제어 가능한 스위치(S1)가 폐쇄될 때 제어회로(S)는 제 4 제어 가능한 스위치(S4)를 폐쇄시키고, 캐패시터(C)가 충전될 때 제어회로(S)는 다시 제 4 제어 가능한 스위치(S4)를 개방시키는 것을 특징으로 하는 자계 전환 회로.
  6. 제4항에 있어서, 발진회로의 한 접점(A)은 제 3 다이오드(D3)의 한 전극과 접속되고, 제 3 다이오드(D3)의 다른 전극은 제 3 제어 가능한 스위치(S3)를 통해 전압원(-U)의 한 극에 그리고 제 2 인덕턴스(L2)를 통해 전압원(-U)의 다른 극에 접속되며, 발진회로의 다른 접점(B)은 제 4 다이오드(D4)의 한 전극과 접속되고, 제 4 다이오드(D4)의 다른 전극은 제 4 제어 가능한 스위치(S4)를 통해 전압원(-U)의 한 극에 그리고 제 3 인덕턴스(L3)를 통해 전압원(-U)의 다른 극에 접속되며, 제어회로(S)는 제 1 제어 가능한 스위치(S1)의 개방전 예정된 시간동안 제 3 제어 가능한 스위치(S3)를 폐쇄시키고 제 1 제어 가능한 스위치(S1)와 동시에 개방시키며, 제어회로(S)는 제 2 제어 가능한 스위치(S2)의 개방전 예정된 시간동안 제 4 제어 가능한 스위치(S4)를 폐쇄시키고 제 2 제어 가능한 스위치(S2)와 동시에 개방시키는 것을 특징으로 하는 자계 전환 회로.
  7. 제6항에 있어서, 캐패시터(C)와 제 2 인덕턴스(L2)의 공통 접속점과 제 3 제어 가능한 스위치(S3) 사이에 제 3 다이오드(D3)와 반대 극성을 가진 제 5 다이오드(D5)가 접속되고, 캐패시터(C)와 제 3 인덕턴스(L3)의 공통 접속점과 제 4 제어 가능한 스위치(S4) 사이에 제 4 다이오드(D4)와 반대 극성을 가진 제 6 다이오드(D6)가 접속되는 것을 특징으로 하는 자계 전환 회로.
  8. 제5항, 제6항 또는 제7항에 있어서, 클록 발생기(G)에 의해 클록 제어되는 디지털 신호(DS)가 시프트 레지스터(SR)의 입력에 인가되고 시프트 레지스터(SR)의 출력(T1, T2, T3, T4, T5, T6)에서의 신호(DS1, DS2, DS3, DS4, DS5)는 논리회로(N1, N2, N3, N4, N5, N6)에서 서로 연산되며 논리회로(N1, N2, N3, N4, N5, N6)의 출력에서 제어 가능한 스위치(S1, S2, S3, S4)에 대한 제어신호가 출력되는 것을 특징으로 하는 자계 전환 회로.
  9. 제8항에 있어서, 논리회로(N1, N2, N4, N5)의 4개의 출력은 2개의 RS 플립플롭(FF1, FF2)의 입력과 접속되고, 상기 RS 플립플롭의 출력에서 2개의 제어 가능한 스위치(S3, S4)에 대한 제어신호가 출력되는 것을 특징으로 하는 자계 전환 회로.
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