KR0127522B1

KR0127522B1 - 애퍼추어그릴의 제조방법

Info

Publication number: KR0127522B1
Application number: KR1019940017611A
Authority: KR
Inventors: 아키라 마키타; 오사무 나카무라; 다케시 이케가미; 야스히코 이시이
Original assignee: 기타지마 요시토시; 다이니뽄 인사쯔 가부시키가이샤
Priority date: 1993-07-21
Filing date: 1994-07-21
Publication date: 1997-12-29
Also published as: DE4425709A1; TW260799B; DE4425709C2; GB2281414A; JPH0737492A; GB2281414B; SG46666A1; US5585224A; KR950004339A; GB9414609D0

Abstract

본 발명은, CRT표시기 소자의 애퍼추어그릴의 제조방법이 발표된 것이다. 애퍼추어그릴은 20㎛ 내지 100㎛의 작은 두께이다. 단독 넓은 슬릿패턴으로서 전면 슬릿 패턴 마스크와 2개의 인접하고 좁은 슬릿패턴으로서 후면 슬릿 패턴 마스크가 전후 표면 수지층으로서 금속판에 공급된다. 반대편에 배치된 이들 2개의 마스크로, 그 슬릿패턴은 레지스트층에 인쇄되고 성장된다. 그후, 후면 레지스트층을 지나금속판의 후면위에 에칭이 수행되고, 후면의 구멍이 금속판에서 형성된다. 그리고, 가압과 애천트막이 후면의 구멍을 덮기 위해 후면 레지스트층에 붙여지고, 그 후, 그에 의해 전면 구멍을 형성하기 위해 전면 레지스트층을 지나 금속판의 전면에서 수행된다. 전면 에칭 공정으로, 전면 구멍은 후면 구멍들속으로 흐르는 에천트로 후면 구멍들과 연계가 일어나고, 전후 구멍들은 단독 관통 슬릿속에서 만들어진다. 그 후, 가압막이 제거된다. 그 방법은 치수의 정확한 슬릿을 쉽게 만들 수 있도록 한다.

Description

애퍼추어그릴의 제조방법

제1도는 본 발명의 제조방법에 따른 금속판의 단면도,

제2도는 상기 금속판의 양면에 수지층을 덮은 단면도,

제3도는 수지층에 슬릿(silt)패턴 마스크가 형성되고 인쇄되는 단계를 나타낸 단면도,

제4도는 슬릿패턴 인쇄와 성장 후의 단계를 나타낸 단면도,

제5도는 후면에칭의 단계를 나타낸 단면도,

제6도는 내에천트막(etchant-proof film)을 공급하는 단계를 나타낸 단면도,

제7도는 전면에칭의 단계를 나타낸 단면도,

제8도는 제7도에서의 공정보다 더 진보한 단계를 나타낸 단면도,

제9도는 내에천트막의 제거 후 단계를 나타낸 단면도,

제10도는 그 내부에 관통슬릿을 형성하고 있는 금속판의 단면도이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

1 : 금속판2,3 : 수지층

4,5 : 마스크7,8,9 : 리세스(recess)

10 : 관통슬릿

[산업상의 이용분야]

본 발명은 텔레비젼의 샤도우 마스크의 제조방법에 관한 것으로, 특히 예컨대 트리니트론(Trinitron : 소니 주식회사의 상표) 음극선관(CRT)에 전형적으로 사용되는 20㎛에서 100㎛ 두께의 애퍼추어그릴(aperture grill)의 제조방법에 관한 것이다.

[종래의 기술 및 그 문제점]

최근, 컬러 텔레비젼 같은 CRT표시기 소자들은 크기가 커지고 있고, 그로 인해 이런 소자들에 사용되는 샤도우 마스크는 그만큼 커지게 되도록 요구되었다. 특히, 샤도우 마스크의 형태로 불리는 애퍼추어그릴은 수직의 슬릿을 갖추고, 마찬가지로 고정하는 방법이 원형의 열린 구멍 또는 슬릿의 다른 형태를 갖는 샤도우 마스크의 다른 형태의 고정하는 방법과 다르다. 그것은 애퍼추어그릴이 단단한 프레임의 응력 아래 고정되기 때문이다. 이런 이유로 애퍼추어그릴의 크기에 따라 프레임이 필수적으로 커져야 하고, 전형적인 두께의 애퍼추어그릴을 고정하기 위해 필요한 응력에 저항하기 위해 요구된다. 결과적으로, 프레임의 중량은 현저하게 증가된다. 프레임 중량의 증가에 대처하기 위해 애퍼추어그릴의 중량은 줄여져야 하고, 애퍼추어그릴의 중량은 크기 증가의 보충을 위해 줄여질 것이다. 수직의 슬릿을 가지는 애퍼추어그릴을 포함하는 원형구멍 또는 슬릿을 갖는 전형적인 샤도우 마스크의 크기는 일반적으로 100㎛ 이상이었고, 그런 샤도우 마스크를 제조하기 위해 알려진 방법은 관통구멍을 통해 제조하기 위해 그의 반대면에 금속판의 에칭을 동시에 수행하는 것이다. 이 방법은 1단계 에칭법으로 불린다.

샤도우 마스크의 제조를 위한 다른 알려진 방법은 다음과 같다. 그것은, 금속판은 그 표면 전후 양면에 수지층이 형성되고, 그리고 패턴마스크는 수지층 양면에 형성된다. 전면의 패턴마스크는 하나의 광대한 슬릿패턴을 가졌고, 후면의 패턴마스크는 두개의 인접한 좁은 슬릿패턴을 가졌다. 그 후에, 전후 패턴마스크는 빛에 노출되는 것에 의해 전후 레지스트층에 각각 인쇄되고, 그리고 인쇄된 전후 패턴 레지스트층에 성장이 만들어진다.

하프(half)에칭은 기판의 후면에 인접한 좁은 후면 리세스(recess)를 형성하기 위해 성장한 후면 레지스트층을 통해 금속판의 후면위에서 수행되고, 그때 내에천트막 수지는 후면 리세스와 금속판의 후면 수지층 넘어 채워지며, 금속판에서 제조되는 관통구멍에 의해 하프에칭된 후면 리세스에 이르기 위한 전면 리세스를 일으키기 위해 성장된 전면 레지스트층을 통하는 금속판의 전면에 광대한 전면 리세스가 에칭된다. 이 방법은 2단계 에칭법이고, 1986년 6월 18일에 발표된 일본국 특허출원 공개 제61-130,492호에 설명되어 있다.

1993년 2월 5일에 일본국 특허출원 공개 제5-28912호에 광대한 슬릿패턴을 갖는 전면 패턴마스커와 2개의 좁은 슬릿패턴을 갖는 후면 패턴마스크를 사용하는 보다 나은 방법이 공개되었다. 이 방법은 에칭된 구석의 대각단면의 모양을 제어함이 목적이고, 그러므로 관통구멍 또는 슬릿의 대각단면이 마침내 얻어진다.

샤도우 마스크의 제조를 위한 다른 방법은 1993년 1월 22일에 일본국 특허출원 공개 제5-12,996호에서 공개된다. 이 방법에서, 금속판이 그 전후면위에 레지스트층으로 형성된 후, 그처럼 후면 레지스트층이 유지되고 백업 수지 시트에 의해 백업되는 동안, 패턴 슬릿 마스크는 단지 전면에 형성되고, 빛의 노출에 의해 마찬가지로 인쇄된다. 에칭은 금속판에서 전면 리세스를 제조하기 위해 성장되고 인쇄된 전면 레지스트층을 통해 금속판의 단지 전면위에서 수행된다. 후면 레지스트층이 백업 수지시트와 함께 벗겨질 때 금속판에 만들어진 관통구멍에 의해 전면 리세스는 후면 레지스트층에 도달한다.

상술한 알려진 방법은 100㎛ 이상의 전형적인 두께의 샤도우 마스크에 대한 것이고, 다음의 이유로 20㎛에서 100㎛까지 두께의 얇은 샤도우 마스크로 사용될 수 없다.

샤도우 마스크는 그것의 치수의 정밀도뿐만 아니라 형성될 관통구멍이 정밀한 모양을 갖기 위해 요구되었다. 그러나, 얇은 샤도우 마스크의 경우에 이들 요구를 유지하기 어렵다는 것이 고려된다. 수직슬릿을 갖는 애퍼추어그릴을 포함하는 어떤 형태의 샤도우 마스크는 컬러 텔레비젼과 같은 CRT 표시기로 사용되고, 음극선관 내부 전자빔의 스케닝을 제어하기 위한 함수를 갖는다. 어떤 형태의 샤도우 마스크는 전자빔을 선택하기 위한 마스크이고, 샤도우 마스크의 슬릿 또는 관통구멍들이 선택된 각의 빔 통과를 허용하기 위한 내부 측벽의 테이퍼와 예정된 모양을 갖기 위해 요구된다. 그러나, 엄격히 요구된 테이퍼링하는 형상의 테이퍼된 측벽을 갖는 통과구멍과 슬릿을 만드는 것은 어려웠다.

특히, 만약 전후방 에칭이 동시에 수행되는 상술된 1단계 에칭법이 20㎛에서 100㎛ 두께의 얇은 금속막에 대해 사용된다면 그 금속판은 내에천트막에서 분무하는 힘에 견딜 수 없고, 비뚤어지는 경향이 있어 그것의 평탄한 모양을 읽어 정밀낙차를 한다. 상술된 20㎛ 내지 100㎛ 두께의 얇은 금속판을 위한 2단계 에칭법을 사용하는 경우에 그 얇은 금속판은 수지를 채우는 동안 재형성되는 경향이 있어, 수지를 채우는 동작은 시간이 낭비되고, 번거롭다. 일본국 특허출원 공개 제5-12,996호에서 1단계 에칭법이 상기 주목한 얇은 금속판에 사용될 때, 두배 또는 세배 두께의 기판과 균등한 에칭량이 요구되며, 더이상 결과적으로 얻어진 테이퍼의 줄여진 각으로 슬릿 또는 관통구멍의 요구된 형상을 제작하는 것은 어렵다. 요구된 테이퍼 도를 확고하게 하기 위해 에칭량이 줄여진다면, 만들어진 관통 구멍 또는 슬릿의 측벽의 선형적인 각은 나빠져 구멍 또는 슬릿의 치수 정밀도는 떨어진다. 특히, 20㎛ 내지 100㎛ 이외의 두께의 애퍼추어그릴의 제작인 경우에 슬릿상은 슬릿의 관통의 순간에서 불안정하게 되어 치수의 정밀도는 현저하게 떨어져, 바라는 테이퍼 도는 거의 얻어질 수 없다. 치수의 정밀도가 떨어질 때, 애퍼추어그릴이 그의 슬릿을 통해 나타날 때 무형의 밝기가 발생되고, 불규칙한 복각이 그릴에서 형성되는 경향이 있다.

[발명의 목적]

본 발명은 상기한 점을 감안하여 발명된 것으로, 정확한 치수의 형상의 슬릿을 갖기 위해 제조될 수 있는 20㎛ 내지 100㎛ 두께의 얇은 금속판에 있어서 음극선관의 애퍼추어그릴의 제조방법을 제공함을 그 목적으로 한다.

[발명의 구성]

20㎛ 내지 100㎛ 두께의 금속판을 제공하는 단계와, 금속판의 전후면에 각각 전후 감광성 레지스트층을 공급하는 단계, 전후 레지스트층들에 각각 전후 슬릿 패턴마스크를 공급하는 단계, 전후 레지스터층들에 각각 전후 슬릿 패턴마스크를 인쇄하는 단계, 전후 레지스트층들에 인쇄된 슬릿 패턴을 성장하는 단계, 후면 리세스를 제조하기 위해 후면 레지스트층을 통해 적어도 금속판의 후면 표면을 하프에칭하는 단계, 금속판의 후면에 에칭된 리세스들이 덮혀지도록 후면 레지스트층에 처리에 따라 감소되는 접착성을 갖는 내에천트막을 부착하는 단계, 전면 리세스를 제조하기 위해 전면 레지스트층을 통해 금속판의 전면을 에칭하는 단계, 상기 전면의 에칭이 처리되는 것처럼 후면 리세스들과 연계하기 위해 전면 리세스를 야기시키는 단계, 전면 리세스가 후면 리세스와 연계되도록 야기될 때 상기 내에천트막에 의해 후면 리세스를 지나 흐르는 것으로부터 후면 리세스에서의 에천트를 방지하는 동안 후면 리세스내로 흐르도록 전면 리세스상에서 작용하는 에천트를 야기시키는 단계, 요구된 형상을 갖춘 관통슬릿을 제공하기 위해 전후 리세스 양쪽뿐만 아니라 전후 리세스들 사이의 경계영역의 에칭을 더 수행하는 단계, 접착성을 줄이기 위해 상기 에천트막을 상기 처리에 맡김으로써, 후면 레지스트층으로부터 그 막을 제거하는 단계 및, 금속판으로부터 전후 레지스트층을 제거하는 단계를 구비하는 이루어진 것을 특징으로 한다.

[실시예]

이하, 예시도면을 참조하며 본 발명에 따른 1실시예를 상세히 설명한다.

제1도는 20㎛에서 100㎛의 두께를 갖는 애퍼추어그릴을 만들기 위해 우선 준비되는 저카본 강철기판 같은 금속판(1)에 관계하는 도면이다. 제2도에서 나타낸 바와 같이, 막 건조된 전후 수지층(2,3)을 형성하기 위해 금속판(1)의 양 표면에 포토 감광성 금속이 형성되는 것이다. 상술한 도면에서 낮은 쪽은 전면이고, 높은 쪽은 후면층이다. 전면 패턴마스크(4)는 전면 레지스트층(2)의 전면상에 형성되고, 제3도에 나타낸 바와 같이 후면 레지스트층(3)의 후면층 위에 후면 패턴마스크(5)가 형성된다.

그후, 화살표 L에 의해 지시되는 것처럼 마스크(4,5)의 각각을 통해 포토 감광성 레지스트층(2,3)의 빛의 산출이 실행되었다. 전면 마스크(4)는 금속판(1)을 통해 형성되어질 슬릿의 폭과 같은 폭의 빛차단 패턴 슬릿(4a)을 갖는다. 후면 마스크(5)는 작은 폭의 두개의 인접한 빛차단 패턴 슬릿(5a)을 갖는다. 이 두개의 슬릿(5a)은 보이는 바와 같이, 같은 폭 사이에 패턴슬릿(4a) 반대편에 평행으로 배치된다. 빛 노출의 결과로 패턴슬릿 4a와 5a는 각각 수지층 2와 3 위에 인쇄된다. 상술하에서, 수지층(2,3)은 포토셋팅층처럼 보인다.

마스크 4와 5의 제거와 인쇄된 패턴 슬릿의 성장 후, 전면 수지층(2)은 제4도에 나타낸 바와 같이 두개의 평행판 슬릿(3a)을 갖기 위해 후면 수지층(3)이 생기는 동안 단독 슬릿(2a)을 갖기 위해 생긴다. 또한 제5도에 나타낸 바와 같이 후면에 화살표 E로 지시된 바와 같이 금속판(1)은 에칭을 필요로 한다. 결과적으로, 반현상된 후면 리세스(7)는 막 세척, 건조된 금속판(1)의 후면에 형성된다.

그후, 제6도에 나타낸 바와 같이 에천트막(8)은 리세스(7)를 닫기 위해 후면 수지층(3)의 후면에 형성된다. 그때, 금속판(1)이 기판(1)의 전면에 전면 리세스(9)와 형성되고, 그 리세스(9)는 증대되며, 리세스(7)에 마침내 도달하는 것에 의해 제7도에서 화살표 E로 지시되는 전면으로부터 에칭하기 위해 받는다. 에칭이 진보되고 전면 리세스(9)가 더 증가됨으로 관통슬릿(10)이 제8도에 나타낸 바와 같이 얻어진다. 제7도와 제8도에서 나타낸 상술한 전면 에칭 공정을 위해 이전 리세스(7)의 흐름없이 후면 리세스(7) 안으로 전면으로부터 흐르기 위한 에천트를 허용하기 위해 제공하는 층(3)의 후면에 에천트막(8)이 공급된다. 전면 리세스(9)가 증대되고, 후면 리세스(7)에 도달할 경우 전면 리세스(9)의 표면위에서 영향을 주었던 에천트는 후면층(7) 안으로 흐르기 시작하고, 그것은 그때 리세스(7) 뒤에 공급된 막(8) 때문에 흐르지 않는 에천트를 위한 저장소처럼 활동한다. 후면 리세스(7)와 슬릿(3a)은 그 안에 에천트를 보유하며, 그것은 전후 리세스(9,7) 사이에 안으로 내미는 한계영역(11)만큼 순환흐름과 후면 리세스(7)의 에칭하는 것을 조장하게 한다. 한계영역(11)의 에칭은 관통슬릿(10)을 형성하기 위한 것처럼 내미는 영역(11)이 곧 사라지게 하기 위해 빠르게 수행된다(제8도). 관통슬릿(10)의 형성은 전면 리세스(9)의 에칭의 진행과 함께 수행된다. 이들 리세스의 폭이 증가되기 위해 이들 리세스의 측면 에칭에 의해 그런 전후 리세스의 에칭이 동시의 진행은 수행된다. 전후 리세스의 에칭이 동시의 진행들 때문에 모양과 지금부터 관통슬릿(10)의 내부의 테이퍼는 인접한 슬릿(5a) 사이에 간격과 패턴마스크의 슬릿(4a,5a)의 폭 선택에 의해 적당히 조절된다. 후면의 하프에칭의 제어에 어려움의 결과로 단독 전면 패턴 슬릿(4a)에 관계한 단지 하나의 후면 패턴 슬릿(5a)의 이용이 알려져 있고, 때론 바람직하지 않게 관통슬릿을 형성하는 완전에칭의 원인이 된다. 단독 폭에 관계한 2개 또는 그보다 더 인접한 후면 패턴슬릿(5a)의 이용이 확인되었고, 전면 패턴 슬릿(4a)은 테이퍼링하는 측벽과 잘 제어된 모양을 갖는 관통슬릿(10)을 만들기에 유리하다. 관통슬릿(10)이 180㎛ 이외의 후면 열린폭(더 작은 폭)을 갖을 때, 2개의 후면 패턴 슬릿(5a)이 요구된다. 제어된 테이퍼와 모양의 반대 측벽을 갖고 있는 관통슬릿(10)이 상술된 방법으로 만들어진 후, 제8도에서 나타낸 막(8)은 제9도에 도시한 바와 같은 형태로 되기 위해 벗겨진다. 그후, 전후 레지스트층(2,3)은 제10도에서 나타낸 것과 같이 관통 슬릿(10)을 갖는 금속판을 벗겨져 나가기 위해 이동된다. 오면과, 전면 벽 위치(10a), 볼록면, 후면 벽 위치(10b) 및, 이들 위치(10a,10b)이 부드럽게 서로 각기 연결된 것을 갖는 이렇게 얻어진 관통슬릿(11)이 얻어진다는 것이 주목될 것이다. 관통슬릿(10)이 더 큰 전면 개시와 더 작은 후면 개시를 갖고 있다는 것이 주목된다. 이전에 설명된 에천트막(8)은 포토 감광성 수지층(2,3)에 붙일만 하고, 강화능력을 갖는 내산막이다. 그 막(8)은 수지층에 관계있는 접착물(또는 접착제)을 갖고, 더우기, 접착물은 조건이 형성될 때 줄여지는 것의 하나임이 틀림없다. 예컨대, 그 처리는 열경화성처리와 열성형 처리, 자외선 광 조사, 가열, 냉각 등이다. 예컨대, 내에천트막은 자외선 조사에 의해 고칠 수 있는 에폭시수지처럼 수지로 만든 베이스막 위의 접착층과 폴리에스테르 수지의 베이스막으로 구성되는 막이다. 고칠 수 있는 UV(자외선) 고칠 수 있는 수지의 예는 일랩홀더(ELEPHOLDER) SM-3061(일본 니또 전기공업 주식회사)이고, 아르킬기 수지이다. 열성형 처리법이 사용될 때, 접착성 층은 그안에 분말 금속이 채워진 소형 캡슐을 포함하고 있다. 접착성 층이 가열될 때, 소형 캡슐은 층의 접착성이 줄여져 팽창되고 파열된다. 처리법으로 냉각이 사용될 때, 접착성 층은 열에 의존하여 변하는 결정정취를 갖는 결정성 금속으로 형성되어도 된다. 예컨대, 그런 접착성 층은 60℃에서 접착성을 가지고, 접착성은 25℃에서 꽤 줄어든다. 접착성 때문에 막(8)이 레지스트층(3)에 대해 눌려질 때 제6도에서 나타낸 것과 같이 막(8)이 후면 레지스트층(3)의 표면에 단단히 붙여진다. 그런 붙여진 막(8)은 방수의 후면 리세스(7)의 후면과 후면의 가압을 위해, 후면 리세스의 바깥 쪽의 부족으로 후면 리세스(7)에 에천트를 주는 것을 유지하기 위해 제공된다. 특히, 에칭공정처럼 리세스 7과 9는 증가되고, 이들 리세스의 영역에서 금속판(1)은 약하게 되고, 그 결과로 그 기판(1)의 평면 상태를 유지하기가 점점 더 어려워진다. 그 필름(8)은 기판의 평면 상태를 유지하기 때문에 그것을 뒤로 올리는 것에 의해 약해진 기판을 가압하기 위해 제공된다. 막(8)은 제8도에서 나타낸 바와 같이 관통슬릿(10)의 수행 후와 심지어 그동안 금속판을 가압하는 함수를 수행한다. 그러므로, 막(8)은 금속판(1)의 평면상태를 유지하는 불안정함에 기인하여 형성되는 슬릿의 치수의 정확을 떨어뜨리는 것과 같은 결함의 발생을 막는 이익을 제공하고, 흰색 또는 검은색 선과 불규칙한 밝기는 슬릿의 불규칙한 폭때문에 그의 슬릿을 통해 보여지는 애퍼추어그릴이 제조될때 지켜진다. 자외선 광조사에 의해 고쳐질 수 있는 접착성의 층을 갖는 가입막이 사용될 때, 제8도에 나타낸 바와 같이 접착된 상태에서 막은 간단한 자외선의 조사에 의해 쉽게 제거할 수 있다. 이 조사에 의해 막의 접착성 층은 고쳐지거나 또는 떨어진 접착성의 결과로 단련된다. 그러므로 막의 제거는 수행되었던 에칭 단계 후 쉽게 수행된다. 자외선 조사는 단순하고 쉬우며 그 제작된 개구구멍의 량에 어떤 영향을 일으키지 않는다. 그후, 전후 레지스트층의 벗겨짐이 나타난다. 50㎛ 두께의 저카본 강철 판(1)이 준비되었고, 카세인 레지스트 층들(2)이 기판의 전후표면에 형성된 후 건조된다. 기판의 전후면 위에 전면 패턴마스크(4)와 후면 패턴마스크(5)가 각각 형성된다. 그리고, 빛에 노출함과 더불어 성장이 수행되었다. 후면 패턴마스크(5)가 2개의 패턴 사이에 110㎛의 간격으로 20㎛의 폭의 2병렬의 좁은 슬릿 패턴(5a)을 갖는 동안 전면 패턴마스크(4)는 210㎛의 폭의 단독 넓은 슬릿 패턴(4a)을 갖춘다. 그런 슬릿 패턴(4a)과 슬릿 패턴(5a)은 형성된 관통슬릿(10)에 있는 기판(1)의 위치의 양면에 자리잡는다.

그리고, 기판의 후면은 후면 레지스트층(5)을 통해 분사 에칭동작으로 받는다. 에천트로서는 60℃의 온도와 46보오메 정도 비중의 제2 철 콜로라이드의 에천트액으로 사용되었다. 에칭은 거의 20㎛의 깊이에서 멈추었고, 세척과 건조가 수행되었다.

가압 에천트막은 그 안에 밀폐된 접촉으로 있는 후면 레지스트층(3)에 형성된다. 막은 50㎛ 두께의 폴리에스테르 수지막을 가졌고, 게다가 자외선 광에 의해 고칠 수 있는 접착성 층위에서 버틴다. 그후, 에칭은 전면 레지스트층(2)를 통해 기판(1)의 전면에서 수행되고, 상기 주목한 제2 철 콜로라이드 에칭액을 사용한다. 전면 에칭은 갖가지 시간 간격에서 멈춰진다. 세척과 건조후, 자외선 광은 보다 덜 접착성이 되기 위한 접착층을 고치기 위해 후면 수지층의 완전한 표면에 조사된다. 그후, 가압막(8)이 제거되고, 레지스트층(2,3)이 알칼라인 용액으로 제거된다. 세척과 건조 동작의 후, 관통슬릿(10)을 갖춘 개구구멍이 제작된다. 각각의 제작된 관통슬릿은 170㎛의 후면 슬릿폭과, 260㎛의 전면 슬릿폭 및, 거의 45㎛의 테이퍼 도를 갖추었다. 치수의 정확성과 희고 검은 선들의 발생 및, 그릴을 통해 보여질 때의 밝기에 관하여는 문제가 없다.

똑같은 조건하에서, 애퍼추어그릴을 만들기 위한 35㎛ 두께의 저카본 강철 기판위에 에칭이 또한 수행되고, 종래의 1단계 에칭법에 의해 제작된 애퍼추어그릴과 비교된다. 그 비교의 결과는 다음의 도표에서 보여진다.

[표]

표로부터 기록되어진 것처럼, 본 발명의 방법은 종래의 1단계 에칭법에 의해 얻어지는 것의 2배 이상의 테이퍼도를 갖는 것이 가능하게 하고, 경계는 같은 정도로 주어지게 제공된다. 더우기, 테이퍼 도와, 치수의 정확도 및, 경계는 실제 레벨에 있다.

여기서, 테퍼는 더 큰 슬릿과 더 작은 슬릿 폭 사이의 차이의 반값으로 정의되고, 치수의 정확도는 더 작은 슬릿 폭의 표준 편차로서 정의된다. Rz과 R_max의 값은 JIS(일본 공업 표준), BO601-1982.에서 정의된 경계를 나타낸다.

상기 예에서, 에천트는 60℃의 온도와, 46보오메 정도의 비중을 갖었다. 비슷한 방법들이 50℃ 내지 75℃의 온도와 45 내지 49보오메 정도의 비중에서 수행되며, 상술한 비슷한 결과가 또한 얻어졌다.

[발명의 효과]

상술한 바와 같은 조건하에서, 20㎛의 두께의 기판에 대해 비슷한 방법이 처리되고, 비슷한 결과가 얻어졌다. 본 발명의 방법은, 미리 형성된 에칭된 구멍들에 수지가 채워져야 하는 종래의 2단계 에칭법과 비교해 비교적 간단한 방법으로 질적으로 안정된 20㎛에서 100㎛ 두께의 애퍼추어그릴을 만드는 것을 가능하게 한다.

Claims

20㎛ 내지 100㎛ 두께의 금속판을 제공하는 단계와, 금속판의 전후면에 각각 전후 감광성 레지스트층을 공급하는 단계, 전후 레지스트층들에 각각 전후 슬릿 패턴마스크를 공급하는 단계, 전후 레지스트층들에 각각 전후 슬릿 패턴마스트를 인쇄하는 단계, 전후 레지스트층들에 인쇄된 슬릿 패턴을 성장하는 단계, 후면 리세스를 제조하기 위해 후면 레지스트층을 통해 적어도 금속판의 후면 표면을 하프에칭하는 단계, 금속판의 후면에 에칭된 리세스들이 덮여지도록 후면 레지스트층에 처리에 따라 감소되는 접착성을 갖는 내에천트막을 부착하는 단계, 전면 리세스를 제조하기 위해 전면 레지스트층을 통해 금속판의 전면을 에칭하는 단계, 상기 전면의 에칭이 처리되는 것처럼 후면 리세스들과 연계하기 위해 전면 리세스를 야기시키는 단계, 전면 리세스가 후면 리세스와 연계되도록 야기될 때 상기 내에천트막에 의해 후면 리세스를 지나 흐르는 것으로부터 후면 리세스에서의 에천트를 방지하는 동안 후면 리세스내로 흐르도록 전면 리세스상에서 작용하는 에천트를 야기시키는 단계, 요구된 형상을 갖춘 관통슬릿을 제공하기 위해 전후 리세스 양쪽뿐만 아니라 전후 리세스들 사이의 경계영역의 에칭을 더 수행하는 단계, 접착성을 줄이기 위해 상기 에천트막을 상기 처리에 맡김으로써, 후면 레지스트층으로부터 그 막을 제거하는 단계 및, 금속판으로부터 전후 레지스트층을 제거하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 애퍼추어그릴의 제조방법.
제1항에 있어서, 전면 슬릿 패턴마스크가 단일 슬릿 패턴과 후면 슬릿 패턴마스크가 적어도 2개의 인접하는 슬릿 패턴을 갖춘 것을 특징으로 하는 애퍼추어그릴의 제조방법.
제2항에 있어서, 상기 적어도 2개의 슬릿 패턴이 상기 단일 슬릿 패턴의 폭내에서 배치되는 것을 특징으로 하는 애퍼추어그릴의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 처리가 열경화성 처리인 것을 특징으로 하는 애퍼추어그릴의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 처리는 열성형 처리인 것을 특징으로 하는 애퍼추어그릴의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 처리가 자외선 광 조사 공정인 것을 특징으로 하는 애퍼추어그릴의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 막이 베이스막과 이 베이스막에 공급된 접착성층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 애퍼추어그릴의 제조방법.