JPWO2024009502A5 - - Google Patents
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Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に形成されている活性部と、
前記基板上に形成されている受動部とを備え、
前記活性部は、電極と、活性層を含み、前記電極から前記活性層に電流が注入され、
前記受動部は、前記活性層に光学的に結合されている第１コア層と、反射部と、前記第１コア層に対して前記基板とは反対側にある頂面とを含み、
前記第１コア層に、第１グレーティングカプラが形成されており、
前記第１グレーティングカプラは、前記活性層から出力された光を回折して、前記第１グレーティングカプラから前記頂面に向かう第１回折光と、前記第１グレーティングカプラから前記基板に向かう第２回折光とを生成し、
前記反射部は、前記受動部のみに形成されており、前記第１グレーティングカプラと前記基板との間に配置されており、前記第２回折光を前記頂面に向けて反射し、かつ、少なくとも一つの空気層を含む、半導体光利得素子。 - 前記少なくとも一つの空気層は、複数の空気層であり、
前記反射部は、前記複数の空気層と少なくとも一つの半導体層とを含む多層反射膜である、請求項１に記載の半導体光利得素子。 - 前記反射部は、分布ブラッグ反射器である、請求項２に記載の半導体光利得素子。
- 前記受動部は、前記第１コア層と前記基板との間に配置されている下部クラッド層と、支持部材とを含み、
前記下部クラッド層は、前記反射部と前記基板との間に配置されている第１下部クラッド部分層と、前記反射部と前記第１コア層との間に配置されている第２下部クラッド部分層とを含み、
前記支持部材は、前記第１下部クラッド部分層から前記第２下部クラッド部分層まで延在し、前記第２下部クラッド部分層を支持し、かつ、前記頂面の平面視において前記反射部の中に配置されている、請求項１に記載の半導体光利得素子。 - 前記受動部は、前記第１コア層と前記基板との間に配置されている下部クラッド層と、支持部材とを含み、
前記下部クラッド層は、前記反射部と前記基板との間に配置されている第１下部クラッド部分層と、前記反射部と前記第１コア層との間に配置されている第２下部クラッド部分層とを含み、
前記支持部材は、前記第１下部クラッド部分層から前記第２下部クラッド部分層まで延在し、前記第２下部クラッド部分層と前記少なくとも一つの半導体層とを支持し、かつ、前記頂面の平面視において前記反射部の中に配置されている、請求項２に記載の半導体光利得素子。 - 前記受動部は、前記第１コア層と前記基板との間に配置されている下部クラッド層と、支持部材とを含み、
前記下部クラッド層は、前記反射部と前記基板との間に配置されている第１下部クラッド部分層と、前記反射部と前記第１コア層との間に配置されている第２下部クラッド部分層とを含み、
前記支持部材は、前記第１下部クラッド部分層から前記第２下部クラッド部分層まで延在し、前記第２下部クラッド部分層を支持し、かつ、前記頂面の平面視において前記反射部の周りに配置されている、請求項１に記載の半導体光利得素子。 - 前記受動部は、前記第１コア層と前記基板との間に配置されている下部クラッド層と、支持部材とを含み、
前記下部クラッド層は、前記反射部と前記基板との間に配置されている第１下部クラッド部分層と、前記反射部と前記第１コア層との間に配置されている第２下部クラッド部分層とを含み、
前記支持部材は、前記第１下部クラッド部分層から前記第２下部クラッド部分層まで延在し、前記第２下部クラッド部分層と前記少なくとも一つの半導体層とを支持し、かつ、前記頂面の平面視において前記反射部の周りに配置されている、請求項２に記載の半導体光利得素子。 - 前記支持部材に、前記少なくとも一つの空気層に連通する穴が設けられている、請求項６に記載の半導体光利得素子。
- 前記第１グレーティングカプラは、０．５８μｍ未満のグレーティングピッチを有する、請求項１に記載の前記半導体光利得素子。
- 請求項１から請求項９のいずれかに記載の前記半導体光利得素子と、
前記頂面に面して配置される光導波路チップとを備え、
前記光導波路チップは、第２コア層を含み、
前記第２コア層に、前記第１グレーティングカプラに光学的に結合する第２グレーティングカプラが形成されている、光半導体装置。 - 前記第１コア層は、化合物半導体で形成されており、
前記第２コア層は、シリコンまたは窒化シリコンで形成されている、請求項１０に記載の光半導体装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2022/027114 WO2024009502A1 (ja) | 2022-07-08 | 2022-07-08 | 半導体光利得素子及び光半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP7199617B1 JP7199617B1 (ja) | 2023-01-05 |
| JPWO2024009502A1 JPWO2024009502A1 (ja) | 2024-01-11 |
| JPWO2024009502A5 true JPWO2024009502A5 (ja) | 2024-06-11 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022560307A Active JP7199617B1 (ja) | 2022-07-08 | 2022-07-08 | 半導体光利得素子及び光半導体装置 |
Country Status (2)
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-
2022
- 2022-07-08 WO PCT/JP2022/027114 patent/WO2024009502A1/ja active Application Filing
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