JPWO2023210692A5 - - Google Patents
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Claims (6)
- ポリペプチド化合物を製造する方法であって、
(i)下記式(R1)で表されるN末端保護アミノ酸エステル又はペプチドエステル化合物の式中右側の置換カルボキシル基と、下記式(R2)で表されるアミノ酸若しくはペプチド又はアミノ酸エステル若しくはペプチドエステル化合物の式中左側のアミノ基との間にアミド結合を形成させることにより、下記式(S1)で表されるN末端保護ペプチド化合物を取得し、
(ii)工程(i)において得られた式(S1)の化合物のN末端を脱保護することにより、下記式(P1)で表されるペプチド化合物を取得し、
(iii)工程(ii)において得られた式(P1)の化合物を、工程(i)の式(R2)の化合物として用い、工程(i)及び(ii)を繰り返し実施することにより、アミド化によるペプチド鎖の伸長を行う
ことを含むと共に、
工程(i)及び工程(ii)がフロー反応として連続的に実施される、製造方法。
Taは、2以上の電子求引性置換基を有する一価の芳香族炭化水素基又は複素環式基を表し、
PGaは、一価の保護基を表し、
R11及びR12は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、若しくはチオール基、又は、1若しくは2以上の置換基を有していてもよい、アミノ基、一価の脂肪族炭化水素基、一価の芳香族炭化水素基、若しくは一価の複素環式基を表し、
R13は、水素原子、カルボキシル基、水酸基、又は、1若しくは2以上の置換基を有していてもよい一価の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、若しくは複素環式基を表し、ここで、一価の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、又は複素環式基の場合は、連結基を介して窒素原子に結合していてもよく、
或いは、R11とR13とが互いに結合して、R11が結合する炭素原子及びR13が結合する窒素原子と共に、1又は2以上の置換基を有していてもよい複素環を形成していてもよく、
A11及びA12は、各々独立に、1又は2以上の置換基を有していてもよい炭素数1~3の二価の脂肪族炭化水素基を表し、
p11及びp12は、各々独立に、0又は1を表し、
n1は、1以上の整数であり、かつ、[ ]内の構造で表される構成単位の数を表す。但し、n1が2以上である場合は、[ ]内の構造で表される複数の構成単位は各々同一でもよく、異なっていてもよい。
Tbは、水素原子又は一価の置換基を表し、
R21及びR22は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、若しくはチオール基、又は、1若しくは2以上の置換基を有していてもよい、アミノ基、一価の脂肪族炭化水素基、一価の芳香族炭化水素基、若しくは一価の複素環式基を表し、
R23は、水素原子、カルボキシル基、水酸基、又は、1若しくは2以上の置換基を有していてもよい一価の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、若しくは複素環式基を表し、ここで、一価の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、又は複素環式基の場合は、連結基を介して窒素原子に結合していてもよく、
或いは、R21とR23とが互いに結合して、R21が結合する炭素原子及びR23が結合する窒素原子と共に、1又は2以上の置換基を有していてもよい複素環を形成していてもよく、
A21及びA22は、各々独立に、1又は2以上の置換基を有していてもよい炭素数1~3の二価の脂肪族炭化水素基を表し、
p21及びp22は、各々独立に、0又は1を表し、
n2は、1以上の整数であり、かつ、[ ]内の構造で表される構成単位の数を表す。但し、n2が2以上である場合は、[ ]内の構造で表される複数の構成単位は各々同一でもよく、異なっていてもよい。
PGa、R11、R12、R13、A11、A12、p11、p12、及びn1は、前記式(R1)における定義と同じ基を表し、
R21、R22、R23、A21、A22、p21、p22、n2、及びTbは、前記式(R2)における定義と同じ基を表す。
R11、R12、R13、A11、A12、p11、p12、及びn1は、前記式(R1)における定義と同じ基を表し、
R21、R22、R23、A21、A22、p21、p22、n2、及びTbは、前記式(R2)における定義と同じ基を表す。 - 工程(i)の反応において、式(R1)の化合物と式(R2)の化合物とが略等モル比で使用される、請求項1に記載の製造方法。
- 式(R1)の基Taが、ハロゲン原子、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アルコキシ基、ニトロ基、アセチル基、エステル基、スルホン酸エステル基、及びアミド基から選択される2以上の置換基を有する芳香族炭化水素基から選択される基である、請求項1又は2に記載の製造方法。
- 式(R1)の保護基PGaが、1又は2以上の置換基を有していてもよい、一価の炭化水素基、アシル基、炭化水素オキシカルボニル基、炭化水素スルホニル基、及びアミド基から選択される基である、請求項1~3の何れか一項に記載の製造方法。
- 工程(ii)における式(S1)のN末端保護基の脱保護が、塩基性イオン交換樹脂を充填したカラムに式(S1)の化合物を通過させることにより実施される、請求項1~4の何れか一項に記載の製造方法。
- 塩基性イオン交換樹脂が、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン(DBU)系樹脂、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン(DBN)系樹脂、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン(TBD)系樹脂、ピペラジン系樹脂、ジメチルアミノピリジン系樹脂、及びアンモニウム系樹脂から選択される樹脂である、請求項5に記載の製造方法。
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