JPWO2022259444A5 - - Google Patents
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Description
本開示の渦電流検査方法は、検査対象物に渦電流を発生させ、渦電流の状態を示す検出信号を得る渦電流測定装置を用いた渦電流検査方法であって、前記渦電流測定装置はコイルを内蔵したプローブを有し、基板上に設けられた電極が前記検査対象物となり、(a) 交流電流を前記プローブ内のコイルに印加して交流電流印加状態にするステップと、(b) 前記電極の形成方向に沿って、前記交流電流印加状態の前記プローブを走査させるステップとを備え、前記ステップ(b)の実行期間において、前記プローブは前記電極に接触することなく、前記電極の表面から所定距離隔てて上方に位置し、前記ステップ(b)の実行時に前記電極の表面に渦電流が発生し、前記渦電流測定装置より前記検出信号が時々刻々得られ、(c) 時々刻々得られる前記検出信号と基準レベルとの比較結果に基づき、前記電極の前記基板への接合状態を判定するステップをさらに備え、前記電極は互いに離散した複数の接合部を有し、前記複数の接合部は前記基板の表面との接合領域として割り当てられており、前記渦電流検査方法は、(d) 前記ステップ(a)の後、前記ステップ(b)の前に実行され、前記複数の接合部から一の接合部を基準接合部として選択するステップをさらに備え、前記基準レベルは前記基準接合部の上方に前記プローブを配置した時の前記検出信号の信号値であり、前記ステップ(b)の実行時に前記複数の接合部に対応して複数の検出信号が得られ、前記ステップ(c)は、(c-1) 前記複数の検出信号のうち、正方向及び負方向のうち一方の方向で前記基準レベルと有意な差を有する第1種検出信号が存在する場合、前記複数の接合部のうち前記第1種検出信号に対応する接合部を未接合状態と判定し、(c-2) 前記複数の検出信号のうち、正方向及び負方向のうち他方の方向で前記基準レベルと有意な差を有する第2種検出信号が存在する場合、前記複数の接合部のうち前記第2種検出信号に対応する接合部を破断状態と判定し、(c-3) 前記複数の検出信号のうち、前記第1及び第2種検出信号のいずれにも該当しない第3種検出信号が存在する場合、前記複数の接合部のうち前記第3種検出信号に対応する接合部を正常状態と判定する。
Claims (6)
- 検査対象物に渦電流を発生させ、渦電流の状態を示す検出信号を得る渦電流測定装置を用いた渦電流検査方法であって、前記渦電流測定装置はコイルを内蔵したプローブを有し、基板上に設けられた電極が前記検査対象物となり、
(a) 交流電流を前記プローブ内のコイルに印加して交流電流印加状態にするステップと、
(b) 前記電極の形成方向に沿って、前記交流電流印加状態の前記プローブを走査させるステップとを備え、前記ステップ(b)の実行期間において、前記プローブは前記電極に接触することなく、前記電極の表面から所定距離隔てて上方に位置し、前記ステップ(b)の実行時に前記電極の表面に渦電流が発生し、前記渦電流測定装置より前記検出信号が時々刻々得られ、
(c) 時々刻々得られる前記検出信号と基準レベルとの比較結果に基づき、前記電極の前記基板への接合状態を判定するステップをさらに備え、
前記電極は互いに離散した複数の接合部を有し、前記複数の接合部は前記基板の表面との接合領域として割り当てられており、
前記渦電流検査方法は、
(d) 前記ステップ(a)の後、前記ステップ(b)の前に実行され、前記複数の接合部から一の接合部を基準接合部として選択するステップをさらに備え、
前記基準レベルは前記基準接合部の上方に前記プローブを配置した時の前記検出信号の信号値であり、
前記ステップ(b)の実行時に前記複数の接合部に対応して複数の検出信号が得られ、
前記ステップ(c)は、
(c-1) 前記複数の検出信号のうち、正方向及び負方向のうち一方の方向で前記基準レベルと有意な差を有する第1種検出信号が存在する場合、前記複数の接合部のうち前記第1種検出信号に対応する接合部を未接合状態と判定し、
(c-2) 前記複数の検出信号のうち、正方向及び負方向のうち他方の方向で前記基準レベルと有意な差を有する第2種検出信号が存在する場合、前記複数の接合部のうち前記第2種検出信号に対応する接合部を破断状態と判定し、
(c-3) 前記複数の検出信号のうち、前記第1及び第2種検出信号のいずれにも該当しない第3種検出信号が存在する場合、前記複数の接合部のうち前記第3種検出信号に対応する接合部を正常状態と判定する、
渦電流検査方法。 - 請求項1記載の渦電流検査方法であって、
前記ステップ(d) は、
(d-1) 表面上に無接合状態の予備電極が配置された予備基板を準備するステップと、
(d-2) 前記予備電極における予備基準領域を上部から押圧し、前記予備基準領域を前記予備基板の表面に密着させるステップと、
(d-3) 前記交流電流印加状態の前記プローブを前記予備電極の前記予備基準領域の上方に配置するステップとを含み、前記ステップ(d-3)の実行時に前記予備基準領域の表面に渦電流が発生し、前記渦電流測定装置より予備基準信号が得られ、
(d-4) 前記交流電流印加状態の前記プローブを前記複数の接合部の上方に順次配置するステップをさらに含み、前記ステップ(d-4)の実行時に前記複数の接合部の表面に渦電流が発生し、前記渦電流測定装置より前記複数の接合部に対応する複数の予備検出信号が得られ、
(d-5) 前記複数の予備検出信号のうち、前記予備基準信号に最も近い信号値を有する信号を決定予備検出信号と判定し、前記複数の接合部のうち前記決定予備検出信号に対応する接合部を前記基準接合部として決定するステップをさらに含む、
渦電流検査方法。 - 請求項1または請求項2記載の渦電流検査方法であって、
前記複数の接合部は超音波接合法を用いた前記基板の表面との接合領域であり、
前記複数の接合部それぞれの厚さは0.01mm以上である、
渦電流検査方法。 - 請求項1から請求項3のうち、いずれか1項に記載の渦電流検査方法であって、
前記複数の接合部それぞれ平面視して、一辺の長さが1mmの正方形を含む平面形状を有する、
渦電流検査方法。 - 請求項1から請求項4のうち、いずれか1項に記載の渦電流検査方法であって、
前記ステップ(b)で実行される前記プローブの走査速度は1m/s以上である、
渦電流検査方法。 - 請求項1から請求項5のうち、いずれか1項に記載の渦電流検査方法であって、
前記交流電流は、第1の交流電流と第2の交流電流とを含み、前記第1及び第2の交流電流は周波数及び位相のうち少なくとも一つが異なる、
渦電流検査方法。
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