JPWO2022250113A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- Ｃ：０．０２～０．１０ｍａｓｓ％、Ｓｉ：２．５～５．５ｍａｓｓ％、Ｍｎ：０．０１～０．３０ｍａｓｓ％含有し、さらに、ｓｏｌ．Ａｌ：０ｍａｓｓ％以上０．０１０ｍａｓｓ％未満、Ｎ：０ｍａｓｓ％以上０．００６ｍａｓｓ％未満、ＳおよびＳｅのうちの少なくとも１種を合計で０ｍａｓｓ％以上０．０１０ｍａｓｓ％未満で含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなる成分組成を有する鋼スラブを１３００℃以下の温度に加熱した後、熱間圧延し、熱延板焼鈍した後、または、熱延板焼鈍することなく、１回の冷間圧延または中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧延をして最終板厚の冷延板とし、脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍し、焼鈍分離剤を塗布し、仕上焼鈍を施す工程を含む方向性電磁鋼板の製造方法において、
上記最終板厚とする冷間圧延直前の焼鈍工程で、均熱処理後、８００℃から４００℃まで平均冷却速度１５℃／ｓ以上で冷却し、その後、６０～１００℃間の温度に３０～６００ｓ間保持する低温熱処理を施すことを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。 - 上記最終板厚とする冷間圧延の前の焼鈍工程で、均熱処理後、８００℃から４００℃まで平均冷却速度１５℃／ｓ以上で冷却した後、かつ、６０～１００℃間の温度に３０～６００ｓ間保持する低温熱処理を施す前に、または６０～１００℃間の温度に３０～６００ｓ間維持する低温熱処理の途中で、鋼板に歪を付与することを特徴とする請求項１に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
- 上記鋼板に歪を付与する方法が、ロールに９０°以上の角度で巻き付けることで少なくとも１回以上の曲げ加工を行う方法、および、軽圧下圧延を行う方法のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項２に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
- 上記低温熱処理を完了した後、３００ｈｒ以内に最終冷間圧延を開始することを特徴とする請求項１に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
- 上記低温熱処理を完了した後、３００ｈｒ以内に最終冷間圧延を開始することを特徴とする請求項２に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
- 上記低温熱処理を完了した後、３００ｈｒ以内に最終冷間圧延を開始することを特徴とする請求項３に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
- 下記の条件を満たす工程を有することを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
記
・鋼スラブを加熱し、９００～１２００℃の温度域で１パス以上の粗圧延をした後、７００～１０００℃の温度域で２パス以上の仕上圧延をして熱延板とし、その後、４００～７５０℃の巻取温度でコイルに巻き取る熱間圧延工程
・熱延板焼鈍を行う場合は、８００～１２５０℃の温度域で５ｓ以上保持した後、８００℃から４００℃まで５～１００℃／ｓで冷却する熱延板焼鈍工程
・中間焼鈍を行う場合は、８００～１２５０℃の温度域で５ｓ以上保持した後、８００℃から４００℃まで５～１００℃／ｓで冷却する中間焼鈍工程
・最終冷間圧延の総圧下率を８０～９２％の範囲とする冷間圧延工程
・Ｈ２とＮ２とを含み、かつ露点が２０～８０℃以下の湿潤雰囲気下で、７５０～９５０℃の温度域で１０ｓ以上保持する脱炭焼鈍を兼ねた一次再結晶焼鈍工程
・ＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を鋼板表面に片面あたり２．５ｇ／ｍ２以上塗布する焼鈍分離剤塗布工程
・少なくとも１０５０～１３００℃の温度に３ｈｒ以上保持する純化処理を含む、８００℃以上の温度域の一部の雰囲気をＨ２含有雰囲気とする仕上焼鈍工程 - 上記鋼スラブは、上記成分組成に加えてさらに、下記Ａ～Ｃ群のうちの少なくとも１群の成分を含有することを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
記
・Ａ群；Ｎｉ：０～１．００ｍａｓｓ％、Ｓｂ：０～０．５０ｍａｓｓ％、Ｓｎ：０～０．５０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０～０．５０ｍａｓｓ％、Ｃｒ：０～０．５０ｍａｓｓ％、Ｐ：０～０．５０ｍａｓｓ％、Ｍｏ：０～０．５０ｍａｓｓ％、Ｎｂ：０～０．０２０ｍａｓｓ％、Ｖ：０～０．０１０ｍａｓｓ％、Ｂ：０～０．００２５ｍａｓｓ％、Ｂｉ：０～０．５０ｍａｓｓ％およびＺｒ：０～０．１０ｍａｓｓ％以下のうちから選ばれる少なくとも１種
・Ｂ群；Ｃｏ：０～０．０５００ｍａｓｓ％およびＰｂ：０～０．０１００ｍａｓｓ％のうちから選ばれる少なくとも１種
・Ｃ群；Ａｓ：０～０．０２００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０～０．０２００ｍａｓｓ％、Ｗ：０～０．０１００ｍａｓｓ％、Ｇｅ：０～０．００５０ｍａｓｓ％およびＧａ：０～０．００５０ｍａｓｓ％のうちから選ばれる少なくとも１種 - 上記鋼スラブは、上記成分組成に加えてさらに、下記のＡ～Ｃ群のうちの少なくとも１群の成分を含有することを特徴とする請求項７に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
記
・Ａ群；Ｎｉ：０～１．００ｍａｓｓ％、Ｓｂ：０～０．５０ｍａｓｓ％、Ｓｎ：０～０．５０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０～０．５０ｍａｓｓ％、Ｃｒ：０～０．５０ｍａｓｓ％、Ｐ：０～０．５０ｍａｓｓ％、Ｍｏ：０～０．５０ｍａｓｓ％、Ｎｂ：０～０．０２０ｍａｓｓ％、Ｖ：０～０．０１０ｍａｓｓ％、Ｂ：０～０．００２５ｍａｓｓ％、Ｂｉ：０～０．５０ｍａｓｓ％およびＺｒ：０～０．１０ｍａｓｓ％以下のうちから選ばれる少なくとも１種
・Ｂ群；Ｃｏ：０～０．０５００ｍａｓｓ％およびＰｂ：０～０．０１００ｍａｓｓ％のうちから選ばれる少なくとも１種
・Ｃ群；Ａｓ：０～０．０２００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０～０．０２００ｍａｓｓ％、Ｗ：０～０．０１００ｍａｓｓ％、Ｇｅ：０～０．００５０ｍａｓｓ％およびＧａ：０～０．００５０ｍａｓｓ％のうちから選ばれる少なくとも１種
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