JPWO2022195757A5 - - Google Patents
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Description
本願に開示される半導体装置は、半導体素子の上面側に第１金属電極部を有し、
前記第１金属電極部の上面が露出するように前記半導体素子を封止材で封止し、
前記第１金属電極部の上面を、回路基板の下面に形成された第２金属電極部の下面に対して第２接合材を介して接続されたものであって、
前記封止材の上面に、前記第１金属電極部における垂直方向の高さが最も高くなるような勾配を設けたものである。
前記第１金属電極部の上面が露出するように前記半導体素子を封止材で封止し、
前記第１金属電極部の上面を、回路基板の下面に形成された第２金属電極部の下面に対して第２接合材を介して接続されたものであって、
前記封止材の上面に、前記第１金属電極部における垂直方向の高さが最も高くなるような勾配を設けたものである。
Claims (8)
- 半導体素子の上面側に第１金属電極部を有し、
前記第１金属電極部の上面が露出するように前記半導体素子を封止材で封止し、
前記第１金属電極部の上面を、回路基板の下面に形成された第２金属電極部の下面に対して第２接合材を介して接続された半導体装置において、
前記封止材の上面に、前記第１金属電極部における垂直方向の高さが最も高くなるような勾配を設けた半導体装置。 - 前記第１金属電極部は、前記半導体素子の上面に対し第１接合材を介して接合された端子の上面にあり、
前記封止材は、前記端子及び前記半導体素子を封止し、
前記勾配は、前記封止材の端部における垂直方向の高さが低くなるように構成されている請求項１記載の半導体装置。 - 前記第１接合材及び前記第２接合材としてはんだ材を使用するとともに、前記第１接合材の融点は前記第２接合材の融点よりも高い請求項２記載の半導体装置。
- 前記勾配の水平方向に対する角度は１度以上１０度以下である請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記勾配が設けられた前記封止材の上面を曲面状に形成した請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記勾配が設けられた前記封止材の上面に複数のスリットを設けた請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記勾配が設けられた前記封止材の上面における表面粗さの指標としての算術平均粗さが、０．５μｍ以下になるよう前記封止材の上面に平滑処理が施された請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 半導体素子の上面に対し第１接合材を介して、上面に第１金属電極部を有する端子を接合したものを、下金型と上部内面に傾斜が設けられた上金型の内部に配置する工程と、
前記下金型と前記上金型の内部に封止材を圧入する工程と、
前記上金型及び前記下金型を取り外すとともに、前記第１金属電極部の上面を、回路基板の下面に形成された第２金属電極部の下面に対して第２接合材を介して接続する工程を有する半導体装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| PCT/JP2021/010785 WO2022195757A1 (ja) | 2021-03-17 | 2021-03-17 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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