JPWO2022075144A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202337929A (zh) * 2021-11-15 2023-10-01 日商日產化學股份有限公司 多環芳香族烴系光硬化性樹脂組成物
JP7752098B2 (ja) * 2022-08-10 2025-10-09 信越化学工業株式会社 ウェハエッジ保護膜形成方法、パターン形成方法、及びウェハエッジ保護膜形成用組成物

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4295937B2 (ja) * 2000-12-05 2009-07-15 株式会社Kri 活性成分及びそれを用いた感光性樹脂組成物
JP3914493B2 (ja) 2002-11-27 2007-05-16 東京応化工業株式会社 多層レジストプロセス用下層膜形成材料およびこれを用いた配線形成方法
JP2007115834A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Toshiba Corp 半導体製造方法及び半導体製造装置
JP5297182B2 (ja) * 2008-12-25 2013-09-25 日東電工株式会社 クリーニング機能付搬送部材およびその製造方法
JP5988438B2 (ja) * 2012-08-02 2016-09-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法及び塗布処理装置
JP5779168B2 (ja) * 2012-12-04 2015-09-16 東京エレクトロン株式会社 周縁部塗布装置、周縁部塗布方法及び周縁部塗布用記録媒体
JP6352824B2 (ja) 2015-01-23 2018-07-04 東芝メモリ株式会社 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法
US9482957B1 (en) * 2015-06-15 2016-11-01 I-Shan Ke Solvent for reducing resist consumption and method using solvent for reducing resist consumption
TWI743143B (zh) * 2016-08-10 2021-10-21 日商Jsr股份有限公司 半導體用抗蝕劑底層膜形成組成物、抗蝕劑底層膜、抗蝕劑底層膜的形成方法及圖案化基板的製造方法
JP2018124354A (ja) * 2017-01-30 2018-08-09 Jsr株式会社 レジスト膜形成方法及び保護膜形成用組成物
US10073347B1 (en) * 2017-08-24 2018-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor method of protecting wafer from bevel contamination
JP6950662B2 (ja) * 2018-10-30 2021-10-13 信越化学工業株式会社 基板保護膜形成用材料及びパターン形成方法
US11605538B2 (en) * 2018-10-31 2023-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Protective composition and method of forming photoresist pattern

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