KR102781663B1 - 포토레지스트 박리액 조성물 - Google Patents

포토레지스트 박리액 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 1가 알코올, 2차 또는 3차 아민 및 극성 유기용매를 포함하며, N-메틸피롤리돈 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 포함하지 않는 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로, 인체에 무해하고, 친환경적이며, 박리력 및 부식 방지가 우수한 효과를 갖는다.

Description

포토레지스트 박리액 조성물{PHOTO RESIST STRIPPER COMPOSITION}
본 발명은 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로, 보다 자세하게는 1가 알코올, 2차 또는 3차 아민 및 극성 유기용매를 포함하고, N-메틸피롤리돈 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 포함하지 않는 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조에 있어서 포토레지스트 패턴은 식각 공정, 이온 주입 공정, 그리고 도금 공정에서 마스크로 사용되고 있다. 이러한 포토레지스트 패턴은 하부 막에 대한 밀착성, 식각액 등에 대한 안정성이 높아야 한다. 최근 들어 식각 공정에서의 공정 시간 단축과 배선의 정확한 패터닝을 위하여 포토레지스트의 내구성이 높아지고 있으며 이러한 포토레지스트 패턴을 제거하기 위한 공정이 필요하다. 포토레지스트 패턴의 제거 공정에 이용되는 박리액 조성물은 내구성과 하부 막에 대한 밀착성이 높은 포토레지스트를 효과적으로 제거함과 동시에 노출되는 금속에 대한 내부식성을 가지고 있어야 한다.
일반적으로 식각 공정에 사용되는 포토레지스트의 막 두께는 2㎛ 이내이지만, 범프(Bump) 공정에 적용되는 포토레지스트의 막 두께는 작게는 10㎛에서 크게는 80㎛에 이르므로 이를 제거하기 위해서는 오랜 시간 박리가 진행되어야 하며 그로 인해 공정 효율이 떨어질 수 있다. 따라서 이러한 범프 공정에 적용되는 두꺼운 타입의 포토레지스트를 효과적으로 제거하기 위한 박리액이 요구되고 있다.
더불어 범프 공정은 일반적으로 Ti/Cu로 이루어진 UBM(Under Bump Metal) 층 위에 Cu 또는 SnAg로 이루어진 범프를 형성하므로 박리 공정시 노출되는 금속인 SnAg와 Cu에 대한 부식이 없어야 한다.
일반적인 포토레지스트 박리액 조성물은 용매류, 아민류, 알칼리류를 기반으로 하거나 추가적으로 부식 방지제 등을 첨가제로 사용하고 있다.
특히, 범프 공정의 포토레지스트 박리액 조성물은 두꺼운 포토레지스트를 빠르게 제거하기 위해 포토레지스트 용해력이 뛰어난 N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone, NMP) 등의 용매와 포토레지스트 분해력이 뛰어난 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(Tetramethylammonium hydroxide, TMAH) 등의 강알칼리를 포함한다. 상기 NMP 또는 TMAH를 포함하는 포토레지스트 박리액 조성물은 포토레지스트 박리력이 뛰어나지만, 생식 독성을 나타내는 물질로 환경이나 인체에 유해한 단점을 가진다.
따라서, 유해성을 가지는 상기 NMP 및 TMAH를 사용하지 않고도 우수한 박리력을 가지는 레지스트 박리액 조성물의 개발이 필요한 상황이다.
대한민국 공개특허 제10-2011-0124955호 대한민국 공개특허 제10-2014-0028962호 대한민국 공개특허 제10-2015-0102354호
이에 본 발명자들은 상기 문제를 해결하고자 다각적으로 연구를 수행한 결과, 1가 알코올; 2차 또는 3차 아민; 및 극성 유기용매;를 포함하는 포토레지스트 박리액 조성물은 N-메틸피롤리돈 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 사용하지 않고서도 포토레지스트 박리력이 우수하다는 것을 확인하여 본 발명을 완성하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 박리력이 우수하면서도, 친환경적이고, 인체에 유해하지 않는 포토레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 1가 알코올; 2차 또는 3차 아민; 및 극성 유기용매;를 포함하며, N-메틸피롤리돈 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 포함하지 않는, 포토레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 N-메틸피롤리돈 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 사용하지 않아 친환경적이며, 인체에 유해하지 않은 장점을 지니고 있다.
또한, 본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 금속에 대한 부식을 최소화할 수 있으며, 수십 ㎛의 두께로 코팅된 후막(Thick film)의 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있어 박리력이 우수한 효과를 가진다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
종래의 포토레지스트 박리액 조성물은 용해력이 우수한 N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone, NMP) 및 레지스트 분해력이 우수한 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(Tetramethylammonium hydroxide, TMAH)를 사용하였다.
그러나 상기 N-메틸피롤리돈 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드는 인체에 유해하며, 환경오염을 일으키는 문제가 있다.
따라서, 본 발명에서는 N-메틸피롤리돈 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 포함하지 않아 인체에 무해하며, 친환경적일 뿐만 아니라, 부식을 최소화할 수 있으며, 수십 ㎛의 두께로 코팅된 후막(Thick film)의 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있는 박리력이 우수한 포토레지스트 박리액 조성물을 제공함으로써 상기의 문제를 해결하고자 하였다.
따라서, 본 발명은 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로,
보다 자세하게는 1가 알코올; 2차 또는 3차 아민; 및 극성 유기용매;를 포함하며, N-메틸피롤리돈 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 포함하지 않는, 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
상기 1가 알코올은 표면장력을 낮추어 포토레지스트에 대한 젖음성(wettability)을 향상시킬 수 있어 포토레지스트의 표면을 빠르게 용해하는 역할을 수행할 수 있다.
에틸렌 글리콜(Ethylene glycol) 등의 2가 알코올, 글리세린(Glycerin) 등의 3가 알코올은 표면장력을 높여 포토레지스트에 대한 젖음성을 저하시키므로, 포토레지스트의 표면 용해 속도가 감소하는 문제가 있다. 따라서, 2가 알코올 및 3가 알코올을 포토레지스트 박리액 조성물로 사용하는 것은 바람직하지 않다.
상기 1가 알코올은 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 이소프로필알코올, 이소부틸알코올 및 벤질 알코올로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 메탄올, 에탄올, 프로판올 및 이소프로필알코올로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 상기 1가 알코올은 포토레지스트 박리액 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 10 중량%, 바람직하게는 3 내지 7 중량%로 포함될 수 있다.
상기 1가 알코올이 1 중량% 미만으로 포함되면 포토레지스트의 용해 속도가 저하되는 문제가 발생할 수 있으며, 10 중량%를 초과하여 포함되면 2차 또는 3차 아민 및 극성 유기용매의 함량이 줄어들게 되어 박리 능력이 저하되거나 부식 현상이 발생할 수 있다.
상기 2차 또는 3차 아민은 포토레지스트의 박리를 촉진하며, 하부 금속막에 대한 부식 안정성을 개선하는 역할을 수행할 수 있다.
모노에탄올아민(Monoethanolamine) 등의 1차 아민은 포토레지스트 박리를 촉진하는 효과를 갖고 있으나, 하부 금속막의 부식을 발생시키는 문제가 있어, 본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물로 사용하는 것은 바람직하지 않다.
상기 2차 또는 3차 아민은 N-메틸에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 디부탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디부틸아민, 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-메틸피페라진, 2-메틸피페라진, 1,4-디에틸피페라진, 1-벤질피페라진, 1-페닐피페라진, 모폴린, N-아세틸모폴린 및 N-(2-히드록시에틸)모폴린으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 N-메틸에탄올아민, 모폴린, 메틸디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 상기 2차 또는 3차 아민은 포토레지스트 박리액 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 20 중량%, 바람직하게는 3 내지 15 중량%로 포함될 수 있다.
상기 2차 또는 3차 아민이 1 중량% 미만으로 포함되면 포토레지스트에 대한 박리 성능이 저하되는 문제가 발생할 수 있으며, 20 중량%를 초과하여 포함되면 하부 금속막에 대한 부식이 발생할 수 있다.
상기 극성 유기용매는 고분자를 팽창 및 용해시키는 역할을 수행할 수 있다.
상기 극성 유기용매는 설폭사이드류, 글리콜에테르류, 술폰류, 설포란, 락톤류, 이미다졸리디논류 및 아마이드류로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 포함할 수 있다.
상기 설폭사이드류는 구체적으로 예를 들어 디메틸설폭사이드, 디에틸설폭사이드 및 디프로필설폭사이드 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 글리콜에테르류는 구체적으로 예를 들어 디에틸렌글리콜 모노 메틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 술폰류는 구체적으로 예를 들어 디메틸술폰, 디에틸술폰 및 디프로필술폰을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 락톤류는 구체적으로 예를 들어 γ―부티로락톤을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 이미다졸리디논류는 구체적으로 예를 들어 1,3-디메틸-２-이미다졸리디논 및 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아마이드류는 구체적으로 예를 들어 N-메틸포름아마이드, N-에틸포름아마이드, N,N-디메틸포름아마이드, N,N-디에틸포름아마이드, N,N-디메틸아세토아세트아마이드, N,N-터트부틸포름아마이드, 아세트아마이드, N-메틸아세트아마이드, N-에틸아세트아마이드, N,N-디메틸아세트아마이드, N,N-디에틸아세트아마이드, N-(2-히드록시에틸)아세트아마이드, N,N-디메틸프로피온아마이드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아마이드, N,N-디메틸부틸아마이드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아마이드 및 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아마이드 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 극성 유기용매는 포토레지스트 박리액 조성물 총 중량에 대하여 70 내지 98 중량%, 바람직하게는 80 내지 95 중량%로 포함될 수 있다.
상기 극성 유기용매가 70 중량% 미만으로 포함되면 포토레지스트에 대한 용해도가 감소하여 포토레지스트가 깨끗하게 제거되지 않는 문제가 발생할 수 있으며, 98 중량%를 초과하여 포함되면 다른 성분들의 함량이 부족하게 되어 박리 성능이 저하되거나 부식 현상이 나타날 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 추가로 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 상기 첨가제는 부식 방지제를 포함할 수 있다.
상기 부식 방지제는 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 카르복실릭벤조트리아졸, 1,2,3,4-테트라졸, 5-아미노 테트라졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 6-아미노퓨린, 아데닌, 자일리톨, 솔비톨, 피로갈롤, 카테콜, 글리콜산, 갈산, 글리옥시산, 살리실산, 아스코르브산, 1,4-싸이클로헥세인다이올, 메틸갈레이트 및 디에틸하이드록실아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명은 포토레지스트 박리방법에 관한 것으로,
금속층이 형성된 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 패턴으로 상기 금속층을 패터닝하는 단계; 및
상기 본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계;를 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 기판 상에 형성된 금속층 상에 포토레지스트를 도포한 뒤 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 패턴이 형성된 포토레지스트를 마스크로 하여 금속층을 에칭하여 패터닝한다. 그 후, 본 발명에 따른 포토레지스트 박리액 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리할 수 있다.
상기 포토레지스트는 포지티브형 포토레지스트, 네가티브형 포토레지스트, 포지티브형/네가티브형 겸용 포토레지스트(dual tone photoresist)가 있고, 구성 성분에 제약을 받지 않지만, 특히 효과적으로 적용되는 포토레지스트는 노볼락계 페놀 수지와 디아조나프토퀴논을 근간으로 하는 광활성 화합물로 구성된 포지티브형 포토레지스트이다.
상기 금속층은 구체적으로 도전성 금속층일 수 있으며, 예컨대 알루미늄, 구리, 네오디뮴, 몰리브덴, 은 및 주석 등의 금속 또는 이들 금속의 합금으로 이루어진 단일막 또는 2층 이상의 다층막일 수 있다. 보다 상세하게는 구리, 주석 또는 은 이들의 합금을 포함하는 단일막 또는 2층 이상의 다층막일 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물을 이용하여 미세 회로 패턴이 새겨진 기판으로부터 포토레지스트를 박리하는 방법은 많은 양의 포토레지스트 박리액 조성물에 박리하고자 하는 기판을 동시에 여러 장을 침지(dipping)하는 딥 방식과 한 장씩 박리액을 기판에 스프레이(분무)시켜 포토레지스트를 제거하는 매엽식 방식 모두 사용할 수 있다. 이 경우, 침지, 스프레이(분무) 또는 침지 및 스프레이의 적용 시간 및 온도는 당업자에 의해 용이하거나 적합한 조건으로 선택될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 6. 포토레지스트 박리액 조성물 제조
하기 표 1 내지 표 3에 기재된 성분 및 함량으로 포토레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
(단위 : 중량%)
1가 알코올 2차 또는 3차 아민 극성 유기용매
실시예 1 MeOH 5 NMEA 5 DMSO 90
실시예 2 EtOH 5 NMEA 5 DMSO 90
실시예 3 프로판올 5 NMEA 5 DMSO 90
실시예 4 IPA 5 NMEA 5 DMSO 90
실시예 5 MeOH 5 NMEA 5 DMSO 85
EtOH 5
실시예 6 MeOH 5 MEDA 10 DMSO 85
실시예 7 MeOH 2 MPL 5 DMSO 93
실시예 8 MeOH 8 DMEA 10 DMSO 82
실시예 9 MeOH 5 MDEA 5 DMSO 80
DMEA 10
실시예 10 MeOH 5 NMEA 5 DMSO 85
MDEA 5
실시예 11 MeOH 5 NMEA 5 DMSO 80
EDG 10
실시예 12 EtOH 20 NMEA 5 DMSO 75
실시예 13 MeOH 5 NMEA 25 DMSO 70
(단위 : 중량%)
NMP TMAH 2차 또는 3차 아민 극성 유기용매 물
비교예 1 10 - NMEA 5 DMSO 85 -
비교예 2 - 1 NMEA 5 DMSO 90 4
비교예 3 - - NMEA 5 DMSO 95 -
(단위 : 중량%)
알코올 아민 극성 유기용매
비교예 4 EG 5 NMEA 5 DMSO 90
비교예 5 Glycerin 5 NMEA 5 DMSO 90
비교예 6 MeOH 5 MEA 5 DMSO 90
DMSO : 디메틸설폭사이드(Dimethylsulfoxide)
NMEA : N-메틸에탄올아민(N-metylethanolamine)
MPL : 모폴린(Morpholine)
MDEA : 메틸디에탄올아민(Methyldiethanolamine)
DMEA : N,N-디메틸에탄올아민(N,N-Dimethylethanolamine)
MEA : 모노에탄올아민(Monoethanolamine)
MeOH : 메탄올(Methanol)
EtOH : 에탄올(Ethanol)
IPA : 이소프로필알코올(Isopropyl alcohol)
EG : 에틸렌글리콜(Ethyleneglycol)
NMP : N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone)
TMAH : 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(Tetramethylammonium hydroxide)
실험예 1. 포토레지스트 박리액 조성물의 박리 성능 평가
구리(Cu)로 스퍼터링된 웨이퍼 표면에 두께 50㎛의 포토레지스트를 도포하였다.
포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 2cmХ2cm 크기로 잘라 평가용 시편을 만들었다. 만들어진 평가용 시편을 상기 실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 6의 각각의 포토레지스트 박리액 조성물에 60℃의 온도로 2분간 침적한 후 1분간 초순수로 세정하고 질소로 건조한 뒤 육안확인 및 전자주사현미경으로 포토레지스트의 박리 여부를 확인하였다.
결과를 하기 표 4에 나타냈으며, 박리 성능의 평가 기준은 하기와 같다.
◎ : 포토레지스트 100% 제거
○ : 포토레지스트 90% 이상 제거
△ : 포토레지스트 70% 이상 90% 미만 제거
X : 포토레지스트 70% 미만 제거
실험예 2. 구리 금속막의 부식 정도 평가
구리(Cu)를 웨이퍼 표면에 두께 3000Å로 스퍼터링하였다. 구리 박막이 형성된 평가용 웨이퍼를 2cmХ2cm 크기로 잘라 평가용 시편을 만들었다. 만들어진 평가용 시편을 상기 실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 6의 각각의 포토레지스트 박리액 조성물에 60℃의 온도로 2분간 침적한 후 1분간 초순수로 세정하고 질소로 건조한 뒤 육안확인 및 전자주사현미경으로 구리 금속막의 부식 여부를 확인하였다.
결과를 하기 표 4에 나타냈으며, 부식 정도의 평가 기준은 하기와 같다.
◎ : 부식이 관찰되지 않음
○ : 부식이 미량 관찰됨
X : 부식이 전체적으로 관찰됨
실험예 3. SnAg 금속막의 부식 정도 평가
웨이퍼 표면에 포토레지스트 패터닝 후 SnAg를 포토레지스트 이상의 두께(약 60㎛)로 도금하였다. 이후 포토레지스트를 제거하고 SnAg가 도금된 평가용 웨이퍼를 2cmХ2cm 크기로 잘라 평가용 시편을 만들었다. 만들어진 평가용 시편을 상기 실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 6의 각각의 포토레지스트 박리액 조성물에 60℃의 온도로 2분간 침적한 후 1분간 초순수로 세정하고 질소로 건조한 뒤 육안확인 및 전자주사현미경으로 SnAg 금속막의 부식 여부를 확인하였다.
결과를 하기 표 4에 나타냈으며, 부식 정도의 평가 기준은 하기와 같다.
◎ : 부식이 관찰되지 않음
○ : 부식이 미량 관찰됨
X : 부식이 전체적으로 관찰됨
포토레지스트 박리 Cu 부식 SnAg 부식
실시예 1 ◎ ◎ ◎
실시예 2 ◎ ◎ ◎
실시예 3 ○ ◎ ◎
실시예 4 ○ ○ ◎
실시예 5 ○ ◎ ◎
실시예 6 ○ ◎ ◎
실시예 7 ○ ○ ◎
실시예 8 ○ ◎ ◎
실시예 9 ○ ○ ◎
실시예 10 ◎ ○ ◎
실시예 11 ◎ ◎ ◎
실시예 12 △ ○ ◎
실시예 13 ◎ X ◎
비교예 1 ◎ ◎ ◎
비교예 2 ○ ○ ◎
비교예 3 X ○ ◎
비교예 4 X ○ ◎
비교예 5 X ○ ◎
비교예 6 ◎ X ◎
상기 표 4의 결과에서,
본 발명의 실시예 1 내지 11의 포토레지스트 박리액 조성물은 포토레지스트의 박리 성능이 우수하였으며, Cu 및 SnAg의 부식도 거의 발생하지 않았다.
비교예 1 및 2의 포토레지스트 박리액 조성물은 1가 알코올 대신에 각각 N-메틸피롤리돈 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 포함하는 것으로, 포토레지스트 박리 및 부식방지 성능이 우수할지라도 상기 N-메틸피롤리돈 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 포함함에 따라 인체 및 환경에 유해한 문제가 있어 바람직하지 못하였다.
비교예 3의 포토레지스트 박리액 조성물은 1가 알코올을 포함하지 않는 것이며, 비교예 4 및 5의 포토레지스트 박리액 조성물은 1가 알코올 대신에 각각 2가 알코올인 에틸렌 글리콜 및 3가 알코올인 글리세린을 포함하는 것으로, 부식 방지 성능은 우수하더라도 박리 성능이 불량한 결과를 보였다.
비교예 6의 포토레지스트 박리액 조성물은 2차 또는 3차 아민 대신에 1차 아민인 모노에탄올아민을 포함하는 것으로, 박리 성능 및 SnAg에 대한 부식 방지 성능은 우수하였지만, Cu에 대한 부식 방지 성능은 불량한 결과를 보였다.
한편, 실시예 12의 포토레지스트 박리액 조성물은 1가 알코올의 함량이 10 중량%를 초과하는 것으로, 부식 방지 성능은 우수하더라도 박리 성능이 불량한 결과를 보였다.
실시예 13의 포토레지스트 박리액 조성물은 2차 또는 3차 아민의 함량이 20 중량%를 초과하는 것으로, 박리 성능 및 SnAg에 대한 부식 방지 성능은 우수하였지만, Cu에 대한 부식 방지 성능은 불량한 결과를 보였다.
상기 결과를 통해, 본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 부식 방지 성능이 우수하며, 상기 N-메틸피롤리돈 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 포함하지 않고, 1가 알코올을 포함함에 따라 친환경적이며, 인체에 무해하며, 박리력이 우수한 한 것을 알 수 있었다.

Claims (8)

1가 알코올; 2차 또는 3차 아민; 및 극성 유기용매;를 포함하며,
N-메틸피롤리돈 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 포함하지 않는, 포토레지스트 박리액 조성물로서,
상기 1가 알코올은 메탄올, 에탄올 및 프로판올로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이며,
상기 2차 또는 3차 아민은 N-메틸에탄올아민, 모폴린, 메틸디에탄올아민 및 N,N-디메틸에탄올아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이며,
상기 극성 유기용매는 설폭사이드류, 글리콜에테르류, 술폰류, 설포란, 락톤류, 이미다졸리디논류 및 아마이드류로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이며,
상기 포토레지스트 박리액 조성물 총 중량에 대하여 1가 알코올은 1 내지 7 중량%로 포함되는, 포토레지스트 박리액 조성물.
제1항에 있어서,
상기 포토레지스트 박리액 조성물 총 중량에 대하여 2차 또는 3차 아민 1 내지 15 중량% 및 극성 유기용매 80 내지 98 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
삭제
삭제
삭제
제1항에 있어서,
상기 레지스트 박리액 조성물은 추가로 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
제6항에 있어서,
상기 첨가제는 부식 방지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
제7항에 있어서,
상기 부식 방지제는 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 카르복실릭벤조트리아졸, 1,2,3,4-테트라졸, 5-아미노 테트라졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 6-아미노퓨린, 아데닌, 자일리톨, 솔비톨, 피로갈롤, 카테콜, 글리콜산, 갈산, 글리옥시산, 살리실산, 아스코르브산, 1,4-싸이클로헥세인다이올, 메틸갈레이트 및 디에틸하이드록실아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
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