JPWO2022050149A5 - - Google Patents
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Description
ステップS107において、第1の学習データ作成部54は、ステップS105において得られた基板10の表面の温度差分布データの特徴量と、ステップS106において得られた基板10のはんだ付けの良否のラベル(正解)とのセットを第1の学習データ記憶部71内の第1の学習データに追加する。
ステップS214において、第2の推定部42は、制御パラメータが修正された後設定された時間経過後の基板10の表面の温度差分布データの各位置の温度差が、許容温度差分布記憶部73内の許容温度差分布データの各位置の温度差以下のときには、基板10の表面の温度差分布データが許容範囲内と判断する。第2の推定部42は、制御パラメータが修正された後設定された時間経過後の基板10の表面の温度差分布データの各位置の温度差が、許容温度差分布データの各位置の温度差を越えるときには、基板10の表面の温度差分布データが許容範囲外と判断する。基板10の表面の温度差分布データが許容範囲内のときには、処理がステップS216に進み、許容範囲外のときには、処理がステップS215に進む。
ステップS315において、第2の学習データ作成部64は、制御パラメータが修正された後設定された時間経過後の基板10の表面の温度差分布データの各位置の温度差が、許容温度差分布記憶部73内の許容温度差分布データの各位置の温度差以下のときには、基板10の表面の温度差分布データが許容範囲内と判断する。第2の学習データ作成部64は、制御パラメータが修正された後設定された時間経過後の基板10の表面の温度差分布データの各位置の温度差が、許容温度差分布データの各位置の温度差を越えるときには、基板10の表面の温度差分布データが許容範囲外と判断する。基板10の表面の温度差分布データが許容範囲内のときには、処理がステップS317に進み、許容範囲外のときには、処理がステップS316に進む。
赤外線カメラ7の光軸Kの方向は、搬送される基板10の面に対して垂直となるように赤外線カメラ7が配置される。すなわち、赤外線カメラ7の光軸Kの方向は、水平方向から、90°―(5±1)°だけ相違する方向である。
破線が、基板10と溶融はんだとの接触時間が短い場合の基板10の表面の温度変化を表わす時刻t2において、基板10が溶融はんだから離脱する。
Claims (12)
- 基板にフラックスを塗布するフラックス塗布機と、
前記基板を予熱するプリヒータと、
溶融はんだを貯留するはんだ槽と、
前記はんだ槽内のはんだを溶融させるはんだ槽ヒータと、
前記基板に向けて前記はんだ槽内の前記溶融はんだを噴流する噴流ノズルと、
前記フラックス塗布機の上方、前記プリヒータの上方、および前記はんだ槽の上方に前記基板を順次搬送する搬送機構と、
前記噴流ノズルの上方に配置された温度測定装置と、を備え、
前記温度測定装置は、前記噴流ノズルから噴流された溶融はんだから前記基板が離脱した後の前記基板の上面の温度を測定する、はんだ付けシステム。 - 前記搬送機構によって、前記基板は、水平方向と一定の角度だけ相違する方向に搬送され、
前記温度測定装置は、赤外線カメラを含み、
前記赤外線カメラの光軸の方向が、前記基板の面に対して垂直となるように前記赤外線カメラが配置されている、請求項1記載のはんだ付けシステム。 - 前記はんだ付けシステムの外装には、穴が形成され、
前記赤外線カメラは、前記はんだ付けシステムの外装の外側の前記穴の部分に配置される、請求項2に記載のはんだ付けシステム。 - 前記赤外線カメラは、前記赤外線カメラのレンズを保護するための保護窓を含む、請求項2に記載のはんだ付けシステム。
- 前記赤外線カメラは、前記赤外線カメラの光軸の向きを変更することが可能な首振り機構を含む、請求項2に記載のはんだ付けシステム。
- 基板の温度分布を表わすデータから基板のはんだ付けの良否を推定する第1の学習済みモデルを記憶する第1の記憶部と、
前記温度測定装置によって測定された温度に基づいて前記搬送機構によって搬送された基板の温度分布を表わすデータを生成し、前記第1の記憶部に記憶されている前記第1の学習済みモデルを用いて、前記生成された前記基板の温度分布を表わすデータから、前記搬送機構によって搬送された基板のはんだ付けの良否を推定する第1の推論装置と、をさらに備える請求項1~5のいずれか1項に記載のはんだ付けシステム。 - はんだ付けシステムであって、
基板にフラックスを塗布するフラックス塗布機と、
前記基板を予熱するプリヒータと、
溶融はんだを貯留するはんだ槽と、
前記はんだ槽内のはんだを溶融させるはんだ槽ヒータと、
前記基板に向けて前記はんだ槽内の前記溶融はんだを噴流する噴流ノズルと、
前記フラックス塗布機の上方、前記プリヒータの上方、および前記はんだ槽の上方に前記基板を順次搬送する搬送機構と、
前記噴流ノズルの上方に配置された温度測定装置と、
制御パラメータに基づいて、前記はんだ付けシステムを制御する駆動制御部と、
前記制御パラメータが標準値のときの基板の温度分布を表わすデータから前記制御パラメータの修正量を推定する第2の学習済みモデルを記憶する第2の記憶部と、
前記制御パラメータが標準値のときに前記温度測定装置によって測定された温度から前記搬送機構によって搬送された基板の温度分布を表わすデータを取得し、前記第2の記憶部に記憶されている前記第2の学習済みモデルを用いて、前記取得された前記基板の温度分布を表わすデータから、制御パラメータの修正量を推定する第2の推論装置と、を備える、はんだ付けシステム。 - 制御パラメータに基づいて、前記はんだ付けシステムを制御する駆動制御部と、
前記制御パラメータが標準値のときの基板の温度分布を表わすデータと、前記制御パラメータの修正量とから前記制御パラメータが修正された後の設定時間経過後の基板の温度分布を表わすデータを推定する第2の学習済みモデルを記憶する第2の記憶部と、
前記制御パラメータが標準値のときに前記温度測定装置によって測定された温度から前記搬送機構によって搬送された基板の温度分布を表わすデータを取得し、前記制御パラメータの修正量を生成し、
前記第2の記憶部に記憶されている前記第2の学習済みモデルを用いて、前記取得された基板の温度分布を表わすデータと、前記生成された制御パラメータの修正量とから、前記制御パラメータが修正された後の設定時間経過後の基板の温度分布を表わすデータを推定する第2の推論装置とを、さらに備える請求項1~5のいずれか1項に記載のはんだ付けシステム。 - 前記搬送機構によって搬送された基板の温度分布を表わすデータと、はんだ付け検査装置による検査結果を表わす前記搬送機構によって搬送された基板のはんだ付けの良否を表わすデータとのセットを複数個含む第1の学習データを記憶する第1の学習データ記憶部と、
前記第1の学習データを用いて、基板の温度分布を表わすデータから基板のはんだ付けの良否を推定する第1の学習済みモデルを生成する第1の学習装置と、をさらに備える請求項1~5のいずれか1項に記載のはんだ付けシステム。 - はんだ付けシステムであって、
基板にフラックスを塗布するフラックス塗布機と、
前記基板を予熱するプリヒータと、
溶融はんだを貯留するはんだ槽と、
前記はんだ槽内のはんだを溶融させるはんだ槽ヒータと、
前記基板に向けて前記はんだ槽内の前記溶融はんだを噴流する噴流ノズルと、
前記フラックス塗布機の上方、前記プリヒータの上方、および前記はんだ槽の上方に前記基板を順次搬送する搬送機構と、
前記噴流ノズルの上方に配置された温度測定装置と、
制御パラメータに基づいて、前記はんだ付けシステムを制御する駆動制御部と、
前記制御パラメータが標準値のときの前記搬送機構によって搬送された基板の温度分布を表わすデータと、シミュレーションによって求めた前記搬送機構によって搬送された基板の温度分布が許容範囲となるような前記制御パラメータの修正量とのセットを複数個含む第2の学習データを記憶する第2の学習データ記憶部と、
前記第2の学習データを用いて、前記制御パラメータが標準値のときの基板の温度分布を表わすデータから前記制御パラメータの修正量を推定する第2の学習済みモデルを生成する第2の学習装置と、を備える、はんだ付けシステム。 - 制御パラメータに基づいて、前記はんだ付けシステムを制御する駆動制御部と、
前記制御パラメータが標準値のときの前記搬送機構によって搬送された基板の温度分布を表わすデータと、制御パラメータの修正量と、シミュレーションによって求めた前記制御パラメータが前記修正量だけ修正された後の設定時間経過後の前記搬送機構によって搬送された基板の温度分布を表わすデータとのセットを複数個含む第2の学習データを記憶する第2の学習データ記憶部と、
前記第2の学習データを用いて、前記制御パラメータが標準値のときの基板の温度分布を表わすデータと、前記制御パラメータの修正量とから前記制御パラメータが修正された後の設定時間経過後の基板の温度分布を表わすデータを推定する第2の学習済みモデルを生成する第2の学習装置と、をさらに備える請求項1~5のいずれか1項に記載のはんだ付けシステム。 - 前記基板の温度分布を表わすデータは、前記温度測定装置によって測定された基板の複数位置の温度と、前記基板の複数位置の目標温度との差分を表わす温度差分布データの特徴量である、請求項6~11のいずれか1項に記載のはんだ付けシステム。
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