JPWO2021242654A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2021242654A5
JPWO2021242654A5 JP2022572678A JP2022572678A JPWO2021242654A5 JP WO2021242654 A5 JPWO2021242654 A5 JP WO2021242654A5 JP 2022572678 A JP2022572678 A JP 2022572678A JP 2022572678 A JP2022572678 A JP 2022572678A JP WO2021242654 A5 JPWO2021242654 A5 JP WO2021242654A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
illumination
metrology
specimen
target
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022572678A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023527995A (ja
Publication date
Priority claimed from US17/069,177 external-priority patent/US11512948B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2023527995A publication Critical patent/JP2023527995A/ja
Publication of JPWO2021242654A5 publication Critical patent/JPWO2021242654A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (52)

  1. 計量システムであって、
    対物レンズから集光された光をもとに、標本内に埋め込まれている計量ターゲットを検出器上に結像させるよう構成されている撮像サブシステムであり、前記標本が、第1基板とその第1基板に対しある界面にて接合された第2基板とで形成されていて、前記標本が更に前記計量ターゲットを有しその計量ターゲットが前記界面に所在しており、前記計量ターゲットが、前記第1基板上にある第1ターゲット構造と前記第2基板上にある第2ターゲット構造とを有するものである撮像サブシステムと、
    照明サブシステムであり、
    照明源、
    前記対物レンズを介し前記照明源からもたらされる照明で以て前記計量ターゲットを照明するよう構成されている1個又は複数個の照明光学系、
    前記計量ターゲットに対し共役な視野面に所在する照明視野絞りであり、視野絞りアパーチャを有する照明視野絞りであり、前記計量ターゲットに対応する計測面上での前記視野絞りアパーチャの投射サイズがその計測面における前記検出器の視野と整合するよう前記視野絞りアパーチャのサイズ及び形状のうち少なくとも一方が選定されている照明視野絞り、並びに
    瞳面に所在する照明瞳であり、前記瞳面の中央に中央掩蔽器がある照明瞳であり、前記中央掩蔽器のサイズ及び形状のうち少なくとも一方が、遮断角より大きな角度で以て前記計量ターゲットの斜め照明が行われるよう選定されていて、前記遮断角が、前記標本の上面及び下面のうち少なくとも一方における前記照明源からの前記照明の反射が前記検出器に到達することを妨げるべく、前記計測面における前記検出器の前記視野のサイズ、前記第1基板の厚み並びに前記第2基板の厚みのうち少なくとも一つに基づき選定されている照明瞳、
    を備える照明サブシステムと、
    前記検出器に可通信結合されたコントローラであり、プログラム命令を実行するよう構成された1個又は複数個のプロセッサを有し、それらプログラム命令に従い、その1個又は複数個のプロセッサが、
    前記標本から前記計量ターゲットの画像を1枚又は複数枚受け取り、且つ
    前記1枚又は複数枚の画像に基づき前記標本の計量計測結果を1個又は複数個生成する、
    コントローラと、
    を備える計量システム。
  2. 請求項1に記載の計量システムであって、更に、
    前記コントローラに可通信結合された並進ステージを有する標本位置決めサブシステムを備え、プログラム命令を実行するよう構成された前記1個又は複数個のプロセッサが更に、それらプログラム命令に従い、
    前記標本位置決めサブシステムから標本位置決めデータを受け取り、且つ
    1個又は複数個の制御信号を通じ前記並進ステージに指令して、前記計量ターゲットの前記1枚又は複数枚の画像を受け取るのに先立ち前記計測面に対しその計量ターゲットを整列させる、
    計量システム。
  3. 請求項2に記載の計量システムであって、前記標本位置決めサブシステムが更に、
    干渉計及び視差位置決めサブシステムのうち少なくとも一方を備える計量システム。
  4. 請求項2に記載の計量システムであって、前記標本位置決めサブシステムが更に、
    前記照明源からの標本位置決め照明を計測アームと参照アームとに分かつよう構成されているビームスプリッタであり、前記計測アームが前記対物レンズを有していてその対物レンズが前記標本位置決め照明を前記標本に差し向けるよう構成されており、前記参照アームが参照対物レンズを有していてその参照対物レンズが前記標本位置決め照明を参照標本に差し向けるよう構成されているビームスプリッタと、
    前記計測アームにおける前記参照アームからの光との光干渉に係る光を、前記ビームスプリッタから受光するよう構成されているフォトダイオードであり、前記標本位置決めデータを生成するフォトダイオードと、
    を備える計量システム。
  5. 請求項4に記載の計量システムであって、前記標本位置決め照明が前記照明源からの前記照明を含んでいる計量システム。
  6. 請求項4に記載の計量システムであって、前記標本位置決め照明が付加的照明源からの前記照明を含んでいる計量システム。
  7. 請求項4に記載の計量システムであって、前記標本位置決めデータが、前記並進ステージにより前記対物レンズの光軸に沿い前記標本が並進される際に生じた干渉信号を含んでいる計量システム。
  8. 請求項7に記載の計量システムであって、前記計量ターゲットの所在個所を、前記干渉信号のピークの位置に基づき判別可能な計量システム。
  9. 請求項4に記載の計量システムであって、前記参照標本が1枚又は複数枚の参照基板で形成されたものである計量システム。
  10. 請求項9に記載の計量システムであって、前記参照標本が更に、
    背面と2枚の参照基板間の界面とのうち少なくとも一方の上に、反射層を備えるものである計量システム。
  11. 請求項1に記載の計量システムであって、前記1個又は複数個の計量計測結果のうち少なくとも1個が、
    前記第1基板・前記第2基板間のオーバレイ計測結果を含んでいる計量システム。
  12. 請求項11に記載の計量システムであって、前記計量ターゲットが、AIMターゲット、rAIMターゲット、AIMidターゲット、及びBiBターゲットの少なくとも1つを備える、計量システム。
  13. 請求項12に記載の計量システムであって、前記照明源からの前記照明は、1個又は複数個の赤外スペクトル域内波長を含む照明を含む、計量システム。
  14. 請求項1に記載の計量システムであって、前記遮断角が更に、前記標本の外面からの反射が前記検出器に到達することを妨げるべく選定されている計量システム。
  15. 請求項1に記載の計量システムであって、前記視野絞りアパーチャが半径rの円状であり、前記照明瞳の前記中央掩蔽器が、前記照明源からの照明を阻止するようサイズ設定されていてその数値開口がn・sin(atan(r/W))・(1-k)より小さいものであり、但しnが前記第1基板の屈折率、rが前記計測面上における前記視野絞りアパーチャの前記投射サイズ、kが公差因数である計量システム。
  16. 請求項1に記載の計量システムであって、前記計量ターゲットに対応する前記計測面上での前記視野絞りアパーチャの前記投射サイズをその計測面における前記検出器の前記視野と整合させることで、前記照明源からの照明の反射が前記標本の前記上面で反射されること並びに前記検出器により捕捉されることを妨げる計量システム。
  17. 請求項1に記載の計量システムであって、前記計量ターゲットに対応する前記計測面上での前記視野絞りアパーチャの前記投射サイズをその計測面における前記検出器の前記視野と整合させることで、前記照明源からの照明の反射が前記標本の前記下面で反射されること並びに前記計測面における前記検出器の前記視野内を通り伝搬することを妨げる計量システム。
  18. 請求項1に記載の計量システムであって、前記検出器が、既知アスペクト比を呈する長方形のセンサを有していて、その既知アスペクト比を呈する長方形状となるよう前記視野絞りアパーチャの前記形状が選定されている計量システム。
  19. 請求項18に記載の計量システムであって、前記視野絞りアパーチャの第1方向沿いサイズdX,fがdX,f=a・(Magill/Magcoll)・l(1+k)となるよう選定されており、但しaが前記検出器内にありサイズlを有する正方形画素の前記第1方向沿い個数、Magillが前記照明サブシステムの倍率、Magcollが集光サブシステムの倍率、kが公差因数であり、前記視野絞りアパーチャの第2方向沿いサイズdY,fがdY,f=b・(Magill/Magcoll)・l(1+k)となるよう選定されており、但しbが前記検出器内にありサイズlを有する正方形画素の前記第2方向沿い個数である計量システム。
  20. 請求項19に記載の計量システムであって、kが0~0.05の範囲内にある計量システム。
  21. 請求項1に記載の計量システムであって、前記検出器が、既知アスペクト比を呈する長方形のセンサを有していて、円状となるよう前記視野絞りアパーチャの前記形状が選定されており、前記計測面上における前記視野絞りアパーチャの前記投射サイズがその計測面における前記検出器の前記視野内に包摂されている計量システム。
  22. 請求項21に記載の計量システムであって、前記検出器のサイズがサイズlの正方形画素(n×m)個のサイズであり、前記視野絞りアパーチャの半径がr=(n+m1/2・(Magill/Magcoll)・(l/2)・(1+k)であり、但しMagillが前記照明サブシステムの倍率、Magcollが集光サブシステムの倍率、kが公差因数である計量システム。
  23. 請求項22に記載の計量システムであって、kが0~0.3の範囲内にある計量システム。
  24. 請求項1に記載の計量システムであって、前記第1基板及び前記第2基板のうち少なくとも一方が、775μm、750μm、600μm、300μm及び100μmのうち少なくとも一通りの厚みを有するものである計量システム。
  25. 請求項1に記載の計量システムであって、前記第1基板及び前記第2基板のうち少なくとも一方が、
    半導体ウェハを備えるものである計量システム。
  26. 計量システムであって、
    対物レンズから集光された光をもとに、標本内に埋め込まれている計量ターゲットを検出器上に結像させるよう構成されている撮像サブシステムであり、前記標本が、第1基板とその第1基板に対しある界面にて接合された第2基板とで形成されていて、前記標本が更に前記計量ターゲットを有しその計量ターゲットが前記界面に所在しており、前記計量ターゲットが、前記第1基板上にある第1ターゲット構造と前記第2基板上にある第2ターゲット構造とを有するものである撮像サブシステムと、
    前記検出器の計測面にて前記計量ターゲットを位置決めする並進ステージを有する標本位置決めサブシステムと、
    照明サブシステムであり、
    照明源、
    前記対物レンズを介し前記照明源からもたらされる照明で以て前記計量ターゲットを照明するよう構成されている1個又は複数個の照明光学系、並びに
    瞳面に所在する瞳絞りであり、前記瞳面の中央に中央掩蔽器がある瞳絞りであり、前記中央掩蔽器のサイズ及び形状のうち少なくとも一方が、遮断角より大きな角度で以て前記計量ターゲットの斜め照明が行われるよう選定されていて、前記遮断角が、前記標本の上面及び下面のうち少なくとも一方における前記照明源からの前記照明の反射が前記検出器に到達することを妨げるべく、前記計測面における前記検出器の視野のサイズ、前記第1基板の厚み並びに前記第2基板の厚みのうち少なくとも一つに基づき選定されている瞳絞り、
    を備える照明サブシステムと、
    前記検出器に可通信結合されたコントローラであり、プログラム命令を実行するよう構成された1個又は複数個のプロセッサを有し、それらプログラム命令に従い、その1個又は複数個のプロセッサが、
    前記標本から前記計量ターゲットの画像を1枚又は複数枚受け取り、且つ
    前記1枚又は複数枚の画像に基づき前記標本の計量計測結果を1個又は複数個生成する、
    コントローラと、
    を備える計量システム。
  27. 請求項26に記載の計量システムであって、前記標本位置決めサブシステムが更に、
    前記照明源からの標本位置決め照明を計測アームと参照アームとに分かつよう構成されているビームスプリッタであり、前記計測アームが前記対物レンズを有していてその対物レンズが前記標本位置決め照明を前記標本に差し向けるよう構成されており、前記参照アームが参照対物レンズを有していてその参照対物レンズが前記標本位置決め照明を参照標本に差し向けるよう構成されているビームスプリッタと、
    前記計測アームにおける前記参照アームからの光との光干渉に係る光を、前記ビームスプリッタから受光するよう構成されているフォトダイオードであり、標本位置決めデータを生成するフォトダイオードと、
    を備える計量システム。
  28. 請求項27に記載の計量システムであって、前記標本位置決め照明が前記照明源からの前記照明を含んでいる計量システム。
  29. 請求項27に記載の計量システムであって、前記標本位置決め照明が付加的照明源からの前記照明を含んでいる計量システム。
  30. 請求項27に記載の計量システムであって、前記参照標本が1枚又は複数枚の参照基板で形成されたものである計量システム。
  31. 請求項30に記載の計量システムであって、前記参照標本が更に、
    背面と2枚の参照基板間の界面とのうち少なくとも一方の上に、反射層を備えるものである計量システム。
  32. 請求項26に記載の計量システムであって、前記遮断角が更に、前記標本の外面からの反射が前記検出器に到達することを妨げるべく選定されている計量システム。
  33. 請求項26に記載の計量システムであって、前記1個又は複数個の計量計測結果のうち少なくとも1個が、
    前記第1基板・前記第2基板間のオーバレイ計測結果を含んでいる計量システム。
  34. 請求項33に記載の計量システムであって、前記計量ターゲットが、AIMターゲット、rAIMターゲット、AIMidターゲット、及びBiBターゲットの少なくとも1つを備える、計量システム。
  35. 請求項34に記載の計量システムであって、前記照明源からの前記照明は、1個又は複数個の赤外スペクトル域内波長を含む照明を含む、計量システム。
  36. 請求項26に記載の計量システムであって、前記第1基板及び前記第2基板のうち少なくとも一方が、775μm、750μm、600μm、300μm及び100μmのうち少なくとも一通りの厚みを有するものである計量システム。
  37. 請求項26に記載の計量システムであって、前記第1基板及び前記第2基板のうち少なくとも一方が、
    半導体ウェハを備えるものである計量システム。
  38. 計量システムであって、
    対物レンズから集光された光をもとに、標本内に埋め込まれている計量ターゲットを検出器上に結像させるよう構成されている撮像サブシステムであり、前記標本が、第1基板とその第1基板に対しある界面にて接合された第2基板とで形成されていて、前記標本が更に前記計量ターゲットを有しその計量ターゲットが前記界面に所在しており、前記計量ターゲットが、前記第1基板上にある第1ターゲット構造と前記第2基板上にある第2ターゲット構造とを有するものである撮像サブシステムと、
    前記検出器の計測面にて前記計量ターゲットを位置決めする並進ステージを有する標本位置決めサブシステムと、
    照明サブシステムであり、
    照明源、
    前記対物レンズを介し前記照明源からもたらされる照明で以て前記計量ターゲットを照明するよう構成されている1個又は複数個の照明光学系、並びに
    前記計量ターゲットに対し共役な視野面に所在する照明視野絞りであり、視野絞りアパーチャを有する照明視野絞りであり、前記計量ターゲットに対応する前記計測面上での前記視野絞りアパーチャの投射サイズがその計測面における前記検出器の視野と整合するよう前記視野絞りアパーチャのサイズ及び形状のうち少なくとも一方が選定されている照明視野絞り、
    を備える照明サブシステムと、
    前記検出器に可通信結合されたコントローラであり、プログラム命令を実行するよう構成された1個又は複数個のプロセッサを有し、それらプログラム命令に従い、その1個又は複数個のプロセッサが、
    前記標本から前記計量ターゲットの画像を1枚又は複数枚受け取り、且つ
    前記1枚又は複数枚の画像に基づき前記標本の計量計測結果を1個又は複数個生成する、
    コントローラと、
    を備える計量システム。
  39. 請求項38に記載の計量システムであって、前記標本位置決めサブシステムが更に、
    前記照明源からの標本位置決め照明を計測アームと参照アームとに分かつよう構成されているビームスプリッタであり、前記計測アームが前記対物レンズを有していてその対物レンズが前記標本位置決め照明を前記標本に差し向けるよう構成されており、前記参照アームが参照対物レンズを有していてその参照対物レンズが前記標本位置決め照明を参照標本に差し向けるよう構成されているビームスプリッタと、
    前記計測アームにおける前記参照アームからの光との光干渉に係る光を、前記ビームスプリッタから受光するよう構成されているフォトダイオードであり、標本位置決めデータを生成するフォトダイオードと、
    を備える計量システム。
  40. 請求項39に記載の計量システムであって、前記標本位置決め照明が前記照明源からの前記照明を含んでいる計量システム。
  41. 請求項39に記載の計量システムであって、前記標本位置決め照明が付加的照明源からの前記照明を含んでいる計量システム。
  42. 請求項39に記載の計量システムであって、前記参照標本が1枚又は複数枚の参照基板で形成されたものである計量システム。
  43. 請求項42に記載の計量システムであって、前記参照標本が更に、
    背面と2枚の参照基板間の界面とのうち少なくとも一方の上に、反射層を備えるものである計量システム。
  44. 請求項38に記載の計量システムであって、前記1個又は複数個の計量計測結果のうち少なくとも1個が、
    前記第1基板・前記第2基板間のオーバレイ計測結果を含んでいる計量システム。
  45. 請求項44に記載の計量方法であって、前記計量ターゲットが、AIMターゲット、rAIMターゲット、AIMidターゲット、及びBiBターゲットの少なくとも1つを備える、計量方法。
  46. 請求項45に記載の計量システムであって、前記照明源からの前記照明は、1個又は複数個の赤外スペクトル域内波長を含む照明を含む、計量システム。
  47. 請求項38に記載の計量システムであって、前記第1基板及び前記第2基板のうち少なくとも一方が、775μm、750μm、600μm、300μm及び100μmのうち少なくとも一通りの厚みを有するものである計量システム。
  48. 請求項38に記載の計量システムであって、前記第1基板及び前記第2基板のうち少なくとも一方が、
    半導体ウェハを備えるものである計量システム。
  49. 計量方法であって、
    照明サブシステムで以て標本上の計量ターゲットを照明し、但し前記標本が、第1基板とその第1基板に対しある界面にて接合された第2基板とで形成されていて、前記標本が更に、前記界面に所在する計量ターゲットを有しており、前記計量ターゲットが、前記第1基板上にある第1ターゲット構造と前記第2基板上にある第2ターゲット構造とを有しており、前記照明サブシステムが、
    照明源と、
    前記照明源からの照明で以て前記計量ターゲットを照明するよう構成されている1個又は複数個の照明光学系と、
    前記計量ターゲットに対し共役な視野面に所在する照明視野絞りであり、視野絞りアパーチャを有する照明視野絞りであり、前記計量ターゲットに対応する計測面上での前記視野絞りアパーチャの投射サイズがその計測面における撮像型検出器の視野と整合するよう前記視野絞りアパーチャのサイズ及び形状のうち少なくとも一方が選定されている照明視野絞りと、
    瞳面に所在する照明瞳であり、前記瞳面の中央に中央掩蔽器がある照明瞳であり、前記中央掩蔽器のサイズ及び形状のうち少なくとも一方が、遮断角より大きな角度で以て前記計量ターゲットの斜め照明が行われるよう選定されていて、前記遮断角が、前記標本の上面及び下面のうち少なくとも一方における前記照明源からの前記照明の反射が前記検出器に到達することを妨げるべく、前記計測面における前記検出器の視野のサイズ、前記第1基板の厚み並びに前記第2基板の厚みのうち少なくとも一つに基づき選定されている照明瞳と、
    を備える計量方法であり、
    前記撮像型検出器上で前記計量ターゲットの画像を1枚又は複数枚生成し、
    前記1枚又は複数枚の画像に基づき前記標本の計量計測結果を1個又は複数個生成する、
    計量方法。
  50. 請求項49に記載の計量方法であって、前記1枚又は複数枚の画像に基づき前記標本の計量計測結果を1個又は複数個生成する際に、
    前記1枚又は複数枚の画像に基づき前記第1基板・前記第2基板間のオーバレイ計測結果を生成する計量方法。
  51. 請求項50に記載の計量システムであって、前記計量ターゲットが、
    AIMターゲット、rAIMターゲット、AIMidターゲット及びBiBターゲットのうち少なくとも一つを備えるものである計量システム。
  52. 請求項51に記載の計量方法であって、前記照明サブシステムで以て前記標本上の前記計量ターゲットを照明する際に、
    前記照明サブシステムからの照明であり1個又は複数個の赤外スペクトル域内波長を含む照明で以て、前記標本上の前記計量ターゲットを照明する計量方法。
JP2022572678A 2020-05-26 2021-05-24 埋込計量ターゲット用撮像システム Pending JP2023527995A (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063029741P 2020-05-26 2020-05-26
US63/029,741 2020-05-26
US17/069,177 US11512948B2 (en) 2020-05-26 2020-10-13 Imaging system for buried metrology targets
US17/069,177 2020-10-13
PCT/US2021/033805 WO2021242654A1 (en) 2020-05-26 2021-05-24 Imaging system for buried metrology targets

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023527995A JP2023527995A (ja) 2023-07-03
JPWO2021242654A5 true JPWO2021242654A5 (ja) 2024-04-03

Family

ID=78705971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022572678A Pending JP2023527995A (ja) 2020-05-26 2021-05-24 埋込計量ターゲット用撮像システム

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11512948B2 (ja)
EP (1) EP4115142A4 (ja)
JP (1) JP2023527995A (ja)
KR (1) KR20230014710A (ja)
CN (1) CN115552195B (ja)
TW (1) TW202212767A (ja)
WO (1) WO2021242654A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230236113A1 (en) * 2022-01-25 2023-07-27 Kla Corporation Annular apodizer for small target overlay measurement
US20240159585A1 (en) * 2022-11-14 2024-05-16 Kla Corporation Single grab overlay measurement of tall targets

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5608526A (en) 1995-01-19 1997-03-04 Tencor Instruments Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system
US5859424A (en) 1997-04-08 1999-01-12 Kla-Tencor Corporation Apodizing filter system useful for reducing spot size in optical measurements and other applications
JP4909480B2 (ja) * 1999-09-16 2012-04-04 エムケーエス インストゥルメンツ インコーポレーテッド 層および表面特性の光学測定方法およびその装置
US6429943B1 (en) 2000-03-29 2002-08-06 Therma-Wave, Inc. Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements
US6650422B2 (en) * 2001-03-26 2003-11-18 Advanced Micro Devices, Inc. Scatterometry techniques to ascertain asymmetry profile of features and generate a feedback or feedforward process control data associated therewith
US7206125B2 (en) * 2003-11-10 2007-04-17 Therma-Wave, Inc. Infrared blocking filter for broadband Optical metrology
CN2729694Y (zh) * 2004-07-30 2005-09-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 光散射式尘埃粒子测量仪的光学装置
US7478019B2 (en) 2005-01-26 2009-01-13 Kla-Tencor Corporation Multiple tool and structure analysis
US7567351B2 (en) 2006-02-02 2009-07-28 Kla-Tencor Corporation High resolution monitoring of CD variations
US7889355B2 (en) 2007-01-31 2011-02-15 Zygo Corporation Interferometry for lateral metrology
US8299584B2 (en) * 2010-03-08 2012-10-30 International Business Machines Corporation Alignment of wafers for 3D integration
US8456639B2 (en) * 2011-07-01 2013-06-04 Kla-Tencor Corporation Measurement of critical dimension
US8723115B2 (en) * 2012-03-27 2014-05-13 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for detecting buried defects
CN105051485B (zh) * 2013-01-23 2018-05-04 鲁道夫科技公司 表征tsv微制造过程及其产品
WO2015086285A1 (en) * 2013-12-13 2015-06-18 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and methods, lithographic system and device manufacturing method
US9599573B2 (en) * 2014-12-02 2017-03-21 Kla-Tencor Corporation Inspection systems and techniques with enhanced detection
US9915524B2 (en) * 2015-05-11 2018-03-13 Kla-Tencor Corporation Optical metrology with small illumination spot size
US10670975B2 (en) * 2015-12-17 2020-06-02 Asml Netherlands B.V. Adjustment of a metrology apparatus or a measurement thereby based on a characteristic of a target measured
US10887580B2 (en) * 2016-10-07 2021-01-05 Kla-Tencor Corporation Three-dimensional imaging for semiconductor wafer inspection
EP3309616A1 (en) 2016-10-14 2018-04-18 ASML Netherlands B.V. Method of inspecting a substrate, metrology apparatus, and lithographic system
US10496781B2 (en) 2016-12-19 2019-12-03 Kla Tencor Corporation Metrology recipe generation using predicted metrology images
US10347460B2 (en) * 2017-03-01 2019-07-09 Dongfang Jingyuan Electron Limited Patterned substrate imaging using multiple electron beams
US10444639B2 (en) 2017-03-01 2019-10-15 Kla-Tencor Corporation Layer-to-layer feedforward overlay control with alignment corrections
US10401738B2 (en) 2017-08-02 2019-09-03 Kla-Tencor Corporation Overlay metrology using multiple parameter configurations
US11309202B2 (en) * 2020-01-30 2022-04-19 Kla Corporation Overlay metrology on bonded wafers

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3204406B2 (ja) 面位置検出方法及び装置、半導体露光装置、並びに前記方法を用いた露光方法
CN102087483B (zh) 一种用于投影光刻中焦面检测的光学系统
JP2004531062A (ja) 裏側アライメントシステム及び方法
NL8401710A (nl) Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
JPH1152224A (ja) 自動焦点検出方法およびその装置並びに検査装置
JP3544986B2 (ja) オンアクシス型マスクおよびウェーハ位置合わせ装置
JP2010121960A (ja) 測定装置及び被検物の測定方法
JPH0718699B2 (ja) 表面変位検出装置
JPH02161332A (ja) 曲率半径測定装置及び方法
JP2023527995A (ja) 埋込計量ターゲット用撮像システム
TW201719784A (zh) 使用用於半導體檢查及度量之差分偵測技術而改善高度感測器之橫向解析度之方法
JP2006105835A (ja) 形状測定方法及び形状測定装置
JP2009198205A (ja) 干渉計
TWI358529B (en) Shape measuring apparatus, shape measuring method,
JPWO2021242654A5 (ja)
JP6142996B2 (ja) ビア形状測定装置及びビア検査装置
JP2983673B2 (ja) 曲率半径測定方法および装置
JP3688560B2 (ja) 光学式測定装置
TWM629084U (zh) 自動對焦及取像系統、顯微鏡
JP4596801B2 (ja) マスク欠陥検査装置
JPH05340869A (ja) 薄膜測定器
JPS6313446Y2 (ja)
KR102547513B1 (ko) 광학 검사 장치
TWI813173B (zh) 自動對焦及取像系統及其方法、顯微鏡
US6081335A (en) Phase difference measuring device with visible light source for providing easy alignment of optical axes and method therefor