JP2010121960A - 測定装置及び被検物の測定方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 被検物の表面の高さや形状を高精度に測定する。
【解決手段】 第1の微小開口を通過した照明光を被検物に向けて照射させ、被検物からの反射光を得る共焦点光学系と、第2の微小開口を通過する反射光を検出する光検出部と、反射光における波面収差を検出する収差検出部と、被検物に対する共焦点光学系の焦点位置を光軸方向に変位させる変位部と、変位部により共焦点光学系の位置焦点を複数変位させたときに得られる反射光の強度と波面収差とに基づいて、被検物の表面形状を計測する計測部と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 第1の微小開口を通過した照明光を被検物に向けて照射させ、被検物からの反射光を得る共焦点光学系と、第2の微小開口を通過する反射光を検出する光検出部と、反射光における波面収差を検出する収差検出部と、被検物に対する共焦点光学系の焦点位置を光軸方向に変位させる変位部と、変位部により共焦点光学系の位置焦点を複数変位させたときに得られる反射光の強度と波面収差とに基づいて、被検物の表面形状を計測する計測部と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、被検物の表面形状などを測定する測定装置及び被検物の測定方法に関する。
従来、半導体ウェハ基板や、集積素子などの微細パターンの検査や測定などに用いる測定装置として、共焦点顕微鏡が挙げられる。この共焦点顕微鏡は、共焦点用微小開口(共焦点ピンポール)を通過した照明光を被検物に照射し、被検物の表面で反射した反射光を再び共焦点用ピンホールを通過させて、該共焦点用ピンホールを通過した反射光を検出することで測定を行う。共焦点顕微鏡を用いて被検物を測定するときには、共焦点光学系又は被検物のいずれか一方を、その光軸方向に所定量移動させた後、移動した各位置で反射光をそれぞれ検出する。検出される反射光は、共焦点光学系の焦点位置に被検物の表面が位置したときに光強度が最大となることから、反射光の光強度が最大となるときの共焦点光学系又は被検物の移動量、言い換えれば被検物に対する共焦点光学系の焦点位置の変位量を求めることで、被検物の表面の高さや形状を測定することが可能となる。
特開2008−46361号公報
しかしながら、共焦点光学系又は被検物の移動量によっては、移動前の位置と、移動後の位置との間に反射光の光強度が最大となる位置が存在する場合があることから、反射光の光強度が最大となるときの共焦点光学系又は被検物の移動量から被検物の表面の高さや被検物の形状を求めるだけでは、被検物の高さや形状を高精度に測定できていないのが現状である。
本発明は、被検物の表面の高さや形状を高精度に測定することができるようにした測定装置及び被検物の測定方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するために、本発明を例示する測定装置の一態様は、第1の微小開口を通過した照明光を被検物に向けて照射させ、前記被検物からの反射光を得る共焦点光学系と、第2の微小開口を通過する前記反射光を検出する光検出部と、前記反射光の波面を検出する波面検出部と、前記被検物又は前記共焦点光学系のいずれか一方を該共焦点光学系の光軸方向に移動させることで、前記被検物に対する前記共焦点光学系の焦点位置を変位させる変位部と、前記被検物に対する前記共焦点光学系の焦点位置を変位させたときに得られる前記反射光の強度と前記波面検出部により検出される波面とから、前記被検物の表面形状を計測する計測部と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明を例示する被検物の測定方法の一態様は、第1の微小開口を通過した照明光を共焦点光学系を介して被検物に向けて照射させ、前記被検物からの反射光を得る照射工程と、第2の微小開口を通過する前記反射光を検出する光検出工程と、前記反射光の波面を検出する波面検出工程と、前記被検物又は前記共焦点光学系のいずれか一方を該共焦点光学系の光軸方向に移動させることで、前記被検物に対する前記共焦点光学系の焦点位置を変位させる変位工程と、前記被検物に対する前記共焦点光学系の焦点位置を変位させたときに得られる前記反射光の強度と前記波面検出工程により検出される波面とから、前記被検物の表面形状を計測する計測工程と、を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、被検物の反射光の強度の他に、反射光の波面を用いて被検物の表面形状を計測することから、被検物の形状を高精度で測定することができる。
図1は、本実施形態の測定装置10の概略の一例を示す図である。
測定装置10は、光源11、共焦点光学系12、光検出器13、波面センサ14、ステージ15及びコントローラ16から構成される。光源11は、共焦点光学系12の側方、詳細には後述するビームスプリッタ33の側方に設けられ、共焦点光学系12に向けて照明光を出射する。光源11としては、例えばハロゲンランプやキセノンランプの他に、レーザ光を発する光源などが用いられる。
共焦点光学系12は、光源11からの照明光をステージ15に載置された被検物45に導光するとともに、被検物45にて反射された反射光を光検出器13や波面センサ14に向けて導光する。この共焦点光学系12は、ピンホールディスク31、コリメータレンズ32、ビームスプリッタ33、対物レンズ系34、ビームスプリッタ35、結像レンズ系36、ピンホールディスク37を有している。これら光学部材のうち、ピンホールディスク31、コリメータレンズ32、ビームスプリッタ33は、光源11の光軸(L1)上に配置される。ピンホールディスク31は、例えば反射防止処理が施された遮光性の薄い円板からなる。このピンホールディスク31には、共焦点ピンホール31aが設けられており、光源11からの照射光の一部を共焦点ピンホール31aにて通過させる。コリメータレンズ32は、ピンホールディスク31の共焦点ピンホール31aを通過した光を平行光に変換する。
ビームスプリッタ33は、コリメータレンズ32により平行光に変換された照明光のうち、特定の偏光成分の光(例えばP偏光の光)を透過させ、残りの偏光成分(例えばS偏光の光)の光を反射する偏光ビームスプリッタが用いられる。
共焦点光学系12は、光源11の光軸(L1)と直交する直線(L2)上に、被検物45側から、対物レンズ系34、ビームスプリッタ33,35、結像レンズ系36、ピンホールディスク37の順で配置される。なお、図1においては、対物レンズ系34と結像レンズ系36を単一のレンズにて表しているが、これらレンズ系は、単一のレンズであっても良いし、複数のレンズから構成されていてもよい。
対物レンズ系34は、ビームスプリッタ33により反射された照明光をステージ15に載置された被検物45の表面に共焦点ピンホール31aの像(点像)として集光照射する。被検物45の表面に集光照射された共焦点ピンホール31aの像は、被検物45の表面で反射されることから、対物レンズ系34は、その反射光を平行光に変換し、ビームスプリッタ33に向けて出射させる。なお、図示は省略したが、ビームスプリッタ33と対物レンズ系34との間には、透過する光をλ/4偏光させる偏光板が設けられている。この偏光板を設けることで、ビームスプリッタ33により反射したS偏光の光は、対物レンズ系34に入射する直前にλ/4偏光され、また被検物45からの反射光が対物レンズ系34を出射した直後にλ/4偏光される。これにより、反射光はS偏光の光に対してλ/2偏光されたP偏光の光となる。この反射光はビームスプリッタ33を透過する。
ビームスプリッタ35は、ビームスプリッタ33を透過した反射光を、結像レンズ系13、及び波面センサ14の双方に分割する。このビームスプリッタ35に到達する反射光は、ビームスプリッタ33を通過したP偏光の光であることから、このビームスプリッタ35においては偏光ビームスプリッタではなく、例えば光強度によって反射光を分割するものが用いられる。
結像レンズ系36は、ビームスプリッタ35を透過した平行光からなる反射光を集光する。ピンホールディスク37は、ピンホールディスク31と同様の構成からなるので、ここではその詳細を省略する。このピンホールディスク37は、結像レンズ系36を透過した反射光が結像する位置に設けられる。なお、符号37aは共焦点ピンホールである。
光検出器13は、例えばCCDやCMOSなどの二次元の撮像素子から構成される。この光検出器13は、ピンホールディスク37の共焦点ピンホール37aを通過した反射光を受光する。なお、光検出器13として二次元の撮像素子としているが、ピンホールディスク35の共焦点ピンホール35aを通過した反射光を受光できる撮像素子であれば二次元の撮像素子を用いなくともよい。
波面センサ14は、ビームスプリッタ35の側方に、光軸(L2)に直交する直線(L3)上に配置される。この波面センサ14は、例えばシャックハルトマンセンサなどが用いられ、ビームスプリッタ35により反射された反射光の波面を検出する。なお、シャックハルトマンセンサについては、周知であることから、ここでは、その詳細を省略する。なお、この波面センサ14は、結像レンズ系36の出射瞳位置における波面を検出できる位置に配置されることが好ましい。
ステージ15は、被検物45が位置決め固定される。このステージ15は、ステージ駆動機構40によりxy平面上に沿って、またz方向に移動される。ステージ駆動機構40によりステージ15をxy平面上で移動させることで、測定を行う被検物45のx方向及びy方向の位置が調整される。また、ステージ駆動機構40によりステージ15をz方向に移動させることで、被検物45に対する共焦点光学系12の焦点位置を変位させることができる。なお、ここで示す共焦点光学系12の焦点位置とは、共焦点光学系12を介して結像される光が合焦する位置である。つまり、対物レンズ系34の焦点距離F分離れた位置が共焦点光学系12の焦点位置となる。なお、図1においては、共焦点光学系12の焦点位置と被検物45の表面とが一致している場合を示している。以下、ステージ15を移動させることで、被検物45に対する共焦点光学系12の焦点位置を変位させているが、この他に、共焦点光学系12をz方向に移動させることで、被検物45に対する共焦点光学系12の焦点位置を変位させてもよい。
以下、ステージ15をz方向に所定量移動させた後、光検出器13及び波面センサ14による反射光の検出を繰り返し行うことで、被検物45の表面の高さを求める場合について説明する。また、光検出器13及び波面センサ14による反射光の検出が行われるステージ15のz方向の位置を測定位置Pi(i=1,2,・・・,n)と称して説明する。
コントローラ16は、測定装置10の各部を制御する。なお、図示はしないが、このコントローラ16は、表示装置と接続されており、例えば測定した被検物45の形状や、被検物の表面の各位置の高さなど、被検物45を測定した結果を表示する。このコントローラ16は、強度算出部51、波面収差算出部52、範囲設定部53、高さ算出部54の機能を有している。
強度算出部51は、光検出器13から出力される検出信号(輝度信号)を受けて、反射光の光強度Iを測定位置毎に算出する。なお、適正な環境下においては、輝度信号と光強度との間には一定の比例関係があることから、強度算出部51は、ステージ15を一定量移動させたときに光検出器13から出力される輝度信号を用いて反射光の光強度Iを算出する。
図2(a)は、反射光の光強度Iの分布を示す。なお、横軸はステージ15の位置(Z座標)であり、縦方向は反射光の光強度Iである。ステージ15をz方向に移動させると、反射光の光強度がなめらかに変化し、対物レンズ系34の焦点位置Piに被検物45の表面があるときに、つまり被検物45の表面の位置が共焦点ピンポール37aと共役の位置となる場合に、反射光の光強度Iが最大値となる。なお、図2においては、測定位置Pnと測定位置Pn+1との間で反射光の光強度Iが最大値となる場合について示している。
波面収差算出部52は、波面センサ14からの検出信号を用いて、測定位置Pi毎の波面収差を算出する。なお、波面収差を算出するとは、波面収差の式を求めることである。図示は省略するが、波面センサ14は、例えばマイクロレンズがマトリクス状に配列されたマイクロレンズアレイと、マイクロレンズのそれぞれに対応するように例えばCCDアレイとを備えている。例えば波面収差のない平行波が波面センサ14に入力される場合、CCDアレイでは各マイクロレンズによって結像される点像が各マイクロレンズの光軸上に結像される。一方、波面収差の生じる平行波が波面センサ14に入力されるときには、点像が各マイクロレンズの光軸上から離れた位置に、つまり、光軸からずれて結像されることになる。この点像のズレは、マイクロレンズに入射する位置での波面の傾きを示しているので、この波面の傾きを求めることで、反射光の波面収差を求めることができる。
図3(a)は、波面センサ14による検出信号から求めた測定位置Pn-3,Pn-2,Pn-1,Pn,Pn+1,Pn+2,Pn+3,Pn+4における波面収差を示す。例えば波面収差をW、反射光の光軸L3からの距離をRとした場合、測定位置Piにおける波面収差Wiの式は、(1)式で求められる。
Wi=aiR2+bi・・・・(1)
Wi=aiR2+bi・・・・(1)
なお、係数aiは必ずしも正の値となる訳ではなく、対物レンズ系34から被検物45までの距離が対物レンズ系34の焦点距離Fよりも長い場合には係数aiは正の値となり、対物レンズ系34から被検物45までの距離が対物レンズ系45の焦点距離Fよりも短い場合には係数aiは負の値となる。また、図3(a)においては、bi=0となる場合を示しているが、これに限定する必要はなく、波面収差の中心が光軸からずれている場合には、(1)のbiはbi=0とはならない。
範囲設定部53は、高さ算出部54にて用いる測定位置Piの範囲を設定する。隣り合う測定位置までのステージ15の移動量によっては、測定位置Piのいずれかで反射光の光強度Iが最大値となる場合もあるが、例えば図2(b)に示すように、測定位置Pnと、測定位置Pn+1との間の符号「◇」で示す位置で反射光の光強度Iが最大値となる場合もある。このような場合に対処するために、範囲設定部52は、強度算出部51によって算出された各測定位置における反射光の光強度Iを参照して、測定位置Piのうち、高さ検出部53にて使用する範囲(以下、対象範囲)を設定する。なお、この対象範囲としては、反射光の光強度Iが高い上位8カ所の測定位置が含まれる範囲(例えば図2(b)で示す測定位置Pn-3,Pn-2,Pn-1,Pn,Pn+1,Pn+2,Pn+3,Pn+4)が挙げられる。
高さ算出部54は、範囲設定部53により設定された対象範囲に含まれる測定位置にて求められた波面収差の式を用いて、被検物45の表面の高さを算出する。例えば、図2(b)に示すように、設定された対象範囲に含まれる測定位置がPn-3、Pn-2、Pn-1、Pn、Pn+1、Pn+2、Pn+3、Pn+4の計8カ所からなる場合には、各測定位置における波面収差の式が収差算出部52により求められている。この式から、係数aiと測定位置におけるステージ15の座標Ziとを用いた最小二乗法などから、係数aiと座標Ziとの関係式を求める。この関係式は、例えば(2)式で求められる。
ai=dZi+c・・・・(2)
ai=dZi+c・・・・(2)
図3(b)は、各測定位置におけるステージ15の座標Ziと、係数aiとの関係を示す。図2及び図3(a)に示すように、対物レンズ系34から被検物45までの距離が対物レンズ系34の焦点距離Fよりも長ければ係数aiは正の値となり、対物レンズ系34から被検物45までの距離が対物レンズ系34の焦点距離Fよりも短ければ係数aiは負の値をとることがわかっている。また、対物レンズ系34から被検物45までの距離が対物レンズ系34の焦点距離Fに近づくにつれて、係数aiは「0」に近づく。つまり、共焦点光学系12の焦点位置に被検物45の表面が位置した場合には、被検物45の表面を反射し対物レンズ系34により変換される反射光は曲率が0の反射光、つまり波面収差の生じない反射光となる。また、係数aiと曲率とは比例関係にあることから、高さ算出部54は、(2)式を用いて係数aiが「0」になるときのステージ15の座標Ziを求める。この(2)式から求められるステージ15の座標Ziは、基準位置からのステージ15の移動量、つまり、被検物45の表面の高さを示すものである。
この測定装置10においては、図4のフローチャートに示す手順で被検物45の測定が行われる。ステップS101は、xy平面における被検物45の位置調整を行う処理である。例えば測定開始を示す指令を受けると、コントローラ16は、ステージ15に載置された被検物45が測定を行える位置にあるか否かを判定し、測定を行える位置にないと判定された場合に、ステージ駆動機構40を介してステージ15を位置調整する。なお、位置調整されたステージの位置が基準位置となる。
ステップS102は、照明光を発光する処理である。コントローラ16は、光源11を点灯させることで、照明光が共焦点光学系12に向けて照射される。
ステップS103は、反射光の光強度Iを算出する処理である。ステップS102において照明光が発光されると、その照明光は、共焦点光学系12を介して被検物45に照射される。このとき、被検物45の表面で反射した光が、共焦点光学系12を介して光検出器13に入力される。被検物45の反射光を光検出器13により検出されると、コントローラ16は、その検出信号を用いて、反射光の光強度Iを算出する。
ステップS104は、反射光の波面収差を算出する処理である。被検物45からの反射光の一部は、ビームスプリッタ35により反射された後、波面センサ14により検出される。波面センサ14からの検出信号を用いて、コントローラ16は、測定位置における反射光の波面収差を求める。なお、波面収差は、例えば(1)式から求められる。
ステップS105は、全ての測定位置における測定が終了したか否かを判定する処理である。全ての測定位置における測定を終了した場合には、コントローラ16はYesと判定し、ステップS106に進む。一方、全ての測定位置における測定が終了していない場合には、コントローラ16はNoと判定し、ステップS109に進む。なお、ステップS109は、ステージをz方向に移動させる処理であり、次の測定位置に向けてステージ15を移動させる。このステップS108の処理が終了すると、ステップS104に進む。このようにして、全ての測定位置における測定が行われるまで、これら処理が繰り返し実行される。
ステップS106は、対象範囲を設定する処理である。ステップS103において各測定位置における反射光の光強度Iが算出されていることから、コントローラ16は、測定位置毎に算出された反射光の光強度Iのうち、光強度が高い範囲を対象範囲として設定する。
ステップS107は、被検物の高さを算出する処理である。コントローラ16は、ステップS106において設定された対象範囲に含まれる測定位置毎の波面収差の式を読み出し、係数aiと測定位置Piにおけるステージ15の座標Ziとの関係式を例えば最小二乗法を用いて求める。この式は、(2)式で求められる。この関係式を求めた後、コントローラ16は、係数aiがai=0となるときのステージ15の座標Ziを求める。なお、算出された座標Ziは、基準位置からのステージ15の移動量、言い換えれば、被検物45に対する共焦点光学系12の変位量であることから、この座標Ziから被検物45の表面の高さが求められる。
ステップS108は、測定を終了するか否かを判定する処理である。なお、コントローラは、被検物45の表面の全ての箇所における測定を行ったと判定した場合には、このステップS108の判定がYesとなり、被検物45の測定が終了する。一方、被検物45の表面の全ての箇所における測定を行っていないと判定した場合には、ステップS101に戻る。このようにして、被検物45の表面が測定される。
このように、算出された反射光の光強度Iから光強度の高い範囲を対象範囲として設定し、対象範囲内に含まれる各測定位置において得られる波面の波面収差を用いて、被検物45の表面の高さを算出することから、測定位置と次の測定位置との間に反射光の光強度が最大となる位置が存在している場合であっても、被検物45の表面の高さを高精度に測定することが可能となる。
なお、上述した被検物45の測定の際には、測定位置毎に照明光を発光させる処理(ステップS102の処理)を行うようにしているが、このステップS102の処理を省略することも可能である。つまり、測定位置毎に照明光を発光させるのではなく、照明光を常時発光させておき、光検出器13における測定位置毎の反射光の検出タイミングを制御すればよい。
本実施形態では、対象範囲に含まれる全ての測定位置の波面収差の式を利用して、係数aiがai=0となるときのステージ15の座標Ziを被検物45の表面の高さとして求めているが、対象範囲に含まれる全ての測定位置の波面収差の式を利用する必要はなく、対象範囲に含まれる測定位置の一部を選択的に用いることも可能である。なお、測定位置の一部を選択するとは、例えば、図2(b)で示す測定位置Pn-3、Pn-2、Pn-1、Pn、Pn+1、Pn+2、Pn+3、Pn+4のうち、測定位置Pn-3、Pn-1、Pn、Pn+2、Pn+4を選択することが挙げられる。
本実施形態では、波面センサ14により反射光の波面を検出しているが、これに限定する必要はなく、例えばビームスプリッタ35において反射した反射光を分割し、分割された光を干渉させることで得られる干渉光の波面を検出することも可能である。以下、分割された反射光を分割し、分割された反射光を干渉させる場合について説明する。なお、図5においては、波面センサとして、シェアプレート61、回転拡散板62、レンズ63及び撮像素子64が、順に配置される。なお、以下では、本実施形態と同一の構成に対しては、同一の符号を用いて説明する。
シェアプレート61は、例えば反射型のシェアプレートが用いられる。この反射型のシェアプレートは、例えば反射率の異なる2枚の反射板、又は傾斜角が異なる2枚の反射板を接合することにより生成され、反射光の反射時に、その反射率の違いや反射板の傾斜角を利用して反射光を分割する。なお、以下では、シェアプレート61により反射された反射光の光軸方向をL4として説明する。このシェアプレート61は、2つに分割された反射光を回転拡散板62の板面にて干渉させる。例えばシェアプレート61により分割された2つの反射光の波面を干渉させたときに、フォーカス成分が0となる場合には、干渉によって生じる干渉縞の延びる方向が反射光の分割方向に一致する(図6参照)。一方、フォーカス成分が0とならない場合には、干渉縞が延びる方向は反射光の分割方向に対して交差する方向になる(図7参照)。なお、シェアプレート61として反射型のシェアプレートを挙げているが、反射型のシェアプレートの他に、反射光の透過時に反射光を複屈折させることで反射光を例えば2つの光に分割する透過型のシェアプレートを用いることも可能である。
回転拡散板62は、光軸(L4)に沿った軸62aを回転中心として回転する。上述したように、シェアプレート61を通過した反射光は2つに分割され、回転拡散板62の入射面側でこれら反射光が干渉する。この干渉した反射光が回転拡散板62を透過する際に、干渉した反射光の位相が変調され、干渉縞のコヒーレンスを低下させる。
レンズ63は、干渉した反射光の透過時に、コヒーレンスが低下した干渉縞をフーリエ変換し、撮像素子64の撮像面上に結像させる。なお、このレンズ63は、その焦点距離をF1とした場合に、撮像素子64及び回転拡散板62のそれぞれに対して、焦点距離F1離して配置される。撮像素子64は、レンズ63によってフーリエ変換された干渉縞の像を撮像する。図8に示すように、撮像素子64によって撮像された干渉縞の像は、例えば座標(u,v)の位置(図8中符号71,72)がピークとなる。なお、干渉した反射光がレンズ63を透過する際にレンズ63により物理的にフーリエ変換しているが、これに限定する必要はなく、例えば回転拡散板62を透過する反射光を撮像素子64により撮像し、撮像した像に対してフーリエ変換することも可能である。
図8に示す、干渉縞のピーク71の座標(u,v)は、以下の手順で算出される。例えば回転拡散板52上に生じる干渉縞のy方向のピッチ成分をpy、z方向のピッチ成分をpzとし、レンズ63の焦点距離をF1、干渉縞の波長をλとすると、干渉縞の強度のピークの座標(u,v)は、(3)式で求められる。
(u,v)=(λF1/py,F1λ/pz)・・・・(3)
(u,v)=(λF1/py,F1λ/pz)・・・・(3)
また、干渉縞の回転角をγとすると、回転角γは、(4)式で求められる。
γ=arctan(v/u)・・・・(4)
γ=arctan(v/u)・・・・(4)
なお、曲率半径をκ、2つの反射光のズレをs、干渉縞のピッチをpとすると、曲率半径κは、(5)式で求められる。
κ-1=sp/(λ・(sinγ))・・・・(5)
κ-1=sp/(λ・(sinγ))・・・・(5)
上述した(4)式を(5)式に代入すると、(6)式が得られる。
κ-1=sp/{λ・sin(arctan(v/u))}・・・(6)
κ-1=sp/{λ・sin(arctan(v/u))}・・・(6)
この(6)式を用いることで、干渉縞の強度のピークの座標から曲率κを求めることができる。つまり、コントローラ16の高さ判定部53は、上述した(6)式を用いて各測定位置Piにおける曲率κiを求める。この曲率κiを求めた後、高さ判定部53は、曲率κiと測定した測定位置Piの座標Ziとから、最小二乗法により近似直線を求める。上述したように、共焦点光学系の焦点位置に被検物の表面が位置しているときには、波面収差の生じない、つまり、曲率が0となることから、この近似直線から曲率κiが0となるステージの座標Ziを求め、その座標Ziから被検物45の高さを求めればよい。なお、この場合も、光検出器13により反射光の光強度を求め、反射光の光強度が高い所定の範囲を対象範囲とした上で、対象範囲内に含まれる光強度を有する測定位置Piに対する曲率κiを(6)式を用いて求めればよい。
本実施形態では、ステージ駆動機構によりステージをxy平面上で移動させることで照明光が照射される被検物のx方向及びy方向の位置を調整しているが、この他に、照明光をxy平面上で走査させることも可能である。この場合、共焦点光学系にガルバノミラーなどのスキャンニングミラーを配置し、このスキャンニングミラーの傾きを調整することで、該スキャンニングミラーにより反射された照明光をxy平面上で走査させればよい。この場合、ステージはz方向に移動させるだけで済むので、被検物の表面からの反射光の強度を高速で取得することができる。
本実施形態では、反射光の波面を検出したり、分割した反射光を干渉させることで得られる干渉縞のピークを検出することで反射光の曲率を求めているが、この他に、周知の臨界角法、非点収差法及びフーコーテスト法を用いて反射光の波面のフォーカス成分を検出し、各測定位置で検出される反射光の波面を用いて、被検物の高さを求めることも可能である。
本実施形態においては、光検出部により検出された反射光の強度を算出する強度算出部と、波面検出部により検出された波面から波面収差を算出する収差算出部と、を備え、計測部は、算出される反射光の強度のうち、反射光の強度が高い所定の範囲における波面の波面収差を用いることで、被検物の高さを算出することが好ましい。
また、測定部は、反射光の波面の曲率が所定の値となるときの被検物に対する共焦点光学系の焦点位置を求めることで、被検物の高さを算出することが好ましい。
また、波面検出部は、反射光を干渉させる干渉部材と、干渉部材により干渉された反射光を検出する撮像素子と、を有し、計測部は、反射光を干渉させたときに得られる干渉縞の向きや該干渉縞の細かさから反射光の波面の曲率を求めることが好ましい。
また、共焦点光学系は、被検物と第2の微小開口との間に設けられ、反射光を光検出部に向けて集光させる集光光学系と、反射光を前記集光光学系及び波面検出部のそれぞれに向けて分割する光分割部材と、をさらに備えていることが好ましい。
10…測定装置、11…光源、12…共焦点光学系、13…光検出器、14…波面センサ、15…ステージ、31,37ピンホールディスク、33,35…ビームスプリッタ、34…対物レンズ系、36…結像レンズ系、45…被検物、61…シェアプレート、62…回転拡散板、63…レンズ、64…撮像素子
Claims (6)
- 第1の微小開口を通過した照明光を被検物に向けて照射させ、前記被検物からの反射光を得る共焦点光学系と、
第2の微小開口を通過する前記反射光を検出する光検出部と、
前記反射光の波面を検出する波面検出部と、
前記被検物又は前記共焦点光学系のいずれか一方を該共焦点光学系の光軸方向に移動させることで、前記被検物に対する前記共焦点光学系の焦点位置を変位させる変位部と、
前記被検物に対する前記共焦点光学系の焦点位置を変位させたときに得られる前記反射光の強度と前記波面検出部により検出される波面とから、前記被検物の表面形状を計測する計測部と、
を備えたことを特徴とする測定装置。 - 請求項1記載の測定装置において、
前記光検出部により検出された前記反射光の強度を算出する強度算出部と、
前記波面検出部により検出された波面から波面収差を算出する収差算出部と、を備え、
前記計測部は、算出される前記反射光の強度のうち、前記反射光の強度が高い所定の範囲における前記波面の波面収差を用いることで、前記被検物の高さを算出することを特徴とする測定装置。 - 請求項2に記載の測定装置において、
前記測定部は、前記反射光の波面の曲率が所定の値となるときの前記被検物に対する前記共焦点光学系の焦点位置を求めることで、前記被検物の高さを算出することを特徴とする測定装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の測定装置において、
前記波面検出部は、前記反射光を干渉させる干渉部材と、前記干渉部材により干渉された反射光を検出する撮像素子と、を有し、
前記計測部は、前記反射光を干渉させたときに得られる干渉縞の向きや該干渉縞の細かさから前記反射光の波面の曲率を求めることを特徴とする測定装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の測定装置において、
前記共焦点光学系は、
前記被検物と前記第2の微小開口との間に設けられ、前記反射光を前記光検出部に向けて集光させる集光光学系と、
前記反射光を前記集光光学系及び前記波面検出部のそれぞれに向けて分割する光分割部材と、
をさらに備えていることを特徴とする測定装置。 - 第1の微小開口を通過した照明光を共焦点光学系を介して被検物に向けて照射させ、前記被検物からの反射光を得る照射工程と、
第2の微小開口を通過する前記反射光を検出する光検出工程と、
前記反射光の波面を検出する波面検出工程と、
前記被検物又は前記共焦点光学系のいずれか一方を該共焦点光学系の光軸方向に移動させることで、前記被検物に対する前記共焦点光学系の焦点位置を変位させる変位工程と、
前記被検物に対する前記共焦点光学系の焦点位置を変位させたときに得られる前記反射光の強度と前記波面検出工程により検出される波面とから、前記被検物の表面形状を計測する計測工程と、
を備えたことを特徴とする被検物の測定方法。
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2008
- 2008-11-17 JP JP2008293353A patent/JP2010121960A/ja not_active Withdrawn
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