JPWO2021240682A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、
   前記パルスレーザ光の光路上に配置された第１の光学パルスストレッチャと、
   前記パルスレーザ光の光路上に配置された第２の光学パルスストレッチャと、
   前記パルスレーザ光の光路上に配置された第３の光学パルスストレッチャと、
   を含み、
   前記第１の光学パルスストレッチャの遅延光路の光路長をＬ１、前記第２の光学パルスストレッチャの遅延光路の光路長をＬ２、前記第３の光学パルスストレッチャの遅延光路の光路長をＬ３、ｎを２以上の整数とした場合に、
   Ｌ２は、Ｌ１の２以上の整数倍であり、
   Ｌ３は、
   （ｎ－０．７５）×Ｌ１ ≦Ｌ３≦（ｎ－０．２５）×Ｌ１
   を満たす、レーザ装置。
2. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
   Ｌ３は、
   （ｎ－０．６５）×Ｌ１ ≦Ｌ３≦（ｎ－０．３５）×Ｌ１
   を満たす、レーザ装置。
3. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
   前記第１の光学パルスストレッチャ、前記第２の光学パルスストレッチャ及び前記第３の光学パルスストレッチャのそれぞれは、ビームスプリッタと、４つ以上の凹面ミラーとを含む、レーザ装置。
4. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
   前記第１の光学パルスストレッチャ、前記第２の光学パルスストレッチャ及び前記第３の光学パルスストレッチャが前記パルスレーザ光の光路上に直列に配置される、レーザ装置。
5. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
   前記パルスレーザ光の光路上に配置された第４の光学パルスストレッチャをさらに備える、レーザ装置。
6. 請求項５に記載のレーザ装置であって、
   前記第４の光学パルスストレッチャの遅延光路の光路長をＬ４、ｍを２以上の整数とした場合に、
   Ｌ４は、
   （ｍ－０．２５）×Ｌ１ ≦Ｌ４≦（ｍ＋０．２５）×Ｌ１
   を満たす、レーザ装置。
7. 請求項５に記載のレーザ装置であって、
   前記第１の光学パルスストレッチャ、前記第２の光学パルスストレッチャ、前記第３の光学パルスストレッチャ及び第４の光学パルスストレッチャのそれぞれは、ビームスプリッタと、４つ以上の凹面ミラーとを含む、レーザ装置。
8. 請求項５に記載のレーザ装置であって、
   前記第１の光学パルスストレッチャ、前記第２の光学パルスストレッチャ、前記第３の光学パルスストレッチャ及び第４の光学パルスストレッチャが前記パルスレーザ光の光路上に直列に配置される、レーザ装置。
9. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
   前記レーザ発振器は、狭帯域化モジュールを含むエキシマレーザ装置である、レーザ装置。
10. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
    前記レーザ発振器は、フリーランのエキシマレーザ装置である、レーザ装置。
11. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
    前記レーザ発振器は、固体レーザシステムである、レーザ装置。
12. 請求項１１に記載のレーザ装置であって、
    前記固体レーザシステムは、半導体レーザと、半導体光増幅器と、を含む、レーザ装置。
13. パルスレーザ光のパルス幅を伸長させるパルス幅伸長装置であって、
    前記パルスレーザ光の光路上に配置される第１の光学パルスストレッチャと、第２の光学パルスストレッチャと、第３の光学パルスストレッチャとを含み、
    前記第１の光学パルスストレッチャの遅延光路の光路長をＬ１、
    前記第２の光学パルスストレッチャの遅延光路の光路長をＬ２、
    前記第３の光学パルスストレッチャの遅延光路の光路長をＬ３、
    ｎを２以上の整数とした場合に、
    Ｌ２は、Ｌ１の２以上の整数倍であり、
    Ｌ３は、
    （ｎ－０．７５）×Ｌ１ ≦Ｌ３≦（ｎ－０．２５）×Ｌ１
    を満たす、パルス幅伸長装置。
14. 請求項１３に記載のパルス幅伸長装置であって、
    Ｌ３は、
    （ｎ－０．６５）×Ｌ１ ≦Ｌ３≦（ｎ－０．３５）×Ｌ１
    を満たす、パルス幅伸長装置。
15. 請求項１３に記載のパルス幅伸長装置であって、
    前記パルスレーザ光の光路上に配置される第４の光学パルスストレッチャをさらに備え、
    前記第４の光学パルスストレッチャの遅延光路の光路長をＬ４、
    ｍを２以上の整数とした場合に、
    Ｌ４は、
    （ｍ－０．２５）×Ｌ１ ≦Ｌ４≦（ｍ＋０．２５）×Ｌ１
    を満たす、パルス幅伸長装置。
16. 電子デバイスの製造方法であって、
    パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、
    前記パルスレーザ光の光路上に配置された第１の光学パルスストレッチャと、
    前記パルスレーザ光の光路上に配置された第２の光学パルスストレッチャと、
    前記パルスレーザ光の光路上に配置された第３の光学パルスストレッチャと、
    を含み、
    前記第１の光学パルスストレッチャの遅延光路の光路長をＬ１、前記第２の光学パルスストレッチャの遅延光路の光路長をＬ２、前記第３の光学パルスストレッチャの遅延光路の光路長をＬ３、ｎを２以上の整数とした場合に、
    Ｌ２は、Ｌ１の２以上の整数倍であり、
    Ｌ３は、
    （ｎ－０．７５）×Ｌ１ ≦Ｌ３≦（ｎ－０．２５）×Ｌ１
    を満たす、レーザ装置によってパルス幅が伸長されたレーザ光を生成し、
    前記レーザ光を露光装置又はレーザ光照射装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板に前記レーザ光を露光すること、又は前記レーザ光照射装置内で被照射物に前記レーザ光を照射すること、を含む電子デバイスの製造方法。
17. 請求項１６に記載の電子デバイスの製造方法であって、
    前記レーザ装置は、前記パルスレーザ光の光路上に配置された第４の光学パルスストレッチャをさらに備え、
    前記第４の光学パルスストレッチャの遅延光路の光路長をＬ４、ｍを２以上の整数とした場合に、
    Ｌ４は、
    （ｍ－０．２５）×Ｌ１ ≦Ｌ４≦（ｍ＋０．２５）×Ｌ１
    を満たす、電子デバイスの製造方法。