JPWO2021176913A1 - - Google Patents
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- H10P50/69—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials
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- H—ELECTRICITY
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- H10P70/20—Cleaning during device manufacture
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023208933A JP7614310B2 (ja) | 2020-03-04 | 2023-12-12 | 処理液、処理液収容体 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020036719 | 2020-03-04 | ||
| PCT/JP2021/003521 WO2021176913A1 (ja) | 2020-03-04 | 2021-02-01 | 処理液、処理液収容体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023208933A Division JP7614310B2 (ja) | 2020-03-04 | 2023-12-12 | 処理液、処理液収容体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021176913A1 true JPWO2021176913A1 (https=) | 2021-09-10 |
| JPWO2021176913A5 JPWO2021176913A5 (https=) | 2022-10-19 |
Family
ID=77614011
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022505043A Pending JPWO2021176913A1 (https=) | 2020-03-04 | 2021-02-01 | |
| JP2023208933A Active JP7614310B2 (ja) | 2020-03-04 | 2023-12-12 | 処理液、処理液収容体 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023208933A Active JP7614310B2 (ja) | 2020-03-04 | 2023-12-12 | 処理液、処理液収容体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230017832A1 (https=) |
| JP (2) | JPWO2021176913A1 (https=) |
| WO (1) | WO2021176913A1 (https=) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230102276A (ko) * | 2021-12-30 | 2023-07-07 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 선택적 식각액 조성물 |
| TW202429525A (zh) * | 2022-09-14 | 2024-07-16 | 美商富士軟片電子材料美國股份有限公司 | 表面處理組成物及方法 |
| JP2024124744A (ja) * | 2023-03-03 | 2024-09-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US20240409812A1 (en) * | 2023-06-06 | 2024-12-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Treatment liquid |
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| JP2020017732A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | ＴｉＮハードマスク除去及びエッチング残渣クリーニング用組成物 |
-
2021
- 2021-02-01 WO PCT/JP2021/003521 patent/WO2021176913A1/ja not_active Ceased
- 2021-02-01 JP JP2022505043A patent/JPWO2021176913A1/ja active Pending
-
2022
- 2022-08-31 US US17/899,862 patent/US20230017832A1/en active Pending
-
2023
- 2023-12-12 JP JP2023208933A patent/JP7614310B2/ja active Active
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| WO2017099121A1 (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイス用処理液の保管方法、処理液収容体 |
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| JP2019050365A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-03-28 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | 半導体デバイスの製造中にシリコン−ゲルマニウム／シリコン積層体からシリコン−ゲルマニウム合金を選択的に除去するためのエッチング液 |
| WO2019049610A1 (ja) * | 2017-09-07 | 2019-03-14 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびシリコン基板研磨方法 |
| JP2019070081A (ja) * | 2017-10-10 | 2019-05-09 | Ａｇｃ株式会社 | 水性分散液、被膜及び被覆織布 |
| JP2019080049A (ja) * | 2017-10-20 | 2019-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
| JP2019165218A (ja) * | 2018-03-09 | 2019-09-26 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | 半導体デバイスの製造中にシリコン−ゲルマニウム／ゲルマニウムスタックからシリコン−ゲルマニウム合金を選択的に除去するためのエッチング溶液 |
| JP2020017732A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | ＴｉＮハードマスク除去及びエッチング残渣クリーニング用組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021176913A1 (ja) | 2021-09-10 |
| TW202146629A (zh) | 2021-12-16 |
| JP2024022657A (ja) | 2024-02-16 |
| JP7614310B2 (ja) | 2025-01-15 |
| US20230017832A1 (en) | 2023-01-19 |
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