JPWO2021091695A5 - - Google Patents

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JPWO2021091695A5
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本開示を、いくつかの例示的な実施形態により説明してきたが、本開示の範囲内にある変更、修正、置き換え、および様々な代替の同等物が存在する。また、本開示の方法および装置を実施するための多くの代替の方法があることにも、留意されたい。そのため、以下の添付の特許請求の範囲は、本開示の真の精神および範囲内にあるそのような変更、修正、置き換え、および様々な代替の同等物を含むと解釈されることが意図される。
[形態1]
プラズマ処理チャンバのコンポーネントを形成する方法であって、
少なくとも1つの単結晶金属酸化物インゴットを設置することと、
前記少なくとも1つの単結晶金属酸化物インゴットを機械加工して、前記コンポーネントを形成することと、
前記機械加工後に、前記コンポーネントの表面処理を行うことと
を含む、方法。
[形態2]
形態1に記載の方法であって、
前記機械加工の前に、前記少なくとも1つの単結晶金属酸化物インゴットをアニーリングすることをさらに含む、方法。
[形態3]
形態1に記載の方法であって、
前記少なくとも1つの単結晶金属酸化物が、単結晶スピネルである、方法。
[形態4]
形態1に記載の方法であって、
前記少なくとも1つの単結晶金属酸化物が、単結晶YAGである、方法。
[形態5]
形態1に記載の方法であって、
前記機械加工が、前記コンポーネントに、ドリル加工により孔を形成することを含む、方法。
[形態6]
形態1に記載の方法であって、
前記機械加工が、前記少なくとも1つの単結晶金属酸化物インゴットをスライシングすることを含む、方法。
[形態7]
形態5に記載の方法であって、
前記コンポーネントがガスインジェクタである、方法。
[形態8]
形態1に記載の方法であって、前記機械加工の前に、第2の単結晶金属酸化物インゴットを前記少なくとも1つの単結晶金属酸化物インゴットに接合することをさらに含む、方法。
[形態9]
形態1に記載の方法により形成される、プラズマ処理チャンバのコンポーネント。
[形態10]
プラズマ処理チャンバのコンポーネントであって、前記コンポーネントの少なくとも1つのプラズマ対向表面が、単結晶金属酸化物材料を含む、コンポーネント。
[形態11]
形態10に記載コンポーネントであって、前記コンポーネントの前記少なくとも1つのプラズマ対向表面が単結晶金属酸化物インゴットから機械加工される、コンポーネント。
[形態12]
形態10に記載コンポーネントであって、前記少なくとも1つのプラズマ対向表面が、前記コンポーネントの本体に接合された前記単結晶金属酸化物材料の層を含む、コンポーネント。
[形態13]
形態10に記載のコンポーネントであって、前記単結晶金属酸化物材料が、単結晶スピネルである、コンポーネント。
[形態14]
形態10に記載のコンポーネントであって、前記単結晶金属酸化物材料が、単結晶YAGである、コンポーネント。
[形態15]
形態10に記載のコンポーネントであって、前記コンポーネントがガスインジェクタであり、前記ガスインジェクタの突出部が前記単結晶金属酸化物を含み、前記突出部が前記プラズマ処理チャンバ内のプラズマに曝露される前記ガスインジェクタの一部である、コンポーネント。
[形態16]
形態15に記載のコンポーネントであって、前記突出部が前記コンポーネントの本体に拡散接合され、前記本体が前記単一金属酸化物材料とは異なる材料から形成される、コンポーネント。
[形態17]
形態16に記載のコンポーネントであって、前記本体が多結晶材料から形成される、コンポーネント。
[形態18]
プラズマ処理チャンバのガスインジェクタであって、
本体と、
単結晶金属酸化物材料を含む少なくとも1つのプラズマ対向表面と
を含む、ガスインジェクタ。
[形態19]
形態18に記載のガスインジェクタであって、前記単結晶金属酸化物材料が単結晶スピネルである、ガスインジェクタ。
[形態20]
形態18に記載のガスインジェクタであって、前記単結晶金属酸化物材料が単結晶YAGである、ガスインジェクタ。
[形態21]
形態18に記載のガスインジェクタであって、前記ガスインジェクタが単結晶金属酸化物インゴットから機械加工される、ガスインジェクタ。
[形態22]
形態18に記載のガスインジェクタであって、前記単結晶金属酸化物インゴットが、機械加工される前にアニーリングされる、ガスインジェクタ。
[形態23]
形態18に記載のガスインジェクタであって、前記少なくとも1つのプラズマ対向表面が、前記本体に接合された前記単結晶金属酸化物材料の層を含む、ガスインジェクタ。
[形態23]
形態18に記載のガスインジェクタであって、前記本体を貫通するよう機械加工された中央流路をさらに含む、ガスインジェクタ。
[形態24]
形態23に記載のガスインジェクタであって、前記本体を貫通するよう機械加工された、複数のより小さな流路をさらに含み、その複数のより小さな流路が前記中央流路を囲む、ガスインジェクタ。
[形態25]
形態24に記載のガスインジェクタであって、各々の前記複数のより小さな流路は側部ガスインジェクタ孔につながっており、各々の前記複数のより小さな流路は、前記ガスインジェクタ内で角度を有して配向されている部分を有し、前記側部ガスインジェクタ孔につながっている、ガスインジェクタ。

Claims (26)

  1. プラズマ処理チャンバのコンポーネントを形成する方法であって、
    少なくとも1つの単結晶金属酸化物インゴットを設置することと、
    前記少なくとも1つの単結晶金属酸化物インゴットを機械加工して、前記コンポーネントを形成することと、
    前記機械加工後に、前記コンポーネントの表面処理を行うことと
    を含む、方法。
  2. 請求項1に記載の方法であって、
    前記機械加工の前に、前記少なくとも1つの単結晶金属酸化物インゴットをアニーリングすることをさらに含む、方法。
  3. 請求項1に記載の方法であって、
    前記少なくとも1つの単結晶金属酸化物が、単結晶スピネルである、方法。
  4. 請求項1に記載の方法であって、
    前記少なくとも1つの単結晶金属酸化物が、単結晶YAGである、方法。
  5. 請求項1に記載の方法であって、
    前記機械加工が、前記コンポーネントに、ドリル加工により孔を形成することを含む、方法。
  6. 請求項1に記載の方法であって、
    前記機械加工が、前記少なくとも1つの単結晶金属酸化物インゴットをスライシングすることを含む、方法。
  7. 請求項5に記載の方法であって、
    前記コンポーネントがガスインジェクタである、方法。
  8. 請求項1に記載の方法であって、前記機械加工の前に、第2の単結晶金属酸化物インゴットを前記少なくとも1つの単結晶金属酸化物インゴットに接合することをさらに含む、方法。
  9. 請求項1に記載の方法により形成される、プラズマ処理チャンバのコンポーネント。
  10. プラズマ処理チャンバのコンポーネントであって、前記コンポーネントの少なくとも1つのプラズマ対向表面が、単結晶金属酸化物材料を含む、コンポーネント。
  11. 請求項10に記載コンポーネントであって、前記コンポーネントの前記少なくとも1つのプラズマ対向表面が単結晶金属酸化物インゴットから機械加工される、コンポーネント。
  12. 請求項10に記載コンポーネントであって、前記少なくとも1つのプラズマ対向表面が、前記コンポーネントの本体に接合された前記単結晶金属酸化物材料の層を含む、コンポーネント。
  13. 請求項10に記載のコンポーネントであって、前記単結晶金属酸化物材料が、単結晶スピネルである、コンポーネント。
  14. 請求項10に記載のコンポーネントであって、前記単結晶金属酸化物材料が、単結晶YAGである、コンポーネント。
  15. 請求項10に記載のコンポーネントであって、前記コンポーネントがガスインジェクタであり、前記ガスインジェクタの突出部が前記単結晶金属酸化物を含み、前記突出部が前記プラズマ処理チャンバ内のプラズマに曝露される前記ガスインジェクタの一部である、コンポーネント。
  16. 請求項15に記載のコンポーネントであって、前記突出部が前記コンポーネントの本体に拡散接合され、前記本体が前記単結晶金属酸化物材料とは異なる材料から形成される、コンポーネント。
  17. 請求項16に記載のコンポーネントであって、前記本体が多結晶材料から形成される、コンポーネント。
  18. プラズマ処理チャンバのガスインジェクタであって、
    本体と、
    単結晶金属酸化物材料を含む少なくとも1つのプラズマ対向表面と
    を含む、ガスインジェクタ。
  19. 請求項18に記載のガスインジェクタであって、前記単結晶金属酸化物材料が単結晶スピネルである、ガスインジェクタ。
  20. 請求項18に記載のガスインジェクタであって、前記単結晶金属酸化物材料が単結晶YAGである、ガスインジェクタ。
  21. 請求項18に記載のガスインジェクタであって、前記ガスインジェクタが単結晶金属酸化物インゴットから機械加工される、ガスインジェクタ。
  22. 請求項18に記載のガスインジェクタであって、前記単結晶金属酸化物インゴットが、機械加工される前にアニーリングされる、ガスインジェクタ。
  23. 請求項18に記載のガスインジェクタであって、前記少なくとも1つのプラズマ対向表面が、前記本体に接合された前記単結晶金属酸化物材料の層を含む、ガスインジェクタ。
  24. 請求項18に記載のガスインジェクタであって、前記本体を貫通するよう機械加工された中央流路をさらに含む、ガスインジェクタ。
  25. 請求項24に記載のガスインジェクタであって、前記本体を貫通するよう機械加工された、複数のより小さな流路をさらに含み、その複数のより小さな流路が前記中央流路を囲む、ガスインジェクタ。
  26. 請求項25に記載のガスインジェクタであって、各々の前記複数のより小さな流路は側部ガスインジェクタ孔につながっており、各々の前記複数のより小さな流路は、前記ガスインジェクタ内で角度を有して配向されている部分を有し、前記側部ガスインジェクタ孔につながっている、ガスインジェクタ。
JP2022525164A 2019-11-05 2020-10-21 単結晶金属酸化物プラズマチャンバコンポーネント Pending JP2023500826A (ja)

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US62/939,422 2019-11-22
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