JPWO2020136979A1 - はんだ接合部 - Google Patents
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Abstract
ＵＢＭとはんだ合金を接合した接合部であって、ＵＢＭ側から順に、ＵＢＭ側から連続するＮｉ層と、ＮｉＳｎ合金層と、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層と、ＢｉＳｎ合金層と、はんだ合金側へと連続するＢｉ層を含んでなる、接合部によって、高温域において優れた耐久性を有する、はんだ接合部を提供する。
Description
本発明は、はんだ接合部に関する。
環境面の配慮から、鉛を含有しないはんだ合金の使用が推奨されている。はんだ合金は、その組成に応じてはんだとしての使用に適した温度域が変わってくる。
パワーデバイスは、電力変換用の素子として、ハイブリッド自動車、送変電など幅広い分野で使用されている。従来はＳｉチップのデバイスで対応できたが、高耐圧、大電流用途、高速動作が求められる分野では、Ｓｉよりもバンドギャップが大きいＳｉＣ、ＧａＮ等が近年注目を浴びている。
従来のパワーモジュールでは動作温度が１７０℃程度までであったのが、次世代型のＳｉＣ、ＧａＮ等では２００℃あるいはそれ以上の温度域となる可能性があるとされる。これに伴い、これらチップを搭載したモジュールに使用される各材料には耐熱性、放熱性が求められている。
このような特性を備えた接合部としては、Ｐｂフリーの観点からは例えばＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ（Ａｇ：３．０質量％、Ｃｕ：０．５質量％、残部Ｓｎ）による接合部が好ましいとされる。しかし、次世代型モジュールでは動作温度が２００℃を超える可能性があるので、融点が２２０℃付近であるＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだによる接合部よりも、さらに耐熱性が求められる。具体的にはラジエターの冷却およびエンジン回りの温度の許容性から、好ましくは２５０℃以上の高温に耐える接合部が求められる。あるいは、環境規制の観点から好ましくないＰｂはんだ（Ｐｂ−５Ｓｎ）による接合部であれば次世代型モジュールの動作温度には対応しうるとされる。
また、近年次世代型モジュールの接合部として注目されているのが金属微粉ペーストによる接合部である。金属粉のサイズが小さいので、表面エネルギーが高く、その金属の融点よりもはるかに低い温度で焼結が始まる。そして、はんだとは異なり、いったん焼結すれば、その金属の融点近くまで昇温しないと再溶融しない。このような特性を生かし、Ａｇ微粉ペーストによる接合部の開発が進んでいる（特許文献１）。
Ｐｂ−５Ｓｎはんだは次世代型パワーモジュールの接合材料としての機能は十分であるが、有鉛であり、将来的な環境規制の観点からも使用しないことが望ましい。また、Ａｇ微粉ペーストは条件によっては十分な接合強度、耐熱性を接合部に付与することが可能であるが、材料価格の問題点を抱える。
次世代型パワーモジュールの接合材料に求められる高温域、例えば２５０℃を超える温度域においても、優れた耐久性を有するはんだ接合部が、求められていた。
したがって、本発明の目的は、高温域において優れた耐久性を有する、はんだ接合部を提供することにある。
高温域において優れた特性を有するはんだ接合部の研究開発の多くが、はんだ合金の融点に着目して行われてきた。しかし、本発明者はさらに鋭意研究開発を行ったところ、はんだ接合部の高温特性は、むしろはんだ接合によって形成された接合部の構造に依存することを見いだし、その構造を特定して、本発明に到達した。
したがって、本発明は以下の（１）を含む。
（１）
ＵＢＭとはんだ合金を接合した接合部であって、ＵＢＭ側から順に、
ＵＢＭ側から連続するＮｉ層と、
ＮｉＳｎ合金層と、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層と、
ＢｉＳｎ合金層と、
はんだ合金側へと連続するＢｉ層を含んでなる、接合部。
（１）
ＵＢＭとはんだ合金を接合した接合部であって、ＵＢＭ側から順に、
ＵＢＭ側から連続するＮｉ層と、
ＮｉＳｎ合金層と、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層と、
ＢｉＳｎ合金層と、
はんだ合金側へと連続するＢｉ層を含んでなる、接合部。
本発明によれば、高温域において優れた耐久性を有する、はんだ接合部を得ることができる。
以下に本発明を実施の態様をあげて詳細に説明する。本発明は以下にあげる具体的な実施の態様に限定されるものではない。
［ＵＢＭとはんだ合金を接合した接合部］
本発明による接合部は、ＵＢＭとはんだ合金を接合した接合部であって、ＵＢＭ側から順に、ＵＢＭ側から連続するＮｉ層と、ＮｉＳｎ合金層と、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層と、ＢｉＳｎ合金層と、はんだ合金側へと連続するＢｉ層を含んでなる。
本発明による接合部は、ＵＢＭとはんだ合金を接合した接合部であって、ＵＢＭ側から順に、ＵＢＭ側から連続するＮｉ層と、ＮｉＳｎ合金層と、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層と、ＢｉＳｎ合金層と、はんだ合金側へと連続するＢｉ層を含んでなる。
このような層構造によって、高温域において優れた耐久性を有する、はんだ接合部を得ることができる。
［ＵＢＭ］
ＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌ）とは、チップ（例えばＳｉチップ）の上の電極（例えばＡｌ電極）に、はんだバンプを形成するために介在させる金属層である。ＵＢＭとしては、通常は、Ｎｉ層又はＮｉ合金層を形成して、その上にＰｄ層及び／又はＡｕ層などが形成されている。本発明の好適な実施の態様において、ＵＢＭとして、例えば、Ｓｉチップ上のＡｌ電極上に形成された、Ｎｉ層、その上に形成されたＰｄ層、その上に形成されたＡｕ層からなる、金属層をあげることができる。
ＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌ）とは、チップ（例えばＳｉチップ）の上の電極（例えばＡｌ電極）に、はんだバンプを形成するために介在させる金属層である。ＵＢＭとしては、通常は、Ｎｉ層又はＮｉ合金層を形成して、その上にＰｄ層及び／又はＡｕ層などが形成されている。本発明の好適な実施の態様において、ＵＢＭとして、例えば、Ｓｉチップ上のＡｌ電極上に形成された、Ｎｉ層、その上に形成されたＰｄ層、その上に形成されたＡｕ層からなる、金属層をあげることができる。
［はんだ合金］
好適な実施の態様において、はんだ合金として、無鉛はんだ合金をあげることができ、例えば実施例に開示された組成のＢｉ−Ｃｕ−Ｓｎ合金をあげることができる。
好適な実施の態様において、はんだ合金として、無鉛はんだ合金をあげることができ、例えば実施例に開示された組成のＢｉ−Ｃｕ−Ｓｎ合金をあげることができる。
［接合部のＵＢＭ側］
本発明の接合部は、ＵＢＭとはんだ合金を接合した接合部であるから、接合によってＵＢＭは元の金属層の構成を失っており、ＵＢＭの主たる層であったＮｉ層だけが検出可能な層として残っている。このＵＢＭに由来するＮｉ層が接合部までずっと連続しており、接合部付近において、上記のＵＢＭ側から連続するＮｉ層となっている。ＵＢＭは接合によって元の構成を失っているが、接合の両側のうち、このＵＢＭが存在した側を、本明細書において、ＵＢＭ側と呼ぶ。本明細書において、ＵＢＭ側から連続するＮｉ層を、単にＮｉ層と呼ぶことがある。このＮｉ層は、ＵＢＭ側から連続している層ではあるが、接合部の構成を明確にするために、本明細書では、接合部を構成する層のひとつとして、記載している。
本発明の接合部は、ＵＢＭとはんだ合金を接合した接合部であるから、接合によってＵＢＭは元の金属層の構成を失っており、ＵＢＭの主たる層であったＮｉ層だけが検出可能な層として残っている。このＵＢＭに由来するＮｉ層が接合部までずっと連続しており、接合部付近において、上記のＵＢＭ側から連続するＮｉ層となっている。ＵＢＭは接合によって元の構成を失っているが、接合の両側のうち、このＵＢＭが存在した側を、本明細書において、ＵＢＭ側と呼ぶ。本明細書において、ＵＢＭ側から連続するＮｉ層を、単にＮｉ層と呼ぶことがある。このＮｉ層は、ＵＢＭ側から連続している層ではあるが、接合部の構成を明確にするために、本明細書では、接合部を構成する層のひとつとして、記載している。
［接合部のはんだ合金側］
本発明の接合部は、ＵＢＭとはんだ合金を接合した接合部であるから、接合部のはんだ合金側は、はんだ合金へと連続している。好適な実施の態様において、はんだ合金は、主成分をＢｉとする合金であって、接合部のはんだ合金側は、はんだ合金側へ連続するＢｉ層となっている。はんだ合金は接合によって元のはんだ合金とは異なった相を有するものとなっているが、接合の両側のうち、このはんだ合金が存在する側を、本明細書においてはんだ合金側と呼ぶ。本明細書において、はんだ合金側へ連続するＢｉ層を、単にＢｉ層と呼ぶことがある。このＢｉ層は、はんだ合金側へ連続している層ではあるが、接合部の構成を明確にするために、本明細書では、接合部を構成する層のひとつとして、記載している。
本発明の接合部は、ＵＢＭとはんだ合金を接合した接合部であるから、接合部のはんだ合金側は、はんだ合金へと連続している。好適な実施の態様において、はんだ合金は、主成分をＢｉとする合金であって、接合部のはんだ合金側は、はんだ合金側へ連続するＢｉ層となっている。はんだ合金は接合によって元のはんだ合金とは異なった相を有するものとなっているが、接合の両側のうち、このはんだ合金が存在する側を、本明細書においてはんだ合金側と呼ぶ。本明細書において、はんだ合金側へ連続するＢｉ層を、単にＢｉ層と呼ぶことがある。このＢｉ層は、はんだ合金側へ連続している層ではあるが、接合部の構成を明確にするために、本明細書では、接合部を構成する層のひとつとして、記載している。
［ＮｉＳｎ合金層］
好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層は、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＰを含有する。好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＮｉ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＮｉ含有量よりも大きい。好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＳｎ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＳｎ含有量よりも小さい。
好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層は、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＰを含有する。好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＮｉ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＮｉ含有量よりも大きい。好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＳｎ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＳｎ含有量よりも小さい。
好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＳｎ含有量は、０．４モル％以下であり、好ましくは０．３５モル％以下である。
好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＰ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰ含有量よりも大きい。
好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰ含有量は、０．５モル％以下、好ましくは０．３モル％以下である。
好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＮｉ含有量が２１モル％〜８３モル％の範囲、好ましくは２２モル％〜８０モル％の範囲にある。Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＮｉ含有量が上記範囲にあるとは、Ｎｉ層との境界からの距離に応じて１箇所以上の測定点を設けて、それぞれの測定点においてＮｉ含有量を測定しても、いずれも上記範囲内となっていること、あるいはそのように見積もることができることを意味する。そのように見積もることができるとは、例えば、近接する測定点での測定値からの外挿によってそのように見積もることができることをいう。測定点の数には、特に制限はないが、現実的な測定操作の観点からは、例えば１〜２０個程度、あるいは１〜５個程度の測定点を設けることができる。以下の記載において、「各距離において」との記載は、上述と同様の意味で使用される。
好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＳｎ含有量が０．２モル％〜４８モル％の範囲、好ましくは０．２５モル％〜４５モル％の範囲にある。Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＳｎ含有量が上記範囲にあるとは、Ｎｉ含有量について上述したものと同様の意味である。
好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＰ含有量が０．１モル％〜１０モル％の範囲、好ましくは０．２モル％〜９モル％の範囲にある。Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＰ含有量が上記範囲にあるとは、Ｎｉ含有量について上述したものと同様の意味である。
好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、２モル％以下、好ましくは１モル％以下である。
好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＢｉ含有量が、０．２モル％〜２モル％の範囲、好ましくは０．３モル％〜１．５モル％の範囲にある。Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＢｉ含有量が上記範囲にあるとは、Ｎｉ含有量について上述したものと同様の意味である。このように、好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｂｉの含有量が極めて低減されており、つまり、Ｂｉの侵入が効率的に阻止されている。
好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層の厚みが、例えば、０．０３〜０．１［μｍ］、好ましくは０．０４〜０．１［μｍ］、好ましくは０．０５〜０．１［μｍ］、好ましくは０．０６〜０．１［μｍ］の範囲にある。
好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＣｕ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＣｕ含有量よりも小さい。好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＣｕ含有量は、４モル％以下、好ましくは３モル％以下である。
好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層は、さらに、Ｐｄを含有する。好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＰｄ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰｄ含有量よりも小さい。好適な実施の態様において、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＰｄ含有量は、３モル％以下、好ましくは２モル％以下である。
［Ｎｉ層］
好適な実施の態様において、Ｎｉ層は、上述のようにＵＢＭに由来する層である。好適な実施の態様において、Ｎｉ層は、ＮｉＳｎ合金層との境界から０．２［μｍ］以内の各距離におけるＮｉ含有量が８３モル％以上、好ましくは８５モル％以上である。好適な実施の態様において、Ｎｉ層は、ＵＢＭに由来する元素成分を含んでいてもよい。好適な実施の態様において、Ｎｉ層は、例えばＰを含んでいてもよい。
好適な実施の態様において、Ｎｉ層は、上述のようにＵＢＭに由来する層である。好適な実施の態様において、Ｎｉ層は、ＮｉＳｎ合金層との境界から０．２［μｍ］以内の各距離におけるＮｉ含有量が８３モル％以上、好ましくは８５モル％以上である。好適な実施の態様において、Ｎｉ層は、ＵＢＭに由来する元素成分を含んでいてもよい。好適な実施の態様において、Ｎｉ層は、例えばＰを含んでいてもよい。
好適な実施の態様において、Ｎｉ層は、ＮｉＳｎ合金層との境界から０．２［μｍ］以内の各距離におけるＢｉ含有量が、０．２モル％以下、好ましくは０．１モル％以下である。ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＢｉ含有量が上記以下であるとは、ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＮｉ含有量について、上述したものと同様の意味である。このように、好適な実施の態様において、Ｎｉ層において、Ｂｉの含有量が極めて低減されており、つまり、Ｂｉの侵入が効率的に阻止されている。
［（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層］
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄが固溶しているＳｎ合金の層である。この（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層は、ＵＢＭとはんだ合金の成分元素から、形成されると考えられる。好適な実施の態様において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、及びＳｎを含有する。
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄが固溶しているＳｎ合金の層である。この（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層は、ＵＢＭとはんだ合金の成分元素から、形成されると考えられる。好適な実施の態様において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、及びＳｎを含有する。
好適な実施の態様において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＣｕ含有量が１０モル％〜２２モル％の範囲、好ましくは１２モル％〜２０モル％の範囲にある。
好適な実施の態様において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＮｉ含有量が１３モル％〜２１モル％の範囲、好ましくは１４モル％〜２０モル％の範囲にある。
好適な実施の態様において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＰｄ含有量が５モル％〜１９モル％の範囲、好ましくは６モル％〜１８モル％の範囲にある。
好適な実施の態様において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＳｎ含有量が４４モル％〜５５モル％の範囲、好ましくは４５モル％〜５４モル％の範囲にある。
好適な実施の態様において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層は、さらに、Ｂｉを含有する。好適な実施の態様において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、２モル％以下、好ましくは１モル％以下である。好適な実施の態様において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの距離に応じてＢｉ含有量を測定した場合に、Ｂｉ含有量が０．１モル％〜２４モル％の範囲、好ましくは０．２モル％〜２３モル％の範囲、あるいは１モル％〜２４モル％の範囲、あるいは２モル％〜２３モル％の範囲にある距離が存在する。すなわち、好適な実施の態様において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層には、Ｂｉ含有量のピークが存在していて、そのピークはＮｉＳｎ合金層との境界から離れて位置しており、このことは、ＮｉＳｎ合金層が、Ｂｉ層側からのＢｉの侵入を防いでいることを意味すると、本発明者は考えている。すなわち、好適な実施の態様において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層に存在するＢｉ含有量のピークであって、ＮｉＳｎ合金層との境界から離れて位置するＢｉ含有量のピークとは、上記範囲のＢｉ含有量であって、ＮｉＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量よりも大きなＢｉ含有量となっている。
好適な実施の態様において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＢｉＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、０．５モル％以下、好ましくは０．４モル％以下である。
［ＢｉＳｎ合金層］
好適な実施の態様において、ＢｉＳｎ合金層は、Ｂｉ及びＳｎを含有する。好適な実施の態様において、ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、０．５モル％以下、好ましくは０．４モル％以下である。好適な実施の態様において、ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＳｎ含有量が、２モル％以下、好ましくは１モル％以下である。
好適な実施の態様において、ＢｉＳｎ合金層は、Ｂｉ及びＳｎを含有する。好適な実施の態様において、ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、０．５モル％以下、好ましくは０．４モル％以下である。好適な実施の態様において、ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＳｎ含有量が、２モル％以下、好ましくは１モル％以下である。
好適な実施の態様において、ＢｉＳｎ合金層は、さらに、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄを含有する。
好適な実施の態様において、ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＣｕ含有量は、Ｂｉ層との境界におけるＣｕ含有量よりも大きい。好適な実施の態様において、ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＣｕ含有量は、０．５モル％以下、好ましくは０．３モル％以下である。
好適な実施の態様において、ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＮｉ含有量は、Ｂｉ層との境界におけるＮｉ含有量よりも大きい。好適な実施の態様において、ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＮｉ含有量は、１モル％以下、好ましくは０．５モル％以下である。
好適な実施の態様において、ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰｄ含有量は、Ｂｉ層との境界におけるＰｄ含有量よりも大きい。好適な実施の態様において、ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＰｄ含有量は、０．６モル％以下、好ましくは０．３モル％以下である。
［Ｂｉ層］
好適な実施の態様において、Ｂｉ層は、上述のようにはんだ合金側へ連続するＢｉ層であり、はんだ合金に由来するＢｉを主成分としている。好適な実施の態様において、Ｂｉ層は、ＢｉＳｎ合金層との境界から０．２［μｍ］以内の各距離におけるＢｉ含有量が９７モル％以上、好ましくは９８モル％以上である。好適な実施の態様において、Ｂｉ層は、はんだ合金に由来する元素成分を含んでいてもよい。
好適な実施の態様において、Ｂｉ層は、上述のようにはんだ合金側へ連続するＢｉ層であり、はんだ合金に由来するＢｉを主成分としている。好適な実施の態様において、Ｂｉ層は、ＢｉＳｎ合金層との境界から０．２［μｍ］以内の各距離におけるＢｉ含有量が９７モル％以上、好ましくは９８モル％以上である。好適な実施の態様において、Ｂｉ層は、はんだ合金に由来する元素成分を含んでいてもよい。
好適な実施の態様において、Ｂｉ層中に、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層から遊離した（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金の相を有さない。（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層から遊離した（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金の相とは、具体的には、後述する実施例における比較例の画像中の相として説明しているような相をいう。好適な実施の態様において、このような相が、少なくとも観察している視野中には存在していないことが好ましい。このように存在しないことを確認する作業は困難ではあるが、例えば、接合部付近の画像について、合計で１００［μｍ2］以上の視野について観察しても、Ｂｉ層中に、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層から遊離した（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金の相を有さない場合には、Ｂｉ層中に、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層から遊離した（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金の相を有さないとの条件を満たすものと扱うことができる。
［元素濃度］
各元素の濃度（モル％）は、後述する実施例に開示した手段で測定することができ、例えば、具体的にはＳＴＭ（ＪＥＯＬ製、装置名：ＪＥＭ−２１００Ｆ）を使用して測定することができる。本発明における元素濃度は、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐの合計を、１００モル％となるようにした場合の、各元素濃度をいう。
各元素の濃度（モル％）は、後述する実施例に開示した手段で測定することができ、例えば、具体的にはＳＴＭ（ＪＥＯＬ製、装置名：ＪＥＭ−２１００Ｆ）を使用して測定することができる。本発明における元素濃度は、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐの合計を、１００モル％となるようにした場合の、各元素濃度をいう。
［接合強度（シェア強度）］
好適な実施の態様において、本発明による接合部は、２５０℃、１０００時間の高温保持後の接合強度（シェア強度）が、例えば４０ＭＰａ以上、好ましくは４２ＭＰａ以上とすることができる。すなわち、高温域において優れた耐久性を有するものとなっている。この接合強度は、実施例において後述する手順によって、測定することができる。本発明の接合部が、高温域において優れた耐久性を有するものとなっている理由は不明であるが、後述する実施例における比較例との対比から、本発明に接合部が上記の層構造をとることによって、特に所定のＮｉＳｎ合金層を備えることによって、Ｂｉ層側からＮｉ層側へのＢｉの侵入を防ぐことができ、それによって優れた特性を備えるに至ったのではないかと本発明者は洞察している。
好適な実施の態様において、本発明による接合部は、２５０℃、１０００時間の高温保持後の接合強度（シェア強度）が、例えば４０ＭＰａ以上、好ましくは４２ＭＰａ以上とすることができる。すなわち、高温域において優れた耐久性を有するものとなっている。この接合強度は、実施例において後述する手順によって、測定することができる。本発明の接合部が、高温域において優れた耐久性を有するものとなっている理由は不明であるが、後述する実施例における比較例との対比から、本発明に接合部が上記の層構造をとることによって、特に所定のＮｉＳｎ合金層を備えることによって、Ｂｉ層側からＮｉ層側へのＢｉの侵入を防ぐことができ、それによって優れた特性を備えるに至ったのではないかと本発明者は洞察している。
［好適な実施の態様］
好適な実施の態様において、本願発明は、次の（１）以下を含む。
（１）
ＵＢＭとはんだ合金を接合した接合部であって、ＵＢＭ側から順に、
ＵＢＭ側から連続するＮｉ層と、
ＮｉＳｎ合金層と、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層と、
ＢｉＳｎ合金層と、
はんだ合金側へと連続するＢｉ層を含んでなる、接合部。
（２）
ＮｉＳｎ合金層は、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＰを含有し、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＮｉ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＮｉ含有量よりも大きく、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＳｎ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＳｎ含有量よりも小さく、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＳｎ含有量は、０．４モル％以下であり、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＰ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰ含有量よりも大きく、
ＮｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰ含有量は、０．５モル％以下である、（１）に記載の接合部。
（３）
ＮｉＳｎ合金層は、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＰを含有し、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＮｉ含有量が２１モル％〜８３モル％の範囲にあり、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＳｎ含有量が０．２モル％〜４８モル％の範囲にあり、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＰ含有量が０．１モル％〜１０モル％の範囲にある、（１）〜（２）のいずれかに記載の接合部。
（４）
ＮｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、２モル％以下である、（１）〜（３）のいずれかに記載の接合部。
（５）
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＢｉ含有量が、０．２モル％〜２モル％の範囲にある、（１）〜（４）のいずれかに記載の接合部。
（６）
ＮｉＳｎ合金層の厚みが、０．０５〜０．１［μｍ］の範囲にある、（１）〜（５）のいずれかに記載の接合部。
（７）
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＣｕ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＣｕ含有量よりも小さく、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＣｕ含有量は、４モル％以下である、（２）〜（６）のいずれかに記載の接合部。
（８）
ＮｉＳｎ合金層は、さらに、Ｐｄを含有し、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＰｄ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰｄ含有量よりも小さく、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＰｄ含有量は、３モル％以下である、（２）〜（７）のいずれかに記載の接合部。
（９）
Ｎｉ層は、ＮｉＳｎ合金層との境界から０．２［μｍ］以内の各距離におけるＢｉ含有量が、０．２モル％以下である、（１）〜（８）のいずれかに記載の接合部。
（１０）
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、及びＳｎを含有し、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＣｕ含有量が１０モル％〜２２モル％の範囲にあり、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＮｉ含有量が１３モル％〜２１モル％の範囲にあり、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＰｄ含有量が５モル％〜１９モル％の範囲にあり、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＳｎ含有量が４４モル％〜５５モル％の範囲にある、（１）〜（９）のいずれかに記載の接合部。
（１１）
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層は、さらに、Ｂｉを含有し、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、２モル％以下であり、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの距離に応じてＢｉ含有量を測定した場合に、Ｂｉ含有量が０．１モル％〜２４モル％の範囲にある距離が存在し、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＢｉＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、０．５モル％以下である、（１０）に記載の接合部。
（１２）
ＢｉＳｎ合金層は、Ｂｉ及びＳｎを含有し、
ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、０．５モル％以下であり、
ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＳｎ含有量が、２モル％以下である、（１）〜（１１）のいずれかに記載の接合部。
（１３）
ＢｉＳｎ合金層は、さらに、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄを含有し、
ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＣｕ含有量は、Ｂｉ層との境界におけるＣｕ含有量よりも大きく、
ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＣｕ含有量は、０．５モル％以下であり、
ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＮｉ含有量は、Ｂｉ層との境界におけるＮｉ含有量よりも大きく、
ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＮｉ含有量は、１モル％以下であり、
ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰｄ含有量は、Ｂｉ層との境界におけるＰｄ含有量よりも大きく、
ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＰｄ含有量は、０．６モル％以下である、（１２）に記載の接合部。
（１４）
Ｂｉ層中に、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層から遊離した（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金の相を有さない、（１）〜（１３）のいずれかに記載の接合部。
（１５）
ＵＢＭは、電極上に、ニッケル、パラジウム、及び金が、順に積層されて形成されたＵＢＭである、（１）〜（１４）のいずれかに記載の接合部。
（１６）
２５０℃、１０００時間の高温保持後の接合強度が４０ＭＰａ以上である、（１）〜（１５）のいずれかに記載の接合部。
（１７）
（１）〜（１６）のいずれかに記載の接合部を有する、電子部品。
（１８）
（１）〜（１６）のいずれかに記載の接合部を有する、パワーデバイス。
（１９）
（１）〜（１６）のいずれかに記載の接合部を有する、プリント回路板。
好適な実施の態様において、本願発明は、次の（１）以下を含む。
（１）
ＵＢＭとはんだ合金を接合した接合部であって、ＵＢＭ側から順に、
ＵＢＭ側から連続するＮｉ層と、
ＮｉＳｎ合金層と、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層と、
ＢｉＳｎ合金層と、
はんだ合金側へと連続するＢｉ層を含んでなる、接合部。
（２）
ＮｉＳｎ合金層は、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＰを含有し、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＮｉ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＮｉ含有量よりも大きく、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＳｎ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＳｎ含有量よりも小さく、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＳｎ含有量は、０．４モル％以下であり、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＰ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰ含有量よりも大きく、
ＮｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰ含有量は、０．５モル％以下である、（１）に記載の接合部。
（３）
ＮｉＳｎ合金層は、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＰを含有し、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＮｉ含有量が２１モル％〜８３モル％の範囲にあり、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＳｎ含有量が０．２モル％〜４８モル％の範囲にあり、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＰ含有量が０．１モル％〜１０モル％の範囲にある、（１）〜（２）のいずれかに記載の接合部。
（４）
ＮｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、２モル％以下である、（１）〜（３）のいずれかに記載の接合部。
（５）
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＢｉ含有量が、０．２モル％〜２モル％の範囲にある、（１）〜（４）のいずれかに記載の接合部。
（６）
ＮｉＳｎ合金層の厚みが、０．０５〜０．１［μｍ］の範囲にある、（１）〜（５）のいずれかに記載の接合部。
（７）
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＣｕ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＣｕ含有量よりも小さく、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＣｕ含有量は、４モル％以下である、（２）〜（６）のいずれかに記載の接合部。
（８）
ＮｉＳｎ合金層は、さらに、Ｐｄを含有し、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＰｄ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰｄ含有量よりも小さく、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＰｄ含有量は、３モル％以下である、（２）〜（７）のいずれかに記載の接合部。
（９）
Ｎｉ層は、ＮｉＳｎ合金層との境界から０．２［μｍ］以内の各距離におけるＢｉ含有量が、０．２モル％以下である、（１）〜（８）のいずれかに記載の接合部。
（１０）
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、及びＳｎを含有し、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＣｕ含有量が１０モル％〜２２モル％の範囲にあり、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＮｉ含有量が１３モル％〜２１モル％の範囲にあり、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＰｄ含有量が５モル％〜１９モル％の範囲にあり、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＳｎ含有量が４４モル％〜５５モル％の範囲にある、（１）〜（９）のいずれかに記載の接合部。
（１１）
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層は、さらに、Ｂｉを含有し、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、２モル％以下であり、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの距離に応じてＢｉ含有量を測定した場合に、Ｂｉ含有量が０．１モル％〜２４モル％の範囲にある距離が存在し、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＢｉＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、０．５モル％以下である、（１０）に記載の接合部。
（１２）
ＢｉＳｎ合金層は、Ｂｉ及びＳｎを含有し、
ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、０．５モル％以下であり、
ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＳｎ含有量が、２モル％以下である、（１）〜（１１）のいずれかに記載の接合部。
（１３）
ＢｉＳｎ合金層は、さらに、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄを含有し、
ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＣｕ含有量は、Ｂｉ層との境界におけるＣｕ含有量よりも大きく、
ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＣｕ含有量は、０．５モル％以下であり、
ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＮｉ含有量は、Ｂｉ層との境界におけるＮｉ含有量よりも大きく、
ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＮｉ含有量は、１モル％以下であり、
ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰｄ含有量は、Ｂｉ層との境界におけるＰｄ含有量よりも大きく、
ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＰｄ含有量は、０．６モル％以下である、（１２）に記載の接合部。
（１４）
Ｂｉ層中に、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層から遊離した（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金の相を有さない、（１）〜（１３）のいずれかに記載の接合部。
（１５）
ＵＢＭは、電極上に、ニッケル、パラジウム、及び金が、順に積層されて形成されたＵＢＭである、（１）〜（１４）のいずれかに記載の接合部。
（１６）
２５０℃、１０００時間の高温保持後の接合強度が４０ＭＰａ以上である、（１）〜（１５）のいずれかに記載の接合部。
（１７）
（１）〜（１６）のいずれかに記載の接合部を有する、電子部品。
（１８）
（１）〜（１６）のいずれかに記載の接合部を有する、パワーデバイス。
（１９）
（１）〜（１６）のいずれかに記載の接合部を有する、プリント回路板。
好適な実施の態様において、本願発明は、上記接合部を有する電子部品、パワーデバイス、プリント回路板、ＬＥＤ、フレキシブル回路材、放熱材を含む。
以下に実施例をあげて、本発明を詳細に説明する。本発明は、以下に例示する実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
［ＵＢＭの形成］
Ｓｉウエハの片面にスパッタリングにより、Ａｌ面（厚さ３μｍ）を作製し、更に塗布によりポリイミド膜を形成その後露光現像によりポリイミド膜に３００μｍ直径の開口部のランドを形成した。
さらに無電解めっきによりランド部の上に、Ｎｉ層（厚さ２．５μｍ）、Ｐｄ層（厚さ０．０５μｍ）、Ａｕ層（厚さ０．０２μｍ）を順次形成してＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌ）を設けた。なお、無電解Ｎｉめっき液には次亜リン酸イオンの還元剤が添加されているため、Ｎｉ層にＰが共析するものとなる。
［ＵＢＭの形成］
Ｓｉウエハの片面にスパッタリングにより、Ａｌ面（厚さ３μｍ）を作製し、更に塗布によりポリイミド膜を形成その後露光現像によりポリイミド膜に３００μｍ直径の開口部のランドを形成した。
さらに無電解めっきによりランド部の上に、Ｎｉ層（厚さ２．５μｍ）、Ｐｄ層（厚さ０．０５μｍ）、Ａｕ層（厚さ０．０２μｍ）を順次形成してＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌ）を設けた。なお、無電解Ｎｉめっき液には次亜リン酸イオンの還元剤が添加されているため、Ｎｉ層にＰが共析するものとなる。
［はんだ粉］
実施例１において使用したはんだ粉のＩＣＰ分析による組成を表１に示す。はんだ粉は、３００μｍΦであるものを使用した。
実施例１において使用したはんだ粉のＩＣＰ分析による組成を表１に示す。はんだ粉は、３００μｍΦであるものを使用した。
［リフロー処理］
ＵＢＭの上にフラックスを塗布し、さらにその上に３００μｍΦのはんだ粉を搭載し、リフロー処理を行って、加熱接合させた。リフロー処理の条件は、以下とした：
室温から１１０℃まで１．４℃／秒の昇温速度で昇温した。次に、１１０℃から１４０℃まで０．７℃／秒の昇温速度で昇温した。１４０℃から２００℃まで０．８℃／秒の昇温速度で昇温した。次に２００℃から２９０℃まで４．５℃／秒の昇温速度で昇温した。次に、２９０℃の温度を４０秒間維持した。次に、２９０℃から室温まで初期７℃／秒の降温速度で冷却した。これらの操作は窒素雰囲気中で行った。
ＵＢＭの上にフラックスを塗布し、さらにその上に３００μｍΦのはんだ粉を搭載し、リフロー処理を行って、加熱接合させた。リフロー処理の条件は、以下とした：
室温から１１０℃まで１．４℃／秒の昇温速度で昇温した。次に、１１０℃から１４０℃まで０．７℃／秒の昇温速度で昇温した。１４０℃から２００℃まで０．８℃／秒の昇温速度で昇温した。次に２００℃から２９０℃まで４．５℃／秒の昇温速度で昇温した。次に、２９０℃の温度を４０秒間維持した。次に、２９０℃から室温まで初期７℃／秒の降温速度で冷却した。これらの操作は窒素雰囲気中で行った。
［ＥＰＭＡ分析、ＳＴＭ分析］
その後そのサンプルを樹脂封入し、断面を研磨した。清浄および平滑化されたサンプル表面をＥＰＭＡ（ＪＥＯＬ製、装置名：ＪＸＡ−８５００Ｆ）で分析した。リフロー処理後のはんだ接合部はその厚みがおよそ１μｍ以下であるので、精度の高いＳＴＭ（ＪＥＯＬ製、装置名：ＪＥＭ−２１００Ｆ）で測定した。ＥＰＭＡによる測定は画像精度がＳＴＭに比べ劣るが、１ピクセルの大きさが０．０８μｍである画像処理を行った。更に定量化を図るために、同じサンプルを薄く加工しＳＴＭで測定した。
その後そのサンプルを樹脂封入し、断面を研磨した。清浄および平滑化されたサンプル表面をＥＰＭＡ（ＪＥＯＬ製、装置名：ＪＸＡ−８５００Ｆ）で分析した。リフロー処理後のはんだ接合部はその厚みがおよそ１μｍ以下であるので、精度の高いＳＴＭ（ＪＥＯＬ製、装置名：ＪＥＭ−２１００Ｆ）で測定した。ＥＰＭＡによる測定は画像精度がＳＴＭに比べ劣るが、１ピクセルの大きさが０．０８μｍである画像処理を行った。更に定量化を図るために、同じサンプルを薄く加工しＳＴＭで測定した。
実施例１の接合部について、リフロー処理の直後の接合部断面をＥＰＭＡによって測定して作成した複合マップの画像を、図１として示す。
実施例１の接合部について、リフロー処理の後に、２５０℃の温度で１０００時間保持した後の接合部の断面について、同様に、ＥＰＭＡによって測定して複合マップを作成した。この複合マップの画像を図２として示す。
［シェア強度測定］
実施例１の接合部について、上述したリフロー処理の後に、大気雰囲気下で２５０℃の温度で１０００時間保持した後に、シェア強度測定を次のように行った。この結果を表１に示す。
接合強度は、ＭＩＬ ＳＴＤ−８８３Ｇに準じて測定した。荷重センサに取り付けられたツールが基板面まで下降し、装置が基板面を検出し下降を停止し、検出した基板面から設定された高さまでツールが上昇し、ツールで接合部を押して破壊時の荷重を計測した。これらの結果をまとめて表１に示す。
＜測定条件＞
装置：ｄａｇｅ社製 ｄａｇｅ ｓｅｒｉｅｓ ４０００
方法：ダイシェアテスト
テストスピード：１００μｍ／秒
テスト高さ：２０．０μｍ
ツール移動量：０．９ｍｍ
実施例１の接合部について、上述したリフロー処理の後に、大気雰囲気下で２５０℃の温度で１０００時間保持した後に、シェア強度測定を次のように行った。この結果を表１に示す。
接合強度は、ＭＩＬ ＳＴＤ−８８３Ｇに準じて測定した。荷重センサに取り付けられたツールが基板面まで下降し、装置が基板面を検出し下降を停止し、検出した基板面から設定された高さまでツールが上昇し、ツールで接合部を押して破壊時の荷重を計測した。これらの結果をまとめて表１に示す。
＜測定条件＞
装置：ｄａｇｅ社製 ｄａｇｅ ｓｅｒｉｅｓ ４０００
方法：ダイシェアテスト
テストスピード：１００μｍ／秒
テスト高さ：２０．０μｍ
ツール移動量：０．９ｍｍ
［比較例１］
比較例１として、実施例１とは組成が異なるはんだ粉を使用して、実施例１とは異なる条件のリフロー処理を行って、その他については実施例１と同様の手順によって、接合部を形成して、この接合部に対してＥＰＭＡ測定、ＳＴＭ測定、及びシェア強度測定を行った。比較例１のはんだ粉の組成のＩＣＰ分析値とシェア強度測定結果を、表１に示す。比較例１のリフロー処理条件は、以下とした：
室温から１５０℃まで０．９℃／秒の昇温速度で昇温した。次に、１５０℃から２９０℃まで４．５℃／秒の昇温速度で昇温した。次に、２９０℃の温度を４０秒間維持した。次に、２９０℃から室温まで初期８℃／秒の降温速度で冷却した。これらの操作は窒素雰囲気中で行った。
比較例１として、実施例１とは組成が異なるはんだ粉を使用して、実施例１とは異なる条件のリフロー処理を行って、その他については実施例１と同様の手順によって、接合部を形成して、この接合部に対してＥＰＭＡ測定、ＳＴＭ測定、及びシェア強度測定を行った。比較例１のはんだ粉の組成のＩＣＰ分析値とシェア強度測定結果を、表１に示す。比較例１のリフロー処理条件は、以下とした：
室温から１５０℃まで０．９℃／秒の昇温速度で昇温した。次に、１５０℃から２９０℃まで４．５℃／秒の昇温速度で昇温した。次に、２９０℃の温度を４０秒間維持した。次に、２９０℃から室温まで初期８℃／秒の降温速度で冷却した。これらの操作は窒素雰囲気中で行った。
比較例１の接合部について、リフロー処理の直後の接合部断面をＥＰＭＡによって測定して作成した複合マップの画像を、図３として示す。
比較例１の接合部について、リフロー処理の後に、２５０℃の温度で１０００時間保持した後の接合部の断面について、同様に、ＥＰＭＡによって測定して複合マップを作成した。この複合マップの画像を図４として示す。
［ＳＴＭ画像とライン分析］
実施例１の接合部について、リフロー処理の直後の接合部断面のＳＴＭ像を、図５として示す。実施例１の接合部について、このＳＴＭ像に記入された分析ラインに沿って、各元素濃度（モル％）を数値化したグラフを、図６として示す。元素濃度（モル％）は、グラフ中の６元素、すなわち、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐの合計を、１００％とした。
実施例１の接合部について、リフロー処理の直後の接合部断面のＳＴＭ像を、図５として示す。実施例１の接合部について、このＳＴＭ像に記入された分析ラインに沿って、各元素濃度（モル％）を数値化したグラフを、図６として示す。元素濃度（モル％）は、グラフ中の６元素、すなわち、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐの合計を、１００％とした。
比較例１の接合部について、リフロー処理の直後の接合部断面のＳＴＭ像を、図７として示す。比較例１の接合部について、このＳＴＭ像に記入された分析ラインに沿って、各元素濃度（モル％）を数値化したグラフを、図８として示す。
［評価］
図１は、実施例１の接合部のリフロー処理後のＥＰＭＡ複合マップ画像である。
図１には、Ｎｉ層（１１）とＢｉ層（１４）の界面近傍に、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（１３）と見られる層が観察され、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（１３）の直下には、ＮｉＳｎ合金層（厚さ約０．１μｍ）（１２）が存在する。このＮｉＳｎ合金層（１２）には、カラー化した複合マップの画像によっても、Ｂｉの侵入は全く観察されない。また、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（１３）には比較的に厚さが揃っており、Ｂｉ層（１４）中に（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（１３）から遊離してしまった（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ相は、全く観察されない。図１においては、Ｎｉ層（１１）中へのＢｉの侵入は、カラー化した複合マップの画像においても全く観察されない。なお、図１の画像の下半分以上を占める黒い領域は、Ｎｉ層（１１）の下地となっているＡｌ層（３μｍ）とさらにその下地となっているＳｉ基材である。
図１は、実施例１の接合部のリフロー処理後のＥＰＭＡ複合マップ画像である。
図１には、Ｎｉ層（１１）とＢｉ層（１４）の界面近傍に、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（１３）と見られる層が観察され、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（１３）の直下には、ＮｉＳｎ合金層（厚さ約０．１μｍ）（１２）が存在する。このＮｉＳｎ合金層（１２）には、カラー化した複合マップの画像によっても、Ｂｉの侵入は全く観察されない。また、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（１３）には比較的に厚さが揃っており、Ｂｉ層（１４）中に（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（１３）から遊離してしまった（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ相は、全く観察されない。図１においては、Ｎｉ層（１１）中へのＢｉの侵入は、カラー化した複合マップの画像においても全く観察されない。なお、図１の画像の下半分以上を占める黒い領域は、Ｎｉ層（１１）の下地となっているＡｌ層（３μｍ）とさらにその下地となっているＳｉ基材である。
図２は、実施例１の接合部のリフロー処理後に、２５０℃の温度で１０００時間保持した後のＥＰＭＡ複合マップ画像である。
図２には、Ｎｉ層（２１）とＢｉ層（２４）の界面近傍に、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（２３）と見られる層が観察され、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（２３）の直下には、ＮｉＳｎ合金層（厚さ約０．２μｍ）（２２）が存在する。このＮｉＳｎ合金層（２２）には、カラー化した複合マップの画像によっても、Ｂｉの侵入は全く観察されない。また、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（２３）は、図１と比較して厚みを増しているが、その全体は依然としてＮｉＳｎ合金層（２２）との密着を維持している。Ｂｉ層（２４）中には、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（２３）から遊離してしまった（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ相は、全く観察されない。また、Ｂｉ層（２４）中には、Ｎｉ層に由来すると見られるＮｉ相は、カラー化した複合マップの画像においても全く観察されない。図２においては、Ｎｉ層（２１）中へのＢｉの侵入は、カラー化した複合マップの画像においても全く観察されない。
図２には、Ｎｉ層（２１）とＢｉ層（２４）の界面近傍に、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（２３）と見られる層が観察され、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（２３）の直下には、ＮｉＳｎ合金層（厚さ約０．２μｍ）（２２）が存在する。このＮｉＳｎ合金層（２２）には、カラー化した複合マップの画像によっても、Ｂｉの侵入は全く観察されない。また、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（２３）は、図１と比較して厚みを増しているが、その全体は依然としてＮｉＳｎ合金層（２２）との密着を維持している。Ｂｉ層（２４）中には、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（２３）から遊離してしまった（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ相は、全く観察されない。また、Ｂｉ層（２４）中には、Ｎｉ層に由来すると見られるＮｉ相は、カラー化した複合マップの画像においても全く観察されない。図２においては、Ｎｉ層（２１）中へのＢｉの侵入は、カラー化した複合マップの画像においても全く観察されない。
図３は、比較例１の接合部のリフロー処理後のＥＰＭＡ複合マップ画像である。
図３には、Ｎｉ層（３１）とＢｉ層（３４）の界面近傍に、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（３２）と見られる層が観察され、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（３２）の直下には、ＮｉＳｎ合金層（３２’）とも見られる層（厚さ約０．１μｍ）が存在するが、そのＮｉＳｎ（３２’）合金層にはグレースケールでは観察できない程度の微量のＢｉの侵入（３５）が、カラー化した複合マップの画像において観察される。また、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（３２）には厚さの不均一があり、この（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（３２）から遊離してしまった（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ相（３３）が、Ｂｉ層（３４）中に観察される。図３においては、Ｎｉ層（３１）中へのＢｉの侵入は、カラー化した複合マップの画像においても観察されない。なお、図３の画像の下半分以上を占める黒い領域は、Ｎｉ層（３１）の下地となっているＡｌ層（３μｍ）とさらにその下地となっているＳｉ基材である。
図３には、Ｎｉ層（３１）とＢｉ層（３４）の界面近傍に、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（３２）と見られる層が観察され、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（３２）の直下には、ＮｉＳｎ合金層（３２’）とも見られる層（厚さ約０．１μｍ）が存在するが、そのＮｉＳｎ（３２’）合金層にはグレースケールでは観察できない程度の微量のＢｉの侵入（３５）が、カラー化した複合マップの画像において観察される。また、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（３２）には厚さの不均一があり、この（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（３２）から遊離してしまった（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ相（３３）が、Ｂｉ層（３４）中に観察される。図３においては、Ｎｉ層（３１）中へのＢｉの侵入は、カラー化した複合マップの画像においても観察されない。なお、図３の画像の下半分以上を占める黒い領域は、Ｎｉ層（３１）の下地となっているＡｌ層（３μｍ）とさらにその下地となっているＳｉ基材である。
図４は、比較例１の接合部のリフロー処理後に、２５０℃の温度で１０００時間保持した後のＥＰＭＡ複合マップ画像である。
図４には、図３と同様にＮｉ層が存在しているが、カラー化した複合マップの画像ではＮｉ層はその厚みのほぼ全体（厚さ約１．８μｍ）がＢｉの侵入が観察されるＮｉ層（４２）となっており、Ｂｉの侵入が観察されないＮｉ層（４１）はごく薄く（厚さ約０．４μｍ）存在するだけとなっている。Ｎｉ層（４２）とＢｉ層（４５）の界面近傍には、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（４３）と見られる層が観察され、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（４３）の直下には、ＮｉＳｎ合金層とも見られる層は、カラー化した複合マップの画像においても観察されないが、ＮｉＳｎ合金相（４３’）の塊が不連続に観察される。（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（４３）の形状は、ひどく乱れてしまっており、遊離してしまった（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ相（４４）が、Ｂｉ層（４５）中に多く観察される。さらに、Ｎｉ層に由来すると見られるＮｉ相（４６）が、Ｂｉ層（４５）中に多く観察される。
図４には、図３と同様にＮｉ層が存在しているが、カラー化した複合マップの画像ではＮｉ層はその厚みのほぼ全体（厚さ約１．８μｍ）がＢｉの侵入が観察されるＮｉ層（４２）となっており、Ｂｉの侵入が観察されないＮｉ層（４１）はごく薄く（厚さ約０．４μｍ）存在するだけとなっている。Ｎｉ層（４２）とＢｉ層（４５）の界面近傍には、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（４３）と見られる層が観察され、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（４３）の直下には、ＮｉＳｎ合金層とも見られる層は、カラー化した複合マップの画像においても観察されないが、ＮｉＳｎ合金相（４３’）の塊が不連続に観察される。（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（４３）の形状は、ひどく乱れてしまっており、遊離してしまった（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ相（４４）が、Ｂｉ層（４５）中に多く観察される。さらに、Ｎｉ層に由来すると見られるＮｉ相（４６）が、Ｂｉ層（４５）中に多く観察される。
図５は、実施例１の接合部のリフロー処理後のＳＴＭ画像である。
図５において、Ｎｉ層（５１）とＢｉ層（５４）の界面近傍に、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（５３）と見られる層が観察される。上下方向に細長い孔が空いているかのような領域（５２）が観察される。後述のように、この領域（５２）はＰ濃度が比較的に大きいＰリッチ領域である。このＰリッチ領域の厚みは約０．１３μｍであった。分析ライン（５５）に沿って、分析を行って、各分析点における原子の濃度を測定して作成したグラフが、図６である。
図５において、Ｎｉ層（５１）とＢｉ層（５４）の界面近傍に、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（５３）と見られる層が観察される。上下方向に細長い孔が空いているかのような領域（５２）が観察される。後述のように、この領域（５２）はＰ濃度が比較的に大きいＰリッチ領域である。このＰリッチ領域の厚みは約０．１３μｍであった。分析ライン（５５）に沿って、分析を行って、各分析点における原子の濃度を測定して作成したグラフが、図６である。
図６は、図５の分析ライン（５５）に沿って分析して得られた原子の濃度（モル％）を縦軸とし、分析ラインの分析の開始点からの距離を横軸としたグラフである。グラフの左側はＮｉ層側であり、グラフの右側はＢｉ層側である。横軸の開始点はＮｉ層中にある。０．１５μｍからとＮｉ濃度は減少してゆき、０．２２μｍ付近でＳｎ濃度がほぼ存在しない状態から急激に上昇し始める。この位置からＮｉＳｎ合金層が始まっていると考えられる。同時にこの位置ではＰ濃度がその前後よりも比較的に大きくなっており、距離の増大に伴ってＰ濃度は減少して、０．２６μｍ付近でＰ濃度がほぼ消失する。このＰ濃度の減少と並行して、Ｎｉ濃度は減少し、Ｓｎ濃度が上昇している。Ｐ濃度が消失する位置でＮｉＳｎ合金層が終わっており、新たに（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層が始まっていると考えられる。この（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層の開始位置では、Ｐｄ濃度がその前後よりも比較的に大きくなっている。ＮｉＳｎ合金層と（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層の境界では、Ｓｎ濃度が４８モル％、Ｎｉ濃度が２１モル％と見積もられ、αの値が０．８となる。この（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層の開始位置から距離が増大すると、Ｂｉ含有量が比較的に高い領域が０．３０μｍ付近で一時的に生じているが、その前後にはＢｉはほとんど含まれていない。その後、距離が増大する間、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層が続く。この間のαは０．８〜０．９と見積もられ、平均値が０．８３であった。その後、距離が増大すると、０．４８μｍ付近でＢｉ濃度がほぼ存在しない状態から急激に上昇し始める。このＢｉ濃度が上昇開始する位置で（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層が終了して、ＢｉＳｎ合金層が開始している。ＢｉＳｎ合金層には、ＢｉとＳｎに加えて、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄが存在している。ＢｉＳｎ合金層中のＣｕ，Ｎｉ，Ｐｄの濃度は、いずれも距離の増大とともに減少して、０．５６μｍ付近でいずれも消失する。このＣｕ，Ｎｉ，Ｐｄの濃度が消失する位置で、ＢｉＳｎ合金層が終わっており、Ｂｉ層が始まっていると考えられる。
図７は、比較例１の接合部のリフロー処理後のＳＴＭ画像である。
図７において、Ｎｉ層（７１）とＢｉ層（７４）の界面近傍に、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（７３）と見られる層が観察される。上下方向に細長い孔が空いているかのようなＰリッチ領域（７２）が、図５よりはやや形状が乱れて不均一であるが、観察される分析ライン（７５）に沿って、分析を行って、各分析点における原子の濃度を測定して作成したグラフが、図８である。
図７において、Ｎｉ層（７１）とＢｉ層（７４）の界面近傍に、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層（７３）と見られる層が観察される。上下方向に細長い孔が空いているかのようなＰリッチ領域（７２）が、図５よりはやや形状が乱れて不均一であるが、観察される分析ライン（７５）に沿って、分析を行って、各分析点における原子の濃度を測定して作成したグラフが、図８である。
図８は、図７の分析ライン（７５）に沿って分析して得られた原子の濃度（モル％）を縦軸とし、分析ラインの分析の開始点からの距離を横軸としたグラフである。グラフの左側はＮｉ層側であり、グラフの右側はＢｉ層側である。図６のグラフであれば、ＮｉＳｎ合金層と（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層の境界に相当する位置にまで、図８のグラフでは、Ｂｉが侵入していることが観察される。また、図６のグラフであれば、ＮｉＳｎ合金層に相当する位置を通過して、Ｎｉ層に相当する位置にまで、図８のグラフでは、Ｂｉが侵入していることが観察される。なお、Ｐ濃度が消失する位置、すなわちＮｉＳｎ合金層と（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層の境界では、Ｓｎ濃度が１８モル％、Ｎｉ濃度が２３モル％と見積もられ、αの値が２．０となった。（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層のαは０．７〜１．２と見積もられ、平均値が０．８５であった。
本発明は、鉛が添加されて含まれることなく、高温域において優れた耐久性を有する、はんだ接合部を提供する。本発明は産業上有用な発明である。
１１ Ｎｉ層
１２ ＮｉＳｎ合金層
１３ （Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層
１４ Ｂｉ層
２１ Ｎｉ層
２２ ＮｉＳｎ合金層
２３ （Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層
２４ Ｂｉ層
３１ Ｎｉ層（Ｂｉ侵入無し）
３２ （Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層
３２’ ＮｉＳｎ合金層
３３ 遊離（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ相
３４ Ｂｉ層
３５ 侵入Ｂｉ
４１ Ｎｉ層（Ｂｉ侵入無し）
４２ Ｎｉ層（Ｂｉ侵入有り）
４３’ ＮｉＳｎ合金相（不連続）
４３ （Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層
４４ 遊離（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ相
４５ Ｂｉ層
４６ Ｎｉ相
５１ Ｎｉ層
５２ Ｐリッチ領域
５３ （Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層
５４ Ｂｉ層
５５ 分析ライン
７１ Ｎｉ層
７２ Ｐリッチ領域
７３ （Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層
７４ Ｂｉ層
７５ 分析ライン
１２ ＮｉＳｎ合金層
１３ （Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層
１４ Ｂｉ層
２１ Ｎｉ層
２２ ＮｉＳｎ合金層
２３ （Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層
２４ Ｂｉ層
３１ Ｎｉ層（Ｂｉ侵入無し）
３２ （Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層
３２’ ＮｉＳｎ合金層
３３ 遊離（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ相
３４ Ｂｉ層
３５ 侵入Ｂｉ
４１ Ｎｉ層（Ｂｉ侵入無し）
４２ Ｎｉ層（Ｂｉ侵入有り）
４３’ ＮｉＳｎ合金相（不連続）
４３ （Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層
４４ 遊離（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ相
４５ Ｂｉ層
４６ Ｎｉ相
５１ Ｎｉ層
５２ Ｐリッチ領域
５３ （Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層
５４ Ｂｉ層
５５ 分析ライン
７１ Ｎｉ層
７２ Ｐリッチ領域
７３ （Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ）αＳｎ層
７４ Ｂｉ層
７５ 分析ライン
Claims (19)
- ＵＢＭとはんだ合金を接合した接合部であって、ＵＢＭ側から順に、
ＵＢＭ側から連続するＮｉ層と、
ＮｉＳｎ合金層と、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層と、
ＢｉＳｎ合金層と、
はんだ合金側へと連続するＢｉ層を含んでなる、接合部。 - ＮｉＳｎ合金層は、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＰを含有し、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＮｉ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＮｉ含有量よりも大きく、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＳｎ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＳｎ含有量よりも小さく、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＳｎ含有量は、０．４モル％以下であり、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＰ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰ含有量よりも大きく、
ＮｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰ含有量は、０．５モル％以下である、請求項１に記載の接合部。 - ＮｉＳｎ合金層は、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＰを含有し、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＮｉ含有量が２１モル％〜８３モル％の範囲にあり、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＳｎ含有量が０．２モル％〜４８モル％の範囲にあり、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＰ含有量が０．１モル％〜１０モル％の範囲にある、請求項１〜２のいずれかに記載の接合部。 - ＮｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、２モル％以下である、請求項１〜３のいずれかに記載の接合部。
- ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界からの各距離におけるＢｉ含有量が、０．２モル％〜２モル％の範囲にある、請求項１〜４のいずれかに記載の接合部。
- ＮｉＳｎ合金層の厚みが、０．０３〜０．１［μｍ］の範囲にある、請求項１〜５のいずれかに記載の接合部。
- ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＣｕ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＣｕ含有量よりも小さく、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＣｕ含有量は、４モル％以下である、請求項２〜６のいずれかに記載の接合部。 - ＮｉＳｎ合金層は、さらに、Ｐｄを含有し、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＰｄ含有量は、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰｄ含有量よりも小さく、
ＮｉＳｎ合金層において、Ｎｉ層との境界におけるＰｄ含有量は、３モル％以下である、請求項２〜７のいずれかに記載の接合部。 - Ｎｉ層は、ＮｉＳｎ合金層との境界から０．２［μｍ］以内の各距離におけるＢｉ含有量が、０．２モル％以下である、請求項１〜８のいずれかに記載の接合部。
- （Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、及びＳｎを含有し、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＣｕ含有量が１０モル％〜２２モル％の範囲にあり、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＮｉ含有量が１３モル％〜２１モル％の範囲にあり、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＰｄ含有量が５モル％〜１９モル％の範囲にあり、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの各距離におけるＳｎ含有量が４４モル％〜５５モル％の範囲にある、請求項１〜９のいずれかに記載の接合部。 - （Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層は、さらに、Ｂｉを含有し、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、２モル％以下であり、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＮｉＳｎ合金層との境界からの距離に応じてＢｉ含有量を測定した場合に、Ｂｉ含有量が０．１モル％〜２４モル％の範囲にある距離が存在し、
（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層において、ＢｉＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、０．５モル％以下である、請求項１０に記載の接合部。 - ＢｉＳｎ合金層は、Ｂｉ及びＳｎを含有し、
ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＢｉ含有量が、０．５モル％以下であり、
ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＳｎ含有量が、２モル％以下である、請求項１〜１１のいずれかに記載の接合部。 - ＢｉＳｎ合金層は、さらに、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄを含有し、
ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＣｕ含有量は、Ｂｉ層との境界におけるＣｕ含有量よりも大きく、
ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＣｕ含有量は、０．５モル％以下であり、
ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＮｉ含有量は、Ｂｉ層との境界におけるＮｉ含有量よりも大きく、
ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＮｉ含有量は、１モル％以下であり、
ＢｉＳｎ合金層において、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層との境界におけるＰｄ含有量は、Ｂｉ層との境界におけるＰｄ含有量よりも大きく、
ＢｉＳｎ合金層において、Ｂｉ層との境界におけるＰｄ含有量は、０．６モル％以下である、請求項１２に記載の接合部。 - Ｂｉ層中に、（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金層から遊離した（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ）αＳｎ合金の相を有さない、請求項１〜１３のいずれかに記載の接合部。
- ＵＢＭは、電極上に、ニッケル、パラジウム、及び金が、順に積層されて形成されたＵＢＭである、請求項１〜１４のいずれかに記載の接合部。
- ２５０℃、１０００時間の高温保持後の接合強度が４０ＭＰａ以上である、請求項１〜１５のいずれかに記載の接合部。
- 請求項１〜１６のいずれかに記載の接合部を有する、電子部品。
- 請求項１〜１６のいずれかに記載の接合部を有する、パワーデバイス。
- 請求項１〜１６のいずれかに記載の接合部を有する、プリント回路板。
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