JPWO2020091008A1 - 金属層付き炭素質部材、及び、熱伝導板 - Google Patents
金属層付き炭素質部材、及び、熱伝導板 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020091008A1 JPWO2020091008A1 JP2020554962A JP2020554962A JPWO2020091008A1 JP WO2020091008 A1 JPWO2020091008 A1 JP WO2020091008A1 JP 2020554962 A JP2020554962 A JP 2020554962A JP 2020554962 A JP2020554962 A JP 2020554962A JP WO2020091008 A1 JPWO2020091008 A1 JP WO2020091008A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal
- carbonaceous member
- carbonaceous
- graphite particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 254
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 254
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 286
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 102
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 97
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 64
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 56
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018956 Sn—In Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940098221 silver cyanide Drugs 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000010934 sterling silver Substances 0.000 description 1
- 229910000898 sterling silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
- H05K7/20509—Multiple-component heat spreaders; Multi-component heat-conducting support plates; Multi-component non-closed heat-conducting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/16—Layered products comprising a layer of metal next to a particulate layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
- B32B5/16—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by features of a layer formed of particles, e.g. chips, powder or granules
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
- B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
- B32B9/007—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile comprising carbon, e.g. graphite, composite carbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
- B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B9/041—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3736—Metallic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2250/00—Layers arrangement
- B32B2250/03—3 layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2250/00—Layers arrangement
- B32B2250/40—Symmetrical or sandwich layers, e.g. ABA, ABCBA, ABCCBA
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/04—Coating on the layer surface on a particulate layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/20—Inorganic coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/20—Inorganic coating
- B32B2255/205—Metallic coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/28—Multiple coating on one surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
- B32B2264/10—Inorganic particles
- B32B2264/107—Ceramic
- B32B2264/108—Carbon, e.g. graphite particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
- B32B2307/302—Conductive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
- B32B2307/538—Roughness
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/732—Dimensional properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Abstract
Description
本願は、2018年10月31日に、日本に出願された特願2018−206000号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
上述の特許文献1〜3においては、グラフェンが積層された炭素質部材の表面に金属層を形成する際には、炭素質部材の表面にチタン層を形成し、このチタン層の上にニッケル層や銅層を形成している。すなわち、活性金属であるチタン層を介在させることによって、炭素質部材と金属層との接合強度を確保している。
しかしながら、チタンは、熱伝導率が17W/(m・K)と比較的低いため、炭素質部材と金属層との間に介在するチタン層が熱抵抗となり、熱伝導板の厚さ方向にグラフェンのベーサル面が延在するように炭素質部材を配置しても、熱を効率良く厚さ方向に伝導させることができないおそれがあった。
また、前記金属めっき層は、熱伝導率が50W/(m・K)以上の金属で構成されているので、金属めっき層が大きな熱抵抗とはならない。したがって、金属層に配設される発熱体からの熱を、金属層を通じて炭素質部材側へと効率良く伝導させることが可能となる。
図1に示すパワーモジュール1は、絶縁回路基板10と、この絶縁回路基板10の一方の面側(図1において上側)にはんだ層2を介して接合された半導体素子3と、絶縁回路基板10の他方の面側(図1において下側)に配設された熱伝導板20と、この熱伝導板20の他方の面側に配設されたヒートシンク30とを備えている。
絶縁層11は、回路層12と伝熱層13との間の電気的接続を防止するものであって、本実施形態では、絶縁性の高い窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化ケイ素(Si3N4)等のセラミックスで構成されている。絶縁層11の厚さは、0.2〜1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、0.635mmに設定されていてもよい。
回路層12となる金属板(銅板)の厚さは0.1mm以上1.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、0.6mmに設定されていてもよい。
伝熱層13となる金属板(銅板)の厚さは0.1mm以上1.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、0.6mmに設定されていてもよい。
セラミックスからなる絶縁層11と回路層12及び伝熱層13となる銅板とは、活性金属を用いたろう付け法,DBC法等によって接合できる。
このヒートシンク30は、熱伝導性が良好な材質、例えばアルミニウム又はアルミニウム合金、銅又は銅合金で構成されていることが好ましく、本実施形態においては、無酸素銅で構成されていてもよい。
黒鉛粒子の厚みがベーサル面から見た粒径の1/1000〜1/2の範囲内とすることによって、優れた熱伝導性と黒鉛粒子の配向性が適度に調整される。黒鉛粒子の厚みはベーサル面から見た粒径の1/1000〜1/500の範囲内であることがより好ましい。
さらに、グラフェン集合体の厚さは、例えば線分法で測定した場合に、0.05μm以上50μm未満の範囲内であることが好ましい。グラフェン集合体の厚さを上述の範囲内とすることで、炭素質部材の強度が確保される。グラフェン集合体の厚さは、より好ましくは1μm以上かつ20μm以下である。
金属めっき層26の厚さは、0.1μm以上500μm以下の範囲内であることが好ましく、1μm以上300μm以下の範囲内であることがさらに好ましい。金属めっき層26の厚さは、より好ましくは0.5μm以上かつ100μm以下である。
この金属部材層27の厚さ(金属部材の厚さ)は、30μm以上5000μm以下の範囲内であることが好ましく、50μm以上3000μm以下の範囲内であることがさらに好ましい。
この接合層28における緻密度は、例えばSEM像の観察により測定した場合に、60%以上90%以下の範囲内であることが好ましく、70%以上80%以下の範囲内であることがさらに好ましい。接合層28における気孔率を上述の範囲内とすることで、熱サイクル負荷時に生じる熱応力を接合層28において緩和することが可能となる。
図3において、下方の黒色部が板本体21(炭素質部材)であり、その上部に位置する灰色部が金属めっき層26(例えばAgめっき層)である。
本実施形態においては、図3及び図4に示すように、板本体21の主面に黒鉛粒子のエッジ面が向くことによって、板本体21の主面に凹凸が形成されており、この凹凸に対応して、金属めっき層26のめっき金属(本実施形態ではAg)が板本体21側に浸透している。これによって、金属めっき層26と板本体21とが一般的にアンカー効果と呼ばれる効果により強固に接合される。
まず、上述した扁平形状の黒鉛粒子とグラフェン集合体とを所定の配合比となるように秤量し、これをボールミル等の既存の混合装置によって混合する。
得られた混合物を、所定の形状の金型に充填して加圧することにより成形体を得る。加圧時に加熱を実施してもよい。
得られた成形体に対して切り出し加工を行い、板本体21を得る。このとき、扁平形状の黒鉛粒子のベーサル面が板本体21の厚さ方向に延在するとともに、板本体21の主面に、扁平形状の黒鉛粒子のエッジ面が向くように、切り出しを行う。
低圧水銀ランプを備えたオゾンクリーニング装置(Model UV312株式会社テクノビジョン)で前記エッジ積層面に紫外線を30分間照射することでオゾン処理を行った。
次に、板本体21の両主面に対して、金属めっき層26を形成する。めっき方法に特に制限はなく、電解めっき法、無電解めっき法等の湿式めっき法を適用できる。本実施形態では、電解めっき法により、Agめっき層を形成してもよい。
めっきを実施する前に、板本体21の主面(エッジ積層面)に対して、プラズマ処理、酸化処理等の前処理を実施してもよい。前処理を行うことにより、エッジ積層面の粗面状態をコントロールすることができる。
めっき液は、限定はされないが、一般的なシアンAgめっき液を使用してもよく、適宜添加剤を使用してもよい。例えば、シアン化銀(AgCN)を30g/L以上50g/L以下の範囲で含み、シアン化カリウム(KCN)を100g/L以上150g/L以下の範囲で含むめっき液を用いることができる。
次に、金属めっき層26の表面に金属部材を接合して金属部材層27を形成する。本実施形態においては、金属めっき層16の表面に、銀粉末あるいは酸化銀粉末を含む銀ペーストを塗布する。銀ペーストは、銀粉末と、溶剤とを含むものとされている。必要に応じて樹脂や分散剤を含有しても良い。銀粉末に代えて、酸化銀粉末と還元剤とを含有するものとしてもよい。
銀粉末及び酸化銀粉末の平均粒径は、10nm以上10μm以下の範囲内とすることが好ましく、100nm以上1μm以下の範囲内とすることがさらに好ましい。銀ペーストの塗布厚さは、10μm以上100μm以下の範囲内とすることが好ましく、30μm以上50μm以下の範囲内とすることがさらに好ましい。
金属部材層27と金属めっき層26との間には、銀の焼成体からなる接合層28が形成されることになり、接合条件を上述のように規定することで、接合層28における気孔率が例えば70%以上80%以下の範囲内とされる。
凹凸が形成された板本体21の主面(エッジ積層面)に、金属めっき層26が形成されているので、図3に示すように、金属めっき層26のめっき金属が板本体21(炭素質部材)の内部に十分に浸透しており、金属めっき層26と板本体21(炭素質部材)とが、粗面のアンカー効果により強固に接合されている。
金属めっき層26は、熱伝導率が50W/(m・K)以上の金属で構成されており、具体的には、Ni,Cu,Ag,Sn,Co等の純金属、及び、これらの金属を主成分とする合金で構成されており、本実施形態ではAgめっき層とされているので、金属めっき層26が大きな熱抵抗とはならない。
したがって、金属層25に搭載された発熱体(半導体素子3を搭載した絶縁回路基板10)からの熱を板本体21の厚さ方向へと効率良く伝導させることが可能となる。
特に、本実施形態では、接合層28における気孔率が70%以上80%以下の範囲内とされた場合には、確実に熱応力を緩和できるとともに、この接合層28が熱抵抗となることを抑制できる。
本実施形態においては、板本体の両主面に凹凸が形成されているため金属めっき層26の板本体21とのアンカー効果が発揮されているので、金属めっき層26と板本体21(炭素質部材)との接合強度を十分に向上させることができる。
例えば、本実施形態では、絶縁回路基板の回路層に半導体素子(パワー半導体素子)を搭載してパワーモジュールを構成するものとして説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁回路基板にLED素子を搭載してLEDモジュールを構成してもよいし、絶縁回路基板の回路層に熱電素子を搭載して熱電モジュールを構成してもよい。
本実施形態で開示したように、扁平形状の黒鉛粒子とグラフェン集合体を所定の配合比で配合して混合し、加圧加熱して成形することにより、扁平形状の黒鉛粒子が、そのベーサル面が折り重なるようにグラフェン集合体をバインダーとして積層された構造の成形体を得た。
実施例1、2および比較例1、2の熱伝導板を作成するために、表1に記載の算術表面高さSa、最大高さSzを有する炭素質部材を用意した。算術表面高さSaを大きくするために、実施例1ではオゾン処理を施した。
オゾン処理条件:紫外線を30分間照射することでオゾン処理を行った。
21,121 板本体(炭素質部材)
25,125 金属層
26,126 金属めっき層
27,127 金属部材層
28 接合層
Claims (5)
- 炭素質部材と、この炭素質部材の表面の少なくとも一部に形成された金属層と、を備えた金属層付き炭素質部材であって、
前記炭素質部材は、単層又は多層のグラフェンが堆積してなるグラフェン集合体と扁平形状の黒鉛粒子とを含み、扁平形状の前記黒鉛粒子が、そのベーサル面が折り重なるように前記グラフェン集合体をバインダーとして積層され、扁平形状の前記黒鉛粒子のベーサル面が一方向に向けて配向した構造とされており、
前記金属層は、前記炭素質部材において積層した前記黒鉛粒子のエッジ面が向くエッジ積層面に直接形成された金属めっき層を備えており、
前記金属めっき層は、熱伝導率が50W/(m・K)以上の金属で構成されていることを特徴とする金属層付き炭素質部材。 - 前記金属層は、前記金属めっき層と、前記金属めっき層に接合された金属部材からなる金属部材層とを備えていることを特徴とする請求項1に記載の金属層付き炭素質部材。
- 前記金属めっき層と前記金属部材層との間に、金属の焼成体からなる接合層が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の金属層付き炭素質部材。
- 前記エッジ積層面の算術平均高さSaが1.1μm以上であり、前記エッジ積層面の最大高さSzが20μm以上であることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の金属層付き炭素質部材。
- 主面に搭載された発熱体からの熱を面方向に拡げるとともに厚さ方向に伝導させる熱伝導板であって、
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の金属層付き炭素質部材を有し、
前記炭素質部材は、前記黒鉛粒子の前記ベーサル面が前記厚さ方向に延在するように配置され、前記黒鉛粒子のエッジ面が向く前記主面に前記金属めっき層が形成されていることを特徴とする熱伝導板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018206000 | 2018-10-31 | ||
JP2018206000 | 2018-10-31 | ||
PCT/JP2019/042914 WO2020091008A1 (ja) | 2018-10-31 | 2019-10-31 | 金属層付き炭素質部材、及び、熱伝導板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020091008A1 true JPWO2020091008A1 (ja) | 2021-02-15 |
JP7047933B2 JP7047933B2 (ja) | 2022-04-05 |
Family
ID=70464562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020554962A Active JP7047933B2 (ja) | 2018-10-31 | 2019-10-31 | 金属層付き炭素質部材、及び、熱伝導板 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210352828A1 (ja) |
EP (1) | EP3875267A4 (ja) |
JP (1) | JP7047933B2 (ja) |
KR (1) | KR102437007B1 (ja) |
CN (1) | CN112839799B (ja) |
TW (1) | TWI787554B (ja) |
WO (1) | WO2020091008A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021100860A1 (ja) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | 三菱マテリアル株式会社 | セラミックス/銅/グラフェン接合体とその製造方法、およびセラミックス/銅/グラフェン接合構造 |
JP6803106B1 (ja) * | 2020-09-18 | 2020-12-23 | 株式会社半導体熱研究所 | 半導体デバイスの接合部材 |
CN114763020A (zh) * | 2021-01-11 | 2022-07-19 | 深圳市汉嵙新材料技术有限公司 | 一种导热板 |
TWI833063B (zh) * | 2021-01-27 | 2024-02-21 | 大陸商河南烯力新材料科技有限公司 | 導熱結構與電子裝置 |
WO2024024371A1 (ja) * | 2022-07-27 | 2024-02-01 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012238733A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Thermo Graphitics Co Ltd | 異方性熱伝導素子及びその製造方法 |
WO2018074493A1 (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 株式会社インキュベーション・アライアンス | 黒鉛/グラフェン複合材、集熱体、伝熱体、放熱体および放熱システム |
JP2018518020A (ja) * | 2015-05-15 | 2018-07-05 | モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク | 熱管理のための熱分解グラファイトを用いた発光ダイオードアセンブリ |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3180622B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2001-06-25 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
JP2006202938A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Kojiro Kobayashi | 半導体装置及びその製造方法 |
KR20160129920A (ko) * | 2009-02-13 | 2016-11-09 | 덴카 주식회사 | Led 발광소자용 복합재료 기판, 그 제조 방법 및 led 발광소자 |
JP2011023670A (ja) | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Thermo Graphitics Co Ltd | 異方性熱伝導素子及びその製造方法 |
CN102555340B (zh) * | 2010-12-28 | 2015-08-19 | 碳元科技股份有限公司 | 一种高散热膜复合结构及其制造方法 |
US9346991B2 (en) * | 2011-04-14 | 2016-05-24 | Ada Technologies, Inc. | Thermal interface materials and systems and devices containing the same |
EP2739929A4 (en) * | 2011-08-03 | 2015-09-02 | Anchor Science Llc | DYNAMIC THERMAL INTERFACE MATERIAL |
ES2471568B1 (es) * | 2012-11-22 | 2015-08-21 | Abengoa Solar New Technologies S.A. | Procedimiento para la creación de contactos eléctricos y contactos así creados |
JP6299407B2 (ja) | 2014-05-14 | 2018-03-28 | 日産自動車株式会社 | パワー半導体モジュール及びその製造方法 |
JP6432466B2 (ja) * | 2014-08-26 | 2018-12-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 接合体、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク、接合体の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及び、ヒートシンクの製造方法 |
TWI659828B (zh) * | 2016-07-27 | 2019-05-21 | 日商Jx金屬股份有限公司 | 附散熱用金屬材之結構物、印刷電路板、電子機器及散熱用金屬材 |
JP2018206000A (ja) | 2017-06-02 | 2018-12-27 | 株式会社日立製作所 | 生産計画システム、生産計画方法及び人員能力計算方法 |
-
2019
- 2019-10-31 EP EP19878055.3A patent/EP3875267A4/en not_active Withdrawn
- 2019-10-31 KR KR1020217010684A patent/KR102437007B1/ko active IP Right Grant
- 2019-10-31 WO PCT/JP2019/042914 patent/WO2020091008A1/ja unknown
- 2019-10-31 JP JP2020554962A patent/JP7047933B2/ja active Active
- 2019-10-31 CN CN201980067770.9A patent/CN112839799B/zh active Active
- 2019-10-31 TW TW108139558A patent/TWI787554B/zh active
- 2019-10-31 US US17/286,230 patent/US20210352828A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012238733A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Thermo Graphitics Co Ltd | 異方性熱伝導素子及びその製造方法 |
JP2018518020A (ja) * | 2015-05-15 | 2018-07-05 | モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク | 熱管理のための熱分解グラファイトを用いた発光ダイオードアセンブリ |
WO2018074493A1 (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 株式会社インキュベーション・アライアンス | 黒鉛/グラフェン複合材、集熱体、伝熱体、放熱体および放熱システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI787554B (zh) | 2022-12-21 |
KR102437007B1 (ko) | 2022-08-25 |
CN112839799A (zh) | 2021-05-25 |
CN112839799B (zh) | 2023-01-24 |
WO2020091008A1 (ja) | 2020-05-07 |
EP3875267A1 (en) | 2021-09-08 |
EP3875267A4 (en) | 2022-08-03 |
US20210352828A1 (en) | 2021-11-11 |
TW202027977A (zh) | 2020-08-01 |
JP7047933B2 (ja) | 2022-04-05 |
KR20210084456A (ko) | 2021-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7047933B2 (ja) | 金属層付き炭素質部材、及び、熱伝導板 | |
JP6904088B2 (ja) | 銅/セラミックス接合体、及び、絶縁回路基板 | |
KR102422607B1 (ko) | 접합체, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판, 히트 싱크, 및 접합체의 제조 방법, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 히트 싱크의 제조 방법 | |
WO2018221493A1 (ja) | セラミックス回路基板及びそれを用いたモジュール | |
EP3041042A1 (en) | Method for manufacturing assembly and method for manufacturing power-module substrate | |
JP6580385B2 (ja) | アルミニウムと炭素粒子との複合体及びその製造方法 | |
TWI661516B (zh) | 接合體,附散熱器電源模組用基板,散熱器,接合體的製造方法,附散熱器電源模組用基板的製造方法及散熱器的製造方法 | |
JP2010192661A (ja) | 放熱部品とその製造方法、およびこれを用いた放熱装置と放熱方法 | |
WO2019188614A1 (ja) | 半導体パッケージ | |
WO2018180159A1 (ja) | ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法 | |
JP7552282B2 (ja) | セラミックス/銅/グラフェン接合体とその製造方法、およびセラミックス/銅/グラフェン接合構造 | |
CN111448026B (zh) | 包层材料及其制造方法 | |
WO2021100860A1 (ja) | セラミックス/銅/グラフェン接合体とその製造方法、およびセラミックス/銅/グラフェン接合構造 | |
WO2021149802A1 (ja) | 銅/グラフェン接合体とその製造方法、および銅/グラフェン接合構造 | |
JP6947318B2 (ja) | 銅/グラフェン接合体とその製造方法、および銅/グラフェン接合構造 | |
WO2021166714A1 (ja) | 複合伝熱部材、及び、複合伝熱部材の製造方法 | |
WO2021090759A1 (ja) | グラフェン含有炭素質部材/セラミックス接合体、および、銅/グラフェン含有炭素質部材/セラミックス接合体 | |
JP6413230B2 (ja) | 抵抗器及び抵抗器の製造方法 | |
JP7039933B2 (ja) | 接合体、絶縁回路基板、ヒートシンク付絶縁回路基板、ヒートシンク、及び、接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法、ヒートシンク付絶縁回路基板の製造方法、ヒートシンクの製造方法 | |
JP7563124B2 (ja) | グラフェン接合体 | |
JP6819385B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7533124B2 (ja) | グラフェン含有炭素質部材/セラミックス接合体、および、銅/グラフェン含有炭素質部材/セラミックス接合体 | |
TWI801689B (zh) | 接合體、附散熱片絕緣電路基板、及散熱片 | |
JP2018032731A (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2022166640A (ja) | 回路基板、回路基板の製造方法、および、半導体モジュールの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200803 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210906 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7047933 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |