JP7047933B2 - 金属層付き炭素質部材、及び、熱伝導板 - Google Patents
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Description
本願は、2018年10月31日に、日本に出願された特願2018-206000号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
上述の特許文献1~3においては、グラフェンが積層された炭素質部材の表面に金属層を形成する際には、炭素質部材の表面にチタン層を形成し、このチタン層の上にニッケル層や銅層を形成している。すなわち、活性金属であるチタン層を介在させることによって、炭素質部材と金属層との接合強度を確保している。
しかしながら、チタンは、熱伝導率が17W/(m・K)と比較的低いため、炭素質部材と金属層との間に介在するチタン層が熱抵抗となり、熱伝導板の厚さ方向にグラフェンのベーサル面が延在するように炭素質部材を配置しても、熱を効率良く厚さ方向に伝導させることができないおそれがあった。
また、前記金属めっき層は、熱伝導率が50W/(m・K)以上の金属で構成されているので、金属めっき層が大きな熱抵抗とはならない。したがって、金属層に配設される発熱体からの熱を、金属層を通じて炭素質部材側へと効率良く伝導させることが可能となる。
さらに、前記エッジ積層面の算術平均高さSaが1.1μm以上かつ5μm以下であるので、前記エッジ積層面の最大高さSzが20μm以上かつ50μm以下であり、前記エッジ積層面の凹凸に前記金属めっき層がより強く結合するため、金属めっき層と炭素質部材との接合強度が一層向上できる。算術平均高さSaは、測定領域面の高さの平均面に対して、測定面中の各点の高さの差の絶対値の平均を表す。最大高さSzは、測定領域面の表面の最も高い点から最も低い点までの距離を表す。
図1に示すパワーモジュール1は、絶縁回路基板10と、この絶縁回路基板10の一方の面側(図1において上側)にはんだ層2を介して接合された半導体素子3と、絶縁回路基板10の他方の面側(図1において下側)に配設された熱伝導板20と、この熱伝導板20の他方の面側に配設されたヒートシンク30とを備えている。
絶縁層11は、回路層12と伝熱層13との間の電気的接続を防止するものであって、本実施形態では、絶縁性の高い窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化ケイ素(Si3N4)等のセラミックスで構成されている。絶縁層11の厚さは、0.2~1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、0.635mmに設定されていてもよい。
回路層12となる金属板(銅板)の厚さは0.1mm以上1.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、0.6mmに設定されていてもよい。
伝熱層13となる金属板(銅板)の厚さは0.1mm以上1.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、0.6mmに設定されていてもよい。
セラミックスからなる絶縁層11と回路層12及び伝熱層13となる銅板とは、活性金属を用いたろう付け法,DBC法等によって接合できる。
このヒートシンク30は、熱伝導性が良好な材質、例えばアルミニウム又はアルミニウム合金、銅又は銅合金で構成されていることが好ましく、本実施形態においては、無酸素銅で構成されていてもよい。
黒鉛粒子の厚みがベーサル面から見た粒径の1/1000~1/2の範囲内とすることによって、優れた熱伝導性と黒鉛粒子の配向性が適度に調整される。黒鉛粒子の厚みはベーサル面から見た粒径の1/1000~1/500の範囲内であることがより好ましい。
さらに、グラフェン集合体の厚さは、例えば線分法で測定した場合に、0.05μm以上50μm未満の範囲内であることが好ましい。グラフェン集合体の厚さを上述の範囲内とすることで、炭素質部材の強度が確保される。グラフェン集合体の厚さは、より好ましくは1μm以上かつ20μm以下である。
金属めっき層26の厚さは、0.1μm以上500μm以下の範囲内であることが好ましく、1μm以上300μm以下の範囲内であることがさらに好ましい。金属めっき層26の厚さは、より好ましくは0.5μm以上かつ100μm以下である。
この金属部材層27の厚さ(金属部材の厚さ)は、30μm以上5000μm以下の範囲内であることが好ましく、50μm以上3000μm以下の範囲内であることがさらに好ましい。
この接合層28における緻密度は、例えばSEM像の観察により測定した場合に、60%以上90%以下の範囲内であることが好ましく、70%以上80%以下の範囲内であることがさらに好ましい。接合層28における気孔率を上述の範囲内とすることで、熱サイクル負荷時に生じる熱応力を接合層28において緩和することが可能となる。
図3において、下方の黒色部が板本体21(炭素質部材)であり、その上部に位置する灰色部が金属めっき層26(例えばAgめっき層)である。
本実施形態においては、図3及び図4に示すように、板本体21の主面に黒鉛粒子のエッジ面が向くことによって、板本体21の主面に凹凸が形成されており、この凹凸に対応して、金属めっき層26のめっき金属(本実施形態ではAg)が板本体21側に浸透している。これによって、金属めっき層26と板本体21とが一般的にアンカー効果と呼ばれる効果により強固に接合される。
まず、上述した扁平形状の黒鉛粒子とグラフェン集合体とを所定の配合比となるように秤量し、これをボールミル等の既存の混合装置によって混合する。
得られた混合物を、所定の形状の金型に充填して加圧することにより成形体を得る。加圧時に加熱を実施してもよい。
得られた成形体に対して切り出し加工を行い、板本体21を得る。このとき、扁平形状の黒鉛粒子のベーサル面が板本体21の厚さ方向に延在するとともに、板本体21の主面に、扁平形状の黒鉛粒子のエッジ面が向くように、切り出しを行う。
低圧水銀ランプを備えたオゾンクリーニング装置(Model UV312株式会社テクノビジョン)で前記エッジ積層面に紫外線を30分間照射することでオゾン処理を行った。
次に、板本体21の両主面に対して、金属めっき層26を形成する。めっき方法に特に制限はなく、電解めっき法、無電解めっき法等の湿式めっき法を適用できる。本実施形態では、電解めっき法により、Agめっき層を形成してもよい。
めっきを実施する前に、板本体21の主面(エッジ積層面)に対して、プラズマ処理、酸化処理等の前処理を実施してもよい。前処理を行うことにより、エッジ積層面の粗面状態をコントロールすることができる。
めっき液は、限定はされないが、一般的なシアンAgめっき液を使用してもよく、適宜添加剤を使用してもよい。例えば、シアン化銀(AgCN)を30g/L以上50g/L以下の範囲で含み、シアン化カリウム(KCN)を100g/L以上150g/L以下の範囲で含むめっき液を用いることができる。
次に、金属めっき層26の表面に金属部材を接合して金属部材層27を形成する。本実施形態においては、金属めっき層16の表面に、銀粉末あるいは酸化銀粉末を含む銀ペーストを塗布する。銀ペーストは、銀粉末と、溶剤とを含むものとされている。必要に応じて樹脂や分散剤を含有しても良い。銀粉末に代えて、酸化銀粉末と還元剤とを含有するものとしてもよい。
銀粉末及び酸化銀粉末の平均粒径は、10nm以上10μm以下の範囲内とすることが好ましく、100nm以上1μm以下の範囲内とすることがさらに好ましい。銀ペーストの塗布厚さは、10μm以上100μm以下の範囲内とすることが好ましく、30μm以上50μm以下の範囲内とすることがさらに好ましい。
金属部材層27と金属めっき層26との間には、銀の焼成体からなる接合層28が形成されることになり、接合条件を上述のように規定することで、接合層28における気孔率が例えば70%以上80%以下の範囲内とされる。
凹凸が形成された板本体21の主面(エッジ積層面)に、金属めっき層26が形成されているので、図3に示すように、金属めっき層26のめっき金属が板本体21(炭素質部材)の内部に十分に浸透しており、金属めっき層26と板本体21(炭素質部材)とが、粗面のアンカー効果により強固に接合されている。
金属めっき層26は、熱伝導率が50W/(m・K)以上の金属で構成されており、具体的には、Ni,Cu,Ag,Sn,Co等の純金属、及び、これらの金属を主成分とする合金で構成されており、本実施形態ではAgめっき層とされているので、金属めっき層26が大きな熱抵抗とはならない。
したがって、金属層25に搭載された発熱体(半導体素子3を搭載した絶縁回路基板10)からの熱を板本体21の厚さ方向へと効率良く伝導させることが可能となる。
特に、本実施形態では、接合層28における気孔率が70%以上80%以下の範囲内とされた場合には、確実に熱応力を緩和できるとともに、この接合層28が熱抵抗となることを抑制できる。
本実施形態においては、板本体の両主面に凹凸が形成されているため金属めっき層26の板本体21とのアンカー効果が発揮されているので、金属めっき層26と板本体21(炭素質部材)との接合強度を十分に向上させることができる。
例えば、本実施形態では、絶縁回路基板の回路層に半導体素子(パワー半導体素子)を搭載してパワーモジュールを構成するものとして説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁回路基板にLED素子を搭載してLEDモジュールを構成してもよいし、絶縁回路基板の回路層に熱電素子を搭載して熱電モジュールを構成してもよい。
本実施形態で開示したように、扁平形状の黒鉛粒子とグラフェン集合体を所定の配合比で配合して混合し、加圧加熱して成形することにより、扁平形状の黒鉛粒子が、そのベーサル面が折り重なるようにグラフェン集合体をバインダーとして積層された構造の成形体を得た。
実施例1、2および比較例1、2の熱伝導板を作成するために、表1に記載の算術表面高さSa、最大高さSzを有する炭素質部材を用意した。算術表面高さSaを大きくするために、実施例1ではオゾン処理を施した。
オゾン処理条件:紫外線を30分間照射することでオゾン処理を行った。
21,121 板本体(炭素質部材)
25,125 金属層
26,126 金属めっき層
27,127 金属部材層
28 接合層
Claims (4)
- 炭素質部材と、この炭素質部材の表面の少なくとも一部に形成された金属層と、を備えた金属層付き炭素質部材であって、
前記炭素質部材は、単層又は多層のグラフェンが堆積してなるグラフェン集合体と扁平形状の黒鉛粒子とを含み、扁平形状の前記黒鉛粒子が、そのベーサル面が折り重なるように前記グラフェン集合体をバインダーとして積層され、扁平形状の前記黒鉛粒子のベーサル面が一方向に向けて配向した構造とされており、
前記金属層は、前記炭素質部材において積層した前記黒鉛粒子のエッジ面が向くエッジ積層面に直接形成された金属めっき層を備えており、
前記エッジ積層面の算術平均高さSaが1.1μm以上5μm以下であり、前記エッジ積層面の最大高さSzが20μm以上40μm以下であり、
前記金属めっき層は、熱伝導率が50W/(m・K)以上の金属で構成されていることを特徴とする金属層付き炭素質部材。 - 前記金属層は、前記金属めっき層と、前記金属めっき層に接合された金属部材からなる金属部材層とを備えていることを特徴とする請求項1に記載の金属層付き炭素質部材。
- 前記金属めっき層と前記金属部材層との間に、金属の焼成体からなる接合層が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の金属層付き炭素質部材。
- 主面に搭載された発熱体からの熱を面方向に拡げるとともに厚さ方向に伝導させる熱伝導板であって、
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の金属層付き炭素質部材を有し、
前記炭素質部材は、前記黒鉛粒子の前記ベーサル面が前記厚さ方向に延在するように配置され、前記黒鉛粒子のエッジ面が向く前記主面に前記金属めっき層が形成されていることを特徴とする熱伝導板。
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