CN111448026B - 包层材料及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种包层材料及其制造方法，所述包层材料即使通过加压加工进行冲裁(施加比热冲击更高的剪切力)，也能够防止发生开裂或剥离。在将表面形成有Cu皮膜的石墨粉末烧结而得的Cu‑石墨层(12)的各面上，放置至少一个面上形成有由选自Co、Ti、Pd、Pt以及Ni的一种金属构成的金属膜(10a)的Mo‑Cu层(10)，以使该金属膜(10a)与其抵接，然后一边在Cu‑石墨层(12)和Mo‑Cu层(10)之间施加压力一边加热。

Description

包层材料及其制造方法
技术领域
本发明涉及包层材料及其制造方法，涉及搭载电子器件的基板所用的散热板的材料所适用的包层材料及其制造方法。
背景技术
搭载电子器件的基板所用的散热板，由于需要高效地散发功率模块、射频(RF)模块等所用的半导体元件等电子器件所产生的热量，因此需要有优异的导热性。
作为这样的散热板材料，提出了石墨、碳纤维、碳纳米管等结晶性碳材料层和Cu、Al、Ag、Mg、W、Mo、Si、Zn等金属层层叠复合而成的复合体(例如、参考专利文献1)，在以碳为主要成分的致密的基材上形成有以铜或铝为主要成分的传热层的碳-金属复合体(例如、参考专利文献2)，在两块金属基板之间放置有高温热解石墨层的导热复合材料(例如、参考专利文献3)，由在碳质构件中填充有金属的金属基复合材料构成的金属基复合板(例如、参考专利文献4)等。
然而，这些现有的散热板材料，导热系数最大在300W/mK左右，作为需要更高导热系数的搭载功率晶体管的基板用散热板材料来使用是不够的。
为了解决这样的问题，提出了在芯层的两面上层叠覆盖层而得的散热板材，所述芯层由在Cu基质中复合碳相而得的复合材料(Cu-C)构成，所述覆盖层由选自Mo、Mo-Cu合金、W、W-Cu合金、Cr以及Cr-Cu合金的一种以上构成(例如、参考专利文献5)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2006-1232号公报(段落号0006)
专利文献2：日本专利特开2010-77013号公报(段落号0009)
专利文献3：日本专利特表2014-515876号公报(段落号0008)
专利文献4：国际公开WO2011/096542号公报(段落号0009)
专利文献5：韩国专利申请公开10-2016-0120887号(段落号0013)
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而，专利文献5的散热板材，由于为制作散热板而通过加压加工进行冲裁时的剪切力、以及对散热板的热冲击等的缘故，有时会在芯层和覆盖层的界面处剥离。
因此，本发明考虑到该现有的问题点，以提供包层材料及其制造方法为目的，所述包层材料即使通过加压加工进行冲裁(施加比热冲击更高的剪切力)，也能够防止发生开裂或剥离。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明人为了解决上述课题进行了认真研究，结果发现，在将表面形成有Cu皮膜的石墨粉末烧结而得的Cu-石墨层的各面上，放置至少一个面上形成有由选自Co、Ti、Pd、Pt以及Ni的一种金属构成的金属膜的Mo-Cu层，以使该金属膜与其抵接，然后一边在Cu-石墨层和Mo-Cu层之间施加压力一边加热，藉此可以制造包层材料，所述包层材料即使通过加压加工进行冲裁(施加比热冲击更高的剪切力)，也能够防止发生开裂或剥离，从而完成了本发明。
即，本发明的包层材料的制造方法的特征是，在将表面形成有Cu皮膜的石墨粉末烧结而得的Cu-石墨层的各面上，放置至少一个面上形成有由选自Co、Ti、Pd、Pt以及Ni的一种金属构成的金属膜的Mo-Cu层，以使该金属膜与其抵接，然后一边在Cu-石墨层和Mo-Cu层之间施加压力一边加热。
该包层材料的制造方法中，放置Mo-Cu层时，也可在Mo-Cu层的另一个面上放置由Cu构成的Cu层，一边在Cu-石墨层和Mo-Cu层之间施加压力一边加热时，也可一边在Mo-Cu层和Cu层之间施加压力一边加热。所述Cu层优选由轧制铜箔构成。另外，Cu-石墨层优选通过对表面形成有Cu皮膜的石墨粉末一边施加压力一边加热使其烧结而获得。另外，至少一个面上形成有金属膜的Mo-Cu层优选通过如下方式获得：在由Mo-Cu合金构成的Mo-Cu层的至少一面上，通过溅射、蒸镀或电镀形成金属膜。
另外，本发明的包层材料的特征是，在由表面形成有Cu皮膜的石墨粉末的烧结体构成的Cu-石墨层的两面上，隔着由选自Co、Ti、Pd、Pt以及Ni的一种金属构成的金属膜，层叠有Mo-Cu层。
该包层材料中，在Mo-Cu层的与金属膜相反的一侧的面上，也可层叠由Cu构成的Cu层。另外，金属膜的厚度优选10～500nm，金属膜优选在Cu-石墨层和Mo-Cu层之间间断地放置。
发明效果
根据本发明，可以制造包层材料，所述包层材料即使通过加压加工进行冲裁(施加比热冲击更高的剪切力)，也能够防止发生开裂或剥离。
附图说明
图1是说明本发明的包层材料的制造方法的第一实施方式的剖视图。
图2是说明本发明的包层材料的制造方法的第二实施方式的剖视图。
图3是显示了本发明的包层材料的制造方法的第一以及第二实施方式中，将表面形成有Cu皮膜的石墨粉末装进模具内的状态的图。
图4是显示了本发明的包层材料的制造方法的第一以及第二实施方式中，将表面形成有Cu皮膜的石墨粉末在模具内振动后的状态的图。
图5是说明了本发明的包层材料的制造方法的第一以及第二实施方式中，将表面形成有Cu皮膜的石墨粉末在模具内加压的工序的图。
图6是显示了通过本发明的包层材料的制造方法的第一以及第二实施方式制造的块状材料(表面形成有Cu皮膜的石墨粉末的烧结体)的立体图。
具体实施方式
[第一实施方式]
如图1所示，本发明的包层材料的制造方法的第一实施方式是，在将表面形成有Cu皮膜的石墨粉末烧结而得的Cu-石墨层12的各面上，放置至少一个面上形成有由选自Co、Ti、Pd、Pt以及Ni的一种金属构成的金属膜10a的Mo-Cu层10，以使该金属膜10a与其抵接，然后一边在Cu-石墨层12和Mo-Cu层10之间施加压力一边加热，将这些层接合。此外，从Cu-石墨层12和Mo-Cu层10之间的密封性以及费用等方面考虑，金属膜10a的金属优选Co或Ti，更优选Co。
表面形成有Cu皮膜的石墨粉末例如可以通过如下方式制造：将(将市售的石墨粉末用筛子等分级得到的)平均粒径(粒子的长边方向的长度(长径)的平均值)为100～150μm(优选110～140μm)的石墨粉末(优选鳞状石墨粉末)在300～400℃下加热30～90分钟左右，进行石墨粉末的活化处理后，(为了使Cu皮膜可以良好地在该经活化处理后的石墨粉末表面形成)向石墨粉末10～20重量份中，添加作为凝聚剂的冰醋酸1～5重量份(优选2～4重量份)、五水硫酸铜50～60重量份、纯净水5～15重量份、以及作为置换溶剂(和Cu盐水溶液的金属相比电负性更大且大小在0.5～1.0mm)的Zn、Fe、Al等颗粒物10～20重量份，制成浆料后，在常温下一边搅拌一边通过非电解镀(从有硫酸铜溶解残留的浆料中)使Cu置换析出。优选将这样获得的表面形成有Cu皮膜的石墨粉末(为了防止在大气中的腐蚀)在蒸馏水、硫酸、磷酸和酒石酸(优选重量比为75：10：10：5)的混合溶液中浸泡15～25分钟后，(为了除去表面形成有Cu皮膜的石墨粉末的表面上残留的酸)进行水洗，大气中在50～60℃下加热使其干燥，从而获得在石墨粉末表面形成有厚度为0.3～3μm的Cu皮膜的石墨粉末。
Cu-石墨层(Cu-石墨板)12可以由如下方式得到：如图3所示，将上述表面形成有Cu皮膜的石墨粉末100装进模具(或容器)102内后，将该模具(或容器)102通过超声波振子等振动设备104振动，使模具(或容器)102内的(表面形成有Cu皮膜的)石墨粉末(如图4所示)取向为在特定的方向(大致水平方向)上延伸，然后(如图5中的箭头A所示)(优选为了维持取向组织)通过从模具(或容器)102内上部所施加的沿着单轴的加压力进行单轴加压成形，制成用于烧结的成形体，将该成形体通过电烧结装置一边施加(优选10～100MPa的)压力一边在优选860～1030℃(比Cu的熔点1083℃低223～53℃)的温度下加热以使其烧结，从而如图6所示，得到具有表面形成有Cu皮膜的石墨粉末在特定方向(大致水平方向)上取向的组织的块状材料(表面形成有Cu皮膜的石墨粉末的烧结体)106后，通过钻石线切割机或激光等将该块状材料106在相对于(在大致水平方向上取向的)石墨粉末的取向方向垂直的方向上切断。此外，Cu-石墨层(Cu-石墨板)12在厚度方向上切断的剖面(相对于石墨粉末的取向方向垂直的剖面)中，会形成Cu所占面积相对于Cu-石墨层面积的比例(面积率)优选10～60面积％(更优选20～60面积％)的Cu-石墨层。该Cu所占面积相对于Cu-石墨层面积的比例(面积率)可通过如下方式算出：将包层材料在厚度方向上切断的剖面(相对于石墨粉末的取向方向垂直的剖面)抛光研磨后，在激光显微镜下在1024像素×768像素下观察703μm×527μm的区域时，算出剖面中Cu所占面积相对于Cu-石墨层面积的比例。
Mo-Cu层10优选由Mo-Cu合金构成的(轧制)板材，用电子探针显微分析仪(EPMA)分析厚度方向上切断的剖面，发现其分为Cu相和Mo相的两相，剖面中Cu相所占面积相对于Mo-Cu层面积的比例优选20～80面积％，更优选40～60面积％。另外，Mo-Cu层10也可以是由以下方式制得的Mo-Cu板：将平均粒径10～50μm(优选20～40μm)的Mo-Cu两相合金粉末装进模具内后，用压机施加150～250MPa(优选180～220MPa)的压力，形成由Mo-Cu粉末构成的层后，一边施加50～110MPa(优选70～90MPa)的压力一边在800～1100℃(优选900～1000℃)的温度下加热进行加压烧结(使得在厚度方向上切断的剖面中Cu相所占面积相对于Mo-Cu层10面积的比例(面积率)为20～80面积％(优选40～60面积％))。此外，在厚度方向上切断的剖面中Cu相所占面积相对于Mo-Cu层10面积的比例(面积率)可通过如下方式算出：将包层材料在厚度方向上切断的剖面抛光研磨后，在扫描电子显微镜(SEM)下在600倍的倍率下观察10200μm2的区域，该剖面的背散射电子成份(COMPO)像中，算出剖面中Cu相所占面积相对于Mo-Cu层面积的比例。
至少一个面上形成有金属膜10a的Mo-Cu层10可以由如下方式得到：通过溅射、蒸镀或电镀在Mo-Cu层10的至少一个面上形成厚度10～500nm(优选50～100nm)的金属膜10a。该金属膜10a的厚度若不到10nm，则Cu-石墨层12和Mo-Cu层的接合强度太小，通过加压加工对包层材料进行冲裁时有时会发生开裂或剥离，厚度若大于500nm，则包层材料的导热系数有时会低于300W/mK。
Cu-石墨层12的两面上隔着金属膜10a放置了Mo-Cu层10后，通过一边在Cu-石墨层12和Mo-Cu层10之间施加50～110MPa(70～90MPa)的压力一边在800～1100℃(优选900～1000℃)的温度下加热1～2小时，可以得到在Cu-石墨层12表面层叠并接合有Mo-Cu层10的包层材料。此外，Cu-石墨层12的两面上隔着金属膜10a放置Mo-Cu层10时，优选将Mo-Cu层10的金属膜10a与Cu-石墨层12的剖面抵接进行放置。通过这样放置，可以充分提高包层材料在厚度方向上的导热系数。
此外，虽然Cu-石墨层12和Mo-Cu层10隔着金属膜10a接合，但是该金属膜10a没有必要在Cu-石墨层12和Mo-Cu层10之间连续放置，(使其存在断开的部分)间断地放置也可以。认为若如此存在金属膜10a的断开的部分，则在包层材料的厚度方向上不易产生热阻，与连续放置相比，能够实现高效的热扩散。认为如此的金属膜10a的断开的部分，是金属膜10a的金属元素扩散产生的影响，该部分中Cu-石墨层12和Mo-Cu层10牢固地接合在一起。
[第二实施方式]
如图2所示，本发明的包层材料的制造方法的第二实施方式是，在将表面形成有Cu皮膜的石墨粉末烧结而得的Cu-石墨层12的各面上，放置至少一个面上形成有由选自Co、Ti、Pd、Pt以及Ni的一种金属(优选Co或Ti，更优选Co)构成的金属膜10a的Mo-Cu层10，以使该金属膜10a与其抵接，并且在Mo-Cu层10的另一个面上放置由Cu构成的Cu层14，然后一边在Cu-石墨层12和Mo-Cu层10之间以及Cu层14和Mo-Cu层10之间施加压力一边加热，将这些层接合。Cu层优选由轧制铜箔构成的Cu板，也可以是由Cu粉末通过压机施加150～250MPa(优选180～220MPa)的压力制得的Cu板。
此外，表面形成有Cu皮膜的石墨粉末以及该石墨粉末烧结得到的Cu-石墨层12、以及至少一个面上形成有金属膜10a的Mo-Cu层10，可以通过与上述的第一实施方式同样的方法制得。
Cu-石墨层12的两面上隔着金属膜10a放置了Mo-Cu层10，Mo-Cu层10的另一个面上放置了由Cu构成的Cu层14后，通过一边在Cu-石墨层12和Mo-Cu层10之间以及Cu层14和Mo-Cu层10之间施加50～110MPa(70～90MPa)的压力一边在800～1100℃(优选900～1000℃)的温度下加热1～2小时，可以得到包层材料，所述包层材料的Cu-石墨层12表面层叠并接合有Mo-Cu层10，Mo-Cu层的与金属膜相反的一侧的面上层叠并接合有由Cu构成的Cu层。
此外，在上述的包层材料的制造方法的第一以及第二实施方式中，与包层材料表面垂直且相对于石墨粉末的取向方向垂直的方向上切断得到的剖面中，会形成Cu所占面积相对于Cu-石墨层面积的比例(面积率)优选10～60面积％(更优选20～60面积％)的Cu-石墨层。
此外，由上述的包层材料的制造方法的第一以及第二实施方式制造的包层材料中，关于包层材料的厚度，尽管根据用途有所不同，但比如用在高频模块用的底板中时，优选0.5～2mm左右，用在功率模块用的底板中时，优选2～5mm左右。此外，相对于包层材料的厚度，优选Cu-Mo层10厚度为2～10％，Cu-石墨层12厚度为40～96％，Cu层14厚度为0～20％。
实施例
以下，关于本发明的包层材料及其制造方法的实施例进行详细说明。
[实施例1]
首先，用筛子将市售的鳞片状的石墨粉末分级，得到了平均粒径为130μm的鳞状的石墨粉末。该石墨粉末为平均粒径为130μm的鳞状的石墨粉末，是由显微镜观察到的图像算出形状以及平均粒径(长径)而获知的。得到的石墨粉末在350℃下加热60分钟进行了石墨粉末的活化处理后，依次将冰醋酸3重量份、五水硫酸铜57重量份、纯净水10重量份、(粒径为0.7mm的)Zn粒子15重量份混合在石墨粉末15重量份中，制成浆料后，在常温下一边以25rpm的转速搅拌，一边通过非电解镀(从有硫酸铜溶解残留的浆料中)使Cu置换析出，在石墨粉末表面形成了Cu镀膜。将如此得到的表面形成有Cu镀膜的石墨粉末在蒸馏水、硫酸、磷酸和酒石酸以重量比75：10：10：5混合而成的溶液中浸泡20分钟后，进行水洗，大气中在55℃下加热使其干燥，从而获得了表面形成有厚度为1μm的Cu镀膜的石墨粉末。
将上述表面形成有Cu镀膜的石墨粉末装进模具内后，通过超声波振子振动10分钟，使模具内的(表面形成有Cu镀膜的)石墨粉末取向为在大致水平方向上延伸，然后通过从模具内上部所施加的沿着单轴的加压力进行单轴加压成形，制成用于烧结的成形体，将该成形体通过电烧结装置一边施加80MPa的压力一边在930℃下加热20分钟以使其烧结，从而得到了具有表面形成有Cu镀膜的石墨粉末在大致水平方向上取向的组织的块状材料(表面形成有Cu镀膜的石墨粉末的烧结体)。通过钻石线切割机将该块状材料在相对于(在水平方向上取向的)石墨粉末的取向方向垂直的方向上切断，得到了厚度为790μm的Cu-石墨板(Cu-石墨层)。
然后，在由厚度为50μm的市售的Mo-Cu合金(50质量％的Mo和余分的Cu构成的合金)构成的板材(Mo-Cu层)的一个面上，通过溅射形成厚度为75nm的Co膜，将该一个面上形成有Co膜的Mo-Cu合金所构成的板材(Mo-Cu层)放置进模具内，将上述的Cu-石墨板(Cu-石墨层)放置成使其剖面与模具内的Mo-Cu层的一个面上形成的Co膜抵接，然后在模具内放置与上述一个面上形成有Co膜的Mo-Cu合金所构成的板材(Mo-Cu层)同样的板材，使Co膜与Cu-石墨层的相反侧的剖面抵接，而后一边施加80MPa的压力一边在950℃下加热1.5小时，得到了厚度为790μm的Cu-石墨层的两面上层叠有厚度为50μm的Mo-Cu层的包层材料。
用电子探针显微分析仪(EPMA)分析该包层材料在厚度方向上切断的剖面，结果确认了得到的包层材料是Cu-石墨层的两面上隔着Co膜层叠有Mo-Cu层的包层材料。
另外，将包层材料在厚度方向上切断的剖面(相对于石墨粉末的取向方向垂直的剖面)抛光研磨后，在激光显微镜下在1024像素×768像素下观察703μm×527μm的区域时，算出剖面中Cu所占面积相对于Cu-石墨层面积的比例(面积率)，结果为30面积％。
此外，在扫描电子显微镜(SEM)下在600倍的倍率下观察包层材料在厚度方向上切断的剖面的10200μm2的区域，该剖面的背散射电子成份(COMPO)像中，算出剖面中Cu相所占面积相对于Mo-Cu层面积的比例(面积率)，结果为50面积％。
此外，得到的包层材料通过模具冲裁成15mm×25mm的矩形后，在光学显微镜下在100倍的倍率下观察其剖面，结果未见开裂的发生。
此外，在扫描电子显微镜(SEM)下在加压电压15kV、600倍的倍率、电子束半径1μm的条件下观测得到的包层材料的剖面，对于观测区域(200μm×200μm的区域)用特征X射线进行面分析(249像素×183像素)，结果在Cu-石墨层和Mo-Cu层的界面处检测出了Co膜，该Co膜中存在不连续的断开的部分(面分析的最大可检出水平的1/5以下的部分)。
此外，对得到的包层材料在厚度方向上切断的剖面的组织照片进行观察，评价了包层材料中石墨粉末的取向性。在该剖面的组织照片中，取烧结时的加压方向为Z轴方向，与该Z轴正交的方向为X轴方向，假定一个由10条0.5mm间隔的Z轴方向上延伸的线和10条0.5mm间隔的X轴方向上延伸的线构成的栅，该栅中线的100个交点上存在石墨粉末，测定其鳞状面的法线向量与Z轴所成的夹角，其结果是，10°以下的法线向量数为45％，超过10°且在20°以下的法线向量数为23％，超过20°且在30°以下的法线向量数为21％，超过30°的法线向量数为11％。如此，通过将石墨粉末的鳞状面从大致水平方向(与包层材料的表面大致平行的方向)稍微倾斜，可以在保持包层材料的厚度方向上的高导热系数的同时，大幅改善与厚度方向垂直的方向上的导热系数。
[实施例2]
将由市售的厚度为100μm的轧制铜箔构成的Cu板(Cu层)放置于模具内，在该Cu板(Cu层)上，以Co膜朝上的方式放置与实施例1中同样的一个面上形成有Co膜的Mo-Cu合金所构成的板材(Mo-Cu层)，在该Co膜上，放置与实施例1中同样的Cu-石墨层，在该Cu-石墨层上，以Co膜朝下的方式放置与实施例1中同样的一个面上形成有Co膜的Mo-Cu合金所构成的板材(Mo-Cu层)，在该Mo-Cu层上，放置与上述同样的Cu板(Cu层)后，一边施加80MPa的压力一边在950℃下加热1.5小时，得到了厚度为790μm的Cu-石墨层的两面上层叠有厚度为50μm的Mo-Cu层、该Mo-Cu层的外侧的面上层叠有厚度为100μm的Cu层的包层材料。
通过与实施例1中同样的方法分析该包层材料在厚度方向上切断的剖面，结果确认了得到的包层材料是Cu-石墨层的两面上隔着Co膜层叠有Mo-Cu层、该Mo-Cu层的外侧的面上层叠有Cu层的包层材料。
此外，通过与实施例1中同样的方法，算出包层材料在厚度方向上切断的剖面中Cu所占面积相对于Cu-石墨层面积的比例(面积率)和Cu相所占面积相对于Mo-Cu层面积的比例(面积率)，结果分别为30面积％和50面积％。
此外，得到的包层材料通过与实施例1中同样的方法用模具冲裁后，观察其剖面，结果未见开裂的发生。
此外，在包层材料的剖面的分析中，在Cu-石墨层和Mo-Cu层的边界部分的直径为10μm的圆的范围内进行了元素分析，结果Co为0.4质量％，Cu为72.5质量％，Co相对于Cu的质量比为0.55质量％。
此外，用激光闪光法测定得到的包层材料的厚度方向上的导热系数，结果为458W/m·K。
[比较例1]
除Mo-Cu层的一个面上没有形成Co膜以外，用与实施例1同样的方法，得到了包层材料。
用与实施例1同样的方法分析该包层材料在厚度方向上切断的剖面，结果确认Cu-石墨层和Mo-Cu层的界面上不存在Co，得到的包层材料是在Cu-石墨层的两面上层叠有Mo-Cu层的包层材料。此外，通过与实施例1中同样的方法，算出包层材料在厚度方向上切断的剖面中Cu所占面积相对于Cu-石墨层面积的比例(面积率)和Cu相所占面积相对于Mo-Cu层面积的比例(面积率)，结果分别为30面积％和50面积％。此外，得到的包层材料通过与实施例1中同样的方法用模具冲裁后，观察其剖面，结果在Cu-石墨层和Mo-Cu层的界面附近发生了开裂。
[比较例2]
除Mo-Cu层的一个面上没有形成Co膜以外，用与实施例2同样的方法，得到了包层材料。
用与实施例1同样的方法分析该包层材料在厚度方向上切断的剖面，结果确认Cu-石墨层和Mo-Cu层的界面上不存在Co，得到的包层材料是在Cu-石墨层的两面上层叠有Mo-Cu层、该Mo-Cu层的外侧的面上层叠有Cu层的包层材料。此外，通过与实施例1中同样的方法，算出包层材料在厚度方向上切断的剖面中Cu所占面积相对于Cu-石墨层面积的比例(面积率)和Cu相所占面积相对于Mo-Cu层面积的比例(面积率)，结果分别为30面积％和50面积％。此外，得到的包层材料通过与实施例1中同样的方法用模具冲裁后，观察其剖面，结果在Cu-石墨层和Mo-Cu层的界面附近发生了开裂。
[比较例3]
除Mo-Cu层的一个面上代替Co膜形成了Cr膜以外，用与实施例2同样的方法，得到了包层材料。
用与实施例1中同样的方法分析该包层材料在厚度方向上切断的剖面，结果确认了得到的包层材料是Cu-石墨层的两面上隔着Cr膜层叠有Mo-Cu层、该Mo-Cu层的外侧的面上层叠有Cu层的包层材料。此外，通过与实施例1中同样的方法，算出包层材料在厚度方向上切断的剖面中Cu所占面积相对于Cu-石墨层面积的比例(面积率)和Cu相所占面积相对于Mo-Cu层面积的比例(面积率)，结果分别为30面积％和50面积％。此外，得到的包层材料通过与实施例1中同样的方法用模具冲裁后，观察其剖面，结果在Cu-石墨层和Mo-Cu层的界面附近发生了开裂。
[实施例3]
除Mo-Cu层的一个面上代替Co膜形成了Ti膜以外，用与实施例2同样的方法，得到了包层材料。
用与实施例1中同样的方法分析该包层材料在厚度方向上切断的剖面，结果确认了得到的包层材料是Cu-石墨层的两面上隔着Ti膜层叠有Mo-Cu层、该Mo-Cu层的外侧的面上层叠有Cu层的包层材料。此外，得到的包层材料通过与实施例1中同样的方法用模具冲裁后，观察其剖面，结果未见开裂的发生。此外，用激光闪光法测定得到的包层材料的厚度方向上的导热系数，结果为420W/m·K。
产业上利用的可能性
本发明的包层材料可用作搭载电子器件的基板所用的散热板的材料。
符号说明
10 Mo-Cu层
10a 金属膜
12 Cu-石墨层
14 Cu层

Claims (11)

1.一种包层材料的制造方法，其特征在于，在将表面形成有Cu皮膜的石墨粉末烧结而得的Cu-石墨层的各面上，放置至少一个面上形成有由选自Co、Ti、Pd、Pt以及Ni的一种金属构成的金属膜的Mo-Cu层，以使该金属膜与其抵接，然后一边在Cu-石墨层和Mo-Cu层之间施加压力一边加热。
2.如权利要求1所述的包层材料的制造方法，其特征在于，放置所述Mo-Cu层时，在所述Mo-Cu层的另一个面上放置由Cu构成的Cu层，一边在所述Cu-石墨层和所述Mo-Cu层之间施加压力一边加热时，一边在所述Mo-Cu层和所述Cu层之间施加压力一边加热，所述金属膜存在断开的部分。
3.如权利要求2所述的包层材料的制造方法，其特征在于，所述Cu层由轧制铜箔构成，一边施加所述压力一边加热后，所述金属膜的厚度为10～500nm。
4.如权利要求1所述的包层材料的制造方法，其特征在于，所述Cu-石墨层通过对表面形成有Cu皮膜的石墨粉末一边施加压力一边加热使其烧结而获得。
5.如权利要求1所述的包层材料的制造方法，其特征在于，所述至少一个面上形成有所述金属膜的Mo-Cu层通过如下方式获得：在所述Mo-Cu层的至少一面上，通过溅射、蒸镀或电镀形成所述金属膜。
6.如权利要求1所述的包层材料的制造方法，其特征在于，所述Cu皮膜为Cu镀膜。
7.一种包层材料，其特征在于，在由表面形成有Cu皮膜的石墨粉末的烧结体构成的Cu-石墨层的两面上，隔着由选自Co、Ti、Pd、Pt以及Ni的一种金属构成的金属膜，层叠有Mo-Cu层。
8.如权利要求7所述的包层材料，其特征在于，在所述Mo-Cu层的与所述金属膜相反的一侧的面上，层叠有由Cu构成的Cu层，所述金属膜存在断开的部分。
9.如权利要求7所述的包层材料，其特征在于，所述金属膜的厚度为10～500nm。
10.如权利要求7所述的包层材料，其特征在于，所述金属膜在所述Cu-石墨层和所述Mo-Cu层之间间断地放置。
11.如权利要求7所述的包层材料，其特征在于，所述Cu皮膜为Cu镀膜。
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