JPWO2020059510A1 - 固体撮像素子および電子機器 - Google Patents
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Abstract
固体撮像素子は、フォトダイオードと、フォトダイオードにおいて生成された電荷を蓄積するFDと、FDと並列に接続される電荷保持部とを有する画素を備える。電荷保持部は、第1の電位に接続される第1の配線と、第1の電位とは異なる第2の電位に接続される第2の配線とが並走することで形成される配線容量からなる。本開示は、グローバルシャッタ方式の撮像を行う固体撮像素子に適用することができる。
Description
2.第1の実施の形態(画素の構成と配線レイアウト)
3.第2の実施の形態(PD直上で配線が並走する例)
4.第3の実施の形態(High-K膜を用いる例)
5.第4の実施の形態(拡散層の面積を広くする例)
6.第5の実施の形態(FDの電位を昇圧する例)
7.第6の実施の形態(配線層間で配線を直交させる例)
8.第7の実施の形態(ベタ配線を形成する例)
9.第8の実施の形態(変換効率切り替えを行う画素への適用)
10.電子機器の構成例
(固体撮像素子の構成)
図1は、本開示に係る技術を適用した固体撮像素子1の構成例を示す図である。
図2は、上述した、本開示に係る技術を適用した画素100の構成例を示す図である。
図3は、電荷保持部107,108を形成する配線レイアウトの例を示す平面図である。
(画素の構成例)
図4は、本開示の第1の実施の形態における画素100の構成例を示す図である。
図5乃至図8は、図4の画素100に対応する、第1層目から第4層目の配線層の配線レイアウトの例を示す平面図である。
グローバルシャッタ方式の撮像を行う固体撮像素子においては、読み出し回路を画素間で共有することができない。そこで、後段の回路で画素信号を受けられるよう、画素信号の電圧振幅を小さくする必要があった。そのためには、FDを高容量化することで、変換効率を意図的に低くする必要があった。
図11は、画素100の配線層の断面の他の例を示す図である。
図12は、画素100の配線層の断面のさらに他の例を示す図である。
図13は、グローバルシャッタ動作を行う画素100におけるkTCノイズの除去について説明する図である。
図14は、隣接する配線層の配線レイアウトの例を示す平面図である。
図15は、画素100の配線層の断面のさらに他の例を示す図である。また、図16は、図15の配線層の配線レイアウトの例を示す平面図である。
図17は、画素100の他の構成例を示す図である。
上述したような固体撮像素子1は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
(1)
フォトダイオードと、
前記フォトダイオードにおいて生成された電荷を蓄積するFDと、
前記FDと並列に接続される電荷保持部と
を有する画素を備え、
前記電荷保持部は、第1の電位に接続される第1の配線と、前記第1の電位とは異なる第2の電位に接続される第2の配線とが並走することで形成される配線容量からなる
固体撮像素子。
(2)
前記第1の配線および前記第2の配線は、一方向に延在する延在部と、所定の方向に屈曲する屈曲部とを有する
(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記第1の配線および前記第2の配線の前記屈曲部は、L字型、T字型、コの字型、および十字型のいずれかに形成される
(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記第1の配線および前記第2の配線は、1以上の配線層に形成され、
前記第1の配線および前記第2の配線の一部は、前記フォトダイオードの直上に形成される
(3)に記載の固体撮像素子。
(5)
前記第1の配線および前記第2の配線の一部は、基板直上の1層目の前記配線層に形成される
(4)に記載の固体撮像素子。
(6)
前記第1の配線および前記第2の配線の一部は、線幅および間隔が撮像対象とする波長より狭くなるように形成される
(5)に記載の固体撮像素子。
(7)
前記第1の配線および前記第2の配線の一部はそれぞれ、同一の前記配線層において互いに対向した櫛歯状に形成される
(6)に記載の固体撮像素子。
(8)
前記第2の配線は、前記FDに接続されるFD配線、固定電位線、および画素トランジスタの制御線の少なくともいずれかとして形成される
(4)乃至(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(9)
前記固定電位線の電位は、GNDである
(8)に記載の固体撮像素子。
(10)
画素トランジスタは、転送トランジスタである
(8)または(9)に記載の固体撮像素子。
(11)
前記第1の配線は、前記FD配線と並走することで、前記FDとの結合容量を形成する
(8)乃至(10)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(12)
前記第1の配線と前記FD配線は、前記固定電位線または前記制御線に囲まれた領域に形成される
(11)に記載の固体撮像素子。
(13)
前記第1の配線および前記第2の配線は、全ての前記画素において同一の配線レイアウトで形成される
(12)に記載の固体撮像素子。
(14)
前記第1の配線および前記第2の配線は、同一の前記配線層内で、前記配線容量を形成する
(13)に記載の固体撮像素子。
(15)
前記第1の配線および前記第2の配線は、異なる前記配線層間で、前記配線容量を形成する
(13)に記載の固体撮像素子。
(16)
前記第1の配線および前記第2の配線は、同一の前記配線層内で、かつ、異なる前記配線層間で、前記配線容量を形成する
(13)に記載の固体撮像素子。
(17)
前記第1の配線および前記第2の配線の延在方向は、隣接する前記配線層間で直交する
(13)に記載の固体撮像素子。
(18)
前記第1の配線と前記第2の配線の間の絶縁膜として、High-k膜が用いられる
(13)乃至(17)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(19)
前記第1の配線に接続される基板内の拡散層は、前記画素トランジスタを形成する他の拡散層よりも広い面積を有する
(13)乃至(18)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(20)
フォトダイオードと、
前記フォトダイオードにおいて生成された電荷を蓄積するFDと、
前記FDと並列に接続される電荷保持部と
を有する画素を備え、
前記電荷保持部は、第1の電位に接続される第1の配線と、前記第1の電位とは異なる第2の電位に接続される第2の配線とが並走することで形成される配線容量からなる
固体撮像素子
を備える電子機器。
Claims (20)
- フォトダイオードと、
前記フォトダイオードにおいて生成された電荷を蓄積するFDと、
前記FDと並列に接続される電荷保持部と
を有する画素を備え、
前記電荷保持部は、第1の電位に接続される第1の配線と、前記第1の電位とは異なる第2の電位に接続される第2の配線とが並走することで形成される配線容量からなる
固体撮像素子。 - 前記第1の配線および前記第2の配線は、一方向に延在する延在部と、所定の方向に屈曲する屈曲部とを有する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線および前記第2の配線の前記屈曲部は、L字型、T字型、コの字型、および十字型のいずれかに形成される
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線および前記第2の配線は、1以上の配線層に形成され、
前記第1の配線および前記第2の配線の一部は、前記フォトダイオードの直上に形成される
請求項3に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線および前記第2の配線の一部は、基板直上の1層目の前記配線層に形成される
請求項4に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線および前記第2の配線の一部は、線幅および間隔が撮像対象とする波長より狭くなるように形成される
請求項5に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線および前記第2の配線の一部はそれぞれ、同一の前記配線層において互いに対向した櫛歯状に形成される
請求項6に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の配線は、前記FDに接続されるFD配線、固定電位線、および画素トランジスタの制御線の少なくともいずれかとして形成される
請求項4に記載の固体撮像素子。 - 前記固定電位線の電位は、GNDである
請求項8に記載の固体撮像素子。 - 画素トランジスタは、転送トランジスタである
請求項8に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線は、前記FD配線と並走することで、前記FDとの結合容量を形成する
請求項8に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線と前記FD配線は、前記固定電位線または前記制御線に囲まれた領域に形成される
請求項11に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線および前記第2の配線は、全ての前記画素において同一の配線レイアウトで形成される
請求項12に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線および前記第2の配線は、同一の前記配線層内で、前記配線容量を形成する
請求項13に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線および前記第2の配線は、異なる前記配線層間で、前記配線容量を形成する
請求項13に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線および前記第2の配線は、同一の前記配線層内で、かつ、異なる前記配線層間で、前記配線容量を形成する
請求項13に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線および前記第2の配線の延在方向は、隣接する前記配線層間で直交する
請求項13に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線と前記第2の配線の間の絶縁膜として、High-k膜が用いられる
請求項13に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の配線に接続される基板内の拡散層は、前記画素トランジスタを形成する他の拡散層よりも広い面積を有する
請求項13に記載の固体撮像素子。 - フォトダイオードと、
前記フォトダイオードにおいて生成された電荷を蓄積するFDと、
前記FDと並列に接続される電荷保持部と
を有する画素を備え、
前記電荷保持部は、第1の電位に接続される第1の配線と、前記第1の電位とは異なる第2の電位に接続される第2の配線とが並走することで形成される配線容量からなる
固体撮像素子
を備える電子機器。
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