JPWO2020004122A1 - グリシジルエステル化合物との反応生成物を含むレジスト下層膜形成組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
レジスト下層膜は、溶液状のレジスト下層膜形成用組成物を塗布し、硬化させることにより、容易に成膜できることが求められる。したがって、当該組成物は、加熱等によって容易に硬化すると共に、所定の溶剤に対する溶解性が高い化合物(ポリマー)を含むことが必要である。
レジスト下層膜上に形成されるレジストパターンは、基板に垂直な方向の断面形状が矩形状(いわゆるアンダーカット、裾引き等のないストレートな裾形状)であることが望ましい。例えば、レジストパターンがアンダーカット形状又は裾引き形状になると、レジストパターンの倒壊、リソグラフィー工程の際に被加工物(基板、絶縁膜等)を所望の形状又はサイズに加工できない、という問題が発生する。
また、レジスト下層膜には、上層のレジスト膜よりもドライエッチング速度が大きい、すなわちドライエッチング速度の選択比が大きいことが求められる。
本願の発明者が鋭意検討した結果、より高濃度にヘテロ原子をレジスト下層膜中に含有させるために、種々の化合物及びその反応生成物(オリゴマー及びポリマー)を検討した結果、特にグリシジルエステル基を有する含窒素複素環化合物(イソシアヌル酸等)とカルボン酸などのエポキシ付加体形成化合物を反応させたエポキシ付加生成物をレジスト下層膜形成組成物に適用すると、従来技術よりも高エッチレート化を達成できることを見出した。
本発明は、このような課題解決に鑑み、特に高ドライエッチング速度を有するレジスト下層膜形成組成物を提供することを目的としてなされたものである。また本発明は、当該レジスト下層膜形成組成物を用いたレジスト下層膜及びその製造方法、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供することをも目的とするものである。
[1] 下記式(1)で表される化合物。
(式(1)中、Xは、下記式(2)、式(3)又は式(4)で表される2価の有機基であり、n1、n2は各々独立に1乃至10の整数を表す。)
(式(2)、式(3)及び式(4)中、
R1及びR2は、各々独立に水素原子、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数2乃至10のアルケニル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数2乃至10のアルキニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、原子数1乃至10のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも1つの1価の官能基で置換されていてもよい。
R3は、水素原子、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数3乃至10のアルケニル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数3乃至10のアルキニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基及び下記式(5)で表される有機基からなる群から選ばれる少なくとも1つの1価の官能基で置換されていてもよい。)
(式(5)中、n3は1乃至10の整数を表す。)
[2] 前記式(1)中、Xが式(4)で表される、[1]に記載の化合物。
[3] 前記式(1)中、n1及びn2が1であり、R3が酸素原子で中断されていてもよい炭素原子数1乃至5のアルキル基又は式(5)で表わされる、[2]に記載の化合物。
[4] [1]乃至[3]のいずれか1項に記載の化合物と、エポキシ付加体形成化合物との反応によって得られるエポキシ付加生成物及び溶剤を含む、レジスト下層膜形成組成物。
[5] 前記エポキシ付加体形成化合物が、カルボン酸含有化合物、カルボン酸無水物含有化合物、ヒドロキシ基含有化合物、チオール基含有化合物、アミノ基含有化合物及びイミド基含有化合物からなる群より選ばれた少なくとも1種の化合物である、[4]に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[6] 前記エポキシ付加体形成化合物が、カルボン酸含有化合物またはチオール基含有化合物である、[4]又は[5]に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[7] 前記カルボン酸含有化合物が、硫黄原子を少なくとも1つ以上含むジカルボン酸である、[6]に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[8] 前記硫黄原子を少なくとも1つ以上含むジカルボン酸が、脂肪族ジカルボン酸である[7]に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[9] 架橋触媒をさらに含む、[4]乃至[8]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[10] 架橋剤をさらに含む、[4]乃至[9]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[11] 界面活性剤をさらに含む、[4]乃至[10]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
[12] [4]乃至[11]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物からなる塗布膜の焼成物であることを特徴とするレジスト下層膜。
[13] 半導体基板上に[4]乃至[11]のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を塗布しベークしてレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジストを塗布しベークしてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジストで被覆された半導体基板を露光する工程、露光後の前記レジスト膜を現像し、パターニングする工程を含む、パターニングされた基板の製造方法。
[14] 半導体基板上に、[4]乃至[11]の何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物からなるレジスト下層膜を形成する工程と、
前記レジスト下層膜の上にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜に対する光又は電子線の照射とその後の現像によりレジストパターンを形成する工程と、
形成された前記レジストパターンを介して前記レジスト下層膜をエッチングすることによりパターン化されたレジスト下層膜を形成する工程と、
パターン化された前記レジスト下層膜により半導体基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
本願で使用される化合物、好ましくはレジスト下層膜形成組成物中に含まれるエポキシ付加生成物を形成するためのエポキシ化合物は、下記式(1)で表される化合物である。
(式(1)中、Xは、下記式(2)、式(3)又は式(4)で表される2価の有機基であり、n1、n2は各々独立に1乃至10の整数を表す。)
(式(2)、式(3)及び式(4)中、
R1及びR2は、各々独立に水素原子、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数2乃至10のアルケニル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数2乃至10のアルキニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも1つの1価の官能基で置換されていてもよい。
R3は、水素原子、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数2乃至10のアルケニル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数2乃至10のアルキニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基及び下記式(5)で表される有機基からなる群から選ばれる少なくとも1つの1価の官能基で置換されていてもよい。)
(式(5)中、n3は1乃至10の整数を表す。)
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素が挙げられる。
炭素原子数1乃至10のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペントキシ基、1−メチル−n−ブトキシ基、2−メチル−n−ブトキシ基、3−メチル−n−ブトキシ基、1,1−ジメチル−n−プロポキシ基、1,2−ジメチル−n−プロポキシ基、2,2−ジメチル−n−プロポキシ基、1−エチル−n−プロポキシ基、n−ヘキシルオキシ基、1−メチル−n−ペンチルオキシ基、2−メチル−n−ペンチルオキシ基、3−メチル−n−ペンチルオキシ基、4−メチル−n−ペンチルオキシ基、1,1−ジメチル−n−ブトキシ基、1,2−ジメチル−n−ブトキシ基、1,3−ジメチル−n−ブトキシ基、2,2−ジメチル−n−ブトキシ基、2,3−ジメチル−n−ブトキシ基、3,3−ジメチル−n−ブトキシ基、1−エチル−n−ブトキシ基、2−エチル−n−ブトキシ基、1,1,2−トリメチル−n−プロポキシ基、1,2,2,−トリメチル−n−プロポキシ基、1−エチル−1−メチル−n−プロポキシ基、及び1−エチル−2−メチル−n−プロポキシ基等が挙げられる。
炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基としては、エチルチオ基、ブチルチオ基、ヘキシルチオ基等が挙げられる。
前記式(1)中、Xが式(4)で表され、n1及びn2が1であり、R3が酸素原子で中断されていてもよい炭素原子数1乃至5のアルキル基であることが好ましい。この場合、炭素原子数1乃至5のアルキル基の具体例としては、上記炭素原子数1乃至10のアルキル基のうち、炭素原子数1乃至5のアルキル基である。
本願のエポキシ付加生成物は、上記式(1)で表されるエポキシ化合物に、カルボン酸含有化合物、カルボン酸無水物含有化合物、ヒドロキシ基含有化合物、チオール基含有化合物、アミノ基含有化合物及びイミド基含有化合物等のエポキシ付加体形成化合物が自体公知の方法で付加して形成される。
前記カルボン酸含有化合物が、硫黄原子を少なくとも1つ以上含むジカルボン酸(例えば上記式(B−7)、(B−11)〜(B−17))であることが好ましい。
前記硫黄原子を少なくとも1つ以上含むジカルボン酸が、脂肪族ジカルボン酸であることが好ましく、ジチオグリコール酸(式(B−15))が特に好ましい。
本願のエポキシ付加体の重量平均分子量が、例えば1,000〜100,000であり、又は1,100〜50,000であり、又は1,200〜30,000であり、又は1,300〜20,000である。
本発明のレジスト下層膜形成組成物は、上記各成分を、有機溶剤に溶解させることによって製造でき、均一な溶液状態で用いられる。
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物の溶媒としては、上記化合物、又はその反応生成物を溶解できる溶媒であれば、特に制限なく使用することができる。特に、本発明に係るレジスト下層膜形成組成物は均一な溶液状態で用いられるものであるため、その塗布性能を考慮すると、リソグラフィー工程に一般的に使用される溶媒を併用することが推奨される。
これらの溶媒の中でプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、及びシクロヘキサノン等が好ましい。特にプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。
本発明のレジスト下層膜形成組成物は、任意成分として、架橋反応を促進させるために、架橋触媒を含有することができる。当該架橋触媒としては、酸性化合物、塩基性化合物に加え、熱により酸又は塩基が発生する化合物を用いることができる。酸性化合物としては、スルホン酸化合物又はカルボン酸化合物を用いることができ、熱により酸が発生する化合物としては、熱酸発生剤を用いることができる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物は架橋剤成分を含むことができる。その架橋剤としては、メラミン系、置換尿素系、またはそれらのポリマー系等が挙げられる。好ましくは、少なくとも2個の架橋形成置換基を有する架橋剤であり、メトキシメチル化グリコールウリル、ブトキシメチル化グリコールウリル、メトキシメチル化メラミン、ブトキシメチル化メラミン、メトキシメチル化ベンゾグワナミン、ブトキシメチル化ベンゾグワナミン、メトキシメチル化尿素、ブトキシメチル化尿素、メトキシメチル化チオ尿素、またはメトキシメチル化チオ尿素等の化合物である。また、これらの化合物の縮合体も使用することができる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物は、任意成分として、半導体基板に対する塗布性を向上させるために界面活性剤を含有することができる。前記界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップ〔登録商標〕EF301、同EF303、同EF352(三菱マテリアル電子化成株式会社製)、メガファック〔登録商標〕F171、同F173、同R−30、同R−30N、同R−40、同R−40−LM(DIC株式会社製)、フロラードFC430、同FC431(住友スリーエム株式会社製)、アサヒガード〔登録商標〕AG710、サーフロン〔登録商標〕S−382、同SC101、同SC102、同SC103、同SC104、同SC105、同SC106(旭硝子株式会社製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業株式会社製)を挙げることができる。これらの界面活性剤は、単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。前記レジスト下層膜形成組成物が界面活性剤を含む場合、その含有量は、レジスト下層膜形成組成物の全固形分に対して、0.0001〜10重量%、好ましくは0.01〜5重量%である。
本発明のレジスト下層膜形成組成物には、吸光剤、レオロジー調整剤、接着補助剤などを添加することができる。レオロジー調整剤は、レジスト下層膜形成組成物の流動性を向上させるのに有効である。接着補助剤は、半導体基板またはレジストと下層膜の密着性を向上させるのに有効である。
以下、本発明に係るレジスト下層膜形成組成物を用いて製造されるレジスト下層膜、パターンニングされた基板の製造方法及び半導体装置の製造方法について説明する。
本発明に係るレジスト下層膜は、上記したレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し、焼成することにより製造することができる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物が塗布される半導体基板としては、例えば、シリコンウェハー、ゲルマニウムウェハー、及びヒ化ガリウム、リン化インジウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウム等の化合物半導体ウェハーが挙げられる。
表面に無機膜が形成された半導体基板を用いる場合、当該無機膜は、例えば、ALD(原子層堆積)法、CVD(化学気相堆積)法、反応性スパッタ法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スピンコーティング法(スピンオングラス:SOG)により形成される。前記無機膜として、例えば、ポリシリコン膜、酸化ケイ素膜、窒化珪素膜、BPSG(Boro−Phospho Silicate Glass)膜、窒化チタン膜、窒化酸化チタン膜、タングステン膜、窒化ガリウム膜、及びヒ化ガリウム膜が挙げられる。
形成されるレジスト下層膜の膜厚としては、例えば0.001μm(1nm)〜10μm、好ましくは0.002μm(2nm)〜1μm、より好ましくは0.005μm(5nm)〜0.5μm(500nm)である。ベーク時の温度が、上記範囲より低い場合には架橋が不十分となる。一方、ベーク時の温度が上記範囲より高い場合は、レジスト下層膜が熱によって分解してしまうことがある。
パターンニングされた基板の製造方法は以下の工程を経る。通常、レジスト下層膜の上にフォトレジスト層を形成して製造される。レジスト下層膜の上に自体公知の方法で塗布、焼成して形成されるフォトレジストとしては露光に使用される光に感光するものであれば特に限定はない。ネガ型フォトレジスト及びポジ型フォトレジストのいずれも使用できる。ノボラック樹脂と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物とアルカリ可溶性バインダーと光酸発生剤とからなる化学増幅型フォトレジスト、及び酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジストなどがある。例えば、JSR(株)製商品名V146G、シプレー社製商品名APEX−E、住友化学工業(株)製商品名PAR710、及び信越化学工業(株)製商品名AR2772、SEPR430等が挙げられる。また、例えば、Proc.SPIE,Vol.3999,330−334(2000)、Proc.SPIE,Vol.3999,357−364(2000)、やProc.SPIE,Vol.3999,365−374(2000)に記載されているような、含フッ素原子ポリマー系フォトレジストを挙げることができる。
装置:東ソー株式会社製HLC−8320GPC
GPCカラム:Shodex〔登録商標〕・Asahipak〔登録商標〕(昭和電工(株))
カラム温度:40℃
流量:0.35mL/分
溶離液:テトラヒドロフラン(THF)
標準試料:ポリスチレン(東ソー株式会社)
特許公報(WO2017/208910)記載の方法に従って合成したメチルイソシアヌル酸(Me−ICA)10.00g,炭酸カリウム(関東化学(株)製)14.49g,アリルクロロアセテート(アルドリッチ製)20.48g,N,N−ジメチルホルムアミド(関東化学(株)製)40.00gを仕込み60℃で25時間撹拌した。トルエン(関東化学(株)製)100.00gを仕込み、ろ過した。そこへ水100.00gを追加し、50℃にて分液した。得られた有機層へ更に水100.00gを追加し、50℃にて分液した。得られた有機層を濃縮することにより、式(М−1)で示される目的の生成物(メチルジアリルアセテートイソシアヌル酸:Me−DAAICA)を20.51g、収率86.5%にて得た。この化合物の1H NMR(500MHz,DMSO−d6)を測定したところ、δ 5.92(m,2H),5.32(dd,2H),5.23(dd,2H), 4.62(d,4H),4.66(s,4H),3.23(s,3H)であった。
合成例1にて得られたMe−DAAICA 20.51g、クロロホルム(関東化学(株)製)153.83gを仕込み、そこへ、m−クロロ過安息香酸(東京化成工業(株)製)38.52gを添加した。71時間反応を行い、反応が恒量となったことを確認した。反応終了後、クロロホルム(関東化学(株)製)205.10g、5重量%炭酸水素ナトリウム(関東化学(株)製)410.20gを追加した。分液を行い、得られた有機層へ10重量%亜硫酸ナトリウム(関東化学(株)製)205.10gを仕込んだ。再度、分液を行い得られた有機層へ5重量%炭酸水素ナトリウム(関東化学(株)製)410.20gを仕込んだ。その後、分液を行い、得られた有機層へ水205.10gを加え2回洗浄を行った。有機層を濃縮乾燥した後にカラム精製を行い、式(A−1)で示される目的の生成物(メチルジグリシジルアセテートイソシアヌル酸:Me−DAGICA)を10.46g、収率46.6%で得た。この化合物の1H NMR(500MHz,DMSO−d6)を測定したところ、δ4.63 (s,4H),4.49(dd,2H),3.94(dd,2H),3.23(m,2H),3.23(s,3H),2.79(m,2H),2.65(m,2H)であった。
合成例2で得られたMe−DAGIA4.00g、ジチオジグリコール酸2.40g、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド0.20gにプロピレングリコールモノメチルエーテル26.42gを加えた反応フラスコ中を窒素雰囲気下、100℃で24時間加熱撹拌し、式(C−1)に相当する反応生成物が得られた。GPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは1800であった。尚、式(C−1)中、a:b=100:120(モル比)である。
前記式(C−1)に相当する反応生成物の溶液(固形分は17.2重量%)5.59g、架橋酸触媒としてピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート0.04g、界面活性剤(DIC(株)製、品名:メガファック〔商品名〕R−40、フッ素系界面活性剤)0.001g、プロピレングリコールモノメチルエーテル12.47g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート1.90gを加え、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
特許公報(WO2018/034323)記載の方法に従って合成したメトキシメチルイソシアヌル酸(MOM−ICA)27.50g,炭酸カリウム(関東化学(株)製)32.93g,アリルクロロアセテート(アルドリッチ製)46.55g,N,N−ジメチルホルムアミド(関東化学(株)製)110.00gを仕込み60℃で4時間撹拌した。反応が恒量となったためトルエン(関東化学(株)製)257.00gを仕込み、ろ過した。そこへ水257.00gを追加し、50℃にて分液し、得られた有機層を濃縮することにより、式(М−2)で示される目的の生成物(メトキシメチルジアリルアセテートイソシアヌル酸:MOM−DAAICA)を53.11g、収率90.5%にて得た。この化合物の1H NMR(500MHz,DMSO−d6)を測定したところ、δ 5.91(m,2H),5.33(dd,2H),5.24(dd,2H),5.20(s,2H), 4.65(d,4H),4.64(s,4H),3.30(s,3H)であった。
合成例3にて得られたMOM−DAAICA53.11g、クロロホルム (関東化学(株)製)398.33gを仕込み、そこへ、m−クロロ過安息香酸(東京化成工業(株)製)91.63gを添加した。76時間反応を行い、反応が恒量となったことを確認した。反応終了後、クロロホルム(関東化学(株)製)531.10g、5重量%炭酸水素ナトリウム(関東化学(株)製)1062.20gを追加した。分液を行い、得られた有機層へ10重量%亜硫酸ナトリウム(関東化学(株)製)531.10gを仕込んだ。再度、分液を行い得られた有機層へ5重量%炭酸水素ナトリウム(関東化学(株)製)1062.20gを仕込んだ。その後、分液を行い、得られた有機層へ水531.11gを加え2回洗浄を行った。有機層を濃縮乾燥した後にカラム精製を行い、式(A−7)で示される目的の生成物(メトキシメチルジグリシジルアセテートイソシアヌル酸:MOM−DAGICA)を41.66g、収率72.2%で得た。この化合物の1H NMR(500MHz,DMSO−d6)を測定したところ、δ 5.20(s,2H),4.65(s,4H), 4.49(dd,2H),3.95(dd,2H),3.31(s,3H),3.22(m,2H), 2.80(m,2H),2.66(m,2H)であった。
合成例4で得られたMOM−DAGICA5.50g、ジチオジグリコール酸2.90g、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド0.25gにプロピレングリコールモノメチルエーテル8.69gを加えた反応フラスコ中を窒素雰囲気下、70℃で24時間加熱撹拌し、式(C−2)に相当する反応生成物が得られた。GPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは2300であった。尚、式(C−2)中、a:b=100:120(モル比)である。
前記式(C−2)に相当する反応生成物の溶液(固形分は18.7重量%)5.13g、架橋酸触媒としてピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート0.04g、界面活性剤(DIC(株)製、品名:メガファック〔商品名〕R−40、フッ素系界面活性剤)0.001g、プロピレングリコールモノメチルエーテル12.93g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート1.90gを加え、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
米国特許第3230220号明細書に記載の方法に従って合成したトリカルボキシメチルイソシアヌル酸(TAICA)38.70g、N−メチル−2−ピロリドン(関東化学(株)製)300.00g,アリルブロミド(東京化成工業(株)製)70.91g、炭酸カリウム(関東化学(株)製)79.38gを仕込み、80−90℃まで昇温した。その後、2時間反応を行い反応が恒量となったことを確認した。反応終了後、トルエン(関東化学(株)製)580.50gを追加した。ろ過を行い、水580.50gで3回水洗した。有機層を濃縮乾燥した後にエタノール(関東化学(株)製)387.00gを仕込み、20−30℃で30分撹拌した。撹拌終了後、ろ過し、得られた結晶を乾燥したところ、式(М−3)で示される目的の生成物(トリアリルアセテートイソシアヌル酸:TAAICA)を44.32g、収率85.2%で得た。
合成例5にて合成したTAAICA44.32g、クロロホルム(関東化学(株)製)443.20gを仕込み、そこへm−クロロ過安息香酸(東京化成工業(株)製)125.06gを加えた。47時間反応を行った。反応終了後、クロロホルム(関東化学(株)製)88.64gを追加した。更に、5%炭酸水素ナトリウム(関東化学(株)製)886.40gで洗浄した。引き続き、10%亜硫酸ナトリウム(関東化学(株)製)443.20g、5%炭酸水素ナトリウム(関東化学(株)製)886.40gで洗浄し、さらに水443.20gで2回洗浄した。濃縮後、カラム精製を行った。カラム精製後、式(М−2)で示される目的の生成物(トリグリシジルアセテートイソシアヌル酸:TAGICA)を41.31g、収率83.7%で得た。
合成例6で得られたTAGICA9.00g、ジチオジグリコール酸6.99g、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド0.53gにプロピレングリコールモノメチルエーテル66.11gを加えた反応フラスコ中を窒素雰囲気下、70℃で23時間加熱撹拌し、式(C−3)に相当する反応生成物が得られた。GPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは3000であった。尚、式(C−3)中、a:b=100:200(モル比)である。
前記式(C−3)に相当する反応生成物の溶液(固形分は11.56重量%)8.31g、架橋酸触媒としてピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート0.04g、界面活性剤(DIC(株)製、品名:メガファック〔商品名〕R−40、フッ素系界面活性剤)0.001g、プロピレングリコールモノメチルエーテル9.75g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート1.90gを加え、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
モノメチルジグリシジルイソシアヌル酸(製品名:Me−DGIC、四国化成工業(株)製、50重量%プロピレングリコールモノメチルエーテル溶液)12.00g、ジチオジグリコール酸5.26g、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド0.45gにプロピレングリコールモノメチルエーテル1.80gを加えた反応フラスコ中を窒素雰囲気下、70℃で21時間加熱撹拌した。得られた反応生成物の溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテル39.01gを加えて希釈し、式(D−1)に相当する反応生成物が得られた。GPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは1700であった。尚、式(D−1)中、a:b=100:120(モル比)である。
前記式(D−1)に相当する反応生成物の溶液(固形分は17.8重量%)5.41g、架橋酸触媒としてピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート0.04g、界面活性剤(DIC(株)製、品名:メガファック〔商品名〕R−40、フッ素系界面活性剤)0.001g、プロピレングリコールモノメチルエーテル12.65g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート1.90gを加え、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
1,3,5−トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸(製品名:TEPIC−SS、日産化学工業(株)製)4.00g、ジチオジグリコール酸6.09g、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド0.37gにプロピレングリコールモノメチルエーテル10.46gを加えた反応フラスコ中を窒素雰囲気下、65℃で22時間加熱撹拌した。得られた反応生成物の溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテル31.39gを加えて希釈し、式(D−2)に相当する反応生成物が得られた。GPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは2800であった。尚、式(D−2)中、a:b=100:250(モル比)である。
前記式(D−2)に相当する反応生成物の溶液(固形分は13.0重量%)7.40g、架橋酸触媒としてピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート0.04g、界面活性剤(DIC(株)製、品名:メガファック〔商品名〕R−40、フッ素系界面活性剤)0.001g、プロピレングリコールモノメチルエーテル10.66g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート1.90gを加え、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
実施例1乃至実施例3及び比較例1乃至比較例2で調製されたリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を膜厚100nm程度となるように、コーターデベロッパ(CLEAN TRACK ACT−8,東京エレクトロン(株)製)を用いてシリコンウェハー上に塗布(スピンコート)し、ベークユニット中で215℃または250℃、60秒間ベーク(焼成)した。次に、ウェハー上に製膜されたレジスト下層膜のレジスト溶剤耐性を確認するために、コーターデベロッパにてOK73シンナー(東京応化工業(株)製、プロピレングリコールモノメチルエーテル/プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート=70/30混合溶剤)を成膜したレジスト下層膜上に1分間浸漬し、スピンドライ後に100℃、30秒間ベークした。混合溶剤を浸漬する前後のレジスト下層膜の膜厚を光干渉式膜厚計(Lamda Ace VM−3210、(株)SCREEN製)を用いて測定した。
レジスト溶剤耐性の評価は、((溶剤浸漬前の膜厚)−(溶剤浸漬後の膜厚))÷(溶剤浸漬前の膜厚)×100の計算式から、溶剤浸漬によって除去されたレジスト下層膜の膜厚減少率(%)を評価した。尚、膜厚減少率が約1%以下であれば十分なレジスト溶剤耐性を有すると言える。このレジスト下層膜の膜厚減少率(%)を〔表1〕に示す。
実施例1乃至実施例3及び比較例1乃至比較例2で調製されたリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を膜厚50nm程度となるように、スピンコーターにてシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で215℃または250℃、60秒間ベーク(焼成)した。得られたレジスト下層膜を分光エリプソメーター(VUV−VASE、J.A.Woolam製)を用い、波長193nmでのn値(屈折率)及びk値(減衰係数)を測定した。その結果を表2に示す。
実施例1乃至実施例3及び比較例1乃至比較例2で調製されたリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を膜厚130nm程度となるように、シリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で215℃または250℃、60秒間ベーク(焼成)した。得られたレジスト下層膜をドライエッチング装置(RIE−10NR、サムコ(株)製)を用い、窒素ガスによるドライエッチングを60秒間行うことで、レジスト下層膜のドライエッチング速度を測定した。
半導体リソグラフィー用反射防止コーティング剤(製品名:DUV30J、日産化学工業(株)製)を膜厚150nm程度となるように、シリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で215℃、60秒間ベーク(焼成)した。得られた被膜をドライエッチング装置(RIE−10NR、サムコ(株)製)を用い、窒素ガスによるドライエッチングを60秒間行うことで、レジスト下層膜のドライエッチング速度を測定した。
半導体リソグラフィー用反射防止コーティング剤(DUV30J)のドライエッチング速度を1.00とした際の実施例1乃至実施例3及び比較例1乃至比較例2で調製されたリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜のドライエッチング速度の比(エッチング選択比)を〔表2〕に示す。
Claims (14)
- 下記式(1)で表される化合物。
(式(1)中、Xは、下記式(2)、式(3)又は式(4)で表される2価の有機基であり、n1、n2は各々独立に1乃至10の整数を表す。)
(式(2)、式(3)及び式(4)中、
R1及びR2は、各々独立に水素原子、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数2乃至10のアルケニル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数2乃至10のアルキニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、原子数1乃至10のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも1つの1価の官能基で置換されていてもよい。
R3は、水素原子、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数3乃至10のアルケニル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数3乃至10のアルキニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基及び下記式(5)で表される有機基からなる群から選ばれる少なくとも1つの1価の官能基で置換されていてもよい。)
(式(5)中、n3は1乃至10の整数を表す。) - 前記式(1)中、Xが式(4)で表される、請求項1に記載の化合物。
- 前記式(1)中、n1及びn2が1であり、R3が酸素原子で中断されていてもよい炭素原子数1乃至5のアルキル基又は式(5)で表わされる、請求項2に記載の化合物。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の化合物と、エポキシ付加体形成化合物との反応によって得られるエポキシ付加生成物及び溶剤を含む、レジスト下層膜形成組成物。
- 前記エポキシ付加体形成化合物が、カルボン酸含有化合物、カルボン酸無水物含有化合物、ヒドロキシ基含有化合物、チオール基含有化合物、アミノ基含有化合物及びイミド基含有化合物からなる群より選ばれた少なくとも1種の化合物である、請求項4に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 前記エポキシ付加体形成化合物が、カルボン酸含有化合物またはチオール基含有化合物である、請求項4又は請求項5に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 前記カルボン酸含有化合物が、硫黄原子を少なくとも1つ以上含むジカルボン酸である、請求項6に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 前記硫黄原子を少なくとも1つ以上含むジカルボン酸が、脂肪族ジカルボン酸である請求項7に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 架橋触媒をさらに含む、請求項4乃至請求項8のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 架橋剤をさらに含む、請求項4乃至請求項9のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 界面活性剤をさらに含む、請求項4乃至請求項10のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 請求項4乃至請求項11のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物からなる塗布膜の焼成物であることを特徴とするレジスト下層膜。
- 半導体基板上に請求項4乃至請求項11のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を塗布しベークしてレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジストを塗布しベークしてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジストで被覆された半導体基板を露光する工程、露光後の前記レジスト膜を現像し、パターニングする工程を含む、パターニングされた基板の製造方法。
- 半導体基板上に、請求項4乃至請求項11の何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物からなるレジスト下層膜を形成する工程と、
前記レジスト下層膜の上にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜に対する光又は電子線の照射とその後の現像によりレジストパターンを形成する工程と、
形成された前記レジストパターンを介して前記レジスト下層膜をエッチングすることによりパターン化されたレジスト下層膜を形成する工程と、
パターン化された前記レジスト下層膜により半導体基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
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