JPWO2019186332A5 - 表示装置 - Google Patents
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Claims (4)
- 複数の画素を有し、
複数の前記画素はそれぞれ、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、液晶素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１のデータ線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の容量素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２のデータ線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の容量素子の一対の電極のうちの他方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の容量素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記液晶素子と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の容量値は、前記第２の容量素子の容量値よりも大きい、表示装置。 - 請求項１において、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続される導電層を有し、
前記第１の容量素子は、前記導電層を一対の電極のうちの一方とし、前記液晶素子の画素電極を一対の電極のうちの他方とし、
前記第２の容量素子は、前記画素電極を一対の電極のうちの一方とし、前記液晶素子の共通電極を一対の電極のうちの他方とし、
前記画素において、前記導電層と前記画素電極との間に配置される第１の絶縁層の厚さは、前記画素電極と前記共通電極の間に配置される第２の絶縁層の厚さよりも薄い、表示装置。 - 請求項１において、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続される導電層を有し、
前記第１の容量素子は、前記導電層を一対の電極のうちの一方とし、前記液晶素子の画素電極を一対の電極のうちの他方とし、
前記第２の容量素子は、前記画素電極を一対の電極のうちの一方とし、前記液晶素子の共通電極を一対の電極のうちの他方とし、
前記画素において、前記導電層と前記画素電極とが重なる領域の面積は、前記画素電極と前記共通電極とが重なる領域の面積よりも大きい、表示装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のデータ線を介した前記画素への第１の電位の供給と、前記第２のデータ線を介した前記画素への第２の電位の供給と、を並行して行った後、前記第２のデータ線を介して前記画素に第３の電位を供給することにより、前記画素に保持された前記第１の電位を第４の電位に変化させ、前記第４の電位を前記画素電極に印加し、
前記第２の電位は、前記第１の電位を基に算出される電位であり、
前記第２の電位の値が、前記共通電極に印加される電位以下である場合は、前記第３の電位は、前記共通電極に印加される電位より高く、
前記第２の電位の値が、前記共通電極に印加される前記電位以上である場合は、前記第３の電位は、前記共通電極に印加される前記電位より低い、表示装置。
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