JPWO2019150445A1 - Film-like adhesive and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
基板上に第1のワイヤを介して第1の半導体素子がワイヤボンディング接続されると共に、第1の半導体素子上に、第2の半導体素子が圧着されてなる半導体装置において、第2の半導体素子を圧着すると共に、少なくとも第1のワイヤの少なくとも一部を埋め込むために用いられるフィルム状接着剤であって、第1の接着フィルムと、第1の接着フィルム上に積層された第2の接着フィルムと、を備え、フィルム状接着剤の溶剤含有率がフィルム状接着剤全量を基準として1.5質量%以下であり、フィルム状接着剤の80℃におけるずり粘度が5000Pa・s以下である、フィルム状接着剤が開示される。In a semiconductor device in which a first semiconductor element is wire-bonded to a substrate via a first wire and a second semiconductor element is crimped onto the first semiconductor element, the second semiconductor element A film-like adhesive used for crimping and embedding at least a part of a first wire, which is a first adhesive film and a second adhesive film laminated on the first adhesive film. The film has a solvent content of 1.5% by mass or less based on the total amount of the film-like adhesive, and the shear viscosity of the film-like adhesive at 80 ° C. is 5000 Pa · s or less. The state adhesive is disclosed.
Description
本発明は、フィルム状接着剤及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a film-like adhesive and a method for producing the same, and a semiconductor device and the method for producing the same.
従来、半導体チップと半導体チップ搭載用の支持部材との接合には、主に銀ペーストが使用されている。しかし、近年の半導体チップの小型化及び集積化に伴い、使用される支持部材にも小型化及び細密化が要求されるようになってきている。その一方で、銀ペーストを用いる場合では、ペーストのはみ出し又は半導体チップの傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、膜厚制御の困難性、ボイド発生等の問題が生じる場合がある。 Conventionally, silver paste is mainly used for joining a semiconductor chip and a support member for mounting the semiconductor chip. However, with the recent miniaturization and integration of semiconductor chips, the support members used are also required to be miniaturized and densified. On the other hand, when a silver paste is used, problems such as protrusion of the paste or inclination of the semiconductor chip during wire bonding, difficulty in controlling the film thickness, and void generation may occur.
そのため、近年、半導体チップと支持部材とを接合するためのフィルム状接着剤が使用されている(例えば、特許文献1参照)。ダイシングテープとダイシングテープ上に積層されたフィルム状接着剤とを備える接着シートを用いる場合、半導体ウェハの裏面にフィルム状接着剤を貼り付け、ダイシングによって半導体ウェハを個片化することによって、フィルム状接着剤付き半導体チップを得ることができる。得られたフィルム状接着剤付き半導体チップは、フィルム状接着剤を介して支持部材に貼り付け、熱圧着により接合することができる。 Therefore, in recent years, a film-like adhesive for joining a semiconductor chip and a support member has been used (see, for example, Patent Document 1). When an adhesive sheet including a dicing tape and a film-like adhesive laminated on the dicing tape is used, the film-like adhesive is attached to the back surface of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is separated by dicing to form a film. A semiconductor chip with an adhesive can be obtained. The obtained semiconductor chip with a film-like adhesive can be attached to a support member via a film-like adhesive and bonded by thermocompression bonding.
しかしながら、半導体チップのサイズが小さくなるにつれて、熱圧着時に単位面積当たりにかかる力が大きくなり、フィルム状接着剤が半導体チップからはみ出す、ブリードという現象が発生する場合がある。 However, as the size of the semiconductor chip decreases, the force applied per unit area during thermocompression bonding increases, and a phenomenon called bleeding may occur in which the film-like adhesive protrudes from the semiconductor chip.
また、フィルム状接着剤をワイヤ埋め込み型フィルム状接着剤であるFOW(Film Over Wire)又は半導体チップ埋め込み型フィルム状接着剤であるFOD(Film Over Die)として用いる場合は、埋め込み性を向上させる観点から、熱圧着時に高い流動性が求められる。そのため、ブリードの発生頻度及び量がさらに増大する傾向にある。場合によっては、ブリードが半導体チップ上面にまで生じることがあり、これによって、電気不良又はワイヤボンディング不良につながるおそれがある。 Further, when the film-like adhesive is used as FOW (Film Over Ware), which is a wire-embedded film-like adhesive, or FOD (Film Over Die), which is a semiconductor chip-embedded film-like adhesive, there is a viewpoint of improving the embedding property. Therefore, high fluidity is required during hot crimping. Therefore, the frequency and amount of bleeding tend to increase further. In some cases, bleeding may occur even on the upper surface of the semiconductor chip, which may lead to electrical failure or wire bonding failure.
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、熱圧着時に良好な埋め込み性を有しつつ、ブリードを抑制することが可能なフィルム状接着剤を提供することを主な目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a film-like adhesive capable of suppressing bleeding while having good embedding property at the time of thermocompression bonding. To do.
本発明者らが鋭意検討したところ、接着フィルムを積層したフィルム状接着剤を用い、さらにフィルム状接着剤の溶剤含有率及びずり粘度を調整することによって、上記課題が解決されることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of diligent studies by the present inventors, they have found that the above problems can be solved by using a film-like adhesive in which an adhesive film is laminated and further adjusting the solvent content and shear viscosity of the film-like adhesive. The present invention has been completed.
本発明の一側面は、基板上に第1のワイヤを介して第1の半導体素子がワイヤボンディング接続されると共に、第1の半導体素子上に、第2の半導体素子が圧着されてなる半導体装置において、第2の半導体素子を圧着すると共に第1のワイヤの少なくとも一部を埋め込むために用いられるフィルム状接着剤であって、第1の接着フィルムと、第1の接着フィルム上に積層された第2の接着フィルムと、を備え、フィルム状接着剤の溶剤含有率がフィルム状接着剤全量を基準として1.5質量%以下であり、フィルム状接着剤の80℃におけるずり粘度が5000Pa・s以下である、フィルム状接着剤を提供する。このようなフィルム状接着剤によれば、熱圧着時に良好な埋め込み性を有しつつ、ブリードを抑制することが可能となる。 One aspect of the present invention is a semiconductor device in which a first semiconductor element is wire-bonded to a substrate via a first wire, and a second semiconductor element is crimped onto the first semiconductor element. A film-like adhesive used for crimping a second semiconductor element and embedding at least a part of a first wire, which is laminated on the first adhesive film and the first adhesive film. A second adhesive film is provided, the solvent content of the film-like adhesive is 1.5% by mass or less based on the total amount of the film-like adhesive, and the shear viscosity of the film-like adhesive at 80 ° C. is 5000 Pa · s. The following film-like adhesives are provided. According to such a film-like adhesive, bleeding can be suppressed while having good embedding property at the time of thermocompression bonding.
フィルム状接着剤の厚さは、3〜150μmであってよい。フィルム状接着剤の80℃における貯蔵弾性率は、10MPa以下であってよい。 The thickness of the film-like adhesive may be 3 to 150 μm. The storage elastic modulus of the film-like adhesive at 80 ° C. may be 10 MPa or less.
別の側面において、本発明は、上述のフィルム状接着剤の製造方法であって、溶剤を含有する第1の接着剤組成物のワニスを基材上に塗布し、塗布された第1の接着剤組成物のワニスを50〜150℃で加熱乾燥し、溶剤含有率が第1の接着フィルム全量を基準として1.5質量%以下である第1の接着フィルムを作製する工程と、溶剤を含有する第2の接着剤組成物のワニスを基材上に塗布し、塗布された第2の接着剤組成物のワニスを50〜150℃で加熱乾燥し、溶剤含有率が第2の接着フィルム全量を基準として1.5質量%以下である第2の接着フィルムを作製する工程と、第1の接着フィルムと第2の接着フィルムとを貼り合わせる工程と、を備える、フィルム状接着剤の製造方法を提供する。 In another aspect, the present invention is the method for producing a film-like adhesive described above, wherein a varnish of a first adhesive composition containing a solvent is applied onto a substrate, and the first adhesion is applied. The varnish of the agent composition is heat-dried at 50 to 150 ° C. to prepare a first adhesive film having a solvent content of 1.5% by mass or less based on the total amount of the first adhesive film, and contains a solvent. The varnish of the second adhesive composition to be applied is applied onto the substrate, and the varnish of the applied second adhesive composition is heated and dried at 50 to 150 ° C., and the solvent content is the total amount of the second adhesive film. A method for producing a film-like adhesive, which comprises a step of producing a second adhesive film having a content of 1.5% by mass or less based on the above, and a step of bonding the first adhesive film and the second adhesive film. I will provide a.
別の側面において、本発明は、基板上に第1のワイヤを介して第1の半導体素子がワイヤボンディング接続されると共に、第1の半導体素子上に、第2の半導体素子が上述のフィルム状接着剤を介して圧着されることで、第1のワイヤの少なくとも一部がフィルム状接着剤に埋め込まれてなる、半導体装置を提供する。なお、半導体装置は、第1のワイヤの少なくとも一部がフィルム状接着剤に埋め込まれてなるワイヤ埋込型の半導体装置であっても、第1のワイヤ及び第1の半導体チップが接着フィルムに埋め込まれてなるチップ埋込型の半導体装置であってもよい。 In another aspect, in the present invention, the first semiconductor element is wire-bonded and connected on the substrate via the first wire, and the second semiconductor element is formed on the first semiconductor element in the form of the above-mentioned film. Provided is a semiconductor device in which at least a part of a first wire is embedded in a film-like adhesive by being crimped via an adhesive. Even if the semiconductor device is a wire-embedded semiconductor device in which at least a part of the first wire is embedded in a film-like adhesive, the first wire and the first semiconductor chip are formed in the adhesive film. It may be a chip-embedded semiconductor device that is embedded.
別の側面において、本発明は、基板上に第1のワイヤを介して第1の半導体素子を電気的に接続するワイヤボンディング工程と、第2の半導体素子の片面に、上述のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、フィルム状接着剤が貼付された第2の半導体素子を、フィルム状接着剤を介して圧着することで、第1のワイヤの少なくとも一部をフィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程と、を備える半導体装置の製造方法を提供する。 In another aspect, the present invention comprises a wire bonding step of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate via a first wire, and a film-like adhesive described above on one side of the second semiconductor element. A die bond that embeds at least a part of the first wire in the film-like adhesive by crimping the second semiconductor element to which the film-like adhesive is attached with the film-like adhesive. Provided are a process and a method of manufacturing a semiconductor device comprising.
本発明によれば、熱圧着時に良好な埋め込み性を有しつつ、ブリードを抑制することが可能なフィルム状接着剤が提供される。また、本発明によれば、このようなフィルム状接着剤の製造方法、並びにこのようなフィルム状接着剤を用いた半導体装置及びその製造方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a film-like adhesive capable of suppressing bleeding while having good embedding property at the time of thermocompression bonding. Further, according to the present invention, there is provided a method for producing such a film-like adhesive, a semiconductor device using such a film-like adhesive, and a method for producing the same.
以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the present invention is not limited to the following embodiments.
本明細書において、(メタ)アクリル酸はアクリル酸又はそれに対応するメタクリル酸を意味する。(メタ)アクリロイル基等の他の類似表現についても同様である。 As used herein, (meth) acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid corresponding thereto. The same applies to other similar expressions such as (meth) acryloyl group.
[フィルム状接着剤]
図1は、一実施形態に係るフィルム状接着剤を示す模式断面図である。フィルム状接着剤10は、第1の接着フィルム2と第1の接着フィルム2上に積層された第2の接着フィルム4とを備える。第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4は、いずれも熱硬化性であり、半硬化(Bステージ)状態を経て、硬化処理後に完全硬化物(Cステージ)状態となり得る第1の接着剤組成物及び第2の接着剤組成物をフィルム状に成形して作製することができる。フィルム状接着剤10は、得られた第1の接着フィルム2と第2の接着フィルム4とをラミネートすることによって作製することができる。[Film-like adhesive]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a film-like adhesive according to an embodiment. The film-
フィルム状接着剤10を構成する第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4は、熱硬化性樹脂(以下、単に「(a)成分」という場合がある。)と、高分子量成分(以下、単に「(b)成分」という場合がある。)と、無機フィラー(以下、単に「(c)成分」という場合がある。)と、を含有することが好ましい。第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4は、カップリング剤(以下、単に「(d)成分」という場合がある。)と、硬化促進剤(以下、単に「(e)成分」という場合がある。)と、をさらに含有していてもよい。第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4は、第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4を形成する際に用いられる溶剤が残存していてもよい。フィルム状接着剤10(第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4)の溶剤含有率は、フィルム状接着剤全量を基準として1.5質量%以下である。第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4は互いに同一のフィルムであっても異なるフィルムであってもよいが、互いに同一のフィルムであることが好ましい。
The first
<(a)熱硬化性樹脂>
(a)成分は、接着性の観点から、エポキシ樹脂(以下、単に「(a1)成分」という場合がある。)及びエポキシ樹脂の硬化剤となり得るフェノール樹脂(以下、単に「(a2)成分」という場合がある。)を含むことが好ましい。<(A) Thermosetting resin>
The component (a) is an epoxy resin (hereinafter, may be simply referred to as “(a1) component”) and a phenol resin that can be a curing agent for the epoxy resin (hereinafter, simply “(a2) component”) from the viewpoint of adhesiveness. In some cases, it is preferable to include).
(a1)成分は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。(a1)成分としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールFノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(a1)成分は、耐熱性の観点から、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、又はビスフェノールA型エポキシ樹脂であってもよい。 The component (a1) can be used without particular limitation as long as it has an epoxy group in the molecule. Examples of the component (a1) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, and bisphenol F novolac type. Epoxy resin, dicyclopentadiene skeleton-containing epoxy resin, stillben-type epoxy resin, triazine skeleton-containing epoxy resin, fluorene skeleton-containing epoxy resin, triphenolphenolmethane-type epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin, xylylene-type epoxy resin, biphenyl-aralkyl-type epoxy Examples thereof include resins, naphthalene-type epoxy resins, polyfunctional phenols, and polycyclic aromatic diglycidyl ether compounds such as anthracene. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the component (a1) may be a cresol novolac type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, or a bisphenol A type epoxy resin from the viewpoint of heat resistance.
(a1)成分のエポキシ当量は、90〜300g/eq、110〜290g/eq、又は130〜280g/eqであってよい。(a1)成分のエポキシ当量がこのような範囲にあると、フィルム状接着剤のバルク強度を維持しつつ、流動性を確保することができる傾向にある。 The epoxy equivalent of the component (a1) may be 90 to 300 g / eq, 110 to 290 g / eq, or 130 to 280 g / eq. When the epoxy equivalent of the component (a1) is in such a range, the fluidity tends to be ensured while maintaining the bulk strength of the film-like adhesive.
(a1)成分の含有量は、(a)成分、(b)成分、及び(c)成分の総質量100質量部に対して、5〜50質量部、10〜40質量部、又は20〜30質量部であってよい。(a1)成分の含有量が5質量部以上であると、フィルム状接着剤の埋め込み性がより良好となる傾向にある。(a1)成分の含有量が50質量部以下であると、ブリードの発生をより抑制できる傾向にある。 The content of the component (a1) is 5 to 50 parts by mass, 10 to 40 parts by mass, or 20 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b), and the component (c). It may be a mass part. When the content of the component (a1) is 5 parts by mass or more, the embedding property of the film-like adhesive tends to be better. When the content of the component (a1) is 50 parts by mass or less, the occurrence of bleeding tends to be further suppressed.
(a2)成分は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。(a2)成分としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び/又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールA、アリル化ビスフェノールF、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び/又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス(メトキシメチル)ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(a2)成分は、吸湿性及び耐熱性の観点から、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、又はノボラック型フェノール樹脂であってもよい。 The component (a2) can be used without particular limitation as long as it has a phenolic hydroxyl group in the molecule. Examples of the component (a2) include phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol and aminophenol, and / or naphthols such as α-naphthol, β-naphthol and dihydroxynaphthalene. Novolac-type phenolic resin obtained by condensing or co-condensing with a compound having an aldehyde group such as formaldehyde under an acidic catalyst, allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated naphthalenediol, phenol novolac, phenols such as phenol And / or a phenol aralkyl resin synthesized from naphthols and dimethoxyparaxylene or bis (methoxymethyl) biphenyl, a naphthol aralkyl resin and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the component (a2) may be a phenol aralkyl resin, a naphthol aralkyl resin, or a novolak type phenol resin from the viewpoint of hygroscopicity and heat resistance.
(a2)成分の水酸基当量は、80〜250g/eq、90〜200g/eq、又は100〜180g/eqであってよい。(a2)成分の水酸基当量がこのような範囲にあると、フィルム状接着剤の流動性を保ちつつ、接着力をより高く維持することができる傾向にある。 The hydroxyl group equivalent of the component (a2) may be 80 to 250 g / eq, 90 to 200 g / eq, or 100 to 180 g / eq. When the hydroxyl group equivalent of the component (a2) is in such a range, the adhesive strength tends to be maintained higher while maintaining the fluidity of the film-like adhesive.
(a2)成分の軟化点は、50〜140℃、55〜120℃、又は60〜100℃であってよい。 The softening point of the component (a2) may be 50 to 140 ° C., 55 to 120 ° C., or 60 to 100 ° C.
(a2)成分の含有量は、(a)成分、(b)成分、及び(c)成分の総質量100質量部に対して、5〜50質量部、10〜40質量部、又は20〜30質量部であってよい。(a2)成分の含有量が5質量部以上であると、より良好な硬化性が得られる傾向にある。(a2)成分の含有量が50質量部以下であると、フィルム状接着剤の埋め込み性がより良好になる傾向にある。 The content of the component (a2) is 5 to 50 parts by mass, 10 to 40 parts by mass, or 20 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b), and the component (c). It may be a mass part. When the content of the component (a2) is 5 parts by mass or more, better curability tends to be obtained. When the content of the component (a2) is 50 parts by mass or less, the embedding property of the film-like adhesive tends to be better.
(a1)成分のエポキシ当量と(a2)成分の水酸基当量との比((a1)成分のエポキシ当量/(a2)成分の水酸基当量)は、硬化性の観点から、0.30/0.70〜0.70/0.30、0.35/0.65〜0.65/0.35、0.40/0.60〜0.60/0.40、又は0.45/0.55〜0.55/0.45であってよい。当該当量比が0.30/0.70以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向にある。当該当量比が0.70/0.30以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。 The ratio of the epoxy equivalent of the component (a1) to the hydroxyl equivalent of the component (a2) (the epoxy equivalent of the component (a1) / the hydroxyl equivalent of the component (a2)) is 0.30 / 0.70 from the viewpoint of curability. ~ 0.70 / 0.30, 0.35 / 0.65 to 0.65 / 0.35, 0.40 / 0.60 to 0.60 / 0.40, or 0.45 / 0.55 to It may be 0.55 / 0.45. When the equivalent amount ratio is 0.30 / 0.70 or more, more sufficient curability tends to be obtained. When the equivalent equivalent ratio is 0.70 / 0.30 or less, it is possible to prevent the viscosity from becoming too high, and it is possible to obtain more sufficient fluidity.
<(b)高分子量成分>
(b)成分は、ガラス転移温度(Tg)が50℃以下であるものが好ましい。<(B) High molecular weight component>
The component (b) preferably has a glass transition temperature (Tg) of 50 ° C. or lower.
(b)成分としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ブタジエン樹脂、アクリロニトリル樹脂及びこれらの変性体等が挙げられる。 Examples of the component (b) include acrylic resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, silicone resin, butadiene resin, acrylonitrile resin, and modified products thereof.
(b)成分は、流動性の観点から、アクリル樹脂を含んでいてもよい。ここで、アクリル樹脂とは、(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーを意味する。アクリル樹脂は、構成単位として、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有する(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーであることが好ましい。また、アクリル樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルとアクリルニトリルとの共重合体等のアクリルゴムであってもよい。 The component (b) may contain an acrylic resin from the viewpoint of fluidity. Here, the acrylic resin means a polymer containing a structural unit derived from a (meth) acrylic acid ester. The acrylic resin is preferably a polymer containing a structural unit derived from a (meth) acrylic acid ester having a crosslinkable functional group such as an epoxy group, an alcoholic or phenolic hydroxyl group, or a carboxyl group as a structural unit. Further, the acrylic resin may be an acrylic rubber such as a copolymer of (meth) acrylic acid ester and acrylonitrile.
アクリル樹脂のガラス転移温度(Tg)は、−50〜50℃又は−30〜30℃であってよい。アクリル樹脂のTgが−50℃以上であると、接着剤組成物の柔軟性が高くなり過ぎることを防ぐことができる傾向にある。これにより、ウェハダイシング時にフィルム状接着剤を切断し易くなり、バリの発生を防ぐことが可能となる。アクリル樹脂のTgが50℃以下であると、接着剤組成物の柔軟性の低下を抑えることができる傾向にある。これにより、フィルム状接着剤をウェハに貼り付ける際に、ボイドを充分に埋め込み易くなる傾向にある。また、ウェハの密着性の低下によるダイシング時のチッピングを防ぐことが可能となる。ここで、ガラス転移温度(Tg)は、DSC(熱示差走査熱量計)(例えば、株式会社リガク製「Thermo Plus 2」)を用いて測定した値を意味する。
The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin may be −50 to 50 ° C. or -30 to 30 ° C. When the Tg of the acrylic resin is −50 ° C. or higher, it tends to be possible to prevent the adhesive composition from becoming too flexible. This makes it easier to cut the film-like adhesive during wafer dicing, and it is possible to prevent the occurrence of burrs. When the Tg of the acrylic resin is 50 ° C. or lower, the decrease in flexibility of the adhesive composition tends to be suppressed. As a result, when the film-like adhesive is attached to the wafer, the voids tend to be sufficiently embedded. In addition, it is possible to prevent chipping during dicing due to a decrease in wafer adhesion. Here, the glass transition temperature (Tg) means a value measured using a DSC (thermal differential scanning calorimeter) (for example, "
アクリル樹脂の重量平均分子量(Mw)は、10万〜300万又は50万〜200万であってよい。アクリル樹脂のMwがこのような範囲にあると、フィルム形成性、フィルム状における強度、可撓性、タック性等を適切に制御することができると共に、リフロー性に優れ、埋め込み性を向上することができる。ここで、Mwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。 The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin may be 100,000 to 3 million or 500,000 to 2 million. When the Mw of the acrylic resin is in such a range, the film formability, the strength in the film form, the flexibility, the tackiness, etc. can be appropriately controlled, and the reflowability is excellent and the embedding property is improved. Can be done. Here, Mw means a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using a calibration curve using standard polystyrene.
アクリル樹脂の市販品としては、例えば、SG−70L、SG−708−6、WS−023 EK30、SG−280 EK23、HTR−860P−3CSP、HTR−860P−3CSP−3DB(いずれもナガセケムテックス株式会社製)が挙げられる。 Examples of commercially available acrylic resins include SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, HTR-860P-3CSP, and HTR-860P-3CSP-3DB (all of which are Nagase ChemteX stocks). Made by the company).
(b)成分の含有量は、(a)成分、(b)成分、及び(c)成分の総質量100質量部に対して、5〜70質量部、10〜50質量部、又は15〜30質量部であってよい。(b)成分の含有量が5質量部以上であると、成形時の流動性の制御及び高温での取り扱い性をより一層良好にすることができる。(b)成分の含有量が70質量部以下であると、埋め込み性をより一層良好にすることができる。 The content of the component (b) is 5 to 70 parts by mass, 10 to 50 parts by mass, or 15 to 30 parts with respect to 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b), and the component (c). It may be a mass part. When the content of the component (b) is 5 parts by mass or more, the fluidity at the time of molding can be controlled and the handleability at a high temperature can be further improved. When the content of the component (b) is 70 parts by mass or less, the embedding property can be further improved.
<(c)無機フィラー>
(c)成分としては、例えば、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素、シリカ等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(c)成分は、樹脂との相溶性の観点から、シリカであってもよい。<(C) Inorganic filler>
Examples of the component (c) include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, and the like. Examples thereof include boron nitride and silica. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the component (c) may be silica from the viewpoint of compatibility with the resin.
(c)成分の平均粒径は、接着性の向上の観点から、0.005〜1μm又は0.05〜0.5μmであってよい。ここで、平均粒径は、BET比表面積から換算することによって求められる値を意味する。 The average particle size of the component (c) may be 0.005 to 1 μm or 0.05 to 0.5 μm from the viewpoint of improving adhesiveness. Here, the average particle size means a value obtained by converting from the BET specific surface area.
(c)成分の含有量は、(a)成分、(b)成分、及び(c)成分の総質量100質量部に対して、5〜50質量部、15〜45質量部、又は25〜40質量部であってよい。(c)成分の含有量が5質量部以上であると、フィルム状接着剤の流動性がより向上する傾向にある。(c)成分の含有量が50質量部以下であると、フィルム状接着剤のダイシング性がより良好となる傾向にある。 The content of the component (c) is 5 to 50 parts by mass, 15 to 45 parts by mass, or 25 to 40 parts with respect to 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b), and the component (c). It may be a mass part. When the content of the component (c) is 5 parts by mass or more, the fluidity of the film-like adhesive tends to be further improved. When the content of the component (c) is 50 parts by mass or less, the dicing property of the film-like adhesive tends to be better.
<(d)カップリング剤>
(d)成分は、シランカップリング剤であってよい。シランカップリング剤としては、例えば、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。<(D) Coupling agent>
The component (d) may be a silane coupling agent. Examples of the silane coupling agent include γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, and the like. Be done. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
(d)成分の含有量は、(a)成分、(b)成分、及び(c)成分の総質量100質量部に対して、0.01〜5質量部であってよい。 The content of the component (d) may be 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b), and the component (c).
<(e)硬化促進剤>
(e)成分は、特に限定されず、一般に使用されるものを用いることができる。(e)成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、反応性の観点から(e)成分はイミダゾール類及びその誘導体であってもよい。<(E) Curing accelerator>
The component (e) is not particularly limited, and generally used components can be used. Examples of the component (e) include imidazoles and derivatives thereof, organic phosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, quaternary ammonium salts and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the component (e) may be imidazoles and derivatives thereof from the viewpoint of reactivity.
イミダゾール類としては、例えば、2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the imidazoles include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
(e)成分の含有量は、(a)成分、(b)成分、及び(c)成分の総質量100質量部に対して、0.01〜1質量部であってよい。 The content of the component (e) may be 0.01 to 1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b), and the component (c).
<溶剤>
第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4は、後述の第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4を形成する際に用いられる溶剤が残存していてもよい。溶剤は、各成分を均一に溶解、混練または分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Nメチルピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等を使用することが好ましい。<Solvent>
In the first
フィルム状接着剤10(第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4)の溶剤含有率は、フィルム状接着剤全量を基準として1.5質量%以下である。溶剤含有率は、1.2質量%以下、0.9質量%以下、又は0.6量%以下であってもよい。溶剤含有率は1.5質量%以下であると、ブリードを抑制できる傾向にある。溶剤含有率の下限値は、特に制限されないが、例えば、0.01質量%以上であってよい。
The solvent content of the film-like adhesive 10 (the first
接着フィルムは、その厚さを薄くすることによって、溶剤を加熱乾燥し易くなり、溶剤含有率が低減される傾向にある。そのため、フィルム状接着剤10のように、第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4を備えるものは、単層で構成される同じ厚さのものに比べて、加熱乾燥条件を高くすることなく、溶剤含有率を低減し易くなる。また、フィルム状接着剤10の溶剤含有率は、例えば、接着剤組成物のワニスの加熱乾燥の条件を変化させることによって、調整することができる。
By reducing the thickness of the adhesive film, the solvent can be easily dried by heating, and the solvent content tends to be reduced. Therefore, the one provided with the first
第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4は、その他の成分をさらに含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、イオントラップ剤、レオロジーコントロール剤等が挙げられる。その他の成分の含有量は、(a)成分、(b)成分、及び(c)成分の総質量100質量部に対して、0.01〜20質量部であってよい。
The first
フィルム状接着剤10(第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4)の80℃におけるずり粘度は5000Pa・s以下である。80℃におけるずり粘度は、3500Pa・s以下、2500Pa・s以下、又は1500Pa・s以下であってよい。80℃におけるずり粘度は5000Pa・s以下であると、流動性が高まり、埋め込み性が向上する傾向にある。80℃におけるずり粘度の下限値は、特に制限されないが、例えば、10Pa・s以上であってよい。なお、80℃におけるずり粘度は、例えば、実施例に記載の方法によって測定することができる。
The shear viscosity of the film-like adhesive 10 (first
フィルム状接着剤10の80℃におけるずり粘度は、例えば、上述の(b)成分及び(c)成分の含有量に依存する傾向にあり、これらを変化させることによって、調整することができる。
The shear viscosity of the film-
フィルム状接着剤10(第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4)の80℃における貯蔵弾性率は10MPa以下であってよい。80℃における貯蔵弾性率は、5MPa以下、1MPa以下、又は0.5MPa以下であってもよい。80℃における貯蔵弾性率は10MPa以下であると、埋め込み性により優れる傾向にある。80℃における貯蔵弾性率の下限値は、特に制限されないが、例えば、0.02MPa以上であってよい。
The storage elastic modulus of the film-like adhesive 10 (first
フィルム状接着剤10の80℃における貯蔵弾性率は、例えば、(a)成分の官能基当量を変化させることによって調整することができる。
The storage elastic modulus of the film-
第1の接着フィルム2の厚さ及び第2の接着フィルム4の厚さは、互いに同一であっても異なっていてもよいが、互いに同一であることが好ましい。第1の接着フィルム2の厚さ及び第2の接着フィルム4の厚さは、それぞれ2〜140μmであってよい。第1の接着フィルム2の厚さ及び第2の接着フィルム4の厚さは、それぞれ5〜110μm、10〜90μm、又は20〜60μmであってよい。これらの厚さがそれぞれ2μm以上であると、埋め込み性がより良好となる傾向にある。これらの厚さがそれぞれ140μm以下であると、溶剤含有率をより低くすることができる傾向にある。
The thickness of the first
フィルム状接着剤10の厚さ(第1の接着フィルム2と第2の接着フィルム4との合計の厚さ)は、第1のワイヤ及び第1の半導体素子、並びに基板の配線回路等の凹凸を十分に充填可能とするため、3〜150μmであってよい。フィルム状接着剤10の厚さは、20〜140m又は40〜130μmであってもよい。フィルム状接着剤10の厚さが3μm以上であると、埋め込み性により優れる傾向にある。フィルム状接着剤10の厚さが150μm以下であると、ブリードをより抑制できる傾向にある。
The thickness of the film-like adhesive 10 (the total thickness of the first
フィルム状接着剤10は、第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4に、さらに接着フィルムが積層されていてもよい。すなわち、フィルム状接着剤10は、3層以上の接着フィルムを備えていてもよい。第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4以外の接着フィルムは、第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4と同一のものであってよい。
In the film-
[フィルム状接着剤の製造方法]
フィルム状接着剤の製造方法は、溶剤を含有する第1の接着剤組成物のワニスを基材上に塗布し、塗布された第1の接着剤組成物のワニスを50〜150℃で加熱乾燥し、溶剤含有率が第1の接着フィルム全量を基準として1.5質量%以下である第1の接着フィルムを作製する工程と、溶剤を含有する第2の接着剤組成物のワニスを基材上に塗布し、塗布された第2の接着剤組成物のワニスを50〜150℃で加熱乾燥し、溶剤含有率が第2の接着フィルム全量を基準として1.5質量%以下である第2の接着フィルムを作製する工程と、第1の接着フィルムと第2の接着フィルムとを貼り合わせる工程と、を備える。[Manufacturing method of film-like adhesive]
In the method for producing a film-like adhesive, a varnish of a first adhesive composition containing a solvent is applied onto a substrate, and the varnish of the applied first adhesive composition is heated and dried at 50 to 150 ° C. The step of producing the first adhesive film having a solvent content of 1.5% by mass or less based on the total amount of the first adhesive film and the varnish of the second adhesive composition containing the solvent are used as a base material. The varnish of the second adhesive composition coated on top is heat-dried at 50 to 150 ° C., and the solvent content is 1.5% by mass or less based on the total amount of the second adhesive film. A step of producing the adhesive film of No. 1 and a step of laminating the first adhesive film and the second adhesive film are provided.
第1の接着剤組成物のワニス及び第2の接着剤組成物のワニスは、例えば、(a)〜(e)成分、必要に応じて(d)成分及び(e)成分を、溶剤中で混合、混練することによって調製することができる。 The varnish of the first adhesive composition and the varnish of the second adhesive composition contain, for example, components (a) to (e) and, if necessary, components (d) and (e) in a solvent. It can be prepared by mixing and kneading.
混合、混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。 Mixing and kneading can be carried out by using a disperser such as a normal stirrer, a raft machine, a triple roll, or a ball mill, and combining these as appropriate.
第1の接着剤組成物のワニス及び第2の接着剤組成物のワニスを作製するための溶剤は、上記各成分を均一に溶解、混練または分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Nメチルピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等を使用することが好ましい。 The solvent for producing the varnish of the first adhesive composition and the varnish of the second adhesive composition is not limited as long as each of the above components can be uniformly dissolved, kneaded or dispersed, and is conventionally known. You can use the one. Examples of such a solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, toluene and xylene. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. because the drying speed is fast and the price is low.
基材フィルムとしては、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム(OPPフィルム等)、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。 The base film is not particularly limited, and examples thereof include polyester film, polypropylene film (OPP film and the like), polyethylene terephthalate film, polyimide film, polyetherimide film, polyether naphthalate film, methylpentene film and the like.
第1の接着剤組成物のワニス及び第2の接着剤組成物のワニスを基材フィルムに塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。加熱乾燥の条件は、使用した溶剤が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、例えば、50〜150℃で、1〜30分間加熱して行うことができる。加熱乾燥は、50〜150℃の範囲内の温度で段階的に昇温させて行ってもよい。加熱温度を50℃以上とすることによって、第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4(フィルム状接着剤10)の溶剤含有率をフィルム状接着剤全量基準で1.5質量%以下とし易くなる傾向にある。一方、加熱温度を150℃以下とすることによって、接着剤組成物の硬化が進むことを抑制できる傾向にある。
As a method of applying the varnish of the first adhesive composition and the varnish of the second adhesive composition to the base film, known methods can be used, for example, a knife coating method, a roll coating method, and a spray. Examples include a coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a curtain coating method. The conditions for heat drying are not particularly limited as long as the solvent used is sufficiently volatilized, but for example, it can be heated at 50 to 150 ° C. for 1 to 30 minutes. The heat drying may be carried out by gradually raising the temperature in the range of 50 to 150 ° C. By setting the heating temperature to 50 ° C. or higher, the solvent content of the first
フィルム状接着剤10は、第1の接着フィルム2と第2の接着フィルム4とをロールラミネーター、真空ラミネーター等を用いて所定条件(例えば、室温(20℃)、又は加熱状態)で貼り合わせることによって作製することができる。
In the film-
フィルム状接着剤10は、まず、第1の接着剤組成物のワニスを基材フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去して第1の接着フィルム2を作製し、次いで、第1の接着フィルム2上に、第2の接着剤組成物のワニスを塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去して第2の接着フィルムを形成することによっても作製することができる。
In the film-
[接着シート]
図2は、一実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。接着シート100は、基材フィルム20と基材フィルム20上に設けられた第1の接着フィルム2及び第2の接着フィルム4からなるフィルム状接着剤10とを備える。[Adhesive sheet]
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to an embodiment. The
基材フィルム20は、ダイシングテープであってもよい。このような接着シートは、ダイシングダイボンディング一体型接着シートとして使用することができる。この場合、半導体ウェハへのラミネート工程が1回となることから、作業の効率化が可能である。
The
ダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。また、ダイシングテープは、必要に応じて、プライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が行われていてもよい。ダイシングテープは、粘着性を有するものであることが好ましい。このようなダイシングテープは、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものであってもよく、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けたものであってもよい。 Examples of the dicing tape include plastic films such as polytetrafluoroethylene film, polyethylene terephthalate film, polyethylene film, polypropylene film, polymethylpentene film, and polyimide film. Further, the dicing tape may be subjected to surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, and etching treatment, if necessary. The dicing tape is preferably one having adhesiveness. Such a dicing tape may be one in which adhesiveness is imparted to the above-mentioned plastic film, or may be one in which an adhesive layer is provided on one side of the above-mentioned plastic film.
接着シート100は、まず、第1の接着剤組成物のワニスを調製し、これを基材フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによって第1の接着フィルム2を作製する。次いで、別途、第2の接着剤組成物のワニスから第2の接着フィルム4を作製し、これを第1の接着フィルム2にラミネートすることによって作製することができる。
For the
図3は、他の実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。接着シート110は、フィルム状接着剤10の基材フィルム20とは反対側の面(第2の接着フィルム4側の面)に積層された保護フィルム30をさらに備える。保護フィルム30は、上述の基材フィルム20と同様のものであってよい。保護フィルムの厚さは、例えば、60〜200μm又は70〜170μmであってよい。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to another embodiment. The
[半導体装置]
図4は、一実施形態に係る半導体装置を示す模式断面図である。半導体装置200は、基板14に、第1のワイヤ88を介して1段目の第1の半導体素子Waがワイヤボンディング接続されると共に、第1の半導体素子Wa上に、第2の半導体素子Waaがフィルム状接着剤10を介して圧着されることで、第1のワイヤ88の少なくとも一部がフィルム状接着剤10に埋め込まれてなる半導体装置である。半導体装置は、第1のワイヤ88の少なくとも一部が埋め込まれてなるワイヤ埋め込み型の半導体装置であっても、第1のワイヤ88及び第1の半導体素子Waが埋め込まれてなる半導体装置であってもよい。また、半導体装置200では、基板14と第2の半導体素子Waaとがさらに第2のワイヤ98を介して電気的に接続されると共に、第2の半導体素子Waaが封止材42により封止されている。[Semiconductor device]
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the semiconductor device according to the embodiment. In the
第1の半導体素子Waの厚さは、10〜170μmであってよく、第2の半導体素子Waaの厚さは、20〜400μmであってよい。フィルム状接着剤10内部に埋め込まれている第1の半導体素子Waは、半導体装置200を駆動するためのコントローラチップである。
The thickness of the first semiconductor element Wa may be 10 to 170 μm, and the thickness of the second semiconductor element Wa may be 20 to 400 μm. The first semiconductor element Wa embedded inside the film-
基板14は、表面に回路パターン84、94がそれぞれ二箇所ずつ形成された有機基板90からなる。第1の半導体素子Waは、回路パターン94上に接着剤41を介して圧着されている。第2の半導体素子Waaは、第1の半導体素子Waが圧着されていない回路パターン94、第1の半導体素子Wa、及び回路パターン84の一部が覆われるようにフィルム状接着剤10を介して基板14に圧着されている。基板14上の回路パターン84、94に起因する凹凸の段差には、フィルム状接着剤10が埋め込まれている。そして、樹脂製の封止材42により、第2の半導体素子Waa、回路パターン84及び第2のワイヤ98が封止されている。
The
[半導体装置の製造方法]
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板上に第1のワイヤを介して第1の半導体素子を電気的に接続する第1のワイヤボンディング工程と、第2の半導体素子の片面に、上述のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、フィルム状接着剤が貼付された第2の半導体素子を、フィルム状接着剤を介して圧着することで、第1のワイヤの少なくとも一部をフィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程と、を備える。[Manufacturing method of semiconductor devices]
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment includes a first wire bonding step of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate via a first wire, and a method of manufacturing the semiconductor device on one side of the second semiconductor element. By crimping the above-mentioned laminating step of applying the film-like adhesive and the second semiconductor element to which the film-like adhesive is attached via the film-like adhesive, at least a part of the first wire is filmed. It includes a die bonding process of embedding in a state adhesive.
図5〜9は、一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。本実施形態に係る半導体装置200は、第1のワイヤ88及び第1の半導体素子Waが埋め込まれてなる半導体装置であり、以下の手順により製造される。まず、図5に示すとおり、基板14上の回路パターン94上に、接着剤41を有する第1の半導体素子Waを圧着し、第1のワイヤ88を介して基板14上の回路パターン84と第1の半導体素子Waとを電気的にボンディング接続する(第1のワイヤボンディング工程)。
5 to 9 are schematic cross-sectional views showing a series of steps of the method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment. The
次に、半導体ウェハ(例えば、厚さ:50μm、サイズ:8インチ)の片面に、接着シート100をラミネートし、基材フィルム20を剥がすことによって、半導体ウェハの片面にフィルム状接着剤10(例えば、厚さ:135μm)を貼り付ける。そして、フィルム状接着剤10にダイシングテープを貼り合わせた後、所定の大きさ(例えば、7.5mm角)にダイシングすることにより、図6に示すとおり、フィルム状接着剤10が貼付した第2の半導体素子Waaを得る(ラミネート工程)。
Next, the
ラミネート工程の温度条件は、50〜100℃又は60〜80℃であってよい。ラミネート工程の温度が50℃以上であると、半導体ウェハと良好な密着性を得ることができる。ラミネート工程の温度が100℃以下であると、ラミネート工程中にフィルム状接着剤10が過度に流動することが抑えられるため、厚さの変化等を引き起こすことを防止できる。
The temperature condition of the laminating step may be 50 to 100 ° C. or 60 to 80 ° C. When the temperature of the laminating step is 50 ° C. or higher, good adhesion to the semiconductor wafer can be obtained. When the temperature of the laminating step is 100 ° C. or lower, the film-
ダイシング方法としては、例えば、回転刃を用いるブレードダイシング、レーザーによってフィルム状接着剤又はウェハとフィルム状接着剤の両方を切断する方法等が挙げられる。 Examples of the dicing method include blade dicing using a rotary blade, a method of cutting a film-like adhesive or both a wafer and a film-like adhesive with a laser, and the like.
そして、フィルム状接着剤10が貼付した第2の半導体素子Waaを、第1の半導体素子Waが第1のワイヤ88を介してボンディング接続された基板14に圧着する。具体的には、図7に示すとおり、フィルム状接着剤10が貼付された第2の半導体素子Waaを、フィルム状接着剤10によって第1のワイヤ88及び第1の半導体素子Waが覆われるように載置し、次いで、図8に示すとおり、第2の半導体素子Waaを基板14に圧着させることで基板14に第2の半導体素子Waaを固定する(ダイボンド工程)。ダイボンド工程は、フィルム状接着剤10を80〜180℃、0.01〜0.50MPaの条件で0.5〜3.0秒間圧着することが好ましい。ダイボンド工程の後、フィルム状接着剤10を60〜175℃、0.3〜0.7MPaの条件で、5分間以上加圧及び加熱する。
Then, the second semiconductor element Waa to which the film-
次いで、図9に示すとおり、基板14と第2の半導体素子Waaとを第2のワイヤ98を介して電気的に接続した後(第2のワイヤボンディング工程)、回路パターン84、第2のワイヤ98及び第2の半導体素子Waaを封止材42で封止する。このような工程を経ることで半導体装置200を製造することができる。
Then, as shown in FIG. 9, after the
他の実施形態として、半導体装置は、第1のワイヤ88の少なくとも一部が埋め込まれてなるワイヤ埋め込み型の半導体装置であってもよい。
As another embodiment, the semiconductor device may be a wire-embedded semiconductor device in which at least a part of the
以下、本発明について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
<接着剤組成物のワニスの調製>
(合成例1〜3)
表1に示す品名及び組成比(単位:質量部)で、(a)熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂、並びに(c)無機フィラーからなる組成物にシクロヘキサノンを加え、撹拌混合した。これに、表1に示す(b)高分子量成分としてのアクリルゴムを加えて撹拌し、さらに表1に示す(d)カップリング剤及び(e)硬化促進剤を加えて各成分が均一になるまで撹拌して合成例1〜3の接着剤組成物のワニスを調製した。<Preparation of varnish for adhesive composition>
(Synthesis Examples 1 to 3)
Cyclohexanone was added to a composition consisting of (a) an epoxy resin and a phenol resin as a thermosetting resin, and (c) an inorganic filler under the product names and composition ratios (unit: parts by mass) shown in Table 1, and the mixture was stirred and mixed. To this, (b) acrylic rubber as a high molecular weight component shown in Table 1 is added and stirred, and (d) a coupling agent and (e) a curing accelerator shown in Table 1 are further added to make each component uniform. The varnish of the adhesive composition of Synthesis Examples 1 to 3 was prepared by stirring up to.
なお、表1中の各成分の記号は下記のものを意味する。 The symbols of each component in Table 1 mean the following.
(エポキシ樹脂)
YDCN−700−10(商品名、新日鉄住金化学株式会社製、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量:209g/eq)
EXA−830CRP(商品名、DIC株式会社製、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量:159g/eq)
JER YL−980(商品名、三菱ケミカル株式会社製、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量:185g/eq)(Epoxy resin)
YDCN-700-10 (trade name, manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., o-cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent: 209 g / eq)
EXA-830CRP (trade name, manufactured by DIC Corporation, bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent: 159 g / eq)
JER YL-980 (trade name, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent: 185 g / eq)
(フェノール樹脂)
HE−100C−30(商品名、エア・ウォーター株式会社製、フェノールアラルキル樹脂、水酸基当量:175g/eq、軟化点77℃)
MEH−7800H(商品名、明和化成株式会社製、フェノールアラルキル樹脂、水酸基当量178g/eq、軟化点87℃)(Phenol resin)
HE-100C-30 (trade name, manufactured by Air Water Inc., phenol aralkyl resin, hydroxyl group equivalent: 175 g / eq, softening point 77 ° C.)
MEH-7800H (trade name, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., phenol aralkyl resin, hydroxyl group equivalent 178 g / eq, softening point 87 ° C)
(高分子量成分)
HTR−860P−3CSP(商品名、ナガセケムテックス株式会社製、アクリルゴム、重量平均分子量:80万、Tg:12℃)
SG−70L(商品名、ナガセケムテックス株式会社製、アクリルゴム、重量平均分子量:90万、Tg:−13℃)(High molecular weight component)
HTR-860P-3CSP (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, acrylic rubber, weight average molecular weight: 800,000, Tg: 12 ° C)
SG-70L (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, acrylic rubber, weight average molecular weight: 900,000, Tg: -13 ° C)
(無機フィラー)
SC2050−HLG(商品名、株式会社アドマテックス製、シリカフィラー分散液、平均粒径:0.50μm)
SE2050−MC(商品名、株式会社アドマテックス製、シリカフィラー分散液、平均粒径0.50μm)(Inorganic filler)
SC2050-HLG (trade name, manufactured by Admatex Co., Ltd., silica filler dispersion, average particle size: 0.50 μm)
SE2050-MC (trade name, manufactured by Admatex Co., Ltd., silica filler dispersion, average particle size 0.50 μm)
(カップリング剤)
A−1160(商品名、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン)
A−189(商品名、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)(Coupling agent)
A-1160 (trade name, manufactured by Momentive Performance Materials Japan LLC, γ-ureidopropyltriethoxysilane)
A-189 (trade name, manufactured by Momentive Performance Materials Japan LLC, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane)
(硬化促進剤)
2PZ−CN(商品名、四国化成工業株式会社製、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)
TPP−K(商品名、北興化学工業株式会社製、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート)(Curing accelerator)
2PZ-CN (trade name, manufactured by Shikoku Chemicals Corporation, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole)
TPP-K (trade name, manufactured by Hokuko Chemical Industry Co., Ltd., tetraphenylphosphonium tetraphenyl borate)
<接着シートの作製>
(実施例1)
合成例1の接着剤組成物のワニスを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。基材フィルムとして、厚さ38μmの離型処理を施したポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用意し、真空脱泡後の接着剤組成物のワニスをPETフィルム上に塗布した。塗布したワニスを、90℃で5分間、続いて140℃で5分間の2段階で加熱乾燥した。こうして、PETフィルム上に、Bステージ状態にある厚さ60μmの接着フィルムを備える接着シートを得た。次いで、2枚の接着シートを用意し、接着フィルム同士が接するように配置して、70℃のホットプレート上でラミネートして、2層の接着フィルムからなる厚さを120μmのフィルム状接着剤を備える接着シートを作製した。<Making an adhesive sheet>
(Example 1)
The varnish of the adhesive composition of Synthesis Example 1 was filtered through a 100 mesh filter and vacuum defoamed. As a base film, a polyethylene terephthalate (PET) film having been subjected to a mold release treatment having a thickness of 38 μm was prepared, and a varnish of an adhesive composition after vacuum defoaming was applied onto the PET film. The applied varnish was heated and dried in two steps at 90 ° C. for 5 minutes and then at 140 ° C. for 5 minutes. In this way, an adhesive sheet having a 60 μm-thick adhesive film in the B stage state was obtained on the PET film. Next, two adhesive sheets are prepared, arranged so that the adhesive films are in contact with each other, laminated on a hot plate at 70 ° C., and a film-like adhesive having a thickness of 120 μm consisting of two layers of adhesive films is applied. An adhesive sheet to be provided was prepared.
(実施例2)
合成例1の接着剤組成物のワニスを合成例2の接着剤組成物のワニスに変更した以外は、実施例1と同様にして、2層の接着フィルムからなる厚さを120μmのフィルム状接着剤を備える接着シートを作製した。(Example 2)
In the same manner as in Example 1, the varnish of the adhesive composition of Synthesis Example 1 was changed to the varnish of the adhesive composition of Synthesis Example 2, and the thickness of the two-layer adhesive film was 120 μm. An adhesive sheet containing the agent was prepared.
(実施例3)
合成例1の接着剤組成物のワニスを合成例3の接着剤組成物のワニスに変更した以外は、実施例1と同様にして、2層の接着フィルムからなる厚さを120μmのフィルム状接着剤を備える接着シートを作製した。(Example 3)
In the same manner as in Example 1, the varnish of the adhesive composition of Synthesis Example 1 was changed to the varnish of the adhesive composition of Synthesis Example 3, and the thickness of the two-layer adhesive film was 120 μm. An adhesive sheet containing the agent was prepared.
(比較例1)
合成例1の接着剤組成物のワニスを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。基材フィルムとして、厚さ38μmの離型処理を施したポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用意し、真空脱泡後の接着剤組成物のワニスをPETフィルム上に塗布した。塗布したワニスを、90℃で10分間、続いて150℃で10分間の2段階で加熱乾燥した。こうして、PETフィルム上に、Bステージ状態にある単層の厚さ120μmのフィルム状接着剤を備える接着シートを作製した。(Comparative Example 1)
The varnish of the adhesive composition of Synthesis Example 1 was filtered through a 100 mesh filter and vacuum defoamed. As a base film, a polyethylene terephthalate (PET) film having been subjected to a mold release treatment having a thickness of 38 μm was prepared, and a varnish of an adhesive composition after vacuum defoaming was applied onto the PET film. The applied varnish was heated and dried in two steps at 90 ° C. for 10 minutes and then at 150 ° C. for 10 minutes. In this way, an adhesive sheet having a single layer of 120 μm-thick film-like adhesive in the B stage state was produced on the PET film.
(比較例2)
90℃で10分間、150℃で10分間の2段階の加熱乾燥を、120℃で20分間、160℃で20分間の2段階の加熱乾燥に変更した以外は、比較例1と同様にして、PETフィルム上に、Bステージ状態にある単層の厚さ120μmのフィルム状接着剤を備える接着シートを作製した。(Comparative Example 2)
The same as in Comparative Example 1 except that the two-step heat-drying at 90 ° C. for 10 minutes and 150 ° C. for 10 minutes was changed to the two-step heat-drying at 120 ° C. for 20 minutes and 160 ° C. for 20 minutes. On the PET film, an adhesive sheet having a single layer of 120 μm-thick film-like adhesive in the B stage state was produced.
(比較例3)
合成例1の接着剤組成物のワニスを合成例2の接着剤組成物のワニスに変更した以外は、比較例2と同様にして、PETフィルム上に、Bステージ状態にある単層の厚さ120μmのフィルム状接着剤を備える接着シートを作製した。(Comparative Example 3)
The thickness of the single layer in the B stage state on the PET film in the same manner as in Comparative Example 2 except that the varnish of the adhesive composition of Synthesis Example 1 was changed to the varnish of the adhesive composition of Synthesis Example 2. An adhesive sheet having a 120 μm film-like adhesive was prepared.
(比較例4)
合成例1の接着剤組成物のワニスを合成例3の接着剤組成物のワニスに変更した以外は、比較例2と同様にして、PETフィルム上に、Bステージ状態にある単層の厚さ120μmのフィルム状接着剤を備える接着シートを作製した。(Comparative Example 4)
The thickness of the single layer in the B stage state on the PET film in the same manner as in Comparative Example 2 except that the varnish of the adhesive composition of Synthesis Example 1 was changed to the varnish of the adhesive composition of Synthesis Example 3. An adhesive sheet having a 120 μm film-like adhesive was prepared.
<各種物性の評価>
実施例1〜3及び比較例1〜4の接着シートのフィルム状接着剤について、溶剤含有率、80℃におけるずり粘度、80℃における貯蔵弾性率、175℃加圧オーブン硬化後の埋め込み性、及びブリード量の測定を行った。<Evaluation of various physical properties>
Regarding the film-like adhesives of the adhesive sheets of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4, the solvent content, the shear viscosity at 80 ° C., the storage elastic modulus at 80 ° C., and the embedding property after curing in a pressure oven at 175 ° C. The amount of bleeding was measured.
(溶剤含有率)
上記接着シートから、基材フィルムを剥離除去し、フィルム状接着剤1gを、1質量%の2−(2−エトキシエトキシ)エタノールを含む1,4−ジオキサン溶液30gに加え、振とう機で6時間撹拌した。撹拌後の溶液をガスクロマトグラフィー(キャリアガス:ヘリウム、カラム温度:140℃)で測定し、各溶剤と2−(2−エトキシエトキシ)エタノールとのピーク面積からフィルム状接着剤の溶剤含有率(質量%)を見積もった。結果を表2に示す。(Solvent content)
The base film is peeled off from the adhesive sheet, 1 g of the film-like adhesive is added to 30 g of a 1,4-dioxane solution containing 1% by mass of 2- (2-ethoxyethoxy) ethanol, and the mixture is shaken with a shaker. Stirred for hours. The solution after stirring was measured by gas chromatography (carrier gas: helium, column temperature: 140 ° C.), and the solvent content of the film-like adhesive was determined from the peak area of each solvent and 2- (2-ethoxyethoxy) ethanol. Mass%) was estimated. The results are shown in Table 2.
(80℃におけるずり粘度)
上記接着シートから、基材フィルムを剥離除去し、厚さ方向に10mm角に打ち抜くことで、10mm角の四角形の積層体を得た。動的粘弾性装置ARES(レオメトリック・サイエンティフィック社製)に直径8mmの円形アルミプレート治具をセットし、さらにここに打ち抜いたフィルム状接着剤の四角形の積層体をセットした。その後、35℃で5%の歪みを与えながら5℃/分の昇温速度で80℃まで昇温させ、80℃におけるずり粘度(Pa・s)を測定した。結果を表2に示す。(Slip viscosity at 80 ° C)
The base film was peeled off from the adhesive sheet and punched into a 10 mm square in the thickness direction to obtain a 10 mm square quadrangular laminate. A circular aluminum plate jig having a diameter of 8 mm was set in the dynamic viscoelastic device ARES (manufactured by Leometric Scientific Co., Ltd.), and a quadrangular laminate of the film-like adhesive punched therein was set therein. Then, the temperature was raised to 80 ° C. at a heating rate of 5 ° C./min while applying a strain of 5% at 35 ° C., and the shear viscosity (Pa · s) at 80 ° C. was measured. The results are shown in Table 2.
(80℃における貯蔵弾性率)
上記接着シートから、基材フィルムを剥離除去し、長さ4cm、幅4mmに切り出した。動的粘弾性装置(製品名:Rheogel−E4000、株式会社ユービーエム製)にセットし、引張り荷重をかけて、周波数10Hz、3℃/分の昇温速度で80℃まで昇温させ、80℃における貯蔵弾性率を測定した。結果を表2に示す。(Storage modulus at 80 ° C)
The base film was peeled off from the adhesive sheet and cut into a length of 4 cm and a width of 4 mm. Set in a dynamic viscoelastic device (product name: Rheogel-E4000, manufactured by UBM Co., Ltd.), apply a tensile load to raise the temperature to 80 ° C at a frequency of 10 Hz, 3 ° C / min, and then raise the temperature to 80 ° C. The storage elastic modulus in. The results are shown in Table 2.
(175℃加圧オーブン硬化後の埋め込み性)
上記接着シートのフィルム状接着剤を、厚さ50μmの半導体ウェハ(8インチ)に70℃で貼り付けた。次に、それらを7.5mm角にダイシングして半導体素子を得た。また、フィルム状接着剤HR−9004T−10(日立化成株式会社製、厚さ20μm)を厚さ50μmの半導体ウェハ(8インチ)に70℃で貼り付けた。次に、それらを3.0mm角にダイシングしてチップを得た。個片化したHR−9004T−10付きのチップを、表面凹凸が最大6μmである評価用基板に130℃、0.20MPa、2秒間の条件で圧着し、120℃/2時間加熱し、半硬化させた。次に、このようにして得られたサンプルに、フィルム状接着剤付きの7.5mm半導体素子を120℃、0.20MPa、2秒間の条件で圧着した。この際、先に圧着しているHR−9004T−10付きのチップが中央となるように位置合わせを行った。得られたサンプルを加圧オーブンに投入し、35℃から3℃/分の昇温速度で175℃まで昇温させ、175℃で30分加熱した。このようにして得られたサンプルを超音波映像装置SAT(日立建機製、品番FS200II、プローブ:25MHz)にてボイドの有無を観測し、ボイドが観測された場合は、単位面積あたりのボイドの面積を算出し、これらの分析結果を埋め込み性として評価した。評価基準は、以下のとおりである。結果を表2に示す。
A:ボイドが観測されなかった。
B:ボイドが観測されたが、その割合が5面積%未満であった。
C:ボイドが観測され、その割合が5面積%以上であった。(Embedability after curing in a 175 ° C pressure oven)
The film-like adhesive of the adhesive sheet was attached to a semiconductor wafer (8 inches) having a thickness of 50 μm at 70 ° C. Next, they were diced to 7.5 mm square to obtain a semiconductor element. Further, the film-like adhesive HR-9004T-10 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.,
A: No voids were observed.
B: Voids were observed, but the proportion was less than 5 area%.
C: Voids were observed, and the ratio was 5 area% or more.
(ブリード量の測定)
上記175℃加圧オーブン硬化後の埋め込み性の評価において、「A」及び「B」であったものについて、ブリード量を測定した。サンプルは、上記175℃加圧オーブン硬化後の埋め込み性で作製したサンプルと同様の手順で作製した。得られたサンプルの4辺の中心から、フィルム状接着剤のはみ出し量をそれぞれ測長し、その平均値をブリード量とした。結果を表2に示す。(Measurement of bleed amount)
In the evaluation of the embedding property after curing in the 175 ° C. pressure oven, the bleed amount was measured for those having "A" and "B". The sample was prepared in the same procedure as the sample prepared by the implantability after curing in the 175 ° C. pressure oven. The amount of protrusion of the film-like adhesive was measured from the center of each of the four sides of the obtained sample, and the average value was taken as the bleed amount. The results are shown in Table 2.
表1より、実施例1〜3の2層の接着フィルムからなる接着シートは、埋め込み性が良好であり、ブリードが抑制されていることが分かった。一方、比較例1の溶剤含有率が1.5質量%を超える単層の接着フィルムを用いた接着シートは、埋め込み性は良好であるものの、ブリードを抑制することができなかった。また、80℃におけるずり粘度が5000Pa・sを超える単層の接着フィルムを用いた接着シートは、埋め込み性が充分ではなかった。これらの結果より、本発明のフィルム状接着剤が、熱圧着時に良好な埋め込み性を有しつつ、ブリードを抑制することが可能であることが確認された。 From Table 1, it was found that the adhesive sheet composed of the two-layer adhesive films of Examples 1 to 3 had good embedding property and suppressed bleeding. On the other hand, the adhesive sheet using the single-layer adhesive film having a solvent content of more than 1.5% by mass in Comparative Example 1 had good embedding property, but could not suppress bleeding. Further, the adhesive sheet using the single-layer adhesive film having a shear viscosity at 80 ° C. exceeding 5000 Pa · s did not have sufficient embedding property. From these results, it was confirmed that the film-like adhesive of the present invention can suppress bleeding while having good embedding property at the time of thermocompression bonding.
2…第1の接着フィルム、4…第2の接着フィルム、10…フィルム状接着剤、14…基板、20…基材フィルム、30…保護フィルム、41…接着剤、42…封止材、84、94…回路パターン、88…第1のワイヤ、90…有機基板、98…第2のワイヤ、100、110…接着シート、200…半導体装置、Wa…第1の半導体素子、Waa…第2の半導体素子。 2 ... 1st adhesive film, 4 ... 2nd adhesive film, 10 ... film-like adhesive, 14 ... substrate, 20 ... base film, 30 ... protective film, 41 ... adhesive, 42 ... encapsulant, 84 , 94 ... circuit pattern, 88 ... first wire, 90 ... organic substrate, 98 ... second wire, 100, 110 ... adhesive sheet, 200 ... semiconductor device, Wa ... first semiconductor element, Wa ... second Semiconductor element.
Claims (6)
第1の接着フィルムと、前記第1の接着フィルム上に積層された第2の接着フィルムと、を備え、
前記フィルム状接着剤の溶剤含有率がフィルム状接着剤全量を基準として1.5質量%以下であり、
前記フィルム状接着剤の80℃におけるずり粘度が5000Pa・s以下である、フィルム状接着剤。In a semiconductor device in which a first semiconductor element is wire-bonded and connected on a substrate via a first wire, and a second semiconductor element is crimped onto the first semiconductor element, the second A film-like adhesive used for crimping a semiconductor element and embedding at least a part of the first wire.
A first adhesive film and a second adhesive film laminated on the first adhesive film are provided.
The solvent content of the film-like adhesive is 1.5% by mass or less based on the total amount of the film-like adhesive.
A film-like adhesive having a shear viscosity of the film-like adhesive at 80 ° C. of 5000 Pa · s or less.
溶剤を含有する第1の接着剤組成物のワニスを基材上に塗布し、塗布された前記第1の接着剤組成物のワニスを50〜150℃で加熱乾燥し、溶剤含有率が第1の接着フィルム全量を基準として1.5質量%以下である第1の接着フィルムを作製する工程と、
溶剤を含有する第2の接着剤組成物のワニスを基材上に塗布し、塗布された前記第2の接着剤組成物のワニスを50〜150℃で加熱乾燥し、溶剤含有率が第2の接着フィルム全量を基準として1.5質量%以下である第2の接着フィルムを作製する工程と、
前記第1の接着フィルムと前記第2の接着フィルムとを貼り合わせる工程と、
を備える、フィルム状接着剤の製造方法。The method for producing a film-like adhesive according to any one of claims 1 to 3.
The varnish of the first adhesive composition containing a solvent is applied onto the substrate, and the applied varnish of the first adhesive composition is heat-dried at 50 to 150 ° C., and the solvent content is first. A step of producing a first adhesive film having a content of 1.5% by mass or less based on the total amount of the adhesive film of
The varnish of the second adhesive composition containing a solvent is applied onto the substrate, and the varnish of the applied second adhesive composition is heat-dried at 50 to 150 ° C. to obtain a second solvent content. A step of producing a second adhesive film having a content of 1.5% by mass or less based on the total amount of the adhesive film of
The step of bonding the first adhesive film and the second adhesive film, and
A method for producing a film-like adhesive.
第2の半導体素子の片面に、請求項1〜3のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、
前記フィルム状接着剤が貼付された第2の半導体素子を、前記フィルム状接着剤を介して圧着することで、前記第1のワイヤの少なくとも一部を前記フィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。A wire bonding step of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate via a first wire,
A laminating step of attaching the film-like adhesive according to any one of claims 1 to 3 to one side of the second semiconductor element.
A die bonding step of embedding at least a part of the first wire in the film-like adhesive by crimping the second semiconductor element to which the film-like adhesive is attached via the film-like adhesive.
A method for manufacturing a semiconductor device.
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