JP2008103700A - Multi-layered die bond sheet, semiconductor device with semiconductor adhesive film, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

Multi-layered die bond sheet, semiconductor device with semiconductor adhesive film, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device Download PDF

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奈緒子 友田
Akiyasu Kawai
紀安 河合
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-layered die bond sheet, a semiconductor device, and a method of manufacturing the semiconductor device in which the semiconductor device small in size and thin in thickness can be manufactured with high productivity. <P>SOLUTION: The semiconductor device comprises: a semiconductor adhesive film having a resin layer A; a lead frame adhered while bringing its one side into contact with the resin layer A of the semiconductor adhesive film; a semiconductor element adhered through an opening of the lead frame to the resin layer A of the semiconductor adhesive film using a die bond sheet; a wire connecting the semiconductor element with an inner lead of the lead frame; and a seal which seals the semiconductor element and the wire. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、多層ダイボンドシート、リードフレーム及び封止樹脂から簡便に引き剥がせるため、半導体パッケージを高い作業性で製造できる半導体用接着フィルムを用いた半導体用接着フィルム付き半導体装置、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention provides a semiconductor device with a semiconductor adhesive film, a semiconductor device, and a semiconductor using a semiconductor adhesive film that can be manufactured with high workability because it can be easily peeled off from a multilayer die bond sheet, a lead frame, and a sealing resin. The present invention relates to a device manufacturing method.

近年、半導体パッケージの小型化、薄型化を図るため、リードフレームの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏側のむき出しのリードフレームを外部接続用に用いる構造のパッケージが開発されてきた。この構造のパッケージはリードが封止樹脂から突出していないので、小面積化及び薄型化が図れる利点がある。例えば、リードフレームの片面に接着フィルムを貼った後、リードフレームの反対面にチップを搭載し、ワイヤボンド、封止後、接着フィルムを剥がす方法が提案されている。しかし、現在のリードフレームではリードフレームの厚さ、材質に制限があり、半導体パッケージの高さがまだ高く、小型化、薄型化ができていないという問題がある。また、半導体素子と、その半導体素子の近傍に配置された端子部と、半導体素子と端子部とを接続したワイヤーと、そのワイヤーを含む半導体素子および端子部の表面領域を封止した樹脂とよりなり、半導体素子および端子部の裏面が樹脂より露出させた構造を有する樹脂封止型半導体装置が開示されている（特許文献１参照）。   In recent years, in order to reduce the size and thickness of a semiconductor package, a package having a structure in which only one side (semiconductor element side) of a lead frame is sealed and the exposed lead frame on the back side is used for external connection has been developed. Since the package having this structure does not protrude from the sealing resin, there is an advantage that the area can be reduced and the thickness can be reduced. For example, a method has been proposed in which an adhesive film is pasted on one side of a lead frame, a chip is mounted on the opposite side of the lead frame, and after wire bonding and sealing, the adhesive film is peeled off. However, the present lead frame has a problem that the thickness and material of the lead frame are limited, the height of the semiconductor package is still high, and the size and thickness cannot be reduced. Further, a semiconductor element, a terminal portion arranged in the vicinity of the semiconductor element, a wire connecting the semiconductor element and the terminal portion, a semiconductor element including the wire, and a resin sealing the surface region of the terminal portion Thus, a resin-encapsulated semiconductor device having a structure in which the back surfaces of the semiconductor element and the terminal portion are exposed from resin is disclosed (see Patent Document 1).

一方、上記と類似の半導体パッケージを製造する別の方法として、接着フィルムを貼り付けてあるリードフレームの開口部を通して、接着フィルムに直接半導体素子を搭載し、ワイヤボンド、封止後、接着フィルムを剥がす方法が考案されているが、封止時に封止樹脂が半導体素子と接着フィルム間に回りこむのを防いだり、フィルムを剥がす時に半導体素子から容易に剥がせるようにするためには半導体素子を搭載する接着フィルムとしてどのような特性が必要なのかが明らかではない。
特開平１０−１２７７３号公報 On the other hand, as another method of manufacturing a semiconductor package similar to the above, the semiconductor element is directly mounted on the adhesive film through the opening of the lead frame to which the adhesive film is attached, and after wire bonding and sealing, the adhesive film is attached. In order to prevent the sealing resin from wrapping around between the semiconductor element and the adhesive film at the time of sealing, or to easily peel off the semiconductor element from the semiconductor element when the film is peeled off, a method of peeling is devised. It is not clear what characteristics are required for the adhesive film to be mounted.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-12773

本発明は、半導体用途に必要とされる諸特性を兼ね備える半導体用接着フィルム付き半導体装置、半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、小面積化および薄型化した半導体装置を優れた生産性で製造することのできる多層ダイボンドシート、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the semiconductor device with the adhesive film for semiconductors which has various characteristics required for a semiconductor use, a semiconductor device, and the manufacturing method of a semiconductor device. Another object of the present invention is to provide a multilayer die bond sheet and a method for manufacturing a semiconductor device, which can manufacture a semiconductor device with a reduced area and a reduced thickness with excellent productivity.

本発明は、以下に関する。   The present invention relates to the following.

（１）樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに片面を接して接着されたリードフレーム、リードフレームの開口部を通して、半導体接着フィルムの樹脂層Ａにダイボンドシートを用いて接着された半導体素子、半導体素子とリードフレームのインナーリードとを接続するワイヤ並びに半導体素子及びワイヤを封止している封止材からなる半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (1) A semiconductor adhesive film having a resin layer A, a lead frame bonded to one side of the resin layer A of the semiconductor adhesive film, and a die bond sheet on the resin layer A of the semiconductor adhesive film through an opening of the lead frame. A semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor, comprising: a semiconductor element bonded using the semiconductor element; a wire connecting the semiconductor element and an inner lead of a lead frame; and a semiconductor element and a sealing material sealing the wire.

（２）前記（１）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置から前記半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置。   (2) A semiconductor device obtained by peeling off the semiconductor adhesive film from the semiconductor device with an adhesive film for semiconductor according to (1).

（３）インナーリードを有するリードフレームの片面に半導体用接着フィルムを接着する工程、リードフレーム開口部を通して、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａにダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する工程、ワイヤボンディングにより、半導体素子とインナーリードとをワイヤで接続する工程、リードフレームの露出面、半導体素子及びワイヤを封止材で封止する工程並びに半導体用接着フィルムをリードフレームおよび封止材およびダイボンドシートから剥離する工程からなる半導体装置の製造方法。   (3) A step of bonding a semiconductor adhesive film to one side of a lead frame having an inner lead, a step of bonding a semiconductor element to a resin layer A of a semiconductor adhesive film through a lead frame opening using a die bond sheet, and wire bonding The step of connecting the semiconductor element and the inner lead with a wire, the exposed surface of the lead frame, the step of sealing the semiconductor element and the wire with a sealing material, and the adhesive film for semiconductor from the lead frame, the sealing material, and the die bond sheet A method for manufacturing a semiconductor device comprising a peeling step.

（４）リードフレームが各々ダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンからなり、封止する工程後又は半導体用接着フィルムを剥離する工程後に、封止したリードフレームを分割することにより、各々１個の半導体素子を有する複数の半導体装置を得る工程を含む前記（３）記載の半導体装置の製造方法。   (4) The lead frame is composed of a plurality of patterns each having a die pad and an inner lead. After the step of sealing or the step of peeling the adhesive film for semiconductor, the lead frame is divided into one piece each. The method for manufacturing a semiconductor device according to (3), including a step of obtaining a plurality of semiconductor devices having semiconductor elements.

（５）半導体用接着フィルムが樹脂層Ａの少なくとも一層からなり、半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、かつ半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との０〜２５℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である前記（１）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (5) The adhesive film for semiconductor consists of at least one layer of the resin layer A, and the 90 ° peel strength at 25 ° C. between the resin layer A and the lead frame after bonding the semiconductor adhesive film to the lead frame is 5 N / m or more. There is a 90 degree peel strength at at least one point in the temperature range of 0 to 25 ° C. between the resin layer A, the lead frame, and the sealing material after sealing the lead frame to which the semiconductor adhesive film is bonded with the sealing material. Both are the semiconductor device with the adhesive film for semiconductors of said (1) description which is 1000 N / m or less.

（６）封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレームおよび封止材との１００〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (6) The 90 degree peel strength at least at one point in the temperature range of 100 to 250 ° C. between the resin layer A after sealing with the sealing material, the lead frame, and the sealing material is 1000 N / m or less. 5) A semiconductor device with an adhesive film for semiconductors.

（７）封止材で封止した後に半導体用接着フィルムをリードフレーム及び封止材から引き剥がすときの温度における樹脂層Ａとリードフレームおよび封止材との９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (7) The 90 degree peel strength between the resin layer A, the lead frame, and the sealing material at a temperature when the adhesive film for semiconductor is peeled from the lead frame and the sealing material after sealing with the sealing material is 1000 N / The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (5), wherein the semiconductor device is m or less.

（８）半導体用接着フィルムの樹脂層Ａのガラス転移温度が１００〜３００℃である前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (8) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (5), wherein the glass transition temperature of the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor is 100 to 300 ° C.

（９）半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが５％重量減少する温度が３００℃以上である前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (9) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (5), wherein the temperature at which the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor is reduced by 5% by weight is 300 ° C. or higher.

（１０）半導体用接着フィルムの樹脂層Ａの２３０℃における弾性率が１ＭＰａ以上である前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (10) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (5), wherein the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor has an elastic modulus at 230 ° C. of 1 MPa or more.

（１１）半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが熱可塑性樹脂を含有する前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (11) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (5), wherein the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor contains a thermoplastic resin.

（１２）熱可塑性樹脂が、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基、スルホン基のいずれかを有する熱可塑性樹脂である前記（１１）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (12) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (11), wherein the thermoplastic resin is a thermoplastic resin having any one of an amide group, an ester group, an imide group, an ether group, and a sulfone group.

（１３）半導体用接着フィルムが支持フィルムを有しており、かつ半導体用接着フィルムの支持フィルムの片面又は両面に樹脂層Ａが形成されている前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (13) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (5), wherein the adhesive film for a semiconductor has a support film, and the resin layer A is formed on one side or both sides of the support film of the adhesive film for a semiconductor. .

（１４）半導体用接着フィルムの支持フィルムの材質が芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれる前記（１３）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (14) The material of the support film of the adhesive film for semiconductor is aromatic polyimide, aromatic polyamide, aromatic polyamideimide, aromatic polysulfone, aromatic polyethersulfone, polyphenylene sulfide, aromatic polyetherketone, polyarylate, aromatic The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (13), which is selected from the group consisting of polyetheretherketone and polyethylene naphthalate.

（１５）半導体用接着フィルムの樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が、０．５以下である前記（１３）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (15) The ratio for the thickness (A) of the resin layer A of the adhesive film for semiconductors and the thickness (B) of the support film (A / B) is 0.5 or less. Semiconductor device with adhesive film.

（１６）半導体用接着フィルムの支持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層Ａが形成されており、その反対面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂが形成されている前記（１３）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (16) The resin layer A having adhesiveness is formed on one side of the support film of the adhesive film for semiconductor, and the resin layer B having no adhesiveness having an elastic modulus at 230 ° C. of 10 MPa or more is formed on the opposite surface. The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (13).

（１７）インナーリードを有するリードフレームの片面に半導体用接着フィルムを接着する工程において、半導体用接着フィルムが前記（５）〜（１６）いずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置の半導体用接着フィルムであり、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａとリードフレームを接着する、前記（３）または（４）に記載の半導体装置の製造方法。   (17) In the step of adhering the adhesive film for a semiconductor to one side of a lead frame having an inner lead, the adhesive film for a semiconductor is a semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (5) to (16). The method for manufacturing a semiconductor device according to (3) or (4), wherein the semiconductor device is a semiconductor adhesive film, and the resin layer A of the semiconductor adhesive film and the lead frame are bonded.

（１８）リードフレームの開口部を通して、半導体用接着テープの樹脂層Ａにダイボンドシートを用い半導体素子を接着した後の、ダイボンドシートと半導体用接着テープとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、かつ封止材で封止した後の樹脂層Ａとダイボンドシートとの０〜２５℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である前記（１）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (18) The 90 ° peel strength at 25 ° C. between the die bond sheet and the semiconductor adhesive tape after bonding the semiconductor element using the die bond sheet to the resin layer A of the semiconductor adhesive tape through the opening of the lead frame is 5 N / The (1) description, wherein the 90 degree peel strength at least at one point in the temperature range of 0 to 25 ° C. between the resin layer A and the die bond sheet after being sealed with a sealing material is 1000 N / m or less. Semiconductor device with adhesive film for semiconductors.

（１９）封止材で封止した後の樹脂層Ａとダイボンドシートとの１００〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である前記（１８）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (19) The semiconductor layer according to (18), wherein the 90-degree peel strength at least at one point in the temperature range of 100 to 250 ° C. between the resin layer A after sealing with the sealing material and the die bond sheet is 1000 N / m or less. Semiconductor device with adhesive film.

（２０）封止材で封止した後に半導体用接着フィルムをリードフレーム、封止材及びダイボンドシートから引き剥がすときの温度における樹脂層Ａとリードフレーム、封止材及びダイボンドシートとの９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である前記（１８）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (20) 90 degree peel between the resin layer A and the lead frame, the sealing material, and the die bond sheet at the temperature when the semiconductor adhesive film is peeled off from the lead frame, the sealing material, and the die bond sheet after sealing with the sealing material The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (18), wherein both strengths are 1000 N / m or less.

（２１）ダイボンドシートが架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０重量％及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分６０〜８５重量％を含む樹脂１００重量部と、フィラー４０〜１８０重量部と、着色剤０〜１０重量部とを含有し、厚さが１０〜２５０μｍである前記（１８）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (21) Thermosetting component 60 having a weight-average molecular weight of 100,000 or more and a Tg of −50 to 50 ° C. in which the die bond sheet contains a crosslinkable functional group and an epoxy resin as a main component The adhesive film for a semiconductor according to (18), comprising 100 parts by weight of a resin containing ˜85% by weight, 40 to 180 parts by weight of filler, and 0 to 10 parts by weight of a colorant, and having a thickness of 10 to 250 μm. Semiconductor device.

（２２）ダイボンドシートの硬化前の２５℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２００〜３０００ＭＰａであり８０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａである前記（２１）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (22) The storage elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement at 25 ° C. before curing of the die bond sheet is 200 to 3000 MPa, and the storage elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement at 80 ° C. is 0.1 to 10 MPa. (21) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (21).

（２３）ダイボンドシートの硬化後の１７０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２０〜６０００ＭＰａである前記（２１）又は（２２）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (23) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (21) or (22), wherein a storage elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement at 170 ° C. after curing of the die bond sheet is 20 to 6000 MPa.

（２４）ダイボンドシートの硬化前の１００℃での溶融粘度が１０００〜７５００Ｐａ・ｓである前記（２１）〜（２３）のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (24) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (21) to (23), wherein the melt viscosity at 100 ° C. before curing of the die bond sheet is 1000 to 7500 Pa · s.

（２５）ダイボンドシートが樹脂１００重量部とフィラー４０〜１８０重量部とを含有する、前記（２１）〜（２４）のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (25) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (21) to (24), wherein the die bond sheet contains 100 parts by weight of a resin and 40 to 180 parts by weight of a filler.

（２６）ダイボンドシートのフィラーのモース硬度が３〜８である、前記（２１）〜（２５）のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (26) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (21) to (25), wherein the filler of the die bond sheet has a Mohs hardness of 3 to 8.

（２７）第１の接着剤層及び第２の接着剤層が直接的に又は間接的に積層された構造を有してなる多層ダイボンドシートであって、少なくとも第２の接着層が前記（１８）〜（２６）のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置におけるダイボンドシートからなり、かつ、第１の接着剤層のフロー量Ａμｍ、厚さａμｍ、第２の接着剤層のフロー量Ｂμｍ、厚さｂμｍとが、Ａ×３＜Ｂかつａ×２＜ｂの関係を有する多層ダイボンドシート。   (27) A multilayer die bond sheet having a structure in which a first adhesive layer and a second adhesive layer are laminated directly or indirectly, wherein at least a second adhesive layer is (18 ) To (26), comprising a die-bonding sheet in the semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of the above, and a flow amount A μm of the first adhesive layer, a thickness a μm, and a flow of the second adhesive layer. A multilayer die-bonding sheet in which the amount B μm and the thickness b μm have a relationship of A × 3 <B and a × 2 <b.

（２８）第１の接着剤層及び第２の接着剤層が直接的に又は間接的に積層された構造を有してなる多層ダイボンドシートであって、少なくとも第２の接着層が前記（１８）〜（２６）のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置におけるダイボンドシートからなり、かつ、第１の接着剤層の溶融粘度αＰａ・ｓ、厚さａμｍ、第２の接着剤層の溶融粘度βＰａ・ｓ、厚さｂμｍとが、α＞β×３かつａ×２＜ｂの関係を有する多層ダイボンドシート。   (28) A multilayer die-bonded sheet having a structure in which a first adhesive layer and a second adhesive layer are laminated directly or indirectly, wherein at least a second adhesive layer is (18) ) To (26), which is made of a die-bonding sheet in the semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of the above, and has a melt viscosity αPa · s, a thickness of μm, and a second adhesive layer of the first adhesive layer A multilayer die-bonding sheet having a relationship of α> β × 3 and a × 2 <b with a melt viscosity of βPa · s and a thickness of bμm.

（２９）ダイボンドシートが（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、及び（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物、を含有している前記（１８）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (29) With the adhesive film for a semiconductor according to (18), wherein the die bond sheet contains (a) an epoxy resin, (b) a curing agent, and (c) a polymer compound that is incompatible with the epoxy resin. Semiconductor device.

（３０）ダイボンドシートの（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化剤との合計重量をＡとし、（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物の重量をＢとしたとき、その比率Ａ／Ｂが０．２４〜１．０である前記（２９）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (30) When the total weight of the die bond sheet (a) epoxy resin and (b) curing agent is A, and (c) the weight of the polymer compound incompatible with the epoxy resin is B, the ratio A The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (29), wherein / B is 0.24 to 1.0.

（３１）ダイボンドシートの（ａ）エポキシ樹脂が環球式で測定した軟化点が５０℃以上の固形エポキシ樹脂である前記（２９）または（３０）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (31) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (29) or (30), wherein (a) the epoxy resin of the die bond sheet is a solid epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher as measured by a ring and ball type.

（３２）ダイボンドシートの（ａ）エポキシ樹脂が変異原性を有しないものである前記（２９）〜（３１）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (32) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (29) to (31), wherein (a) the epoxy resin of the die bond sheet has no mutagenicity.

（３３）ダイボンドシートの（ｂ）硬化剤が、水酸基等量１５０ｇ／ｅｑ以上のフェノール樹脂である前記（２９）〜（３２）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (33) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (29) to (32), wherein (b) the curing agent of the die bond sheet is a phenol resin having a hydroxyl group equivalent of 150 g / eq or more.

（３４）ダイボンドシートの（ｂ）硬化剤が、下記一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂である前記（３３）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。

Figure 2008103700
(34) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (33), wherein (b) the curing agent of the die bond sheet is a phenol resin represented by the following general formula (I).
Figure 2008103700

（式中、Ｒ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐アルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、アニケル基、水酸基、アリール基、又はハロゲン原子を表し、ｎは１〜３の整数を表し、そしてｍは０〜５０の整数を表す。）
（３５）ダイボンドシートの一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂の吸水率が２体積％以下である前記（３４）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。 (In the formula, each R 1 may be the same or different and is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cyclic alkyl group, an aralkyl group, an anikel group, a hydroxyl group, an aryl group, or a halogen atom. N represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 0 to 50.)
(35) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (34), wherein the water absorption of the phenol resin represented by the general formula (I) of the die bond sheet is 2% by volume or less.

（３６）ダイボンドシートの（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物が、官能基含有アクリル共重合体である前記（２９）〜（３５）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (36) The adhesion for a semiconductor according to any one of (29) to (35), wherein the polymer compound incompatible with the epoxy resin (c) of the die bond sheet is a functional group-containing acrylic copolymer. Semiconductor device with film.

（３７）ダイボンドシートの官能基含有アクリル共重合体が、エポキシ基含有アクリル共重合体である前記（３６）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (37) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (36), wherein the functional group-containing acrylic copolymer of the die bond sheet is an epoxy group-containing acrylic copolymer.

（３８）ダイボンドシートのエポキシ基含有アクリル共重合体が、その原料としてグリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートを０．５〜６重量％含有するものである前記（３７）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (38) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (37), wherein the epoxy group-containing acrylic copolymer of the die bond sheet contains 0.5 to 6% by weight of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as a raw material.

（３９）ダイボンドシートの官能基含有アクリル共重合体が、重量平均分子量が１０万以上である前記（３６）〜（３８）のいずれか一項に記載の半導体装置。   (39) The semiconductor device according to any one of (36) to (38), wherein the functional group-containing acrylic copolymer of the die bond sheet has a weight average molecular weight of 100,000 or more.

（３８）ダイボンドシートの官能基含有アクリル共重合体が、ガラス転移温度が−５０℃〜３０℃である前記（３６）〜（３９）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (38) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (36) to (39), wherein the functional group-containing acrylic copolymer of the die bond sheet has a glass transition temperature of −50 ° C. to 30 ° C. .

（４１）ダイボンドシートに更に（ｄ）フィラーを含有する前記（２９）〜（４０）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (41) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (29) to (40), wherein the die bond sheet further contains (d) a filler.

（４２）ダイボンドシートの（ｄ）フィラーが０．００５μｍ〜０．１μｍの平均粒径を含有する前記（４１）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (42) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (41), wherein the (d) filler of the die bond sheet contains an average particle diameter of 0.005 μm to 0.1 μm.

（４３）ダイボンドシートの（ｄ）フィラーがシリカである前記（４１）または（４２）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (43) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (41) or (42), wherein (d) the filler of the die bond sheet is silica.

（４４）ダイボンドシートの（ｄ）フィラーが、表面を有機物でコーティングされたものである前記（４１）〜（４３）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (44) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (41) to (43), wherein the (d) filler of the die bond sheet has a surface coated with an organic substance.

（４５）ダイボンドシートの（ｄ）フィラーが、水との接触角が０度〜１００度のものである前記（４１）〜（４４）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (45) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (41) to (44), wherein the filler (d) of the die bond sheet has a contact angle with water of 0 to 100 degrees. .

（４６）ダイボンドシートの（ｃ）高分子化合物が、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを１．５〜２．５重量％を含む重量平均分子量が１０万以上のエポキシ基含有アクリル共重合体であり、平均粒径が０．０１０μｍ〜０．１μｍの（ｄ）無機フィラーを樹脂１００体積部に対して１〜５０体積部含むものである前記（４１）〜（４５）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (46) The die-bonded sheet (c) polymer compound is an epoxy group-containing acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 1.5 to 2.5% by weight of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate and having an average weight of 100,000 or more. The adhesion for semiconductor according to any one of (41) to (45), wherein (d) an inorganic filler having a particle size of 0.010 μm to 0.1 μm is contained in an amount of 1 to 50 parts by volume with respect to 100 parts by volume of the resin. Semiconductor device with film.

（４７）ダイボンドシートがさらに（ｅ）硬化促進剤を含有する前記（２９）〜（４６）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (47) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (29) to (46), wherein the die bond sheet further contains (e) a curing accelerator.

（４８）ダイボンドシートの（ｅ）硬化促進剤がイミダゾール化合物である前記（４７）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (48) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to (47), wherein the (e) curing accelerator of the die bond sheet is an imidazole compound.

（４９）ダイボンドシートが硬化した段階の断面において、成分が二相に分離している前記（２９）〜（４８）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (49) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (29) to (48), wherein the component is separated into two phases in the cross section at the stage where the die bond sheet is cured.

（５０）ダイボンドシートの二相が海相と島相からなり、島相の外周長さＳが、断面積Ｖに対して下記式（１）で示される関係を有するものである前記（４９）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。

Figure 2008103700
(50) The two phases of the die bond sheet are composed of a sea phase and an island phase, and the outer peripheral length S of the island phase has a relationship represented by the following formula (1) with respect to the cross-sectional area V (49) The semiconductor device with the adhesive film for semiconductors of description.
Figure 2008103700

（５１）ダイボンドシートの２４０℃における貯蔵弾性率が１〜２０ＭＰａである前記（２９）〜（５０）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (51) The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (29) to (50), wherein the storage elastic modulus at 240 ° C. of the die bond sheet is 1 to 20 MPa.

（５２）ダイボンドシートが硬化した段階で、０．０１〜２μｍの平均径を有する空孔を有し、空孔の体積含有率が０．１〜２０体積％であることを特徴とする前記（２９）〜（５１）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (52) The above-mentioned, wherein the die bond sheet is cured and has pores having an average diameter of 0.01 to 2 μm, and the volume content of the pores is 0.1 to 20% by volume ( 29) A semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of (51).

（５３）ダイボンドシートが、（ａ）硬化した段階で成分が二相に分離している、（ｂ）２４０℃における貯蔵弾性率が１〜２０ＭＰａの硬化物を与える、（ｃ）硬化した段階で０．０１〜２μｍの平均径を有する空孔を有し空孔の体積含有率が０．１〜２０体積％である、のうち少なくとも一つの条件を満足するものである前記（２９）〜（４８）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   (53) The die bond sheet is (a) the components are separated into two phases at the stage of curing, (b) a cured product having a storage elastic modulus at 240 ° C. of 1 to 20 MPa, (c) at the stage of curing. (29) to (29) satisfying at least one of the following conditions: pores having an average diameter of 0.01 to 2 μm and a volume content of the pores of 0.1 to 20% by volume: 48) The semiconductor device with the adhesive film for semiconductors as described in any one of 48).

本発明により、小面積化および薄型化した半導体装置を優れた生産性で製造することのできる多層ダイボンドシート、半導体用接着フィルム付き半導体装置、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することが可能となった。   INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a multilayer die bond sheet, a semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor, a semiconductor device, and a method for manufacturing the semiconductor device, which can manufacture a semiconductor device with a reduced area and a reduced thickness. It became.

次に本発明の多層ダイボンドシート、半導体用接着フィルム付き半導体装置、半導体装置および半導体装置の製造方法の実施の形態について詳しく説明する。   Next, embodiments of the multilayer die-bonding sheet, the semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor, the semiconductor device and the method for manufacturing the semiconductor device of the present invention will be described in detail.

半導体装置
本発明において、半導体用接着フィルムを用いて製造される半導体装置の構造は特に限定されないが、例えばパッケージの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリードフレームを外部接続用に用いる構造のパッケージ（Ｎｏｎ Ｌｅａｄ Ｔｙｐｅ Ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。上記パッケージの具体例としては、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）等が挙げられる。 Semiconductor Device In the present invention, the structure of a semiconductor device manufactured using a semiconductor adhesive film is not particularly limited. For example, only one side (semiconductor element side) of a package is sealed, and a lead frame exposed on the back side is externally connected. For example, a package having a structure (Non Lead Type Package) is used. Specific examples of the package include QFN (Quad Flat Non-leaded Package) and SON (Small Outline Non-leaded Package).

本発明の半導体装置は、例えば、半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに片面を接して接着されたリードフレーム、リードフレームの開口部を通してダイボンドシートを用い、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに接着された半導体素子、半導体素子とリードフレームのインナーリードとを接続するワイヤ並びに半導体素子及びワイヤを封止している封止材からなる構造を有する半導体用接着フィルム付き半導体装置から、半導体用接着フィルムを剥離して製造される。   The semiconductor device of the present invention uses, for example, a semiconductor adhesive film, a lead frame bonded to one side of the resin layer A of the semiconductor adhesive film, a die bond sheet through an opening of the lead frame, and a resin for the semiconductor adhesive film. From the semiconductor device bonded to the layer A, the semiconductor device with a semiconductor adhesive film having a structure comprising a semiconductor element and a wire connecting the semiconductor element and the inner lead of the lead frame and a sealing material sealing the semiconductor element and the wire, Manufactured by peeling the semiconductor adhesive film.

本発明の半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化等の点で優れており、例えば携帯電話等の情報機器に組み込まれる。   The semiconductor device of the present invention is excellent in terms of higher density, smaller area, thinner thickness, and the like, and is incorporated in information equipment such as a mobile phone.

半導体装置の製造方法
本発明の半導体装置の製造方法は、インナーリードを有するリードフレームの片面に、半導体用接着フィルムを接着する工程、リードフレームの開口部を通して、半導体用接着フィルムにダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する工程、ワイヤボンディングにより、半導体素子とインナーリードとをワイヤで接続する工程、リードフレームの露出面、半導体素子及びワイヤを封止材で封止する工程、並びに、半導体用接着フィルムをリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材から剥離する工程からなる。 Manufacturing method of semiconductor device The manufacturing method of a semiconductor device of the present invention uses a die bond sheet for an adhesive film for a semiconductor through a step of adhering an adhesive film for a semiconductor to one side of a lead frame having an inner lead, and an opening of the lead frame. Bonding the semiconductor element, connecting the semiconductor element and the inner lead with a wire by wire bonding, exposing the lead frame, sealing the semiconductor element and the wire with a sealing material, and bonding the semiconductor It consists of the process of peeling a film from a lead frame, a die bond sheet, and a sealing material.

本発明において、リードフレームが各々ダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンからなるものである場合、必要に応じ、封止したリードフレームを分割することにより、各々１個の半導体素子を有する複数の半導体装置を得ることができる。この分割工程は、封止する工程後又は半導体用接着フィルムを剥離する工程の後のいずれにおいて行ってもよい。   In the present invention, when the lead frame is composed of a plurality of patterns each having a die pad and an inner lead, a plurality of semiconductors each having one semiconductor element are obtained by dividing the sealed lead frame as necessary. A device can be obtained. This dividing step may be performed either after the sealing step or after the step of peeling the semiconductor adhesive film.

本発明の半導体の製造方法に用いられる半導体用接着フィルムには、特に制限はない。例えば、後述の半導体用接着フィルムを用いることができる。   There is no restriction | limiting in particular in the adhesive film for semiconductors used for the manufacturing method of the semiconductor of this invention. For example, the below-mentioned adhesive film for semiconductors can be used.

本発明の半導体の製造方法に使用することのできる半導体用接着フィルムをリードフレームに接着する際の接着条件は、特に制限はないが、接着温度は１５０〜４００℃の間であることが好ましく、１８０〜３５０℃がより好ましく、２００〜３００℃がさらに好ましい。温度が１５０℃未満の場合、リードフレームと樹脂層Ａとの９０度ピール強度が低下する傾向がある。また４００℃を超えると、リードフレームが劣化する傾向がある。   The bonding conditions for bonding the semiconductor adhesive film that can be used in the semiconductor manufacturing method of the present invention to the lead frame are not particularly limited, but the bonding temperature is preferably between 150 and 400 ° C., 180-350 degreeC is more preferable, and 200-300 degreeC is further more preferable. When the temperature is lower than 150 ° C., the 90 degree peel strength between the lead frame and the resin layer A tends to decrease. Moreover, when it exceeds 400 degreeC, there exists a tendency for a lead frame to deteriorate.

本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着圧力は０．５〜３０ＭＰａの間が好ましく、１〜２０ＭＰａがより好ましく、３〜１５ＭＰａがさらに好ましい。接着圧力が０．５ＭＰａ未満の場合、樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度が低下する傾向がある。また３０ＭＰａを超えると、リードフレームが破損しやすい傾向がある。   In the present invention, the adhesive pressure of the semiconductor adhesive film to the lead frame is preferably between 0.5 and 30 MPa, more preferably between 1 and 20 MPa, and even more preferably between 3 and 15 MPa. When the adhesion pressure is less than 0.5 MPa, the 90-degree peel strength between the resin layer A and the lead frame tends to decrease. If it exceeds 30 MPa, the lead frame tends to be damaged.

本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着時間は０．１〜６０秒の間が好ましく、１〜３０秒がより好ましく、３〜２０秒がさらに好ましい。接着時間が０．１秒未満の場合、樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度が低下しやすい傾向がある。また６０秒を超えると、作業性と生産性が低下しやすい傾向がある。また、圧力を加える前に、５〜６０秒程度の予備加熱を行うことが好ましい。   In the present invention, the adhesion time of the semiconductor adhesive film to the lead frame is preferably 0.1 to 60 seconds, more preferably 1 to 30 seconds, and further preferably 3 to 20 seconds. When the adhesion time is less than 0.1 seconds, the 90-degree peel strength between the resin layer A and the lead frame tends to decrease. If it exceeds 60 seconds, workability and productivity tend to be lowered. Moreover, it is preferable to perform preheating for about 5 to 60 seconds before applying a pressure.

半導体素子をリードフレームの開口部を通して、半導体用接着フィルムに接着するために用いる接着剤としては、特に制限はなく、例えば、ダイボンドシート等や銀ペースト等の接着剤を用いることができる。本発明において、半導体用接着フィルムへダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する場合の接着条件は特に制限はないが、接着温度は５０〜３００℃の間であることが好ましく、１００〜２５０℃がより好ましく、１５０〜２００℃がさらに好ましい。温度が５０℃未満の場合、ダイボンドシートと樹脂層Ａとの９０度ピール強度が低下する傾向がある。また３００℃を超えると、半導体素子が劣化する傾向がある。   There is no restriction | limiting in particular as an adhesive agent used in order to adhere | attach a semiconductor element to the adhesive film for semiconductors through the opening part of a lead frame, For example, adhesive agents, such as a die bond sheet etc. and a silver paste, can be used. In the present invention, the bonding conditions in the case of bonding a semiconductor element to a semiconductor adhesive film using a die bond sheet are not particularly limited, but the bonding temperature is preferably between 50 and 300 ° C, and is between 100 and 250 ° C. More preferably, 150-200 degreeC is further more preferable. When temperature is less than 50 degreeC, there exists a tendency for the 90 degree | times peel strength of a die-bonding sheet and the resin layer A to fall. Moreover, when it exceeds 300 degreeC, there exists a tendency for a semiconductor element to deteriorate.

本発明において、半導体用接着フィルムへダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する場合の接着圧力は０．００１〜１ＭＰａの間が好ましく、０．０５〜０．５ＭＰａがより好ましく、０．１〜０．３ＭＰａがさらに好ましい。接着圧力が０．００１ＭＰａ未満の場合、ダイボンドシートと樹脂層Ａとの９０度ピール強度が低下する傾向がある。また１ＭＰａを超えると、半導体素子が破損しやすい傾向がある。   In the present invention, the adhesion pressure when the semiconductor element is adhered to the adhesive film for semiconductor using a die bond sheet is preferably between 0.001 and 1 MPa, more preferably between 0.05 and 0.5 MPa, and between 0.1 and 0 More preferably, 3 MPa. When the adhesion pressure is less than 0.001 MPa, the 90-degree peel strength between the die bond sheet and the resin layer A tends to decrease. If it exceeds 1 MPa, the semiconductor element tends to be damaged.

本発明において、半導体用接着フィルムへダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する場合の接着時間は０．１〜６０秒の間が好ましく、０．５〜３０秒がより好ましく、１〜１０秒がさらに好ましい。接着時間が０．１秒未満の場合、ダイボンドシートと樹脂層Ａとの９０度ピール強度が低下しやすい傾向がある。また６０秒を超えると、作業性と生産性が低下しやすい傾向がある。また、圧力を加える前に、５〜６０秒程度の予備加熱を行うことが好ましい。   In the present invention, the adhesion time when the semiconductor element is adhered to the semiconductor adhesive film using a die bond sheet is preferably 0.1 to 60 seconds, more preferably 0.5 to 30 seconds, and more preferably 1 to 10 seconds. Further preferred. When the adhesion time is less than 0.1 seconds, the 90-degree peel strength between the die bond sheet and the resin layer A tends to decrease. If it exceeds 60 seconds, workability and productivity tend to be lowered. Moreover, it is preferable to perform preheating for about 5 to 60 seconds before applying a pressure.

本発明において、半導体用接着フィルムへ半導体素子を接着する前に、ダイボンドシートを予備加熱することが好ましい。予備加熱条件は特に制限はないが、加熱温度は５０〜２５０℃が好ましく、１００〜２００℃がより好ましく、１３０℃〜１８０℃がさらに好ましい。また、加熱時間は、０〜１８０分が好ましく、０〜１２０分がより好ましく、３分〜６０分がさらに好ましい。なお、予備加熱は、半導体素子にダイボンドシートを接着させてからでも良い。本発明において、半導体素子をダイパッドに接着した後、通常、接着剤を１４０〜２００℃で３０分〜２時間加熱することにより硬化させることが好ましい。   In the present invention, it is preferable to preheat the die bond sheet before bonding the semiconductor element to the semiconductor adhesive film. The preheating conditions are not particularly limited, but the heating temperature is preferably 50 to 250 ° C, more preferably 100 to 200 ° C, and further preferably 130 ° C to 180 ° C. The heating time is preferably 0 to 180 minutes, more preferably 0 to 120 minutes, and further preferably 3 minutes to 60 minutes. The preheating may be performed after the die bond sheet is bonded to the semiconductor element. In the present invention, after bonding the semiconductor element to the die pad, it is usually preferable to cure the adhesive by heating at 140 to 200 ° C. for 30 minutes to 2 hours.

本発明において、ワイヤボンディングに用いるワイヤの材質には特に制限はないが、金線などが挙げられる。ワイヤボンディング工程では、例えば、２００〜２７０℃で３〜３０分加熱してワイヤを半導体素子及びインナーリードに接合する。本発明において、封止材の材質には特に制限はないが、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ、ナフトールノボラックエポキシ樹脂などのエポキシ樹脂等が挙げられる。   In the present invention, the material of the wire used for wire bonding is not particularly limited, and examples thereof include a gold wire. In the wire bonding step, for example, the wire is bonded to the semiconductor element and the inner lead by heating at 200 to 270 ° C. for 3 to 30 minutes. In the present invention, the material of the sealing material is not particularly limited, and examples thereof include epoxy resins such as cresol novolac epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, biphenyl diepoxy, and naphthol novolac epoxy resin.

封止材には、フィラーや、ブロム化合物等の難燃性物質等の添加材が添加されていてもよい。封止材による封止条件は、特に制限はないが、通常、１５０〜２００℃、圧力１０〜１５ＭＰａで、２〜５分の加熱を行うことにより行われる。   Additives such as fillers and flame retardant substances such as bromine compounds may be added to the sealing material. The sealing condition by the sealing material is not particularly limited, but is usually performed by heating at 150 to 200 ° C. and a pressure of 10 to 15 MPa for 2 to 5 minutes.

封止材で封止した後、半導体用接着フィルムを引き剥がす温度は、０〜２５０℃の間が好ましい。温度が０℃未満の場合、リードフレーム及び封止材に樹脂が残りやすい。また温度が２５０℃を超えると、リードフレームや封止材が劣化する傾向がある。同様の理由で１００〜２５０℃がより好ましく、１５０〜２００℃が特に好ましい。   After sealing with a sealing material, the temperature at which the adhesive film for semiconductor is peeled off is preferably between 0 and 250 ° C. When the temperature is lower than 0 ° C., the resin tends to remain on the lead frame and the sealing material. When the temperature exceeds 250 ° C., the lead frame and the sealing material tend to deteriorate. For the same reason, 100 to 250 ° C is more preferable, and 150 to 200 ° C is particularly preferable.

一般に、封止材で封止した後、封止材を１５０℃〜２００℃程度で数時間加熱することにより硬化させる工程がある。上記半導体用接着フィルムを封止材及びリードフレームから引き剥がす工程は、上記の封止材を硬化させる工程の前後のどちらで行ってもよい。   In general, after sealing with a sealing material, there is a step of curing the sealing material by heating at about 150 ° C. to 200 ° C. for several hours. The step of peeling off the semiconductor adhesive film from the encapsulant and the lead frame may be performed either before or after the step of curing the encapsulant.

本発明において、封止材で封止した後に半導体用接着フィルムを０〜２５０℃で引き剥がした際、リードフレーム、ダイボンドシート及び封止材に樹脂が残らないことが好ましい。樹脂の残留量が多い場合、外観が劣るだけでなく、リードフレームを外部接続用に用いると、接触不良の原因になりやすい。   In the present invention, when the semiconductor adhesive film is peeled off at 0 to 250 ° C. after sealing with the sealing material, it is preferable that no resin remains on the lead frame, the die bond sheet, and the sealing material. When the residual amount of resin is large, not only the appearance is inferior, but also using a lead frame for external connection tends to cause contact failure.

従って、リードフレーム、ダイボンドシート及び封止材に残留した樹脂を機械的ブラッシング、溶剤等で除去することが好ましい。溶剤には特に制限はないが、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等が好ましい。   Therefore, it is preferable to remove the resin remaining on the lead frame, the die bond sheet, and the sealing material by mechanical brushing, a solvent, or the like. The solvent is not particularly limited, but N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylacetamide, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, dimethylformamide and the like are preferable.

半導体用接着フィルム
本発明において用いる半導体用接着フィルムは樹脂層Ａを有する、例えば半導体装置の製造法に好適に使用することができる。前記半導体用接着フィルムを半導体装置の製造法に使用する場合、下記の工程からなる方法により半導体装置を製造することが好ましい。 Adhesive Film for Semiconductor The adhesive film for semiconductor used in the present invention can be suitably used for a method for producing a semiconductor device having a resin layer A, for example. When using the said adhesive film for semiconductors for the manufacturing method of a semiconductor device, it is preferable to manufacture a semiconductor device by the method which consists of the following process.

即ち、（１）リードフレームに１５０〜４００℃で半導体用接着フィルムを接着する工程、（２）リードフレームの開口部を通して、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに５０〜３００℃でダイボンドシートを用いて半導体素子を接着し、１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱を行うことによりダイボンドシートの接着剤を硬化する工程、（３）２００〜２７０℃で３分〜３０分加熱して、リードフレームのインナーリードと半導体素子とに金線等のワイヤボンドを行う工程、（４）１５０〜２００℃で封止材で封止する工程、（５）１５０〜２００℃で４〜６時間の加熱を行うことにより、封止材樹脂を硬化する工程、（６）０〜２５０℃で半導体用接着フィルムをリードフレーム、ダイボンドシートおよび封止材から引き剥がす工程である。リードフレームが各々ダイパッドおよびインナーリードを有する複数のパターンからなるものである場合には、必要に応じ、各々１つの半導体素子を有する複数の半導体装置に分割される。   (1) Adhering a semiconductor adhesive film to the lead frame at 150 to 400 ° C. (2) Using a die bond sheet at 50 to 300 ° C. to the resin layer A of the semiconductor adhesive film through the opening of the lead frame. The step of curing the adhesive of the die bond sheet by heating at 140 to 200 ° C. for 30 minutes to 2 hours, (3) heating at 200 to 270 ° C. for 3 minutes to 30 minutes, A step of wire bonding such as a gold wire between the inner lead of the lead frame and the semiconductor element, (4) a step of sealing with a sealing material at 150 to 200 ° C., and (5) a time of 4 to 6 hours at 150 to 200 ° C. A step of curing the encapsulant resin by heating, (6) a step of peeling the adhesive film for semiconductor from the lead frame, the die bond sheet and the encapsulant at 0 to 250 ° C. That. When the lead frame is composed of a plurality of patterns each having a die pad and an inner lead, the lead frame is divided into a plurality of semiconductor devices each having one semiconductor element as necessary.

本発明において、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７の９０度引き剥がし法に準じて、リードフレームに対して半導体用接着フィルムを９０度方向に引き剥がして測定する。具体的には、２５℃において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、好ましくは毎分３００ｍｍの速さで半導体用接着フィルムを引きはがす際の９０度ピール強度を、９０度剥離試験機（テスタ産業製）で測定される。   In the present invention, the 90 degree peel strength between the resin layer A and the lead frame at 25 ° C. is determined by peeling the semiconductor adhesive film from the lead frame in the 90 degree direction in accordance with the 90 degree peeling method of JIS Z 0237. To measure. Specifically, at 25 ° C., the 90 ° peel strength when peeling the semiconductor adhesive film at a speed of 270 to 330 mm / min, preferably 300 mm / min, is measured with a 90 ° peel tester (manufactured by Tester Sangyo). Measured.

本発明において、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度は５Ｎ／ｍ以上が好ましく、１０Ｎ／ｍ以上がより好ましく、５０Ｎ／ｍ以上がさらにより好ましく、１００Ｎ／ｍ以上が特に好ましい。９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満の場合、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後の搬送工程で、半導体用接着フィルムがリードフレームから剥がれやすく、また封止工程時に、リードフレームと樹脂層Ａ間に封止用樹脂が入り込むやすいなどの問題がある。また、この９０度ピール強度は、５００Ｎ／ｍ以下であることがより好ましく、３００Ｎ／ｍ以下であることがさらにより好ましく、２００Ｎ／ｍ以下であることが特に好ましい。   In the present invention, the 90-degree peel strength between the resin layer A and the lead frame at 25 ° C. is preferably 5 N / m or more, more preferably 10 N / m or more, even more preferably 50 N / m or more, and particularly preferably 100 N / m or more. preferable. When the 90-degree peel strength is less than 5 N / m, the semiconductor adhesive film is easily peeled off from the lead frame in the transport process after the semiconductor adhesive film is attached to the lead frame. There is a problem that the sealing resin easily enters between the layers A. The 90-degree peel strength is more preferably 500 N / m or less, even more preferably 300 N / m or less, and particularly preferably 200 N / m or less.

なお、このピール強度を測定するために半導体用接着フィルムとリードフレームとを接着する条件としては特に制限はない。例えば、リードフレームとして、パラジウムを被覆した銅リードフレーム又は４２アロイ製リードフレームを用い、（１）温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒、（２）温度３５０℃、圧力３ＭＰａ、時間３秒、又は（３）温度２８０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒のいずれかの接着条件で接着する。   In addition, there is no restriction | limiting in particular as conditions which adhere | attach an adhesive film for semiconductors, and a lead frame in order to measure this peel strength. For example, as a lead frame, a palladium-coated copper lead frame or a 42 alloy lead frame is used, (1) temperature 250 ° C., pressure 8 MPa, time 10 seconds, (2) temperature 350 ° C., pressure 3 MPa, time 3 seconds, Or (3) Bonding is performed under any bonding conditions of a temperature of 280 ° C., a pressure of 6 MPa, and a time of 10 seconds.

また本発明において、２５℃における樹脂層Ａとダイボンドシート付き半導体素子との９０度ピール強度は５Ｎ／ｍ以上が好ましく、１０Ｎ／ｍ以上がより好ましく、５０Ｎ／ｍ以上がさらにより好ましく、１００Ｎ／ｍ以上が特に好ましい。９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満の場合、樹脂層Ａにダイボンドシートを用いて半導体素子を接着後の工程で、樹脂層Ａからダイボンドシート付き半導体素子が剥がれやすく、また封止工程時に、ダイボンドシートと樹脂層Ａ間に封止用樹脂が入り込みやすいなどの問題がある。また、この９０度ピール強度は、５００Ｎ／ｍ以下であることがより好ましく、３００Ｎ／ｍ以下であることがさらにより好ましく、２００Ｎ／ｍ以下であることが特に好ましい。   In the present invention, the 90-degree peel strength between the resin layer A and the semiconductor element with a die bond sheet at 25 ° C. is preferably 5 N / m or more, more preferably 10 N / m or more, still more preferably 50 N / m or more, and 100 N / m m or more is particularly preferable. When the 90 degree peel strength is less than 5 N / m, the semiconductor element with the die bond sheet is easily peeled off from the resin layer A in the process after bonding the semiconductor element to the resin layer A using the die bond sheet. There is a problem that the sealing resin easily enters between the sheet and the resin layer A. The 90-degree peel strength is more preferably 500 N / m or less, even more preferably 300 N / m or less, and particularly preferably 200 N / m or less.

本発明においては、特に封止工程を行う直前の２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度が上記の範囲（即ち、好ましくは５Ｎ／ｍ以上、より好ましくは１０Ｎ／ｍ以上、さらにより好ましくは５０Ｎ／ｍ以上）にあることが好ましい。封止工程を行う直前の９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満である場合、封止工程時にリードフレームと樹脂層Ａ間に封止用樹脂が入り込みやすいなどの問題が生じる。   In the present invention, the 90 degree peel strength between the resin layer A and the lead frame at 25 ° C. immediately before performing the sealing step is in the above range (that is, preferably 5 N / m or more, more preferably 10 N / m or more, Even more preferably, it is preferably 50 N / m or more. When the 90-degree peel strength immediately before the sealing process is less than 5 N / m, there arises a problem that the sealing resin easily enters between the lead frame and the resin layer A during the sealing process.

また、封止工程を行う直前の２５℃における樹脂層Ａとダイボンドシートとの９０度ピール強度が上記の範囲（即ち、好ましくは５Ｎ／ｍ以上、より好ましくは１０Ｎ／ｍ以上、さらにより好ましくは５０Ｎ／ｍ以上）にあることが好ましい。封止工程を行う直前の９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満である場合、封止工程時にダイボンドシートと樹脂層Ａ間に封止用樹脂が入り込みやすいなどの問題が生じる。   Further, the 90-degree peel strength between the resin layer A and the die bond sheet at 25 ° C. immediately before the sealing step is within the above range (that is, preferably 5 N / m or more, more preferably 10 N / m or more, and even more preferably. 50 N / m or more). When the 90-degree peel strength immediately before the sealing step is less than 5 N / m, there arises a problem that the sealing resin easily enters between the die bond sheet and the resin layer A during the sealing step.

また、上記において封止工程を行う直前とは、封止工程の前でありなおかつ封止工程の前に行う全ての工程が終了した状態を意味する。   Moreover, immediately before performing a sealing process in the above means the state where all the processes performed before a sealing process and before a sealing process were complete | finished.

また、上記において半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後、封止工程を行う前に、加熱を行うことにより、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を向上させることもできる。この加熱温度は特に限定されないが、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を向上させるためには１００℃以上で加熱することが好ましい。また、リードフレームや半導体用接着フィルムの耐熱性の点から、３００℃以下で加熱することが好ましい。同様の理由で、１３０℃以上２７０℃以下に加熱することがより好ましい。また、加熱時間は特に限定されないが、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を十分に向上させるために１０秒以上が好ましい。同様の理由で加熱時間は１分以上２時間以下がより好ましい。   In addition, the adhesive strength between the resin layer A and the lead frame can be improved by heating after the adhesive film for a semiconductor is bonded to the lead frame and before the sealing step. The heating temperature is not particularly limited, but it is preferable to heat at 100 ° C. or higher in order to improve the adhesive strength between the resin layer A and the lead frame. Moreover, it is preferable to heat at 300 degrees C or less from the heat resistance point of a lead frame or the adhesive film for semiconductors. For the same reason, it is more preferable to heat to 130 ° C. or higher and 270 ° C. or lower. Moreover, although heating time is not specifically limited, In order to fully improve the adhesive strength of the resin layer A and a lead frame, 10 seconds or more are preferable. For the same reason, the heating time is more preferably from 1 minute to 2 hours.

上記の加熱工程を、生産性の点から、封止工程に移る前の諸工程（例えば、ダイボンドシート、銀ペースト等の接着剤の硬化工程、ワイヤボンド工程等）における加熱によって行うことが好ましい。例えば、上記したように、半導体素子の接着工程では通常、接着に用いる接着剤を硬化させるために１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱が行われる。また、ワイヤボンド工程では、通常、２００℃〜２７０℃程度で３分〜３０分程度の加熱が行われる。従って、上記の加熱工程をこれらの諸工程における加熱により行うことができる。   It is preferable to perform said heating process by the heating in various processes (For example, the hardening process of adhesive agents, such as a die bond sheet and a silver paste, a wire bond process, etc.) before moving to a sealing process from the point of productivity. For example, as described above, in the bonding step of the semiconductor element, heating is usually performed at 140 to 200 ° C. for 30 minutes to 2 hours in order to cure the adhesive used for bonding. In the wire bonding step, heating is usually performed at about 200 ° C. to 270 ° C. for about 3 minutes to 30 minutes. Therefore, the above heating step can be performed by heating in these steps.

本発明において、封止材で封止した後の０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における樹脂層Ａとリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材との９０度ピール強度は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７の９０度引き剥がし法を準じて、リードフレームと接着フィルムを室温で、又は０〜２５０℃のオーブン中で、リードフレームに対して接着フィルムを９０度方向に引き剥がして測定する。具体的には、０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、好ましくは毎分３００ｍｍの速さで半導体用接着フィルムを引き剥がす際の９０度ピール強度をテンシロンＲＴＭ−１００（オリエンテック製）で測定する。このピール強度の測定温度の好ましい範囲は１００〜２５０℃であり、より好ましくは１５０〜２５０℃である。   In the present invention, the 90 degree peel strength between the resin layer A, the lead frame, the die bond sheet, and the sealing material at at least one point in the temperature range of 0 to 250 ° C. after sealing with the sealing material is 90 of JIS Z 0237. According to the degree peeling method, the lead frame and the adhesive film are peeled off from the lead frame in a 90-degree direction at room temperature or in an oven at 0 to 250 ° C. for measurement. Specifically, Tensilon RTM-100 has a 90 degree peel strength when peeling the semiconductor adhesive film at a speed of 270 to 330 mm / min, preferably 300 mm / min at at least one point in the temperature range of 0 to 250 ° C. (Measured by Orientec) A preferable range of the measurement temperature of the peel strength is 100 to 250 ° C, more preferably 150 to 250 ° C.

封止材で封止した後の０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点において樹脂層Ａとリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材との９０度ピール強度は、どちらも１０００Ｎ／ｍ以下が好ましく、８００Ｎ／ｍ以下がより好ましく、５００Ｎ／ｍ以下がさらにより好ましい。この９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍを超える場合、リードフレームや封止材に応力が加わり、破損する可能性がある。なお、測定温度が高くなるにつれ、通常、上記の９０度ピール強度は低下する。この９０度ピール強度は、０Ｎ／ｍ以上であることがより好ましく、３Ｎ／ｍ以上であることがさらにより好ましく、５Ｎ／ｍ以上であることが特に好ましい。   The 90 degree peel strength between the resin layer A and the lead frame, the die bond sheet, and the sealing material at least at one point in the temperature range of 0 to 250 ° C. after sealing with the sealing material is preferably 1000 N / m or less. 800 N / m or less is more preferable, and 500 N / m or less is even more preferable. When the 90-degree peel strength exceeds 1000 N / m, stress may be applied to the lead frame and the sealing material, resulting in damage. Note that, as the measurement temperature increases, the 90-degree peel strength usually decreases. The 90-degree peel strength is more preferably 0 N / m or more, even more preferably 3 N / m or more, and particularly preferably 5 N / m or more.

なお、本発明においては、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後に半導体用接着フィルムをリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材から引き剥がすときの温度における樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。封止材で封止した後、半導体用接着フィルムを引き剥がす温度は、通常、０〜２５０℃の間が好ましい。   In addition, in this invention, after sealing the lead frame which adhere | attached the adhesive film for semiconductors with the sealing material, the resin layer A in the temperature when peeling the adhesive film for semiconductors from a lead frame, a die-bonding sheet, and a sealing material, It is preferable that the 90 degree peel strength between the lead frame and the sealing material is 1000 N / m or less. After sealing with a sealing material, the temperature at which the semiconductor adhesive film is peeled off is usually preferably 0 to 250 ° C.

上記の０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度を測定するための封止材による封止条件としては、特に制限はないが、後述の本発明の半導体装置の製造方法における封止条件において封止することが好ましい。例えば、封止材としてＣＥＬ−９２００（商品名、日立化成工業（株）製ビフェニル封止材）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ、時間３分の条件で封止を行い、次いで１８０℃で５時間加熱して封止材を硬化させることが好ましい。   The sealing condition by the sealing material for measuring the 90-degree peel strength at at least one point in the temperature range of 0 to 250 ° C. is not particularly limited. However, the sealing in the semiconductor device manufacturing method of the present invention described later is performed. It is preferable to seal in the stopping condition. For example, CEL-9200 (trade name, biphenyl sealing material manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is used as a sealing material, and sealing is performed at a temperature of 180 ° C., a pressure of 10 MPa, and a time of 3 minutes, and then at 180 ° C. It is preferable to cure the encapsulant by heating for 5 hours.

本発明においては、半導体用接着フィルムは、樹脂層Ａ単層からなるものであってもよいし、支持フィルム上に少なくとも樹脂層Ａが形成されたものであってもよい。後者の例としては、樹脂層Ａが支持フィルムの片面又は両面に形成されているもの、及び、支持フィルムの片面に樹脂層Ａが形成され、反対面に他の樹脂層が形成されたものが挙げられる。支持フィルムを有するものが好ましい。   In the present invention, the adhesive film for a semiconductor may be composed of a single resin layer A, or at least the resin layer A may be formed on a support film. Examples of the latter include those in which the resin layer A is formed on one side or both sides of the support film, and those in which the resin layer A is formed on one side of the support film and another resin layer is formed on the opposite side. Can be mentioned. What has a support film is preferable.

本発明においては、支持フィルム上に樹脂層Ａを形成する方法は、特に制限はないが、樹脂層Ａの形成に用いられる樹脂（ａ）をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶剤に溶解して作製した接着剤ワニスを、支持フィルムの片面又は両面上に塗工した後、加熱処理して溶剤を除去することにより、二層構造又は三層構造の接着フィルムを得ることができる。又は、ワニス塗布後に加熱処理等によって耐熱性樹脂（ａ）（例えばポリイミド樹脂）となる樹脂（ａ）の前駆体（例えばポリアミド酸）を溶剤に溶解した前駆体ワニスを支持フィルムの片面又は両面上に塗工した後、加熱処理することで、二層構造又は三層構造の接着フィルムを得ることができる。この場合、塗工後の加熱処理により、溶剤を除去し、前駆体を樹脂（ａ）とする（例えばイミド化）。塗工面の表面状態等の点から、接着剤ワニスを用いることが好ましい。   In the present invention, the method for forming the resin layer A on the support film is not particularly limited, but the resin (a) used for forming the resin layer A is replaced with N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylacetamide, diethylene glycol dimethyl ether. The adhesive varnish prepared by dissolving in a solvent such as tetrahydrofuran, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, dimethylformamide, etc. is applied to one or both sides of the support film, and then heat-treated to remove the solvent, thereby forming a two-layer structure. Alternatively, an adhesive film having a three-layer structure can be obtained. Alternatively, a precursor varnish obtained by dissolving a precursor (for example, polyamic acid) of a resin (a) to be a heat resistant resin (a) (for example, a polyimide resin) by heat treatment after coating the varnish in a solvent is provided on one side or both sides of the support film. After coating, an adhesive film having a two-layer structure or a three-layer structure can be obtained by heat treatment. In this case, the solvent is removed by heat treatment after coating, and the precursor is made into resin (a) (for example, imidization). It is preferable to use an adhesive varnish from the viewpoint of the surface state of the coated surface.

上記において、ワニスを塗工した支持フィルムを溶剤の除去やイミド化等のために加熱処理する場合の処理温度は、接着剤ワニスであるか前駆体ワニスであるかで異なる。接着剤ワニスの場合には溶剤が除去できる温度であればよく、前駆体ワニスの場合には、イミド化させるために樹脂層Ａのガラス転移温度以上の処理温度が好ましい。   In the above, the processing temperature in the case of heat-treating the support film coated with the varnish for removing the solvent, imidization or the like differs depending on whether it is an adhesive varnish or a precursor varnish. In the case of the adhesive varnish, the temperature may be any temperature at which the solvent can be removed. In the case of the precursor varnish, a treatment temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the resin layer A is preferable for imidization.

上記において、支持フィルムの片面に塗布される接着剤ワニス又は前駆体ワニスの塗工方法には、特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等を用いて行なうことができる。また、接着剤ワニス又は前駆体ワニス中に支持フィルムを通して塗工しても良い。   In the above, the coating method of the adhesive varnish or precursor varnish applied to one side of the support film is not particularly limited, for example, roll coating, reverse roll coating, gravure coating, bar coating, comma coating, etc. Can be used. Moreover, you may apply through a support film in an adhesive varnish or a precursor varnish.

本発明においては、樹脂層Ａのガラス転移温度は１００〜３００℃であることが好ましく、１５０〜３００℃であることがより好ましく、１５０〜２５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度が１００℃未満の場合、リードフレーム及び封止材から引き剥がした際、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じたり、樹脂層Ａが凝集破壊しやすい傾向がある。また、リードフレーム及び封止材に樹脂が残留しやすく、また、ワイヤボンド工程での熱によって樹脂層Ａが軟化し、ワイヤの接合不良が生じやすい傾向がある。さらには、封止工程での熱によって樹脂層Ａが軟化し、リードフレームと樹脂層Ａ間に封止材が入り込むなどの不具合が起きやすい傾向がある。また、ガラス転移温度が３００℃を超える場合、接着時に樹脂層Ａが十分軟化せず、２５℃におけるリードフレームとの９０度ピール強度が低下しやすい傾向がある。   In this invention, it is preferable that the glass transition temperature of the resin layer A is 100-300 degreeC, It is more preferable that it is 150-300 degreeC, It is especially preferable that it is 150-250 degreeC. When the glass transition temperature is less than 100 ° C., peeling off from the lead frame and the sealing material tends to cause peeling at the interface between the resin layer A and the support film, or the resin layer A tends to cohesively break. In addition, the resin tends to remain in the lead frame and the sealing material, and the resin layer A is softened by the heat in the wire bonding process, and there is a tendency that the bonding failure of the wire is likely to occur. Furthermore, the resin layer A is softened by the heat in the sealing process, and there is a tendency that problems such as a sealing material entering between the lead frame and the resin layer A tend to occur. Further, when the glass transition temperature exceeds 300 ° C., the resin layer A is not sufficiently softened at the time of bonding, and the 90-degree peel strength with the lead frame at 25 ° C. tends to be lowered.

本発明においては、樹脂層Ａが５重量％減少する温度が３００℃以上であることが好ましく、３５０℃以上であることがより好ましく、４００℃以上であることがさらに好ましい。樹脂層Ａが５重量％減少する温度が３００℃未満の場合、リードフレームに接着フィルムを接着する際の熱や、ワイヤボンド工程での熱でアウトガスが生じ、リードフレームやワイヤを汚染しやすい傾向がある。尚、樹脂層Ａが５重量％減少する温度は、示差熱天秤（セイコー電子工業製、ＴＧ／ＤＴＡ２２０）により、昇温速度１０℃／分で測定して求めた。   In the present invention, the temperature at which the resin layer A is reduced by 5% by weight is preferably 300 ° C. or higher, more preferably 350 ° C. or higher, and further preferably 400 ° C. or higher. When the temperature at which the resin layer A is reduced by 5% by weight is less than 300 ° C., outgassing is likely to occur due to heat generated when the adhesive film is bonded to the lead frame and heat in the wire bonding process, and the lead frame and wires are likely to be contaminated. There is. The temperature at which the resin layer A is reduced by 5% by weight was determined by measuring with a differential thermal balance (TG / DTA220, manufactured by Seiko Denshi Kogyo) at a heating rate of 10 ° C./min.

本発明においては、樹脂層Ａの２３０℃における弾性率は１ＭＰａ以上であることが好ましく、３ＭＰａ以上であることがより好ましい。ワイヤボンド温度は、特に制限はないが、一般には２００〜２６０℃程度であり、２３０℃前後が広く用いられる。したがって、２３０℃における弾性率が１ＭＰａ未満の場合、ワイヤボンド工程での熱により樹脂層Ａが軟化し、ワイヤの接合不良が生じやすい。樹脂層Ａの２３０℃における弾性率の好ましい上限は、２０００ＭＰａであり、より好ましくは１５００ＭＰａであり、さらに好ましくは１０００ＭＰａである。樹脂層Ａの２３０℃における弾性率は、動的粘弾性測定装置、ＤＶＥ ＲＨＥＯＳＰＥＣＴＯＬＥＲ（レオロジ社製）を用いて、昇温速度２℃／分、測定周波数１０Ｈｚの引張モードによって測定される。   In the present invention, the elastic modulus at 230 ° C. of the resin layer A is preferably 1 MPa or more, and more preferably 3 MPa or more. The wire bond temperature is not particularly limited, but is generally about 200 to 260 ° C, and around 230 ° C is widely used. Therefore, when the elastic modulus at 230 ° C. is less than 1 MPa, the resin layer A is softened by the heat in the wire bonding step, and wire bonding failure tends to occur. The upper limit with a preferable elasticity modulus in 230 degreeC of the resin layer A is 2000 MPa, More preferably, it is 1500 MPa, More preferably, it is 1000 MPa. The elastic modulus at 230 ° C. of the resin layer A is measured by using a dynamic viscoelasticity measuring device, DVE RHEOSPECTORER (manufactured by Rheology), in a tensile mode with a heating rate of 2 ° C./min and a measurement frequency of 10 Hz.

本発明においては、樹脂層Ａの形成に用いられる樹脂（ａ）は、アミド基（−ＮＨＣＯ−）、エステル基（―ＣＯ−Ｏ−）、イミド基（−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−）、エーテル基（−Ｏ−）又はスルホン基（−ＳＯ２−）を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。特に、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。具体的には、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポリエステルイミド及び芳香族ポリエーテルイミド等が挙げられる。これらのなかで、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミドが、耐熱性、接着性の点から好ましい。 In the present invention, the resin (a) used for forming the resin layer A includes an amide group (—NHCO—), an ester group (—CO—O—), an imide group (—CO—N—CO—), an ether. A thermoplastic resin having a group (—O—) or a sulfone group (—SO 2 —) is preferred. In particular, a thermoplastic resin having an amide group, an ester group, an imide group or an ether group is preferable. Specifically, aromatic polyamide, aromatic polyester, aromatic polyimide, aromatic polyamideimide, aromatic polyether, aromatic polyetheramide imide, aromatic polyetheramide, aromatic polyesterimide and aromatic polyetherimide Etc. Among these, aromatic polyether amide imide, aromatic polyether imide and aromatic polyether amide are preferable from the viewpoint of heat resistance and adhesiveness.

上記の樹脂はいずれも、塩基成分である芳香族ジアミン又はビスフェノール等と、酸成分であるジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸若しくは芳香族塩化物又はこれらの反応性誘導体を重縮合させて製造することができる。すなわち、アミンと酸との反応に用いられている公知の方法で行うことができ、諸条件等についても特に制限はない。芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸又はこれらの反応性誘導体とジアミンの重縮合反応については、公知の方法が用いられる。   Each of the above resins is produced by polycondensing an aromatic diamine or bisphenol as a base component with a dicarboxylic acid, tricarboxylic acid, tetracarboxylic acid or aromatic chloride as an acid component or a reactive derivative thereof. be able to. That is, it can be carried out by a known method used for the reaction between an amine and an acid, and there are no particular restrictions on various conditions. A known method is used for the polycondensation reaction of aromatic dicarboxylic acid, aromatic tricarboxylic acid or their reactive derivatives and diamine.

芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる塩基成分としては、例えば、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）］ヘキサフルオロプロパン等のエーテル基を有する芳香族ジアミン；４，４′−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアミン）等のエーテル基を有しない芳香族ジアミン；１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミン；及び１，１２−ジアミノドデカン、１，６−ジアミノヘキサン等のα，ω−ジアミノアルカンが好適に用いられる。塩基成分総量中、上記のエーテル基を有する芳香族ジアミンを好ましくは４０〜１００モル％、より好ましくは５０〜９７モル％、エーテル基を有しない芳香族ジアミン、シロキサンジアミン及びα，ω−ジアミノアルカンから選ばれる少なくとも１種を好ましくは０〜６０モル％、より好ましくは３〜５０モル％の量で用いることが望ましい。好ましい塩基成分の具体例としては、（１）エーテル基を有する芳香族ジアミンを好ましくは６０〜８９モル％、より好ましくは６８〜８２モル％、シロキサンジアミンを好ましくは１〜１０モル％、より好ましくは３〜７モル％、及びα，ω−ジアミノアルカンを好ましくは１０〜３０モル％、より好ましくは１５〜２５モル％からなる塩基成分、（２）エーテル基を有する芳香族ジアミンを好ましくは９０〜９９モル％、より好ましくは９３〜９７モル％、及びシロキサンジアミンを好ましくは１〜１０モル％、より好ましくは３〜７モル％からなる塩基成分、（３）エーテル基を有する芳香族ジアミンを好ましくは４０〜７０モル％、より好ましくは４５〜６０モル％、エーテル基を有しない芳香族ジアミンを好ましくは３０〜６０モル％、より好ましくは４０〜５５モル％からなる塩基成分が挙げられる。   Examples of the base component used for the synthesis of aromatic polyetherimide, aromatic polyetheramideimide or aromatic polyetheramide include 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [ 4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4′-diaminodiphenyl ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy)] hexa An aromatic diamine having an ether group such as fluoropropane; an aromatic diamine having no ether group such as 4,4′-methylenebis (2,6-diisopropylamine); 1,3-bis (3-aminopropyl) -tetra Siloxane diamines such as methyldisiloxane; and 1,12-diaminododecane, 1,6-diamino α of hexane etc., .omega. diamino alkane is preferably used. The aromatic diamine having an ether group is preferably 40 to 100 mol%, more preferably 50 to 97 mol%, and the aromatic diamine having no ether group, siloxane diamine, and α, ω-diaminoalkane in the total amount of the base component. It is desirable to use at least one selected from the group of 0 to 60 mol%, more preferably 3 to 50 mol%. Specific examples of preferable base components include (1) 60-89 mol% of aromatic diamine having an ether group, more preferably 68-82 mol%, and preferably 1-10 mol%, more preferably siloxane diamine. Is preferably a base component consisting of 3 to 7 mol% and α, ω-diaminoalkane, preferably 10 to 30 mol%, more preferably 15 to 25 mol%, and (2) an aromatic diamine having an ether group, preferably 90 -99 mol%, more preferably 93-97 mol%, and a siloxane diamine, preferably 1-10 mol%, more preferably 3-7 mol% of a base component, (3) an aromatic diamine having an ether group Preferably 40 to 70 mol%, more preferably 45 to 60 mol%, preferably 30 to 60 mol of aromatic diamine having no ether group %, More preferably 40 to 55 mol%.

芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる酸成分としては、例えば、（Ａ）無水トリメリット酸、無水トリメリット酸クロライド等の無水トリメリット酸の反応性誘導体、ピロメリット酸二無水物等の単核芳香族トリカルボン酸無水物又は単核芳香族テトラカルボン酸二無水物、（Ｂ）ビスフェノールＡビストリメリテート二無水物、オキシジフタル酸無水物等の多核芳香族テトラカルボン酸二無水物、（Ｃ）テレフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸クロライド、イソフタル酸クロライド等のフタル酸の反応性誘導体等の芳香族ジカルボン酸などが挙げられる。   Examples of the acid component used for the synthesis of aromatic polyetherimide, aromatic polyetheramideimide or aromatic polyetheramide include (A) trimellitic anhydride such as trimellitic anhydride and trimellitic anhydride chloride. Reactive derivatives, mononuclear aromatic tricarboxylic anhydrides such as pyromellitic dianhydride or mononuclear aromatic tetracarboxylic dianhydrides, (B) bisphenol A bistrimellitic dianhydride, oxydiphthalic anhydride, etc. Examples include polynuclear aromatic tetracarboxylic dianhydrides, (C) aromatic dicarboxylic acids such as reactive derivatives of phthalic acid such as terephthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid chloride, and isophthalic acid chloride.

中でも、上記塩基成分（１）又は（２）１モル当たり、上記酸成分（Ａ）を好ましくは０．９５〜１．０５モル、より好ましくは０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルアミドイミド、及び、上記塩基成分（３）を好ましくは１モル当たり、上記酸成分（Ｂ）を好ましくは０．９５〜１．０５モル、より好ましくは０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルイミドが好適に用いられる。   Among them, the acid component (A) is preferably 0.95 to 1.05 mol, more preferably 0.98 to 1.02 mol, per 1 mol of the base component (1) or (2). The aromatic polyether amide imide and the base component (3) are preferably from 0.95 to 1.05 mol, more preferably from 0.98 to 1.5 mol per mol of the acid component (B). An aromatic polyetherimide obtained by reacting 02 mol is preferably used.

本発明においては、樹脂（ａ）にセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーや、カップリング剤を添加してもよい。フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ａ）１００重量部に対して１〜３０重量部が好ましく、５〜１５重量部がより好ましい。   In the present invention, a filler such as ceramic powder, glass powder, silver powder, copper powder, resin particles, rubber particles, or a coupling agent may be added to the resin (a). When adding a filler, the addition amount is preferably 1 to 30 parts by weight and more preferably 5 to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin (a).

カップリング剤としては、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン、チタネート、アルミキレート、ジルコアルミネート等のカップリング剤が使用できるが、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の末端に有機反応基を有するシランカップリング剤で、これらの内、エポキシ基を有するエポキシシランカップリング剤が好ましく用いられる。なお、ここで有機反応性基とは、エポキシ基、ビニル基、アミノ基、メルカプト基等の官能基である。シランカップリング剤の添加は、樹脂の支持フィルムに対する密着性を向上させ、１００〜３００℃の温度で引き剥がした際に、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じにくくするためである。カップリング剤の添加量は、樹脂（ａ）１００重量部に対して、１〜１５重量部が好ましく、２〜１０重量部がより好ましい。   As the coupling agent, a coupling agent such as vinyl silane, epoxy silane, amino silane, mercapto silane, titanate, aluminum chelate, zirco aluminate and the like can be used, and a silane coupling agent is preferable. As silane coupling agents, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane Γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ -A silane coupling agent having an organic reactive group at the terminal, such as mercaptopropyltrimethoxysilane, among which an epoxy silane coupling agent having an epoxy group is preferably used. Here, the organic reactive group is a functional group such as an epoxy group, a vinyl group, an amino group, or a mercapto group. The addition of the silane coupling agent is to improve the adhesion of the resin to the support film and to prevent peeling at the interface between the resin layer A and the support film when peeled off at a temperature of 100 to 300 ° C. The addition amount of the coupling agent is preferably 1 to 15 parts by weight and more preferably 2 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin (a).

本発明においては、支持フィルムには特に制限はないが、樹脂の塗工、乾燥、半導体装置組立工程中の熱に耐えられる樹脂からなるフィルムが好ましく、樹脂は、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれることが好ましい。また。支持フィルムのガラス転移温度は、耐熱性を向上させるために２００℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましい。上記の耐熱性樹脂フィルムを用いることにより、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程、引き剥がし工程などの熱の加わる工程において、支持フィルムが軟化せず、効率よく作業を行うことができる。   In the present invention, the support film is not particularly limited, but a film made of a resin that can withstand heat during the resin coating, drying, and semiconductor device assembly process is preferable. The resin is an aromatic polyimide, an aromatic polyamide, It is preferably selected from the group consisting of aromatic polyamideimide, aromatic polysulfone, aromatic polyethersulfone, polyphenylene sulfide, aromatic polyetherketone, polyarylate, aromatic polyetheretherketone and polyethylene naphthalate. Also. In order to improve heat resistance, the glass transition temperature of the support film is preferably 200 ° C. or higher, and more preferably 250 ° C. or higher. By using the above heat-resistant resin film, the supporting film is not softened in the process of applying heat such as the bonding process, the wire bonding process, the sealing process, and the peeling process, and the work can be performed efficiently.

上記の支持フィルムは、樹脂層Ａに対して密着性が十分高いことが好ましい。密着性が低いと、１００〜３００℃の温度でリードフレーム及び封止材から引き剥がした際、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じやすく、リードフレーム及び封止材に樹脂が残留しやすい。支持フィルムは、耐熱性を有し、かつ樹脂層Ａに対する密着性が十分高いことが好ましいことから、ポリイミドフィルムがより好ましい。   The support film preferably has sufficiently high adhesion to the resin layer A. If the adhesion is low, when peeled off from the lead frame and the sealing material at a temperature of 100 to 300 ° C., peeling easily occurs at the interface between the resin layer A and the support film, and the resin remains on the lead frame and the sealing material. Cheap. Since the support film preferably has heat resistance and sufficiently high adhesion to the resin layer A, a polyimide film is more preferable.

上記ポリイミドフィルムの種類は特に限定されないが、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減するために、２０〜２００℃における線熱膨張係数が３．０×１０−５／℃以下であることが好ましく、２．５×１０−５／℃以下であることがより好ましく、２．０×１０−５／℃以下であることがさらに好ましい。また半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減するために、２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率が０．１５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがさらに好ましく、０．０５％以下であることが特に好ましい。 Although the kind of the polyimide film is not particularly limited, the linear thermal expansion coefficient at 20 to 200 ° C. is 3.0 × 10 − in order to reduce the warpage of the lead frame after the semiconductor adhesive film is attached to the lead frame. preferably 5 / ° C. or less, more preferably 2.5 × 10 -5 / ℃ less, further preferably 2.0 × 10 -5 / ℃ less. Further, in order to reduce the warpage of the lead frame after the semiconductor adhesive film is bonded to the lead frame, the heat shrinkage rate when heated at 200 ° C. for 2 hours is preferably 0.15% or less. It is more preferably 1% or less, and particularly preferably 0.05% or less.

上記の支持フィルムは、樹脂層Ａに対する密着性を十分高めるために、表面を処理することが好ましい。支持フィルムの表面処理方法には特に制限はないが、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、コロナ処理等が挙げられる。   In order to sufficiently improve the adhesion to the resin layer A, the support film is preferably treated on the surface. Although there is no restriction | limiting in particular in the surface treatment method of a support film, Chemical treatments, such as an alkali treatment and a silane coupling treatment, Physical treatments, such as a sand mat treatment, Plasma treatment, Corona treatment, etc. are mentioned.

上記の支持フィルムの厚さは特に制限はないが、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減するために、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以下がさらに好ましい。なお支持フィルムの厚さは、５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。   The thickness of the support film is not particularly limited, but is preferably 100 μm or less, and more preferably 50 μm or less in order to reduce the warpage of the lead frame after the semiconductor adhesive film is attached to the lead frame. More preferably, it is 25 μm or less. The thickness of the support film is preferably 5 μm or more, and more preferably 10 μm or more.

また、支持フィルムの材質を、上記した樹脂以外の、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ぶこともできる。支持フィルムを上記の金属とすることにより、リードフレームと支持フィルムの線膨張係数を近くし、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減することができる。   Further, the material of the support film can be selected from the group consisting of copper, aluminum, stainless steel, and nickel other than the resin described above. By using the metal as the support film, the linear expansion coefficient between the lead frame and the support film can be made close, and the warping of the lead frame after the semiconductor adhesive film is attached to the lead frame can be reduced.

本発明における半導体用接着フィルムは、支持フィルムの片面又は両面に樹脂層を設けた場合、特に支持フィルムの片面に樹脂層Ａを設けた場合、樹脂層の厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が０．５以下であることが好ましく、０．３以下がより好ましく、０．２以下がさらに好ましい。樹脂層の厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が０．５を超える場合、塗工後の溶剤除去時の樹脂層の体積減少によりフィルムがカールしやすく、リードフレームに接着する際の作業性や生産性が低下しやすい傾向がある。支持フィルムの両面に樹脂層を設けた場合には、両樹脂層の厚みの比を０．８：１〜１．２：１とすることが好ましく、０．９：１〜１．１：１とすることがより好ましく、１：１とすることが特に好ましい。なお、樹脂層Ａの厚さ（Ａ）は１〜２０μｍであることが好ましく、３〜１５μｍであることがより好ましく、４〜１０μｍであることがさらに好ましい。   The adhesive film for a semiconductor according to the present invention has a resin layer thickness (A) when the resin layer is provided on one side or both sides of the support film, particularly when the resin layer A is provided on one side of the support film. The ratio (A / B) to the thickness (B) is preferably 0.5 or less, more preferably 0.3 or less, and further preferably 0.2 or less. When the ratio (A / B) of the thickness (A) of the resin layer to the thickness (B) of the support film exceeds 0.5, the film is reduced due to the volume reduction of the resin layer when the solvent is removed after coating. It tends to curl and tends to decrease workability and productivity when bonding to the lead frame. When resin layers are provided on both surfaces of the support film, the ratio of the thicknesses of both resin layers is preferably 0.8: 1 to 1.2: 1, and 0.9: 1 to 1.1: 1. Is more preferable, and 1: 1 is particularly preferable. In addition, it is preferable that the thickness (A) of the resin layer A is 1-20 micrometers, It is more preferable that it is 3-15 micrometers, It is further more preferable that it is 4-10 micrometers.

溶剤除去時の樹脂層Ａの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺するために、支持フィルムの両面に樹脂層Ａを設けてもよい。支持フィルムの片面に樹脂層Ａを設け、反対面に高温で軟化しにくい樹脂層を設けることが好ましい。すなわち、前記支持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層Ａを形成し、その反対面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂを形成することが好ましい。   In order to cancel out the curling of the adhesive film for a semiconductor caused by the volume reduction of the resin layer A when the solvent is removed, the resin layer A may be provided on both surfaces of the support film. It is preferable to provide the resin layer A on one side of the support film and provide the resin layer on the opposite side that is difficult to soften at high temperature. That is, it is preferable to form the resin layer A having adhesiveness on one side of the support film and forming the resin layer B having no adhesiveness with an elastic modulus at 230 ° C. of 10 MPa or more on the opposite side.

本発明においては、接着性を有しない樹脂層Ｂの２３０℃での弾性率は１０ＭＰａ以上であることが好ましく、１００ＭＰａ以上がより好ましく、１０００ＭＰａ以上がさらに好ましい。樹脂層Ｂの２３０℃での弾性率が１０ＭＰａ未満の場合、ワイヤボンド工程などの熱の加わる工程で軟化しやすく、金型やジグに貼り付きやすい傾向がある。この弾性率は、２０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１５００ＭＰａ以下であることがより好ましい。   In the present invention, the elastic modulus at 230 ° C. of the resin layer B having no adhesiveness is preferably 10 MPa or more, more preferably 100 MPa or more, and further preferably 1000 MPa or more. When the elastic modulus at 230 ° C. of the resin layer B is less than 10 MPa, the resin layer B tends to be softened in a process of applying heat such as a wire bonding process and tends to stick to a mold or a jig. The elastic modulus is preferably 2000 MPa or less, and more preferably 1500 MPa or less.

上記の接着性を有しない樹脂層Ｂの金型やジグに対する接着力は、工程上、金型やジグに張り付かない程度に低ければ特に制限はないが、２５℃における樹脂層Ｂと金型やジグとの９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満であることが好ましく、１Ｎ／ｍ以下であることがより好ましい。このピール強度は、例えば、真鍮製の金型に温度２５０℃、圧力８ＭＰａで１０秒間圧着した後に測定する。   The adhesive strength of the resin layer B having no adhesiveness to the mold or jig is not particularly limited as long as it is low enough not to stick to the mold or jig in the process, but the resin layer B and the mold at 25 ° C. The 90-degree peel strength with the jig and jig is preferably less than 5 N / m, more preferably 1 N / m or less. The peel strength is measured, for example, after pressure-bonding to a brass mold for 10 seconds at a temperature of 250 ° C. and a pressure of 8 MPa.

上記の２３０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上である樹脂層Ｂのガラス転移温度は、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程、引き剥がし工程などで軟化しにくく、金型やジグに貼り付きにくくするため、１５０℃以上であることが好ましく、２００℃以上がより好ましく、２５０℃以上がさらに好ましい。なお、このガラス転移温度は、３５０℃以下であることが好ましく、３００℃以下であることがより好ましい。   The glass transition temperature of the resin layer B having an elastic modulus at 230 ° C. of 10 MPa or more is not easily softened in an adhesion process, a wire bonding process, a sealing process, a peeling process, and the like, and is difficult to stick to a mold or a jig. Therefore, the temperature is preferably 150 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher, and further preferably 250 ° C. or higher. In addition, this glass transition temperature is preferably 350 ° C. or lower, and more preferably 300 ° C. or lower.

上記の樹脂層Ｂの形成に用いられる樹脂（ｂ）の組成には特に制限はなく、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれも用いることができる。熱可塑性樹脂の組成は、特に制限はないが、前記した樹脂と同様の、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂が好ましい。特に、上記の塩基成分（３）１モルと上記の酸成分（Ａ）を好ましくは０．９５〜１．０５モル、より好ましくは０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルアミドイミドが好ましい。また、熱硬化性樹脂の組成には、特に制限はないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂（例えば、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンをモノマーとするビスマレイミド樹脂）などが好ましい。また、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合せて用いることもできる。熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合わせる場合、熱可塑性樹脂１００重量部に対し、熱硬化性樹脂５〜１００重量部とすることが好ましく、２０〜７０重量部とすることがより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular in the composition of resin (b) used for formation of said resin layer B, Both a thermoplastic resin and a thermosetting resin can be used. The composition of the thermoplastic resin is not particularly limited, but is preferably a thermoplastic resin having an amide group, an ester group, an imide group or an ether group, similar to the above-described resin. In particular, an aromatic obtained by reacting 1 mol of the above base component (3) with the above acid component (A), preferably 0.95 to 1.05 mol, more preferably 0.98 to 1.02 mol. Polyether amide imide is preferred. The composition of the thermosetting resin is not particularly limited, and for example, an epoxy resin, a phenol resin, a bismaleimide resin (for example, a bismaleimide resin using bis (4-maleimidophenyl) methane as a monomer) and the like are preferable. . A combination of a thermoplastic resin and a thermosetting resin can also be used. When combining a thermoplastic resin and a thermosetting resin, it is preferable to set it as 5-100 weight part with respect to 100 weight part of thermoplastic resins, and it is more preferable to set it as 20-70 weight part.

さらには、上記の樹脂（ｂ）にセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーやカップリング剤を添加することが好ましい。フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ｂ）１００重量部に対して１〜３０重量部とすることが好ましく、５〜１５重量部とすることがより好ましい。カップリング剤の添加量は、樹脂（ｂ）１００重量部に対して１〜２０重量部とすることが好ましく、５〜１５重量部とすることがより好ましい。   Furthermore, it is preferable to add fillers and coupling agents such as ceramic powder, glass powder, silver powder, copper powder, resin particles, and rubber particles to the resin (b). When adding a filler, it is preferable that the addition amount shall be 1-30 weight part with respect to 100 weight part of resin (b), and it is more preferable to set it as 5-15 weight part. The addition amount of the coupling agent is preferably 1 to 20 parts by weight and more preferably 5 to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin (b).

上記の接着性を有しない樹脂層Ｂを支持フィルム上に形成する方法としては、特に制限はないが、通常、樹脂（ｂ）をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶剤に溶解して作製した樹脂ワニスを、支持フィルム上に塗工した後、加熱処理して溶剤を除去することにより形成することができる。又は、ワニス塗布後に加熱処理等によって耐熱性樹脂（ｂ）（例えばポリイミド樹脂）となる樹脂（ｂ）の前駆体（例えばポリアミド酸）を溶剤に溶解した前駆体ワニスを支持フィルム上に塗工した後、加熱処理することで、形成することができる。この場合、塗工後の加熱処理により、溶剤を除去し、前駆体を樹脂（ｂ）とする（例えばイミド化）。塗工面の表面状態等の点から、樹脂ワニスを用いることが好ましい。   The method for forming the resin layer B having no adhesiveness on the support film is not particularly limited, but the resin (b) is usually N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylacetamide, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, A resin varnish prepared by dissolving in a solvent such as cyclohexanone, methyl ethyl ketone, dimethylformamide or the like is coated on a support film and then heat-treated to remove the solvent. Alternatively, a precursor varnish obtained by dissolving a precursor (for example, polyamic acid) of a resin (b) to be a heat resistant resin (b) (for example, a polyimide resin) in a solvent by heat treatment or the like after coating the varnish is coated on a support film. Thereafter, it can be formed by heat treatment. In this case, the solvent is removed by heat treatment after coating, and the precursor is made into resin (b) (for example, imidization). It is preferable to use a resin varnish from the viewpoint of the surface state of the coated surface.

上記のワニスを塗工した支持フィルムを溶剤の除去やイミド化等のために加熱処理する場合の処理温度は、樹脂ワニスであるか前駆体ワニスであるかで異なる。樹脂ワニスの場合には溶剤が除去できる温度であればよく、前駆体ワニスの場合には、イミド化させるために樹脂層Ｂのガラス転移温度以上の処理温度が好ましい。   The processing temperature when the support film coated with the varnish is heat-treated for removal of the solvent, imidization or the like differs depending on whether it is a resin varnish or a precursor varnish. In the case of a resin varnish, the temperature may be any temperature at which the solvent can be removed. In the case of a precursor varnish, a treatment temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the resin layer B is preferable for imidization.

上記の樹脂（ｂ）として熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の組合せを用いる場合は、塗工後の加熱処理によって、熱硬化性樹脂を硬化させ、樹脂層Ｂの弾性率を１０ＭＰａ以上にすることもできる。この加熱処理は、溶剤の除去やイミド化と同時に行うこともできるし、別途行うこともできる。   When a thermosetting resin or a combination of a thermoplastic resin and a thermosetting resin is used as the resin (b), the thermosetting resin is cured by heat treatment after coating, and the elastic modulus of the resin layer B is increased. It can also be 10 MPa or more. This heat treatment can be performed simultaneously with the removal of the solvent and imidization, or can be performed separately.

上記の樹脂層Ｂにおいて、溶剤除去時の樹脂層Ｂの体積減少又はイミド化や熱硬化性樹脂の硬化の際の収縮により、樹脂層Ａの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺することができる。   In the above resin layer B, the curling of the adhesive film for semiconductor caused by the volume reduction of the resin layer A is offset by the volume reduction or imidization of the resin layer B upon solvent removal or the shrinkage when the thermosetting resin is cured. can do.

上記において、樹脂（ｂ）の樹脂ワニス又は前駆体ワニスの塗工方法は特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等を用いて行なわれる。また、樹脂ワニス又は前駆体ワニス中に支持フィルムを通して塗工しても良い。   In the above, the method for applying the resin varnish or precursor varnish of the resin (b) is not particularly limited, and for example, roll coating, reverse roll coating, gravure coating, bar coating, comma coating, and the like are performed. Moreover, you may apply through a support film in a resin varnish or a precursor varnish.

リードフレーム
本発明において用いるリードフレームは、例えば、前記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａをリードフレームの片面に接して接着することにより製造することができる。本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着条件は、先に本発明の半導体装置の製造方法について記載した条件と同様である。本発明において、リードフレームの材質には特に制限はないが、例えば、４２アロイなどの鉄系合金、又は銅や銅系合金などを用いることができる。また、銅や銅系合金のリードフレームの表面には、パラジウム、金、銀などを被覆することもできる。 Lead Frame The lead frame used in the present invention can be manufactured, for example, by adhering the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor in contact with one side of the lead frame. In the present invention, the bonding conditions of the semiconductor adhesive film to the lead frame are the same as those described above for the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention. In the present invention, the material of the lead frame is not particularly limited, and for example, an iron-based alloy such as 42 alloy, copper, a copper-based alloy, or the like can be used. Further, the surface of the lead frame of copper or copper alloy can be coated with palladium, gold, silver, or the like.

ダイボンドシート
本発明において、半導体用接着フィルムへダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する場合の接着条件は、先に本発明の半導体装置の製造方法について記載した条件と同様である。本発明で用いるダイボンドシートは、架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０重量％及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分６０〜８５重量％を含む樹脂１００重量部と、フィラー４０〜１８０重量部とを含み、厚さが１０〜２５０μｍであることが好ましい。 Die Bond Sheet In the present invention, the bonding conditions when the semiconductor element is bonded to the semiconductor adhesive film using the die bond sheet are the same as those described above for the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention. The die bond sheet used in the present invention has a thermosetting property mainly composed of 15 to 40% by weight of a high molecular weight component having a cross-linkable functional group-containing weight average molecular weight of 100,000 or more and Tg of −50 to 50 ° C. and an epoxy resin. It is preferable that the resin composition contains 100 parts by weight of resin containing 60 to 85% by weight and 40 to 180 parts by weight of filler and has a thickness of 10 to 250 μm.

本発明で用いるダイボンドシートは、架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上でＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０重量％、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分６０〜８５重量％を含む樹脂１００重量部とフィラー４０〜１８０重量部とを含む接着シートであることが好ましく、その構成成分に特に制限はないが、適当なタック強度を有しシート状での取扱い性が良好であることから、高分子量成分、熱硬化性成分、及びフィラーの他に、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を含んでも良い。   The die bond sheet used in the present invention has a weight average molecular weight including a crosslinkable functional group of 100,000 or more and a Tg of -50 to 50 ° C., a high molecular weight component of 15 to 40% by weight, and a thermosetting mainly composed of an epoxy resin. An adhesive sheet containing 100 parts by weight of a resin containing 60 to 85% by weight of a component and 40 to 180 parts by weight of a filler is preferred, and there are no particular restrictions on the components, but it has an appropriate tack strength and is in the form of a sheet. Therefore, in addition to the high molecular weight component, the thermosetting component, and the filler, a curing accelerator, a catalyst, an additive, a coupling agent, and the like may be included.

高分子量成分としてはエポキシ基、アルコール性またはフェノール性水酸基、カルボキシル基などの架橋性官能基を有するポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。上記のダイボンドシートは、高分子量成分が樹脂の１５〜４０重量％含まれる場合に充てん性が良好となり、高分子量成分の含有量は、さらに好ましくは２０〜３７重量％であり、より好ましくは２５〜３５重量％である。   High molecular weight components include polyimide resins having crosslinkable functional groups such as epoxy groups, alcoholic or phenolic hydroxyl groups, carboxyl groups, (meth) acrylic resins, urethane resins, polyphenylene ether resins, polyetherimide resins, phenoxy resins, modified Examples include polyphenylene ether resin, but are not limited thereto. The die bond sheet has good filling properties when the high molecular weight component is contained in an amount of 15 to 40% by weight of the resin, and the content of the high molecular weight component is more preferably 20 to 37% by weight, more preferably 25. -35% by weight.

本発明における高分子量成分は、Ｔｇ（ガラス転移温度）が−５０℃〜５０℃で架橋性官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分であることが好ましい。高分子量成分として、例えば、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどの官能性モノマを含有するモノマを重合して得た、重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましい。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、たとえば、（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アクリルゴムなどを使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。   The high molecular weight component in the present invention is preferably a high molecular weight component having a Tg (glass transition temperature) of −50 ° C. to 50 ° C. and a weight average molecular weight having a crosslinkable functional group of 100,000 or more. As the high molecular weight component, for example, an epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 100,000 or more obtained by polymerizing a monomer containing a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate is preferable. . As the epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer, for example, (meth) acrylic acid ester copolymer, acrylic rubber and the like can be used, and acrylic rubber is more preferable. Acrylic rubber is a rubber mainly composed of an acrylate ester and mainly composed of a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile, or the like.

高分子量成分のＴｇが５０℃を超えると、ダイボンドシートの柔軟性が低くなる場合があり、Ｔｇが−５０℃未満であると、ダイボンドシートの柔軟性が高すぎるため、ウエハダイシング時にダイボンドシートが切断し難く、バリが発生しやすくなる場合がある。また、高分子量成分の重量平均分子量は、より好ましくは１０万以上１００万以下であり、分子量が１０万未満であるとダイボンドシートの耐熱性が低下する場合があり、分子量が１００万を超えるとダイボンドシートのフローが低下する場合がある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。   When the Tg of the high molecular weight component exceeds 50 ° C., the flexibility of the die bond sheet may be lowered. When the Tg is less than −50 ° C., the flexibility of the die bond sheet is too high. It may be difficult to cut and burrs may be easily generated. Further, the weight average molecular weight of the high molecular weight component is more preferably 100,000 or more and 1,000,000 or less. If the molecular weight is less than 100,000, the heat resistance of the die bond sheet may be lowered, and if the molecular weight exceeds 1,000,000. The flow of the die bond sheet may decrease. In addition, a weight average molecular weight is a polystyrene conversion value using the calibration curve by a standard polystyrene by the gel permeation chromatography method (GPC).

ウエハダイシング時にダイボンドシートが切断しやすく樹脂くずが発生し難い点、また耐熱性が高い点で、Ｔｇが−２０℃〜４０℃で重量平均分子量が１０万〜９０万の高分子量成分がより好ましく、Ｔｇが−１０℃〜４０℃で分子量が２０万〜８５万の高分子量成分が特に好ましい。   A high molecular weight component having a Tg of −20 ° C. to 40 ° C. and a weight average molecular weight of 100,000 to 900,000 is more preferable in that the die bond sheet is easily cut during wafer dicing, and resin waste is not easily generated. A high molecular weight component having a Tg of −10 ° C. to 40 ° C. and a molecular weight of 200,000 to 850,000 is particularly preferable.

本発明において用いられる熱硬化性成分としては、半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性および耐湿性を有するエポキシ樹脂が好ましい。なお、本発明において、「エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分」には、エポキシ樹脂硬化剤も含まれるものとする。エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。   The thermosetting component used in the present invention is preferably an epoxy resin having heat resistance and moisture resistance required for mounting a semiconductor element. In the present invention, the “thermosetting component mainly composed of epoxy resin” includes an epoxy resin curing agent. The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action. Bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol S type epoxy resin, novolac type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resin and cresol novolak type epoxy resin, and the like can be used. Moreover, what is generally known, such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, or an alicyclic epoxy resin, can be applied.

特にＢステージ状態でのフィルムの可撓性が高い点でエポキシ樹脂の分子量が１０００以下であることが好ましく、さらに好ましくは５００以下である。また、可撓性に優れる分子量５００以下のビスフェノールＡ型又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂５０〜９０重量部と、硬化物の耐熱性に優れる分子量が８００〜３０００の多官能エポキシ樹脂１０〜５０重量％とを併用することが好ましい。   In particular, the molecular weight of the epoxy resin is preferably 1000 or less, and more preferably 500 or less, in view of the high flexibility of the film in the B stage state. Further, 50 to 90 parts by weight of a bisphenol A type or bisphenol F type epoxy resin having a molecular weight of 500 or less excellent in flexibility, and 10 to 50% by weight of a polyfunctional epoxy resin having a molecular weight of 800 to 3000 excellent in heat resistance of the cured product It is preferable to use together.

エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。さらに、本発明で用いるダイボンドシートには、Ｂステージ状態における接着シートのダイシング性の向上、接着シートの取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与などを目的としてフィラー、好ましくは無機フィラーを配合する。   As the epoxy resin curing agent, known curing agents that are usually used can be used. For example, amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S can be used. Examples thereof include bisphenols having two or more such phenolic hydroxyl groups in one molecule, phenol resins such as phenol novolac resins, bisphenol A novolac resins, and cresol novolac resins. Furthermore, the die bond sheet used in the present invention is intended to improve the dicing property of the adhesive sheet in the B-stage state, improve the handleability of the adhesive sheet, improve the thermal conductivity, adjust the melt viscosity, and impart thixotropic properties. And a filler, preferably an inorganic filler.

無機フィラーとしては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などが挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、ダイシング性を向上させるためにはアルミナ、シリカが好ましい。   Inorganic fillers include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, crystalline silica, non Examples thereof include crystalline silica and antimony oxide. In order to improve thermal conductivity, alumina, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like are preferable. For the purpose of adjusting melt viscosity and imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, crystalline silica, non-crystalline silica Crystalline silica and the like are preferred. In order to improve dicing properties, alumina and silica are preferable.

本発明において、上記フィラーを樹脂１００重量部に対して、４０〜１８０重量部含むことが、ダイシング性が向上する点、接着シート硬化後の貯蔵弾性率が１７０℃で５０〜６００ＭＰａになり、ワイヤボンディング性が良好となる点で好ましい。フィラー量は樹脂１００重量部に対して、６０〜１６０重量部であることがより好ましく、６０〜１２０重量部であることがさらに好ましい。フィラーの配合量が多くなると、ダイボンドシートの貯蔵弾性率の過剰な上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が起きやすくなるので１８０重量部以下とするのが好ましい。フィラーの配合量が少ないと、ダイシング時の樹脂ばりが発生し易くなる傾向があるがあるので４０重量部以上とするのが好ましい。   In the present invention, the inclusion of the filler in an amount of 40 to 180 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin improves the dicing property, and the storage elastic modulus after curing of the adhesive sheet is 50 to 600 MPa at 170 ° C. This is preferable in terms of good bonding properties. The amount of filler is more preferably 60 to 160 parts by weight, and still more preferably 60 to 120 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin. When the amount of the filler is increased, problems such as an excessive increase in the storage elastic modulus of the die bond sheet, a decrease in adhesiveness, and a decrease in electrical characteristics due to remaining voids are likely to occur. Therefore, the amount is preferably 180 parts by weight or less. If the amount of the filler is small, resin flash during dicing tends to occur, so 40 parts by weight or more is preferable.

本発明において、下記のダイシング工程における樹脂ばりを大幅に低減できることからフィラーを添加することが好ましい。すなわち、ダイシングには、通常、回転刃でウエハ、接着シート、ダイシングテープを同時に切断し、洗浄後、接着剤付き半導体チップを得る工程が取られている。この切断後にできたダイシングテープの溝に、接着シートやウエハの切断くずが付着し、それが切断時や切断後などの洗浄時やチップピックアップ時にダイシングテープから糸状に剥離し、樹脂ばりを発生することがある。   In the present invention, it is preferable to add a filler because the resin flash in the following dicing step can be greatly reduced. That is, dicing usually involves a step of cutting a wafer, an adhesive sheet, and a dicing tape at the same time with a rotary blade, and obtaining a semiconductor chip with an adhesive after washing. Adhesive sheets and wafer cutting debris adhere to the groove of the dicing tape formed after this cutting, and it is peeled off from the dicing tape during cleaning such as during and after cutting and during chip pick-up, generating a resin flash. Sometimes.

前記ダイボンドシートを使用した場合、特にシリカ、アルミナフィラー等を樹脂１００重量部に対して、４０〜１８０重量部含むため、ダイシング時に発生する樹脂やシリコンの切断くずがフィラーを中心にした細かい粉体状になり、洗浄水と共に除去されやすく、ダイシングテープ上に溜まる切断くずの量が少なくなるので好ましい。また、この少ない切断くずがダイシングテープ上に密着しているため、ダイシングテープから糸状に剥離しにくくなる。   When the die-bonding sheet is used, silica, alumina filler, etc. are contained in an amount of 40 to 180 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin. This is preferable because it is easy to be removed together with cleaning water and the amount of cutting waste collected on the dicing tape is reduced. Further, since this small amount of cutting waste is in close contact with the dicing tape, it is difficult to peel it off from the dicing tape.

これに対し、フィラーを含有しない場合には、切断くずが粘土状であり、洗浄水と共に除去されないため、ダイシングテープ上に多量の切断くずが付着する傾向にある。これらの切断くずは、洗浄時や、半導体チップをピックアップする時にダイシングテープから剥離しやすいため、樹脂ばりが多く発生する可能性がある。   On the other hand, when the filler is not contained, the cutting waste is in the form of clay and is not removed together with the washing water, so that a large amount of cutting waste tends to adhere on the dicing tape. Since these cutting scraps are easily peeled off from the dicing tape during cleaning or when picking up a semiconductor chip, a large amount of resin flash may occur.

さらに、本発明においては、ダイボンドシートがフィラーを含有することにより、シート切断時に回転刃に樹脂を残すことなく、回転刃を研磨しながら、短時間で接着シートを良好に切削し易い。したがって、回転刃の研磨効果及び接着シート切断性の点から、接着シートは硬いフィラーを含有することが好ましく、モース硬度（１０段階）３〜８の範囲の硬さのフィラーを含有することがより好ましく、モース硬度６〜７のフィラーを含有することがさらに好ましい。このときフィラーのモース硬度（１０段階）が３未満では回転刃の研磨効果が少なく、モース硬度が８を超えるとダイシング用の回転刃の寿命が短くなる傾向がある。なお、モース硬度３〜８のフィラーとしては、方解石、大理石、金（１８Ｋ）、鉄など（モース硬度３）、蛍石、パールなど（モース硬度４）、燐灰石、ガラスなど（モース硬度５）、正長石、オパールなど（モース硬度６）、シリカ、水晶、トルマリンなど（モース硬度７）があるが、中でも安価であり入手が容易でありことからモース硬度７のシリカが好ましい。   Furthermore, in the present invention, since the die bond sheet contains a filler, the adhesive sheet can be easily cut well in a short time while polishing the rotary blade without leaving resin on the rotary blade when cutting the sheet. Therefore, from the viewpoint of the polishing effect of the rotary blade and the cutting ability of the adhesive sheet, the adhesive sheet preferably contains a hard filler, and more preferably contains a filler having a hardness in the range of Mohs hardness (10 stages) 3-8. Preferably, a filler having a Mohs hardness of 6 to 7 is further contained. At this time, if the Mohs hardness (10 steps) of the filler is less than 3, the polishing effect of the rotary blade is small, and if the Mohs hardness exceeds 8, the life of the rotary blade for dicing tends to be shortened. In addition, as fillers with Mohs hardness of 3 to 8, calcite, marble, gold (18K), iron and the like (Mohs hardness 3), fluorite, pearl and the like (Mohs hardness 4), apatite, glass and the like (Mohs hardness 5), There are plagioclase, opal, etc. (Mohs hardness 6), silica, quartz, tourmaline, etc. (Mohs hardness 7). Among them, silica with Mohs hardness 7 is preferable because it is inexpensive and easily available.

フィラーの平均粒径は、０．０５μｍ未満であるとフィラーに回転刃の研磨効果を持たせつつ、ダイボンドシートに流動性を持たせることが困難となる傾向があり、また平均粒径が５μｍを超えるとダイボンドシートの薄膜化が困難となり、ダイボンドシート表面の平滑性を保つことが難しくなる傾向がある。したがって、ダイボンドシートの流動性と表面平滑性の点から、フィラーの平均粒径は、０．０５〜５μｍが好ましい。さらに、流動性が優れる点で平均粒径の下限としては、０．１μｍがより好ましく、０．３μｍが特に好ましい。また平滑性の点で、平均粒径の上限としては３μｍがより好ましく、１μｍが特に好ましい。   If the average particle size of the filler is less than 0.05 μm, it tends to be difficult to impart fluidity to the die bond sheet while giving the filler the polishing effect of the rotary blade, and the average particle size is 5 μm. If it exceeds, it will be difficult to make the die bond sheet thinner, and it will be difficult to maintain the smoothness of the die bond sheet surface. Therefore, the average particle diameter of the filler is preferably 0.05 to 5 μm from the viewpoint of fluidity and surface smoothness of the die bond sheet. Furthermore, the lower limit of the average particle diameter is more preferably 0.1 μm and particularly preferably 0.3 μm in terms of excellent fluidity. In terms of smoothness, the upper limit of the average particle diameter is more preferably 3 μm, and particularly preferably 1 μm.

なお、本発明においては、レーザー回折式粒度分布測定装置（日機装製マイクロトラック）を用いてフィラーの平均粒径を測定した。具体的には、フィラー０．１〜１．０ｇを秤取り、超音波により分散した後、粒度分布を測定し、その分布での累積重量が５０％となる粒子径を平均粒径とした。フィラーの比表面積に関しても、フィラーの平均粒径と同様に、流動性と表面平滑性の点から２〜２００ｍ２／ｇが好ましく、さらに流動性の点から比表面積の上限は５０ｍ２／ｇがより好ましく、１０ｍ２／ｇが特に好ましい。なお、本発明において、比表面積（ＢＥＴ比表面積）は、ブルナウアー・エメット・テーラー（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）式により、無機フィラーに窒素を吸着させてその表面積を測定した値であり、市販されているＢＥＴ装置により測定できる。 In the present invention, the average particle size of the filler was measured using a laser diffraction type particle size distribution measuring device (Nikkiso Microtrack). Specifically, 0.1 to 1.0 g of filler was weighed and dispersed by ultrasonic waves, then the particle size distribution was measured, and the particle diameter at which the cumulative weight in the distribution was 50% was taken as the average particle diameter. Regarding the specific surface area of the filler, similarly to the average particle diameter of the filler, 2 to 200 m 2 / g is preferable from the viewpoint of fluidity and surface smoothness, and the upper limit of the specific surface area is 50 m 2 / g from the viewpoint of fluidity. More preferred is 10 m 2 / g. In the present invention, the specific surface area (BET specific surface area) is a value obtained by adsorbing nitrogen to an inorganic filler according to Brunauer-Emmett-Teller formula and measuring the surface area. It can be measured with a BET device.

本発明のダイボンドシートは、前記高分子量成分、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分、フィラー、及び他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製した後、基材フィルム上に上記ワニスの層を形成させ、加熱乾燥した後、基材を除去して得ることができる。上記の混合、混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。   The die bond sheet of the present invention is prepared by mixing and kneading the high molecular weight component, a thermosetting component mainly composed of an epoxy resin, a filler, and other components in an organic solvent, and then preparing a varnish. After the above varnish layer is formed and dried by heating, the substrate can be removed. The above mixing and kneading can be carried out by appropriately combining dispersers such as a normal stirrer, a raking machine, a triple roll, and a ball mill. The heating and drying conditions are not particularly limited as long as the used solvent is sufficiently volatilized, but the heating is usually performed at 60 to 200 ° C. for 0.1 to 90 minutes.

上記ダイボンドシートの製造における上記ワニスの調製に用いる有機溶媒、即ちダイボンドシート調製後の残存揮発分は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ―メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどを使用することが好ましい。   The organic solvent used for the preparation of the varnish in the production of the die bond sheet, that is, the residual volatile content after the preparation of the die bond sheet is not limited as long as the material can be uniformly dissolved, kneaded or dispersed, and a conventionally known one is used. can do. Examples of such a solvent include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone, toluene, xylene, and the like. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. in terms of fast drying speed and low price.

有機溶媒の使用量は、ダイボンドシート調製後の残存揮発分が全重量基準で０．０１〜３重量％であれば特に制限はないが、耐熱信頼性の観点からは全重量基準で０．０１〜２重量％が好ましく、全重量基準で０．０１〜１．５重量％がさらに好ましい。   The amount of the organic solvent used is not particularly limited as long as the residual volatile content after preparation of the die bond sheet is 0.01 to 3% by weight based on the total weight, but 0.01% based on the total weight from the viewpoint of heat resistance reliability. ˜2% by weight is preferred, and 0.01 to 1.5% by weight based on the total weight is more preferred.

ダイボンドシートの膜厚は、基板の配線回路や下層の半導体チップに付設された金ワイヤ等の凹凸を充てん可能とするため、１０〜２５０μｍとすることが好ましい。１０μｍより薄いと応力緩和効果や接着性が乏しくなる傾向があり、２５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えにくくなる。なお、接着性が高く、また、半導体装置を薄型化できる点でより好ましくは２０〜１００μｍ、さらに好ましくは４０〜８０μｍである。   The film thickness of the die bond sheet is preferably 10 to 250 μm in order to be able to fill irregularities such as gold wires attached to the wiring circuit of the substrate and the lower semiconductor chip. If the thickness is less than 10 μm, the stress relaxation effect and adhesiveness tend to be poor. If the thickness is more than 250 μm, it is not economical, and it becomes difficult to meet the demand for downsizing of the semiconductor device. In addition, it is 20-100 micrometers from a point with high adhesiveness and the point which can make a semiconductor device thin, More preferably, it is 40-80 micrometers.

本発明において、硬化前（Ｂステージ状態）のダイボンドシートの２５℃における動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２００〜３０００ＭＰａであると、ダイシング性が優れる点で好ましい。ダイシング性に優れ、かつウエハとの密着性が優れる点で５００〜２０００ＭＰａがより好ましい。また、硬化前（Ｂステージ状態）のダイボンドシートの８０℃における動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａであると、８０℃でウエハにラミネート可能である点で好ましい。特にウエハへの密着性が高い点で、０．５〜５ＭＰａであるとことがより好ましい。   In this invention, it is preferable at the point which is excellent in dicing property that the storage elastic modulus by the dynamic viscoelasticity measurement in 25 degreeC of the die-bonding sheet before hardening (B stage state) is 200-3000 MPa. 500 to 2000 MPa is more preferable in terms of excellent dicing properties and excellent adhesion to the wafer. Moreover, it is preferable at the point which can be laminated | stacked on a wafer at 80 degreeC that the storage elastic modulus by 80 degreeC dynamic viscoelasticity measurement of the die-bonding sheet | seat before hardening (B stage state) is 0.1-10 MPa. In particular, 0.5 to 5 MPa is more preferable in terms of high adhesion to the wafer.

本発明において、硬化後（Ｃステージ状態）のダイボンドシートの１７０℃における動的粘弾性測定による貯蔵弾性率は、良好なワイヤボンディング性を得るために２０〜６００ＭＰａであることが好ましい。貯蔵弾性率は、より好ましくは４０〜６００ＭＰａ、さらに好ましくは４０〜４００ＭＰａである。弾性率は、動的粘弾性測定装置（レオロジー社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定することができる（サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、温度範囲−３０〜２００℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重）。   In this invention, it is preferable that the storage elastic modulus by the dynamic viscoelasticity measurement at 170 degreeC of the die-bonding sheet | seat after hardening (C stage state) is 20-600 MPa in order to acquire favorable wire-bonding property. The storage elastic modulus is more preferably 40 to 600 MPa, and further preferably 40 to 400 MPa. The elastic modulus can be measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (DVE-V4, manufactured by Rheology) (sample size: length 20 mm, width 4 mm, temperature range -30 to 200 ° C., heating rate 5). ° C / min, tensile mode, 10 Hz, automatic static load).

本発明ではダイボンドシートを多層構造を有する多層ダイボンドシートとして用いても良く、例えば、上述したダイボンドシートを２枚以上ラミネートしたもの、または、上述したダイボンドシートとそれ以外のダイボンドシートを複数ラミネートしたものとして用いても良い。例えば、第１の接着剤層及び第２の接着層剤が直接的又は間接的に積層された構造を有してなる多層ダイボンドシートであって、少なくとも第２の接着剤層が上述のダイボンドシートからなり、かつ、第１の接着剤層のフロー量Ａ、厚さａμｍと、第２の接着剤層のフロー量Ｂ、厚さｂμｍとが、Ａ×３＜Ｂかつａ×２＜ｂの関係を有する多層接着シートとして用いることができる。多層ダイボンドシートは、ウエハ、ダイボンドシート及びダイシングテープを貼り合せた際に、ウエハに接する側が第１の接着剤層であり、ダイシングテープに接する側が第２の接着剤層であることが好ましい。   In the present invention, the die bond sheet may be used as a multilayer die bond sheet having a multilayer structure, for example, a laminate of two or more of the above-described die bond sheets, or a laminate of a plurality of the above-described die bond sheets and other die bond sheets. It may be used as For example, a multilayer die bond sheet having a structure in which a first adhesive layer and a second adhesive layer agent are laminated directly or indirectly, and at least the second adhesive layer is the above-described die bond sheet And the flow amount A and thickness a μm of the first adhesive layer and the flow amount B and thickness b μm of the second adhesive layer satisfy A × 3 <B and a × 2 <b. It can be used as a multilayer adhesive sheet having a relationship. In the multilayer die bond sheet, when the wafer, the die bond sheet, and the dicing tape are bonded together, it is preferable that the side in contact with the wafer is the first adhesive layer, and the side in contact with the dicing tape is the second adhesive layer.

このような２層シートにすることで、Ａ又はＢの絶対値に応じて、接着時に適宜圧力・温度・時間（中でも特に圧力）を選択することにより、第２層は凹凸を埋め込み、第１層は凹凸により突き破られないように接着することが可能である。つまり、配線やワイヤの充てん性と、配線やワイヤと上部半導体チップとの絶縁性を確保することができる。Ａ×３≧Ｂの場合、第１の接着剤層が配線やワイヤの侵入を妨げる効果が低く、凹凸を形成する基板上の回路やワイヤの上部に位置する半導体チップと接し、絶縁性が確保されない傾向があり、またａ×２≧ｂの場合、凹凸やワイヤの充てん性が低下し、ボイドができやすくなる傾向がある。   By using such a two-layer sheet, the second layer is embedded with irregularities by appropriately selecting pressure, temperature, and time (particularly pressure) during bonding according to the absolute value of A or B. The layers can be bonded so that they are not pierced by irregularities. That is, it is possible to ensure the filling property of the wiring or wire and the insulation between the wiring or wire and the upper semiconductor chip. In the case of A × 3 ≧ B, the first adhesive layer has a low effect of preventing the intrusion of wiring and wires, and is in contact with the semiconductor chip located on the circuit on the substrate forming the unevenness and the wire, ensuring insulation. In the case of a × 2 ≧ b, there is a tendency that the unevenness and the filling property of the wire are lowered and voids are easily formed.

本発明において、フロー量は、硬化前のダイボンドシートとＰＥＴフィルムを１×２ｃｍの短冊状に打ち抜いたサンプルについて、熱圧着試験装置（テスター産業（株）製）を用いて熱板温度１００℃、圧力１ＭＰａで１８秒間プレスした後、サンプルの端部からはみだした樹脂の長さを光学顕微鏡で測定して得ることができる。   In the present invention, the flow amount is determined by using a thermocompression test apparatus (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.) with a hot plate temperature of 100 ° C. for a sample obtained by punching a die bond sheet and a PET film before curing into a 1 × 2 cm strip. After pressing for 18 seconds at a pressure of 1 MPa, the length of the resin protruding from the end of the sample can be obtained by measuring with an optical microscope.

また、例えば、第１の接着剤層及び第２の接着剤層が直接的又は間接的に積層された構造を有してなる多層ダイボンドシートであって、少なくとも第２の接着剤層が上述のダイボンドシートからなり、かつ、第１の接着剤層の溶融粘度αＰａ・ｓ、厚さａμｍと、第２の接着剤層の溶融粘度βＰａ・ｓ、厚さｂμｍとが、α＞β×３かつａ×２＜ｂの関係を有する多層ダイボンドシートとして用いることができる。多層ダイボンドシートは、ウエハ、ダイボンドシート及びダイシングテープを貼り合せた際に、ウエハに接する側が第１の接着剤層であり、ダイシングテープに接する側が第２の接着剤層であることが好ましい。   Also, for example, a multilayer die bond sheet having a structure in which a first adhesive layer and a second adhesive layer are laminated directly or indirectly, wherein at least the second adhesive layer is the above-described layer It is composed of a die bond sheet, and the melt viscosity αPa · s and thickness a μm of the first adhesive layer and the melt viscosity βPa · s and thickness b μm of the second adhesive layer are α> β × 3 and It can be used as a multilayer die bond sheet having a relationship of a × 2 <b. In the multilayer die bond sheet, when the wafer, the die bond sheet, and the dicing tape are bonded together, it is preferable that the side in contact with the wafer is the first adhesive layer, and the side in contact with the dicing tape is the second adhesive layer.

このような２層シートにすることで、α又はβの絶対値に応じて、接着時に適宜圧力・温度・時間（中でも特に圧力）を選択することにより、第２層は凹凸を埋め込み、第１層は凹凸により突き破られないように接着することが可能である。つまり、配線やワイヤの充てん性と、配線やワイヤと上部半導体素子との絶縁性を確保することができる。α≦β×３の場合、第１の接着剤層が配線やワイヤの侵入を妨げる効果が低く、凹凸を形成する基板上の回路やワイヤの上部に位置する半導体チップと接し、絶縁性が確保されない傾向があり、またａ×２≧ｂの場合、凹凸やワイヤの充てん性が低下し、ボイドができやすくなる傾向がある。   By using such a two-layer sheet, the second layer is embedded with irregularities by appropriately selecting pressure, temperature, and time (particularly pressure) during bonding according to the absolute value of α or β. The layers can be bonded so that they are not pierced by irregularities. That is, it is possible to ensure the fillability of the wiring or wire and the insulation between the wiring or wire and the upper semiconductor element. In the case of α ≦ β × 3, the first adhesive layer has a low effect of preventing intrusion of wiring and wires, and is in contact with the circuit on the substrate forming the unevenness and the semiconductor chip located above the wires to ensure insulation. In the case of a × 2 ≧ b, there is a tendency that the unevenness and the filling property of the wire are lowered and voids are easily formed.

本発明において、溶融粘度は、後述する平行平板プラストメータ法により硬化前のダイボンドシートについて測定、算出して得ることができる。なお、Ａ、Ｂ、α、β、ａ、ｂはそれぞれ適当な範囲内にあることが好ましく、Ａは１００〜４００μｍ、Ｂは３００〜２０００μｍが好ましい。低すぎると充てん性が悪化し、大きすぎると半導体素子端部からの樹脂の浸みだしが大きくなる傾向がある。αは３０００〜１５０万Ｐａ・ｓが好ましい。βは好ましくは１０００〜７５００Ｐａ・ｓ、特に好ましくは１０００〜５０００Ｐａ・ｓ、さらに好ましくは、１５００〜３０００Ｐａ・ｓである。高すぎると充てん性が悪化し、低すぎると半導体素子端部からの樹脂の浸みだしが大きくなる傾向がある。またａは５〜３０μｍ、ｂは１０〜２５０μｍであることが好ましい。なお、ダイボンドシートを単層で用いる場合についても、ダイボンドシート単体のフロー、溶融粘度及び厚さが、それぞれ上記で規定するＢ、β及びｂの範囲であることが好ましい。   In this invention, melt viscosity can be obtained by measuring and calculating about the die-bonding sheet | seat before hardening by the parallel plate plastometer method mentioned later. A, B, α, β, a, and b are preferably within appropriate ranges, and A is preferably 100 to 400 μm, and B is preferably 300 to 2000 μm. If it is too low, the filling property is deteriorated, and if it is too large, the resin oozes out from the end of the semiconductor element tends to increase. α is preferably 3,000 to 1,500,000 Pa · s. β is preferably 1000 to 7500 Pa · s, particularly preferably 1000 to 5000 Pa · s, and further preferably 1500 to 3000 Pa · s. If it is too high, the filling property is deteriorated, and if it is too low, the resin oozes out from the end of the semiconductor element tends to increase. Moreover, it is preferable that a is 5-30 micrometers and b is 10-250 micrometers. In addition, also when using a die-bonding sheet | seat by a single layer, it is preferable that the flow, melt viscosity, and thickness of a die-bonding sheet single body are the ranges of B, (beta), and b prescribed | regulated above, respectively.

第１の接着剤層としては、８０℃以下でウエハと貼付できれば、特に制限はなく、日立化成工業（株）製、ハイアタッチＨＳ−２１０、ＨＳ−２３０など使用できる。第２の接着剤層としては、上述のダイボンドシートを使用することができる。好ましい組合せの一例としては、ハイアタッチＨＳ−２３０（フロー量２５０μｍ、厚さ１０μｍ、溶融粘度３２万Ｐａ・ｓ）と上述のダイボンドシート（フロー量１０００μｍ、厚さ７０μｍ、溶融粘度２２００Ｐａ・ｓ）が挙げられる。その場合、Ａ×３＜Ｂ、α＞β×３、ａ×２＜ｂの関係式を満たしている。   The first adhesive layer is not particularly limited as long as it can be attached to a wafer at 80 ° C. or lower, and Hitachi Chemical Industries, Ltd., High Attach HS-210, HS-230, etc. can be used. As the second adhesive layer, the above-described die bond sheet can be used. As an example of a preferable combination, Hi-Attach HS-230 (flow amount 250 μm, thickness 10 μm, melt viscosity 320,000 Pa · s) and the above-mentioned die bond sheet (flow amount 1000 μm, thickness 70 μm, melt viscosity 2200 Pa · s) are used. Can be mentioned. In this case, the relational expressions A × 3 <B, α> β × 3, and a × 2 <b are satisfied.

上述のダイボンドシートは、それ自体で用いても構わないが、一実施態様として、上述のダイボンドシートを従来公知のダイシングテープ上に積層したダイシングテープ一体型接着シートとして用いることもできる。この場合、ウエハへのラミネート工程が一回で済む点で、作業の効率化が可能である。本発明に使用するダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。   Although the above-mentioned die bond sheet may be used by itself, as one embodiment, it can also be used as a dicing tape-integrated adhesive sheet in which the above-described die bond sheet is laminated on a conventionally known dicing tape. In this case, it is possible to increase the efficiency of the operation in that the laminating process on the wafer is performed only once. Examples of the dicing tape used in the present invention include plastic films such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, and a polyimide film.

また、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行っても良い。ダイシングテープは粘着性を有することが好ましく、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものを用いても良いし、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けても良い。これは、樹脂組成物において特に液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整することによって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。   Further, surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment and etching treatment may be performed as necessary. The dicing tape preferably has adhesiveness, and the above-mentioned plastic film provided with adhesiveness may be used, or an adhesive layer may be provided on one side of the above-mentioned plastic film. This can be formed by applying and drying a resin composition having an appropriate tack strength obtained by adjusting the ratio of the liquid component and the Tg of the high molecular weight component in the resin composition.

また、ダイボンドシートを半導体装置を製造する際に用いた場合、ダイシング時には半導体素子が飛散しない粘着力を有し、その後ピックアップ時にはダイシングテープから剥離することが望まれる。例えば、ダイボンドシートの粘着性が高すぎるとピックアップが困難になることがある。そのため、適宜、接着シートのタック強度を調節することが好ましく、その方法としては、ダイボンドシートの室温におけるフローを上昇させることにより、粘着強度及びタック強度も上昇する傾向があり、フローを低下させれば粘着強度及びタック強度も低下する傾向があることを利用すればよい。例えば、フローを上昇させる場合には、可塑剤の含有量の増加、粘着付与材含有量の増加等の方法がある。逆にフローを低下させる場合には、前記可塑剤の含有量物の減少、粘着付与材含有量の減少等の方法がある。前記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系のいわゆる希釈剤等が挙げられる。   Further, when the die bond sheet is used in manufacturing a semiconductor device, it is desired that the semiconductor element has an adhesive force that does not scatter during dicing, and then peels off from the dicing tape during pickup. For example, when the adhesiveness of the die bond sheet is too high, pickup may be difficult. For this reason, it is preferable to appropriately adjust the tack strength of the adhesive sheet, and as a method therefor, by increasing the flow of the die bond sheet at room temperature, the adhesive strength and tack strength tend to increase, and the flow can be reduced. For example, it may be used that the adhesive strength and tack strength tend to decrease. For example, when increasing the flow, there are methods such as increasing the plasticizer content and increasing the tackifier content. On the other hand, when the flow is lowered, there are methods such as a decrease in the content of the plasticizer and a decrease in the content of the tackifier. Examples of the plasticizer include monofunctional acrylic monomers, monofunctional epoxy resins, liquid epoxy resins, acrylic resins, and epoxy-based so-called diluents.

ダイシングテープ上にダイボンドシートを積層する方法としては、印刷のほか、予め作成したダイボンドシートをダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネートする方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネートする方法が好ましい。尚、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、ダイボンドシートの膜厚やダイシングテープ一体型ダイボンドシートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取扱い性が良い点で好ましくは６０〜１５０μｍ、よれ好ましくは７０〜１３０μｍである。   As a method of laminating the die bond sheet on the dicing tape, in addition to printing, there is a method of pressing and hot roll laminating a die bond sheet prepared in advance on the dicing tape, but it can be continuously manufactured and efficient. A hot roll laminating method is preferred. The film thickness of the dicing tape is not particularly limited and is appropriately determined based on the knowledge of a person skilled in the art depending on the film thickness of the die bond sheet and the use of the dicing tape-integrated die bond sheet. The film is preferably 60 to 150 [mu] m, more preferably 70 to 130 [mu] m from the viewpoint of easy handling of the film.

本発明におけるダイボンドシートは、好ましくは半導体装置の製造に用いられ、より好ましくはウエハ、ダイボンドシート及びダイシングテープを０℃〜８０℃で貼り合わせた後、回転刃でウエハ、ダイボンドシート及びダイシングテープを同時に切断し、接着剤付き半導体素子を得た後、当該接着剤付き半導体素子を凹凸を有する基板又は半導体素子に荷重０．００１〜１ＭＰａで接着し、接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造に用いられる。   The die bond sheet in the present invention is preferably used for manufacturing a semiconductor device, and more preferably, the wafer, the die bond sheet and the dicing tape are bonded at 0 ° C. to 80 ° C., and then the wafer, the die bond sheet and the dicing tape are bonded with a rotary blade. A semiconductor including a step of cutting at the same time to obtain a semiconductor element with an adhesive, and then bonding the semiconductor element with an adhesive to an uneven substrate or semiconductor element with a load of 0.001 to 1 MPa and filling the unevenness with an adhesive. Used in the manufacture of equipment.

本発明において、ウエハとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素などの化合物半導体などが使用される。ダイボンドシートを単層で用いる場合には、ウエハにダイボンドシートを貼り合わせた後、次いでダイボンドシート面にダイシングテープを貼り合わせればよい。また、ダイボンドシートを多層で用いる場合には、ウエハに第１の接着剤層、第２の接着剤層を順に貼り合わせてもよいし、予め第１の接着剤層及び第２の接着剤層を含む多層ダイボンドシートを作成しておき、当該多層ダイボンドシートをウエハに貼り合わせてもよい。また、ダイボンドシート又は多層ダイボンドシート、及びダイシングテープを備えるダイシングテープ一体型ダイボンドシートを用いることにより、半導体装置を製造することもできる。   In the present invention, as the wafer, in addition to single crystal silicon, polycrystalline silicon, various ceramics, compound semiconductors such as gallium arsenide, and the like are used. When the die bond sheet is used as a single layer, after the die bond sheet is bonded to the wafer, a dicing tape may be bonded to the die bond sheet surface. In addition, when the die bond sheet is used in multiple layers, the first adhesive layer and the second adhesive layer may be bonded to the wafer in order, or the first adhesive layer and the second adhesive layer may be bonded in advance. A multilayer die-bonding sheet containing the above may be prepared, and the multilayer die-bonding sheet may be bonded to the wafer. In addition, a semiconductor device can be manufactured by using a die bond sheet or a multilayer die bond sheet and a dicing tape integrated die bond sheet including a dicing tape.

ダイボンドシートをウエハに貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、好ましくは０〜８０℃であり、より好ましくは１５〜８０℃であり、特に好ましくは２０〜７０℃である。８０℃を超えるとダイボンドシート貼り付け後のウエハの反りが大きくなる傾向がある。ダイシングテープ又はダイシングテープ一体型ダイボンドシートを貼り付ける際にも、上記温度で行うことが好ましい。   The temperature at which the die bond sheet is attached to the wafer, that is, the laminating temperature is preferably 0 to 80 ° C, more preferably 15 to 80 ° C, and particularly preferably 20 to 70 ° C. If it exceeds 80 ° C., the warpage of the wafer after the die-bonding sheet is attached tends to increase. The dicing tape or the dicing tape-integrated die bond sheet is also preferably applied at the above temperature.

図９に、本発明の一実施態様であるダイボンドシートｂ、半導体ウエハＡ、及びダンシングテープ１１の断面図を示し、また、図１０に、本発明の一実施態様である多層ダイボンドシートｃ、半導体ウエハＡ、及びダイシングテープ１１の断面図を示す。図１０中、ａは第１の接着剤層、ｂ’は第２の接着剤層を示す。次いで、ダイボンドシート、ダイシングテープが貼り付けられた半導体ウエハを、ダイシングカッターを用いてダイシング、さらに洗浄、乾燥することにより、接着剤付き半導体素子を得ることができる。   FIG. 9 shows a cross-sectional view of a die bond sheet b, a semiconductor wafer A, and a dancing tape 11 according to an embodiment of the present invention. FIG. 10 shows a multilayer die bond sheet c, a semiconductor according to an embodiment of the present invention. Sectional drawing of the wafer A and the dicing tape 11 is shown. In FIG. 10, “a” represents the first adhesive layer, and “b ′” represents the second adhesive layer. Next, the semiconductor wafer with the adhesive can be obtained by dicing, further washing and drying the semiconductor wafer to which the die bond sheet and the dicing tape are attached using a dicing cutter.

また、他の実施態様として、本発明におけるダイボンドシートは、図１２に示すように基材フィルム１５の上にダイボンドシートｂを設けた基材フィルム付きダイボンドシートとして用いてもよい。このようにすれば、ダイボンドシート単体では扱いにくい場合でも便利であり、例えば、図１２に示す構造の接着シートと上述のダイシングテープを貼り合わせた後、基材フィルム１５を剥離し、その後に半導体ウエハＡを貼り合わせることで、容易に図９のような構造とすることができる。また、基材フィルム１５を剥離しないでそのままカバーフィルムとして使用することも可能である。   As another embodiment, the die bond sheet in the present invention may be used as a die bond sheet with a base film in which a die bond sheet b is provided on a base film 15 as shown in FIG. In this way, it is convenient even when it is difficult to handle the die bond sheet alone, for example, after bonding the adhesive sheet having the structure shown in FIG. 12 and the above-mentioned dicing tape, the base film 15 is peeled off, and then the semiconductor By bonding the wafer A, the structure as shown in FIG. 9 can be easily obtained. Further, the base film 15 can be used as it is as a cover film without being peeled off.

上記基材フィルム１５としては、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等がある。   The base film 15 is not particularly limited, and examples thereof include a polyester film, a polypropylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyimide film, a polyetherimide film, a polyether naphthalate film, and a methylpentene film.

また、本発明におけるダイボンドシートは、図１３に示すように多層接着シートが第２の接着剤層ｂ’、第１の接着剤層ａの順に基材フィルム上に設けられた基材フィルム付き接着シートとして用いてもよい。また、第１の接着剤層ａ、第２の接着剤層ｂ’の順に基材フィルム上に積層されていてもよい。   Moreover, the die-bonding sheet in the present invention is an adhesive with a base film in which a multilayer adhesive sheet is provided on a base film in the order of the second adhesive layer b ′ and the first adhesive layer a as shown in FIG. It may be used as a sheet. Moreover, you may laminate | stack on the base film in order of the 1st adhesive bond layer a and 2nd adhesive bond layer b '.

さらに、他の実施態様として、本発明におけるダイボンドシートは、図１２及び図１３に示す構造で、かつダイボンドシート自体がダイシングテープとしての役割を果たしても良い。このようなダイボンドシートは、ダイシングダイボンド一体型ダイボンドシートなどと呼ばれ、一つのシートでダイシングテープとしての役割と、ダイボンドシートとしての役割を果たすので、図１４のように、ダイシングしてピックアップするだけで接着剤付き半導体素子を得ることができる。   Furthermore, as another embodiment, the die bond sheet in the present invention may have the structure shown in FIGS. 12 and 13 and the die bond sheet itself may serve as a dicing tape. Such a die bond sheet is called a dicing die bond integrated die bond sheet or the like, and a single sheet serves as a dicing tape and a die bond sheet. Therefore, as shown in FIG. 14, it is simply diced and picked up. Thus, a semiconductor element with an adhesive can be obtained.

ダイボンドシートにこのような機能を持たせるには、例えば、ダイボンドシートが、光硬化性高分子量成分、光硬化性モノマー、光開始剤等の光硬化性成分を含んでいれば良い。このような一体型のシートは、半導体素子を基板又は半導体素子に接着する段階では光照射が行われており、硬化前の２５℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率、硬化前の８０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率のそれぞれの値は、光照射を行った後であり熱硬化が行われる前の段階における値を指す。   In order to give such a function to the die bond sheet, for example, the die bond sheet may contain a photocurable component such as a photocurable high molecular weight component, a photocurable monomer, and a photoinitiator. Such an integrated sheet is irradiated with light at the stage of bonding the semiconductor element to the substrate or the semiconductor element, and has a storage elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement at 25 ° C. before curing, and 80 before curing. Each value of the storage elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement at ° C. refers to a value in a stage after light irradiation and before thermosetting.

ダイシングダイボンド一体型のダイボンドシートは、好ましくはウエハ、ダイボンドシート及び基材フィルムを０℃〜８０℃で貼り合わせた後、回転刃でウエハ、ダイボンドシート及び基材フィルムを同時に切断し、接着剤付き半導体素子を得た後、当該接着剤付き半導体素子を凹凸を有する基板又は半導体素子に荷重０．００１〜１ＭＰａで接着し、接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造に用いられる。   The dicing die-bonding integrated die-bonding sheet is preferably attached to the wafer, die-bonding sheet and base film at 0 ° C to 80 ° C, and then simultaneously cutting the wafer, die-bonding sheet and base film with a rotary blade. After obtaining the semiconductor element, the adhesive-attached semiconductor element is adhered to a substrate having unevenness or a semiconductor element with a load of 0.001 to 1 MPa, and used for manufacturing a semiconductor device including a step of filling the unevenness with an adhesive.

得られた接着剤付き半導体素子は、配線に起因する凹凸を有する基板又はワイヤに起因する凹凸を有する半導体素子に、接着剤を介して荷重０．００１〜１ＭＰａで接着され、接着剤により凹凸が充てんされる（図）。荷重は０．０１〜０．５ＭＰａであることが好ましく、０．０１〜０．３ＭＰａであることがより好ましい。荷重が０．００１ＭＰａ未満であるとボイドが発生し耐熱性が低下する傾向があり、１ＭＰａを超えると半導体チップが破損する傾向がある。   The obtained semiconductor element with an adhesive is bonded to a substrate having unevenness due to wiring or a semiconductor element having unevenness due to wires with a load of 0.001 to 1 MPa via an adhesive, and the unevenness is caused by the adhesive. Filled (Figure). The load is preferably 0.01 to 0.5 MPa, and more preferably 0.01 to 0.3 MPa. When the load is less than 0.001 MPa, voids are generated and the heat resistance tends to be lowered, and when it exceeds 1 MPa, the semiconductor chip tends to be damaged.

図は、接着剤付き半導体素子をワイヤボンディングされた半導体チップに接着する際の工程の一例を示す概略図である。   FIG. 1 is a schematic view showing an example of a process for bonding a semiconductor element with an adhesive to a wire-bonded semiconductor chip.

本発明においては、接着剤付き半導体素子を基板又は半導体素子に接着する際に、基板の配線、半導体素子のワイヤ等の凹凸を加熱することが好ましい。加熱温度は、６０〜２４０℃であることが好ましく、１００〜１８０℃であることがより好ましい。６０℃未満であると接着性が低下する傾向があり、２４０℃を超えると基板が変形し、反りが大きくなる傾向がある。加熱方法としては、基板又は半導体素子を予め加熱した熱板に接触させる、基板又は半導体素子に赤外線又はマイクロ波を照射する、熱風を吹きかける等の方法が挙げられる。   In the present invention, when bonding the semiconductor element with an adhesive to the substrate or the semiconductor element, it is preferable to heat irregularities such as wiring on the substrate and wires of the semiconductor element. The heating temperature is preferably 60 to 240 ° C, and more preferably 100 to 180 ° C. When the temperature is lower than 60 ° C., the adhesiveness tends to decrease, and when the temperature exceeds 240 ° C., the substrate tends to be deformed and warpage tends to increase. Examples of the heating method include contacting the substrate or semiconductor element with a preheated hot plate, irradiating the substrate or semiconductor element with infrared rays or microwaves, and blowing hot air.

本発明で用いられるダイボンドシートは、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、及び（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物を含有する接着剤組成物を硬化させたものである。   The die bond sheet used in the present invention is obtained by curing an adhesive composition containing (a) an epoxy resin, (b) a curing agent, and (c) a polymer compound that is incompatible with the epoxy resin. .

（ａ）エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を呈するものであれば特に制限はない。二官能基以上で、好ましくは分子量が５０００未満、より好ましくは３０００未満のエポキシ樹脂が使用できる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもできる。   (A) The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and exhibits an adhesive action. Epoxy resins having at least two functional groups and preferably having a molecular weight of less than 5000, more preferably less than 3000 can be used. For example, a bifunctional epoxy resin such as a bisphenol A type epoxy resin or a bisphenol F type epoxy resin, a novolak type epoxy resin such as a phenol novolac type epoxy resin or a cresol novolac type epoxy resin, or the like can be used. Moreover, what is generally known, such as a polyfunctional epoxy resin and a heterocyclic ring-containing epoxy resin, can also be applied.

このようなエポキシ樹脂としては、市販のものでは、例えば、エピコート８０７，エピコート８１５，エピコート８２５，エピコート８２７，エピコート８２８，エピコート８３４，エピコート１００１，エピコート１００２，エピコート１００３，エピコート１０５５，エピコート１００４，エピコート１００４ＡＦ，エピコート１００７，エピコート１００９，エピコート１００３Ｆ，エピコート１００４Ｆ（以上、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名）、ＤＥＲ−３３０，ＤＥＲ−３０１，ＤＥＲ−３６１，ＤＥＲ−６６１，ＤＥＲ−６６２，ＤＥＲ−６６３Ｕ，ＤＥＲ−６６４，ＤＥＲ−６６４Ｕ，ＤＥＲ−６６７，ＤＥＲ−６４２Ｕ，ＤＥＲ−６７２Ｕ，ＤＥＲ−６７３ＭＦ，ＤＥＲ−６６８，ＤＥＲ−６６９（以上、ダウケミカル社製、商品名）、ＹＤ８１２５，ＹＤＦ８１７０（以上、東都化成株式会社製、商品名）等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ＹＤＦ−２００４（東都化成株式会社製、商品名）等のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エピコート１５２，エピコート１５４（以上、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名）、ＥＰＰＮ−２０１（日本化薬株式会社製、商品名）、ＤＥＮ−４３８（ダウケミカル社製、商品名）等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂、エピコート１８０Ｓ６５（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名）、アラルダイトＥＣＮ１２７３，アラルダイトＥＣＮ１２８０，アラルダイトＥＣＮ１２９９（以上、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名）、ＹＤＣＮ−７０１，ＹＤＣＮ−７０２，ＹＤＣＮ−７０３，ＹＤＣＮ−７０４（以上、東都化成株式会社製、商品名）、ＥＯＣＮ−１０２Ｓ，ＥＯＣＮ−１０３Ｓ，ＥＯＣＮ−１０４Ｓ，ＥＯＣＮ−１０１２，ＥＯＣＮ−１０２０，ＥＯＣＮ−１０２５，ＥＯＣＮ−１０２７（以上、日本化薬株式会社製、商品名）、ＥＳＣＮ−１９５Ｘ，ＥＳＣＮ−２００Ｌ，ＥＳＣＮ−２２０（以上、住友化学工業株式会社製、商品名）等のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポン１０３１Ｓ，エピコート１０３２Ｈ６０，エピコート１５７Ｓ７０（以上、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名）、アラルダイト０１６３（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名）、デナコールＥＸ−６１１，デナコールＥＸ−６１４，デナコールＥＸ−６１４Ｂ，デナコールＥＸ−６２２，デナコールＥＸ−５１２，デナコールＥＸ−５２１，デナコールＥＸ−４２１，デナコールＥＸ−４１１，デナコールＥＸ−３２１（以上、ナガセ化成株式会社製、商品名）、ＥＰＰＮ５０１Ｈ，ＥＰＰＮ５０２Ｈ（以上、日本化薬株式会社製、商品名）等の多官能エポキシ樹脂、エピコート６０４（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名）、ＹＨ−４３４（東都化成株式会社製、商品名）、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ（以上、三菱ガス化学株式会社製、商品名）、ＥＬＭ−１２０（住友化学株式会社製、商品名）等のアミン型エポキシ樹脂、アラルダイトＰＴ８１０（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名）等の複素環含有エポキシ樹脂、ＥＲＬ４２３４，ＥＲＬ４２９９，ＥＲＬ４２２１，ＥＲＬ４２０６（以上、ＵＣＣ社製、商品名）等の脂環式エポキシ樹脂などを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。   As such an epoxy resin, commercially available products include, for example, Epicoat 807, Epicoat 815, Epicoat 825, Epicoat 827, Epicoat 828, Epicoat 834, Epicoat 1001, Epicoat 1002, Epicoat 1003, Epicoat 1055, Epicoat 1004 and Epicoat 1004AF. , Epicoat 1007, Epicoat 1009, Epicoat 1003F, Epicoat 1004F (trade name, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), DER-330, DER-301, DER-361, DER-661, DER-662, DER-663U, DER-664, DER-664U, DER-667, DER-642U, DER-672U, DER-673MF, DER-668, DER-669 Bisphenol A type epoxy resins such as YD8125, YDF8170 (above, product name) manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., and bisphenol F type epoxy such as YDF-2004 (product name manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.). Resin, Epicoat 152, Epicoat 154 (above, Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name), EPPN-201 (Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name), DEN-438 (Dow Chemical Co., trade name), etc. Phenol novolac type epoxy resin, Epicoat 180S65 (trade name, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), Araldite ECN1273, Araldite ECN1280, Araldite ECN1299 (above, manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Inc.), YDCN-701, YDCN-702 Y CN-703, YDCN-704 (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1020, EOCN-1025, EOCN-1027 (above, Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name), ESCN-195X, ESCN-200L, ESCN-220 (above, Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name) and other cresol novolac epoxy resins, Epon 1031S, Epicoat 1032H60, Epicoat 157S70 (above, Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name), Araldite 0163 (Ciba Specialty Chemicals, trade name), Denacol EX-611, Denacol EX-614, Denacol EX-614B, Denacol EX-622 NACOAL EX-512, Denacol EX-521, Denacol EX-421, Denacol EX-411, Denacol EX-321 (above, manufactured by Nagase Chemical Co., Ltd., trade name), EPPN501H, EPPN502H (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., Multifunctional epoxy resin such as (trade name), Epicoat 604 (trade name, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), YH-434 (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), TETRAD-X, TETRAD-C (above, Mitsubishi Gas) Chemical-made, trade name), amine-type epoxy resins such as ELM-120 (Sumitomo Chemical Co., trade name), and hetero ring-containing epoxy resins such as Araldite PT810 (trade name, manufactured by Ciba Specialty Chemicals), ERL4234, ERL4299, ERL4221, ERL4206 (above UCC Co., can be used and alicyclic epoxy resin trade name) or the like, may be used in combination one or more of them.

本発明においては、耐熱性の観点から、室温で固体であり、環球式で測定した軟化点が５０℃以上のエポキシ樹脂が、好ましくはエポキシ樹脂全体の２０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは６０重量％以上使用される。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などが挙げられる。これらは併用してもよく、エポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。   In the present invention, from the viewpoint of heat resistance, an epoxy resin that is solid at room temperature and has a softening point of 50 ° C. or higher measured by a ring and ball type is preferably 20% by weight or more, more preferably 40% by weight of the total epoxy resin. More preferably, 60% by weight or more is used. Examples of such epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, alicyclic epoxy resins, aliphatic chain epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, and cresol novolac types. Epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, diglycidyl etherified product of biphenol, diglycidyl etherified product of naphthalenediol, diglycidyl etherified product of phenol, diglycidyl etherified product of alcohol, and alkyl substitution products thereof , Halides, hydrogenated substances and the like. These may be used in combination, and components other than the epoxy resin may be contained as impurities.

エポキシ樹脂の分子量が大きく、軟化点が５０℃以上のエポキシ樹脂、エポキシ樹脂とゴムの極性の差が大きいものの組合せが相溶しにくいことから、これらを使用することが好ましい。   It is preferable to use an epoxy resin having a large molecular weight and a softening point of 50 ° C. or higher, or a combination of epoxy resin and rubber having a large difference in polarity, which is not compatible with each other.

なお、エポキシ樹脂は高分子化合物と非相溶である必要があるが、エポキシ樹脂として２種類以上のエポキシ樹脂を併用した場合には、それらの混合物と高分子化合物とが非相溶であればよく、それぞれが非相溶である必要はない。例えば、軟化点が５０℃以上の単独で非相溶性のエポキシ樹脂ＹＤＣＮ７０３と軟化点が５０℃未満の単独で相溶性のエポキシ樹脂エピコート８２８を組合せた場合、それらを１：０〜１：１０の重量比で混合したエポキシ樹脂混合物は非相溶性となる。   The epoxy resin needs to be incompatible with the polymer compound, but when two or more types of epoxy resins are used in combination as the epoxy resin, the mixture and the polymer compound are incompatible. Well, each need not be incompatible. For example, when a single incompatible epoxy resin YDCN703 having a softening point of 50 ° C. or higher and a single compatible epoxy resin Epicoat 828 having a softening point of less than 50 ° C. are combined, they are 1: 0 to 1:10. An epoxy resin mixture mixed in a weight ratio becomes incompatible.

本発明において使用する（ｂ）硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化させることが可能なものであれば、特に限定することなく使用可能である。このような硬化剤としては、例えば、多官能フェノール類、アミン類、イミダゾール化合物、酸無水物、有機リン化合物およびこれらのハロゲン化物、ポリアミド、ポリスルフィド、三ふっ化ほう素などが挙げられる。   The (b) curing agent used in the present invention is not particularly limited as long as it can cure the epoxy resin. Examples of such curing agents include polyfunctional phenols, amines, imidazole compounds, acid anhydrides, organic phosphorus compounds and their halides, polyamides, polysulfides, boron trifluoride, and the like.

多官能フェノール類の例としては、単環二官能フェノールであるヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール，多環二官能フェノールであるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ナフタレンジオール類、ビフェノール類、及びこれらのハロゲン化物、アルキル基置換体などが挙げられる。また、これらのフェノール類とアルデヒド類との重縮合物であるフェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。   Examples of polyfunctional phenols include hydroquinone, resorcinol, catechol, monocyclic bifunctional phenols, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, naphthalenediols, biphenols, and halides thereof. And alkyl group-substituted products. Moreover, phenol resins such as phenol novolac resins, resol resins, bisphenol A novolac resins and cresol novolac resins, which are polycondensates of these phenols and aldehydes.

市販されている好ましいフェノール樹脂硬化剤としては、例えば、フェノライトＬＦ２８８２，フェノライトＬＦ２８２２，フェノライトＴＤ−２０９０，フェノライトＴＤ−２１４９，フェノライトＶＨ４１５０，フェノライトＶＨ４１７０（以上、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）などが挙げられる。   Preferable phenol resin curing agents on the market include, for example, Phenolite LF2882, Phenolite LF2822, Phenolite TD-2090, Phenolite TD-2149, Phenolite VH4150, Phenolite VH4170 (above, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) Company name, product name).

本発明においては、また、水酸基当量１５０ｇ／ｅｑ以上のフェノール樹脂が好ましく使用される。このようなフェノール樹脂としては、上記値を有する限り特に制限は無いが、吸湿時の耐電食性に優れることから、ノボラック型あるいはレゾール型の樹脂を用いることが好ましい。前記したフェノール樹脂の具体例として、例えば、下記一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂が挙げられる。

Figure 2008103700
In the present invention, a phenol resin having a hydroxyl equivalent weight of 150 g / eq or more is preferably used. Such a phenolic resin is not particularly limited as long as it has the above-mentioned value, but it is preferable to use a novolak-type or resol-type resin because of its excellent electric corrosion resistance when absorbing moisture. Specific examples of the above-described phenol resin include a phenol resin represented by the following general formula (I).
Figure 2008103700

（式中、Ｒ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐アルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、アニケル基、水酸基、アリール基、又はハロゲン原子を表し、ｎは１〜３の整数を表し、そしてｍは０〜５０の整数を表す。）
このようなフェノール樹脂としては、式（Ｉ）に合致する限り、特に制限は無いが、耐湿性の観点から、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に４８時間投入後の吸水率が２重量％以下であることが好ましい。また、熱重量分析計（ＴＧＡ）で測定した３５０℃での加熱重量減少率（昇温速度：５℃／ｍｉｎ，雰囲気：窒素）が５重量％未満のものを使用することは、加熱加工時などにおいて揮発分が抑制されることで、耐熱性、耐湿性などの諸特性の信頼性が高くなり、また、加熱加工などの作業時の揮発分による機器の汚染を低減することができるために、好ましい。式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂は、例えば、フェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができる。 (In the formula, each R 1 may be the same or different and is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cyclic alkyl group, an aralkyl group, an anikel group, a hydroxyl group, an aryl group, or a halogen atom. N represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 0 to 50.)
Such a phenolic resin is not particularly limited as long as it conforms to the formula (I). However, from the viewpoint of moisture resistance, the water absorption after introduction into a constant temperature and humidity chamber of 85 ° C. and 85% RH for 48 hours is 2 It is preferable that it is below wt%. In addition, the heating weight reduction rate at 350 ° C. (temperature increase rate: 5 ° C./min, atmosphere: nitrogen) measured with a thermogravimetric analyzer (TGA) is less than 5% by weight. Suppressing volatile matter, etc., increase the reliability of various properties such as heat resistance and moisture resistance, and reduce contamination of equipment due to volatile matter during work such as heat processing ,preferable. The phenol resin represented by the formula (I) can be obtained, for example, by reacting a phenol compound and a xylylene compound which is a divalent linking group in the presence of no catalyst or an acid catalyst.

上記したようなフェノール樹脂としては、例えば、ミレックスＸＬＣ−シリーズ，同ＸＬシリーズ（以上、三井化学株式会社製、商品名）などを挙げることができる。   Examples of the phenol resin as described above include Milex XLC-series and XL series (above, trade name, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.).

上記フェノール樹脂をエポキシ樹脂と組合せて使用する場合の配合量は、それぞれエポキシ当量と水酸基当量の当量比で０．７０／０．３０〜０．３０／０．７０となるのが好ましく、０．６５／０．３５〜０．３５／０．６５となるのがより好ましく、０．６０／０．４０〜０．４０／０．６０となるのがさらに好ましく、０．５５／０．４５〜０．４５／０．５５となるのが特に好ましい。配合比が上記範囲を超えると、接着剤にした際、硬化性に劣る可能性がある。   When the above phenol resin is used in combination with an epoxy resin, the equivalent ratio of epoxy equivalent and hydroxyl equivalent is preferably 0.70 / 0.30 to 0.30 / 0.70. 65 / 0.35 to 0.35 / 0.65 is more preferable, 0.60 / 0.40 to 0.40 / 0.60 is further preferable, and 0.55 / 0.45 to 0.55 / 0.45. A ratio of 0.45 / 0.55 is particularly preferable. When the blending ratio exceeds the above range, the curability may be inferior when an adhesive is used.

式（Ｉ）のフェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ｎ−プロピルフェノール、ｍ−ｎ−プロピルフェノール、ｐ−ｎ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｏ−ｎ−ブチルフェノール、ｍ−ｎ−ブチルフェノール、ｐ−ｎ−ブチルフェノール、ｏ−イソブチルフェノール、ｍ−イソブチルフェノール、ｐ−イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，４−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノール、２，４，６−トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、４−メトキシフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−アリルフェノール、ｐ−アリルフェノール、ｏ−ベンジルフェノール、ｐ−ベンジルフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−ブロモフェノール、ｐ−ブロモフェノール、ｏ−ヨードフェノール、ｐ−ヨードフェノール、ｏ−フルオロフェノール、ｍ−フルオロフェノール、ｐ−フルオロフェノール等が例示される。これらのフェノール化合物は、単独用いてもよく、二種類以上を混合して用いてもよい。特に好ましくは、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール等が挙げられる。   Examples of the phenol compound used for the production of the phenol resin of the formula (I) include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, p-ethylphenol, o-n-propylphenol, m- n-propylphenol, pn-propylphenol, o-isopropylphenol, m-isopropylphenol, p-isopropylphenol, on-butylphenol, mn-butylphenol, pn-butylphenol, o-isobutylphenol, m-isobutylphenol, p-isobutylphenol, octylphenol, nonylphenol, 2,4-xylenol, 2,6-xylenol, 3,5-xylenol, 2,4,6-trimethylphenol, resorcin, catechol, hydro Non, 4-methoxyphenol, o-phenylphenol, m-phenylphenol, p-phenylphenol, p-cyclohexylphenol, o-allylphenol, p-allylphenol, o-benzylphenol, p-benzylphenol, o-chloro Examples include phenol, p-chlorophenol, o-bromophenol, p-bromophenol, o-iodophenol, p-iodophenol, o-fluorophenol, m-fluorophenol, p-fluorophenol and the like. These phenol compounds may be used alone or in combination of two or more. Particularly preferred are phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol and the like.

式（Ｉ）のフェノール樹脂の製造に用いられる２価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が用いることができる。すなわち、α，α′−ジクロロ−ｐ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｍ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｏ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｐ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｍ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｏ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｐ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｍ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｏ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ｎ−プロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−イソプロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｏ−キシレンを挙げることが出来る。これらの内の一種類を単独で、あるいは二種以上を混合して用いられる。中でも好ましいのはα，α′−ジクロロ−ｐ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｍ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｏ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｏ−キシレンである。   As the xylylene compound which is a divalent linking group used for the production of the phenol resin of the formula (I), the following xylylene dihalide, xylylene glycol and derivatives thereof can be used. Α, α′-dichloro-p-xylene, α, α′-dichloro-m-xylene, α, α′-dichloro-o-xylene, α, α′-dibromo-p-xylene, α, α ′ -Dibromo-m-xylene, α, α'-dibromo-o-xylene, α, α'-diiodo-p-xylene, α, α'-diiodo-m-xylene, α, α'-diiodo-o-xylene Α, α′-dihydroxy-p-xylene, α, α′-dihydroxy-m-xylene, α, α′-dihydroxy-o-xylene, α, α′-dimethoxy-p-xylene, α, α′- Dimethoxy-m-xylene, α, α'-dimethoxy-o-xylene, α, α'-diethoxy-p-xylene, α, α'-diethoxy-m-xylene, α, α'-diethoxy-o-xylene, α, α′-di-n-propoxy-p-xylene, α α'-n-propoxy-m-xylene, α, α'-di-n-propoxy-o-xylene, α, α'-di-isopropoxy-p-xylene, α, α'-diisopropoxy-m -Xylene, α, α'-diisopropoxy-o-xylene, α, α'-di-n-butoxy-p-xylene, α, α'-di-n-butoxy-m-xylene, α, α ' -Di-n-butoxy-o-xylene, α, α'-diisobutoxy-p-xylene, α, α'-diisobutoxy-m-xylene, α, α'-diisobutoxy-o-xylene, α, α'-di Examples include -tert-butoxy-p-xylene, α, α'-di-tert-butoxy-m-xylene, and α, α'-di-tert-butoxy-o-xylene. One of these may be used alone or in combination of two or more. Of these, α, α'-dichloro-p-xylene, α, α'-dichloro-m-xylene, α, α'-dichloro-o-xylene, α, α'-dihydroxy-p-xylene, α, α'-dihydroxy-m-xylene, α, α'-dihydroxy-o-xylene, α, α'-dimethoxy-p-xylene, α, α'-dimethoxy-m-xylene, α, α'-dimethoxy-o -Xylene.

上記したフェノール化合物とキシリレン化合物を反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類；ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類；トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類；アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、強酸性イオン交換樹脂類；パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、超強酸性イオン交換樹脂類（商品名：ナフィオン、Ｎａｆｉｏｎ、ＤｕＰｏｎｔ社製）；天然及び合成ゼオライト類；活性白土（酸性白土）類等の酸性触媒を用い、５０〜２５０℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、且つ反応組成が一定になるまで反応させる。反応時間は原料や反応温度にもよるが、おおむね１時間〜１５時間程度であり、実際には、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）等により反応組成を追跡しながら決定すればよい。尚、例外的に、α，α′−ジクロロ−ｐ−キシレンのようなハロゲノキシレン誘導体を用いる場合は、対応するハロゲン化水素ガスを生じながら無触媒にて反応が進行するため、酸触媒は必要としない。その他の場合は、酸触媒の存在下において反応が進行し、対応する水又はアルコールが生じる。尚、フェノール化合物とキシリレン化合物との反応モル比は通常フェノール化合物を過剰に用い、反応後、未反応フェノール化合物を回収する。この時フェノール化合物の量により平均分子量が決定し、フェノール化合物がより多く過剰にあるほど平均分子量の低いフェノール樹脂が得られる。尚、フェノール化合物部分がアリルフェノールであるフェノール樹脂は、例えば、アリル化されていないフェノール樹脂を製造し、これにアリルハライドを反応させ、アリルエーテルを経て、クライゼン転移によりアリル化する方法により得ることができる。   When the above phenol compound and xylylene compound are reacted, mineral acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and polyphosphoric acid; organic compounds such as dimethyl sulfuric acid, diethyl sulfuric acid, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid and ethanesulfonic acid Carboxylic acids; Super strong acids such as trifluoromethanesulfonic acid; Strong acidic ion exchange resins such as alkane sulfonic acid type ion exchange resin; Super strong acidic ion exchange such as perfluoroalkane sulfonic acid type ion exchange resin Resins (trade names: Nafion, Nafion, manufactured by DuPont); natural and synthetic zeolites; xylylene compounds that are essentially raw materials disappear at 50 to 250 ° C using acidic catalysts such as activated clay (acid clay) And the reaction is continued until the reaction composition becomes constant. Although the reaction time depends on the raw materials and the reaction temperature, it is generally about 1 to 15 hours. In practice, it may be determined while tracking the reaction composition by GPC (gel permeation chromatography) or the like. In exceptional cases, when a halogenoxylene derivative such as α, α'-dichloro-p-xylene is used, an acid catalyst is necessary because the reaction proceeds without a catalyst while generating a corresponding hydrogen halide gas. And not. In other cases, the reaction proceeds in the presence of an acid catalyst to produce the corresponding water or alcohol. In addition, the reaction molar ratio of a phenolic compound and a xylylene compound usually uses a phenolic compound excessively, and collect | recovers an unreacted phenolic compound after reaction. At this time, the average molecular weight is determined by the amount of the phenol compound, and the phenol compound having a lower average molecular weight can be obtained as the phenol compound is more excessive. In addition, the phenol resin whose phenol compound part is allylphenol is obtained by, for example, producing a non-allylated phenol resin, reacting it with allyl halide, allyl ether, and then allylating by Claisen transition. Can do.

アミン類の例としては、脂肪族あるいは芳香族の第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第四級アンモニウム塩及び脂肪族環状アミン類、グアニジン類、尿素誘導体等が挙げられる。   Examples of amines include aliphatic or aromatic primary amines, secondary amines, tertiary amines, quaternary ammonium salts and aliphatic cyclic amines, guanidines, urea derivatives, and the like.

これらの化合物の一例としては、Ｎ，Ｎ−ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、テトラメチルグアニジン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４．４．０］−５−ノネン、ヘキサメチレンテトラミン、ピリジン、ピコリン、ピペリジン、ピロリジン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメチルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルアニリン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリフェニルアミン、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウムアイオダイド、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジシアンジアミド、トリルビグアニド、グアニル尿素、ジメチル尿素等が挙げられる。   Examples of these compounds include N, N-benzyldimethylamine, 2- (dimethylaminomethyl) phenol, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, tetramethylguanidine, triethanolamine, N, N '-Dimethylpiperazine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo [4.4.0] -5 -Nonene, hexamethylenetetramine, pyridine, picoline, piperidine, pyrrolidine, dimethylcyclohexylamine, dimethylhexylamine, cyclohexylamine, diisobutylamine, di-n-butylamine, diphenylamine, N-methylaniline, tri-n-propylamine, tri -N-octylamine, tri- - butylamine, triphenylamine, tetramethylammonium chloride, tetramethylammonium bromide, tetramethylammonium iodide, triethylenetetramine, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenyl ether, dicyandiamide, tolylbiguanide, guanylurea, dimethylurea and the like.

イミダゾール化合物の例としては、イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、４，５−ジフェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、２−イソプロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチルイミダゾリン、ベンズイミダゾール、１−シアノエチルイミダゾールなどが挙げられる。   Examples of imidazole compounds include imidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2- Heptadecylimidazole, 4,5-diphenylimidazole, 2-methylimidazoline, 2-phenylimidazoline, 2-undecylimidazoline, 2-heptadecylimidazoline, 2-isopropylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, 2-phenyl-4 -Methylimidazole, 2-ethylimidazoline, 2-phenyl-4-methylimidazoline, benzimidazole, 1-cyanoethylimidazole and the like.

酸無水物の例としては、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等がある。   Examples of the acid anhydride include phthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, pyromellitic dianhydride, benzophenone tetracarboxylic dianhydride, and the like.

有機リン化合物としては、有機基を有するリン化合物であれば特に限定されずに使用でき、例えば、ヘキサメチルリン酸トリアミド、リン酸トリ（ジクロロプロピル）、リン酸トリ（クロロプロピル）、亜リン酸トリフェニル、リン酸トリメチル、フェニルフォスフォン酸、トリフェニルフォスフィン、トリ−ｎ−ブチルフォスフィン、ジフェニルフォスフィンなどが挙げられる。   As the organic phosphorus compound, any phosphorus compound having an organic group can be used without particular limitation. For example, hexamethylphosphoric triamide, tri (dichloropropyl) phosphate, tri (chloropropyl) phosphate, phosphorous acid Examples include triphenyl, trimethyl phosphate, phenylphosphonic acid, triphenylphosphine, tri-n-butylphosphine, diphenylphosphine, and the like.

これらの硬化剤は、単独、或いは、組み合わせて用いることもできる。これら硬化剤の配合量は、エポキシ基の硬化反応を進行させることができれば、特に限定することなく使用できるが、好ましくは、エポキシ基１モルに対して、０．０１〜５．０当量の範囲で、特に好ましくは０．８〜１．２当量の範囲で使用する。なお、エポキシ樹脂及び硬化剤において、変異原性を有しない化合物、例えば、ビスフェノールＡを使用しないものが、環境や人体への影響が小さいので好ましい。   These curing agents can be used alone or in combination. The compounding amount of these curing agents can be used without particular limitation as long as the curing reaction of the epoxy group can be advanced, but is preferably in the range of 0.01 to 5.0 equivalents with respect to 1 mol of the epoxy group. And particularly preferably in the range of 0.8 to 1.2 equivalents. In addition, in an epoxy resin and a hardening | curing agent, the compound which does not have mutagenicity, for example, the thing which does not use bisphenol A is preferable since the influence on an environment or a human body is small.

本発明において使用される（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物としては、エポキシ樹脂と非相溶である限り、特に制限はないが、例えば、アクリル系共重合体、アクリルゴム等のゴム、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリアミドイミド等のシリコーン変性樹脂などが挙げられる。なお、エポキシ樹脂と非相溶であるとは、エポキシ樹脂と分離して二つ以上の相に分かれる性質をいう。樹脂の相溶性は、該エポキシ樹脂と該アクリル共重合体を含むワニス（成分比＝１：１）から調製したフィルム（５０μｍ）の可視光（６００ｎｍ）透過率から定義する。透過率が５０％以上を「相溶」とし、５０％未満を「非相溶（相溶しない）」とする。本発明で用いる（ｃ）高分子化合物は、該透過率が３０％未満であるものが更に好ましい。   The polymer compound that is incompatible with the epoxy resin (c) used in the present invention is not particularly limited as long as it is incompatible with the epoxy resin. For example, an acrylic copolymer, an acrylic rubber, etc. And silicone-modified resins such as silicone resins and silicone-modified polyamideimides. The term “incompatible with the epoxy resin” means a property that separates from the epoxy resin and separates into two or more phases. The compatibility of the resin is defined from the visible light (600 nm) transmittance of a film (50 μm) prepared from a varnish (component ratio = 1: 1) containing the epoxy resin and the acrylic copolymer. A transmittance of 50% or more is defined as “compatible” and less than 50% is defined as “incompatible (not compatible)”. The polymer compound (c) used in the present invention more preferably has a transmittance of less than 30%.

本発明で用いる（ｃ）高分子化合物は、反応性基（官能基）を有し、重量平均分子量が１０万以上であるものが好ましい。前記反応性基としては、例えば、カルボン酸基、アミノ基、水酸基及びエポキシ基等が挙げられる。これらの中でも、官能基モノマーが、カルボン酸タイプのアクリル酸であると、橋架け反応が進行しやすく、ワニス状態でのゲル化Ｂステージ状態での硬化度の上昇により接着力が低下することがある。そのため、これらを生ずることがないか、あるいは生じる場合でも期間が長いエポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを使用することがより好ましい。（ｃ）高分子化合物としては、重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有アクリル共重合体を使用することが更に好ましい。かかる（ｃ）高分子化合物は、高分子化合物を得る重合反応において、未反応モノマーが残存するように重合して得るか、又は高分子化合物を得た後、反応性基含有モノマーを添加することによっても得ることができる。   The polymer compound (c) used in the present invention preferably has a reactive group (functional group) and has a weight average molecular weight of 100,000 or more. Examples of the reactive group include a carboxylic acid group, an amino group, a hydroxyl group, and an epoxy group. Among these, when the functional group monomer is a carboxylic acid type acrylic acid, the crosslinking reaction is likely to proceed, and the adhesive strength may decrease due to the increase in the degree of curing in the gelled B stage state in the varnish state. is there. Therefore, it is more preferable to use glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate having an epoxy group which does not generate these or even has a long period. As the polymer compound (c), it is more preferable to use an epoxy group-containing acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 100,000 or more. The polymer compound (c) is obtained by polymerizing the polymer compound so that unreacted monomers remain in the polymerization reaction for obtaining the polymer compound, or after the polymer compound is obtained, a reactive group-containing monomer is added. Can also be obtained.

なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。   In addition, a weight average molecular weight is a polystyrene conversion value using the calibration curve by a standard polystyrene by the gel permeation chromatography method (GPC).

アクリル共重合体としては、例えば、アクリル酸エステルやメタクリル酸エステル及びアクリロニトリルなどの共重合体であるアクリルゴムが挙げられる。また、接着性及び耐熱性が高いことから、官能基としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６重量％を含み、ガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」と略す）が−５０℃以上３０℃以下、更には−１０℃以上３０℃以下でかつ重量平均分子量が１０万以上であるアクリル共重合体が特に好ましい。グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６重量％含み、Ｔｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子量が１０万以上であるアクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（帝国化学産業株式会社製、商品名）が挙げられる。官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの量は、２〜６重量％の共重合体比であることがより好ましい。より高い接着力を得るためには、２重量％以上が好ましく、６重量％を超えるとゲル化する可能性がある。残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のＴｇを考慮して調整することが好ましい。Ｔｇが−１０℃未満であるとＢステージ状態での接着剤層又は接着フィルムのタック性が大きくなる傾向があり、取り扱い性が悪化することがある。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。   As an acrylic copolymer, acrylic rubber which is copolymers, such as acrylic ester, methacrylic ester, and acrylonitrile, is mentioned, for example. Moreover, since it has high adhesiveness and heat resistance, it contains 0.5 to 6% by weight of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as a functional group, and has a glass transition temperature (hereinafter abbreviated as “Tg”) of −50 ° C. or more and 30 ° C. In the following, an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of not less than −10 ° C. and not more than 30 ° C. and a weight average molecular weight of not less than 100,000 is particularly preferred. Examples of the acrylic copolymer containing 0.5 to 6% by weight of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate, having a Tg of -10 ° C or higher and a weight average molecular weight of 100,000 or higher include HTR-860P-3 (Imperial Chemical Industry). Product name). The amount of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate used as the functional group monomer is more preferably a copolymer ratio of 2 to 6% by weight. In order to obtain higher adhesive strength, the content is preferably 2% by weight or more, and if it exceeds 6% by weight, gelation may occur. The balance can be a mixture of alkyl acrylate having 1 to 8 carbon atoms such as methyl acrylate and methyl methacrylate, alkyl methacrylate, and styrene and acrylonitrile. Among these, ethyl (meth) acrylate and / or butyl (meth) acrylate are particularly preferable. The mixing ratio is preferably adjusted in consideration of the Tg of the copolymer. When Tg is less than −10 ° C., the tackiness of the adhesive layer or the adhesive film in the B-stage state tends to increase, and the handleability may deteriorate. There is no restriction | limiting in particular in a polymerization method, For example, pearl polymerization, solution polymerization, etc. are mentioned, A copolymer is obtained by these methods.

エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量が３０万未満であると、シート状、フィルム状での強度や可とう性の低下やタック性が増大する可能性があり、一方、３００万を超えると、フロー性が小さく配線の回路充填性が低下する可能性がある。   The weight average molecular weight of the epoxy group-containing acrylic copolymer is preferably 300,000 to 3,000,000, and more preferably 500,000 to 2,000,000. If the weight average molecular weight is less than 300,000, there is a possibility that the strength and flexibility in sheet form and film form will be lowered and the tackiness will be increased. Circuit fillability may be reduced.

上記（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物の添加量は、弾性率低減や成型時のフロー性抑制が可能なため、（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化剤との合計重量をＡとし、（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物の重量をＢとしたとき、その比率Ａ／Ｂが０．２４〜１．０であることが好ましい。高分子化合物の配合比率が０．２４未満であると、弾性率の低減及び成形時のフロー性抑制効果が少ない傾向があり、一方、１．０を超えると、高温での取り扱い性が低下する傾向がある。   Since the addition amount of the polymer compound that is incompatible with the (c) epoxy resin can reduce the elastic modulus and suppress the flow property during molding, the total weight of the (a) epoxy resin and (b) the curing agent Is A and (c) the weight of the polymer compound incompatible with the epoxy resin is B, the ratio A / B is preferably 0.24 to 1.0. When the blending ratio of the polymer compound is less than 0.24, there is a tendency that the elastic modulus is reduced and the flowability suppressing effect at the time of molding tends to be small. On the other hand, when it exceeds 1.0, the handleability at high temperatures is lowered. Tend.

本発明におけるダイボンドシートを形成する接着剤組成物には、更に、必要に応じて（ｄ）フィラー及び／又は（ｅ）硬化促進剤を添加することができる。   In the adhesive composition forming the die bond sheet in the present invention, (d) a filler and / or (e) a curing accelerator can be further added as necessary.

本発明において使用される（ｄ）フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられるが、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与などのために、無機フィラーを添加することが好ましい。   Examples of the filler (d) used in the present invention include inorganic fillers and organic fillers. In order to improve the handleability, improve the thermal conductivity, adjust the melt viscosity and impart thixotropic properties, the inorganic filler is used. It is preferable to add.

無機フィラーとしては特に制限が無く、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが挙げられる。これらは、１種又は２種以上を併用することもできる。熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが好ましい。   There are no particular restrictions on the inorganic filler. For example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, nitriding Examples thereof include boron, crystalline silica, and amorphous silica. These may be used alone or in combination of two or more. In order to improve thermal conductivity, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like are preferable. For the purpose of adjusting melt viscosity and imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, crystalline silica, Amorphous silica and the like are preferable.

有機フィラーとしては、各種ゴムフィラーなどがあり、例えば、アクリロニトリルブタジエンゴムフィラー、シリコーンゴムフィラーなどが挙げられる。これらは低温における可とう性の向上及び低弾性率化に効果がある。   Examples of the organic filler include various rubber fillers such as acrylonitrile butadiene rubber filler and silicone rubber filler. These are effective in improving the flexibility at low temperatures and reducing the elastic modulus.

本発明において使用するフィラーは、水との接触角が１００度以下であることがより好ましい。水との接触角が１００度超の場合、フィラーの添加効果が減少する傾向がある。水との接触角が６０度以下である場合は特に耐リフロー性向上の効果が高く、特に好ましい。フィラーの平均粒径は０．００５μｍ以上、０．１μｍ以下であることが好ましい。平均粒径が０．００５μｍ未満の場合、分散性、流動性が低下する傾向があり、０．１μｍを超える場合、接着性の向上効果が減少する傾向がある。   As for the filler used in this invention, it is more preferable that a contact angle with water is 100 degrees or less. When the contact angle with water exceeds 100 degrees, the effect of adding filler tends to decrease. When the contact angle with water is 60 degrees or less, the effect of improving the reflow resistance is particularly high, which is particularly preferable. The average particle size of the filler is preferably 0.005 μm or more and 0.1 μm or less. When the average particle size is less than 0.005 μm, the dispersibility and fluidity tend to decrease, and when it exceeds 0.1 μm, the effect of improving adhesiveness tends to decrease.

なお、フィラーの水との接触角は以下の方法で測定される。フィラーを圧縮成型し平板を作製し、その上に水滴を滴下し、その水滴が平板と接触する角度を接触角計で測定する。接触角の値は、この測定を１０回行い、その平均値を使用する。   The contact angle of the filler with water is measured by the following method. A filler is compression-molded to produce a flat plate, a water droplet is dropped on it, and the angle at which the water droplet contacts the flat plate is measured with a contact angle meter. For the value of the contact angle, this measurement is performed 10 times and the average value is used.

このようなフィラーとしてはシリカ、アルミナ、アンチモン酸化物などが挙げられる。シリカはシーアイ化成株式会社からナノテックＳｉＯ２（接触角：４３度、平均粒径：０．０１２μｍ）という商品名で、或いは日本アエロジル株式会社からアエロジルＲ９７２（平均粒径：０．０１６μｍ）という商品名で市販されている。アルミナは、シーアイ化成株式会社からナノテックＡｌ２Ｏ３（接触角：５５度、平均粒径：０．０３３μｍ）という商品名で市販されている。三酸化二アンチモンは日本精鉱株式会社からＰＡＴＯＸ−Ｕ（接触角：４３度、平均粒径：０．０２μｍ）という商品名で市販されている。 Examples of such filler include silica, alumina, antimony oxide and the like. Silica is a trade name of Nanotech SiO 2 (contact angle: 43 degrees, average particle size: 0.012 μm) from CI Chemical Co., Ltd. or a product name of Aerosil R972 (average particle size: 0.016 μm) from Nippon Aerosil Co., Ltd. Is commercially available. Alumina is commercially available from CI Kasei Co., Ltd. under the trade name Nanotech Al 2 O 3 (contact angle: 55 degrees, average particle size: 0.033 μm). Antimony trioxide is commercially available from Nippon Seiko Co., Ltd. under the trade name PATOX-U (contact angle: 43 degrees, average particle size: 0.02 μm).

フィラーの添加量はエポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部に対して０重量部以上５０重量部以下であることが好ましい。前記添加量が５０重量部を超えると、接着剤の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下などの問題が起こりやすくなる傾向がある。更に好ましくは５重量部以上４０重量部未満であり、特に好ましくは１０重量部以上３０重量部未満である。   The addition amount of the filler is preferably 0 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin and its curing agent. When the added amount exceeds 50 parts by weight, problems such as an increase in the storage elastic modulus of the adhesive and a decrease in adhesiveness tend to occur. More preferably, it is 5 parts by weight or more and less than 40 parts by weight, and particularly preferably 10 parts by weight or more and less than 30 parts by weight.

本発明におけるダイボンドシートを形成する接着剤組成物に使用される（ｅ）硬化促進剤としては、特に制限が無く、例えば、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩などを用いることができる。イミダゾール類としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を併用することもできる。イミダゾール類は、例えば、四国化成工業（株）から、２Ｅ４ＭＺ、２ＰＺ−ＣＮ、２ＰＺ−ＣＮＳという商品名で市販されている。   There is no restriction | limiting in particular as a hardening accelerator used for the adhesive composition which forms the die-bonding sheet in this invention, For example, using tertiary amine, imidazole, a quaternary ammonium salt etc. is used. it can. Examples of imidazoles include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, and the like. Species or two or more can be used in combination. Imidazoles are commercially available, for example, from Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. under the trade names 2E4MZ, 2PZ-CN, and 2PZ-CNS.

また、ダイボンドシートの使用期間が長くなる点で潜在性を有する硬化促進剤であることが好ましい。その代表例としてはジシアンジアミド、アジピン酸ジヒドラジド等のジヒドラジド化合物、グアナミン酸、メラミン酸、エポキシ化合物とイミダゾール化合物との付加化合物、エポキシ化合物とジアルキルアミン類との付加化合物、アミンとチオ尿素との付加化合物、アミンとイソシアネートとの付加化合物などが挙げられる。また、室温での活性を低減できる点でアダクト型の構造をとっているものが好ましい。   Moreover, it is preferable that it is a hardening accelerator which has the potential in the point that the use period of a die-bonding sheet becomes long. Typical examples include dihydrazide compounds such as dicyandiamide and adipic acid dihydrazide, guanamic acid, melamic acid, addition compound of epoxy compound and imidazole compound, addition compound of epoxy compound and dialkylamine, addition compound of amine and thiourea And an addition compound of an amine and an isocyanate. Moreover, what has taken the structure of the adduct type at the point which can reduce activity at room temperature is preferable.

（ｅ）硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂及び硬化剤との総量に対して０〜５．０重量％とすることが好ましく、０．０５〜３．０重量％とすることがより好ましく、更には０．２〜３．０重量％とすることがより好ましい。硬化促進剤の配合量が５．０重量％を超えると、保存安定性が低下し、ポットライフが不充分となる傾向がある。   (E) It is preferable to make the compounding quantity of a hardening accelerator into 0 to 5.0 weight% with respect to the total amount with an epoxy resin and a hardening | curing agent, and it is more preferable to set it as 0.05 to 3.0 weight%. Furthermore, it is more preferable to set it as 0.2 to 3.0 weight%. When the blending amount of the curing accelerator exceeds 5.0% by weight, the storage stability tends to decrease and the pot life tends to be insufficient.

また、本発明においては、前記接着剤組成物の硬化物、すなわちダイボンドシートが、２４０℃で貯蔵弾性率を測定した場合、１〜２０ＭＰａであることが好ましい。貯蔵弾性率が２０ＭＰａを超える場合には応力緩和性が低下し、そりなどが発生しやすくなり、一方、１ＭＰａ未満の場合には、リフロークラックが発生しやすくなる。   Moreover, in this invention, when the hardened | cured material of the said adhesive composition, ie, a die-bond sheet, measures a storage elastic modulus at 240 degreeC, it is preferable that it is 1-20 Mpa. When the storage elastic modulus exceeds 20 MPa, the stress relaxation property is lowered and warpage is likely to occur. On the other hand, when it is less than 1 MPa, reflow cracks are likely to occur.

なお、２４０℃での貯蔵弾性率の測定は次のように行われる。まず、初期長２０ｍｍ（Ｌ）、厚さ約５０μｍの接着剤組成物を１７０℃で１時間硬化させ、硬化フィルムを作成する。この硬化フィルムに一定荷重１〜１０ｋｇ（Ｗ）を印荷した状態で２４０℃の恒温槽に投入する。投入後、硬化フィルムの温度が２４０℃に達した後、硬化フィルムの伸び量（ΔＬ）と断面積（Ｓ）を求めて下記の式から貯蔵弾性率（Ｅ’）を算出する。   The storage elastic modulus at 240 ° C. is measured as follows. First, an adhesive composition having an initial length of 20 mm (L) and a thickness of about 50 μm is cured at 170 ° C. for 1 hour to produce a cured film. A constant load of 1 to 10 kg (W) is applied to the cured film, and the cured film is put into a constant temperature bath at 240 ° C. After the addition, when the temperature of the cured film reaches 240 ° C., the elongation (ΔL) and the cross-sectional area (S) of the cured film are obtained, and the storage elastic modulus (E ′) is calculated from the following formula.

Ｅ’＝Ｌ・Ｗ／（ΔＬ・Ｓ）
前記接着剤組成物を２７０℃で加熱した際の重量減少率は、２重量％以下であることが好ましく、より好ましくは１．５重量％であり、さらに好ましくは１重量％である。加熱時の重量減少率がこれより大きいと、その使用時に周辺機器を汚染する傾向がある。 E ′ = L · W / (ΔL · S)
The weight reduction rate when the adhesive composition is heated at 270 ° C. is preferably 2% by weight or less, more preferably 1.5% by weight, and further preferably 1% by weight. If the weight loss rate during heating is larger than this, there is a tendency to contaminate peripheral devices during use.

前記接着剤組成物には、その可とう性や耐リフロークラック性向上のため、更に、エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂としては特に制限が無く、例えば、フェノキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂、極性の大きい官能基含有ゴム、極性の大きい官能基含有反応性ゴム等を使用することができる。   In order to improve the flexibility and reflow crack resistance, a high molecular weight resin compatible with an epoxy resin can be added to the adhesive composition. The high molecular weight resin compatible with the epoxy resin is not particularly limited. For example, phenoxy resin, high molecular weight epoxy resin, ultra high molecular weight epoxy resin, highly polar functional group-containing rubber, and highly polar functional group-containing reactive rubber. Etc. can be used.

フェノキシ樹脂は、東都化成（株）から、フェノトートＹＰ−４０、フェノトートＹＰ−５０という商品名で市販されている。また、フェノキシアソシエート社から、ＰＫＨＣ、ＰＫＨＨ、ＰＫＨＪという商品名でも市販されている。   Phenoxy resins are commercially available from Toto Kasei Co., Ltd. under the trade names of Phenototo YP-40 and Phenototo YP-50. They are also commercially available from Phenoxy Associates under the trade names PKHC, PKHH, and PKHJ.

高分子量エポキシ樹脂としては、分子量が３万〜８万の高分子量エポキシ樹脂、さらには、分子量が８万を越える超高分子量エポキシ樹脂（特公平７−５９６１７号公報、特公平７−５９６１８号公報、特公平７−５９６１９号公報、特公平７−５９６２０号公報、特公平７−６４９１１号公報、特公平７−６８３２７号公報等参照）が挙げられる。極性の大きい官能基含有反応性ゴムとして、カルボキシル基含有アクリロニトリルブタジエンゴムは、ＪＳＲ（株）から、ＰＮＲ−１という商品名で市販されている。   Examples of the high molecular weight epoxy resin include a high molecular weight epoxy resin having a molecular weight of 30,000 to 80,000, and an ultrahigh molecular weight epoxy resin having a molecular weight exceeding 80,000 (Japanese Patent Publication No. 7-59617 and Japanese Patent Publication No. 7-59618). No. 7-59619, No. 7-59620, No. 7-64911, No. 7-68327, etc.). As a functional group-containing reactive rubber having a large polarity, carboxyl group-containing acrylonitrile butadiene rubber is commercially available from JSR Corporation under the trade name PNR-1.

エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、４０重量部以下とするのが好ましい。４０重量部を超えると、エポキシ樹脂層のＴｇを低下させる可能性がある。   The amount of high molecular weight resin compatible with the epoxy resin is preferably 40 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin. If it exceeds 40 parts by weight, Tg of the epoxy resin layer may be lowered.

また、前記接着剤組成物には、異種材料間の界面結合を良くするために、更に、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが、シラン系カップリング剤が最も好ましい。   Further, various coupling agents can be added to the adhesive composition in order to improve the interfacial bond between different materials. Examples of the coupling agent include silane-based, titanium-based, and aluminum-based, and silane-based coupling agents are most preferable.

シラン系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エトキシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−トリメトキシシラン、３−（４，５−ジヒドロ）イミダゾール−１−イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピル−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−ジメトキシシラン、３−シアノプロピル−トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキシ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。   The silane coupling agent is not particularly limited, and examples thereof include vinyltrichlorosilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and γ-methacrylate. Roxypropylmethyldimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxy Silane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-γ- Aminopro Rutrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltri Methoxysilane, 3-aminopropyl-tris (2-methoxy-ethoxy-ethoxy) silane, N-methyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, triaminopropyl-trimethoxysilane, 3- (4,5-dihydro) imidazole -1-yl-propyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl-trimethoxysilane, 3-mercaptopropyl-methyldimethoxysilane, 3-chloropropyl-methyldimethoxysilane, 3-chloropropyl-dimethyl Xylsilane, 3-cyanopropyl-triethoxysilane, hexamethyldisilazane, N, O-bis (trimethylsilyl) acetamide, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrichlorosilane, n-propyltrimethoxysilane, isobutyltrimethoxy Silane, amyltrichlorosilane, octyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, methyltri (methacryloyloxyethoxy) silane, methyltri (glycidyloxy) silane, N-β- (N-vinylbenzylaminoethyl) -γ -Aminopropyltrimethoxysilane, octadecyldimethyl [3- (trimethoxysilyl) propyl] ammonium chloride, γ-chloropropylmethyldichlorosilane, γ-chloro Use of propylmethyldimethoxysilane, γ-chloropropylmethyldiethoxysilane, trimethylsilyl isocyanate, dimethylsilyl isocyanate, methylsilyl triisocyanate, vinylsilyl triisocyanate, phenylsilyl triisocyanate, tetraisocyanate silane, ethoxysilane isocyanate, etc. These can be used alone or in combination of two or more.

チタン系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアエチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレジルチタネートモノマー、クレジルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。   The titanium-based coupling agent is not particularly limited. For example, isopropyl trioctanoyl titanate, isopropyl dimethacrylisostearoyl titanate, isopropyl tridodecylbenzenesulfonyl titanate, isopropyl isostearoyl diacryl titanate, isopropyl tri (dioctyl phosphate) titanate, Isopropyltricumylphenyl titanate, isopropyltris (dioctylpyrophosphate) titanate, isopropyltris (n-aminoethyl) titanate, tetraisopropylbis (dioctylphosphite) titanate, tetraoctylbis (ditridecylphosphite) titanate, tetra (2, 2-Diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecyl) phosphite titane , Dicumylphenyloxyacetate titanate, bis (dioctylpyrophosphate) oxyacetate titanate, tetraisopropyl titanate, tetranormal butyl titanate, butyl titanate dimer, tetra (2-ethylhexyl) titanate, titanium acetylacetonate, polytitanium ethylacetate Nitrate, Titanium Octylene Glycolate, Titanium Lactate Ammonium Salt, Titanium Lactate, Titanium Lactate Ethyl Ester, Titanium Chileethanol Aminate, Polyhydroxy Titanium Stearate, Tetramethyl Orthotitanate, Tetraethyl Orthotitanate, Tetarapropyl Orthotitanate, Tetraisobutyl Ortho Titanate, stearyl titanate, cresyl titanate monomer, cresyl titanate Nate polymer, diisopropoxy-bis (2,4-pentadionate) titanium (IV), diisopropyl-bis-triethanolamino titanate, octylene glycol titanate, tetra-n-butoxytitanium polymer, tri-n-butoxytitanium A monostearate polymer, tri-n-butoxytitanium monostearate, etc. can be used, and these 1 type (s) or 2 or more types can also be used together.

アルミニウム系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム−モノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシド−モノ−エチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−イソ−プロポキシド−モノ−エチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミニウムアルコレートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。   The aluminum coupling agent is not particularly limited. For example, ethyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum tris (ethyl acetoacetate), alkyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum monoacetyl acetate bis (ethyl acetoacetate), Such as aluminum tris (acetylacetonate), aluminum-monoisopropoxymonooleoxyethyl acetoacetate, aluminum-di-n-butoxide-mono-ethylacetoacetate, aluminum-di-iso-propoxide-mono-ethylacetoacetate, etc. Aluminum chelate compound, aluminum isopropylate, mono-sec-butoxyaluminum diisopropylate, aluminum-sec- Chireto, aluminum alcoholates of aluminum ethylate or the like can be used, may be used in combination one or more of them.

カップリング剤の添加量は、その効果や耐熱性およびコストから、樹脂の合計１００重量部に対し、０〜１０重量部とするのが好ましい。   The addition amount of the coupling agent is preferably 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total resin due to its effect, heat resistance and cost.

さらに前記接着剤組成物には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を添加することもできる。イオン捕捉剤としては、特に制限が無く、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤などを使用することができ、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤を使用することもできる。   Furthermore, an ion scavenger may be added to the adhesive composition in order to adsorb ionic impurities and improve insulation reliability when absorbing moisture. As the ion scavenger, there is no particular limitation, and a compound known as a copper damage preventive agent to prevent copper from ionizing and dissolving, for example, a triazine thiol compound, a bisphenol-based reducing agent, etc. can be used. Inorganic ion adsorbents such as zirconium-based and antimony bismuth-based magnesium aluminum compounds can also be used.

イオン捕捉剤の添加量は、添加による効果や耐熱性、コストなどから、接着剤組成物１００重量部に対し、０〜１０重量部とすることが好ましい。   The addition amount of the ion scavenger is preferably 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the adhesive composition from the effect of addition, heat resistance, cost, and the like.

前記接着剤組成物及びその硬化物であるダイボンドシートは、前記したように、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、及び（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物、並びに必要に応じて（ｄ）フィラー及び／又は（ｅ）硬化促進剤を含有する組成物からなり、硬化した段階における硬化物の断面において、成分が二相に分離していることが好ましい。ここでいう二相とは、硬化物が海／島構造を有することをいう。本発明における海／島構造とは、接着剤組成物を硬化した状態の断面を研磨し、走査型電子顕微鏡などを使用して観察した場合に、例えば、共立出版刊、「高分子新素材ｏｎｅ ｐｏｉｎｔポリマーアロイ」１６頁に記載されているように、観察像が連続相（「海」という）と分散相（「島」という）からなる不均一な構造を有するものを意味する。   As described above, the adhesive composition and the die bond sheet that is a cured product thereof are (a) an epoxy resin, (b) a curing agent, and (c) a polymer compound that is incompatible with the epoxy resin, and necessary. Accordingly, it is preferable that the composition comprises a composition containing (d) a filler and / or (e) a curing accelerator, and the components are separated into two phases in the cross section of the cured product at the stage of curing. The term “two phases” as used herein means that the cured product has a sea / island structure. The sea / island structure in the present invention refers to a case where a cross-section in a state where the adhesive composition is cured is polished and observed using a scanning electron microscope or the like. As described in “Point polymer alloy” on page 16, it means that the observed image has a non-uniform structure composed of a continuous phase (referred to as “sea”) and a dispersed phase (referred to as “island”).

本発明において、効果した段階での断面において、成分が二相に分離していることを特徴とする接着剤組成物及びダイボンドシートは、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤、及びそれらと非相溶である高分子化合物、例えば、アルリルゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、シリコーンゴム、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドイミドなど、及びそれらの共重合物又は混合物、並びに必要に応じてフィラー及び／又は硬化促進剤からなる接着剤組成物又はその硬化物により達成される。   In the present invention, the adhesive composition and the die bond sheet characterized in that the components are separated into two phases in the cross section at the stage of effect, for example, epoxy resin, cyanate resin, phenol resin and its curing agent, And polymer compounds that are incompatible with them, such as allyl rubber, acrylonitrile butadiene rubber, silicone rubber, polyurethane, polyimide, polyamideimide, etc., and copolymers or mixtures thereof, and if necessary, filler and / or curing This is achieved by an adhesive composition comprising an accelerator or a cured product thereof.

本発明においては、上記二相が海相と島相からなり、島相の外周長さＳが断面積Ｖに対して下記式（１）：の関係を有するものであることが、海相と島相間の密着性が高く、接着性が高いことから好ましい。また、上記式（１）はＳ／（Ｖ１／２）＞４．０であることが、更に海相と島相間の密着性がより高いことから好ましい。

Figure 2008103700
In the present invention, the two phases are composed of a sea phase and an island phase, and the outer peripheral length S of the island phase has a relationship of the following formula (1) with respect to the cross-sectional area V: It is preferable because the adhesion between island phases is high and the adhesiveness is high. Further, in the above formula (1), it is preferable that S / (V 1/2 )> 4.0 because the adhesion between the sea phase and the island phase is higher.
Figure 2008103700

本発明において、二相が海相と島相からなり、島相の外周長さＳが断面積Ｖに対してＳ／（Ｖ１／２）＞３．６で示される関係を有する接着剤組成物及びダイボンドシートは、例えば、エポキシ樹脂及びその硬化剤、及びそれらと非相溶である高分子化合物、例えば、フェノキシ樹脂など、並びにフィラー及び硬化促進剤からなる接着剤組成物又はダイボンドシートにより達成される。特にフィラーを含有するものが好ましく、０．００５〜０．１μｍの平均粒径を有するフィラーを含有するものが特に好ましい。また、フィラーがシリカであり、表面が有機物でコーティングされたものが好ましい。 In the present invention, the adhesive composition has a relationship in which two phases are composed of a sea phase and an island phase, and the outer peripheral length S of the island phase is represented by S / (V 1/2 )> 3.6 with respect to the cross-sectional area V. The product and the die bond sheet are achieved by, for example, an adhesive composition or a die bond sheet comprising an epoxy resin and its curing agent, and a polymer compound incompatible with them, such as a phenoxy resin, and a filler and a curing accelerator. Is done. In particular, those containing a filler are preferred, and those containing a filler having an average particle diameter of 0.005 to 0.1 μm are particularly preferred. Moreover, the filler is silica and the surface is preferably coated with an organic substance.

本発明においては、また、好ましくは２４０℃における貯蔵弾性率が１〜２０ＭＰａの硬化物を与える接着剤組成物が提供される。このような特性を有する接着剤組成物は、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤、及びそれらと非相溶である高分子化合物、並びにフィラー及び硬化促進剤からなる接着剤組成物により達成される。特にフィラーを含有するものが好ましく、０．００５〜０．１μｍの平均粒径を有するフィラーを含有するものが特に好ましい。   In the present invention, there is also provided an adhesive composition that preferably gives a cured product having a storage elastic modulus at 240 ° C. of 1 to 20 MPa. The adhesive composition having such characteristics includes, for example, an adhesive composition comprising an epoxy resin, a cyanate resin, a phenol resin and a curing agent thereof, a polymer compound incompatible with them, and a filler and a curing accelerator. Achieved by things. In particular, those containing a filler are preferred, and those containing a filler having an average particle diameter of 0.005 to 0.1 μm are particularly preferred.

本発明においては、更に、硬化した段階で、好ましくは０．０１μｍ〜２μｍの平均径を有する空孔を有し、空孔の体積含有率が０．１〜２０体積％である接着剤組成物またはダイボンドシートが提供される。   In the present invention, the adhesive composition further has pores having an average diameter of 0.01 μm to 2 μm at a cured stage, and the volume content of the pores is 0.1 to 20% by volume. Alternatively, a die bond sheet is provided.

本発明におけるダイボンドシートは、好ましくは平均径０．０１〜２．０μｍの空孔を有するものであり、０．０３〜０．１μｍであることがより好ましい。本発明において、ダイボンドシートの有する空孔とは、空隙、空間、隙間等を意味し、空孔の平均径とはその空孔の体積をおおよそ球に換算した場合の直径を意味する。空孔の平均径が０．０１μｍ未満、あるいは２．０μｍを超える場合、耐ＰＣＴ性（接着強度低下低減）が劣る可能性がある。   The die bond sheet in the present invention preferably has pores having an average diameter of 0.01 to 2.0 μm, and more preferably 0.03 to 0.1 μm. In the present invention, the pores of the die bond sheet mean voids, spaces, gaps, and the like, and the average diameter of the pores means a diameter when the volume of the pores is roughly converted to a sphere. When the average diameter of the pores is less than 0.01 μm or more than 2.0 μm, the PCT resistance (reduction in adhesive strength reduction) may be inferior.

空孔の体積含有率は、ダイボンドシートの０．１〜２０体積％であることが好ましい。０．１体積％未満の場合、空孔の存在効果が小さく、耐ＰＣＴ性が劣る可能性がある。２０体積％を超える場合、耐リフロー性、耐ＰＣＴ性が低下する可能性がある。空孔は均一に分散していることがより好ましい。   The volume content of the pores is preferably 0.1 to 20% by volume of the die bond sheet. If it is less than 0.1% by volume, the presence effect of pores is small, and the PCT resistance may be inferior. When it exceeds 20 volume%, reflow resistance and PCT resistance may fall. More preferably, the pores are uniformly dispersed.

空孔の体積含有率測定は、以下の方法で算出する。   The volume content measurement of pores is calculated by the following method.

（１）走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で用いたフィラーの平均粒径の１００倍の長さを１辺とする正方形面積を有し、かつ空孔数５０個存在する場所を設定する。   (1) A place having a square area with a length of 100 times the average particle diameter of the filler used in the scanning electron microscope (SEM) as one side and having 50 holes is set.

（２）その正方形面積と５０個の空孔の面積を次の方法で求める。密度および膜厚が均一な透明なフィルムをＳＥＭ写真上に載せて５０個すべての空孔の形に沿ってペンでトレース後、そのトレース部分を切り離す。   (2) The square area and the area of 50 holes are obtained by the following method. A transparent film having a uniform density and film thickness is placed on the SEM photograph, traced with a pen along the shape of all 50 holes, and the trace portion is cut off.

（３）一定の面積部分（５０個の空孔部分を含む）を（２）と同様にペンでトレース後、そのトレース部分を切り離す。   (3) After tracing a certain area portion (including 50 hole portions) with a pen as in (2), the trace portion is cut off.

（４）切り離した（２）と（３）の重量を測定し、（２）／（３）を求める。   (4) The separated weights of (2) and (3) are measured to obtain (2) / (3).

（５）Ｖ＝［（２）／（３）］３／２を求める。   (5) V = [(2) / (3)] 3/2 is obtained.

（６）（１）〜（５）を５回繰り返し、得られたＶの平均値を体積含有率とする。   (6) (1) to (5) are repeated 5 times, and the average value of the obtained V is defined as the volume content.

本発明における接着剤組成物及びダイボンドシートとしては、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤及び（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物、並びに必要に応じて（ｄ）フィラー及び（ｅ）硬化促進剤を含有する接着剤組成物の硬化物からなり、平均径０．０１〜２．０μｍの空孔を有し、空孔の体積含有率が０．１〜２０体積％であるものがとりわけ好ましい。   Examples of the adhesive composition and the die bond sheet in the present invention include (a) an epoxy resin, (b) a curing agent, and (c) a polymer compound that is incompatible with the epoxy resin, and (d) a filler and (E) It consists of hardened | cured material of the adhesive composition containing a hardening accelerator, has a void | hole with an average diameter of 0.01-2.0 micrometers, and the volume content rate of a void | hole is 0.1-20 volume%. Some are particularly preferred.

本発明においては、また、フローの低下量が好ましくは６０℃、７２時間後において５０％以下であることを特徴とするダイボンドシートが提供される。ダイボンドシートのフローの低下量が５０％以下の場合、ダイボンドシートの２５℃又は５℃での保存期間が長く、長期保管が可能であるために好ましい。なお、フローの低下量は、以下の手順で測定することができる。   In the present invention, there is also provided a die bond sheet characterized in that the flow reduction amount is preferably 50% or less after 60 ° C. and 72 hours. When the amount of flow reduction of the die bond sheet is 50% or less, the die bond sheet is preferable because the storage period at 25 ° C. or 5 ° C. is long and long-term storage is possible. The amount of flow decrease can be measured by the following procedure.

まず、１ｃｍ×２ｃｍのサイズに打ち抜いたダイボンドシートを１６０℃、１ＭＰａ、１８秒の条件でプレスする。４個の試料について端部からはみだした試料の長さを光学顕微鏡で各試料についてそれぞれ２点測定し、平均長さを求め、これをフロー量とした。初期のフロー量Ｆ（０）と６０℃、７２時間後のフロー量Ｆ（７２）から６０℃、７２時間後のフローの低下量を以下の式により求める。   First, a die bond sheet punched into a size of 1 cm × 2 cm is pressed under the conditions of 160 ° C., 1 MPa, and 18 seconds. The length of the sample protruding from the end of the four samples was measured for each sample at two points with an optical microscope, the average length was determined, and this was taken as the flow amount. From the initial flow amount F (0) and the flow amount F (72) after 60 ° C. and 72 hours, the flow decrease amount after 60 ° C. and 72 hours is obtained by the following equation.

フローの低下量（％）＝（Ｆ（０）−Ｆ（７２））／Ｆ（０）×１００
また、本発明におけるダイボンドシートは、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物（ｄ）フィラー及び（ｅ）硬化促進剤を含有する接着剤組成物の硬化物からなり、前記（ａ）〜（ｅ）の成分が、０．７５＞ａ／ｂ（ここで、ａは、（ｄ）フィラーの水との接触角を表し、ｂは、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｅ）の配合物を塗布、乾燥させたものの水との接触角を表す）の関係を満たすものであることが好ましい。 Flow reduction amount (%) = (F (0) −F (72)) / F (0) × 100
The die bond sheet of the present invention is an adhesive containing (a) an epoxy resin, (b) a curing agent, (c) a polymer compound that is incompatible with the epoxy resin (d) filler, and (e) a curing accelerator. It consists of the hardened | cured material of an agent composition, and the component of said (a)-(e) is 0.75> a / b (here, a represents the contact angle with the water of (d) filler, b is , (A), (b), (c), and (e) are preferably applied and dried, which represents the contact angle with water.

上記特性を有するダイボンドシートは、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤、及びそれらと非相溶である高分子化合物、例えば、アルリルゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、シリコーンゴム、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドイミドなど、及びそれらの共重合物又は混合物、並びに必要に応じてフィラー及び／又は硬化促進剤からなる接着剤組成物又はダイボンドシートにより達成される。特にエポキシ樹脂、及びその硬化剤、及びそれらと非相溶であるグリシジルアルクレート又はグリシジルメタクリレートを１．５〜２．０重量％含有する重量平均分子量が１０万以上のエポキシ基含有アクリル共重合体、並びにフィラー及び硬化促進剤からなるダイボンドシートにより達成される。特に、エポキシ樹脂の軟化点が５０℃以上のものを使用することが好ましい。また、硬化剤が前記一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂であることが好ましい。   The die bond sheet having the above characteristics is, for example, an epoxy resin, a cyanate resin, a phenol resin and a curing agent thereof, and a polymer compound that is incompatible with them, for example, allyl rubber, acrylonitrile butadiene rubber, silicone rubber, polyurethane, polyimide, It is achieved by an adhesive composition or a die-bonding sheet comprising a polyamideimide and the like, and a copolymer or mixture thereof, and optionally a filler and / or a curing accelerator. In particular, an epoxy group-containing acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 100,000 or more and containing 1.5 to 2.0% by weight of an epoxy resin, its curing agent, and glycidyl alkrate or glycidyl methacrylate which is incompatible with them. And a die bond sheet comprising a filler and a curing accelerator. In particular, it is preferable to use an epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher. Moreover, it is preferable that a hardening | curing agent is a phenol resin shown by the said general formula (I).

本発明におけるダイボンドシートは、前記（ａ）〜（ｅ）からなる接着剤組成物を塗布、乾燥してなり、前記（ａ）〜（ｅ）の成分が、０．７５＞ａ／ｂ（ここで、ａ及びｂは、前記のとおりである）の関係を満たすように選ばれたものであることが好ましい。０．７５＞ａ／ｂすなわち、ａ／ｂが０．７５未満であることが好ましく、０．６６未満であることがより好ましく、０．５０未満であることが特に好ましい。ａ／ｂの下限は０．２５程度である。ａ／ｂが、０．７５以上であると、吸湿後の接着性が劣ることがある。   The die bond sheet in the present invention is obtained by applying and drying the adhesive composition comprising the above (a) to (e), and the components (a) to (e) are 0.75> a / b (here) And a and b are preferably selected so as to satisfy the relationship). 0.75> a / b, that is, a / b is preferably less than 0.75, more preferably less than 0.66, and particularly preferably less than 0.50. The lower limit of a / b is about 0.25. The adhesiveness after moisture absorption may be inferior that a / b is 0.75 or more.

なお、フィラーと水との接触角ａは前記した方法で測定される。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｅ）の配合物を塗布、乾燥させたものの水との接触角ｂも同様に測定される。   The contact angle a between the filler and water is measured by the method described above. The contact angle b with water of the coating and drying of the blends (a), (b), (c) and (e) is also measured in the same manner.

更に、本発明における接着剤組成物及びダイボンドシートは、（ａ）〜（ｅ）の成分の配合割合が、
（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化剤との合計 ４９．５〜１７．０重量％、
（ｃ）高分子化合物 ５０．０〜７０．０重量％、
（ｄ）フィラー ０．４５〜１０．０重量％及び
（ｅ）硬化促進剤 ０．０５〜３．０重量％
から成るものであることが好ましい。 Further, in the adhesive composition and the die bond sheet in the present invention, the blending ratio of the components (a) to (e)
(A) a total of 49.5 to 17.0% by weight of epoxy resin and (b) curing agent,
(C) polymer compound 50.0-70.0 wt%,
(D) Filler 0.45 to 10.0 wt% and (e) Curing accelerator 0.05 to 3.0 wt%
It is preferable that it consists of.

（ａ）エポキシ樹脂及び（ｂ）硬化剤の合計の配合量は、１７．０〜４９．５重量％であることが好ましい。１７．０重量％未満では、接着性、成形性（フロー性）等が不充分となる傾向があり、一方、４９．５重量％を超えると、弾性率が高くなりすぎる傾向がある。   The total amount of (a) epoxy resin and (b) curing agent is preferably 17.0 to 49.5% by weight. If it is less than 17.0% by weight, the adhesiveness, moldability (flowability) and the like tend to be insufficient, whereas if it exceeds 49.5% by weight, the elastic modulus tends to be too high.

ここで、（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化剤との比率〔（ａ）：（ｂ）〕は、３３：６７〜７５：２５であることが好ましい。この比率で、（ａ）エポキシ樹脂が多すぎると、耐熱性、成形性（フロー性）等が不充分となる傾向があり、（ｂ）硬化剤が多すぎると成形性（フロー性）等が不充分となる傾向がある。   Here, the ratio [(a) :( b)] of (a) epoxy resin and (b) curing agent is preferably 33:67 to 75:25. At this ratio, if there are too many (a) epoxy resins, heat resistance, moldability (flowability), etc. tend to be insufficient, and (b) if there are too many curing agents, moldability (flowability), etc. There is a tendency to become insufficient.

上記した配合からなる接着剤組成物を使用することにより、吸湿後の耐熱性、耐リフロー性、吸湿後の接着性などに優れたダイボンドシートを得ることができる。   By using the adhesive composition having the above-described composition, a die bond sheet excellent in heat resistance after moisture absorption, reflow resistance, adhesion after moisture absorption, and the like can be obtained.

本発明におけるダイボンドシートは、また、（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）前記式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂の合計重量をＡとし、（ｃ）０．５〜６重量％の反応性基含有モノマーを含む、重量平均分子量が１０万以上であるアクリル共重合体の重量をＢとしたとき、その比率Ａ／Ｂが０．２４〜１．０である接着剤組成物からなることが好ましい。   The die-bonding sheet in the present invention also includes (a) the epoxy resin and (b) the total weight of the phenol resin represented by the formula (I) as A, and (c) 0.5 to 6% by weight of a reactive group. When the weight of the acrylic copolymer containing the monomer and having a weight average molecular weight of 100,000 or more is defined as B, the ratio A / B is preferably an adhesive composition having a ratio of 0.24 to 1.0.

本発明においては、上記接着剤組成物とポリイミドフィルムとの積層硬化物からなり、該積層硬化物の２４０℃で測定したピール強度が好ましくは５０Ｎ／ｍ以上であるダイボンドシートが提供される。本発明においては、また、該積層硬化物が、吸湿処理後の２６０℃、１２０秒間の熱処理において、該積層硬化物中に直径２ｍｍ以上の剥離が生じないものであるダイボンドシートが提供される。本発明においては、更に、８５℃、８５％相対湿度、１６８時間の吸湿処理後に、２６０℃のリフロー炉を１２０秒間とおした時、接着剤層と半導体素子間に直径１ｍｍ以上の剥離が生じないものである半導体装置が提供される。   In this invention, the die bond sheet | seat which consists of laminated | stacked hardened | cured material of the said adhesive composition and a polyimide film, and the peel strength measured at 240 degreeC of this laminated hardened | cured material becomes like this. Preferably it is 50 N / m or more. In the present invention, there is also provided a die bond sheet in which the laminated cured product does not cause peeling of a diameter of 2 mm or more in the laminated cured product in heat treatment at 260 ° C. for 120 seconds after moisture absorption treatment. In the present invention, further, when the reflow oven at 260 ° C. is passed for 120 seconds after the moisture absorption treatment at 85 ° C. and 85% relative humidity for 168 hours, peeling of 1 mm or more in diameter does not occur between the adhesive layer and the semiconductor element. A semiconductor device is provided.

上記したダイボンドシート及び半導体装置は、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤、及びそれらと非相溶であり、架橋性の官能基を有する高分子化合物、並びに必要に応じてフィラー及び／又は硬化促進剤からなる接着剤組成物又はダイボンドシート及びそれらを適用した半導体装置により達成される。特にエポキシ樹脂、及びその硬化剤、及びそれらと非相溶であるグリシジルアルクレート又はグリシジルメタクリレートを１．５〜６．０重量％含有する重量平均分子量が１０万以上のエポキシ基含有アクリル共重合体、並びにフィラー及び硬化促進剤からなるダイボンドシートにより達成される。特に、エポキシ樹脂の軟化点が５０℃以上のものを使用することが好ましい。また、硬化剤が前記一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂であることが好ましい。特に０．００５〜０．１μｍの平均粒径を有するフィラーを含有するものが好ましい。また、フィラーがシリカであり、表面が有機物でコーティングされたものが好ましい。   The die bond sheet and the semiconductor device described above include, for example, an epoxy resin, a cyanate resin, a phenol resin and a curing agent thereof, a polymer compound that is incompatible with them and has a crosslinkable functional group, and a filler as necessary. And / or an adhesive composition comprising a curing accelerator or a die bond sheet and a semiconductor device to which the adhesive composition or die bond sheet is applied. In particular, an epoxy group-containing acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 100,000 or more and containing 1.5 to 6.0% by weight of an epoxy resin, a curing agent thereof, and glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate which is incompatible with the epoxy resin And a die bond sheet comprising a filler and a curing accelerator. In particular, it is preferable to use an epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher. Moreover, it is preferable that a hardening | curing agent is a phenol resin shown by the said general formula (I). In particular, those containing a filler having an average particle diameter of 0.005 to 0.1 μm are preferable. Moreover, the filler is silica and the surface is preferably coated with an organic substance.

本発明における接着剤組成物は、式（Ｉ）で示される低吸湿性フェノール樹脂を用いることによる優れた耐吸湿特性が、反応性基含有モノマーを含むアクリル共重合体を用い適切な架橋構造を形成させることによる優れた耐リフロークラック特性が、及びエポキシ樹脂と非相溶性のアクリル共重合体を用いることにより、硬化後に明確な海島構造を形成させることによる、優れた耐リフロークラック特性及び耐熱特性が得られるものである。更に、無機フィラーの添加により高温弾性率が高く、かつ高温ピール強度が高くなり、リフロークラック防止効果が働き、耐リフロークラック性に優れる接着剤組成物を得ることができる。   The adhesive composition of the present invention has an excellent moisture absorption resistance due to the use of the low hygroscopic phenol resin represented by the formula (I), and has an appropriate crosslinked structure using an acrylic copolymer containing a reactive group-containing monomer. Excellent reflow crack resistance and heat resistance due to the formation of a clear sea-island structure after curing by using an acrylic copolymer that is incompatible with the epoxy resin. Is obtained. Furthermore, the addition of an inorganic filler increases the high-temperature elastic modulus, increases the high-temperature peel strength, works to prevent reflow cracks, and provides an adhesive composition with excellent reflow crack resistance.

本発明におけるダイボンドシートは、前記接着剤組成物をメチルエチルケトン、トルエン、シクロヘキサノンなどの溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、表面を離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムなどの支持体フィルム上に塗布、加熱、乾燥し、溶剤を除去することにより、支持体フィルム上に形成された接着剤層として得られる。この際の加熱条件としては、例えば、８０〜２５０℃で、１０分間〜２０時間程度であることが好ましい。   The die bond sheet in the present invention is a support film such as a polytetrafluoroethylene film or a polyethylene terephthalate film whose surface has been subjected to a release treatment by dissolving or dispersing the adhesive composition in a solvent such as methyl ethyl ketone, toluene, or cyclohexanone to form a varnish. It is obtained as an adhesive layer formed on the support film by coating, heating and drying on top and removing the solvent. As heating conditions in this case, for example, it is preferable that the temperature is about 80 to 250 ° C. and about 10 minutes to 20 hours.

前記支持体フィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムを使用することができ、これらプラスチックフィルムは表面を離型処理して使用しることもできる。支持体フィルムは、使用時に剥離して接着剤層のみを使用することもできるし、支持体フィルムとともに使用し、後で除去することもできる。   As the support film, a plastic film such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, or a polyimide film can be used. Can also be used. The support film can be peeled off at the time of use and only the adhesive layer can be used, or it can be used together with the support film and removed later.

使用時に支持体フィルムを剥離して接着剤層（すなわちダイボンドシート）のみを使用することもできるし、支持体フィルムとともに使用し、後で除去することもできる。   At the time of use, the support film can be peeled off and only the adhesive layer (that is, the die bond sheet) can be used, or it can be used together with the support film and later removed.

支持体フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。   As a method for applying the varnish to the support film, a known method can be used, and examples thereof include a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a curtain coating method. .

接着剤層（すなわちダイボンドシート）の厚さは、特に制限されるものではないが、３〜３００μｍであることが好ましく、２５〜２５０μｍであることがより好ましく、１０〜２００μｍであることが更に好ましく、２０〜１００μｍであることが特に好ましい。３μｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、３００μｍより厚いと経済的でなくなる。   The thickness of the adhesive layer (that is, the die bond sheet) is not particularly limited, but is preferably 3 to 300 μm, more preferably 25 to 250 μm, and still more preferably 10 to 200 μm. It is especially preferable that it is 20-100 micrometers. If it is thinner than 3 μm, the stress relaxation effect tends to be poor, and if it is thicker than 300 μm, it is not economical.

前記ワニス化の溶剤としては、特に制限は無いが、フィルム作製時の揮発性等を考慮し、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−エトキシエタノール、トルエン、キシレン、ブチルセルソルブ、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノールなど比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的で、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなど比較的高沸点の溶媒を加えることもできる。   The varnishing solvent is not particularly limited, but considering the volatility during film production, methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, 2-ethoxyethanol, toluene, xylene, butyl cellosolve, methanol, ethanol, It is preferable to use a solvent having a relatively low boiling point such as 2-methoxyethanol. In addition, for the purpose of improving the coating property, a solvent having a relatively high boiling point such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone can be added.

本発明の接着剤組成物にフィラーを添加した際のワニスの製造には、フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、３本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用するのが好ましく、これらを組み合せて使用することもできる。また、フィラーと低分子化合物をあらかじめ混合した後、高分子化合物を配合することによって、混合する時間を短縮することも可能となる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することが好ましい。   In the production of the varnish when the filler is added to the adhesive composition of the present invention, it is preferable to use a raking machine, a three roll, a ball mill and a bead mill in consideration of the dispersibility of the filler. It can also be used in combination. Moreover, the mixing time can be shortened by mixing the filler and the low molecular weight compound in advance and then blending the high molecular weight compound. In addition, after forming the varnish, it is preferable to remove bubbles in the varnish by vacuum degassing or the like.

また、本発明においてフィラーを接着剤組成物に添加する場合、エポキシ樹脂及び硬化剤とフィラーを混合した後、それらの混合物にエポキシ樹脂と非相溶性の高分子化合物を混合することにより接着剤組成物を製造する方法を採用することが好ましい。この製造法をとることにより、フィラーの界面にエポキシ樹脂の膜が形成されるため、ゴムとエポキシ樹脂が相分離して硬化した後も、エポキシ樹脂相中に多くのフィラーが残存しており、エポキシ樹脂とフィラーの界面の補強硬化が大きくなり、耐熱性が向上する。硬化後のエポキシ樹脂相に含有されているフィラーＡの体積ＶＡと、ゴム成分の相に含有されているフィラーＢの体積ＶＢの比ＶＡ／ＶＢが１．２以上であることが好ましい。ＶＡ／ＶＢが１．２未満であると、フィラーＡ，フィラーＢの界面の補強効果が不足し、耐熱性が不十分となる傾向がある。ＶＡ／ＶＢは２以上であることが特に好ましく、さらに好ましくは４以上である。なお、ＶＡ／ＶＢは以下の手順で測定することができる。フィルムの破断面を走査型電子顕微鏡で観察し、フィラーＡ，フィラーＢを主成分とする領域についてそれぞれＸＭＡでフィラーを形成する原子のピークを測定する。このピークの高さの比でＶＡ／ＶＢが決定される。   In addition, when a filler is added to the adhesive composition in the present invention, the epoxy resin and the curing agent are mixed with the filler, and then the epoxy resin and the incompatible polymer compound are mixed into the mixture. It is preferable to adopt a method for manufacturing a product. By taking this manufacturing method, an epoxy resin film is formed at the filler interface, so that a large amount of filler remains in the epoxy resin phase even after the rubber and epoxy resin are phase-separated and cured. Reinforcing and hardening at the interface between the epoxy resin and the filler is increased and heat resistance is improved. The ratio VA / VB of the volume VA of the filler A contained in the epoxy resin phase after curing and the volume VB of the filler B contained in the rubber component phase is preferably 1.2 or more. When VA / VB is less than 1.2, the reinforcing effect of the interface between the filler A and the filler B is insufficient, and the heat resistance tends to be insufficient. VA / VB is particularly preferably 2 or more, and more preferably 4 or more. VA / VB can be measured by the following procedure. The fracture surface of the film is observed with a scanning electron microscope, and the peak of the atom forming the filler is measured with XMA in each region mainly composed of filler A and filler B. VA / VB is determined by the ratio of the peak heights.

また、本発明のダイボンドシートにおける接着剤層は、所望の厚さを得るために、２枚以上を貼り合わせることもできる。この場合には、接着剤層同士の剥離が発生しないような貼り合わせ条件が必要である。   In addition, two or more adhesive layers in the die bond sheet of the present invention can be bonded together in order to obtain a desired thickness. In this case, it is necessary to have a bonding condition that does not cause peeling between the adhesive layers.

本発明のダイボンドシートは、コア材となるフィルムの両面に形成し、接着部材を形成し、これを使用することができる。この接着部材は、フィルムの取り扱い性及び金型による打ち抜き性が向上するという利点を有する。コア材の厚みは、５〜２００μｍの範囲内であることが好ましいが、これに制限されるものでは無い。   The die-bonding sheet of the present invention can be used by forming an adhesive member on both surfaces of a film to be a core material. This adhesive member has the advantage that the handleability of the film and the punchability by the mold are improved. The thickness of the core material is preferably in the range of 5 to 200 μm, but is not limited thereto.

コア材に用いられるフィルムとしては、特に制限は無いが、好ましくは、耐熱性熱可塑フィルムであり、更に好ましくは、軟化点温度が２６０℃以上の耐熱性熱可塑フィルムである。軟化点温度が２６０℃未満の耐熱性熱可塑フィルムをコア材に用いると、はんだリフローなどの高温時に接着フィルムが剥離する可能性がある。更には、液晶ポリマーを用いた耐熱性熱可塑フィルム、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、全芳香族ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、エチレン−テトラフルオロエチレンコポリマー、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマー、テトラフルオロエレチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマーなどが好適に用いられる。また、耐熱性熱可塑フィルムは、接着剤層の弾性率低減のため、多孔質フィルムを用いることもできる。   Although there is no restriction | limiting in particular as a film used for a core material, Preferably, it is a heat resistant thermoplastic film, More preferably, it is a heat resistant thermoplastic film whose softening point temperature is 260 degreeC or more. When a heat-resistant thermoplastic film having a softening point temperature of less than 260 ° C. is used for the core material, the adhesive film may be peeled off at a high temperature such as solder reflow. Furthermore, heat-resistant thermoplastic film using liquid crystal polymer, polyamideimide, polyimide, polyetherimide, polyethersulfone, wholly aromatic polyester, polytetrafluoroethylene, ethylene-tetrafluoroethylene copolymer, tetrafluoroethylene-hexafluoro Propylene copolymers, tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymers and the like are preferably used. Moreover, a porous film can also be used for a heat resistant thermoplastic film for the elastic modulus reduction of an adhesive bond layer.

コア材の両面に形成される接着剤層は、接着剤組成物を溶剤に溶解ないし分散してワニスとすることができる。このワニスをコア材となる耐熱性熱可塑フィルム上に塗布、加熱して溶剤を除去することにより接着フィルムを耐熱性熱可塑フィルム上に形成することができる。塗布方法としては前述の方法等を使用することができる。この工程を耐熱性熱可塑フィルムの両面について行うことにより、コア材の両面に接着剤層を形成したダイボンドシートを作製することができる。この場合には、両面の接着剤層同士がブロッキングしないようにカバーフィルムで表面を保護することが好ましい。しかし、ブロッキングが起こらない場合には、経済的な理由からカバーフィルムを用いないことが好ましく、制限を加えるものではない。   The adhesive layer formed on both surfaces of the core material can be made into a varnish by dissolving or dispersing the adhesive composition in a solvent. The adhesive film can be formed on the heat resistant thermoplastic film by applying this varnish on the heat resistant thermoplastic film as the core material and heating to remove the solvent. As a coating method, the above-described methods can be used. By performing this process on both sides of the heat-resistant thermoplastic film, a die bond sheet in which an adhesive layer is formed on both sides of the core material can be produced. In this case, it is preferable to protect the surface with a cover film so that the adhesive layers on both sides do not block each other. However, when blocking does not occur, it is preferable not to use a cover film for economic reasons, and no limitation is imposed.

また、接着剤組成物を溶剤に溶解ないし分散してワニスとしたものを、前述の支持体フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することにより接着剤層を支持体フィルム上に形成し、この接着剤層をコア材の両面に貼り合せることによりコア材の両面に接着剤層を形成したダイボンドシートを作製することもできる。この場合には、支持体フィルムをカバーフィルムとして用いることもできる。   Further, an adhesive composition is dissolved or dispersed in a solvent to form a varnish, which is applied to the above support film and heated to remove the solvent, thereby forming an adhesive layer on the support film. A die-bonding sheet in which an adhesive layer is formed on both surfaces of the core material can also be produced by bonding the adhesive layer to both surfaces of the core material. In this case, the support film can be used as a cover film.

本発明で用いる半導体搭載用基板としては、ダイパットを有するリードフレーム、セラミック基板や有機基板など基板材質に限定されることなく用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基板などを用いることができる。有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含漬させたＢＴ基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。   The semiconductor mounting substrate used in the present invention can be used without being limited to the substrate material such as a lead frame having a die pad, a ceramic substrate or an organic substrate. As the ceramic substrate, an alumina substrate, an aluminum nitride substrate, or the like can be used. As an organic substrate, an FR-4 substrate in which an epoxy resin is impregnated in a glass cloth, a BT substrate in which a bismaleimide-triazine resin is impregnated, a polyimide film substrate using a polyimide film as a base material, or the like is used. Can do.

配線の形状としては、片面配線、両面配線、多層配線いずれの構造でも良く、必要に応じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けても良い。さらに、配線が半導体装置の外部表面に現れる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。   The shape of the wiring may be any of single-sided wiring, double-sided wiring, and multilayer wiring, and may be provided with through-holes and non-through-holes that are electrically connected as necessary. Further, when the wiring appears on the outer surface of the semiconductor device, it is preferable to provide a protective resin layer.

ダイボンドシートを支持部材へ張り付ける方法としては、ダイボンドシートを所定の形状に切断し、その切断されたダイボンドシートを支持部材の所望の位置に熱圧着する方法が一般的ではあるが、これに限定されるものではない。   As a method of sticking the die bond sheet to the support member, a method of cutting the die bond sheet into a predetermined shape and thermocompression bonding the cut die bond sheet to a desired position of the support member is generally limited. Is not to be done.

半導体素子と配線基板とを接着した半導体装置は、半導体素子と配線基板の間にダイボンドシートを第１の接着剤層が半導体素子側の面になるように配設し、熱圧着することによって製造することができる。また、前記のダイボンドシートを備えた半導体搭載用配線基板に半導体素子を載せ、熱圧着しても良い。半導体ウエハにダイボンドシート、及びダイシングテープをラミネートした後、ウエハ及びダイボンドシートをチップに切断し、その後、回路付き基板または回路付きフィルムと素子を、ダイボンドシートを介して接着する半導体装置の製造工程は、素子毎のダイボンドシート貼付の工程を省くことができる点で好ましい。   A semiconductor device in which a semiconductor element and a wiring board are bonded is manufactured by disposing a die bond sheet between the semiconductor element and the wiring board so that the first adhesive layer is on the surface of the semiconductor element and thermocompression bonding. can do. Alternatively, a semiconductor element may be placed on a semiconductor mounting wiring board provided with the die bond sheet and thermocompression bonded. After the die bond sheet and the dicing tape are laminated on the semiconductor wafer, the wafer and the die bond sheet are cut into chips, and then the circuit board or the circuit film and the element are bonded via the die bond sheet. It is preferable in that the step of attaching a die bond sheet for each element can be omitted.

本発明の半導体装置の構造としては、半導体素子の電極と支持部材とがワイヤーボンディングで接続されている構造、半導体素子の電極と支持部材とがテープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）のインナーリードボンディングで接続されている構造等があるが、これらに限定されるものではなく、何れの場合でも効果がある。   The structure of the semiconductor device of the present invention is a structure in which the electrode of the semiconductor element and the support member are connected by wire bonding, and the electrode of the semiconductor element and the support member are connected by inner lead bonding of tape automated bonding (TAB). However, the present invention is not limited to these structures and is effective in any case.

半導体素子と回路付き基板または回路付きフィルムを、ダイボンドシートを介して接着する半導体装置の製造工程において、熱圧着の条件は配線板の回路を空隙無く埋め込み、十分な接着性を発現する程度の温度、荷重、時間で貼りつければよい。素子の破損が起こりにくい点で荷重が１９６ｋＰａ以下であることが好ましく、特に９８ｋＰａ以下が好ましい。   In the manufacturing process of a semiconductor device in which a semiconductor element and a substrate with a circuit or a film with a circuit are bonded via a die-bonding sheet, the thermocompression bonding conditions are such that the circuit of the wiring board is embedded without a gap and sufficient adhesion is exhibited. , Load and time. The load is preferably 196 kPa or less, and particularly preferably 98 kPa or less in that the element is not easily damaged.

半導体素子としては、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等一般の半導体素子を使用することができる。   As the semiconductor element, a general semiconductor element such as an IC, LSI, VLSI can be used.

半導体素子と支持部材の間に発生する熱応力は、半導体素子と支持部材の面積差が小さい場合に著しいが、本発明の半導体装置は低弾性率のダイボンドシートを用いることによりその熱応力を緩和して信頼性を確保する。これらの効果は、半導体素子の面積が、支持部材の面積の７０％以上である場合に非常に有効に現れるものである。また、このように半導体素子と支持部材の面積差が小さい半導体装置においては、外部接続端子はエリア状に設けられる場合が多い。   The thermal stress generated between the semiconductor element and the support member is significant when the area difference between the semiconductor element and the support member is small, but the semiconductor device of the present invention relieves the thermal stress by using a low-bonding die bond sheet. To ensure reliability. These effects appear very effectively when the area of the semiconductor element is 70% or more of the area of the support member. In such a semiconductor device having a small area difference between the semiconductor element and the support member, the external connection terminals are often provided in an area.

また、本発明におけるダイボンドシートの特性として、前記接着フィルムを支持部材の所望の位置に熱圧着する工程や、ワイヤーボンディングで接続する工程等、加熱される工程において、接着剤層からの揮発分を抑制できる。   In addition, as a characteristic of the die bond sheet in the present invention, the volatile matter from the adhesive layer is heated in a process such as a process of thermocompression bonding the adhesive film to a desired position of the support member or a process of connecting by wire bonding. Can be suppressed.

本発明における ダイボンドシートを備えた半導体搭載用配線基板に用いる配線基板としては、セラミック基板や有機基板など基板材質に限定されることなく用いることができる。例えばセラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基板などを用いることができる。また、有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含浸させたＢＴ基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。   The wiring board used for the semiconductor mounting wiring board provided with the die bond sheet in the present invention can be used without being limited to the substrate material such as a ceramic substrate or an organic substrate. For example, an alumina substrate, an aluminum nitride substrate, or the like can be used as the ceramic substrate. In addition, as an organic substrate, an FR-4 substrate in which a glass cloth is impregnated with an epoxy resin, a BT substrate in which a bismaleimide-triazine resin is impregnated, a polyimide film substrate using a polyimide film as a base material, or the like is used. Can do.

配線の形状としては、片面配線、両面配線、多層配線いずれの構造でも良く、必要に応じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けても良い。さらに、配線が半導体装置の外部表面に現れる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。   The shape of the wiring may be any of single-sided wiring, double-sided wiring, and multilayer wiring, and may be provided with through-holes and non-through-holes that are electrically connected as necessary. Further, when the wiring appears on the outer surface of the semiconductor device, it is preferable to provide a protective resin layer.

接着フィルムを配線基板へ張り付ける方法としては、ダイボンドシートを所定の形状に切断し、その切断されたダイボンドシートを配線基板の所望の位置に熱圧着する方法が一般的ではあるが、これを限定するものではない。   As a method for attaching the adhesive film to the wiring board, a method of cutting the die bond sheet into a predetermined shape and thermocompression bonding the cut die bond sheet to a desired position on the wiring board is generally limited. Not what you want.

次に実施例により本発明を具体的に説明するが、これらは本発明を制限するものではない。   EXAMPLES Next, the present invention will be specifically described by way of examples, but these examples do not limit the present invention.

製造例１（実施例１及び２で半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに使用した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスの製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２７０．９ｇ（０．６６モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン８．７ｇ（０．０３５モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１９５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１４９．５ｇ（０．７１モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１００ｇを添加した。室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇ及びシランカップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）３６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを得た。 Production Example 1 (Production of Aromatic Polyetheramideimide Adhesive Varnish Used in Resin Layer A of Semiconductor Adhesive Film in Examples 1 and 2)
270.9 g (0) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane in a 5-liter four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen inlet tube and a fractionation tower under a nitrogen atmosphere .66 mol) and 8.7 g (0.035 mol) of 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane were added and dissolved in 1950 g of N-methyl-2-pyrrolidone. Furthermore, this solution was cooled to 0 ° C., and 149.5 g (0.71 mol) of trimellitic anhydride chloride was added at this temperature. When the trimellitic anhydride chloride was dissolved, 100 g of triethylamine was added. After stirring at room temperature for 2 hours, the temperature was raised to 180 ° C. and reacted for 5 hours to complete imidization. The obtained reaction solution was poured into methanol to isolate the polymer. After drying this, it was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone and poured into methanol to isolate the polymer again. Then, the polyetheramide imide powder refine | purified by drying under reduced pressure was obtained. 120 g of the obtained polyetheramideimide powder and 36 g of a silane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade name: SH6040) were dissolved in 360 g of N-methyl-2-pyrrolidone, and an aromatic polyetheramideimide adhesive varnish Got.

製造例２（実施例１および２で半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂに用いた芳香族ポリエーテルアミドイミドワニスの製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１７２．４ｇ（０．４２モル）、４，４′−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）１５３．７ｇ（０．４２モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１５５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１７４．７ｇ（０．８３モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１３０ｇを添加した。室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇにシランカップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミドワニスを得た。 Production Example 2 (Production of aromatic polyetheramide imide varnish used in Resin layer B of the adhesive film for semiconductor in Examples 1 and 2)
In a 5-liter four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen inlet tube and a fractionation tower, 172.4 g (0) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane in a nitrogen atmosphere .42 mol) and 153.7 g (0.42 mol) of 4,4′-methylenebis (2,6-diisopropylaniline) were added and dissolved in 1550 g of N-methyl-2-pyrrolidone. Further, this solution was cooled to 0 ° C., and 174.7 g (0.83 mol) of trimellitic anhydride chloride was added at this temperature. When the trimellitic anhydride chloride was dissolved, 130 g of triethylamine was added. After stirring at room temperature for 2 hours, the temperature was raised to 180 ° C. and reacted for 5 hours to complete imidization. The obtained reaction solution was poured into methanol to isolate the polymer. After drying this, it was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone and poured into methanol to isolate the polymer again. Then, the polyetheramide imide powder refine | purified by drying under reduced pressure was obtained. 6 g of a silane coupling agent (trade name: SH6040, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is dissolved in 360 g of N-methyl-2-pyrrolidone in 120 g of the obtained polyetheramideimide powder to obtain an aromatic polyetheramideimide varnish. It was.

製造例３（実施例１に用いたダイボンドシート）
エポキシ樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６０、東都化成株式会社製商品名ＹＤ−８１７０Ｃを使用）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０、東都化成株式会社製商品名ＹＤＣＮ−７０３を使用）１０重量部；エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製商品名プライオーフェンＬＦ２８８２を使用）２７重量部；エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム（ゲル パーミエーション クロマトグラフィーによる重量平均分子量８０万、グリシジルメタクリレート３重量％、Ｔｇは−７℃、ナガセケムテックス株式会社製商品名ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲを使用）２８重量部；硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．１重量部；シリカフィラー（アドマファイン株式会社製、Ｓ０−Ｃ２（比重：２．２ｇ／ｃｍ３、モース硬度７、平均粒径０．５μｍ、比表面積６．０ｍ２／ｇ））を使用）９５重量部；シランカップリング剤として（日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１８９を使用）０．２５重量部および（日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１１６０を使用）０．５重量部；からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、真空脱気して接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、９０℃１０分間、１２０℃で５分間加熱乾燥して膜厚が７５μｍの塗膜とし、Ｂステージ状態のダイボンドシートを作製した。このフィルムのフローは７５７μｍであった。 Production Example 3 (Die bond sheet used in Example 1)
30 parts by weight of bisphenol F type epoxy resin (epoxy equivalent 160, product name YD-8170C manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) as an epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 210, product name YDCN-703 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) 10 parts by weight; phenol novolak resin (using Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., trade name PRIOFEN LF2882) as a curing agent for epoxy resin; 27 parts by weight; epoxy group-containing acrylic as epoxy group-containing acrylic copolymer As a curing accelerator, 28 parts by weight of rubber (gel permeation chromatography weight average molecular weight 800,000, glycidyl methacrylate 3% by weight, Tg is -7 ° C, trade name HTR-860P-3DR manufactured by Nagase ChemteX Corporation) Imidazo Le-based curing accelerator (manufactured by Shikoku Chemicals use made Curezol 2PZ-CN, Ltd.) 0.1 parts by weight; silica filler (ADMAFINE Ltd., S0-C2 (specific gravity: 2.2g / cm 3, Mohs hardness 7 ), Average particle size 0.5 μm, specific surface area 6.0 m 2 / g))) 95 parts by weight; silane coupling agent (using product name A-189 manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd.) 0.25 parts by weight (Used by Nippon Unicar Co., Ltd., trade name A-1160) 0.5 parts by weight Cyclohexanone was added to the composition, stirred and mixed, and vacuum degassed to obtain an adhesive varnish. This adhesive varnish was applied onto a 50 μm thick release-treated polyethylene terephthalate film and dried by heating at 90 ° C. for 10 minutes and at 120 ° C. for 5 minutes to form a coating film having a film thickness of 75 μm. A sheet was produced. The flow of this film was 757 μm.

製造例４（実施例２に用いたダイボンドシート）
ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂：ＹＤＣＮ−７０３（東都化成株式会社製、商品名、エポキシ当量２１０）６１重量部、ビスフェノールＡノボラック樹脂：プライオーフェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）３９重量部、エポキシ基含有アクリルゴム：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（帝国化学産業株式会社製、商品名、分子量１００万、Ｔｇ−７℃）１５０重量部、硬化剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（四国化成工業株式会社製、商品名）０．５重量部及びγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：ＮＵＣ Ａ−１８７（日本ユニカー株式会社製、商品名）０．７重量部からなる接着剤組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。 Production Example 4 (Die bond sheet used in Example 2)
o-cresol novolac type epoxy resin: 61 parts by weight of YDCN-703 (trade name, epoxy equivalent 210) manufactured by Toto Kasei Co., Ltd. 39 parts by weight, epoxy group-containing acrylic rubber: HTR-860P-3 (manufactured by Teikoku Chemical Industry Co., Ltd., trade name, molecular weight 1 million, Tg-7 ° C.) 150 parts by weight, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole as a curing agent : Curazole 2PZ-CN (trade name, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) 0.5 part by weight and γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane: NUC A-187 (trade name, manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd.) 0.7 weight Methyl ethyl ketone was added to the adhesive composition consisting of parts, mixed with stirring, and vacuum deaerated.

この接着剤ワニスを、厚さ７５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が７５μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、支持体フィルムを備えたダイボンドシートを作製した。   This adhesive varnish was applied on a polyethylene terephthalate film having a thickness of 75 μm and subjected to heat drying at 140 ° C. for 5 minutes to form a B-stage coating film having a thickness of 75 μm. A die bond sheet provided with

実施例１
厚さ２５μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製 ユーピレックス２５ＳＧＡ）を、支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した芳香族ポリアミドイミド接着剤ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ１０μｍの樹脂層Ａを形成した。この樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２３０℃、５重量％減少温度が４５１℃、２３０℃における弾性率が１５０ＭＰａのものであった。さらに、ポリイミドフィルムの反対面に、製造例２で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ１０μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２６０℃、５重量％減少温度が４２１℃、２３０℃における弾性率が１７００ＭＰａのものであった。これより、図６のように、支持フィルム７に樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつ塗布された半導体用接着フィルムを得た。次に、温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に半導体用接着フィルムの樹脂層Ａを接するように接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。図５のように、半導体用接着フィルム２０を接着後のリードフレーム２１を台９の上に載せ、リードフレーム２１の長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、５ｍｍ程度であった。 Example 1
A polyimide film (UPILEX 25SGA manufactured by Ube Industries, Ltd.) having a 25 μm thick surface subjected to chemical treatment was used as a support film. On one side of this polyimide film, the aromatic polyamideimide adhesive varnish produced in Production Example 1 is cast to a thickness of 50 μm and dried at 100 ° C. for 10 minutes and at 300 ° C. for 10 minutes. A resin layer A having a thickness of 10 μm was formed. This resin layer A had a glass transition temperature of 230 ° C., a 5 wt% reduction temperature of 451 ° C., and an elastic modulus at 230 ° C. of 150 MPa. Further, the aromatic polyether amide imide resin varnish produced in Production Example 2 was cast on the opposite surface of the polyimide film to a thickness of 50 μm, dried at 100 ° C. for 10 minutes and 300 ° C. for 10 minutes, A 10 μm resin layer B was formed. The resin layer B had a glass transition temperature of 260 ° C., a 5 wt% reduction temperature of 421 ° C., and an elastic modulus at 230 ° C. of 1700 MPa. As a result, as shown in FIG. 6, an adhesive film for a semiconductor in which the resin layer A and the resin layer B were applied to the support film 7 on each side was obtained. Next, bonding was performed so that the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor was in contact with a copper lead frame (50 mm × 200 mm) at a temperature of 230 ° C., a pressure of 6 MPa, and a time of 10 seconds. When the peel strength (peeling speed: 300 mm per minute, the same applies hereinafter) was measured, it was 100 N / m, and there was no problem of peeling during transportation. Moreover, the curl of the adhesive film for semiconductor was small, and the workability at the time of adhesion was good. As shown in FIG. 5, when the lead frame 21 after the semiconductor adhesive film 20 was bonded was placed on the table 9 and the warpage (X) in the longitudinal direction of the lead frame 21 was measured, it was about 5 mm.

次に、加工すべき半導体ウエハＡ（厚さ８０μｍ）に製造例３で製造したダイボンドシートを６０℃でラミネートし、端部を切断した。これにダイシングテープ１をホットロールラミネータ（Ｄｕ Ｐｏｎｔ製Ｒｉｓｔｏｎ）で２５℃でラミネートした。この際ダイシングテープには古河電工（株）製（ＵＣ３００４Ｍ−８０）を用いた。ダイシングテープの膜厚は、１００μｍであった。さらに、得られたダイボンドシート、ダイシングテープ付き半導体ウエハを１７０℃のホットプレートで１０分間加熱させた。これをダイシングカッターを用いてダイシングし、洗浄、乾燥を行いダイボンドシート付き半導体素子を得た。   Next, the die bond sheet manufactured in Manufacturing Example 3 was laminated at 60 ° C. on the semiconductor wafer A (thickness: 80 μm) to be processed, and the ends were cut. Dicing tape 1 was laminated at 25 ° C. with a hot roll laminator (Riston manufactured by Du Pont). At this time, Furukawa Electric Co., Ltd. (UC3004M-80) was used as the dicing tape. The film thickness of the dicing tape was 100 μm. Further, the obtained die bond sheet and semiconductor wafer with dicing tape were heated on a hot plate at 170 ° C. for 10 minutes. This was diced using a dicing cutter, washed and dried to obtain a semiconductor element with a die bond sheet.

次に、半導体用接着フィルムを接着したリードフレーム及びダイボンドシート付き半導体素子を用いて、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行った。得られたパッケージは、図２のパッケージが複数繋がった構造のものである。まず、半導体用接着フィルム１を接着したリードフレーム２の開口部を通して、半導体用接着フィルム１の樹脂層Ａにダイボンドシート６付き半導体素子５を温度２００℃、圧力０．２ＭＰａ、時間２秒で接着させ、１７０℃で６０分ダイボンドシート６を硬化させた。ワイヤボンドは、ワイヤ４として金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。封止工程には封止材３としてビフェニル封止材（日立化成工業株式会社製、商品名：ＣＥＬ９２００）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ、時間３分で行い、その後、１８０℃で５時間の加熱を行い、封止樹脂を硬化させた。いずれの工程でも問題は生じなかった。図１において、１は半導体用接着フィルム、２はリードフレーム、３は封止材、４はワイヤ、５は半導体素子、６はダイボンドシートを表す。封止工程後、２５℃でリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）、９０度ピール強度は２００Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂はリードフレーム及び封止樹脂にほとんど残留しなかった。ごくわずかに残留した樹脂もＮ−メチル−２−ピロリドンで洗浄することにより、除去することができた。   Next, using a lead frame and a semiconductor element with a die bond sheet to which an adhesive film for a semiconductor was bonded, the bonding of the semiconductor element, the wire bonding process, and the sealing process were performed. The obtained package has a structure in which a plurality of the packages in FIG. 2 are connected. First, the semiconductor element 5 with the die bond sheet 6 is bonded to the resin layer A of the semiconductor adhesive film 1 through the opening of the lead frame 2 to which the semiconductor adhesive film 1 is bonded at a temperature of 200 ° C., a pressure of 0.2 MPa, and a time of 2 seconds. The die bond sheet 6 was cured at 170 ° C. for 60 minutes. Wire bonding was performed by using a gold wire as the wire 4 and heating at 260 ° C. for 5 minutes. In the sealing step, a biphenyl sealing material (trade name: CEL9200, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is used as the sealing material 3, and the temperature is 180 ° C., the pressure is 10 MPa, the time is 3 minutes, and then the temperature is 180 ° C. for 5 hours. The sealing resin was cured by heating. There was no problem in any process. In FIG. 1, 1 is an adhesive film for a semiconductor, 2 is a lead frame, 3 is a sealing material, 4 is a wire, 5 is a semiconductor element, and 6 is a die bond sheet. After the sealing process, the adhesive film for semiconductor is peeled off from the lead frame, die bond sheet and sealing material at 25 ° C. (peeling speed: 300 mm per minute, the same applies hereinafter), and the 90 ° peel strength is simple at 200 N / m. The resin was hardly left on the lead frame and the sealing resin. A very small amount of the remaining resin could be removed by washing with N-methyl-2-pyrrolidone.

さらに、このパッケージを分割して各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。図１は半導体用接着フィルム付き半導体装置を示し、図３は半導体用接着フィルムを剥離して得られた半導体装置を示す。
実施例２
厚さ２５μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製 ユーピレックス２５ＳＧＡ）を、支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した芳香族ポリアミドイミド接着剤ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ１０μｍの樹脂層Ａを形成した。この樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２３０℃、５重量％減少温度が４５１℃、２３０℃における弾性率が１５０ＭＰａのものであった。さらに、ポリイミドフィルムの反対面に、製造例２で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ１０μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２６０℃、５重量％減少温度が４２１℃、２３０℃における弾性率が１７００ＭＰａのものであった。これより、図６のように、支持フィルム７に樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつ塗布された半導体用接着フィルムを得た。次に、温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に半導体用接着フィルムの樹脂層Ａを接するように接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。図５のように、半導体用接着フィルム（４）を接着後のリードフレーム（３）を台（５）の上に載せ、リードフレーム（３）の長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、５ｍｍ程度であった。 Further, this package was divided to produce packages each having one semiconductor element, but there was no problem during the process. FIG. 1 shows a semiconductor device with a semiconductor adhesive film, and FIG. 3 shows a semiconductor device obtained by peeling the semiconductor adhesive film.
Example 2
A polyimide film (UPILEX 25SGA manufactured by Ube Industries, Ltd.) having a 25 μm thick surface subjected to chemical treatment was used as a support film. On one side of this polyimide film, the aromatic polyamideimide adhesive varnish produced in Production Example 1 is cast to a thickness of 50 μm and dried at 100 ° C. for 10 minutes and at 300 ° C. for 10 minutes. A resin layer A having a thickness of 10 μm was formed. This resin layer A had a glass transition temperature of 230 ° C., a 5 wt% reduction temperature of 451 ° C., and an elastic modulus at 230 ° C. of 150 MPa. Further, the aromatic polyether amide imide resin varnish produced in Production Example 2 was cast on the opposite surface of the polyimide film to a thickness of 50 μm, dried at 100 ° C. for 10 minutes and 300 ° C. for 10 minutes, A 10 μm resin layer B was formed. The resin layer B had a glass transition temperature of 260 ° C., a 5 wt% reduction temperature of 421 ° C., and an elastic modulus at 230 ° C. of 1700 MPa. As a result, as shown in FIG. 6, an adhesive film for a semiconductor in which the resin layer A and the resin layer B were applied to the support film 7 on each side was obtained. Next, bonding was performed so that the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor was in contact with a copper lead frame (50 mm × 200 mm) at a temperature of 230 ° C., a pressure of 6 MPa, and a time of 10 seconds. When the peel strength (peeling speed: 300 mm per minute, the same applies hereinafter) was measured, it was 100 N / m, and there was no problem of peeling during transportation. Moreover, the curl of the adhesive film for semiconductor was small, and the workability at the time of adhesion was good. As shown in FIG. 5, when the lead frame (3) after bonding the semiconductor adhesive film (4) was placed on the table (5) and the warpage (X) in the longitudinal direction of the lead frame (3) was measured, It was about 5 mm.

次に、加工すべき半導体ウエハＡ（厚さ８０μｍ）に製造例４で製造したダイボンドシートを６０℃でラミネートし、端部を切断した。これにダイシングテープをホットロールラミネータ（Ｄｕ Ｐｏｎｔ製Ｒｉｓｔｏｎ）で２５℃でラミネートした。この際ダイシングテープには古河電工（株）製（ＵＣ３００４Ｍ−８０）を用いた。ダイシングテープの膜厚は、１００μｍであった。さらに、得られたダイボンドシート、ダイシングテープ付き半導体ウエハを１７０℃のホットプレートで６０分間加熱させた。これをダイシングカッターを用いてダイシングし、洗浄、乾燥を行いダイボンドシート付き半導体素子を得た。   Next, the die bond sheet manufactured in Manufacturing Example 4 was laminated at 60 ° C. on the semiconductor wafer A (thickness: 80 μm) to be processed, and the ends were cut. The dicing tape was laminated at 25 ° C. with a hot roll laminator (Riston manufactured by Du Pont). At this time, Furukawa Electric Co., Ltd. (UC3004M-80) was used as the dicing tape. The film thickness of the dicing tape was 100 μm. Further, the obtained die bond sheet and semiconductor wafer with dicing tape were heated on a hot plate at 170 ° C. for 60 minutes. This was diced using a dicing cutter, washed and dried to obtain a semiconductor element with a die bond sheet.

次に、半導体用接着フィルムを接着したリードフレーム及びダイボンドシート付き半導体素子を用いて、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行った。得られたパッケージは、図２のパッケージが複数繋がった構造のものである。まず、半導体用接着フィルム１を接着したリードフレーム２の開口部を通して、半導体用接着フィルム１の樹脂層Ａにダイボンドシート６付き半導体素子５を温度２００℃、圧力０．２ＭＰａ、時間２秒で接着させ、１７０℃で６０分ダイボンドシート６を硬化させた。ワイヤボンドは、ワイヤとして金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。封止工程には封止材３としてビフェニル封止材（日立化成工業株式会社製、商品名：ＣＥＬ９２００）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ、時間３分で行い、その後、１８０℃で５時間の加熱を行い、封止樹脂を硬化させた。いずれの工程でも問題は生じなかった。封止工程後、２５℃でリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）、９０度ピール強度は３００Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂はリードフレーム及び封止樹脂にほとんど残留しなかった。ごくわずかに残留した樹脂もＮ−メチル−２−ピロリドンで洗浄することにより、除去することができた。   Next, using a lead frame and a semiconductor element with a die bond sheet to which an adhesive film for a semiconductor was bonded, the bonding of the semiconductor element, the wire bonding process, and the sealing process were performed. The obtained package has a structure in which a plurality of the packages in FIG. 2 are connected. First, the semiconductor element 5 with the die bond sheet 6 is bonded to the resin layer A of the semiconductor adhesive film 1 through the opening of the lead frame 2 to which the semiconductor adhesive film 1 is bonded at a temperature of 200 ° C., a pressure of 0.2 MPa, and a time of 2 seconds. The die bond sheet 6 was cured at 170 ° C. for 60 minutes. Wire bonding was performed by using a gold wire as the wire and heating at 260 ° C. for 5 minutes. In the sealing step, a biphenyl sealing material (trade name: CEL9200, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is used as the sealing material 3, and the temperature is 180 ° C., the pressure is 10 MPa, the time is 3 minutes, and then the temperature is 180 ° C. for 5 hours. The sealing resin was cured by heating. There was no problem in any process. After the sealing process, the adhesive film for semiconductor is peeled off from the lead frame, die bond sheet and sealing material at 25 ° C. (peeling speed: 300 mm per minute, the same applies hereinafter), 90 ° peel strength is simple at 300 N / m The resin was hardly left on the lead frame and the sealing resin. A very small amount of the remaining resin could be removed by washing with N-methyl-2-pyrrolidone.

さらに、このパッケージを分割して各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。   Further, this package was divided to produce packages each having one semiconductor element, but there was no problem during the process.

比較例１
厚さ２５μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製 ユーピレックス２５ＳＧＡ）を、支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した芳香族ポリアミドイミド接着剤ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ１０μｍの樹脂層Ａを形成した。この樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２３０℃、５重量％減少温度が４５１℃、２３０℃における弾性率が１５０ＭＰａのものであった。さらに、ポリイミドフィルムの反対面に、製造例２で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ１０μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２６０℃、５重量％減少温度が４２１℃、２３０℃における弾性率が１７００ＭＰａのものであった。これより、図６のように、支持フィルム７に樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつ塗布された半導体用接着フィルムを得た。次に、温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に半導体用接着フィルムの樹脂層Ａを接するように接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。 Comparative Example 1
A polyimide film (UPILEX 25SGA manufactured by Ube Industries, Ltd.) having a 25 μm thick surface subjected to chemical treatment was used as a support film. On one side of this polyimide film, the aromatic polyamideimide adhesive varnish produced in Production Example 1 is cast to a thickness of 50 μm and dried at 100 ° C. for 10 minutes and at 300 ° C. for 10 minutes. A resin layer A having a thickness of 10 μm was formed. This resin layer A had a glass transition temperature of 230 ° C., a 5 wt% reduction temperature of 451 ° C., and an elastic modulus at 230 ° C. of 150 MPa. Further, the aromatic polyether amide imide resin varnish produced in Production Example 2 was cast on the opposite surface of the polyimide film to a thickness of 50 μm, dried at 100 ° C. for 10 minutes and 300 ° C. for 10 minutes, A 10 μm resin layer B was formed. The resin layer B had a glass transition temperature of 260 ° C., a 5 wt% reduction temperature of 421 ° C., and an elastic modulus at 230 ° C. of 1700 MPa. As a result, as shown in FIG. 6, an adhesive film for a semiconductor in which the resin layer A and the resin layer B were applied to the support film 7 on each side was obtained. Next, bonding was performed so that the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor was in contact with a copper lead frame (50 mm × 200 mm) at a temperature of 230 ° C., a pressure of 6 MPa, and a time of 10 seconds. When the peel strength (peeling speed: 300 mm per minute, the same applies hereinafter) was measured, it was 100 N / m, and there was no problem of peeling during transportation.

次に、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行った。得られたパッケージは、図２のようなパッケージが複数繋がった構造のものであるが、比較例１では半導体素子の接着にはダイボンドシートの代りに銀ペーストを用い、１５０℃で６０分加熱して銀ペーストを硬化させた。ワイヤとして金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。封止工程には封止材としてビフェニル封止材（日立化成工業株式会社製、商品名：ＣＥＬ９２００）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ、時間３分で行い、その後、１８０℃で５時間の加熱を行い、封止樹脂を硬化させた。いずれの工程でも問題は生じなかった。封止工程後、２５℃でリードフレーム及び封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）、９０度ピール強度は１３００Ｎ／ｍで簡単に引き剥がすことはできなかった。さらに、剥がした半導体用接着フィルムに銀ペーストが残留してしまった。樹脂はリードフレーム及び封止材に大量に残留し、Ｎ−メチル−２−ピロリドンで洗浄しても、除去することが難しかった。   Next, using the lead frame to which the adhesive film for semiconductor was bonded, the bonding of the semiconductor element, the wire bonding step, and the sealing step were performed. The obtained package has a structure in which a plurality of packages as shown in FIG. 2 are connected. In Comparative Example 1, a silver paste is used instead of a die bond sheet for bonding the semiconductor element, and the package is heated at 150 ° C. for 60 minutes. The silver paste was cured. A gold wire was used as the wire and heated at 260 ° C. for 5 minutes. In the sealing process, biphenyl sealing material (trade name: CEL9200, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is used as the sealing material, and the temperature is 180 ° C., the pressure is 10 MPa, and the time is 3 minutes. Heating was performed to cure the sealing resin. There was no problem in any process. After the sealing step, the semiconductor adhesive film is peeled off from the lead frame and the sealing material at 25 ° C. (peeling speed: 300 mm / min, the same applies hereinafter), and the 90 ° peel strength is easily peeled off at 1300 N / m. I couldn't. Furthermore, the silver paste remained in the peeled adhesive film for a semiconductor. A large amount of the resin remained in the lead frame and the sealing material, and it was difficult to remove the resin even by washing with N-methyl-2-pyrrolidone.

実施例１〜２及び比較例１の結果より、２５℃におけるリードフレームとの９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上で、なおかつ樹脂封止後、０℃〜２５０℃の温度範囲の少なくとも１点においてリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材との９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下であるような半導体用接着フィルム及びダイボンドシートを用いることにより、半導体装置を高い作業性と生産性で製造できることが示される。   From the results of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1, the 90 degree peel strength with the lead frame at 25 ° C. is 5 N / m or more, and at least one point in the temperature range of 0 ° C. to 250 ° C. after resin sealing. It shows that a semiconductor device can be manufactured with high workability and productivity by using a semiconductor adhesive film and a die bond sheet whose 90 degree peel strength with a lead frame, a die bond sheet and a sealing material is 1000 N / m or less. It is.

本発明における半導体用接着フィルム及びダイボンドシートは、２５℃においてリードフレームと半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａとダイボンドシートとの密着性が高く、なおかつ樹脂封止後、０〜２５０℃で、半導体用接着フィルムとリードフレーム、ダイボンドシート及び封止樹脂から簡便に引き剥がせるため、半導体パッケージを高い作業性と生産性で製造することを可能とするものである。   The adhesive film for semiconductor and the die bond sheet in the present invention have high adhesion between the lead frame and the adhesive film for semiconductor at 25 ° C., the resin layer A of the adhesive film for semiconductor and the die bond sheet, and 0 to 250 after resin sealing. Since it can be easily peeled off from the semiconductor adhesive film and the lead frame, the die bond sheet and the sealing resin at ℃, the semiconductor package can be manufactured with high workability and productivity.

また、この半導体用接着フィルムを用いて作製される本発明の半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化の点で優れており、例えば、携帯電話等の情報機器への使用に適している。   In addition, the semiconductor device of the present invention manufactured using this adhesive film for semiconductor is excellent in terms of high density, small area, and thinning, and is suitable for use in information equipment such as mobile phones. ing.

本発明の一態様の半導体用接着フィルム付き半導体装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor device with the adhesive film for semiconductors of 1 aspect of this invention. 本発明の一態様の半導体用接着フィルム付き半導体装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor device with the adhesive film for semiconductors of 1 aspect of this invention. 本発明の半導体用接着フィルムを用いて作製された半導体装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor device produced using the adhesive film for semiconductors of this invention. 本発明の一態様の半導体用接着フィルムの断面図である。It is sectional drawing of the adhesive film for semiconductors of 1 aspect of this invention. 半導体用接着フィルムを接着したリードフレームの反りの測定方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the measuring method of the curvature of the lead frame which adhere | attached the adhesive film for semiconductors. 本発明の一態様の半導体用接着フィルムの断面図であるIt is sectional drawing of the adhesive film for semiconductors of 1 aspect of this invention. ＣＳＰの一実施態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one embodiment of CSP. スタックドＣＳＰの一実施態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one embodiment of stacked CSP. 本発明のダイボンドシート、半導体ウエハ、及びダイシングテープの一実施態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one embodiment of the die-bonding sheet of this invention, a semiconductor wafer, and a dicing tape. 本発明の多層ダイボンドシート、半導体ウエハ、及びダイシングテープの一実施態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one embodiment of the multilayer die-bonding sheet of this invention, a semiconductor wafer, and a dicing tape. 本発明のダイボンドシートを用いた接着材付き半導体素子を、ワイヤボンディングされた素子に接着する際の工程の一実施態様を示す概略図である。It is the schematic which shows one embodiment of the process at the time of adhere | attaching the semiconductor element with an adhesive material using the die-bonding sheet | seat of this invention to the element by which wire bonding was carried out. 本発明の基材フィルム付きダイボンドシートの一実施態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one embodiment of the die-bonding sheet | seat with a base film of this invention. 本発明の基材フィルム付き多層ダイボンドシートの一実施態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one embodiment of the multilayer die-bonding sheet with a base film of this invention. 本発明の接着材付き半導体素子の一実施態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one embodiment of the semiconductor element with an adhesive material of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 半導体用接着フィルム
２ リードフレーム
３ 封止材
４ ワイヤ
５ 半導体素子
６ ダイボンドシート
７ 支持フィルム
８ 樹脂層Ａ
９ 台
１０ 樹脂層Ｂ
１１ ダイシングテープ
１２ ワイヤ
１３ 基板
１４ 配線
１５ 基材フィルム
２０ 半導体用接着フィルム
２１ リードフレーム
Ａ 半導体ウエハ
Ａ１ 半導体素子
ａ 第一の接着剤層
ｂ ダイボンドシート
ｂ‘ 第２の接着層
ｂ１ 接着剤
ｃ 多層ダイボンドシート DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Adhesive film for semiconductors 2 Lead frame 3 Sealing material 4 Wire 5 Semiconductor element 6 Die bond sheet 7 Support film 8 Resin layer A
9 units 10 Resin layer B
11 Dicing Tape 12 Wire 13 Substrate 14 Wiring 15 Base Film 20 Adhesive Film 21 for Semiconductor Lead Frame A Semiconductor Wafer A1 Semiconductor Element a First Adhesive Layer b Die Bond Sheet b ′ Second Adhesive Layer b1 Adhesive c Multilayer Die Bond Sheet

Claims (53)

樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに片面を接して接着されたリードフレーム、リードフレームの開口部を通して、半導体接着フィルムの樹脂層Ａにダイボンドシートを用いて接着された半導体素子、半導体素子とリードフレームのインナーリードとを接続するワイヤ並びに半導体素子及びワイヤを封止している封止材からなる半導体用接着フィルム付き半導体装置。   Adhesive film for semiconductor having resin layer A, lead frame bonded to one side of resin layer A of the adhesive film for semiconductor, and adhesive layer resin layer A using a die bond sheet through the opening of the lead frame A semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor comprising a semiconductor element, a wire connecting the semiconductor element and an inner lead of a lead frame, and a semiconductor element and a sealing material sealing the wire. 請求項１記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置から前記半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置。   The semiconductor device obtained by peeling the said adhesive film for semiconductors from the semiconductor device with the adhesive film for semiconductors of Claim 1. インナーリードを有するリードフレームの片面に半導体用接着フィルムを接着する工程、リードフレーム開口部を通して、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａにダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する工程、ワイヤボンディングにより、半導体素子とインナーリードとをワイヤで接続する工程、リードフレームの露出面、半導体素子及びワイヤを封止材で封止する工程並びに半導体用接着フィルムをリードフレームおよび封止材およびダイボンドシートから剥離する工程からなる半導体装置の製造方法。   A step of bonding a semiconductor adhesive film to one side of a lead frame having an inner lead, a step of bonding a semiconductor element using a die bond sheet to a resin layer A of a semiconductor adhesive film through a lead frame opening, and a semiconductor by wire bonding The step of connecting the element and the inner lead with a wire, the exposed surface of the lead frame, the step of sealing the semiconductor element and the wire with a sealing material, and the step of peeling the semiconductor adhesive film from the lead frame, the sealing material and the die bond sheet A method for manufacturing a semiconductor device comprising: リードフレームが各々ダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンからなり、封止する工程後又は半導体用接着フィルムを剥離する工程後に、封止したリードフレームを分割することにより、各々１個の半導体素子を有する複数の半導体装置を得る工程を含む請求項３記載の半導体装置の製造方法。   Each lead frame is composed of a plurality of patterns each having a die pad and an inner lead. After the step of sealing or after the step of peeling the adhesive film for semiconductor, the sealed lead frame is divided so that one semiconductor element is formed. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3, further comprising a step of obtaining a plurality of semiconductor devices. 半導体用接着フィルムが樹脂層Ａの少なくとも一層からなり、半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、かつ半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との０〜２５℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である請求項１記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The adhesive film for semiconductor consists of at least one layer of the resin layer A, the 90 ° peel strength at 25 ° C. between the resin layer A and the lead frame after bonding the semiconductor adhesive film to the lead frame is 5 N / m or more, and The 90 degree peel strength at least at one point in the temperature range of 0 to 25 ° C. between the resin layer A, the lead frame, and the sealing material after sealing the lead frame to which the semiconductor adhesive film is bonded with the sealing material is 1000 N. The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 1, wherein the semiconductor device is / m or less. 封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレームおよび封止材との１００〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The 90 degree peel strength at at least one point in the temperature range of 100 to 250 ° C of the resin layer A after sealing with the sealing material, the lead frame, and the sealing material is both 1000 N / m or less. Semiconductor device with adhesive film for semiconductors. 封止材で封止した後に半導体用接着フィルムをリードフレーム及び封止材から引き剥がすときの温度における樹脂層Ａとリードフレームおよび封止材との９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The 90 degree peel strength between the resin layer A, the lead frame, and the sealing material at a temperature when the adhesive film for semiconductor is peeled off from the lead frame and the sealing material after sealing with the sealing material is 1000 N / m or less. A semiconductor device with an adhesive film for semiconductor according to claim 5. 半導体用接着フィルムの樹脂層Ａのガラス転移温度が１００〜３００℃である請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 5, wherein the glass transition temperature of the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor is 100 to 300 ° C. 6. 半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが５％重量減少する温度が３００℃以上である請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   6. The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 5, wherein the temperature at which the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor is reduced by 5% by weight is 300 ° C. or higher. 半導体用接着フィルムの樹脂層Ａの２３０℃における弾性率が１ＭＰａ以上である請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 5, wherein the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor has an elastic modulus at 230 ° C of 1 MPa or more. 半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが熱可塑性樹脂を含有する請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   6. The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 5, wherein the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor contains a thermoplastic resin. 熱可塑性樹脂が、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基、スルホン基のいずれかを有する熱可塑性樹脂である請求項１１記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 11, wherein the thermoplastic resin is a thermoplastic resin having any one of an amide group, an ester group, an imide group, an ether group, and a sulfone group. 半導体用接着フィルムが支持フィルムを有しており、かつ半導体用接着フィルムの支持フィルムの片面又は両面に樹脂層Ａが形成されている請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 5, wherein the adhesive film for a semiconductor has a support film, and the resin layer A is formed on one side or both sides of the support film of the adhesive film for semiconductor. 半導体用接着フィルムの支持フィルムの材質が芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれる請求項１３記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The support film of the adhesive film for semiconductor is made of aromatic polyimide, aromatic polyamide, aromatic polyamideimide, aromatic polysulfone, aromatic polyethersulfone, polyphenylene sulfide, aromatic polyetherketone, polyarylate, aromatic polyetherether The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 13, which is selected from the group consisting of ketone and polyethylene naphthalate. 半導体用接着フィルムの樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が、０．５以下である請求項１３記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   14. The semiconductor-attached semiconductor with a semiconductor film according to claim 13, wherein the ratio (A / B) of the thickness (A) of the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor to the thickness (B) of the support film is 0.5 or less. apparatus. 半導体用接着フィルムの支持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層Ａが形成されており、その反対面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂが形成されている請求項１３記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The resin layer A having adhesiveness is formed on one side of the support film of the adhesive film for semiconductor, and the resin layer B having no adhesiveness having an elastic modulus at 230 ° C. of 10 MPa or more is formed on the opposite side. Item 14. A semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to Item 13. インナーリードを有するリードフレームの片面に半導体用接着フィルムを接着する工程において、半導体用接着フィルムが請求項５〜１６いずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置の半導体用接着フィルムであり、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａとリードフレームを接着する、請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法。   In the step of adhering the adhesive film for a semiconductor to one side of a lead frame having an inner lead, the adhesive film for a semiconductor is an adhesive film for a semiconductor of a semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 5 to 16. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3 or 4, wherein the resin layer A of the adhesive film for a semiconductor and the lead frame are bonded together. リードフレームの開口部を通して、半導体用接着テープの樹脂層Ａにダイボンドシートを用い半導体素子を接着した後の、ダイボンドシートと半導体用接着テープとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、かつ封止材で封止した後の樹脂層Ａとダイボンドシートとの０〜２５℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である請求項１記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The 90 degree peel strength at 25 ° C. between the die bond sheet and the semiconductor adhesive tape after bonding the semiconductor element using the die bond sheet to the resin layer A of the semiconductor adhesive tape through the opening of the lead frame is 5 N / m or more. The 90 degree peel strength at least at one point in the temperature range of 0 to 25 ° C. between the resin layer A and the die bond sheet after sealing with a sealing material is 1000 N / m or less. Semiconductor device with film. 封止材で封止した後の樹脂層Ａとダイボンドシートとの１００〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である請求項１８記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor-adhesive film-equipped semiconductor according to claim 18, wherein the 90-degree peel strength at at least one point in the temperature range of 100 to 250 ° C between the resin layer A and the die bond sheet after sealing with the sealing material is 1000 N / m or less. apparatus. 封止材で封止した後に半導体用接着フィルムをリードフレーム、封止材及びダイボンドシートから引き剥がすときの温度における樹脂層Ａとリードフレーム、封止材及びダイボンドシートとの９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である請求項１８記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   Which is the 90 degree peel strength between the resin layer A and the lead frame, sealing material and die bond sheet at the temperature when the semiconductor adhesive film is peeled off from the lead frame, sealing material and die bond sheet after sealing with the sealing material? The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 18, which is 1000 N / m or less. ダイボンドシートが架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０重量％及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分６０〜８５重量％を含む樹脂１００重量部と、フィラー４０〜１８０重量部と、着色剤０〜１０重量部とを含有し、厚さが１０〜２５０μｍである請求項１８記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The die bond sheet has a weight average molecular weight containing a crosslinkable functional group of 100,000 or more, a high molecular weight component of 15 to 40% by weight having a Tg of −50 to 50 ° C., and a thermosetting component mainly composed of an epoxy resin of 60 to 85%. 19. The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 18, comprising 100 parts by weight of a resin containing 100% by weight, 40 to 180 parts by weight of filler, and 0 to 10 parts by weight of a colorant, and having a thickness of 10 to 250 μm. ダイボンドシートの硬化前の２５℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２００〜３０００ＭＰａであり８０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａである請求項２１記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The storage elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement at 25 ° C before curing of the die bond sheet is 200 to 3000 MPa, and the storage elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement at 80 ° C is 0.1 to 10 MPa. Semiconductor device with adhesive film for semiconductors. ダイボンドシートの硬化後の１７０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２０〜６００ＭＰａである請求項２１又は２２記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 21 or 22, wherein a storage elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement at 170 ° C after curing of the die bond sheet is 20 to 600 MPa. ダイボンドシートの硬化前の１００℃での溶融粘度が１０００〜７５００Ｐａ・ｓである請求項２１〜２３のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 21 to 23, wherein the melt viscosity at 100 ° C before curing of the die bond sheet is 1000 to 7500 Pa · s. ダイボンドシートが樹脂１００重量部とフィラー４０〜１８０重量部とを含有する、請求項２１〜２４のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 21 to 24, wherein the die bond sheet contains 100 parts by weight of a resin and 40 to 180 parts by weight of a filler. ダイボンドシートのフィラーのモース硬度が３〜８である、請求項２１〜２５のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for semiconductor according to any one of claims 21 to 25, wherein the filler of the die bond sheet has a Mohs hardness of 3 to 8. 第１の接着剤層及び第２の接着剤層が直接的に又は間接的に積層された構造を有してなる多層ダイボンドシートであって、少なくとも第２の接着層が請求項１８〜２７のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置におけるダイボンドシートからなり、かつ、第１の接着剤層のフロー量Ａμｍ、厚さａμｍ、第２の接着剤層のフロー量Ｂμｍ、厚さｂμｍとが、Ａ×３＜Ｂかつａ×２＜ｂの関係を有する多層ダイボンドシート。   28. A multilayer die-bonded sheet having a structure in which a first adhesive layer and a second adhesive layer are laminated directly or indirectly, wherein at least the second adhesive layer is defined in claims 18 to 27. It consists of the die bond sheet in the semiconductor device with the adhesive film for semiconductors according to any one of the above, and the flow amount A μm of the first adhesive layer, the thickness a μm, the flow amount B μm of the second adhesive layer, the thickness b μm. Are multilayer die-bonded sheets having a relationship of A × 3 <B and a × 2 <b. 第１の接着剤層及び第２の接着剤層が直接的に又は間接的に積層された構造を有してなる多層ダイボンドシートであって、少なくとも第２の接着層が請求項１８〜２７のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置におけるダイボンドシートからなり、かつ、第１の接着剤層の溶融粘度αＰａ・ｓ、厚さａμｍ、第２の接着剤層の溶融粘度βＰａ・ｓ、厚さｂμｍとが、α＞β×３かつａ×２＜ｂの関係を有する多層ダイボンドシート。   28. A multilayer die-bonded sheet having a structure in which a first adhesive layer and a second adhesive layer are laminated directly or indirectly, wherein at least the second adhesive layer is defined in claims 18 to 27. It consists of the die-bonding sheet in the semiconductor device with the adhesive film for semiconductors according to any one of the above, and has a melt viscosity αPa · s of the first adhesive layer, a thickness of a μm, and a melt viscosity βPa · s of the second adhesive layer. A multilayer die-bonding sheet having a relationship of α> β × 3 and a × 2 <b with a thickness b μm. ダイボンドシートが（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、及び（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物、を含有している請求項１８記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   19. The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 18, wherein the die bond sheet contains (a) an epoxy resin, (b) a curing agent, and (c) a polymer compound that is incompatible with the epoxy resin. ダイボンドシートの（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化剤との合計重量をＡとし、（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物の重量をＢとしたとき、その比率Ａ／Ｂが０．２４〜１．０である請求項２９記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   When the total weight of the die bond sheet (a) epoxy resin and (b) curing agent is A, and (c) the weight of the polymer compound incompatible with the epoxy resin is B, the ratio A / B is 30. The semiconductor device with an adhesive film for semiconductor according to claim 29, which is 0.24 to 1.0. ダイボンドシートの（ａ）エポキシ樹脂が環球式で測定した軟化点が５０℃以上の固形エポキシ樹脂である請求項２９または３０記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 29 or 30, wherein (a) the epoxy resin of the die bond sheet is a solid epoxy resin having a softening point of 50 ° C or higher measured by a ring and ball type. ダイボンドシートの（ａ）エポキシ樹脂が変異原性を有しないものである請求項２９〜３１のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 29 to 31, wherein the epoxy resin (a) of the die bond sheet has no mutagenicity. ダイボンドシートの（ｂ）硬化剤が、水酸基等量１５０ｇ／ｅｑ以上のフェノール樹脂である請求項２９〜３２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 29 to 32, wherein (b) the curing agent of the die bond sheet is a phenol resin having a hydroxyl group equivalent of 150 g / eq or more. ダイボンドシートの（ｂ）硬化剤が、下記一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂である請求項３３記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
Figure 2008103700
 （式中、Ｒ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐アルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、アニケル基、水酸基、アリール基、又はハロゲン原子を表し、ｎは１〜３の整数を表し、そしてｍは０〜５０の整数を表す。） The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 33, wherein (b) the curing agent of the die bond sheet is a phenol resin represented by the following general formula (I).
Figure 2008103700
 (In the formula, each R 1 may be the same or different and is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cyclic alkyl group, an aralkyl group, an anikel group, a hydroxyl group, an aryl group, or a halogen atom. N represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 0 to 50.) ダイボンドシートの一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂の吸水率が２体積％以下である請求項３４記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 34, wherein the water absorption of the phenol resin represented by the general formula (I) of the die bond sheet is 2% by volume or less. ダイボンドシートの（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物が、官能基含有アクリル共重合体である請求項２９〜３５のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   36. The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 29 to 35, wherein (c) the polymer compound incompatible with the epoxy resin of the die bond sheet is a functional group-containing acrylic copolymer. ダイボンドシートの官能基含有アクリル共重合体が、エポキシ基含有アクリル共重合体である請求項３６記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 36, wherein the functional group-containing acrylic copolymer of the die bond sheet is an epoxy group-containing acrylic copolymer. ダイボンドシートのエポキシ基含有アクリル共重合体が、その原料としてグリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートを０．５〜６重量％含有するものである請求項３７記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 37, wherein the epoxy group-containing acrylic copolymer of the die bond sheet contains 0.5 to 6% by weight of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as a raw material. ダイボンドシートの官能基含有アクリル共重合体が、重量平均分子量が１０万以上である請求項３６〜３８のいずれか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to any one of claims 36 to 38, wherein the functional group-containing acrylic copolymer of the die bond sheet has a weight average molecular weight of 100,000 or more. ダイボンドシートの官能基含有アクリル共重合体が、ガラス転移温度が−５０℃〜３０℃である請求項３６〜３９のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 36 to 39, wherein the functional group-containing acrylic copolymer of the die bond sheet has a glass transition temperature of -50C to 30C. ダイボンドシートに更に（ｄ）フィラーを含有する請求項２９〜４０のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 29 to 40, wherein the die bond sheet further contains (d) a filler. ダイボンドシートの（ｄ）フィラーが０．００５μｍ〜０．１μｍの平均粒径を含有する請求項４１記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 41, wherein the filler (d) of the die bond sheet contains an average particle diameter of 0.005 µm to 0.1 µm. ダイボンドシートの（ｄ）フィラーがシリカである請求項４１または４２記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   43. The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 41 or 42, wherein the filler (d) of the die bond sheet is silica. ダイボンドシートの（ｄ）フィラーが、表面を有機物でコーティングされたものである請求項４１〜４３のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 41 to 43, wherein the surface of the die bond sheet (d) filler is coated with an organic substance. ダイボンドシートの（ｄ）フィラーが、水との接触角が０度〜１００度のものである請求項４１〜４４のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 41 to 44, wherein the filler (d) of the die bond sheet has a contact angle with water of 0 to 100 degrees. ダイボンドシートの（ｃ）高分子化合物が、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを１．５〜２．５重量％を含む重量平均分子量が１０万以上のエポキシ基含有アクリル共重合体であり、平均粒径が０．０１０μｍ〜０．１μｍの（ｄ）無機フィラーを樹脂１００体積部に対して１〜５０体積部含むものである請求項４１〜４５のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The die bond sheet (c) polymer compound is an epoxy group-containing acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 100,000 or more containing 1.5 to 2.5% by weight of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate, and having an average particle size of 46. The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 41 to 45, wherein (d) an inorganic filler of 0.010 μm to 0.1 μm is contained in an amount of 1 to 50 parts by volume with respect to 100 parts by volume of the resin. ダイボンドシートがさらに（ｅ）硬化促進剤を含有する請求項２９〜４６のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   47. The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 29 to 46, wherein the die bond sheet further contains (e) a curing accelerator. ダイボンドシートの（ｅ）硬化促進剤がイミダゾール化合物である請求項４７記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   48. The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to claim 47, wherein (e) the curing accelerator of the die bond sheet is an imidazole compound. ダイボンドシートが硬化した段階の断面において、成分が二相に分離している請求項２９〜４８のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   49. The semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to any one of claims 29 to 48, wherein the component is separated into two phases in the cross section at the stage where the die bond sheet is cured. ダイボンドシートの二相が海相と島相からなり、島相の外周長さＳが、断面積Ｖに対して下記式（１）で示される関係を有するものである請求項４９記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
Figure 2008103700
 The semiconductor phase according to claim 49, wherein the two phases of the die bond sheet are composed of a sea phase and an island phase, and the outer peripheral length S of the island phase has a relationship represented by the following formula (1) with respect to the cross-sectional area V. Semiconductor device with adhesive film.
Figure 2008103700
 ダイボンドシートの２４０℃における貯蔵弾性率が１〜２０ＭＰａである請求項２９〜５０のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   51. The semiconductor device with an adhesive film for semiconductor according to claim 29, wherein the die bond sheet has a storage elastic modulus at 240 [deg.] C. of 1 to 20 MPa. ダイボンドシートが硬化した段階で、０．０１〜２μｍの平均径を有する空孔を有し、空孔の体積含有率が０．１〜２０体積％であることを特徴とする請求項２９〜５１のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   52. It has a void | hole which has an average diameter of 0.01-2 micrometers in the step which the die-bonding sheet | seat hardened | cured, The volume content rate of a void | hole is 0.1-20 volume%, It is characterized by the above-mentioned. The semiconductor device with the adhesive film for semiconductors as described in any one of these. ダイボンドシートが、（ａ）硬化した段階で成分が二相に分離している、（ｂ）２４０℃における貯蔵弾性率が１〜２０ＭＰａの硬化物を与える、（ｃ）硬化した段階で０．０１〜２μｍの平均径を有する空孔を有し空孔の体積含有率が０．１〜２０体積％である、のうち少なくとも一つの条件を満足するものである請求項２９〜４８のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。   The die bond sheet is (a) the components are separated into two phases at the stage of curing, (b) a cured product having a storage elastic modulus at 240 ° C. of 1 to 20 MPa, (c) 0.01 at the stage of curing. 49. The method according to any one of claims 29 to 48, which satisfies at least one of the following conditions: pores having an average diameter of ˜2 μm and a volume content of the pores of 0.1 to 20% by volume: A semiconductor device with an adhesive film for a semiconductor according to item.
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