JPWO2019138810A1 - 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents

Abstract

本発明の課題は、高次モードを抑制することである。複数の弾性波共振子（３１〜３９）のうち第１端子（１０１）に電気的に最も近い弾性波共振子をアンテナ端共振子とした場合に、アンテナ端共振子は、第１弾性波共振子（３Ａ）であり、複数の弾性波共振子（３１〜３９）のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第２弾性波共振子（３Ｂ）である。弾性波装置１は、第１条件を満たす。第１条件は、第１弾性波共振子（３Ａ）及び第２弾性波共振子（３Ｂ）の高音速部材（４Ａ，４Ｂ）の各々がシリコン基板を含み、第１弾性波共振子（３Ａ）のシリコン基板における圧電体層（６Ａ）側の面（４１Ａ）が（１１１）面又は（１１０）面であり、第２弾性波共振子（３Ｂ）のシリコン基板における圧電体層（６Ｂ）側の面（４１Ｂ）が（１００）面である、という条件である。

Description

本発明は、一般に弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関し、より詳細には、複数の弾性波共振子を備える弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。

従来、共振子（弾性波共振子）等に用いられる弾性波装置として、圧電膜を有する弾性波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載された弾性波装置は、圧電膜を伝搬する弾性波音速より伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板と、高音速支持基板上に積層されており、圧電膜を伝搬するバルク波音速より伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、低音速膜上に積層された圧電膜と、圧電膜の一方面に形成されているＩＤＴ電極と、を備える。

そして、特許文献１には、ＩＤＴ電極を含む電極構造は特に限定されず、共振子を組み合わせたラダー型フィルタ、縦結合フィルタ、ラチス型フィルタ、トランスバーサル型フィルタを構成するように変形し得る旨が記載されている。

国際公開第２０１２／０８６６３９号

特許文献１に記載された弾性波装置では、弾性波共振子の共振周波数よりも高周波数側に、高次モードが発生する、という問題があった。なお、特許文献１に記載された弾性波装置をマルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置のそれぞれに適用した場合にも、弾性波装置で高次モードが発生するという問題があった。

本発明の目的は、高次モードを抑制することが可能な弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。

本発明の一態様に係る弾性波装置は、アンテナ端子である第１端子と、前記第１端子とは異なる第２端子との間に設けられる。前記弾性波装置は、複数の弾性波共振子を備える。前記複数の弾性波共振子は、前記第１端子と前記第２端子とを結ぶ第１経路上に設けられた複数の直列腕共振子と、前記第１経路上の複数のノードそれぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路上に設けられた複数の並列腕共振子と、を含む。前記複数の弾性波共振子のうち前記第１端子に電気的に最も近い弾性波共振子をアンテナ端共振子とした場合に、前記アンテナ端共振子は、第１弾性波共振子、ＳＡＷ共振子又はＢＡＷ共振子であり、前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第２弾性波共振子又は第３弾性波共振子である。前記アンテナ端共振子が前記第１弾性波共振子の場合は、前記少なくとも１つの弾性波共振子は前記第２弾性波共振子である。前記アンテナ端共振子が前記ＳＡＷ共振子又は前記ＢＡＷ共振子である場合は、前記少なくとも１つの弾性波共振子は前記第３弾性波共振子である。前記ＳＡＷ共振子は、圧電体基板と、複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、を含む。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体基板上に形成されている。前記第１弾性波共振子、前記第２弾性波共振子及び前記第３弾性波共振子の各々は、圧電体層と、複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、高音速部材と、を含む。前記第１弾性波共振子、前記第２弾性波共振子及び前記第３弾性波共振子の各々の前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に形成されている。前記高音速部材は、前記圧電体層を挟んで前記ＩＤＴ電極とは反対側に位置している。前記高音速部材では、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。前記第１弾性波共振子、前記第２弾性波共振子及び前記第３弾性波共振子の各々では、前記圧電体層の厚さが、前記ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。前記弾性波装置は、前記アンテナ端共振子が前記第１弾性波共振子であり前記少なくとも１つの弾性波共振子が前記第２弾性波共振子である場合、第１条件と第２条件と第３条件とのうち少なくとも１つを満たす。前記第１条件は、前記第１弾性波共振子及び前記第２弾性波共振子の前記高音速部材の各々がシリコン基板を含み、前記第１弾性波共振子の前記シリコン基板における前記圧電体層側の面が（１１１）面又は（１１０）面であり、前記第２弾性波共振子の前記シリコン基板における前記圧電体層側の面が（１００）面である、という条件である。前記第２条件は、前記第１弾性波共振子の前記圧電体層が、前記第２弾性波共振子の前記圧電体層よりも薄い、という条件である。前記第３条件は、前記第１弾性波共振子及び前記第２弾性波共振子の各々が、低音速膜を含み、かつ、前記第１弾性波共振子の前記低音速膜が、前記第２弾性波共振子の前記低音速膜よりも薄い、という条件である。前記低音速膜は、前記高音速部材と前記圧電体層との間に設けられている。前記低音速膜では、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。

本発明の一態様に係るマルチプレクサは、前記弾性波装置からなる第１フィルタと、第２フィルタと、を備える。前記第２フィルタは、前記第１端子と前記第１端子とは異なる第３端子との間に設けられている。前記第１フィルタの通過域が、前記第２フィルタの通過域よりも低周波数域である。

本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、前記マルチプレクサと、前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える。

本発明の一態様に係る通信装置は、高周波フロントエンド回路と、ＲＦ信号処理回路と、を備える。前記ＲＦ信号処理回路は、アンテナで受信される高周波信号を処理する。前記高周波フロントエンド回路は、前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する。

本発明の一態様に係る弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置は、高次モードを抑制することが可能となる。

図１は、本発明の実施形態１に係る弾性波装置の回路図である。 図２は、同上の弾性波装置を備える通信装置の構成図である。 図３Ａは、同上の弾性波装置における第１弾性波共振子の断面図である。図３Ｂは、同上の弾性波装置における第２弾性波共振子の断面図である。 図４Ａは、同上の弾性波装置における第１弾性波共振子の要部平面図である。図４Ｂは、同上の弾性波装置における第１弾性波共振子を示し、図４ＡのＡ−Ａ線断面図である。 図５Ａは、同上の弾性波装置における第２弾性波共振子の要部平面図である。図５Ｂは、同上の弾性波装置における第２弾性波共振子を示し、図５ＡのＡ−Ａ線断面図である。 図６は、同上の弾性波装置における第１弾性波共振子及び第２弾性波共振子それぞれのインピーダンス−周波数特性図である。 図７は、同上の弾性波装置における第１弾性波共振子及び第２弾性波共振子それぞれの位相−周波数特性図である。 図８Ａは、本発明の実施形態１の変形例１に係る弾性波装置における第１弾性波共振子の断面図である。図８Ｂは、同上の弾性波装置における第２弾性波共振子の断面図である。 図９は、本発明の実施形態１の変形例２に係るマルチプレクサの回路図である。 図１０は、本発明の実施形態１の変形例３に係る弾性波装置の回路図である。 図１１Ａは、本発明の実施形態２に係る弾性波装置における第１弾性波共振子の断面図である。図１１Ｂは、同上の弾性波装置における第２弾性波共振子の断面図である。 図１２は、参考例１に係る弾性波共振子に関し、ＩＤＴ電極の厚さと高次モード位相特性との関係を示すグラフである。 図１３は、参考例１に係る弾性波共振子に関し、ＩＤＴ電極の厚さと共振周波数との関係を示すグラフである。 図１４は、参考例１に係る弾性波共振子に関し、ＩＤＴ電極の厚さと共振周波数のＩＤＴ電極の厚さに対する依存性との関係を示すグラフである。 図１５は、参考例２に係る弾性波共振子に関し、ＩＤＴ電極の厚さとＴＣＦ（Temperature Coefficient of Frequency）との関係を示すグラフである。 図１６は、参考例２に係る弾性波共振子の反射特性図である。 図１７は、参考例２に係る弾性波共振子に関し、インピーダンスの周波数特性図である。 図１８Ａは、本発明の実施形態３に係る弾性波装置における第１弾性波共振子の断面図である。図１８Ｂは、同上の弾性波装置における第２弾性波共振子の断面図である。 図１９は、参考例３に係る弾性波共振子に関し、圧電体層の厚さと高次モード位相特性との関係を示すグラフである。 図２０は、参考例３に係る弾性波共振子に関し、圧電体層の厚さとＱ値との関係を示すグラフである。 図２１Ａは、本発明の実施形態３の変形例１に係る弾性波装置における第１弾性波共振子の断面図である。図２１Ｂは、同上の弾性波装置における第２弾性波共振子の断面図である。 図２２は、本発明の実施形態３の変形例２に係る弾性波装置の第１弾性波共振子及び第２弾性波共振子の断面図である。 図２３は、同上の弾性波装置の回路図である。 図２４Ａは、本発明の実施形態４に係る弾性波装置における第１弾性波共振子の断面図である。図２４Ｂは、同上の弾性波装置における第２弾性波共振子の断面図である。 図２５は、参考例４に係る弾性波共振子の低音速膜の厚さと高次モード位相特性との関係を示すグラフである。 図２６は、参考例４に係る弾性波共振子の低音速膜の厚さとＱ値との関係を示すグラフである。 図２７は、本発明の実施形態４の変形例に係る弾性波装置の第１弾性波共振子及び第２弾性波共振子の断面図である。 図２８Ａは、本発明の実施形態５に係る弾性波装置における第１弾性波共振子の断面図である。図２８Ｂは、同上の弾性波装置における第２弾性波共振子の断面図である。 図２９は、参考例５に係る弾性波共振子に関し、誘電体膜の厚さとＴＣＦとの関係を示すグラフである。 図３０は、参考例５に係る弾性波共振子に関し、誘電体膜の厚さと比帯域との関係を示すグラフである。 図３１は、本発明の実施形態５の変形例１に係る弾性波装置における第１弾性波共振子及び第２弾性波共振子の断面図である。 図３２Ａは、本発明の実施形態５の変形例２に係る弾性波装置における第１弾性波共振子の断面図である。図３２Ｂは、同上の弾性波装置における第２弾性波共振子の断面図である。 図３３は、本発明の実施形態５の変形例３に係る弾性波装置における第１弾性波共振子及び第２弾性波共振子の断面図である。 図３４Ａは、本発明の実施形態６に係る弾性波装置における第１弾性波共振子の断面図である。図３４Ｂは、同上の弾性波装置における第２弾性波共振子の断面図である。 図３５は、参考例６に係る弾性波共振子に関し、圧電体層のカット角と電気機械結合係数との関係を示すグラフである。 図３６は、参考例６に係る弾性波共振子に関し、圧電体層のカット角とＴＣＦとの関係を示すグラフである。 図３７は、参考例６に係る弾性波共振子に関し、圧電体層のカット角と比帯域との関係を示すグラフである。 図３８Ａは、実施形態７に係る弾性波装置におけるＳＡＷ共振子の平面図である。図３８Ｂは、同上の弾性波装置におけるＳＡＷ共振子を示し、図３８ＡのＡ−Ａ線断面図である。 図３９は、同上の弾性波装置における第３弾性波共振子の断面図である。 図４０は、同上の弾性波装置におけるＳＡＷ共振子及び第３弾性波共振子それぞれの位相の周波数特性を示すグラフである。 図４１は、同上の弾性波装置におけるＳＡＷ共振子及び第３弾性波共振子それぞれの位相の周波数特性の別の例を示すグラフである。 図４２は、実施形態７の変形例１に係る弾性波装置におけるＢＡＷ共振子の断面図である。 図４３は、実施形態７の変形例２に係る弾性波装置におけるＢＡＷ共振子の断面図である。

以下、実施形態１〜７に係る弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、図面を参照して説明する。

以下の実施形態１〜７等において参照する図３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂ、８Ａ、８Ｂ、１１Ａ、１１Ｂ、１８Ａ、１８Ｂ、２１Ａ、２１Ｂ、２２、２４Ａ、２４Ｂ、２７、２８Ａ、２８Ｂ、３１、３２Ａ、３２Ｂ、３３、３４Ａ、３４Ｂ、３８Ａ、３８Ｂ、３９、４２及び４３は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

（実施形態１）
（１．１）弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置それぞれの全体構成
以下、実施形態１に係る弾性波装置１、マルチプレクサ１００、高周波フロントエンド回路３００及び通信装置４００について、図面を参照して説明する。

（１．１．１）弾性波装置
実施形態１に係る弾性波装置１は、図１に示すように、弾性波装置１の外部のアンテナ２００に電気的に接続されるアンテナ端子である第１端子１０１と、第１端子１０１とは異なる第２端子１０２との間に設けられる。弾性波装置１は、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、９つ）の弾性波共振子３１〜３９を備える。複数の弾性波共振子３１〜３９は、第１端子１０１と第２端子１０２とを結ぶ第１経路ｒ１上に設けられた複数（例えば、５つ）の直列腕共振子（弾性波共振子３１，３３，３５，３７，３９）と、第１経路ｒ１上の複数（４つ）のノードＮ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４それぞれとグラウンドとを結ぶ複数（４つ）の第２経路ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４上に設けられた複数（４つ）の並列腕共振子（弾性波共振子３２、３４、３６、３８）と、を含む。なお、弾性波装置１では、第１経路ｒ１上に直列腕共振子以外の素子として、インダクタ又はキャパシタの機能を有する素子が配置されていてもよい。また、弾性波装置１では、各第２経路ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４上に、並列腕共振子以外の素子として、インダクタ又はキャパシタの機能を有する素子が配置されていてもよい。

（１．１．２）マルチプレクサ
実施形態１に係るマルチプレクサ１００は、図２に示すように、第１端子１０１と、第２端子１０２と、第３端子１０３と、弾性波装置１からなる第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２と、を備える。

第１端子１０１は、マルチプレクサ１００の外部のアンテナ２００と電気的に接続可能なアンテナ端子である。

第１フィルタ１１は、第１端子１０１と第２端子１０２との間に設けられる第１受信側フィルタである。第１フィルタ１１は、第１フィルタ１１の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。

第２フィルタ１２は、第１端子１０１と第３端子１０３との間に設けられる第２受信側フィルタである。第２フィルタ１２は、第２フィルタ１２の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。

第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とは互いに異なる通過帯域を有している。マルチプレクサ１００では、第１フィルタ１１の通過域が、第２フィルタ１２の通過帯域よりも低周波数域である。したがって、マルチプレクサ１００では、第２フィルタ１２の通過帯域が第１フィルタ１１の通過帯域よりも高周波数側にある。マルチプレクサ１００では、例えば、第１フィルタ１１の通過帯域の最大周波数が、第２フィルタ１２の通過帯域の最小周波数よりも低い。

マルチプレクサ１００では、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とが共通の第１端子１０１に接続されている。

また、マルチプレクサ１００は、第４端子１０４と、第５端子１０５と、第３フィルタ２１と、第４フィルタ２２と、を更に備える。ただし、マルチプレクサ１００において、第４端子１０４と、第５端子１０５と、第３フィルタ２１と、第４フィルタ２２は、必須の構成要素ではない。

第３フィルタ２１は、第１端子１０１と第４端子１０４との間に設けられる第１送信側フィルタである。第３フィルタ２１は、第３フィルタ２１の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。

第４フィルタ２２は、第１端子１０１と第５端子１０５との間に設けられる第２送信側フィルタである。第４フィルタ２２は、第４フィルタ２２の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。

（１．１．３）高周波フロントエンド回路
高周波フロントエンド回路３００は、図２に示すように、マルチプレクサ１００と、増幅回路３０３（以下、第１増幅回路３０３ともいう）と、スイッチ回路３０１（以下、第１スイッチ回路３０１ともいう）と、を備える。また、高周波フロントエンド回路３００は、増幅回路３０４（以下、第２増幅回路３０４ともいう）と、スイッチ回路３０２（以下、第２スイッチ回路３０２ともいう）と、を更に備える。ただし、高周波フロントエンド回路３００において、第２増幅回路３０４及び第２スイッチ回路３０２は、必須の構成要素ではない。

第１増幅回路３０３は、アンテナ２００、マルチプレクサ１００及び第１スイッチ回路３０１を経由した高周波信号（受信信号）を増幅して出力する。第１増幅回路３０３は、ローノイズアンプ回路である。

第１スイッチ回路３０１は、マルチプレクサ１００の第２端子１０２及び第３端子１０３に個別に接続された２つの被選択端子と、第１増幅回路３０３に接続された共通端子と、を有する。つまり、第１スイッチ回路３０１は、第２端子１０２を介して第１フィルタ１１と接続され、第３端子１０３を介して第２フィルタ１２と接続されている。

第１スイッチ回路３０１は、例えば、ＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）型のスイッチによって構成される。第１スイッチ回路３０１は、制御回路によって制御される。第１スイッチ回路３０１は、上記制御回路からの制御信号にしたがって、共通端子と被選択端子とを接続する。第１スイッチ回路３０１は、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）によって構成されてもよい。なお、第１スイッチ回路３０１では、共通端子と接続される被選択端子は１つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路３００は、キャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation）に対応するように構成されていてもよい。

第２増幅回路３０４は、高周波フロントエンド回路３００の外部（例えば、後述のＲＦ信号処理回路４０１）から出力された高周波信号（送信信号）を増幅し、第２スイッチ回路３０２及びマルチプレクサ１００を経由してアンテナ２００に出力する。第２増幅回路３０４は、パワーアンプ回路である。

第２スイッチ回路３０２は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチによって構成される。第２スイッチ回路３０２は、上記制御回路によって制御される。第２スイッチ回路３０２は、上記制御回路からの制御信号にしたがって、共通端子と被選択端子とを接続する。第２スイッチ回路３０２は、スイッチＩＣによって構成されてもよい。なお、第２スイッチ回路３０２では、共通端子と接続される被選択端子は１つに限らず、複数であってもよい。

（１．１．４）通信装置
通信装置４００は、図２に示すように、ＲＦ信号処理回路４０１と、高周波フロントエンド回路３００と、を備える。ＲＦ信号処理回路４０１は、アンテナ２００で受信される高周波信号を処理する。高周波フロントエンド回路３００は、アンテナ２００とＲＦ信号処理回路４０１との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。通信装置４００は、ベースバンド信号処理回路４０２を更に備える。ベースバンド信号処理回路４０２は、必須の構成要素ではない。

ＲＦ信号処理回路４０１は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号（受信信号）に対する信号処理を行う。例えば、ＲＦ信号処理回路４０１は、アンテナ２００から高周波フロントエンド回路３００を介して入力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、当該信号処理により生成された受信信号をベースバンド信号処理回路４０２へ出力する。ベースバンド信号処理回路４０２は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路４０２で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。

また、ＲＦ信号処理回路４０１は、例えば、ベースバンド信号処理回路４０２から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を第２増幅回路３０４へ出力する。ベースバンド信号処理回路４０２は、例えば、通信装置４００の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。

（１．２）弾性波装置
弾性波装置１では、図１に示すように、複数の弾性波共振子３１〜３９のうち第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子３１をアンテナ端共振子とした場合に、アンテナ端共振子は、第１弾性波共振子３Ａ（図３Ａ参照）であり、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９は、第２弾性波共振子３Ｂ（図３Ｂ参照）である。実施形態１に係る弾性波装置１では、複数の直列腕共振子のうち第１端子１０１に電気的に最も近い直列腕共振子と、複数の並列腕共振子のうち第１端子１０１に電気的に最も近い並列腕共振子と、の各々が、第１弾性波共振子３Ａである。

（１．３）第１弾性波共振子及び第２弾性波共振子の構成
第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々は、図３Ａ及び３Ｂに示すように、圧電体層６Ａ，６Ｂと、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極７Ａ，７Ｂと、高音速部材４Ａ，４Ｂと、を含む。各ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂは、圧電体層６Ａ，６Ｂ上に形成されている。「圧電体層６Ａ，６Ｂ上に形成されている」とは、圧電体層６Ａ，６Ｂ上に直接的に形成されている場合と、圧電体層６Ａ，６Ｂ上に間接的に形成されている場合と、を含む。各高音速部材４Ａ，４Ｂは、各圧電体層６Ａ，６Ｂを挟んでＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂとは反対側に位置している。各圧電体層６Ａ，６Ｂは、ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂ側の第１主面６１Ａ，６１Ｂと、高音速部材４Ａ，４Ｂ側の第２主面６２Ａ，６２Ｂと、を有する。各高音速部材４Ａ，４Ｂでは、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。

第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々は、圧電体層６Ａ，６Ｂの厚さが、ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々は、圧電体層６Ａ，６Ｂの厚さが３．５λ以下である場合、Ｑ値が高くなるが、高次モードも発生する。

また、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々は、低音速膜５Ａ，５Ｂを更に含む。低音速膜５Ａ，５Ｂは、高音速部材４Ａ，４Ｂと圧電体層６Ａ，６Ｂとの間に設けられている。各低音速膜５Ａ，５Ｂでは、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。各高音速部材４Ａ，４Ｂは、高音速支持基板４２Ａ，４２Ｂである。各高音速支持基板４２Ａ，４２Ｂは、低音速膜５Ａ，５Ｂ、圧電体層６Ａ，６Ｂ及びＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂを支持している。各高音速支持基板４２Ａ，４２Ｂでは、その中を伝搬する複数のバルク波のうち、最も低音速なバルク波の音速が、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬する弾性波の音速よりも高速である。第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々は、ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂの弾性波伝搬方向の両側それぞれに反射器（例えば、短絡グレーティング）を備えた１ポート型弾性波共振子である。ただし、反射器は、必須ではない。なお、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々は、１ポート型弾性波共振子に限らず、例えば、複数のＩＤＴ電極により構成される縦結合型弾性波共振子であってもよい。

（１．３．１）圧電体層
各圧電体層６Ａ，６Ｂは、例えば、Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶（例えば、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶）である。Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶は、ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶の３つの結晶軸をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸とした場合に、Ｘ軸を中心軸としてＹ軸からＺ軸方向にΓ°回転した軸を法線とする面で切断したＬｉＴａＯ_３単結晶であって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶である。Γ°は、例えば、５０°である。各圧電体層６Ａ，６Ｂのカット角は、カット角をΓ〔°〕、各圧電体層６Ａ，６Ｂのオイラー角を（φ，θ，ψ）をすると、Γ＝θ＋９０°である。ただし、Γと、Γ±１８０×ｎは同義である（結晶学的に等価である）。ここにおいて、ｎは、自然数である。各圧電体層６Ａ，６Ｂは、Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶に限らず、例えば、Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電セラミックスであってもよい。

実施形態１に係る弾性波装置１における第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂでは、各圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬する弾性波のモードとして、縦波、ＳＨ波、ＳＶ波、若しくはこれらが複合したモードが存在する。第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂでは、ＳＨ波を主成分とするモードをメインモードとして使用している。高次モードとは、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬する弾性波のメインモードよりも高周波数側に発生するスプリアスモードのことである。各圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬する弾性波のモードが「ＳＨ波を主成分とするモードをメインモード」であるか否かについては、例えば、圧電体層６Ａ，６Ｂのパラメータ（材料、オイラー角及び厚さ等）、ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂのパラメータ（材料、厚さ及び電極指周期等）、低音速膜５Ａ，５Ｂのパラメータ（材料、厚さ等）等を用いて、有限要素法により変位分布を解析し、ひずみを解析することにより、確認することができる。圧電体層６Ａ，６Ｂのオイラー角は、分析により求めることができる。

各圧電体層６Ａ，６Ｂの材料は、ＬｉＴａＯ_３（リチウムタンタレート）に限らず、例えば、ＬｉＮｂＯ_３（リチウムニオベイト）であってもよい。各圧電体層６Ａ，６Ｂが、例えば、ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ_３圧電単結晶又は圧電セラミックスからなる場合、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂは、ラブ波を弾性波として利用することにより、ＳＨ波を主成分とするモードをメインモードとして使用することができる。なお、各圧電体層６Ａ，６Ｂの単結晶材料、カット角については、例えば、フィルタの要求仕様（通過特性、減衰特性、温度特性及び帯域幅等のフィルタ特性）等に応じて、適宜、決定すればよい。

各圧電体層６Ａ，６Ｂの厚さは、各ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。

（１．３．２）ＩＤＴ電極
各ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂは、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料により形成することができる。また、ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂは、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。例えば、各ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂは、Ａｌ膜であるが、これに限らず、例えば、圧電体層６Ａ，６Ｂ上に形成されたＴｉ膜からなる密着膜と、密着膜上に形成されたＡｌ膜からなる主電極膜との積層膜であってもよい。密着膜の厚さは、例えば、１０ｎｍ度である。また、主電極膜の厚さは、例えば１３０ｎｍ度である。

（１．３．２．１）第１弾性波共振子のＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極７Ａは、図４Ａ及び４Ｂに示すように、第１バスバー７１Ａと、第２バスバー７２Ａと、複数の第１電極指７３Ａと、複数の第２電極指７４Ａと、を含む。なお、図４Ｂでは、図３Ａに示した高音速部材４Ａ及び低音速膜５Ａの図示を省略してある。

第１バスバー７１Ａ及び第２バスバー７２Ａは、高音速部材４Ａの厚さ方向に沿った第１方向Ｄ１（Γ°Ｙ方向）に直交する第２方向Ｄ２（Ｘ軸方向）を長手方向とする長尺状である。ＩＤＴ電極７Ａでは、第１バスバー７１Ａと第２バスバー７２Ａとは、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２と両方に直交する第３方向Ｄ３において対向し合っている。

複数の第１電極指７３Ａは、第１バスバー７１Ａに接続され第２バスバー７２Ａに向かって延びている。ここにおいて、複数の第１電極指７３Ａは、第１バスバー７１Ａから第３方向Ｄ３に沿って延びている。複数の第１電極指７３Ａの先端と第２バスバー７２Ａとは離れている。例えば、複数の第１電極指７３Ａは、互いの長さ及び幅が同じである。

複数の第２電極指７４Ａは、第２バスバー７２Ａに接続され第１バスバー７１Ａに向かって延びている。ここにおいて、複数の第２電極指７４Ａは、第２バスバー７２Ａから第３方向Ｄ３に沿って延びている。複数の第２電極指７４Ａのそれぞれの先端は、第１バスバー７１Ａとは離れている。例えば、複数の第２電極指７４Ａは、互いの長さ及び幅が同じである。図４Ａの例では、複数の第２電極指７４Ａの長さ及び幅は、複数の第１電極指７３Ａの長さ及び幅それぞれと同じである。

ＩＤＴ電極７Ａでは、複数の第１電極指７３Ａと複数の第２電極指７４Ａとが、第２方向Ｄ２において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。したがって、第１バスバー７１Ａの長手方向において隣り合う第１電極指７３Ａと第２電極指７４Ａとは離れている。第１電極指７３Ａ及び第２電極指７４Ａの幅をＷ_Ａ（図４Ｂ参照）とし、隣り合う第１電極指７３Ａと第２電極指７４Ａとのスペース幅をＳ_Ａとした場合、ＩＤＴ電極７Ａにおいて、デューティ比は、Ｗ_Ａ／（Ｗ_Ａ＋Ｓ_Ａ）で定義される。ＩＤＴ電極７Ａのデューティ比は、例えば、０．５である。ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたとき、λは、電極指周期と等しい。電極指周期は、複数の第１電極指７３Ａ又は複数の第２電極指７４Ａの繰り返し周期Ｐ_λＡ（図４Ｂ参照）で定義される。したがって、繰り返し周期Ｐ_λＡとλとは等しい。ＩＤＴ電極７Ａのデューティ比は、電極指周期の２分の１の値（Ｗ_Ａ＋Ｓ_Ａ）に対する第１電極指７３Ａ及び第２電極指７４Ａの幅Ｗ_Ａの比である。

複数の第１電極指７３Ａと複数の第２電極指７４Ａとを含む一群の電極指は、複数の第１電極指７３Ａと複数の第２電極指７４Ａとが、第２方向Ｄ２において、離隔して並んでいる構成であればよく、複数の第１電極指７３Ａと複数の第２電極指７４Ａとが交互に互いに離隔して並んでいない構成であってもよい。例えば、第１電極指７３Ａと第２電極指７４Ａとが１本ずつ離隔して並んでいる領域と、第１電極指７３Ａ又は第２電極指７４Ａが第２方向Ｄ２において２つ並んでいる領域と、とが混在してもよい。ＩＤＴ電極７Ａにおける複数の第１電極指７３Ａ及び複数の第２電極指７４Ａそれぞれの数は特に限定されない。

（１．３．２．２）第２弾性波共振子のＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極７Ｂは、図５Ａ及び５Ｂに示すように、第１バスバー７１Ｂと、第２バスバー７２Ｂと、複数の第１電極指７３Ｂと、複数の第２電極指７４Ｂと、を含む。なお、図５Ｂでは、図３Ｂに示した高音速部材４Ｂ及び低音速膜５Ｂの図示を省略してある。

第１バスバー７１Ｂ及び第２バスバー７２Ｂは、高音速部材４Ｂの厚さ方向に沿った第１方向Ｄ１（Γ°Ｙ方向）に直交する第２方向Ｄ２（Ｘ軸方向）を長手方向とする長尺状である。ＩＤＴ電極７Ｂでは、第１バスバー７１Ｂと第２バスバー７２Ｂとは、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２と両方に直交する第３方向Ｄ３において対向し合っている。

複数の第１電極指７３Ｂは、第１バスバー７１Ｂに接続され第２バスバー７２Ｂに向かって延びている。ここにおいて、複数の第１電極指７３Ｂは、第１バスバー７１Ｂから第３方向Ｄ３に沿って延びている。複数の第１電極指７３Ｂの先端と第２バスバー７２Ｂとは離れている。例えば、複数の第１電極指７３Ｂは、互いの長さ及び幅が同じである。

複数の第２電極指７４Ｂは、第２バスバー７２Ｂに接続され第１バスバー７１Ｂに向かって延びている。ここにおいて、複数の第２電極指７４Ｂは、第２バスバー７２Ｂから第３方向Ｄ３に沿って延びている。複数の第２電極指７４Ｂのそれぞれの先端は、第１バスバー７１Ｂとは離れている。例えば、複数の第２電極指７４Ｂは、互いの長さ及び幅が同じである。図５Ａの例では、複数の第２電極指７４Ｂの長さ及び幅は、複数の第１電極指７３Ｂの長さ及び幅それぞれと同じである。

ＩＤＴ電極７Ｂでは、複数の第１電極指７３Ｂと複数の第２電極指７４Ｂとが、第２方向Ｄ２において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。したがって、第１バスバー７１Ｂの長手方向において隣り合う第１電極指７３Ｂと第２電極指７４Ｂとは離れている。第１電極指７３Ｂ及び第２電極指７４Ｂの幅をＷ_Ｂ（図５Ｂ参照）とし、隣り合う第１電極指７３Ｂと第２電極指７４Ｂとのスペース幅をＳ_Ｂとした場合、ＩＤＴ電極７Ｂにおいて、デューティ比は、Ｗ_Ｂ／（Ｗ_Ｂ＋Ｓ_Ｂ）で定義される。ＩＤＴ電極７Ｂのデューティ比は、例えば、０．５である。ＩＤＴ電極７Ｂの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたとき、λは、電極指周期と等しい。電極指周期は、複数の第１電極指７３Ｂ又は複数の第２電極指７４Ｂの繰り返し周期Ｐ_λＢ（図５Ｂ参照）で定義される。したがって、繰り返し周期Ｐ_λＢとλとは等しい。ＩＤＴ電極７Ｂのデューティ比は、電極指周期の２分の１の値（Ｗ_Ｂ＋Ｓ_Ｂ）に対する第１電極指７３Ｂ及び第２電極指７４Ｂの幅Ｗ_Ｂの比である。

複数の第１電極指７３Ｂと複数の第２電極指７４Ｂとを含む一群の電極指は、複数の第１電極指７３Ｂと複数の第２電極指７４Ｂとが、第２方向Ｄ２において、離隔して並んでいる構成であればよく、複数の第１電極指７３Ｂと複数の第２電極指７４Ｂとが交互に互いに離隔して並んでいない構成であってもよい。例えば、第１電極指７３Ｂと第２電極指７４Ｂとが１本ずつ離隔して並んでいる領域と、第１電極指７３Ｂ又は第２電極指７４Ｂが第２方向Ｄ２において２つ並んでいる領域と、とが混在してもよい。ＩＤＴ電極７Ｂにおける複数の第１電極指７３Ｂ及び複数の第２電極指７４Ｂそれぞれの数は特に限定されない。

（１．３．３）第１弾性波共振子及び第２弾性波共振子それぞれの低音速膜
第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々では、図３Ａ及び３Ｂに示すように、高音速支持基板４２Ａ，４２Ｂである高音速部材４Ａ，４Ｂと圧電体層６Ａ，６Ｂとの間に設けられた低音速膜５Ａ，５Ｂを含むことにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々では、各圧電体層６Ａ，６Ｂ内及び弾性波が励振されている各ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂ内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。そのため、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々では、低音速膜５Ａ，５Ｂが設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々は、例えば低音速膜５Ａ，５Ｂと圧電体層６Ａ，６Ｂとの間に介在する密着層を含んでいてもよい。これにより、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々は、低音速膜５Ａ，５Ｂと圧電体層６Ａ，６Ｂとの間で剥離が生じるのを抑制することができる。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）、金属等からなる。また、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々は、密着層に限らず、誘電体膜を、低音速膜５Ａ，５Ｂと圧電体層６Ａ，６Ｂとの間、圧電体層６Ａ，６Ｂ上、又は低音速膜５Ａ，５Ｂ下のいずれかに備えていてもよい。

各低音速膜５Ａ，５Ｂの材料は、例えば、酸化ケイ素と、ガラスと、酸窒化ケイ素と、酸化タンタルと、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物と、からなる群から選択される少なくとも１種の材料である。

第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂでは、例えば、低音速膜５Ａ，５Ｂが酸化ケイ素の場合、低音速膜５Ａ，５Ｂを含んでいない場合と比べて、周波数温度特性を改善することができる。ＬｉＴａＯ_３の弾性定数は負の温度特性を有し、酸化ケイ素は正の温度特性を有する。したがって、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂでは、ＴＣＦ（Temperature Coefficient of Frequency）の絶対値を小さくすることができる。また、酸化ケイ素の固有音響インピーダンスは、ＬｉＴａＯ_３の固有音響インピーダンスよりも小さい。したがって、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂでは、電気機械結合係数の増大による比帯域の拡大と、周波数温度特性の改善との双方を図ることができる。

低音速膜５Ａ，５Ｂの厚さは、ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとすると、例えば、２．０λ以下である。

（１．３．４）高音速部材
各高音速部材４Ａ，４Ｂは、圧電体層６Ａ、６Ｂ及びＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂ等を支持している高音速支持基板４２Ａ，４２Ｂである。各高音速支持基板４２Ａ，４２Ｂでは、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。

（１．３．４．１）第１弾性波共振子の高音速部材
高音速部材４Ａの平面視形状（高音速部材４Ａを第１方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。高音速部材４Ａは、結晶基板である。具体的には、高音速部材４Ａは、立方晶系の結晶構造を有する結晶基板である。一例として、高音速部材４Ａでは、シリコン基板である。高音速部材４Ａの厚さは、例えば、１２０μｍである。

第１弾性波共振子３Ａでは、高音速部材４Ａが含むシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面である。（１１１）面は、ダイヤモンド構造を有するシリコンの結晶構造において、〔１１１〕の結晶軸に直交する。「シリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面である」とは、面４１Ａが（１１１）面のみに限らず、（１１１）面からのオフ角が０度よりも大きく５度以下の結晶面を含むことを意味する。また、「シリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面である」とは、（１１１）面と等価な結晶面を含み、面４１Ａが｛１１１｝面であることを意味する。第１弾性波共振子３Ａでは、シリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面である場合に限らず、（１１０）面であってもよい。（１１０）面は、ダイヤモンド構造を有するシリコンの結晶構造において、〔１１０〕の結晶軸に直交する。「シリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１０）面である」とは、面４１Ａが（１１０）面のみに限らず、（１１０）面からのオフ角が０度よりも大きく５度以下の結晶面を含むことを意味する。また、「シリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１０）面である」とは、（１１０）面と等価な結晶面を含み、面４１Ａが｛１１０｝面であることを意味する。面４１Ａの面方位については、例えば、Ｘ線回折法により分析することができる。結晶構造を有する結晶基板は、シリコン基板以外に、例えば、ゲルマニウム基板、ダイヤモンド基板等であってもよい。したがって、高音速部材４Ａの材料は、シリコンに限らず、例えば、ゲルマニウム、ダイヤモンド等であってもよい。

（１．３．４．２）第２弾性波共振子の高音速部材
高音速部材４Ｂの平面視形状（高音速部材４Ｂを第１方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。高音速部材４Ｂは、結晶基板である。具体的には、高音速部材４Ｂは、立方晶系の結晶構造を有する結晶基板である。一例として、高音速部材４Ｂでは、シリコン基板である。高音速部材４Ｂの厚さは、例えば、１２０μｍである。

第２弾性波共振子３Ｂでは、高音速部材４Ｂが含むシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂが（１００）面である。（１００）面は、ダイヤモンド構造を有するシリコンの結晶構造において、〔１００〕の結晶軸に直交する。「シリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂが（１００）面である」とは、面４１Ｂが（１００）面のみに限らず、（１００）面からのオフ角が０度よりも大きく５度以下の結晶面を含むことを意味する。シリコン基板では、（１００）面と（００１）面と（０１０）面とが互いに等価な結晶面なので、「シリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂが（１００）面である」とは、面４１Ｂが｛１００｝面であることを意味する。面４１Ｂの面方位については、例えば、Ｘ線回折法により分析することができる。結晶構造を有する結晶基板は、シリコン基板以外に、例えば、ゲルマニウム基板、ダイヤモンド基板等であってもよい。したがって、高音速部材４Ｂの材料は、シリコンに限らず、例えば、ゲルマニウム、ダイヤモンド等であってもよい。

（１．４）第１弾性波共振子、第２弾性波共振子及び弾性波装置の特性
図６は、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂそれぞれのインピーダンス−周波数特性の例を示す。また、図７は、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂそれぞれの位相−周波数特性を示す。図６及び７において、「Ｓｉ（１１１）」と表記されている線は、第１弾性波共振子３Ａにおいて高音速部材４Ａが含むシリコン基板の面４１Ａを（１１１）面とした場合の特性を示す。また、「Ｓｉ（１１０）」と表記されている線は、第１弾性波共振子３Ａにおいて高音速部材４Ａが含むシリコン基板の面４１Ａを（１１０）面とした場合の特性を示す。また、「Ｓｉ（１００）」と表記されている線は、第２弾性波共振子３Ｂにおいて高音速部材４Ｂが含むシリコン基板の面４１Ｂを（１００）面とした場合の特性を示す。

第１弾性波共振子３Ａについては、シリコン基板からなる高音速部材４Ａが含むシリコン基板の面４１Ａを（１１１）面又は（１１０）面とした。低音速膜５Ａ、圧電体層６Ａ及びＩＤＴ電極７Ａの厚さは、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長であるλを用いて規格化している。第１弾性波共振子３Ａでは、λは、１μｍとした。第１弾性波共振子３Ａでは、酸化ケイ素からなる低音速膜５Ａの厚さを０．３４λとし、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶からなる圧電体層６Ａの厚さを０．３λとし、アルミニウムからなるＩＤＴ電極７Ａの厚さを０．０８λとした。なお、これらの数値は一例である。

第２弾性波共振子３Ｂについては、シリコン基板からなる高音速部材４Ｂが含むシリコン基板の面４１Ｂを（１００）面とした。低音速膜５Ｂ、圧電体層６Ｂ及びＩＤＴ電極７Ｂの厚さは、ＩＤＴ電極７Ｂの電極指周期で定まる弾性波の波長であるλを用いて規格化している。第２弾性波共振子３Ｂでは、λは、１μｍとした。酸化ケイ素からなる低音速膜５Ｂの厚さを０．３４λとし、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶からなる圧電体層６Ｂの厚さを０．３λとし、アルミニウムからなるＩＤＴ電極７Ｂの厚さを０．０８λとした。なお、これらの数値は一例である。

図６及び７から、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂでは、共振周波数よりも高周波数側に高次モードが発生していることが分かる。また、図６及び７から、４５００ＭＨｚから６０００ＭＨｚの間にある高次モードのレスポンスの大きさについては、〔高音速部材４Ｂが含むシリコン基板の面４１Ｂが（１００）面の第２弾性波共振子３Ｂ〕＞〔高音速部材４Ａが含むシリコン基板の面４１Ａが（１１０）面の第１弾性波共振子３Ａ〕＞〔高音速部材４Ａが含むシリコン基板の面４１Ａが（１１１）面の第１弾性波共振子３Ａ〕の大小関係があることが分かる。つまり、図６及び７から、第１弾性波共振子３Ａでは、第２弾性波共振子３Ｂよりも高次モードの強度を低減できることが分かる。

一方、第２弾性波共振子３Ｂでは、第１弾性波共振子３Ａと比べて、熱衝撃試験によるシリコン基板のクラック、剥離等が発生しにくかった。ここにおいて、クラック及び剥離は、例えば、シリコン基板の側面の面方位と、高音速部材４Ａ，４Ｂと圧電体層６Ａ，６Ｂとの線膨張係数差等による熱応力と、に起因して発生する。第１弾性波共振子３Ａでは、クラック、剥離等が発生した場合、フィルタ通過帯域における挿入損失の増大等の特性劣化が生じることがある。なお、ＬｉＴａＯ_３の線膨張係数は、シリコンの線膨張係数よりも大きい。

以上の結果から、本願発明者らは、弾性波装置１では、高次モードを抑圧する観点からは第１弾性波共振子３Ａと第２弾性波共振子３Ｂとのうち第１弾性波共振子３Ａを用いるのが好ましいと考えた。その一方で、本願発明者らは、弾性波装置１では、特性劣化を抑制する観点からは第１弾性波共振子３Ａと第２弾性波共振子３Ｂとのうち第２弾性波共振子３Ｂを用いるのが好ましいと考えた。

また、本願発明者らは、弾性波装置１を例えばマルチプレクサ１００等に適用した場合に、弾性波装置１の高次モードが他のフィルタに与える影響の大部分は、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ２００から見たときに電気的にアンテナ２００に最も近いアンテナ端共振子の特性で決定されることを見出している。実施形態１に係る弾性波装置１では、特性劣化を防ぎつつ高次モードを抑圧する観点から、アンテナ端共振子を含む第１グループの弾性波共振子３１，３２の各々を第１弾性波共振子３Ａで構成し、第１グループ以外の第２グループの弾性波共振子３３〜３９の各々を第２弾性波共振子３Ｂで構成してある。弾性波装置１では、第１グループの弾性波共振子３１，３２をまとめて１チップ化してあり、第２グループの弾性波共振子３３〜３９をまとめて１チップ化してある。弾性波装置１では、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子である弾性波共振子３１のみを第１弾性波共振子３Ａにより構成し、アンテナ端共振子以外の弾性波共振子３２〜３９の各々を第２弾性波共振子３Ｂにより構成してもよい。

（１．５）効果
実施形態１に係る弾性波装置１は、アンテナ端子である第１端子１０１と、第１端子１０１とは異なる第２端子１０２との間に設けられる。弾性波装置１は、複数の弾性波共振子３１〜３９を備える。複数の弾性波共振子３１〜３９は、第１端子１０１と第２端子１０２とを結ぶ第１経路ｒ１上に設けられた複数の直列腕共振子（弾性波共振子３１，３３，３５，３７，３９）と、第１経路ｒ１上の複数のノードＮ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４それぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４上に設けられた複数の並列腕共振子（弾性波共振子３２，３４，３６，３８）と、を含む。複数の弾性波共振子３１〜３９のうち第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子をアンテナ端共振子とした場合に、アンテナ端共振子は、第１弾性波共振子３Ａであり、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第２弾性波共振子３Ｂである。第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々は、圧電体層６Ａ，６Ｂと、複数の電極指（第１電極指７３Ａ，７３Ｂ及び複数の第２電極指７４Ａ，７４Ｂ）を有するＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂと、高音速部材４Ａ，４Ｂと、を含む。第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々のＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂは、圧電体層６Ａ，６Ｂ上に形成されている。高音速部材４Ａ，４Ｂは、圧電体層６Ａ，６Ｂを挟んでＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂとは反対側に位置している。高音速部材４Ａ，４Ｂでは、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々では、圧電体層６Ａ，６Ｂの厚さが、ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。弾性波装置１は、第１条件を満たす。第１条件は、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの高音速部材４Ａ，４Ｂの各々がシリコン基板を含み、第１弾性波共振子３Ａのシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面又は（１１０）面であり、第２弾性波共振子３Ｂのシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂが（１００）面である、という条件である。

実施形態１に係る弾性波装置１では、アンテナ端共振子が第１弾性波共振子３Ａであり、第１弾性波共振子３Ａのシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面又は（１１０）面であることにより、高次モードを抑制することができる。また、実施形態１に係る弾性波装置１では、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９が第２弾性波共振子３Ｂであり、第２弾性波共振子３Ｂのシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂが（１００）面であることにより、特性劣化を抑制することが可能となる。

また、実施形態１に係る弾性波装置１では、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々は、低音速膜５Ａ，５Ｂを含む。低音速膜５Ａ，５Ｂは、高音速部材４Ａ，４Ｂと圧電体層６Ａ，６Ｂとの間に設けられている。低音速膜５Ａ，５Ｂでは、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。高音速部材４Ａ，４Ｂは、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板４２Ａ，４２Ｂである。これにより、弾性波装置１では、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々において、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質により、圧電体層６Ａ，６Ｂ内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂ内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。よって、弾性波装置１では、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々において、低音速膜５Ａ，５Ｂを含んでいない場合と比べて、Ｑ値を高めることができ、損失を低減することができる。

また、実施形態１に係る弾性波装置１では、第１弾性波共振子３Ａと第２弾性波共振子３Ｂとは互いに異なるチップである。図１の例では、１つの一点鎖線で囲まれた２つの第１弾性波共振子３Ａが１チップに集積され、別の１つの一点鎖線で囲まれた７つの第２弾性波共振子３Ｂが別の１チップに集積されている。

また、実施形態１に係る弾性波装置１は、アンテナ端子である第１端子１０１と、第１端子１０１とは異なる第２端子１０２との間に設けられる。弾性波装置１は、複数の弾性波共振子３１〜３９を備える。複数の弾性波共振子３１〜３９は、第１端子１０１と第２端子１０２とを結ぶ第１経路ｒ１上に設けられた複数の直列腕共振子（弾性波共振子３１，３３，３５，３７，３９）と、第１経路ｒ１上の複数のノードＮ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４それぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路上に設けられた複数の並列腕共振子（弾性波共振子３２，３４，３６，３８）と、を含む。複数の弾性波共振子３１〜３９のうち第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子をアンテナ端共振子とした場合に、アンテナ端共振子は、第１弾性波共振子３Ａであり、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第２弾性波共振子３Ｂである。第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々のＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂは、圧電体層６Ａ，６Ｂ上に形成されている。高音速部材４Ａ，４Ｂは、圧電体層６Ａ，６Ｂを挟んでＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂとは反対側に位置している。高音速部材４Ａ，４Ｂでは、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの各々では、圧電体層６Ａ，６Ｂの厚さが、ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。第１弾性波共振子３Ａの高次モードの強度が第２弾性波共振子３Ｂの高次モードの強度よりも小さい。

以上の構成の弾性波装置１では、高次モードを抑制することが可能となる。

（１．６）実施形態１の変形例１
実施形態１の変形例１に係る弾性波装置は、実施形態１に係る弾性波装置１の第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの代わりに、図８Ａ及び８Ｂに示すような第１弾性波共振子３Ａａ及び第２弾性波共振子３Ｂａを備えている点で、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。変形例１に係る弾性波装置の他の構成は実施形態１に係る弾性波装置１と同様なので図示及び説明を適宜省略する。変形例１に係る弾性波装置に関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

第１弾性波共振子３Ａａ及び第２弾性波共振子３Ｂａの各々は、実施形態１に係る弾性波装置１の第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの低音速膜５Ａ，５Ｂを含まない。第１弾性波共振子３Ａａ及び第２弾性波共振子３Ｂａの各々では、高音速部材４Ａ，４Ｂ上に圧電体層６Ａ，６Ｂが形成されている。第１弾性波共振子３Ａａ及び第２弾性波共振子３Ｂａの各々は、高音速部材４Ａ，４Ｂと圧電体層６Ａ，６Ｂとの間に、密着層、誘電体膜等を含んでいてもよい。

（１．７）実施形態１の変形例２
実施形態１の変形例２に係るマルチプレクサ１００ｂは、図９に示すように、複数の弾性波共振子３１〜３９からなる共振子群３０を複数備える。複数の共振子群３０では、第１端子１０１が共通端子であり、かつ、第２端子１０２が個別端子である。マルチプレクサ１００ｂでは、複数の共振子群３０のアンテナ端共振子（弾性波共振子３１）が１チップに集積されている。これにより、変形例２に係るマルチプレクサ１００ｂは、複数の共振子群３０を備えた構成において、小型化を図ることが可能となり、かつ、アンテナ端共振子の特性ばらつきを小さくすることができる。図９では、例えば、１つの共振子群３０における７つの第２弾性波共振子３Ｂが１チップに集積されている。また、複数の共振子群３０ごとの２つの第１弾性波共振子３Ａ（図示例では、４つの第１弾性波共振子３Ａ）が１チップに集積されている。なお、変形例２に係るマルチプレクサ１００ｂでは、複数の共振子群３０の弾性波共振子３１，３２が１チップに集積されているが、少なくとも複数の共振子群３０の弾性波共振子３１が１チップに集積されていればよい。

実施形態１の変形例２に係るマルチプレクサ１００ｂでは、複数の共振子群３０は、例えば各共振子群３０の弾性波の波長を異ならせて、互いに通過帯域周波数の異なるフィルタを構成する。

（１．８）実施形態１の変形例３
実施形態１の変形例３に係る弾性波装置１ｃは、図１０に示すように、複数（８つ）の弾性波共振子３１〜３８の接続関係が、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。変形例３に係る弾性波装置１ｃの他の構成は実施形態１に係る弾性波装置１と同様なので図示及び説明を適宜省略する。変形例３に係る弾性波装置１ｃに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

弾性波装置１ｃでは、複数の弾性波共振子３１〜３８において、複数（４つ）の直列腕共振子（弾性波共振子３１、３３、３５、３７）のうち１つの直列腕共振子（弾性波共振子３１）と複数（４つ）の並列腕共振子（弾性波共振子３２、３４、３６、３８）のうち１つの並列腕共振子（弾性波共振子３２）とが、アンテナ端子である第１端子１０１と直接的に接続されている。「１つの直列腕共振子（弾性波共振子３１）が第１端子１０１と直接的に接続されている」とは、他の弾性波共振子３２〜３８を介さずに第１端子１０１と電気的に接続されていることを意味する。また、「１つの並列腕共振子（弾性波共振子３２）が第１端子１０１と直接的に接続されている」とは、他の弾性波共振子３１、３３〜３８を介さずに第１端子１０１と電気的に接続されていることを意味する。

弾性波装置１ｃでは、上記１つの直列腕共振子（弾性波共振子３１）と上記１つの並列腕共振子（弾性波共振子３２）との両方がアンテナ端共振子として第１弾性波共振子３Ａにより構成されているが、これに限らない。例えば、弾性波装置１ｃでは、上記１つの直列腕共振子（弾性波共振子３１）と上記１つの並列腕共振子（弾性波共振子３２）との少なくとも一方が、アンテナ端共振子として第１弾性波共振子３Ａにより構成されていればよい。

（実施形態２）
実施形態２に係る弾性波装置の回路構成は、実施形態１に係る弾性波装置１の回路構成と同じなので、図示及び説明を省略する。実施形態２に係る弾性波装置は、実施形態１に係る弾性波装置１の第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの代わりに、図１１Ａ及び１１Ｂに示すような第１弾性波共振子３Ａｄ及び第２弾性波共振子３Ｂｄを備えている点で、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。実施形態２に係る弾性波装置に関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３ＡｄのＩＤＴ電極７Ａの厚さと、第２弾性波共振子３ＢｄのＩＤＴ電極７Ｂの厚さと、が異なる。第１弾性波共振子３Ａｄ及び第２弾性波共振子３Ｂｄの構成は、実施形態１に係る弾性波装置１の第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂそれぞれと同様であり、各ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂ、各圧電体層６Ａ，６Ｂ、各低音速膜５Ａ，５Ｂの厚さが相違する。実施形態２に係る弾性波装置では、ＩＤＴ電極７Ａの電極指（図４Ａの第１電極指７３Ａ，第２電極指７４Ａ）の電極指長手方向（図４Ａの第３方向Ｄ３）における単位長さ当たりの質量が、ＩＤＴ電極７Ｂの電極指（図５Ａの第１電極指７３Ｂ，第２電極指７４Ｂ）の電極指長手方向（図５Ａの第３方向Ｄ３）における単位長さ当たりの質量よりも大きい。「電極指の電極指長さ方向における単位長さ」は、例えば、図４Ａ及び図５Ａにおいて、第２方向Ｄ２から見て第１電極指７３Ａ，７３Ｂと第２電極指７４Ａ，７４Ｂとが重なる領域（弾性波が励振される領域）における第１電極指７３Ａ，７３Ｂ及び第２電極指７４Ａ，７４Ｂの第３方向Ｄ３の長さ（交差幅ＬＡ，ＬＢ）である。

第１弾性波共振子３Ａｄについては、シリコン基板からなる高音速部材４Ａの面４１Ａを（１１１）面とした。低音速膜５Ａ、圧電体層６Ａ及びＩＤＴ電極７Ａの厚さは、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長であるλを用いて規格化している。第１弾性波共振子３Ａｄでは、λは、１μｍとした。図１２は、第１弾性波共振子３Ａｄと同様の構成を有する参考例１の弾性波共振子において、酸化ケイ素からなる低音速膜の厚さを０．２２５λとし、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶からなる圧電体層の厚さを０．２２５λとし、アルミニウムからなるＩＤＴ電極の厚さをλに対する割合として３％（０．０３λ）、５％（０．０５λ）、７％（０．０７λ）、９％（０．０９λ）、１１％（０．１１λ）で変化させた場合の、ＩＤＴ電極の厚さと高次モードの位相特性との関係を示している。また、図１３は、参考例１の弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の厚さを変化させた場合の共振周波数の変化を示している。図１４は、参考例１の弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の厚さと、参考例１の弾性波共振子の共振周波数のＩＤＴ電極の厚さに対する依存性と、の関係を示している。図１４において、縦軸の「共振周波数のＩＤＴ電極の厚さに対する依存性」は、図１３の結果における共振周波数の変化をＩＤＴ電極の厚さの関数として２次曲線で近似し、その２次曲線の微分係数から求めた値である。参考例１の弾性波共振子では、インピーダンスの位相の周波数特性（図示せず）において、３７００ＭＨｚから４２００ＭＨｚにあるモードがメインモードであり、５５００ＭＨｚから６０００ＭＨｚに発生するモードが問題としている高次モードである。

図１２から、参考例１の弾性波共振子では、ＩＤＴ電極の厚さを厚くするほど、高次モードのレスポンスが抑制される傾向にあることが分かる。この傾向は、高音速部材が含むシリコン基板の圧電体層側の面を（１１０）面、（１００）面とした場合も同様である。参考例１の弾性波共振子の高次モードを抑制する観点では、ＩＤＴ電極の厚さは、厚いほうが好ましい。つまり、第１弾性波共振子３Ａｄの高次モードを抑制する観点では、ＩＤＴ電極７Ａの電極指（第１電極指７３Ａ，第２電極指７４Ａ）の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量がより大きいほうが好ましい。

また、図１３から、参考例１の弾性波共振子では、ＩＤＴ電極の厚さを厚くするほど共振周波数が小さくなる傾向にあることが分かる。また、図１４から、参考例１の弾性波共振子では、ＩＤＴ電極の厚さを厚くするほど、共振周波数のＩＤＴ電極の厚さに対する依存性が大きくなる傾向にあることが分かる。したがって、製造時のウェハ面内でのＩＤＴ電極のばらつきによる共振周波数のばらつきを低減する観点では、参考例１の弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の厚さは、薄いほうが好ましい。

実施形態２に係る弾性波装置では、実施形態１に係る弾性波装置１と同様、アンテナ端共振子が第１弾性波共振子３Ａｄであり、第１弾性波共振子３Ａｄの高音速部材４Ａが含むシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面又は（１１０）面であることにより、高次モードを抑制することができる。また、実施形態２に係る弾性波装置では、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９が第２弾性波共振子３Ｂｄであり、第２弾性波共振子３Ｂｄの高音速部材４Ｂが含むシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面が（１００）面であることにより、特性劣化を抑制することが可能となる。

また、実施形態２に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３ＡｄのＩＤＴ電極７Ａの電極指（第１電極指７３Ａ，第２電極指７４Ａ）の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量が、第２弾性波共振子３ＢｄのＩＤＴ電極７Ｂの電極指（第１電極指７３Ｂ，第２電極指７４Ｂ）の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量よりも大きい。これにより、実施形態２に係る弾性波装置では、共振周波数のばらつきを低減しつつ高次モードを、より抑制することが可能となる。

図１５は、第１弾性波共振子３Ａｄと同様の構成を有する参考例２の弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の厚さとＴＣＦとの関係を示すグラフである。参考例２の弾性波共振子の共振周波数は、参考例１の弾性波共振子の共振周波数とは異なる。参考例２の弾性波共振子では、λを２μｍとし、酸化ケイ素からなる低音速膜の厚さを０．３５λとし、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶からなる圧電体層の厚さを０．３λとし、ＩＤＴ電極の厚さを７０ｎｍから１８０ｎｍの範囲で変化させた。

図１５から、参考例２の弾性波共振子では、例えばＴＣＦの絶対値を１０ｐｐｍ以下にするには、ＩＤＴ電極の厚さを７０ｎｍから１４０ｎｍの範囲にするとよく、５ｐｐｍ以下にするには、ＩＤＴ電極の厚さを９０ｎｍから１２５ｎｍの範囲にするとよいことが分かる。この傾向は、高音速部材が含むシリコン基板の圧電体層側の面を（１１０）面、（１００）面とした場合も同様である。また、参考例２の弾性波共振子では、ＩＤＴ電極の厚さを小さくしていくと、ＩＤＴ電極の抵抗値が増加し、損失が増大するので、損失を低減する観点では、ＩＤＴ電極の厚さが大きいほうが好ましい。したがって、実施形態２に係る弾性波装置において、高次モードの温度安定性、フィルタの損失の増大を抑制する観点では、第１弾性波共振子３ＡｄのＩＤＴ電極７Ａの電極指（第１電極指７３Ａ，第２電極指７４Ａ）の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量が、第２弾性波共振子３ＢｄのＩＤＴ電極７Ｂの電極指（第１電極指７３Ｂ，第２電極指７４Ｂ）の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量よりも小さいのが好ましい。

また、参考例２の弾性波共振子では、ＩＤＴ電極の電極指の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量が大きいほど、Ｑ値が高くなる傾向にある。この傾向は、高音速部材が含むシリコン基板の圧電体層側の面を（１１０）面、（１００）面とした場合も同様である。したがって、参考例２の弾性波共振子では、Ｑ値を高くする観点において、電極指長手方向における単位長さ当たりの質量がより大きいほうが好ましい。したがって、実施形態２に係る弾性波装置では、Ｑ値の向上を図りつつ高次モードを抑制することが可能となる。

ところで、参考例２の弾性波共振子は、第１弾性波共振子３Ａｄ及び第２弾性波共振子３Ｂｄと同様、高音速部材と低音速膜とを含むので、圧電体層内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。このため、参考例２の弾性波共振子では、インピーダンスの位相特性において、反共振周波数よりも高周波側に、ストップバンドリップルが発生する。ここにおいて、「ストップバンドリップル」とは、弾性波共振子のインピーダンスの位相特性において、ストップバンド端の影響によって反共振周波数よりも高い周波数に発生するリップルである。詳細には、「ストップバンドリップル」とは、弾性波に対するストップバンド（阻止域）の上端周波数（ストップバンド端）よりも高周波数側において、ＩＤＴ電極の反射特性（図１６参照）のサイドローブ特性の影響で発生するリップルである。図１６において、横軸は周波数であり、左側の縦軸は反射率γの絶対値であり、右側の縦軸は反射率γの偏角である。なお、図１６の横軸においてω２がストップバンドの上端周波数であり、ω１がストップバンドの下端周波数である。反射率γの偏角は、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２１５に記載されている「∠Γ」と同じ意味である。ストップバンドは、弾性波に対するブラッグ反射が生じる周波数域である。反射帯域の中心周波数であるブラッグ反射のブラッグ周波数は、電極指周期と弾性波の音速によって決まる。反射帯域の幅は、ＩＤＴ電極の材料、厚さ及び電極指の幅等によって決まる。

図１７は、参考例２の弾性波共振子のインピーダンスの位相特性を示すグラフである。図１７における一点鎖線と破線とは、ＩＤＴ電極の電極指の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量が異なる。図１７では、ＩＤＴ電極の質量が相対的に大きい場合のインピーダンスの位相特性を一点鎖線で示し、ＩＤＴ電極の質量が相対的に小さい場合のインピーダンスの位相特性を破線で示してある。図１７において、１．７０ＧＨｚを含む通過帯域よりも高周波数側にあるリップルは、ストップバンドリップルである。図１７から、参考例２の弾性波共振子では、ＩＤＴ電極の電極指の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量が相対的に大きいほうが、通過帯域の最大周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルの強度が小さいことが分かる。図１７の例では、通過帯域が１．７０ＧＨｚを含んでおり、ストップバンドリップルが１．７９ＧＨｚ付近に発生している。この傾向は、高音速部材が含むシリコン基板の圧電体層側の面を（１１０）面、（１００）面とした場合も同様である。参考例２の弾性波共振子では、ＩＤＴ電極の厚さを変えることによって、ＩＤＴ電極の電極指の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量を変えているが、これに限らず、ＩＤＴ電極の比重を変えることによって、ＩＤＴ電極の電極指の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量を変えてもよい。

（実施形態３）
実施形態３に係る弾性波装置の回路構成は、実施形態１に係る弾性波装置１の回路構成と同じなので、図示及び説明を省略する。実施形態３に係る弾性波装置は、実施形態１に係る弾性波装置１の第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの代わりに、図１８Ａ及び１８Ｂに示すような第１弾性波共振子３Ａｅ及び第２弾性波共振子３Ｂｅを備えている点で、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。実施形態３に係る弾性波装置に関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態３に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｅの圧電体層６Ａが、第２弾性波共振子３Ｂｅの圧電体層６Ｂよりも薄い。第１弾性波共振子３Ａｄ及び第２弾性波共振子３Ｂｄの構成は、実施形態１に係る弾性波装置１の第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂそれぞれと同様である。第１弾性波共振子３Ａｄ及び第２弾性波共振子３Ｂｄでは、各圧電体層６Ａ，６Ｂ、各低音速膜５Ａ，５Ｂの厚さが実施形態１に係る弾性波装置１の各圧電体層６Ａ，６Ｂ、各低音速膜５Ａ，５Ｂの厚さとは相違する。

第１弾性波共振子３Ａｅについては、シリコン基板からなる高音速部材４Ａの面４１Ａを（１１１）面とした。低音速膜５Ａ、圧電体層６Ａ及びＩＤＴ電極７Ａの厚さは、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長であるλを用いて規格化している。第１弾性波共振子３Ａｅでは、λは、１μｍとした。図１９は、第１弾性波共振子３Ａｄと同様の構成を有する参考例３の弾性波共振子において、酸化ケイ素からなる低音速膜の厚さを０．２λとし、アルミニウムからなるＩＤＴ電極の厚さを０．０８λとし、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶からなる圧電体層の厚さを０．２λから０．３λの範囲で変化させた場合の、圧電体層の厚さと高次モードの位相特性との関係を示している。また、図２０は、参考例３の弾性波共振子における圧電体層の厚さを０．１λから０．４λの範囲で変化させた場合のＱ値の変化を示している。参考例３の弾性波共振子では、高次モードのレスポンスが５５００ＭＨｚ付近に生じる。

図１９から、参考例３の弾性波共振子では、圧電体層の厚さを薄くするほど、高次モードのレスポンスが抑制される傾向にあることが分かる。この傾向は、高音速部材の圧電体層側の面を（１１０）面、（１００）面とした場合も同様である。参考例３の弾性波共振子の高次モードを抑制する観点では、圧電体層の厚さは、より薄いほうが好ましい。つまり、第１弾性波共振子３Ａｅの高次モードを抑制する観点では、圧電体層６Ａの厚さが薄いほうがより好ましい。

また、図２０から、参考例３の弾性波共振子では、圧電体層の厚さを薄くするほどＱ値が小さくなる傾向にあることが分かる。要するに、参考例３の弾性波共振子では、高次モードの抑制とＱ値の向上とがトレードオフの関係にある。また、参考例３の弾性波共振子では、圧電体層の厚さが薄くなるにつれて、圧電体層の厚さばらつきによる特性ばらつきが大きくなる傾向にある。

実施形態３に係る弾性波装置は、実施形態１に係る弾性波装置１（図１〜５Ｂ参照）と同様、アンテナ端子である第１端子１０１と、第１端子１０１とは異なる第２端子１０２との間に設けられる。弾性波装置１は、複数の弾性波共振子３１〜３９を備える。複数の弾性波共振子３１〜３９は、第１端子１０１と第２端子１０２とを結ぶ第１経路ｒ１上に設けられた複数の直列腕共振子（弾性波共振子３１，３３，３５，３７，３９）と、第１経路ｒ１上の複数のノードＮ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４それぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４上に設けられた複数の並列腕共振子（弾性波共振子３２，３４，３６，３８）と、を含む。複数の弾性波共振子３１〜３９のうち第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子をアンテナ端共振子とした場合に、アンテナ端共振子は、第１弾性波共振子３Ａｅであり、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第２弾性波共振子３Ｂｅである。第１弾性波共振子３Ａｅ及び第２弾性波共振子３Ｂｅの各々は、圧電体層６Ａ，６Ｂと、複数の電極指（複数の第１電極指７３Ａ，７３Ｂ及び複数の第２電極指７４Ａ，７４Ｂ）を有するＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂと、高音速部材４Ａ，４Ｂと、を含む。第１弾性波共振子３Ａｅ及び第２弾性波共振子３Ｂｅの各々のＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂは、圧電体層６Ａ，６Ｂ上に形成されている。高音速部材４Ａ，４Ｂは、圧電体層６Ａ，６Ｂを挟んでＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂとは反対側に位置している。高音速部材４Ａ，４Ｂでは、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。第１弾性波共振子３Ａｅ及び第２弾性波共振子３Ｂｅの各々では、圧電体層６Ａ，６Ｂの厚さが、ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。弾性波装置は、第１条件及び第２条件を満たす。第１条件は、第１弾性波共振子３Ａｅ及び第２弾性波共振子３Ｂｅの高音速部材４Ａ，４Ｂの各々がシリコン基板を含み、第１弾性波共振子３Ａｅのシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面又は（１１０）面であり、第２弾性波共振子３Ｂｅのシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂが（１００）面である、という条件である。第２条件は、第１弾性波共振子３Ａの圧電体層６Ａが、第２弾性波共振子３Ｂの圧電体層６Ｂよりも薄い、という条件である。

実施形態３に係る弾性波装置では、アンテナ端共振子が第１弾性波共振子３Ａｅであり、第１弾性波共振子３Ａｅのシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面又は（１１０）面であることにより、高次モードを抑制することができる。また、実施形態３に係る弾性波装置では、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９が第２弾性波共振子３Ｂｅであり、第２弾性波共振子３Ｂｅのシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂが（１００）面であることにより、特性劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態３に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｅの圧電体層６Ａが、第２弾性波共振子３Ｂｅの圧電体層６Ｂよりも薄いことにより、高次モードを抑制することができる。

実施形態３に係る弾性波装置は、第１条件と第２条件との両方を満たしているが、第１条件と第２条件との少なくとも一方を満たしていれば、高次モードを抑制することができる。したがって、実施形態３に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｅの高音速部材４Ａの圧電体層６Ａ側の面４１Ａと第２弾性波共振子３Ｂｅの高音速部材４Ｂ側の面４１Ｂとが同様の面方位であってもよい。例えば、第１弾性波共振子３Ａｅのシリコン基板の圧電体層６Ａ側の面４１Ａと第２弾性波共振子３Ｂｅのシリコン基板の圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂとの両方が（１１１）面であってもよいし、（１１０）面であってもよいし、（１００）面であってもよい。

（実施形態３の変形例１）
実施形態３の変形例１に係る弾性波装置は、実施形態３に係る弾性波装置の第１弾性波共振子３Ａｅ及び第２弾性波共振子３Ｂｅの代わりに、図２１Ａ及び２１Ｂに示すような第１弾性波共振子３Ａｆ及び第２弾性波共振子３Ｂｆを備えている点で、実施形態３に係る弾性波装置と相違する。実施形態３の変形例１に係る弾性波装置の他の構成は実施形態３に係る弾性波装置１と同様なので図示及び説明を適宜省略する。実施形態３の変形例１に係る弾性波装置に関し、実施形態３に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

第１弾性波共振子３Ａｆ及び第２弾性波共振子３Ｂｆの各々は、支持基板４４Ａ，４４Ｂを更に含む。高音速部材４Ａ，４Ｂは、高音速支持基板４２Ａ，４２Ｂに代えて、高音速膜４５Ａ，４５Ｂを含む。高音速膜４５Ａ，４５Ｂは、支持基板４４Ａ，４４Ｂ上に形成されている。ここにおいて、「支持基板４４Ａ，４４Ｂ上に形成されている」とは、支持基板４４Ａ，４４Ｂ上に直接的に形成されている場合と、支持基板４４Ａ，４４Ｂ上に間接的に形成されている場合と、を含む。高音速膜４５Ａ，４５Ｂでは、その中を伝搬する複数のバルク波のうち、最も低速なバルク波の音速が、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬する弾性波の音速よりも高速である。低音速膜５Ａ，５Ｂは、高音速膜４５Ａ，４５Ｂ上に形成されている。ここにおいて、「高音速膜４５Ａ，４５Ｂ上に形成されている」とは、高音速膜４５Ａ，４５Ｂ上に直接的に形成されている場合と、高音速膜４５Ａ，４５Ｂ上に間接的に形成されている場合と、を含む。低音速膜５Ａ，５Ｂでは、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬するバルク波の音速よりも伝搬する横波バルク波の音速が低速である。圧電体層６Ａ，６Ｂは、低音速膜５Ａ，５Ｂ上に形成されている。ここにおいて、「低音速膜５Ａ，５Ｂ上に形成されている」とは、低音速膜５Ａ，５Ｂ上に直接的に形成されている場合と、低音速膜５Ａ，５Ｂ上に間接的に形成されている場合と、を含む。

各支持基板４４Ａ，４４Ｂの材料は、シリコンであるが、これに限らず、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体、窒化ガリウム等の半導体、樹脂等であってもよい。

第１弾性波共振子３Ａｆ及び第２弾性波共振子３Ｂｆの各々では、高音速膜４５Ａ，４５Ｂは、メインモードの弾性波のエネルギーが高音速膜４５Ａ，４５Ｂより下の構造に漏れないように機能する。

第１弾性波共振子３Ａｆ及び第２弾性波共振子３Ｂｆの各々では、高音速膜４５Ａ，４５Ｂの厚みが十分に厚い場合、メインモードの弾性波のエネルギーは圧電体層６Ａ，６Ｂ及び低音速膜５Ａ，５Ｂの全体に分布し、高音速膜４５Ａ，４５Ｂの低音速膜５Ａ，５Ｂ側の一部にも分布し、支持基板４４Ａ，４４Ｂには分布しないことになる。高音速膜４５Ａ，４５Ｂにより弾性波を閉じ込めるメカニズムは非漏洩なＳＨ波であるラブ波型の表面波の場合と同様のメカニズムであり、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２６−２８に記載されている。上記メカニズムは、音響多層膜によるブラッグ反射器を用いて弾性波を閉じ込めるメカニズムとは異なる。

各高音速膜４５Ａ，４５Ｂの材料は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である。

各高音速膜４５Ａ，４５Ｂの厚さに関しては、弾性波を圧電体層６Ａ，６Ｂ及び低音速膜５Ａ，５Ｂに閉じ込める機能の観点で、厚いほど望ましい。第１弾性波共振子３Ａｆ及び第２弾性波共振子３Ｂｆの各々は、高音速膜４５Ａ，４５Ｂ、低音速膜５Ａ，５Ｂ及び圧電体層６Ａ，６Ｂ以外に、密着層、誘電体膜等を有していてもよい。

実施形態３の変形例１に係る弾性波装置は、実施形態３に係る弾性波装置と同様、第１弾性波共振子３Ａｆの圧電体層６Ａが、第２弾性波共振子３Ｂｆの圧電体層６Ｂよりも薄いことにより、高次モードを抑制することが可能となる。また、実施形態３の変形例１に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｆ及び第２弾性波共振子３Ｂｆの各々が高音速膜４５Ａ，４５Ｂを備えているので、メインモードの弾性波のエネルギーが支持基板４４Ａ，４４Ｂに漏れるのを抑制することが可能となる。

（実施形態３の変形例２）
実施形態３の変形例２に係る弾性波装置１ｇでは、図２２及び２３に示すように、第１弾性波共振子３Ａｇと第２弾性波共振子３Ｂｇとを含む複数の弾性波共振子３１〜３９が１チップに集積化されている。第１弾性波共振子３Ａｇ及び第２弾性波共振子３Ｂｇについて、実施形態３に係る弾性波装置の第１弾性波共振子３Ａｅ及び第２弾性波共振子３Ｂｅと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態３の変形例２に係る弾性波装置１ｇでは、図２２に示すように、第１弾性波共振子３Ａｇの高音速部材４Ａと第２弾性波共振子３Ｂｇの高音速部材４Ｂとが一体の高音速部材となる。また、第１弾性波共振子３Ａｇの低音速膜５Ａと第２弾性波共振子３Ｂｇの低音速膜５Ｂとが一体の低音速膜となる。また、第１弾性波共振子３Ａｇの圧電体層６Ａと第２弾性波共振子３Ｂｇの圧電体層６Ｂとが一体の圧電体層となる。図２３では、複数の弾性波共振子３１〜３９が１チップに集積化されることを、一点鎖線で示している。実施形態３の変形例２に係る弾性波装置１ｇでは、実施形態３に係る弾性波装置と比べて、小型化を図ることが可能となる。また、実施形態３の変形例２に係る弾性波装置は、実施形態３に係る弾性波装置と同様、第１弾性波共振子３Ａｇの圧電体層６Ａが、第２弾性波共振子３Ｂｇの圧電体層６Ｂよりも薄いことにより、高次モードを抑制することが可能となる。

（実施形態４）
実施形態４に係る弾性波装置の回路構成は、実施形態１に係る弾性波装置１の回路構成と同じなので、図示及び説明を省略する。実施形態４に係る弾性波装置は、実施形態１に係る弾性波装置１の第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの代わりに、図２４Ａ及び２４Ｂに示すような第１弾性波共振子３Ａｈ及び第２弾性波共振子３Ｂｈを備えている点で、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。実施形態４に係る弾性波装置に関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態４に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｈの低音速膜５Ａが、第２弾性波共振子３Ｂｈの低音速膜５Ｂよりも薄い。第１弾性波共振子３Ａｈ及び第２弾性波共振子３Ｂｈの構成は、実施形態１に係る弾性波装置の第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂそれぞれと同様である。第１弾性波共振子３Ａｈ及び第２弾性波共振子３Ｂｈでは、各圧電体層６Ａ，６Ｂ、各低音速膜５Ａ，５Ｂの厚さが実施形態１に係る弾性波装置の各圧電体層６Ａ，６Ｂ、各低音速膜５Ａ，５Ｂの厚さとは相違する。

第１弾性波共振子３Ａｈについては、シリコン基板からなる高音速部材４Ａの面４１Ａを（１１１）面とした。低音速膜５Ａ、圧電体層６Ａ及びＩＤＴ電極７Ａの厚さは、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長であるλを用いて規格化している。第１弾性波共振子３Ａｈでは、λは、１μｍとした。図２５は、第１弾性波共振子３Ａｈと同様の構成を有する参考例４の弾性波共振子において、アルミニウムからなるＩＤＴ電極の厚さを０．０８λとし、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶からなる圧電体層の厚さを０．２λとし、酸化ケイ素からなる低音速膜の厚さを０．２λから０．３５λの範囲で変化させた場合の、低音速膜の厚さと高次モードの位相特性との関係を示している。また、図２６は、参考例４の弾性波共振子における低音速膜の厚さを０．１５λから０．３５λの範囲で変化させた場合のＱ値の変化を示している。参考例４の弾性波共振子では、高次モードのレスポンスが７００ＭＨｚ付近に生じる。

図２５から、参考例４の弾性波共振子では、低音速膜の厚さを薄くするほど、高次モードのレスポンスが抑制される傾向にあることが分かる。この傾向は、高音速部材が含むシリコン基板の圧電体層側の面を（１１０）面、（１００）面とした場合も同様である。参考例４の弾性波共振子の高次モードを抑制する観点では、低音速膜の厚さは、より薄いほうが好ましい。つまり、第１弾性波共振子３Ａｈは、第１弾性波共振子３Ａｈの高次モードを抑制する観点では、低音速膜５Ａの厚さが薄いほうがより好ましい。また、参考例４の弾性波共振子では、低音速膜の厚さを薄くするとＴＣＦの絶対値が大きくなる傾向にある。この傾向は、高音速部材が含むシリコン基板の圧電体層側の面を（１１０）面、（１００）面とした場合も同様である。第１弾性波共振子３Ａｈは、第１弾性波共振子３Ａｈの高次モードを抑制しつつＴＣＦの絶対値を小さくする観点では、低音速膜５Ａの厚さが薄いほうが好ましい。

また、図２６から、参考例４の弾性波共振子では、低音速膜の厚さを薄くするほどＱ値が小さくなる傾向にあることが分かる。この傾向は、高音速部材が含むシリコン基板の圧電体層側の面を（１１０）面、（１００）面とした場合も同様である。参考例４の弾性波共振子では、高次モードの抑制とＱ値の向上とがトレードオフの関係にある。したがって、実施形態４に係る弾性波装置では、第２弾性波共振子３Ｂｈの低音速膜５Ｂが、第１弾性波共振子３Ａｈの低音速膜５Ｂよりも厚いのが好ましい。

実施形態４に係る弾性波装置は、実施形態１に係る弾性波装置１（図１〜５Ｂ参照）と同様、アンテナ端子である第１端子１０１と、第１端子１０１とは異なる第２端子１０２との間に設けられる。弾性波装置１は、複数の弾性波共振子３１〜３９を備える。複数の弾性波共振子３１〜３９は、第１端子１０１と第２端子１０２とを結ぶ第１経路ｒ１上に設けられた複数の直列腕共振子（弾性波共振子３１，３３，３５，３７，３９）と、第１経路ｒ１上の複数のノードＮ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４それぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４上に設けられた複数の並列腕共振子（弾性波共振子３２，３４，３６，３８）と、を含む。複数の弾性波共振子３１〜３９のうち第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子をアンテナ端共振子とした場合に、アンテナ端共振子は、第１弾性波共振子３Ａｈであり、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第２弾性波共振子３Ｂｈである。第１弾性波共振子３Ａｈ及び第２弾性波共振子３Ｂｈの各々は、圧電体層６Ａ，６Ｂと、複数の電極指（複数の第１電極指７３Ａ，７３Ｂ及び複数の第２電極指７４Ａ，７４Ｂ）を有するＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂと、高音速部材４Ａ，４Ｂと、を含む。第１弾性波共振子３Ａｈ及び第２弾性波共振子３Ｂｈの各々のＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂは、圧電体層６Ａ，６Ｂ上に形成されている。高音速部材４Ａ，４Ｂは、圧電体層６Ａ，６Ｂを挟んでＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂとは反対側に位置している。高音速部材４Ａ，４Ｂでは、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。第１弾性波共振子３Ａｈ及び第２弾性波共振子３Ｂｈの各々では、圧電体層６Ａ，６Ｂの厚さが、ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。弾性波装置は、第１条件及び第３条件を満たす。第１条件は、第１弾性波共振子３Ａｈ及び第２弾性波共振子３Ｂｈの高音速部材４Ａ，４Ｂの各々がシリコン基板を含み、第１弾性波共振子３Ａｈのシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面又は（１１０）面であり、第２弾性波共振子３Ｂｈのシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂが（１００）面である、という条件である。第３条件は、第１弾性波共振子３Ａｈ及び第２弾性波共振子３Ｂｈの各々が、低音速膜５Ａ，５Ｂを含み、かつ、第１弾性波共振子３Ａｈの低音速膜５Ａが、第２弾性波共振子３Ｂｈの低音速膜５Ｂよりも薄い、という条件である。低音速膜５Ａ，５Ｂは、高音速部材４Ａ，４Ｂと圧電体層６Ａ，６Ｂとの間に設けられている。低音速膜５Ａ，５Ｂでは、圧電体層６Ａ，６Ｂを伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。

実施形態４に係る弾性波装置では、アンテナ端共振子が第１弾性波共振子３Ａｈであり、第１弾性波共振子３Ａｈのシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面又は（１１０）面であることにより、高次モードを抑制することができる。また、実施形態４に係る弾性波装置では、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９が第２弾性波共振子３Ｂｈであり、第２弾性波共振子３Ｂｈのシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂが（１００）面であることにより、特性劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態４に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｈの低音速膜５Ａが第２弾性波共振子３Ｂｈの低音速膜５Ｂよりも薄いことにより、高次モードを抑制することができる。

実施形態４に係る弾性波装置は、第１条件と第３条件との両方を満たしているが、第１条件と第３条件との少なくとも一方を満たしていれば、高次モードを抑制することができる。したがって、実施形態４に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｈのシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａと第２弾性波共振子３Ｂｈのシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂとが同様の面方位であってもよい。例えば、第１弾性波共振子３Ａｈのシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａと第２弾性波共振子３Ｂｈのシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂとの両方が（１１１）面であってもよいし、（１１０）面であってもよいし、（１００）面であってもよい。

（実施形態４の変形例）
実施形態４の変形例に係る弾性波装置では、図２７に示すように、第１弾性波共振子３Ａｉと第２弾性波共振子３Ｂｉとを含む複数の弾性波共振子３１〜３９（図１参照）が１チップに集積化されている。第１弾性波共振子３Ａｉ及び第２弾性波共振子３Ｂｉについて、実施形態４に係る弾性波装置の第１弾性波共振子３Ａｈ及び第２弾性波共振子３Ｂｈと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態４の変形例に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｉの高音速部材４Ａと第２弾性波共振子３Ｂｉの高音速部材４Ｂとが一体の高音速部材となる。また、第１弾性波共振子３Ａｉの低音速膜５Ａと第２弾性波共振子３Ｂｉの低音速膜５Ｂとが一体の低音速膜となる。また、第１弾性波共振子３Ａｉの圧電体層６Ａと第２弾性波共振子３Ｂｉの圧電体層６Ｂとが一体の圧電体層となる。実施形態４の変形例に係る弾性波装置では、実施形態４に係る弾性波装置と比べて、小型化を図ることが可能となる。また、実施形態４の変形例に係る弾性波装置は、第１弾性波共振子３Ａｉの低音速膜５Ａが第２弾性波共振子３Ｂｉの低音速膜５Ｂよりも薄いことにより、実施形態４に係る弾性波装置と同様に高次モードを抑制することができる。

（実施形態５）
実施形態５に係る弾性波装置の回路構成は、実施形態１に係る弾性波装置１（図１〜５Ｂ）の回路構成と同じなので、図示及び説明を省略する。実施形態５に係る弾性波装置は、実施形態１に係る弾性波装置１の第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂの代わりに、図２８Ａ及び２８Ｂに示すような第１弾性波共振子３Ａｊ及び第２弾性波共振子３Ｂｊを備えている点で、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。実施形態５に係る弾性波装置に関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

第１弾性波共振子３Ａｊ及び第２弾性波共振子３Ｂｊの各々は、誘電体膜８Ａ，８Ｂを含む。各誘電体膜８Ａ，８Ｂは、圧電体層６Ａ，６Ｂ上に形成されている。各ＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂは、誘電体膜８Ａ，８Ｂ上に形成されている。各誘電体膜８Ａ，８Ｂの材料は、例えば、酸化ケイ素である。

また、実施形態５に係る弾性波装置では、実施形態３に係る弾性波装置と同様、第１弾性波共振子３Ａｊの圧電体層６Ａが、第２弾性波共振子３Ｂｊの圧電体層６Ｂよりも薄い。第１弾性波共振子３Ａｊ及び第２弾性波共振子３Ｂｊの構成は、実施形態１に係る弾性波装置の第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂそれぞれと同様である。第１弾性波共振子３Ａｊ及び第２弾性波共振子３Ｂｊでは、各圧電体層６Ａ，６Ｂ、各低音速膜５Ａ，５Ｂの厚さが実施形態１に係る弾性波装置１の各圧電体層６Ａ，６Ｂ、各低音速膜５Ａ，５Ｂの厚さとは相違する。

第１弾性波共振子３Ａｊについては、高音速部材４Ａが含むシリコン基板の面４１Ａを（１１１）面とした。低音速膜５Ａ、圧電体層６Ａ及びＩＤＴ電極７Ａの厚さは、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長であるλを用いて規格化している。第１弾性波共振子３Ａｊでは、λは、１．４８μｍとした。図２９は、第１弾性波共振子３Ａｊと同様の構成を有する参考例５の弾性波共振子において、アルミニウムからなるＩＤＴ電極の厚さを０．０７λとし、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶からなる圧電体層の厚さを０．３λとし、酸化ケイ素からなる低音速膜の厚さを０．３５λとし、誘電体膜の厚さを０ｎｍから３０ｎｍの範囲で変化させた場合の、誘電体膜の厚さとＴＣＦとの関係を示している。また、図３０は、参考例５の弾性波共振子における誘電体膜の厚さと比帯域との関係を示している。

図２９から、参考例５の弾性波共振子では、ＴＣＦが正の値の範囲では誘電体膜の厚さを厚くするほど、ＴＣＦが小さくなる傾向にあることが分かる。この傾向は、高音速部材が含むシリコン基板における圧電体層側の面を（１１０）面、（１００）面とした場合も同様である。参考例５の弾性波共振子の共振特性の温度変化に対する周波数変動を抑制する観点では、誘電体膜の厚さは、２２ｎｍ以下であれば、より厚いほうが好ましい。つまり、第１弾性波共振子３Ａｊは、第１弾性波共振子３ＡｊのＴＣＦを小さくする観点では、誘電体膜８Ａの厚さが厚いほうが好ましい。また、図３０から、参考例５の弾性波共振子では、誘電体膜の厚さを大きくすると比帯域が狭くなる傾向にある。この傾向は、高音速部材が含むシリコン基板における圧電体層側の面を（１１０）面、（１００）面とした場合も同様である。第１弾性波共振子３Ａｊは、第１弾性波共振子３Ａｊの比帯域を広くする観点では、誘電体膜８Ａの厚さが薄いほうが好ましく、誘電体膜８Ａを含まないのがより好ましい。

実施形態５に係る弾性波装置では、アンテナ端共振子が第１弾性波共振子３Ａｊであり、第１弾性波共振子３Ａｊの高音速部材４Ａが含むシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面又は（１１０）面であることにより、高次モードを抑制することができる。また、実施形態５に係る弾性波装置では、複数の弾性波共振子３１〜３９（図１参照）のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９が第２弾性波共振子３Ｂｊであり、第２弾性波共振子３Ｂｊの高音速部材４Ｂが含むシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂが（１００）面であることにより、特性劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態５に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｊの圧電体層６Ａが第２弾性波共振子３Ｂｊの圧電体層６Ｂよりも薄いことにより、高次モードを抑制することができる。

実施形態５に係る弾性波装置は、実施形態３に係る弾性波装置と同様、第１条件と第２条件との両方を満たしているが、第１条件と第２条件との少なくとも一方を満たしていれば、高次モードを抑制することができる。したがって、実施形態５に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｊの高音速部材４Ａが含むシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａと第２弾性波共振子３Ｂｊの高音速部材４Ｂが含むシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂとが同様の面方位であってもよい。例えば、第１弾性波共振子３Ａｊのシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａと第２弾性波共振子３Ｂｊのシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂとの両方が（１１１）面であってもよいし、（１１０）面であってもよいし、（１００）面であってもよい。

また、実施形態５に係る弾性波装置では、第２条件を満たすとき、第１弾性波共振子３Ａｊ及び第２弾性波共振子３Ｂｊの各々が、圧電体層６Ａ，６ＢとＩＤＴ電極７Ａ，７Ｂとの間に設けられた誘電体膜８Ａ，８Ｂを更に含む。第１弾性波共振子３Ａｊの誘電体膜８Ａの厚さが、第２弾性波共振子３Ｂｊの誘電体膜８Ｂの厚さよりも厚い。したがって、実施形態５に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｊの電気機械結合係数が大きくなりすぎるのを抑制することができる。

実施形態５に係る弾性波装置において、第１弾性波共振子３Ａｊと第２弾性波共振子３Ｂｊとのうち、第１弾性波共振子３Ａｊのみが、圧電体層６ＡとＩＤＴ電極７Ａとの間に設けられた誘電体膜８Ａを含み、第２弾性波共振子３Ｂｊが、圧電体層６ＢとＩＤＴ電極７Ｂとの間に設けられた誘電体膜８Ｂを含まない構成を採用してもよい。

また、実施形態５に係る弾性波装置において、第１弾性波共振子３Ａｊと第２弾性波共振子３Ｂｊとのうち、第２弾性波共振子３Ｂｊのみが、圧電体層６ＢとＩＤＴ電極７Ｂとの間に設けられた誘電体膜８Ｂを含み、第１弾性波共振子３Ａｊが、圧電体層６ＡとＩＤＴ電極７Ａとの間に設けられた誘電体膜８Ａを含まない構成を採用してもよい。

（実施形態５の変形例１）
実施形態５の変形例１に係る弾性波装置では、図３１に示すように、第１弾性波共振子３Ａｋと第２弾性波共振子３Ｂｋとを含む複数の弾性波共振子３１〜３９（図１参照）が１チップに集積化されている。第１弾性波共振子３Ａｋ及び第２弾性波共振子３Ｂｋについて、実施形態５に係る弾性波装置の第１弾性波共振子３Ａｊ及び第２弾性波共振子３Ｂｊと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態５の変形例１に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｋの高音速部材４Ａと第２弾性波共振子３Ｂｋの高音速部材４Ｂとが一体の高音速部材となる。また、第１弾性波共振子３Ａｋの低音速膜５Ａと第２弾性波共振子３Ｂｋの低音速膜５Ｂとが一体の低音速膜となる。また、第１弾性波共振子３Ａｋの圧電体層６Ａと第２弾性波共振子３Ｂｋの圧電体層６Ｂとが一体の圧電体層となる。また、第１弾性波共振子３Ａｋの誘電体膜８Ａと第２弾性波共振子３Ｂｋの誘電体膜８Ｂとが一体の誘電体膜となる。実施形態５の変形例１に係る弾性波装置では、実施形態５に係る弾性波装置と比べて、小型化を図ることが可能となる。また、実施形態５の変形例１に係る弾性波装置は、第１弾性波共振子３Ａｋの圧電体層６Ａが第２弾性波共振子３Ｂｋの圧電体層６Ｂよりも薄いことにより、実施形態５に係る弾性波装置と同様に高次モードを抑制することができる。

（実施形態５の変形例２）
実施形態５の変形例２に係る弾性波装置は、実施形態５に係る弾性波装置の第１弾性波共振子３Ａｊ及び第２弾性波共振子３Ｂｊの代わりに、図３２Ａ及び３２Ｂに示すような第１弾性波共振子３Ａｌ及び第２弾性波共振子３Ｂｌを備えている点で、実施形態５に係る弾性波装置と相違する。実施形態５の変形例２に係る弾性波装置に関し、実施形態５に係る弾性波装置と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

また、実施形態５の変形例２に係る弾性波装置では、実施形態４に係る弾性波装置と同様、第１弾性波共振子３Ａｌの低音速膜５Ａが、第２弾性波共振子３Ｂｌの低音速膜５Ｂよりも薄い。実施形態５の変形例２に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｌの圧電体層６Ａの厚さと第２弾性波共振子３Ｂｌの圧電体層６Ｂの厚さとが同じである。

実施形態５の変形例２に係る弾性波装置では、アンテナ端共振子が第１弾性波共振子３Ａｌであり、第１弾性波共振子３Ａｌの高音速部材４Ａが含むシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面又は（１１０）面であることにより、高次モードを抑制することができる。また、実施形態５の変形例２に係る弾性波装置では、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９（図１参照）が第２弾性波共振子３Ｂｌであり、第２弾性波共振子３Ｂｌの高音速部材４Ｂが含むシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂが（１００）面であることにより、特性劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態５の変形例２に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｌの低音速膜５Ａが第２弾性波共振子３Ｂｌの低音速膜５Ｂよりも薄いことにより、高次モードを抑制することができる。

（実施形態５の変形例３）
実施形態５の変形例３に係る弾性波装置では、図３３に示すように、第１弾性波共振子３Ａｍと第２弾性波共振子３Ｂｍとを含む複数の弾性波共振子３１〜３９（図１参照）が１チップに集積化されている。第１弾性波共振子３Ａｍ及び第２弾性波共振子３Ｂｍについて、実施形態５の変形例２に係る弾性波装置の第１弾性波共振子３Ａｌ及び第２弾性波共振子３Ｂｌと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態５の変形例３に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｍの高音速部材４Ａと第２弾性波共振子３Ｂｍの高音速部材４Ｂとが一体の高音速部材となる。また、第１弾性波共振子３Ａｍの低音速膜５Ａと第２弾性波共振子３Ｂｍの低音速膜５Ｂとが一体の低音速膜となる。また、第１弾性波共振子３Ａｍの圧電体層６Ａと第２弾性波共振子３Ｂｍの圧電体層６Ｂとが一体の圧電体層となる。また、第１弾性波共振子３Ａｍの誘電体膜８Ａと第２弾性波共振子３Ｂｍの誘電体膜８Ｂとが一体の誘電体膜となる。実施形態５の変形例３に係る弾性波装置では、実施形態５の変形例２に係る弾性波装置と比べて、小型化を図ることが可能となる。また、実施形態５の変形例３に係る弾性波装置は、第１弾性波共振子３Ａｍの低音速膜５Ａが第２弾性波共振子３Ｂｍの低音速膜５Ｂよりも薄いことにより、実施形態５に係る弾性波装置と同様に高次モードを抑制することができる。

（実施形態６）
実施形態６に係る弾性波装置の回路構成は、実施形態１に係る弾性波装置１の回路構成と同じなので、図示及び説明を省略する。実施形態６に係る弾性波装置は、実施形態１に係る弾性波装置１の第１弾性波共振子３Ａと第２弾性波共振子３Ｂの代わりに、図３４Ａ及び３４Ｂに示すような第１弾性波共振子３Ａｎ及び第２弾性波共振子３Ｂｎを備えている点で、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。実施形態６に係る弾性波装置に関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態６に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｎの圧電体層６Ａのカット角θ_Ａが、第２弾性波共振子３Ｂｎの圧電体層６Ｂのカット角θ_Ｂよりも大きい。

第１弾性波共振子３Ａｎについては、シリコン基板からなる高音速部材４Ａの面４１Ａを（１１１）面とした。低音速膜５Ａ、圧電体層６Ａ及びＩＤＴ電極７Ａの厚さは、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長であるλを用いて規格化している。第１弾性波共振子３Ａｎでは、λは、２．００μｍとした。図３５は、第１弾性波共振子３Ａｎと同様の構成を有する参考例６の弾性波共振子において、アルミニウムからなるＩＤＴ電極の厚さを０．０７λとし、Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶からなる圧電体層の厚さを０．３λとし、酸化ケイ素からなる低音速膜の厚さを０．３５λとし、カット角θを４０°から９０°の範囲で変化させた場合の、カット角と電気機械結合係数との関係を示している。図３５では、ＳＨ波をメインモードとする場合のカット角と電気機械結合係数との関係を一点鎖線で示し、ＳＶ波をメインモードとする場合のカット角と電気機械結合係数との関係を破線で示してある。また、図３６は、参考例６の弾性波共振子におけるカット角とＴＣＦとの関係を示している。また、図３７は、参考例６の弾性波共振子におけるカット角と比帯域との関係を示している。

図３５から、参考例６の弾性波共振子では、カット角が大きくなるほどＳＨ波をメインモードとする電気機械結合係数が小さくなる傾向にあり、カット角が大きくなるほどＳＶ波をメインモードとする電気機械結合係数が大きくなる傾向にあることが分かる。この傾向は、高音速部材が含むシリコン基板における圧電体層側の面を（１１０）面、（１００）面とした場合も同様である。参考例６の弾性波共振子の電気機械結合係数を大きくする観点では、カット角が、より小さいほうが好ましい。

また、図３６から、参考例６の弾性波共振子では、カット角が大きくなるほどＴＣＦの絶対値が小さくなる傾向にあることが分かる。この傾向は、高音速部材が含むシリコン基板における圧電体層側の面を（１１０）面、（１００）面とした場合も同様である。参考例６の弾性波共振子のＴＣＦを小さくする観点では、カット角が、より大きいほうが好ましい。

また、図３７から、参考例６の弾性波共振子では、カット角が大きくなるほど比帯域が狭くなる傾向にあることが分かる。この傾向は、高音速部材が含むシリコン基板における圧電体層側の面を（１１０）面、（１００）面とした場合も同様である。参考例６の弾性波共振子の比帯域を広くする観点では、カット角が、より小さいほうが好ましい。

実施形態６に係る弾性波装置では、アンテナ端共振子が第１弾性波共振子３Ａｎであり、第１弾性波共振子３Ａｎの高音速部材４Ａが含むシリコン基板における圧電体層６Ａ側の面４１Ａが（１１１）面又は（１１０）面であることにより、高次モードを抑制することができる。また、実施形態６に係る弾性波装置では、複数の弾性波共振子３１〜３９（図１参照）のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９が第２弾性波共振子３Ｂｎであり、第２弾性波共振子３Ｂｎの高音速部材４Ｂが含むシリコン基板における圧電体層６Ｂ側の面４１Ｂが（１００）面であることにより、特性劣化を抑制することが可能となる。

また、実施形態６に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｎの圧電体層６Ａのカット角θ_Ａが、第２弾性波共振子３Ｂｎの圧電体層６Ｂのカット角θ_Ｂよりも大きいので、第１弾性波共振子３ＡｎのＴＣＦの絶対値を第２弾性波共振子３ＢｎのＴＣＦの絶対値よりも小さくできる。これにより、実施形態６に係る弾性波装置では、高次モードの温度変化に伴う周波数変動を抑制することが可能となる。また、実施形態６に係る弾性波装置では、第２弾性波共振子３Ｂｎの圧電体層６Ｂのカット角θ_Ｂが第１弾性波共振子３Ａｎの圧電体層６Ａのカット角θ_Ａよりも小さい。これにより、実施形態６に係る弾性波装置では、弾性波共振子３１〜３９の全てが第１弾性波共振子３Ａｎである場合と比べて、電気機械結合係数及び比帯域の特性低下を抑制することができる。

ところで、実施形態６に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｎ及び第２弾性波共振子３Ｂｎの各々において、通過帯域よりも低周波側にレイリー波が発生する。そこで、実施形態６に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｎに関して、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長をλ〔μｍ〕とし、ＩＤＴ電極７Ａの厚さをＴ_ＩＤＴ〔μｍ〕とし、ＩＤＴ電極７Ａの比重をρ〔ｇ／ｃｍ^３〕とし、電極指の幅Ｗ_Aを電極指周期の２分の１の値（Ｗ_Ａ＋Ｓ_Ａ）で除した値であるデューティ比をＤ_ｕとし、圧電体層６Ａの厚さをＴ_ＬＴ〔μｍ〕とし、低音速膜５Ａの厚さをＴ_ＶＬ〔μｍ〕とした場合、第１弾性波共振子３Ａｎの圧電体層６Ａのカット角θ_Ａが、下記式（１）で求まるθ_０〔°〕を基準として、θ_０±４°の範囲内であるのが好ましい。

スプリアスを抑制できる方策としては、特定のカット角を有する圧電体基板を用いることが知られている。一方で、フィルタ１１では、要求されるフィルタ特性に対応してＩＤＴ電極７Ａを構成するＩＤＴ電極７Ａの厚さＴ_ＩＤＴ、デューティ比Ｄ_ｕ、圧電体層６Ａの厚みＴ_ＬＴ、及び低音速膜５Ａの厚さＴ_ＶＬを最適化することが望まれることがある。本願発明者らは、鋭意検討の結果、Γ°ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ_３圧電単結晶を用いた第１弾性波共振子３Ａｎについて、通過帯域よりも低周波側に発生するレイリー波の応答を抑制できるカット角は、一意に決まるのではなく、λ、Ｔ_ＩＤＴ、ρ、Ｄ_ｕ、Ｔ_ＬＴ、及びＴ_ＶＬにより変化し、上記式（１）を用いて規定できることを見出した。

これにより、ＩＤＴ電極７Ａ及び圧電体層６Ａの構造パラメータに応じて圧電体層６Ａのカット角を決めることにより、通過帯域よりも低周波側の減衰帯域におけるスプリアスを低減することが可能となる。

上記式（１）の導出にあたり、本願発明者らは、各構造パラメータと圧電体層６Ａのカット角との関係について、規格化膜厚（Ｔ_ＩＤＴ／λ）、デューティ比Ｄ_ｕ、規格化厚み（Ｔ_ＬＴ／λ）、および規格化膜厚（Ｔ_ＶＬ／λ）を変化させた場合の、レイリー波のスプリアスが極小となるカット角の変化を、有限要素法によるシミュレーションにより求めた。

その結果において、規格化膜厚（Ｔ_ＩＤＴ／λ）が大きくなるほど、上記カット角は小さくなる。また、デューティ比Ｄ_ｕが大きくなるほど、上記カット角は小さくなる。また、規格化厚み（Ｔ_ＬＴ／λ）が大きくなるほど、上記カット角は大きくなる。また、規格化膜厚（Ｔ_ＶＬ／λ）が大きくなるほど、上記カット角は大きくなる。

実施形態６に係る弾性波装置では、第１弾性波共振子３Ａｎの圧電体層６Ａのカット角θ_Ａがθ_０±４°の範囲内であることにより、レイリー波の応答強度を小さくすることができる。

（実施形態７）
実施形態７に係る弾性波装置の回路構成は、実施形態１に係る弾性波装置１の回路構成と同じなので、図示及び説明を省略する。実施形態７に係る弾性波装置は、実施形態１に係る弾性波装置１の第１弾性波共振子３Ａの代わりに図３８Ａ及び３８Ｂに示すようなＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子３Ｄを備え、第２弾性波共振子３Ｂの代わりに、図３９に示すような第３弾性波共振子３Ｃを備えている。実施形態７に係る弾性波装置に関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

ＳＡＷ共振子３Ｄは、圧電体基板６０と、圧電体基板６０上に形成されているＩＤＴ電極７Ｄと、を含む。

圧電体基板６０は、例えば、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３基板である。圧電体基板６０のカット角は、５０°に限らず、別の値でもよい。また、圧電体基板は、ＬｉＴａＯ_３基板に限らず、例えば、ＬｉＮｂＯ_３基板であってもよい。ＬｉＮｂＯ_３基板は、例えば、１２８°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ_３基板である。

ＩＤＴ電極７Ｄは、実施形態１に係る弾性波装置１の第１弾性波共振子３ＡのＩＤＴ電極７Ａ（図４Ａ及び４Ｂ参照）と同様の構成を有する。すなわち、ＩＤＴ電極７Ｄは、ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１Ａ、第２バスバー７２Ａ、複数の第１電極指７３Ａ及び複数の第２電極指７４Ａのそれぞれと同様の、第１バスバー７１Ｄ、第２バスバー７２Ｄ、複数の第１電極指７３Ｄ及び複数の第２電極指７４Ｄを備える。

第３弾性波共振子３Ｃは、第１弾性波共振子３Ａ及び第２弾性波共振子３Ｂと同様の構成を有する。詳細には、第３弾性波共振子３Ｃは、圧電体層６Ｃと、ＩＤＴ電極７Ｃと、高音速部材４Ｃと、を含む。ＩＤＴ電極７Ｃは、圧電体層６Ｃ上に形成されている。ＩＤＴ電極７Ｃは、実施形態１に係る弾性波装置１の第１弾性波共振子３ＡのＩＤＴ電極７Ａ（図４Ａ及び４Ｂ参照）と同様の構成を有する。すなわち、ＩＤＴ電極７Ｃは、ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１Ａ、第２バスバー７２Ａ、複数の第１電極指７３Ａ及び複数の第２電極指７４Ａのそれぞれと同様の、第１バスバー、第２バスバー、複数の第１電極指７３Ｃ及び複数の第２電極指７４Ｃを備える。高音速部材４Ｃは、圧電体層６Ｃを挟んでＩＤＴ電極７Ｃとは反対側に位置している。圧電体層６Ｃは、ＩＤＴ電極７Ｃ側の第１主面６１Ｃと、高音速部材４Ｃ側の第２主面６２Ｃと、を有する。高音速部材４Ｃでは、圧電体層６Ｃを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。

また、第３弾性波共振子３Ｃは、低音速膜５Ｃを更に含む。低音速膜５Ｃは、高音速部材４Ｃと圧電体層６Ｃとの間に設けられている。低音速膜５Ｃでは、圧電体層６Ｃを伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。高音速部材４Ｃは、高音速支持基板４２Ｃである。高音速支持基板４２Ｃは、低音速膜５Ｃ、圧電体層６Ｃ及びＩＤＴ電極７Ｃを支持している。高音速支持基板４２Ｃでは、圧電体層６Ｃを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。第３弾性波共振子３Ｃは、ＩＤＴ電極７Ｃの弾性波伝搬方向の両側それぞれに反射器（例えば、短絡グレーティング）を備えた１ポート型弾性波共振子である。ただし、反射器は、必須ではない。なお、第３弾性波共振子３Ｃは、１ポート型弾性波共振子に限らず、例えば、縦結合弾性波共振子であってもよい。

圧電体層６Ｃは、例えば、Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶（例えば、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶）である。

第３弾性波共振子３Ｃでは、圧電体層６Ｃを伝搬する弾性波のモードとして、縦波、ＳＨ波、ＳＶ波、若しくはこれらが複合したモードが存在する。第３弾性波共振子３Ｃでは、ＳＨ波を主成分とするモードをメインモードとして使用している。

図４０の破線は、ＳＡＷ共振子３Ｄのインピーダンスの位相の周波数特性を示している。また、図４０の一点鎖線は、第３弾性波共振子３Ｃのインピーダンスの位相の周波数特性を示している。ここにおいて、ＳＡＷ共振子３Ｄでは、ＩＤＴ電極７Ｄの厚さは、ＩＤＴ電極７Ｄの電極指周期で定まる弾性波の波長であるλを用いて規格化している。第３弾性波共振子３Ｃでは、λは、２μｍとした。また、ＳＡＷ共振子３Ｄでは、４２°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶からなる圧電体基板６０の厚さを１２０μｍ、アルミニウムからなるＩＤＴ電極７Ｃの厚さを０．０８λとし、デューティ比を０．５とした。また、第３弾性波共振子３Ｃについては、シリコン基板からなる高音速部材４Ｃが含むシリコン基板における圧電体層６Ｃ側の面４１Ｃを（１００）面とした。低音速膜５Ｃ、圧電体層６Ｃ及びＩＤＴ電極７Ｃの厚さは、ＩＤＴ電極７Ｃの電極指周期で定まる弾性波の波長であるλを用いて規格化している。第３弾性波共振子３Ｃでは、λは、２μｍとした。第３弾性波共振子３Ｃでは、一例として、酸化ケイ素からなる低音速膜の厚さを０．３５λとし、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶からなる圧電体層６Ｃの厚さを０．３λとし、アルミニウムからなるＩＤＴ電極７Ｃの厚さを０．０８λとし、デューティ比を０．５とした。

図４０から、第３弾性波共振子３Ｃでは、インピーダンスの位相特性において、通過帯域の最大周波数側にストップバンドリップルが発生する。図４０の例では、通過帯域が１９５０ＭＨｚを含んでおり、ストップバンドリップルが２０５０ＭＨｚ付近に発生している。これに対して、ＳＡＷ共振子３Ｄでは、インピーダンスの位相特性において、２０５０ＭＨｚ付近にリップルは発生していない。しかしながら、ＳＡＷ共振子３Ｄでは、第３弾性波共振子３Ｃと比べて、通過帯域の特性が低下している。これらの傾向は、図４１に示すように通過帯域を図４０の場合よりも低周波数側に有する場合も同様である。図４１の破線は、ＳＡＷ共振子３Ｄのインピーダンスの位相の周波数特性を示している。また、図４１の一点鎖線は、第３弾性波共振子３Ｃのインピーダンスの位相の周波数特性を示している。図４１の例では、通過帯域が９７０ＭＨｚを含んでおり、ストップバンドリップルが１０３０ＭＨｚ付近に発生している。

実施形態７に係る弾性波装置は、実施形態１に係る弾性波装置１（図１〜５Ｂ参照）と同様、アンテナ端子である第１端子１０１と、第１端子１０１とは異なる第２端子１０２との間に設けられる。弾性波装置１は、複数の弾性波共振子３１〜３９を備える。複数の弾性波共振子３１〜３９は、第１端子１０１と第２端子１０２とを結ぶ第１経路ｒ１上に設けられた複数の直列腕共振子（弾性波共振子３１，３３，３５，３７，３９）と、第１経路ｒ１上の複数のノードＮ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４それぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４上に設けられた複数の並列腕共振子（弾性波共振子３２，３４，３６，３８）と、を含む。複数の弾性波共振子３１〜３９のうち第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子３１をアンテナ端共振子とした場合に、アンテナ端共振子は、ＳＡＷ共振子３Ｄであり、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９は、第３弾性波共振子３Ｃである。ＳＡＷ共振子３Ｄは、圧電体基板６０と、圧電体基板６０上に形成されており複数の電極指（複数の第１電極指７３Ｄ及び複数の第２電極指７４Ｄ）を有するＩＤＴ電極７Ｄと、を含む。第３弾性波共振子３Ｃは、圧電体層６Ｃと、複数の電極指（複数の第１電極指７３Ｃ及び複数の第２電極指７４Ｃ）を有するＩＤＴ電極７Ｃと、高音速部材４Ｃと、を含む。第３弾性波共振子３ＣのＩＤＴ電極７Ｃは、圧電体層６Ｃ上に形成されている。高音速部材４Ｃは、圧電体層６Ｃを挟んでＩＤＴ電極７Ｃとは反対側に位置している。高音速部材４Ｃでは、圧電体層６Ｃを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。第３弾性波共振子３Ｃでは、圧電体層６Ｃの厚さが、ＩＤＴ電極７Ｃの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。弾性波装置では、アンテナ端共振子がＳＡＷ共振子３Ｄである場合は、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９が第３弾性波共振子３Ｃである。

実施形態７に係る弾性波装置では、アンテナ端共振子がＳＡＷ共振子３Ｄである場合、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９が第３弾性波共振子３Ｃであることにより、反射特性及び通過特性の低下を抑制しつつ高次モードを抑制することができる。

（実施形態７の変形例１）
実施形態７の変形例１に係る弾性波装置は、実施形態７に係る弾性波装置のＳＡＷ共振子３Ｄの代わりに、図４２に示すようなＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子を備えている点が、実施形態７に係る弾性波装置と相違する。実施形態７の変形例１に係る弾性波装置に関し、実施形態７に係る弾性波装置と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

ＢＡＷ共振子３Ｅは、第１電極９６と、圧電体膜９７と、第２電極９８と、を含む。圧電体膜９７は、第１電極９６上に形成されている。第２電極９８は、圧電体膜９７上に形成されている。

ＢＡＷ共振子３Ｅは、支持部材９０Ｅを更に備えている。支持部材９０Ｅは、第１電極９６と圧電体膜９７と第２電極９８とを支持している。支持部材９０Ｅは、支持基板９１と、支持基板９１上に形成されている電気絶縁膜９２と、を含む。支持基板９１は、例えば、シリコン基板である。電気絶縁膜９２は、例えば、シリコン酸化膜である。圧電体膜９７は、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなる。

ＢＡＷ共振子３Ｅは、第１電極９６における圧電体膜９７側とは反対側に空洞９９を有する。ＢＡＷ共振子３Ｅは、第１電極９６と第１電極９６直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることにより支持部材９０Ｅ側への弾性波エネルギーの伝搬を抑制することができ、空洞９９が形成されていない場合と比べて、電気機械結合係数を高めることができる。ＢＡＷ共振子３Ｅは、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）である。なお、ＦＢＡＲを構成するＢＡＷ共振子３Ｅの構造は、一例であり、特に限定されない。

ＢＡＷ共振子３Ｅでは、ＳＡＷ共振子３Ｄと同様、インピーダンスの位相特性において、通過帯域の高周波側においてストップバンドリップルは発生しない。また、ＢＡＷ共振子３Ｅでは、ＳＡＷ共振子３Ｄと同様、第３弾性波共振子３Ｃと比べて、通過帯域の特性が低下する。

実施形態７の変形例１に係る弾性波装置は、実施形態１に係る弾性波装置１（図１〜５Ｂ参照）と同様、アンテナ端子である第１端子１０１と、第１端子１０１とは異なる第２端子１０２との間に設けられる。弾性波装置１は、複数の弾性波共振子３１〜３９を備える。複数の弾性波共振子３１〜３９は、第１端子１０１と第２端子１０２とを結ぶ第１経路ｒ１上に設けられた複数の直列腕共振子（弾性波共振子３１，３３，３５，３７，３９）と、第１経路ｒ１上の複数のノードＮ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４それぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４上に設けられた複数の並列腕共振子（弾性波共振子３２，３４，３６，３８）と、を含む。複数の弾性波共振子３１〜３９のうち第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子３１をアンテナ端共振子とした場合に、アンテナ端共振子は、ＢＡＷ共振子３Ｅであり、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９は、第３弾性波共振子３Ｃである。ＢＡＷ共振子３Ｅは、第１電極９６と、第１電極９６上に形成されている圧電体膜９７と、圧電体膜９７上に形成されている第２電極９８と、を含む。第３弾性波共振子３Ｃは、圧電体層６Ｃと、複数の電極指（複数の第１電極指７３Ｃ及び複数の第２電極指７４Ｃ）を有するＩＤＴ電極７Ｃと、高音速部材４Ｃと、を含む。第３弾性波共振子３ＣのＩＤＴ電極７Ｃは、圧電体層６Ｃ上に形成されている。高音速部材４Ｃは、圧電体層６Ｃを挟んでＩＤＴ電極７Ｃとは反対側に位置している。高音速部材４Ｃでは、圧電体層６Ｃを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。第３弾性波共振子３Ｃでは、圧電体層６Ｃの厚さが、ＩＤＴ電極７Ｃの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。弾性波装置は、アンテナ端共振子がＢＡＷ共振子３Ｅである場合、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９が第３弾性波共振子３Ｃである。

実施形態７の変形例１に係る弾性波装置では、アンテナ端共振子がＢＡＷ共振子３Ｅである場合、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９が第３弾性波共振子３Ｃであることにより、反射特性及び通過特性の低下を抑制しつつ高次モードを抑制することができる。

実施形態７の変形例２に係る弾性波装置は、実施形態７の変形例１に係る弾性波装置のＢＡＷ共振子３Ｅの代わりに、図４３に示すようなＢＡＷ共振子３Ｆを備える。

ＢＡＷ共振子３Ｆは、第１電極９６と、圧電体膜９７と、第２電極９８と、を含む。圧電体膜９７は、第１電極９６上に形成されている。第２電極９８は、圧電体膜９７上に形成されている。

ＢＡＷ共振子３Ｆは、支持部材９０Ｆを更に備えている。支持部材９０Ｆは、第１電極９６と圧電体膜９７と第２電極９８とを支持している。支持部材９０Ｆは、支持基板９１と、支持基板９１上に形成されている音響多層膜９５と、を含む。音響多層膜９５は、圧電体膜９７で発生したバルク弾性波を反射する。音響多層膜９５は、相対的に音響インピーダンスの高い複数の高音響インピーダンス層９３と相対的に音響インピーダンスの低い複数の低音響インピーダンス層９４とが支持基板９１の厚さ方向において一層ごとに交互に並んだ構造である。高音響インピーダンス層９３の材料は、例えば、Ｐｔである。低音響インピーダンス層９４の材料は、例えば、酸化ケイ素である。支持基板９１は、例えば、シリコン基板である。圧電体膜９７は、例えば、ＰＺＴからなる。

ＢＡＷ共振子３Ｆは、第１電極９６における圧電体膜９７側とは反対側に上記の音響多層膜９５を有する。ＢＡＷ共振子３Ｆは、ＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）である。なお、ＳＭＲを構成するＢＡＷ共振子３Ｆの構造は、一例であり、特に限定されない。

ＢＡＷ共振子３Ｆでは、ＳＡＷ共振子３Ｄと同様、インピーダンスの位相特性において、通過帯域の高周波側においてストップバンドリップルは発生しない。また、ＢＡＷ共振子３Ｆでは、ＳＡＷ共振子３Ｄと同様、第３弾性波共振子３Ｃと比べて、ストップバンドの反射特性が低下する。

実施形態７の変形例２に係る弾性波装置では、アンテナ端共振子がＢＡＷ共振子３Ｆである場合に、複数の弾性波共振子３１〜３９のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子３３〜３９が第３弾性波共振子３Ｃであることにより、反射特性及び通過特性の低下を抑制しつつ高次モードを抑制することができる。

上記の実施形態１〜７等は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１〜７等は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

（まとめ）
以上説明した実施形態１〜７等から以下の態様が開示されている。

第１の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）は、アンテナ端子である第１端子（１０１）と第１端子（１０１）とは異なる第２端子（１０２）との間に設けられる。弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）は、複数の弾性波共振子（３１〜３９）を備える。複数の弾性波共振子（３１〜３９）は、第１端子（１０１）と第２端子（１０２）とを結ぶ第１経路（ｒ１）上に設けられた複数の直列腕共振子（弾性波共振子３１，３３，３５，３７，３９）と、第１経路（ｒ１）上の複数のノード（Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４）それぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路上に設けられた複数の並列腕共振子（弾性波共振子３２，３４，３６，３８）と、を含む。複数の弾性波共振子（３１〜３９）のうち第１端子（１０１）に電気的に最も近い弾性波共振子をアンテナ端共振子とした場合に、アンテナ端共振子は、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）、ＳＡＷ共振子（３Ｄ）又はＢＡＷ共振子（３Ｅ；３Ｆ）であり、複数の弾性波共振子（３１〜３９）のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）又は第３弾性波共振子（３Ｃ）である。上記アンテナ端共振子が第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）の場合は、上記少なくとも１つの弾性波共振子は第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）である。上記アンテナ端共振子がＳＡＷ共振子（３Ｄ）又はＢＡＷ共振子（３Ｅ；３Ｆ）である場合は、複数の弾性波共振子（３１〜３９）のうち上記アンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子が第３弾性波共振子（３Ｃ）である。ＳＡＷ共振子（３Ｄ）は、圧電体基板（６０）と、複数の電極指（複数の第１電極指７３Ｄ及び複数の第２電極指７４Ｄ）を有するＩＤＴ電極（７Ｄ）と、を含む。ＩＤＴ電極（７Ｄ）は、圧電体基板（６０）上に形成されている。第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）及び第３弾性波共振子（３Ｃ）の各々は、圧電体層（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）と、複数の電極指（複数の第１電極指７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃ及び複数の第２電極指７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃ）を有するＩＤＴ電極（７Ａ，７Ｂ，７Ｃ）と、高音速部材（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）と、を含む。第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）及び第３弾性波共振子（３Ｃ）の各々のＩＤＴ電極（７Ａ，７Ｂ，７Ｃ）は、圧電体層（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）上に形成されている。高音速部材（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）は、圧電体層（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）を挟んでＩＤＴ電極（７Ａ，７Ｂ，７Ｃ）とは反対側に位置している。高音速部材（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）では、圧電体層（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）及び第３弾性波共振子（３Ｃ）の各々では、圧電体層（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）の厚さが、ＩＤＴ電極（７Ａ，７Ｂ，７Ｃ）の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）は、上記アンテナ端共振子が第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）であり上記少なくとも１つの弾性波共振子が第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）である場合、第１条件と第２条件と第３条件とのうち少なくとも１つを満たす。上記第１条件は、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）及び第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）の高音速部材（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）の各々がシリコン基板を含み、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）のシリコン基板における圧電体層（６Ａ）側の面（４１Ａ）が（１１１）面又は（１１０）面であり、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）のシリコン基板における圧電体層（６Ｂ）側の面（４１Ｂ）が（１００）面である、という条件である。上記第２条件は、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）の圧電体層（６Ａ）が、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）の圧電体層（６Ｂ）よりも薄い、という条件である。上記第３条件は、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）及び第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）の各々が、低音速膜（５Ａ，５Ｂ）を含み、かつ、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）の低音速膜（５Ａ）が、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）の低音速膜（５Ｂ）よりも薄い、という条件である。低音速膜（５Ａ，５Ｂ）は、高音速部材（４Ａ，４Ｂ）と圧電体層（６Ａ，６Ｂ）との間に設けられている。低音速膜（５Ａ，５Ｂ）では、圧電体層（６Ａ，６Ｂ）を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。

第１の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、高次モードを抑制することが可能となる。

第２の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１の態様において、ＢＡＷ共振子（３Ｅ；３Ｆ）は、第１電極（９６）と、圧電体膜（９７）と、第２電極（９８）と、を含む。圧電体膜（９７）は、第１電極（９６）上に形成されている。第２電極（９８）は、圧電体膜（９７）上に形成されている。

第３の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１又は２の態様において、弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）は、上記アンテナ端共振子が第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）であり上記少なくとも１つの弾性波共振子が第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）である場合、第４条件を満たす。上記第４条件は、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）のＩＤＴ電極（７Ａ）の電極指の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量が、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）のＩＤＴ電極（７Ｂ）の電極指の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量よりも大きい、という条件である。

第３の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、電気機械結合係数を大きくでき、かつ、ストップバンドリップルを抑制することが可能となる。

第４の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１又は２の態様において、弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）は、上記アンテナ端共振子が第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）であり上記少なくとも１つの弾性波共振子が第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）である場合、第４条件を満たす。上記第４条件は、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）のＩＤＴ電極（７Ａ）の電極指の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量が、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）のＩＤＴ電極（７Ｂ）の電極指の電極指長手方向における前記単位長さ当たりの質量よりも小さい、という条件である。

第４の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）のＴＣＦを第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）のＴＣＦよりも小さくすることが可能となる。

第５の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）は、第１〜４の態様のいずれか一つにおいて、上記アンテナ端共振子が第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）であり上記少なくとも１つの弾性波共振子が第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）である場合、上記第１条件と上記第２条件との少なくとも一方を満たす。第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）と第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）とのうち、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）のみが、低音速膜（５Ａ）を含む。低音速膜（５Ａ）は、高音速部材（４Ａ）と圧電体層（６Ａ）との間に設けられている。低音速膜（５Ａ）では、圧電体層（６Ａ）を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。

第５の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、電気機械結合係数の増大による比帯域の拡大と、周波数温度特性の改善との双方を図ることができる。

第６の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）は、第１〜４の態様のいずれか一つにおいて、上記アンテナ端共振子が第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）であり上記少なくとも１つの弾性波共振子が第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）である場合、上記第１条件と上記第２条件との少なくとも一方を満たす。第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）と第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）とのうち、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）のみが、低音速膜（５Ｂ）を含む。低音速膜（５Ｂ）は、高音速部材（４Ｂ）と圧電体層（６Ｂ）との間に設けられている。低音速膜（５Ｂ）では、圧電体層（６Ｂ）を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。

第６の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）で発生する高次モードをより抑制することができる。

第７の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１〜６の態様のいずれか一つにおいて、圧電体層（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）の材料がリチウムタンタレート又はリチウムニオベイトである。低音速膜（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ）の材料が酸化ケイ素である。高音速部材（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）の材料がシリコンである。

第７の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、低音速膜（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ）が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。

第８の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）は、第１〜６の態様のいずれか一つにおいて、高音速部材（４Ａ，４Ｂ）は、高音速膜（４５Ａ，４５Ｂ）と、高音速膜（４５Ａ，４５Ｂ）を支持する支持基板（４４Ａ，４４Ｂ）と、を含む。高音速膜（４５Ａ，４５Ｂ）では、圧電体層（６Ａ，６Ｂ）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）及び第３弾性波共振子（３Ｃ）の各々は、高音速膜（４５Ａ，４５Ｂ）上に形成されている低音速膜（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ）を含む。低音速膜（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ）では、圧電体層（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ；１ｇ）は、上記第１条件を満たす場合、支持基板（４４Ａ，４４Ｂ）が上記シリコン基板である。

第８の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、弾性波が支持基板（４４Ａ，４４Ｂ）に漏れるのを抑制することが可能となる。

第９の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第８の態様において、圧電体層（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）の材料が、リチウムタンタレート又はリチウムニオベイトである。低音速膜（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ）の材料が、酸化ケイ素と、ガラスと、酸窒化ケイ素と、酸化タンタルと、酸化ケイ素にフッ素、炭素又はホウ素を加えた化合物と、からなる群から選択される少なくとも１種の材料である。高音速膜（４５Ａ，４５Ｂ）の材料が、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である。

第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１〜７の態様のいずれか一つにおいて、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）及び第３弾性波共振子（３Ｃ）の各々は、低音速膜（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ）を含む。低音速膜（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ）は、高音速部材（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）と圧電体層（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）との間に設けられている。低音速膜（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ）では、圧電体層（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。高音速部材（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ）は、高音速支持基板（４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ）である。高音速支持基板（４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ）では、圧電体層（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。

第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）及び第３弾性波共振子（３Ｃ）の各々が低音速膜（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ）を含まない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。

第１１の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１〜１０の態様のいずれか一つにおいて、上記第２条件を満たすとき、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）及び第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）の各々が、圧電体層（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）とＩＤＴ電極（７Ａ，７Ｂ）との間に設けられた誘電体膜（８Ａ，８Ｂ）を更に含む。第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）の誘電体膜（８Ａ）の厚さが、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）の誘電体膜（８Ｂ）の厚さよりも厚い。

第１１の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）の電気機械結合係数が大きくなりすぎるのを抑制することができる。

第１２の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）は、第１〜１０の態様のいずれか一つにおいて、上記アンテナ端共振子が第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）であり上記少なくとも１つの弾性波共振子が第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）である場合、上記第１条件と上記第２条件との少なくとも一方を満たす。第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）と第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）とのうち、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）のみが、圧電体層（６Ａ）とＩＤＴ電極（７Ａ）との間に設けられた誘電体膜（８Ａ）を更に含む。

第１３の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）は、第１〜１０の態様のいずれか一つにおいて、上記アンテナ端共振子が第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）であり上記少なくとも１つの弾性波共振子が第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）である場合、上記第１条件と上記第２条件との少なくとも一方を満たす。第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）と第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）とのうち、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）のみが、圧電体層（６Ｂ）とＩＤＴ電極（７Ｂ）との間に設けられた誘電体膜（８Ｂ）を更に含む。

第１４の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１〜１３の態様のいずれか一つにおいて、弾性波装置（１）は、上記アンテナ端共振子が第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）であり上記少なくとも１つの弾性波共振子（３２〜３９）が第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）である場合、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）の圧電体層（６Ａ）のカット角（θ_Ａ）が、第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）の圧電体層（６Ｂ）のカット角（θ_Ｂ）よりも大きい。

第１４の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１弾性波共振子（３Ａｎ）のＴＣＦの絶対値を第２弾性波共振子（３Ｂｎ）のＴＣＦの絶対値よりも小さくできる。これにより、第１４の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、高次モードの温度変化に伴う周波数変動を抑制することが可能となる。また、第１４の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第２弾性波共振子（３Ｂｎ）の圧電体層（６Ｂ）のカット角（θ_Ｂ）が第１弾性波共振子（３Ａｎ）の圧電体層（６Ａ）のカット角（θ_Ａ）よりも小さいので、弾性波共振子（３１〜３９）の全てが第１弾性波共振子（３Ａｎ）である場合と比べて、電気機械結合係数及び比帯域の特性低下を抑制することができる。

第１５の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１〜１４の態様のいずれか一つにおいて、弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）は、上記アンテナ端共振子が第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）であり上記少なくとも１つの弾性波共振子（３３〜３９）が第２弾性波共振子（３Ｂ；３Ｂａ〜３Ｂｎ）である場合、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ〜３Ａｎ）に関して、圧電体層（６Ａ）のカット角（θ_Ａ）が、下記式（１）で求まるθ_０を基準として、θ_Ｂ±４°の範囲内である。下記式（１）は、上記波長をλ〔μｍ〕とし、ＩＤＴ電極（７Ａ）の厚さをＴ_ＩＤＴ〔μｍ〕とし、ＩＤＴ電極（７Ａ）の比重をρ〔ｇ／ｃｍ^３〕とし、電極指の幅（Ｗ_Ａ）を電極指周期（繰り返し周期Ｐ_λA）の２分の１の値（Ｗ_Ａ＋Ｓ_Ａ）で除した値であるデューティ比をＤ_ｕとし、圧電体層（６Ａ）の厚さをＴ_ＬＴ〔μｍ〕とし、低音速膜（５Ａ）の厚さをＴ_ＶＬ〔μｍ〕とした場合の式である。

第１５の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、レイリー波の応答強度を小さくすることができる。

第１６の態様に係る弾性波装置（１；１ｇ）では、第１〜１５の態様のいずれか一つにおいて、複数の直列腕共振子（弾性波共振子３１，３３，３５，３７，３９）のうち１つの直列腕共振子（弾性波共振子３１）が、複数の並列腕共振子（弾性波共振子３２，３４，３６，３８）よりも第１端子（１０１）に電気的に近い。上記１つの直列腕共振子（弾性波共振子３１）が、上記アンテナ端共振子である。

第１７の態様に係る弾性波装置（１ｃ）では、第１〜１５の態様のいずれか一つにおいて、複数の直列腕共振子（弾性波共振子３１，３３，３５，３７）のうち１つの直列腕共振子（弾性波共振子３１）と複数の並列腕共振子（弾性波共振子３２，３４，３６，３８）のうち１つの並列腕共振子（弾性波共振子３２）とが、第１端子（１０１）と直接的に接続されている。１つの直列腕共振子（弾性波共振子３１）と前記１つの並列腕共振子との少なくとも一方が、上記アンテナ端共振子である。

第１８の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、第１〜１７の態様のいずれか一つにおいて、上記アンテナ端共振子は、複数の弾性波共振子（３１〜３９）における上記アンテナ端共振子以外の弾性波共振子（３２〜３９）とは異なるチップである。

第１８の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）では、上記アンテナ端共振子以外の弾性波共振子の特性のばらつきを抑制することが可能となる。

第１９の態様に係るマルチプレクサ（１００；１００ｂ）は、第１フィルタ（１１）と、第２フィルタ（１２）と、を備える。第１フィルタ（１１）は、第１〜１８の態様のいずれか一つに記載の弾性波装置（１；１ｃ；１ｇ）からなる。第２フィルタ（１２）は、第１端子（１０１）と第１端子（１０１）とは異なる第３端子（１０３）との間に設けられている。第１フィルタ（１１）の通過帯域が、第２フィルタ（１２）の通過帯域よりも低周波数域である。

第１９の態様に係るマルチプレクサ（１００；１００ｂ）では、第１フィルタ（１１）で発生する高次モードが第２フィルタ（１２）へ与える影響を抑制することが可能となる。

第２０の態様に係るマルチプレクサ（１００；１００ｂ）では、第１９の態様において、複数の弾性波共振子（３１〜３９）からなる共振子群（３０）を複数備える。複数の共振子群（３０）では、第１端子（１０１）が共通端子であり、かつ、第２端子（１０２）が個別端子である。複数の共振子群（３０）の上記アンテナ端共振子が１チップに集積されている。

第２０の態様に係るマルチプレクサ（１００；１００ｂ）では、複数の共振子群（３０）の上記アンテナ端共振子の特性ばらつきを低減でき、かつ、マルチプレクサ（１００；１００ｂ）の小型化を図ることが可能となる。

第２１の態様に係るマルチプレクサ（１００；１００ｂ）では、第１９又は２０の態様において、第１フィルタ（１１）の通過帯域の最大周波数が、第２フィルタ（１２）の通過帯域の最小周波数よりも低い。

第２２の態様に係る高周波フロントエンド回路（３００）は、第１９〜２１の態様のいずれか一つに記載のマルチプレクサ（１００；１００ｂ）と、マルチプレクサ（１００；１００ｂ）に接続された増幅回路（３０３）と、を備える。

第２２の態様に係る高周波フロントエンド回路（３００）は、高次モードを抑制することが可能となる。

第２３の態様に係る通信装置（４００）は、第２１の態様に記載の高周波フロントエンド回路（３００）と、ＲＦ信号処理回路（４０１）と、を備える。ＲＦ信号処理回路（４０１）は、アンテナ（２００）で受信される高周波信号を処理する。高周波フロントエンド回路（３００）は、アンテナ（２００）とＲＦ信号処理回路（４０１）との間で高周波信号を伝達する。

第２３の態様に係る通信装置（４００）では、高次モードを抑制することが可能となる。

１，１ｃ，１ｇ 弾性波装置
１１ 第１フィルタ
１２ 第２フィルタ
２１ 第３フィルタ
２２ 第４フィルタ
３１，３３，３５，３７，３９ 弾性波共振子（直列腕共振子）
３２，３４，３６，３８ 弾性波共振子（並列腕共振子）
３Ａ，３Ａａ，３Ａｂ，３Ａｃ，３Ａｄ，３Ａｅ，３Ａｆ，３Ａｇ，３Ａｈ，３Ａｉ，３Ａｊ，３Ａｋ，３Ａｌ，３Ａｍ，３Ａｎ 第１弾性波共振子
３Ｂ，３Ｂａ，３Ｂｂ，３Ｂｃ，３Ｂｄ，３Ｂｅ，３Ｂｆ，３Ｂｇ，３Ｂｈ，３Ｂｉ，３Ｂｊ，３Ｂｋ，３Ｂｌ，３Ｂｍ，３Ｂｎ 第２弾性波共振子
３Ｃ 第３弾性波共振子
３Ｄ ＳＡＷ共振子
３Ｅ ＢＡＷ共振子
３Ｆ ＢＡＷ共振子
３０ 共振子群
４Ａ，４Ｂ，４Ｃ 高音速部材
４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ 面
４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ 高音速支持基板
４４Ａ，４４Ｂ 支持基板
４５Ａ，４５Ｂ 高音速膜
５Ａ，５Ｂ，５Ｃ 低音速膜
６Ａ，６Ｂ，６Ｃ 圧電体層
６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ 第１主面
６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ 第２主面
７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ ＩＤＴ電極
７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｄ 第１バスバー
７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｄ 第２バスバー
７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃ，７３Ｄ 第１電極指
７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃ，７４Ｄ 第２電極指
８Ａ，８Ｂ 誘電体膜
９０Ｅ，９０Ｆ 支持部材
９１ 支持基板
９２ 電気絶縁膜
９３ 高音響インピーダンス層
９４ 低音響インピーダンス層
９５ 音響多層膜
９６ 第１電極
９７ 圧電体膜
９８ 第２電極
９９ 空洞
１００，１００ｂ マルチプレクサ
１０１ 第１端子
１０２ 第２端子
１０３ 第３端子
１０４ 第４端子
２００ アンテナ
３００ 高周波フロントエンド回路
３０１ スイッチ回路（第１スイッチ回路）
３０２ スイッチ回路（第２スイッチ回路）
３０３ 増幅回路（第１増幅回路）
３０４ 増幅回路（第２増幅回路）
４００ 通信装置
４０１ ＲＦ信号処理回路
４０２ ベースバンド信号処理回路
ｒ１ 第１経路
ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４ 第２経路
Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４ ノード
Ｗ_Ａ 幅
Ｓ_Ａ スペース幅
Ｐ_λＡ 繰り返し周期
Ｗ_Ｂ 第２電極指の幅
Ｓ_Ｂ スペース幅
Ｐ_λＢ 繰り返し周期
Γ カット角

Claims (23)

1. アンテナ端子である第１端子と、前記第１端子とは異なる第２端子との間に設けられる弾性波装置であって、
   複数の弾性波共振子を備え、
   前記複数の弾性波共振子は、
   前記第１端子と前記第２端子とを結ぶ第１経路上に設けられた複数の直列腕共振子と、
   前記第１経路上の複数のノードそれぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路上に設けられた複数の並列腕共振子と、を含み、
   前記複数の弾性波共振子のうち前記第１端子に電気的に最も近い弾性波共振子をアンテナ端共振子とした場合に、
   前記アンテナ端共振子は、第１弾性波共振子、ＳＡＷ共振子又はＢＡＷ共振子であり、
   前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第２弾性波共振子又は第３弾性波共振子であり、
   前記アンテナ端共振子が前記第１弾性波共振子の場合は、前記少なくとも１つの弾性波共振子は前記第２弾性波共振子であり、
   前記アンテナ端共振子が前記ＳＡＷ共振子又は前記ＢＡＷ共振子の場合は、前記少なくとも１つの弾性波共振子は前記第３弾性波共振子であり、
   前記ＳＡＷ共振子は、
   圧電体基板と、
   圧電体基板上に形成されており複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、を含み、
   前記第１弾性波共振子、前記第２弾性波共振子及び前記第３弾性波共振子の各々は、
   圧電体層と、
   前記圧電体層上に形成されており複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、
   前記圧電体層を挟んで前記ＩＤＴ電極とは反対側に位置しており前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速部材と、を含み、
   前記圧電体層の厚さが、前記ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下であり、
   前記弾性波装置は、前記アンテナ端共振子が前記第１弾性波共振子であり前記少なくとも１つの弾性波共振子が前記第２弾性波共振子である場合、第１条件と第２条件と第３条件とのうち少なくとも１つを満たし、
   前記第１条件は、前記第１弾性波共振子及び前記第２弾性波共振子の前記高音速部材の各々がシリコン基板を含み、前記第１弾性波共振子の前記シリコン基板における前記圧電体層側の面が（１１１）面又は（１１０）面であり、前記第２弾性波共振子の前記シリコン基板における前記圧電体層側の面が（１００）面である、という条件であり、
   前記第２条件は、前記第１弾性波共振子の前記圧電体層が、前記第２弾性波共振子の前記圧電体層よりも薄い、という条件であり、
   前記第３条件は、前記第１弾性波共振子及び前記第２弾性波共振子の各々が、前記高音速部材と前記圧電体層との間に設けられており前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜を含み、かつ、前記第１弾性波共振子の前記低音速膜が、前記第２弾性波共振子の前記低音速膜よりも薄い、という条件である、
   弾性波装置。
2. 前記ＢＡＷ共振子は、
   第１電極と、
   前記第１電極上に形成されている圧電体膜と、
   前記圧電体膜上に形成されている第２電極と、を含む、
   請求項１に記載の弾性波装置。
3. 前記弾性波装置は、前記アンテナ端共振子が前記第１弾性波共振子であり前記少なくとも１つの弾性波共振子が前記第２弾性波共振子である場合、第４条件を満たし、
   前記第４条件は、前記第１弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極の電極指の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量が、前記第２弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極の電極指の電極指長手方向における前記単位長さ当たりの質量よりも大きい、という条件である、
   請求項１又は２に記載の弾性波装置。
4. 前記弾性波装置は、前記アンテナ端共振子が前記第１弾性波共振子であり前記少なくとも１つの弾性波共振子が前記第２弾性波共振子である場合、第４条件を満たし、
   前記第４条件は、前記第１弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極の電極指の電極指長手方向における単位長さ当たりの質量が、前記第２弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極の電極指の電極指長手方向における前記単位長さ当たりの質量よりも小さい、という条件である、
   請求項１又は２に記載の弾性波装置。
5. 前記弾性波装置は、前記アンテナ端共振子が前記第１弾性波共振子であり前記少なくとも１つの弾性波共振子が前記第２弾性波共振子である場合、
   前記第１条件と前記第２条件との少なくとも一方を満たし、
   前記第１弾性波共振子と前記第２弾性波共振子とのうち、前記第１弾性波共振子のみが、前記高音速部材と前記圧電体層との間に設けられており前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜を含む、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
6. 前記弾性波装置は、前記アンテナ端共振子が前記第１弾性波共振子であり前記少なくとも１つの弾性波共振子が前記第２弾性波共振子である場合、
   前記第１条件と前記第２条件との少なくとも一方を満たし、
   前記第１弾性波共振子と前記第２弾性波共振子とのうち、前記第２弾性波共振子のみが、前記高音速部材と前記圧電体層との間に設けられており前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜を含む、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
7. 前記圧電体層の材料がリチウムタンタレート又はリチウムニオベイトであり、
   前記低音速膜の材料が酸化ケイ素であり、
   前記高音速部材の材料がシリコンである、
   請求項１〜６のいずれか一項に記載の弾性波装置。
8. 前記高音速部材は、
   前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜と、
   前記高音速膜を支持する支持基板と、を含み、
   前記第１弾性波共振子、前記第２弾性波共振子及び前記第３弾性波共振子の各々は、前記高音速膜上に形成されており前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜を含み、
   前記弾性波装置は、前記第１条件を満たす場合、前記支持基板が前記シリコン基板である、
   請求項１〜６のいずれか一項に記載の弾性波装置。
9. 前記圧電体層の材料が、リチウムタンタレート又はリチウムニオベイトであり、
   前記低音速膜の材料が、酸化ケイ素と、ガラスと、酸窒化ケイ素と、酸化タンタルと、酸化ケイ素にフッ素、炭素又はホウ素を加えた化合物と、からなる群から選択される少なくとも１種の材料であり、
   前記高音速膜の材料が、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である、
   請求項８に記載の弾性波装置。
10. 前記第１弾性波共振子、前記第２弾性波共振子及び前記第３弾性波共振子の各々は、前記高音速部材と前記圧電体層との間に設けられており前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜を含み、
    前記高音速部材は、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板である、
    請求項１〜７のいずれか一項に記載の弾性波装置。
11. 前記弾性波装置では、前記第２条件を満たすとき、前記第１弾性波共振子及び前記第２弾性波共振子の各々が、前記圧電体層と前記ＩＤＴ電極との間に設けられた誘電体膜を更に含み、
    前記第１弾性波共振子の誘電体膜の厚さが、前記第２弾性波共振子の誘電体膜の厚さよりも厚い、
    請求項１〜１０のいずれか一項に記載の弾性波装置。
12. 前記弾性波装置は、前記アンテナ端共振子が前記第１弾性波共振子であり前記少なくとも１つの弾性波共振子が前記第２弾性波共振子である場合、
    前記第１条件と前記第２条件との少なくとも一方を満たし、
    前記第１弾性波共振子と前記第２弾性波共振子とのうち、前記第１弾性波共振子のみが、前記圧電体層と前記ＩＤＴ電極との間に設けられた誘電体膜を更に含む、
    請求項１〜１０のいずれか一項に記載の弾性波装置。
13. 前記弾性波装置は、前記アンテナ端共振子が前記第１弾性波共振子であり前記少なくとも１つの弾性波共振子が前記第２弾性波共振子である場合、
    前記第１条件と前記第２条件との少なくとも一方を満たし、
    前記第１弾性波共振子と前記第２弾性波共振子とのうち、前記第２弾性波共振子のみが、前記圧電体層と前記ＩＤＴ電極との間に設けられた誘電体膜を更に含む、
    請求項１〜１０のいずれか一項に記載の弾性波装置。
14. 前記弾性波装置は、前記アンテナ端共振子が前記第１弾性波共振子であり前記少なくとも１つの弾性波共振子が前記第２弾性波共振子である場合、
    前記第１弾性波共振子の前記圧電体層のカット角が、前記第２弾性波共振子の前記圧電体層のカット角よりも大きい、
    請求項１〜１３のいずれか一項に記載の弾性波装置。
15. 前記弾性波装置は、前記アンテナ端共振子が前記第１弾性波共振子であり前記少なくとも１つの弾性波共振子が前記第２弾性波共振子である場合、
    前記第１弾性波共振子に関して、前記波長をλ〔μｍ〕とし、前記ＩＤＴ電極の厚さをＴ_ＩＤＴ〔μｍ〕とし、前記ＩＤＴ電極の比重をρ〔ｇ／ｃｍ^３〕とし、前記電極指の幅を前記電極指周期の２分の１の値で除した値であるデューティ比をＤ_ｕとし、前記圧電体層の厚さをＴ_ＬＴ〔μｍ〕とし、前記低音速膜の厚さをＴ_ＶＬ〔μｍ〕とした場合、前記第１弾性波共振子の前記圧電体層のカット角が、下記式（１）で求まるθ_０〔°〕を基準として、θ_０±４°の範囲内である、
    

    

    請求項１〜１４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
16. 前記複数の直列腕共振子のうち１つの直列腕共振子が、前記複数の並列腕共振子よりも前記第１端子に電気的に近く、
    前記１つの直列腕共振子が、前記アンテナ端共振子である、
    請求項１〜１５のいずれか一項に記載の弾性波装置。
17. 前記複数の直列腕共振子のうち１つの直列腕共振子と前記複数の並列腕共振子のうち１つの並列腕共振子とが、前記第１端子と直接的に接続されており、
    前記１つの直列腕共振子と前記１つの並列腕共振子との少なくとも一方が、前記アンテナ端共振子である、
    請求項１〜１５のいずれか一項に記載の弾性波装置。
18. 前記アンテナ端共振子は、前記少なくとも１つの弾性波共振子とは異なるチップである、
    請求項１〜１７のいずれか一項に記載の弾性波装置。
19. 請求項１〜１８のいずれか一項に記載の弾性波装置からなる第１フィルタと、
    前記第１端子と前記第１端子とは異なる第３端子との間に設けられた第２フィルタと、を備え、
    前記第１フィルタの通過帯域が、前記第２フィルタの通過帯域よりも低周波数域である、
    マルチプレクサ。
20. 前記複数の弾性波共振子からなる共振子群を複数備え、
    前記複数の共振子群では、前記第１端子が共通端子であり、かつ、前記第２端子が個別端子であり、
    前記複数の共振子群の前記アンテナ端共振子が１チップに集積されている、
    請求項１９に記載のマルチプレクサ。
21. 前記第１フィルタの前記通過帯域の最大周波数が、前記第２フィルタの前記通過帯域の最小周波数よりも低い、
    請求項１９又は２０に記載のマルチプレクサ。
22. 請求項１９〜２１のいずれか一項に記載のマルチプレクサと、
    前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える、
    高周波フロントエンド回路。
23. 請求項２２に記載の高周波フロントエンド回路と、
    アンテナで受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、を備え、
    前記高周波フロントエンド回路は、前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する、
    通信装置。

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