JPWO2019123629A1

JPWO2019123629A1 - ３次元積層電子デバイスの製造方法及び製造装置

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Inventors: 謙磁塚田; 亮二郎富永
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Abstract

絶縁層の上に、導電性粒子、紫外線硬化樹脂、及び有機溶剤が混ぜ合わされた導電性ペーストを吐出することによって、回路配線単層を形成する形成処理と、回路配線単層に紫外線を照射して回路配線単層を硬化させる硬化処理とを有し、形成処理と硬化処理で絶縁層に回路配線単層を積層することによって、少なくとも１層の回路配線単層が含まれる３次元積層造形物を造形する積層造形工程と、積層造形工程が終了した後で３次元積層造形物を加熱することによって３次元積層電子デバイスを製造する加熱工程とを備え、導電性ペーストの導電性は、硬化処理における紫外線の照射によって発現し、加熱工程における加熱によって向上する３次元積層電子デバイスの製造方法。

Description

本開示は、３次元積層造形を用いた３次元積層電子デバイスの製造方法及び製造装置に関するものである。

従来より、３次元積層造形に関し、種々の技術が提案されている。

例えば、下記特許文献１に記載の配線基板の製造方法は、絶縁基材上に配線パターンに沿って導電パターンと絶縁パターンを少なくとも１層形成する方法であって、前記絶縁基材と絶縁パターンの少なくとも一つは、半硬化状態でその上部に前記導電パターンを形成し積層体を得て、該積層体を熱処理して前記半硬化状態の絶縁基材または／及び絶縁パターンを完全硬化し、導電パターンは焼成することを含んで成る。

特開２００７−１５８３５２号公報

上記の配線基板の製造方法によれば、半硬化された絶縁層上に導電パターンを形成し、また半硬化絶縁層と導電パターンの同時熱処理によって、半硬化状態の絶縁層は硬化され、導電パターンは焼成されるため、配線基板に対する熱負荷の低減や生産時間の短縮ができる。しかしながら、更に好適に、熱負荷の低減や生産時間の短縮が望まれている。

そこで、本開示は、上述した点を鑑みてなされたものであり、熱負荷の低減や生産時間の短縮が可能な３次元積層電子デバイスの製造方法及び製造装置を提供することを課題とする。

本明細書は、絶縁層の上に、導電性粒子、紫外線硬化樹脂、及び有機溶剤が混ぜ合わされた導電性ペーストを吐出することによって、回路配線単層を形成する形成処理と、回路配線単層に紫外線を照射して回路配線単層を硬化させる硬化処理とを有し、形成処理と硬化処理で絶縁層に回路配線単層を積層することによって、少なくとも１層の回路配線単層が含まれる３次元積層造形物を造形する積層造形工程と、積層造形工程が終了した後で３次元積層造形物を加熱することによって３次元積層電子デバイスを製造する加熱工程とを備え、導電性ペーストの導電性は、硬化処理における紫外線の照射によって発現し、加熱工程における加熱によって向上する３次元積層電子デバイスの製造方法を開示する。

本開示によれば、３次元積層電子デバイスの製造方法は、熱負荷の低減や生産時間の短縮が可能である。

３次元積層電子デバイス製造装置を示す図である。制御装置を示すブロック図である。導電性ペーストの焼成時間と体積抵抗の変化率の関係を示す図である。３次元積層電子デバイスの製造工程の流れを示すフローチャートである。基板上に造形された３次元積層造形物を示す斜視図である。基板上に造形された３次元積層造形物を示す斜視図である。基板上に造形された３次元積層造形物を示す斜視図である。基板上に造形された３次元積層造形物を示す斜視図である。３次元積層電子デバイスを示す斜視図である。基板上に造形された３次元積層造形物の変更例を示す断面図である。３次元積層電子デバイスの変更例を示す断面図である。

以下、本開示の好適な実施形態を、図面を参照しつつ詳細に説明する。

（Ａ）３次元積層電子デバイス製造装置の構成
図１に、３次元積層電子デバイス製造装置１０を示す。３次元積層電子デバイス製造装置１０は、搬送装置２０と、第１造形ユニット２２と、第２造形ユニット２４と、装着ユニット２６と、制御装置（図２参照）２７を備えている。それら搬送装置２０と第１造形ユニット２２と第２造形ユニット２４と装着ユニット２６とは、３次元積層電子デバイス製造装置１０のベース２８の上に配置されている。さらに、３次元積層電子デバイス製造装置１０は、加熱部２００を備えている。加熱部２００は、電気炉であり、ベース２８と並んだ状態で配置されている。ベース２８は、概して長方形状をなしており、以下の説明では、ベース２８の長手方向をＸ軸方向、ベース２８の短手方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方に直交する方向をＺ軸方向と称して説明する。

搬送装置２０は、Ｘ軸スライド機構３０と、Ｙ軸スライド機構３２とを備えている。そのＸ軸スライド機構３０は、Ｘ軸スライドレール３４とＸ軸スライダ３６とを有している。Ｘ軸スライドレール３４は、Ｘ軸方向に延びるように、ベース２８の上に配設されている。Ｘ軸スライダ３６は、Ｘ軸スライドレール３４によって、Ｘ軸方向にスライド可能に保持されている。さらに、Ｘ軸スライド機構３０は、電磁モータ（図２参照）３８を有しており、電磁モータ３８の駆動により、Ｘ軸スライダ３６がＸ軸方向の任意の位置に移動する。また、Ｙ軸スライド機構３２は、Ｙ軸スライドレール５０とステージ５２とを有している。Ｙ軸スライドレール５０は、Ｙ軸方向に延びるように、ベース２８の上に配設されている。Ｙ軸スライドレール５０の一端部が、Ｘ軸スライダ３６に連結されている。そのため、Ｙ軸スライドレール５０は、Ｘ軸方向に移動可能とされている。そして、そのＹ軸スライドレール５０には、ステージ５２が、Ｙ軸方向にスライド可能に保持されている。さらに、Ｙ軸スライド機構３２は、電磁モータ（図２参照）５６を有しており、電磁モータ５６の駆動により、ステージ５２がＹ軸方向の任意の位置に移動する。これにより、ステージ５２は、Ｘ軸スライド機構３０及びＹ軸スライド機構３２の駆動により、ベース２８上の任意の位置に移動する。

ステージ５２は、基台６０と、保持装置６２と、昇降装置６４とを有している。基台６０は、平板状に形成され、上面に基板が載せられる。保持装置６２は、基台６０のＸ軸方向の両側部に設けられている。そして、基台６０に載置された基板のＸ軸方向の両縁部が、保持装置６２によって挟まれることで、基板が固定的に保持される。また、昇降装置６４は、基台６０の下方に配設されており、基台６０をＺ軸方向で昇降させる。

第１造形ユニット２２は、ステージ５２の基台６０に載せられた基板（図５参照）７０の上に回路配線を造形するユニットであり、吐出部７２と、第１硬化部７４とを有している。吐出部７２は、ディスペンスヘッド（図２参照）７６を有しており、基台６０に載せられた基板７０の上に導電性ペーストを吐出する。導電性ペーストは、紫外線の照射により硬化する樹脂（つまり、紫外線硬化樹脂）に、銀などの金属微粒子、有機溶剤、及び光開始剤等が混ぜ合わされたものである。なお、導電性ペーストの粘度は、下記絶縁層を構成する紫外線硬化樹脂と比較して、比較的高い。そのため、ディスペンスヘッド７６は、下記インクジェットヘッド（図２参照）８８のノズルの径より大きな径の１個のノズルから導電性ペーストを吐出する。

第１硬化部７４は、照射装置（図２参照）７８を有している。照射装置７８は、光源として水銀ランプもしくはＬＥＤを備えており、基板７０の上に吐出された導電性ペーストに紫外線を照射する。これにより、基板７０の上に吐出された導電性ペーストが硬化し、回路配線が形成される。

また、第２造形ユニット２４は、ステージ５２の基台６０に載せられた基板７０の上に絶縁層を造形するユニットであり、印刷部８４と、第２硬化部８６とを有している。印刷部８４は、インクジェットヘッド８８（図２参照）を有しており、基台６０に載せられた基板７０の上に紫外線硬化樹脂を吐出する。紫外線硬化樹脂は、紫外線の照射により硬化する樹脂である。なお、インクジェットヘッド８８は、例えば、圧電素子を用いたピエゾ方式でもよく、樹脂を加熱して気泡を発生させ複数のノズルから吐出するサーマル方式でもよい。

第２硬化部８６は、平坦化装置（図２参照）９０と照射装置（図２参照）９２とを有している。平坦化装置９０は、インクジェットヘッド８８によって基板７０の上に吐出された紫外線硬化樹脂の上面を平坦化するものであり、例えば、紫外線硬化樹脂の表面を均しながら余剰分の樹脂を、ローラもしくはブレードによって掻き取ることで、紫外線硬化樹脂の厚みを均一にさせる。また、照射装置９２は、光源として水銀ランプもしくはＬＥＤを備えており、基板７０の上に吐出された紫外線硬化樹脂に紫外線を照射する。これにより、基板７０の上に吐出された紫外線硬化樹脂が硬化し、絶縁層が形成される。

また、装着ユニット２６は、ステージ５２の基台６０に載せられた基板７０の上に電子部品（図７参照）９４を装着するユニットであり、供給部１００と、装着部１０２とを有している。供給部１００は、テーピング化された電子部品９４を１つずつ送り出すテープフィーダ（図２参照）１１０を複数有しており、供給位置において、電子部品９４を供給する。なお、供給部１００は、テープフィーダ１１０に限らず、トレイから電子部品９４をピックアップして供給するトレイ型の供給装置でもよい。また、供給部１００は、テープ型とトレイ型との両方、あるいはそれ以外の供給装置を備えた構成でもよい。

装着部１０２は、装着ヘッド（図２参照）１１２と、移動装置（図２参照）１１４とを有している。装着ヘッド１１２は、電子部品９４を吸着保持するための吸着ノズル（図７参照）１１６を有している。吸着ノズル１１６は、正負圧供給装置（図示省略）から負圧が供給されることで、エアの吸引により電子部品９４を吸着保持する。そして、正負圧供給装置から僅かな正圧が供給されることで、電子部品９４を離脱する。また、移動装置１１４は、テープフィーダ１１０による電子部品９４の供給位置と、基台６０に載せられた基板７０との間で、装着ヘッド１１２を移動させる。これにより、装着部１０２では、テープフィーダ１１０から供給された電子部品９４が、吸着ノズル１１６により保持され、その吸着ノズル１１６によって保持された電子部品９４が、基板７０の上に装着される。

また、制御装置２７は、図２に示すように、コントローラ１２０と、複数の駆動回路１２２とを備えている。複数の駆動回路１２２は、上記電磁モータ３８，５６、保持装置６２、昇降装置６４、ディスペンスヘッド７６、照射装置７８、インクジェットヘッド８８、平坦化装置９０、照射装置９２、テープフィーダ１１０、装着ヘッド１１２、移動装置１１４に接続されている。コントローラ１２０は、ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ等を備え、コンピュータを主体とするものであり、複数の駆動回路１２２に接続されている。これにより、搬送装置２０、第１造形ユニット２２、第２造形ユニット２４、装着ユニット２６の作動が、コントローラ１２０によって制御される。

（Ｂ）導電性ペーストの導電性
次に、導電性ペーストの導電性について説明する。導電性ペーストは、上述したように、回路配線を形成するものであって、紫外線の照射により硬化する樹脂に、金属微粒子、有機溶剤、及び光開始剤等が混ぜ合わされたものである。導電性ペーストでは、紫外線の照射により樹脂が硬化し、収縮することで、金属微粒子が接触し、（回路配線の）導電性が発現する。さらに、導電性ペーストでは、加熱焼成により、金属微粒子間の接触面積が増加することで、（回路配線の）導電性が向上する。

ここで、導電性の向上について、具体的に説明する。例えば、紫外線照射によって導電性が発現した導電性ペーストが８０℃で加熱焼成される場合において、その加熱焼成前の導電性ペーストの体積抵抗率を１００％とする。このような場合において、その加熱焼成の時間が約５０分以上になると、図３に示すように、導電性ペーストの体積抵抗率が約６０％まで低下する。つまり、図３によれば、導電性ペーストの導電性は、加熱焼成により、約１．６倍（＝１００％／６０％）向上する。

なお、導電性ペーストに含まれている有機溶剤は、導電ペーストが基板７０の上に吐出された際に揮発して、導電性ペーストから大気に放出される。そのため、紫外線照射によって硬化した導電性ペーストが加熱焼成されても、導電ペーストの体積収縮や副生成物の発生が起きないため、剥がれやボイド等の不具合が（回路配線に）生じない。

（Ｃ）３次元積層電子デバイスの製造方法
次に、３次元積層電子デバイスの製造方法について説明する。図４に示すように、３次元積層電子デバイスの製造方法１３０は、積層造形工程Ｐ１０と、加熱工程Ｐ１２と、剥離工程Ｐ１４とを備えている。積層造形工程Ｐ１０では、上記３次元積層電子デバイス製造装置１０によって、基台６０に対してセットされた基板７０の上に、３次元積層造形物２０２（図５乃至図８参照）が造形される。加熱工程Ｐ１２では、３次元積層造形物２０２（図８参照）が基板７０ごと加熱されることによって、３次元積層電子デバイス２０４（図８参照）が製造される。剥離工程Ｐ１４では、基板７０が３次元積層電子デバイス２０４から剥がされる。

（Ｃ−１）積層造形工程
積層造形工程Ｐ１０は、コントローラ１２０によって実行され、絶縁層処理Ｓ１０と、導電性ペースト処理Ｓ２０と、装着処理Ｓ３０とを有している。なお、上記の各処理Ｓ１０，Ｓ２０，Ｓ３０の実行順序は、３次元積層造形物２０２の積層構造等によって決定される。そのため、上記の各処理Ｓ１０，Ｓ２０，Ｓ３０は、それらの表記順で繰り返されるものでない。以下の説明では、図５乃至図８に示された３次元積層造形物２０２が造形される際の、積層造形工程Ｐ１０について説明する。

まず、絶縁層処理Ｓ１０では、図５に示すように、基板７０の上に、３次元積層造形物２０２の１層目の絶縁層２０６が形成される。そのためには、樹脂積層体形成処理Ｓ１２と樹脂積層体硬化処理Ｓ１４とが実行される。樹脂積層体形成処理Ｓ１２では、ステージ５２が第２造形ユニット２４の下方に移動される。これにより、ステージ５２の基台６０に対してセットされている基板７０は、第２造形ユニット２４の下方に移動される。さらに、印刷部８４において、インクジェットヘッド８８が、基板７０の上面に対して紫外線硬化樹脂を薄膜状に吐出する。続いて、第２硬化部８６において、平坦化装置９０が、その吐出された紫外線硬化樹脂を、その膜厚が均一となるように平坦化する。その後、樹脂積層体硬化処理Ｓ１４では、照射装置９２が、その平坦化された紫外線硬化樹脂に紫外線を照射する。これにより、紫外線硬化樹脂が硬化する。以後、樹脂積層体形成処理Ｓ１２と樹脂積層体硬化処理Ｓ１４とが繰り返されることによって、基板７０の上では、３次元積層造形物２０２の１層目の絶縁層２０６が形成される。

導電性ペースト処理Ｓ２０では、基板７０の上に、３次元積層造形物２０２の１層目の回路配線２０８が形成され、硬化される。そのためには、回路配線形成処理Ｓ２２と回路配線硬化処理Ｓ２４とが実行される。回路配線形成処理Ｓ２２では、ステージ５２が第１造形ユニット２２の下方に移動される。さらに、吐出部７２において、ディスペンスヘッド７６が、３次元積層造形物２０２の絶縁層２０６の上面に対して、導電性ペーストを配線回路パターンに応じて線状に吐出する。これにより、３次元積層造形物２０２の絶縁層２０６の上面では、１層目の回路配線２０８が複数形成される。その後、回路配線硬化処理Ｓ２４では、第１硬化部７４において、照射装置７８が、その線状に吐出された導電性ペーストに紫外線を照射する。これにより、導電性ペーストが硬化する。このようにして、３次元積層造形物２０２の絶縁層２０６の上面では、各回路配線２０８が硬化される。

以上より、３次元積層造形物２０２の絶縁層２０６には、各回路配線２０８が積層される。さらに、各回路配線２０８では、それらの材料である導電性ペースト（つまり、各回路配線２０８）が紫外線で硬化することにより、上述したようにして、導電性が発現する。これらの点は、下記回路配線２１２，２２０，２２６においても、同様である。

その後、上記絶縁層処理Ｓ１０及び導電性ペースト処理Ｓ２０が繰り返される。これにより、図６に示すように、３次元積層造形物２０２では、２層目の絶縁層２１０が形成され、２層目の回路配線２１２が複数形成され、硬化される。

但し、絶縁層処理Ｓ１０では、樹脂積層体形成処理Ｓ１２と樹脂積層体硬化処理Ｓ１４とが繰り返される際において、インクジェットヘッド８８が、１層目の各回路配線２０８の上面に対して、所定の部分が概して円形に露出するように、紫外線硬化樹脂を吐出する。これにより、２層目の絶縁層２１０では、複数のビアホール２１４が形成される。各ビアホール２１４は、２層目の絶縁層２１０の上面から１層目の回路配線２０８の上面に向かうに連れて先細りした形状である。さらに、インクジェットヘッド８８が、１層目の絶縁層２０６の上面に対して、所定の部分が概して矩形に露出するように、紫外線硬化樹脂を吐出する。これにより、２層目の絶縁層２１０では、空間部２１６が形成される。

また、導電性ペースト処理Ｓ２０では、回路配線形成処理Ｓ２２において、導電性ペーストが、２層目の絶縁層２１０の上面から、各ビアホール２１４の傾斜面を経由して、１層目の各回路配線２０８の上面に至るまで吐出される。従って、回路配線硬化処理Ｓ２４が実行されると、２層目の回路配線２１２が、各ビアホール２１４の傾斜面を経由して、１層目の各回路配線２０８と電気的に接続される。

その後、上記絶縁層処理Ｓ１０及び導電性ペースト処理Ｓ２０が繰り返される。これにより、図７に示すように、３次元積層造形物２０２では、３層目の絶縁層２１８が形成され、３層目の回路配線２２０が複数形成され、硬化される。その際、２層目の絶縁層２１０にある各ビアホール２１４は、硬化した紫外線硬化樹脂で埋められる。さらに、３層目の絶縁層２１８では、２層目の絶縁層２１０に形成された各ビアホール２１４や空間部２１６と同様にして、複数のビアホール２２２や空間部２２４が形成される。これにより、３層目の回路配線２２０が、各ビアホール２２２の傾斜面を経由して、２層目の各回路配線２１２と電気的に接続される。また、３層目の絶縁層２１８に形成された空間部２２４は、２層目の絶縁層２１０にある空間部２１６と上下方向で連なった状態で設けられる。

なお、図７では、１層目の絶縁層２０６の上面にある各回路配線２０８と、２層目の絶縁層２１０に形成された各ビアホール２１４や空間部２１６は、省略している。これらの点は、図８及び図９でも同様である。

続いて、装着処理Ｓ３０が実行される。装着処理Ｓ３０では、ステージ５２が装着ユニット２６の下方に移動される。装着ユニット２６では、テープフィーダ１１０により供給された電子部品９４が、図７に示すように、装着ヘッド１１２の吸着ノズル１１６に保持される。その保持された電子部品９４は、装着ヘッド１１２が移動装置１１４で移動するに伴って、空間部２２４（及び空間部２１６）に装着される。その際、電子部品９４の各電極９６は、上方を向く。

その後、上記絶縁層処理Ｓ１０及び導電性ペースト処理Ｓ２０が繰り返される。これにより、図７に示すように、３層目の絶縁層２１８にある各ビアホール２２２は、硬化した紫外線硬化樹脂で埋められる。また、空間部２２４（及び空間部２１６）を区画する内壁面と電子部品９４との間も、硬化した紫外線硬化樹脂で埋められる。さらに、４層目の回路配線２２６が、３層目の回路配線２２０の一部と電子部品９４の各電極９６とを繋ぐように形成され、硬化される。これにより、電子部品９４は、各回路配線２０８，２１２，２２０，２２６と電気的に接続される。

その後、上記絶縁層処理Ｓ１０が実行される。これにより、図８に示すように、４層目の絶縁層２２８が形成される。

なお、図８では、２層目の絶縁層２１０の上面にある各回路配線２１２と、３層目の絶縁層２１８に形成された各ビアホール２２２や空間部２２４は、省略している。これらの点は、図９でも同様である。

（Ｃ−２）加熱工程
加熱工程Ｐ１２では、基板７０が、その上面に３次元積層造形物２０２が造形された状態（つまり、付着した状態）のままで、基台６０から取り外された後、加熱部２００の電気炉内にセットされる。その電気炉では、３次元積層造形物２０２が基板７０ごと８０℃にて６０分加熱される。

これにより、３次元積層造形物２０２では、各回路配線２０８，２１２，２２０，２２６が加熱焼成されることにより、上述したようにして、各回路配線２０８，２１２，２２０，２２６の導電性が向上する。このようにして、基板７０の上面では、３次元積層造形物２０２が３次元積層電子デバイス２０４となる。これにより、３次元積層電子デバイス２０４が製造される。

（Ｃ−３）剥離工程
剥離工程Ｐ１４では、基板７０が、その上面に３次元積層電子デバイス２０４が製造された状態（つまり、付着した状態）のままで、加熱部２００の電気炉から取り出される。その後、図９に示すように、溶剤などによって、基板７０から３次元積層電子デバイス２０４が分離される。

（Ｄ）まとめ
以上詳細に説明したように、本実施形態の３次元積層電子デバイスの製造方法１３０では、加熱工程Ｐ１２が積層造形工程Ｐ１０の終了後に一度だけ実行されることから、３次元積層電子デバイス２０４に対する熱負荷の低減や生産時間の短縮が可能である。

ちなみに、本実施形態において、導電性ペースの金属微粒子は、導電性粒子の一例である。３次元積層電子デバイス製造装置１０は、製造装置の一例である。各回路配線２０８，２１２，２２０，２２６は、回路配線単層の一例である。回路配線形成処理Ｓ２２は、形成処理の一例である。回路配線硬化処理Ｓ２４は、硬化処理の一例である。

（Ｅ）変更例
尚、本開示は上記実施形態に限定されるものでなく、その趣旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
例えば、３次元積層造形物２０２には、合計で４層の回路配線２０８，２１２，２２０，２２６が含まれているが、４層以外の層数の回路配線が含まれていてもよい。このような場合でも、その回路配線（つまり、導電性ペースト）の導電性を紫外線で発現させ、その発現させた導電性を加熱焼成で向上させることは可能である。

また、第１造形ユニット２２では、転写装置が導電性ペーストを転写することなどによって、各回路配線２０８，２１２，２２０，２２６が形成されてもよい。

また、基板７０の上面には、図１０に示すように、サポート材２３０を含んだ３次元積層造形物２３２が造形されもよい。サポート材２３０は、加熱工程Ｐ１２で溶解するワックス系の材料（例えば、融点が６０℃のろう材）で作られたものであり、３次元積層造形物２３２の最下部において、基板７０と３次元積層造形物２３２の絶縁層２３４の間に配置されることによって、絶縁層２３４を支えている。

このような場合には、加熱工程Ｐ１２が実行されると、図１１に示すように、基板７０の上面において、３次元積層造形物２３２が３次元積層電子デバイス２３６になると共に、サポート材２３０が溶解する。その後に、剥離工程Ｐ１４が実行されると、３次元積層電子デバイス２３６が基板７０から分離する。

３次元積層造形物２３２では、絶縁層２３４が複数の層で構成されている。さらに、３次元積層造形物２３２は、複数の層で構成された回路配線２３８と、複数のビアホール２４０と、複数の電子部品２４２，２４４等を有している。もっとも、３次元積層造形物２３２は、上記３次元積層造形物２０２と同様にして、３次元積層電子デバイスの製造方法１３０で造形されるので、３次元積層造形物２３２が有する、絶縁層２３４と、回路配線２３８と、ビアホール２４０と、電子部品２４２，２４４等の説明については、省略する。なお、回路配線２３８を構成する各層は、回路配線単層の一例である。

１０３次元積層電子デバイス製造装置
１３０３次元積層電子デバイスの製造方法
２０２，２３２３次元積層造形物
２０４，２３６３次元積層電子デバイス
２０６，２１０，２１８，２３４絶縁層
２０８，２１２，２２０，２２６，２３８回路配線
２３０サポート材
Ｐ１０積層造形工程
Ｐ１２加熱工程
Ｓ２２回路配線形成処理
Ｓ２４回路配線硬化処理

Claims

絶縁層の上に、導電性粒子、紫外線硬化樹脂、及び有機溶剤が混ぜ合わされた導電性ペーストを吐出することによって、回路配線単層を形成する形成処理と、前記回路配線単層に紫外線を照射して前記回路配線単層を硬化させる硬化処理とを有し、前記形成処理と前記硬化処理で前記絶縁層に前記回路配線単層を積層することによって、少なくとも１層の前記回路配線単層が含まれる３次元積層造形物を造形する積層造形工程と、
前記積層造形工程が終了した後で前記３次元積層造形物を加熱することによって３次元積層電子デバイスを製造する加熱工程とを備え、
前記導電性ペーストの導電性は、前記硬化処理における紫外線の照射によって発現し、前記加熱工程における加熱によって向上する３次元積層電子デバイスの製造方法。
前記３次元積層造形物は、前記３次元積層造形物の最下部にあって、前記３次元積層造形物を支えるサポート材を備え、
前記加熱工程は、前記サポート材を溶解させる請求項１に記載の３次元積層電子デバイスの製造方法。
請求項１又は請求項２に記載の製造方法によって３次元積層電子デバイスを製造する製造装置。