JPWO2019117969A5 - - Google Patents
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 20
- 239000000789 fastener Substances 0.000 claims description 18
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 8
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims description 6
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 10
- -1 polyetherketones Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 Polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920001470 Polyketone Polymers 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002496 poly(ether sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Description
エッジリング108の底面は、熱伝導性ゲル層110Aを介してサポートリング112の上面に結合され、サポートリング112をエッジリング108に熱的シンクする部分P1を有する。本明細書で使用される熱伝導性ゲルの例は、ポリイミド、ポリケトン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、フルオロエチレンプロピレンコポリマー、セルロース、トリアセテート、およびシリコンを含む。さらに、エッジリング108の底面は、熱伝導性ゲル層110Bを介してチャック104の上面に結合される別の部分P2を有する。加えて、エッジリング108の底面は、ベースリング116の上に位置するとともに隣接するさらに別の部分P3を有する。
いくつかの実施形態では、伝導性ゲル層の代わりに、両面に伝導性ゲルを有する両面伝導性テープが使用される。様々な実施形態において、伝導性ゲル層の代わりに、伝導性ゲルを有するコーキングビードが使用される。
前述の実施形態は、明確な理解のために多少詳しく説明されてきたが、一定の変更および修正が添付の特許請求の範囲の範囲内で実施されてもよいことは明らかであろう。したがって、本実施形態は、限定ではなく例示と見なされるべきであり、実施形態は本明細書に述べられる詳細に限定されるべきではない。本開示は以下の適用例としても実現できる。
[適用例1]
プラズマ処理チャンバ内で使用するためのエッジリングであって、前記エッジリングは、前記プラズマ処理チャンバの基板支持体を取り囲むように構成される環状本体を有し、
底側、頂側、内側、および外側を有する前記環状本体と、
前記底側に沿って前記環状本体に配置された複数の締結具孔であって、各締結具孔は、前記環状本体をサポートリングに取り付けるために使用される締結具を受け入れるためのねじ付き内面を有する複数の締結具孔と、
前記環状本体の前記内側に配置された段部であって、傾斜面によって前記頂側の上面から分離された下面を有する段部と、
前記頂側の前記上面と前記外側の側面との間に形成された湾曲エッジと
を備える、エッジリング。
[適用例2]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記エッジリングは、消耗品であり、交換可能である、エッジリング。
[適用例3]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記内側は、前記傾斜面、前記傾斜面と連続している水平配向面、および前記水平配向面と連続している垂直配向面を有し、
前記底側は、水平に配向し、前記外側および前記垂直配向面と連続しており、
前記外側は、垂直配向面であり、
前記湾曲エッジは、前記頂側および前記外側に隣接している、エッジリング。
[適用例4]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記基板支持体は、チャックであり、前記サポートリングは、調節可能なエッジシースリングであり、前記底側は、伝導性ゲルを介して前記チャックに伝導的に結合されるように構成される第1の部分と、伝導性ゲルを介して前記調節可能なエッジシースリングに伝導的に結合されるように構成される第2の部分と、ベースリングに隣接する第3の部分とを有する、エッジリング。
[適用例5]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記複数の締結具孔は、前記底側に等距離で離間されている、エッジリング。
[適用例6]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記複数の締結具孔の1つは、前記エッジリングの前記底側内に形成されたスロットの頂面および前記スロットの側面によって部分的に囲まれている、エッジリング。
[適用例7]
適用例6に記載のエッジリングであって、
前記締結具の1つが前記スロットに受け入れられたときの前記スロットの前記頂面と前記締結具の1つとの間のギャップは、前記ギャップでのアーク放電の可能性を低減するために1ミリメートル未満である、エッジリング。
[適用例8]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記エッジリングは、約13.6インチ(約35.544cm)以上、約15インチ(約38.1cm)以下の外径を有し、前記外径は、前記外側によって制限される、エッジリング。
[適用例9]
適用例1に記載のエッジリングであって、
カバーリングが前記外側に隣接して載置されたときに前記頂側から前記カバーリングへのアーク放電の可能性を低減するために、前記頂側が、13.6インチ(35.544cm)よりも大きく最大で15インチ(38.1cm)の外径を有する、エッジリング。
[適用例10]
適用例1に記載のエッジリングであって、
カバーリングが前記外側に隣接して載置されたときに、前記湾曲エッジが、前記湾曲エッジから前記カバーリングへのアーク放電の可能性を低減する、エッジリング。
[適用例11]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記エッジリングのすべてのエッジが弧状である、エッジリング。
[適用例12]
プラズマ処理チャンバ内で使用するためのカバーリングであって、前記カバーリングは、エッジリングを取り囲むように構成されるとともに接地リングに隣接するように構成される環状本体を有し、
上本体部分、中間本体部分、および下本体部分を有する前記環状本体であって、前記中間本体部分は、前記中間本体部分が第1の環状幅を有するように、前記上本体部分からの縮幅段部を画定し、前記下本体部分は、前記下本体部分が前記第1の環状幅よりも小さい第2の環状幅を有するように、前記中間本体部分からの縮幅段部を画定する環状本体
を備える、カバーリング。
[適用例13]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記カバーリングは、消耗品であり、交換可能である、カバーリング。
[適用例14]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分、中間本体部分および前記下本体部分は、前記エッジリングから前記接地リングへの電圧の経路を提供する、カバーリング。
[適用例15]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分からの前記中間本体部分の前記縮幅段部は、前記エッジリングから離れる方向に設けられ、前記中間本体部分からの前記下本体部分の前記縮幅段部は、前記エッジリングに向かう方向に設けられる、カバーリング。
[適用例16]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分からの前記中間本体部分の前記縮幅段部は、前記エッジリングに向かう方向に設けられ、前記中間本体部分からの前記下本体部分の前記縮幅段部は、前記エッジリングから離れる方向に設けられる、カバーリング。
[適用例17]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記中間本体部分は、第1の細長い深さを有し、前記下本体部分は、第2の細長い深さを有する、カバーリング。
[適用例18]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分は、水平配向頂面、前記水平配向頂面と連続している湾曲エッジ、前記湾曲エッジと連続している垂直配向外面、前記水平配向頂面と連続している垂直配向内面、前記垂直配向内面と連続している水平配向内面、および前記垂直配向外面と連続している水平配向外面を有し、
前記中間本体部分が、前記上本体部分の前記水平配向内面と連続している垂直配向内面を有し、
前記中間本体部分が、前記上本体部分の前記水平配向外面と連続している垂直配向外面、および前記中間本体部分の前記垂直配向外面と連続している水平配向外面を有し、
前記下本体部分が、前記中間本体部分の前記水平配向外面と連続している垂直配向外面、前記下本体部分の前記垂直配向外面と連続している水平配向底面、および前記下本体部分の前記水平配向底面と連続し、かつ、前記中間本体部分の前記垂直配向内面と連続している垂直配向内面を有する、カバーリング。
[適用例19]
適用例18に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分は、前記上本体部分の前記垂直配向外面と前記上本体部分の前記水平配向外面との間に第2の湾曲エッジを有し、前記上本体部分は、前記上本体部分の前記水平配向頂面と前記上本体部分の前記垂直配向内面との間に第3の湾曲エッジを有し、前記上本体部分は、前記上本体部分の前記垂直配向内面と前記上本体部分の前記水平配向内面との間に第4の湾曲エッジを有する、カバーリング。
[適用例20]
適用例19に記載のカバーリングであって、
前記中間本体部分は、前記上本体部分の前記水平配向外面と前記中間本体部分の前記垂直配向外面との間に第5の湾曲エッジを有し、前記中間本体部分は、前記上本体部分の前記水平配向内面と前記中間本体部分の前記垂直配向内面との間に第6の湾曲エッジを有し、前記中間本体部分は、前記中間本体部分の前記垂直配向外面と前記中間本体部分の前記水平配向外面との間に第7の湾曲エッジを有する、カバーリング。
[適用例21]
適用例20に記載のカバーリングであって、
前記下本体部分は、前記中間本体部分の前記水平配向外面と前記下本体部分の前記垂直配向外面との間に第8の湾曲エッジを有し、前記下本体部分は、前記下本体部分の前記垂直配向外面および前記下本体部分の前記水平配向底面と連続している第9の湾曲エッジを有し、前記下本体部分は、前記下本体部分の前記垂直配向内面と前記下本体部分の前記水平配向底面との間に第10の湾曲エッジを有する、カバーリング。
[適用例22]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記カバーリングの内側エッジは、前記内側エッジと前記エッジリングとの間のアーク放電の可能性を低減するために湾曲している、カバーリング。
[適用例23]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記カバーリングのすべてのエッジが弧状である、カバーリング。
[適用例24]
プラズマチャンバのエッジリングを固着するためのシステムであって、
サポートリングと、
前記サポートリング上で配向される前記エッジリングと、
前記エッジリングの底面と前記サポートリングの頂面との間に配置されたゲル層と、
前記エッジリングを前記サポートリングに固着するように構成された複数のねじであって、前記複数のねじの各々は、前記エッジリングの前記底面に配置され前記サポートリングを通過するねじ孔に取り付けられる複数のねじと、
前記サポートリングの底面に接続された複数の押さえ棒と、
複数の空気圧ピストンであって、前記複数のピストンの各々は、前記複数の押さえ棒のうち対応する1つに結合される複数の空気圧ピストンと
を備える、システム。
[適用例25]
適用例24に記載のシステムであって、
前記複数の空気圧ピストンは、前記プラズマチャンバ内での基板の処理中に前記エッジリングおよび前記サポートリングが絶縁体リングに固着されるように前記複数の押さえ棒に引き下げ力を加えるように構成される、システム。
[適用例26]
適用例24に記載のシステムであって、
前記複数の空気圧ピストンは、メンテナンスの際に前記プラズマチャンバから前記エッジリングおよび前記サポートリングを取り外すために前記複数の押さえ棒を押し上げるように構成される、システム。
[適用例27]
適用例24に記載のシステムであって、
前記サポートリングの下に位置する絶縁体リングと、
前記押さえ棒を有するように構成された複数のクラスプ機構であって、前記押さえ棒の各々は、前記サポートリング内に延びる部分と、前記絶縁体リング内に延びる部分とを有し、前記クラスプ機構の各々は、前記押さえ棒のうち対応する1つを引き下げて、前記プラズマチャンバでの処理動作中に前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングと係合させるよう構成されるとともに、前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに対して押し上げて前記サポートリングおよび前記エッジリングを解放するように構成される複数のクラスプ機構と
をさらに備える、システム。
[適用例28]
適用例27に記載のシステムであって、
前記複数のクラスプ機構の各々は、
エアシリンダと、
前記エアシリンダ内のピストン本体と、
前記ピストン本体に取り付けられたピストンロッドと、
前記押さえ棒のうち対応する1つを前記エアシリンダに対して装着するように構成されたマウントと
を含む、システム。
[適用例29]
適用例28に記載のシステムであって、
圧縮空気を前記エアシリンダの頂部に供給して前記複数の押さえ棒を引き下げるように構成された空気経路と、
圧縮空気を前記エアシリンダの底部に供給して前記複数の押さえ棒を押し上げるように構成された空気経路と
をさらに備える、システム。
[適用例30]
適用例24に記載のシステムであって、
前記複数のピストンの第1のピストンは、第1のクラスプ機構の一部であり、前記複数のピストンの第2のピストンは、第2のクラスプ機構の一部であり、前記複数のピストンの第3のピストンは、第3のクラスプ機構の一部であり、
前記システムは、
前記第1のクラスプ機構が前記サポートリングおよび前記エッジリングを絶縁体リングに固着する場所と比較して異なる場所で、前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに固着するように構成された前記第2のクラスプ機構と、
前記第2のクラスプ機構が前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに固着する前記場所、および前記第1のクラスプ機構が前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに固着する前記場所と比較して異なる場所で、前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに固着するように構成された前記第3のクラスプ機構と
をさらに備える、システム。
[適用例1]
プラズマ処理チャンバ内で使用するためのエッジリングであって、前記エッジリングは、前記プラズマ処理チャンバの基板支持体を取り囲むように構成される環状本体を有し、
底側、頂側、内側、および外側を有する前記環状本体と、
前記底側に沿って前記環状本体に配置された複数の締結具孔であって、各締結具孔は、前記環状本体をサポートリングに取り付けるために使用される締結具を受け入れるためのねじ付き内面を有する複数の締結具孔と、
前記環状本体の前記内側に配置された段部であって、傾斜面によって前記頂側の上面から分離された下面を有する段部と、
前記頂側の前記上面と前記外側の側面との間に形成された湾曲エッジと
を備える、エッジリング。
[適用例2]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記エッジリングは、消耗品であり、交換可能である、エッジリング。
[適用例3]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記内側は、前記傾斜面、前記傾斜面と連続している水平配向面、および前記水平配向面と連続している垂直配向面を有し、
前記底側は、水平に配向し、前記外側および前記垂直配向面と連続しており、
前記外側は、垂直配向面であり、
前記湾曲エッジは、前記頂側および前記外側に隣接している、エッジリング。
[適用例4]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記基板支持体は、チャックであり、前記サポートリングは、調節可能なエッジシースリングであり、前記底側は、伝導性ゲルを介して前記チャックに伝導的に結合されるように構成される第1の部分と、伝導性ゲルを介して前記調節可能なエッジシースリングに伝導的に結合されるように構成される第2の部分と、ベースリングに隣接する第3の部分とを有する、エッジリング。
[適用例5]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記複数の締結具孔は、前記底側に等距離で離間されている、エッジリング。
[適用例6]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記複数の締結具孔の1つは、前記エッジリングの前記底側内に形成されたスロットの頂面および前記スロットの側面によって部分的に囲まれている、エッジリング。
[適用例7]
適用例6に記載のエッジリングであって、
前記締結具の1つが前記スロットに受け入れられたときの前記スロットの前記頂面と前記締結具の1つとの間のギャップは、前記ギャップでのアーク放電の可能性を低減するために1ミリメートル未満である、エッジリング。
[適用例8]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記エッジリングは、約13.6インチ(約35.544cm)以上、約15インチ(約38.1cm)以下の外径を有し、前記外径は、前記外側によって制限される、エッジリング。
[適用例9]
適用例1に記載のエッジリングであって、
カバーリングが前記外側に隣接して載置されたときに前記頂側から前記カバーリングへのアーク放電の可能性を低減するために、前記頂側が、13.6インチ(35.544cm)よりも大きく最大で15インチ(38.1cm)の外径を有する、エッジリング。
[適用例10]
適用例1に記載のエッジリングであって、
カバーリングが前記外側に隣接して載置されたときに、前記湾曲エッジが、前記湾曲エッジから前記カバーリングへのアーク放電の可能性を低減する、エッジリング。
[適用例11]
適用例1に記載のエッジリングであって、
前記エッジリングのすべてのエッジが弧状である、エッジリング。
[適用例12]
プラズマ処理チャンバ内で使用するためのカバーリングであって、前記カバーリングは、エッジリングを取り囲むように構成されるとともに接地リングに隣接するように構成される環状本体を有し、
上本体部分、中間本体部分、および下本体部分を有する前記環状本体であって、前記中間本体部分は、前記中間本体部分が第1の環状幅を有するように、前記上本体部分からの縮幅段部を画定し、前記下本体部分は、前記下本体部分が前記第1の環状幅よりも小さい第2の環状幅を有するように、前記中間本体部分からの縮幅段部を画定する環状本体
を備える、カバーリング。
[適用例13]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記カバーリングは、消耗品であり、交換可能である、カバーリング。
[適用例14]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分、中間本体部分および前記下本体部分は、前記エッジリングから前記接地リングへの電圧の経路を提供する、カバーリング。
[適用例15]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分からの前記中間本体部分の前記縮幅段部は、前記エッジリングから離れる方向に設けられ、前記中間本体部分からの前記下本体部分の前記縮幅段部は、前記エッジリングに向かう方向に設けられる、カバーリング。
[適用例16]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分からの前記中間本体部分の前記縮幅段部は、前記エッジリングに向かう方向に設けられ、前記中間本体部分からの前記下本体部分の前記縮幅段部は、前記エッジリングから離れる方向に設けられる、カバーリング。
[適用例17]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記中間本体部分は、第1の細長い深さを有し、前記下本体部分は、第2の細長い深さを有する、カバーリング。
[適用例18]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分は、水平配向頂面、前記水平配向頂面と連続している湾曲エッジ、前記湾曲エッジと連続している垂直配向外面、前記水平配向頂面と連続している垂直配向内面、前記垂直配向内面と連続している水平配向内面、および前記垂直配向外面と連続している水平配向外面を有し、
前記中間本体部分が、前記上本体部分の前記水平配向内面と連続している垂直配向内面を有し、
前記中間本体部分が、前記上本体部分の前記水平配向外面と連続している垂直配向外面、および前記中間本体部分の前記垂直配向外面と連続している水平配向外面を有し、
前記下本体部分が、前記中間本体部分の前記水平配向外面と連続している垂直配向外面、前記下本体部分の前記垂直配向外面と連続している水平配向底面、および前記下本体部分の前記水平配向底面と連続し、かつ、前記中間本体部分の前記垂直配向内面と連続している垂直配向内面を有する、カバーリング。
[適用例19]
適用例18に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分は、前記上本体部分の前記垂直配向外面と前記上本体部分の前記水平配向外面との間に第2の湾曲エッジを有し、前記上本体部分は、前記上本体部分の前記水平配向頂面と前記上本体部分の前記垂直配向内面との間に第3の湾曲エッジを有し、前記上本体部分は、前記上本体部分の前記垂直配向内面と前記上本体部分の前記水平配向内面との間に第4の湾曲エッジを有する、カバーリング。
[適用例20]
適用例19に記載のカバーリングであって、
前記中間本体部分は、前記上本体部分の前記水平配向外面と前記中間本体部分の前記垂直配向外面との間に第5の湾曲エッジを有し、前記中間本体部分は、前記上本体部分の前記水平配向内面と前記中間本体部分の前記垂直配向内面との間に第6の湾曲エッジを有し、前記中間本体部分は、前記中間本体部分の前記垂直配向外面と前記中間本体部分の前記水平配向外面との間に第7の湾曲エッジを有する、カバーリング。
[適用例21]
適用例20に記載のカバーリングであって、
前記下本体部分は、前記中間本体部分の前記水平配向外面と前記下本体部分の前記垂直配向外面との間に第8の湾曲エッジを有し、前記下本体部分は、前記下本体部分の前記垂直配向外面および前記下本体部分の前記水平配向底面と連続している第9の湾曲エッジを有し、前記下本体部分は、前記下本体部分の前記垂直配向内面と前記下本体部分の前記水平配向底面との間に第10の湾曲エッジを有する、カバーリング。
[適用例22]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記カバーリングの内側エッジは、前記内側エッジと前記エッジリングとの間のアーク放電の可能性を低減するために湾曲している、カバーリング。
[適用例23]
適用例12に記載のカバーリングであって、
前記カバーリングのすべてのエッジが弧状である、カバーリング。
[適用例24]
プラズマチャンバのエッジリングを固着するためのシステムであって、
サポートリングと、
前記サポートリング上で配向される前記エッジリングと、
前記エッジリングの底面と前記サポートリングの頂面との間に配置されたゲル層と、
前記エッジリングを前記サポートリングに固着するように構成された複数のねじであって、前記複数のねじの各々は、前記エッジリングの前記底面に配置され前記サポートリングを通過するねじ孔に取り付けられる複数のねじと、
前記サポートリングの底面に接続された複数の押さえ棒と、
複数の空気圧ピストンであって、前記複数のピストンの各々は、前記複数の押さえ棒のうち対応する1つに結合される複数の空気圧ピストンと
を備える、システム。
[適用例25]
適用例24に記載のシステムであって、
前記複数の空気圧ピストンは、前記プラズマチャンバ内での基板の処理中に前記エッジリングおよび前記サポートリングが絶縁体リングに固着されるように前記複数の押さえ棒に引き下げ力を加えるように構成される、システム。
[適用例26]
適用例24に記載のシステムであって、
前記複数の空気圧ピストンは、メンテナンスの際に前記プラズマチャンバから前記エッジリングおよび前記サポートリングを取り外すために前記複数の押さえ棒を押し上げるように構成される、システム。
[適用例27]
適用例24に記載のシステムであって、
前記サポートリングの下に位置する絶縁体リングと、
前記押さえ棒を有するように構成された複数のクラスプ機構であって、前記押さえ棒の各々は、前記サポートリング内に延びる部分と、前記絶縁体リング内に延びる部分とを有し、前記クラスプ機構の各々は、前記押さえ棒のうち対応する1つを引き下げて、前記プラズマチャンバでの処理動作中に前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングと係合させるよう構成されるとともに、前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに対して押し上げて前記サポートリングおよび前記エッジリングを解放するように構成される複数のクラスプ機構と
をさらに備える、システム。
[適用例28]
適用例27に記載のシステムであって、
前記複数のクラスプ機構の各々は、
エアシリンダと、
前記エアシリンダ内のピストン本体と、
前記ピストン本体に取り付けられたピストンロッドと、
前記押さえ棒のうち対応する1つを前記エアシリンダに対して装着するように構成されたマウントと
を含む、システム。
[適用例29]
適用例28に記載のシステムであって、
圧縮空気を前記エアシリンダの頂部に供給して前記複数の押さえ棒を引き下げるように構成された空気経路と、
圧縮空気を前記エアシリンダの底部に供給して前記複数の押さえ棒を押し上げるように構成された空気経路と
をさらに備える、システム。
[適用例30]
適用例24に記載のシステムであって、
前記複数のピストンの第1のピストンは、第1のクラスプ機構の一部であり、前記複数のピストンの第2のピストンは、第2のクラスプ機構の一部であり、前記複数のピストンの第3のピストンは、第3のクラスプ機構の一部であり、
前記システムは、
前記第1のクラスプ機構が前記サポートリングおよび前記エッジリングを絶縁体リングに固着する場所と比較して異なる場所で、前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに固着するように構成された前記第2のクラスプ機構と、
前記第2のクラスプ機構が前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに固着する前記場所、および前記第1のクラスプ機構が前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに固着する前記場所と比較して異なる場所で、前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに固着するように構成された前記第3のクラスプ機構と
をさらに備える、システム。
Claims (29)
- プラズマ処理チャンバ内で使用するためのエッジリングであって、前記エッジリングは、前記プラズマ処理チャンバの基板支持体を取り囲むように構成される環状本体を有し、
底側、頂側、内側、および外側を有する前記環状本体と、
前記底側に沿って前記環状本体内に製作された複数の締結具孔であって、前記複数の締結具孔のそれぞれは前記底側の水平配向面から前記頂側に向かって延びており、前記水平配向面は、前記内側の垂直配向内面から前記複数の締結具孔まで延びており、前記複数の締結具孔のそれぞれは、前記環状本体をサポートリングに取り付けるために使用される複数の締結具のそれぞれの一つを受け入れるための前記底側内に形成されたねじ付き内面を有する複数の締結具孔と、
を備える、エッジリング。 - 請求項1に記載のエッジリングであって、
前記エッジリングは、消耗品であり、交換可能である、エッジリング。 - 請求項1に記載のエッジリングであって、さらに、
前記頂側と前記外側との間に形成された湾曲エッジを有し、
前記内側は、傾斜面、前記傾斜面と連続している水平配向内面、および前記水平配向内面と連続している前記垂直配向内面を有し、
前記底側は、水平に配向し、前記外側および前記垂直配向内面と連続しており、
前記外側は、垂直配向面であり、
前記湾曲エッジは、前記頂側および前記外側に隣接している、エッジリング。 - 請求項1に記載のエッジリングであって、
前記基板支持体は、チャックであり、前記サポートリングは、調節可能なエッジシースリングであり、前記底側は、伝導性ゲルを介して前記チャックに伝導的に結合されるように構成される第1の部分と、伝導性ゲルを介して前記調節可能なエッジシースリングに伝導的に結合されるように構成される第2の部分と、ベースリングに隣接する第3の部分とを有する、エッジリング。 - 請求項1に記載のエッジリングであって、
前記複数の締結具孔は、前記底側に等距離で離間されている、エッジリング。 - 請求項1に記載のエッジリングであって、
前記複数の締結具孔の1つは、前記エッジリングの前記底側内に形成されたスロットの頂面および前記スロットの側面によって部分的に囲まれている、エッジリング。 - 請求項6に記載のエッジリングであって、
前記複数の締結具の1つが前記スロットに受け入れられたときの前記スロットの前記頂面と前記締結具の1つとの間のギャップは、前記ギャップでのアーク放電の可能性を低減するために1ミリメートル未満である、エッジリング。 - 請求項1に記載のエッジリングであって、
前記エッジリングは、13.6インチ(35.544cm)以上、15インチ(38.1cm)以下の外径を有し、前記外径は、前記外側によって制限される、エッジリング。 - 請求項1に記載のエッジリングであって、
カバーリングが前記外側に隣接して載置されたときに前記頂側から前記カバーリングへのアーク放電の可能性を低減するために、前記頂側が、13.6インチ(35.544cm)よりも大きく最大で15インチ(38.1cm)の外径を有する、エッジリング。 - 請求項1に記載のエッジリングであって、さらに、
前記頂側と前記外側との間に形成された湾曲エッジを有し、
カバーリングが前記外側に隣接して載置されたときに、前記湾曲エッジが、前記湾曲エッジから前記カバーリングへのアーク放電の可能性を低減する、エッジリング。 - 請求項1に記載のエッジリングであって、
前記エッジリングのすべてのエッジが弧状である、エッジリング。 - プラズマ処理チャンバ内で使用するためのカバーリングであって、
前記カバーリングは、上本体部分、中間本体部分、および下本体部分を有する環状本体であって、エッジリングを取り囲むように構成されるとともに接地リングに隣接するように構成された環状本体を備え、前記中間本体部分は、前記中間本体部分が第1の環状幅を有するように、前記上本体部分からの縮幅段部を画定し、前記下本体部分は、前記下本体部分が前記第1の環状幅よりも小さい第2の環状幅を有するように、前記中間本体部分からの縮幅段部を画定する環状本体
を備え、
前記上本体部分からの前記中間本体部分の前記縮幅段部は、前記エッジリングに向かう方向に設けられ、前記中間本体部分からの前記下本体部分の前記縮幅段部は、前記エッジリングに向かう方向に設けられる、カバーリング。 - 請求項12に記載のカバーリングであって、
前記カバーリングは、消耗品であり、交換可能である、カバーリング。 - 請求項12に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分、中間本体部分および前記下本体部分は、前記エッジリングから前記接地リングへの電圧の経路を提供する、カバーリング。 - 請求項12に記載のカバーリングであって、
前記中間本体部分は、第1の細長い深さを有し、前記下本体部分は、第2の細長い深さを有する、カバーリング。 - 請求項12に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分は、水平配向頂面、前記水平配向頂面と連続している湾曲エッジ、前記湾曲エッジと連続している垂直配向外面、前記水平配向頂面と連続している垂直配向内面、前記垂直配向内面と連続している水平配向内面、および前記垂直配向外面と連続している水平配向外面を有し、
前記中間本体部分が、前記上本体部分の前記水平配向内面と連続している垂直配向内面を有し、
前記中間本体部分が、前記上本体部分の前記水平配向外面と連続している垂直配向外面、および前記中間本体部分の前記垂直配向外面と連続している水平配向外面を有し、
前記下本体部分が、前記中間本体部分の前記水平配向外面と連続している垂直配向外面、前記下本体部分の前記垂直配向外面と連続している水平配向底面、および前記下本体部分の前記水平配向底面と連続し、かつ、前記中間本体部分の前記垂直配向内面と連続している垂直配向内面を有する、カバーリング。 - 請求項16に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分は、前記上本体部分の前記垂直配向外面と前記上本体部分の前記水平配向外面との間に第2の湾曲エッジを有し、前記上本体部分は、前記上本体部分の前記水平配向頂面と前記上本体部分の前記垂直配向内面との間に第3の湾曲エッジを有し、前記上本体部分は、前記上本体部分の前記垂直配向内面と前記上本体部分の前記水平配向内面との間に第4の湾曲エッジを有する、カバーリング。 - 請求項17に記載のカバーリングであって、
前記中間本体部分は、前記上本体部分の前記水平配向外面と前記中間本体部分の前記垂直配向外面との間に第5の湾曲エッジを有し、前記中間本体部分は、前記上本体部分の前記水平配向内面と前記中間本体部分の前記垂直配向内面との間に第6の湾曲エッジを有し、前記中間本体部分は、前記中間本体部分の前記垂直配向外面と前記中間本体部分の前記水平配向外面との間に第7の湾曲エッジを有する、カバーリング。 - 請求項18に記載のカバーリングであって、
前記下本体部分は、前記中間本体部分の前記水平配向外面と前記下本体部分の前記垂直配向外面との間に第8の湾曲エッジを有し、前記下本体部分は、前記下本体部分の前記垂直配向外面および前記下本体部分の前記水平配向底面と連続している第9の湾曲エッジを有し、前記下本体部分は、前記下本体部分の前記垂直配向内面と前記下本体部分の前記水平配向底面との間に第10の湾曲エッジを有する、カバーリング。 - 請求項12に記載のカバーリングであって、
前記カバーリングの内側エッジは、前記内側エッジと前記エッジリングとの間のアーク放電の可能性を低減するために湾曲している、カバーリング。 - 請求項12に記載のカバーリングであって、
前記カバーリングのすべてのエッジが弧状である、カバーリング。 - プラズマチャンバのエッジリングを固着するためのシステムであって、
サポートリングと、
前記サポートリング上で配向される前記エッジリングと、
前記エッジリングの底面と前記サポートリングの頂面との間に配置されたゲル層と、
前記エッジリングを前記サポートリングに固着するように構成された複数のねじであって、前記複数のねじの各々は、前記エッジリングの前記底面に配置され前記サポートリングを通過するねじ孔に取り付けられる複数のねじと、
前記サポートリングの底面に接続された複数の押さえ棒と、
複数の空気圧ピストンであって、前記複数の空気圧ピストンの各々は、前記サポートリングおよび前記エッジリングを垂直方向に同時に移動させるために前記複数の押さえ棒のうち対応する1つに結合される複数の空気圧ピストンと
を備え、
前記複数の空気圧ピストンは、メンテナンスの際に前記プラズマチャンバから前記エッジリングおよび前記サポートリングを取り外すために前記複数の押さえ棒を押し上げるように構成される、システム。 - 請求項22に記載のシステムであって、
前記複数の空気圧ピストンは、前記プラズマチャンバ内での基板の処理中に前記エッジリングおよび前記サポートリングが絶縁体リングに固着されるように前記複数の押さえ棒に引き下げ力を加えるように構成される、システム。 - 請求項22に記載のシステムであって、
前記サポートリングの下に位置する絶縁体リングと、
前記複数の押さえ棒を有するように構成された複数のクラスプ機構であって、前記複数の押さえ棒の各々は、前記サポートリング内に延びる部分と、前記絶縁体リング内に延びる部分とを有し、前記複数のクラスプ機構の各々は、前記複数の押さえ棒のうち対応する1つを引き下げて、前記プラズマチャンバでの処理動作中に前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングと係合させるよう構成されるとともに、前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに対して押し上げて前記サポートリングおよび前記エッジリングを解放するように構成される複数のクラスプ機構と
をさらに備える、システム。 - 請求項24に記載のシステムであって、
前記複数のクラスプ機構の各々は、
エアシリンダと、
前記エアシリンダ内のピストン本体と、
前記ピストン本体に取り付けられたピストンロッドと、
前記複数の押さえ棒のうち対応する1つを前記エアシリンダに対して装着するように構成されたマウントと
を含む、システム。 - 請求項25に記載のシステムであって、
圧縮空気を前記エアシリンダの頂部に供給して前記複数の押さえ棒を引き下げるように構成された空気経路と、
圧縮空気を前記エアシリンダの底部に供給して前記複数の押さえ棒を押し上げるように構成された空気経路と
をさらに備える、システム。 - 請求項22に記載のシステムであって、
前記複数の空気圧ピストンの第1のピストンは、第1のクラスプ機構の一部であり、前記複数の空気圧ピストンの第2のピストンは、第2のクラスプ機構の一部であり、前記複数の空気圧ピストンの第3のピストンは、第3のクラスプ機構の一部であり、
前記システムは、
前記第1のクラスプ機構が前記サポートリングおよび前記エッジリングを絶縁体リングに固着する場所と比較して異なる場所で、前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに固着するように構成された前記第2のクラスプ機構と、
前記第2のクラスプ機構が前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに固着する前記場所、および前記第1のクラスプ機構が前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに固着する前記場所と比較して異なる場所で、前記サポートリングおよび前記エッジリングを前記絶縁体リングに固着するように構成された前記第3のクラスプ機構と
をさらに備える、システム。 - 請求項12に記載のカバーリングであって、
前記中間本体部分は、前記接地リングによって取り囲まれるように構成された垂直配向外面を有し、前記下本体部分は、ベースリングによって取り囲まれるように構成された垂直配向外面を有する、カバーリング。 - 請求項12に記載のカバーリングであって、
前記上本体部分は、前記エッジリングを取り囲むように構成された垂直配向内面を有し、前記中間本体部分は、前記接地リングによって取り囲まれるように構成された垂直配向外面を有し、前記下本体部分は、ベースリングによって取り囲まれるように構成された垂直配向外面を有する、カバーリング。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022108065A JP7442582B2 (ja) | 2017-12-15 | 2022-07-05 | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
JP2023178724A JP2023182784A (ja) | 2017-12-15 | 2023-10-17 | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
JP2024023320A JP2024056956A (ja) | 2017-12-15 | 2024-02-20 | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2017/066874 WO2019117969A1 (en) | 2017-12-15 | 2017-12-15 | Ring structures and systems for use in a plasma chamber |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022108065A Division JP7442582B2 (ja) | 2017-12-15 | 2022-07-05 | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021515383A JP2021515383A (ja) | 2021-06-17 |
JPWO2019117969A5 true JPWO2019117969A5 (ja) | 2022-03-29 |
JP7101778B2 JP7101778B2 (ja) | 2022-07-15 |
Family
ID=66820564
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020531462A Active JP7101778B2 (ja) | 2017-12-15 | 2017-12-15 | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
JP2022108065A Active JP7442582B2 (ja) | 2017-12-15 | 2022-07-05 | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
JP2023178724A Pending JP2023182784A (ja) | 2017-12-15 | 2023-10-17 | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
JP2024023320A Pending JP2024056956A (ja) | 2017-12-15 | 2024-02-20 | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022108065A Active JP7442582B2 (ja) | 2017-12-15 | 2022-07-05 | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
JP2023178724A Pending JP2023182784A (ja) | 2017-12-15 | 2023-10-17 | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
JP2024023320A Pending JP2024056956A (ja) | 2017-12-15 | 2024-02-20 | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20200365378A1 (ja) |
EP (1) | EP3724912A4 (ja) |
JP (4) | JP7101778B2 (ja) |
KR (6) | KR20240045363A (ja) |
CN (5) | CN116884823A (ja) |
SG (1) | SG11202004504VA (ja) |
WO (1) | WO2019117969A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102200315B1 (ko) * | 2019-07-29 | 2021-01-08 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
CN112687510B (zh) * | 2019-10-18 | 2023-10-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种防止约束环发生电弧损伤的等离子体处理器和方法 |
CN114078680B (zh) * | 2020-08-20 | 2023-09-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
US20230066418A1 (en) * | 2021-08-30 | 2023-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Focus ring for a plasma-based semiconductor processing tool |
WO2024097679A1 (en) * | 2022-11-03 | 2024-05-10 | Lam Research Corporation | Systems and methods for increasing a heat transfer contact area associated with an edge ring |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5556476A (en) * | 1994-02-23 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Controlling edge deposition on semiconductor substrates |
US6106625A (en) * | 1997-12-02 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Reactor useful for chemical vapor deposition of titanium nitride |
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US6475336B1 (en) | 2000-10-06 | 2002-11-05 | Lam Research Corporation | Electrostatically clamped edge ring for plasma processing |
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JP4286025B2 (ja) * | 2003-03-03 | 2009-06-24 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 石英治具の再生方法、再生使用方法および半導体装置の製造方法 |
JP2004296553A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Ngk Insulators Ltd | 半導体製造装置用部材 |
US7244336B2 (en) * | 2003-12-17 | 2007-07-17 | Lam Research Corporation | Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift |
US20070032081A1 (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-08 | Jeremy Chang | Edge ring assembly with dielectric spacer ring |
US8524005B2 (en) * | 2006-07-07 | 2013-09-03 | Tokyo Electron Limited | Heat-transfer structure and substrate processing apparatus |
JP2008078208A (ja) | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及びプラズマ処理装置 |
JP2009054630A (ja) | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Tokyo Electron Ltd | シリンダ停止位置可変機構及びそれを備えた基板処理装置 |
JP5281811B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2013-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理用環状部品、プラズマ処理装置、及び外側環状部材 |
KR101573962B1 (ko) * | 2008-08-19 | 2015-12-02 | 램 리써치 코포레이션 | 정전척용 에지 링 |
JP5743895B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2015-07-01 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ |
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US8826855B2 (en) * | 2010-06-30 | 2014-09-09 | Lam Research Corporation | C-shaped confinement ring for a plasma processing chamber |
US8485128B2 (en) * | 2010-06-30 | 2013-07-16 | Lam Research Corporation | Movable ground ring for a plasma processing chamber |
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US20140017900A1 (en) * | 2011-03-29 | 2014-01-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
JP5893516B2 (ja) * | 2012-06-22 | 2016-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理装置及び被処理体の載置台 |
US9129899B2 (en) * | 2013-07-17 | 2015-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for thinning wafer thereof |
JP2015050156A (ja) | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及びプラズマ処理装置 |
US10804081B2 (en) * | 2013-12-20 | 2020-10-13 | Lam Research Corporation | Edge ring dimensioned to extend lifetime of elastomer seal in a plasma processing chamber |
JP6219229B2 (ja) | 2014-05-19 | 2017-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ給電機構 |
JP5767373B2 (ja) | 2014-07-29 | 2015-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにこれを実施するためのプログラムを記憶する記憶媒体 |
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US10854492B2 (en) | 2015-08-18 | 2020-12-01 | Lam Research Corporation | Edge ring assembly for improving feature profile tilting at extreme edge of wafer |
KR102382823B1 (ko) * | 2015-09-04 | 2022-04-06 | 삼성전자주식회사 | 에어 홀을 갖는 링 부재 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 |
WO2017069238A1 (ja) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US11276590B2 (en) * | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
-
2017
- 2017-12-15 US US16/888,557 patent/US20200365378A1/en active Pending
- 2017-12-15 CN CN202310709842.3A patent/CN116884823A/zh active Pending
- 2017-12-15 WO PCT/US2017/066874 patent/WO2019117969A1/en unknown
- 2017-12-15 EP EP17934871.9A patent/EP3724912A4/en active Pending
- 2017-12-15 CN CN202310713047.1A patent/CN116884824A/zh active Pending
- 2017-12-15 KR KR1020247009973A patent/KR20240045363A/ko active Application Filing
- 2017-12-15 KR KR1020207020316A patent/KR102204181B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-15 CN CN202310715034.8A patent/CN116884825A/zh active Pending
- 2017-12-15 CN CN201780097690.9A patent/CN111466009B/zh active Active
- 2017-12-15 KR KR1020237006795A patent/KR102652428B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-15 SG SG11202004504VA patent/SG11202004504VA/en unknown
- 2017-12-15 KR KR1020227011030A patent/KR102505152B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-15 KR KR1020217000935A patent/KR102383784B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-15 JP JP2020531462A patent/JP7101778B2/ja active Active
- 2017-12-15 CN CN202211170694.4A patent/CN115938902A/zh active Pending
- 2017-12-15 KR KR1020247011965A patent/KR20240049660A/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-07-05 JP JP2022108065A patent/JP7442582B2/ja active Active
-
2023
- 2023-10-17 JP JP2023178724A patent/JP2023182784A/ja active Pending
-
2024
- 2024-01-05 US US18/405,997 patent/US20240162015A1/en active Pending
- 2024-02-20 JP JP2024023320A patent/JP2024056956A/ja active Pending
- 2024-03-26 US US18/617,587 patent/US20240266151A1/en active Pending
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