JPWO2019111869A1 - ２−置換−３−エチルスルホニルピリジン化合物類の製造方法 - Google Patents

２−置換−３−エチルスルホニルピリジン化合物類の製造方法 Download PDF

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石川　　淳一
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Abstract

本発明は、２−置換−３−エチルスルホニルピリジン化合物の製造中間体および２−置換−３−エチルスルホニルピリジン化合物の新たな製造方法を提供する。本発明はまた、工程（ａ）：３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドと、式（１）（式中、Ｘは、塩素原子等を表し、Ｑは、１個以上のフッ素原子で置換されていてもよいＣ１−Ｃ３アルコキシ基等を表す。）で示される化合物とを、群Ｐより選ばれる１つ以上の化合物、カルボン酸またはカルボン酸塩、塩基、およびパラジウム化合物またはニッケル化合物の存在下、溶媒中で反応させて、式（２）で示される化合物を得る工程、を含む式（２）で示される化合物の製造方法、群Ｐ：式（４）：Ｒ3Ｐ（式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基等を表す。）で示される化合物等からなる群；並びに、工程（ａ）および工程（ｂ）：式（２）で示される化合物を還元反応に付し、式（３）で示される化合物を得る工程、を含む式（３）で示される化合物の製造方法、を提供する。

Description

本特許出願は、日本国特許出願２０１７−２３３１３３（２０１７年１２月５日出願）および日本国特許出願２０１８−１７３４４７（２０１８年９月１８日出願）に基づくパリ条約上の優先権および利益を主張するものであり、ここに引用することによって、上記出願に記載された内容の全体が、本明細書中に組み込まれるものとする。
本発明は２−置換−３−エチルスルホニルピリジン化合物の製造中間体および２−置換−３−エチルスルホニルピリジン化合物の製造方法に関する。
２−置換−３−エチルスルホニルピリジン化合物が有害生物防除剤の有効成分として知られている（特許文献１等）。
国際公開第２０１７／０６５２２８号
本発明は、２−置換−３−エチルスルホニルピリジン化合物の製造中間体および２−置換−３−エチルスルホニルピリジン化合物の新たな製造方法を提供することを課題とする。
本発明者らは、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドと、式（１）
Figure 2019111869
 （式中、Ｘは、塩素原子または臭素原子を表し、Ｑは、１個以上のフッ素原子で置換されていてもよいＣ１−Ｃ３アルコキシ基、フッ素原子、塩素原子または臭素原子を表す。）
で示される化合物とをカップリング反応条件下で反応させたところ、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドの２位で選択的に反応が進行し、高収率で２−置換−３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドが得られること、さらには、得られた２−置換−３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドが簡単に２−置換−３−エチルスルホニルピリジンに変換し得ることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は以下の通りである。
［１］ 工程（ａ）：３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドと、式（１）
Figure 2019111869
 （式中、Ｘは、塩素原子または臭素原子を表し、Ｑは、１個以上のフッ素原子で置換されていてもよいＣ１−Ｃ３アルコキシ基、フッ素原子、塩素原子または臭素原子を表す。）
で示される化合物とを、群Ｐより選ばれる１つ以上の化合物、カルボン酸またはカルボン酸塩、塩基、およびパラジウム化合物またはニッケル化合物の存在下、溶媒中で反応させて、式（２）
Figure 2019111869
 （式中、Ｑは前記と同じ意味を表す。）
で示される化合物を得る工程；
を含む式（２）で示される化合物の製造方法：
群Ｐ：式（４）
Ｒ3Ｐ （４）
（式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基または炭素数３〜６のアルケニル基を表す。）
で示される化合物、
式（５）
Ｒ3ＰＨ+ Ｚ- （５）
（式中、Ｒは前記と同じ意味を表し、Ｚ-は陰イオンを表す。）
で示される化合物、
式（６）
Ｒ2Ｐ（ＣＨ2）nＰＲ2 （６）
（式中、Ｒは前記と同じ意味を表し、ｎは１から４の整数を表す。）
で示される化合物、および
式（７）
Ｒ2ＰＨ+（ＣＨ2）nＰＲ2Ｈ+ ２Ｚ- （７）
（式中、Ｒ、ｎおよびＺ-は前記と同じ意味を表す。）
で示される化合物からなる群。
［２］ 群Ｐより選ばれる化合物が、２−ブテニル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフィン、トリメチルホスフィン、２−ブテニル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフォニウム テトラフルオロボレート、メチル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフィン、メチル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフォニウム テトラフルオロボレート、トリメチルホスフォニウム テトラフルオロボレート、１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ブタン、または１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ブタン ビステトラフルオロボレートから選ばれる１つ以上の化合物である［１］に記載の製造方法。
［３］ 工程（ａ）が、銅または銅化合物の存在下で行われる、［１］または［２］に記載の製造方法。
［４］ 銅が銅粉であり、銅化合物が酸化銅（Ｉ）である、［３］に記載の製造方法。
［５］ ［１］〜［４］のいずれかに記載の工程（ａ）および以下に記載の工程（ｂ）を含む、式（３）
Figure 2019111869
 （式中、Ｑは、１個以上のフッ素原子で置換されていてもよいＣ１−Ｃ３アルコキシ基、フッ素原子、塩素原子または臭素原子を表す。）
で示される化合物の製造方法：
工程（ｂ）：式（２）
Figure 2019111869
 （式中、Ｑは前記と同じ意味を表す。）で示される化合物を還元反応に付し、式（３）で示される化合物を得る工程。
［６］ 工程（ｂ）において、還元反応が水素ガスを用いて行われる、［５］に記載の製造方法。
［７］ Ｘが塩素原子であり、Ｑが２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ基である、［１］〜［６］のいずれかに記載の製造方法。
［８］ ３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシド。
［９］ 式（２）
Figure 2019111869
 （式中、Ｑは、１個以上のフッ素原子で置換されていてもよいＣ１−Ｃ３アルコキシ基、フッ素原子、塩素原子または臭素原子を表す。）
で示される化合物。
［１０］ ２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン。
［１１］ ２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−クロロピラジン。
本発明により、２−置換−３−エチルスルホニルピリジン化合物の製造中間体および２−置換−３−エチルスルホニルピリジン化合物を製造することができる。
以下、本発明について詳細に説明する。
工程（ａ）について説明する。
工程（ａ）では、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドと式（１）で示される化合物とを、群Ｐより選ばれる１つ以上の化合物、カルボン酸またはカルボン酸塩、塩基、およびパラジウム化合物またはニッケル化合物の存在下、溶媒中で反応させて、式（２）で示される化合物を得ることができる。
本発明において、式（１）乃至式（８）における記号で示される置換基について以下に説明する。
Ｅｔはエチル基を表す。
Ｑにおける１個以上のフッ素原子で置換されていてもよいＣ１−Ｃ３アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ基および１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロポキシ基が挙げられる。
Ｒにおける炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、へキシル基およびシクロヘキシル基が挙げられる。
Ｒにおける炭素数３〜６のアルケニル基としては、例えば、プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−メチル−２−ブテニル基、４−ペンテニル基および５−ヘキセニル基が挙げられる。
Ｚ-は、テトラフルオロボレート等の陰イオンを意味する。
溶媒としては、非プロトン性有機溶媒が好ましい。
非プロトン性有機溶媒とは、分子内に水酸基（−ＯＨ）、アミノ基、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）等のプロトンを含む基を有さず、かつ、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドおよび式（１）で示される化合物を溶解し得る有機溶媒を意味する。
非プロトン性有機溶媒としては、非環状エーテル溶媒および環状エーテル溶媒等のエーテル溶媒、芳香族炭化水素溶媒、並びに脂肪族炭化水素溶媒が挙げられる。
非環状エーテル溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルおよびジエチレングリコールジメチルエーテルが挙げられる。環状エーテル溶媒としては、例えば１，４−ジオキサンおよびテトラヒドロフランが挙げられる。芳香族炭化水素溶媒としては、例えばベンゼン、トルエン、キシレンおよびメシチレンが挙げられる。脂肪族炭化水素溶媒としては、例えばヘキサン、ヘプタンおよびシクロヘキサンが挙げられる。
３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドおよび式（１）で示される化合物の溶解度の観点から、トルエン、キシレン、メシチレン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサンおよびテトラヒドロフランが好ましい。必要に応じて、２種以上の非プロトン性有機溶媒を組み合わせて用いてもよく、具体的には、テトラヒドロフランとトルエンとの混合溶媒およびエチレングリコールジメチルエーテルとトルエンとの混合溶媒が挙げられる。
溶媒の使用量は、式（１）で示される化合物１重量部当たり、通常１〜５０重量部、好ましくは１〜２０重量部である。
パラジウム化合物とは、パラジウムにパラジウム以外の原子が結合した化合物であり、好ましくはパラジウム（０）錯体およびパラジウム（ＩＩ）錯体が挙げられる。
パラジウム（０）錯体としては、ジベンジリデンアセトンが０価パラジウムに配位した錯体、いわゆる、ジベンジリデンアセトン−パラジウム（０）錯体が挙げられる。具体的には、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム付加体およびビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）が挙げられる。
パラジウム（ＩＩ）錯体としては、酢酸パラジウム（ＩＩ）、トリフルオロ酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＩ）アセチルアセトナート等のパラジウムカルボン酸塩；塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、ヨウ化パラジウム（ＩＩ）等のハロゲン化パラジウム；および、アリルパラジウム（ＩＩ）クロリドダイマー、ビス（２−メチルアリル）パラジウム（ＩＩ）クロリドダイマー、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）等のハロゲン化パラジウム錯体が挙げられる。なかでも、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）および酢酸パラジウム（ＩＩ）が好ましい。
パラジウム化合物の使用量は、式（１）で示される化合物１モル当たり、通常０．００００１モル〜０．８モル、好ましくは０．００００２モル〜０．２モルである。
ニッケル化合物とは、ニッケルにニッケル以外の原子が結合した化合物であり、好ましくはニッケル（０）錯体およびニッケル（ＩＩ）錯体が挙げられる。
ニッケル（０）錯体としては、例えば、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）が挙げられる。
ニッケル（ＩＩ）錯体としては、酢酸ニッケル（ＩＩ）、トリフルオロ酢酸ニッケル（ＩＩ）、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等のニッケルカルボン酸塩；塩化ニッケル（ＩＩ）、臭化ニッケル（ＩＩ）、ヨウ化ニッケル（ＩＩ）等のハロゲン化ニッケル；が挙げられる。なかでも、塩化ニッケル（ＩＩ）、臭化ニッケル（ＩＩ）および酢酸ニッケル（ＩＩ）が好ましい。
ニッケル化合物の使用量は、式（１）で示される化合物１モル当たり、通常０．０００１モル〜０．８モル、好ましくは０．０００２モル〜０．２モルである。
式（１）で表される化合物としては、具体的には、２−クロロ−５−メトキシピラジン、２−クロロ−５−エトキシピラジン、２−クロロ−５−プロポキシピラジン、２−クロロ−５−イソプロポキシピラジン、２−クロロ−５−（トリフルオロメトキシ）ピラジン、２−クロロ−５−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ピラジン、２−クロロ−５−（１，１，２，２−テトラフルオロエトキシ）ピラジン、２−クロロ−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン、２−クロロ−５−（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ）ピラジン、２−クロロ−５−（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）ピラジン、２−クロロ−５−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロポキシ）ピラジン、２−ブロモ−５−メトキシピラジン、２−ブロモ−５−エトキシピラジン、２−ブロモ−５−プロポキシピラジン、２−ブロモ−５−イソプロポキシピラジン、２−ブロモ−５−（トリフルオロメトキシ）ピラジン、２−ブロモ−５−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ピラジン、２−ブロモ−５−（１，１，２，２−テトラフルオロエトキシ）ピラジン、２−ブロモ−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン、２−ブロモ−５−（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ）ピラジン、２−ブロモ−５−（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）ピラジン、２−ブロモ−５−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロポキシ）ピラジン、２，５−ジクロロピラジン、２，５−ジブロモピラジン、２−クロロ−５−ブロモピラジン、２−クロロ−５−フルオロピラジン等が挙げられる。
式（１）で示される化合物において、Ｘは塩素原子が好ましい。
３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドの使用量は、式（１）で示される化合物１モル当たり、通常０．８〜３モル、好ましくは１〜２モルである。
式（４）で示される化合物としては、具体的にはトリメチルホスフィン、メチル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフィン、２−ブテニル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフィン、３−メチル−２−ブテニル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフィン等が挙げられる。
式（５）で示される化合物としては、具体的にはトリメチルホスフォニウム テトラフルオロボレート、メチル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフォニウム テトラフルオロボレート、２−ブテニル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフォニウム テトラフルオロボレート、３−メチル−２−ブテニル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフォニウム テトラフルオロボレート等が挙げられる。
式（４）で示される化合物又は式（５）で示される化合物の使用量は、パラジウム化合物またはニッケル化合物１モル当たり、通常０．１モル〜５０モル、好ましくは０．５モル〜２０モルである。
式（６）で示される化合物としては、具体的には１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン、１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ブタン等が挙げられる。
式（７）で示される化合物としては、具体的には１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン ビステトラフルオロボレート、１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン ビステトラフルオロボレート、１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ブタン ビステトラフルオロボレートが挙げられる。
式（６）で示される化合物又は式（７）で示される化合物の使用量は、パラジウム化合物またはニッケル化合物１モル当たり、通常０．０５モル〜３０モル、好ましくは０．３モル〜２０モルである。
群Ｐより選ばれる化合物としては、２−ブテニル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフィン、２−ブテニル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフォニウム テトラフルオロボレート、メチル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフィン、メチル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフォニウム テトラフルオロボレート、１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ブタンまたは１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ブタン ビステトラフルオロボレートが好ましい。
塩基としては、有機塩基および無機塩基が挙げられ、好ましくは無機塩基が用いられる。無機塩基としては例えば、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ金属カルボン酸塩、アルカリ土類金属カルボン酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ土類金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩、アルカリ土類金属炭酸水素塩、アルカリ金属リン酸塩、およびアルカリ土類金属リン酸塩が挙げられ、好ましくはアルカリ金属炭酸塩およびアルカリ金属リン酸塩が用いられる。より具体的には、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、ギ酸ナトリウム、ギ酸カリウム、ギ酸カルシウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リン酸ナトリウムおよびリン酸カリウムが挙げられ、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、リン酸ナトリウムおよびリン酸カリウムが好ましい。
塩基の使用量は、式（１）で示される化合物１モル当たり、通常１〜５モル、好ましくは１．５〜２．５モルである。
カルボン酸としては、例えば酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ピバル酸等の脂肪族カルボン酸；安息香酸、４−メトキシ安息香酸、４−メチル安息香酸、４−ニトロ安息香酸等の芳香族カルボン酸；およびパラジウムカルボン酸塩が挙げられる。
カルボン酸塩としては、例えばカルボン酸のナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩が挙げられ、具体的には、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、プロピオン酸ナトリウム、プロピオン酸カリウム、ブタン酸ナトリウム、ブタン酸カリウム、ピバル酸ナトリウム、ピバル酸カリウム、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム等が挙げられる。
反応に用いるパラジウム化合物がパラジウムカルボン酸塩である場合、パラジウムカルボン酸塩は、パラジウム化合物およびカルボン酸塩として共通して用いることができる。そのため、パラジウム化合物としてパラジウムカルボン酸塩を用いる場合、反応にカルボン酸またはカルボン酸塩を別途加えてもよく、加えなくてもよい。
反応に用いるニッケル化合物がニッケルカルボン酸塩である場合、ニッケルカルボン酸塩は、ニッケル化合物およびカルボン酸塩として共通して用いることができる。そのため、ニッケル化合物としてニッケルカルボン酸塩を用いる場合、反応にカルボン酸またはカルボン酸塩を別途加えてもよく、加えなくてもよい。
カルボン酸またはカルボン酸塩の使用量は、パラジウム化合物またはニッケル化合物１モル当たり、通常０．１〜５０モルである。パラジウム化合物としてパラジウムカルボン酸塩を用い、別途カルボン酸またはカルボン酸塩を加える場合、パラジウムカルボン酸塩の使用量とカルボン酸またはカルボン酸塩の使用量との合計が、パラジウム化合物１モル当たり、通常１〜５０モルである。ニッケル化合物としてニッケルカルボン酸塩を用い、別途カルボン酸またはカルボン酸塩を加える場合、ニッケルカルボン酸塩の使用量とカルボン酸またはカルボン酸塩の使用量との合計が、ニッケル化合物１モル当たり、通常１〜５０モルである。
反応にカルボン酸を用いる場合、カルボン酸と塩基との反応によりカルボン酸塩を生じる場合がある。カルボン酸と塩基との反応によりカルボン酸塩が生じる場合、生じたカルボン酸塩をカルボン酸塩として反応に用いることができる。
反応に用いるカルボン酸塩が塩基性である場合、カルボン酸塩は、カルボン酸塩および塩基として共通して用いることもできる。その場合、カルボン酸塩の使用量は、上記塩基の使用量とカルボン酸またはカルボン酸塩の使用量との合計である。
反応は、銅または銅化合物の存在下で行ってもよく、銅または銅化合物の存在下で行うことが好ましい。
銅としては、銅粉が挙げられる。銅化合物としては、酸化銅（Ｉ）等の１価の銅化合物が挙げられる。
銅または銅化合物の使用量は、パラジウム化合物またはニッケル化合物１モル当たり、通常０．１〜５０モル、好ましくは０．３〜２０モルである。
反応温度は、通常８０〜１８０℃、好ましくは１００〜１５０℃である。
反応時間は０．１〜４８時間である。
反応の実施態様は、特に限定されないが、通常、群Ｐより選ばれる化合物、カルボン酸またはカルボン酸塩、パラジウム化合物またはニッケル化合物、塩基および溶媒を混合した後、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドおよび式（１）で示される化合物を加え、最後に、必要に応じて銅または銅化合物を添加する方法で実施される。
反応終了後は、例えば、得られた混合物をろ過して無機塩等の固体を除去した後、有機溶媒を留去する；得られた混合物に水を加えて無機塩等の固体を溶解させ、必要に応じ溶媒を加えて希釈した後、水層を分離し、得られた有機層を水洗後、有機溶媒を留去する、ことにより、式（２）で示される化合物を得ることができる。得られた化合物は、さらに晶析やカラムクロマトグラフィー等で精製することもできる。
また、式（２）で示される化合物は、精製することなしに工程（ｂ）に供することもできる。
このようにして得られる式（２）で示される化合物としては、具体的には、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−メトキシピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−エトキシピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−プロポキシピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−イソプロポキシピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−トリフルオロメトキシピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（１，１，２，２−テトラフルオロエトキシ）ピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ）ピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）ピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロポキシ）ピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−クロロピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−ブロモピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−フルオロピラジン等が挙げられる。
続いて、工程（ｂ）について説明する。
工程（ｂ）では、式（２）で示される化合物を還元反応に付すことにより、式（３）で示される化合物を得ることができる。
還元反応は、通常、水素源および還元触媒を用いて行われる。
水素源としては、水素ガス、ギ酸およびギ酸塩等が挙げられ、水素ガスが好ましい。ギ酸塩としては、例えばギ酸ナトリウム、ギ酸カリウム、ギ酸アンモニウムが挙げられる。
水素源の使用量は、式（２）で示される化合物１モル当たり、通常１〜２０モルである。
還元触媒としては、パラジウム、白金、イリジウム、ロジウム等の貴金属が、活性炭、アルミナ、シリカゲル等の担体に坦持された貴金属坦持触媒や、ラネーニッケル等が挙げられる。
還元触媒の使用量は、式（２）で示される化合物１モル当たり、通常０．０００１〜０．５モルである。
工程（ａ）で用いたパラジウム化合物から得られる生成物に前記の担体を加えることにより得られる混合物を還元触媒として用いることもできる。具体的には、式（２）で示される化合物およびパラジウム化合物から得られる生成物を含む、工程（ａ）で得られた反応混合物に対し、水素源および前記の担体を加えることにより実施することができる。この場合、担体の使用量は、式（１）で示される化合物１重量部当たり、０．００５〜１重量部である。
反応は、通常溶媒中で行われる。溶媒としては、例えば、メチルｔ−ブチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒；およびヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素溶媒；およびこれらの２種以上の混合物が挙げられる。工程（ａ）で得られた反応混合物を用いて反応を行う場合には、該反応混合物に含まれる溶媒をそのまま用いてもよい。
溶媒の使用量は、式（２）で示される化合物１重量部当たり、通常１〜５０重量部である。
反応温度は、通常０〜１２０℃、好ましくは２０〜１００℃である。
還元反応は、常圧下で行ってもよく、加圧下で行ってもよい。
還元反応を水素ガスを用いて加圧下で行う場合、その圧力は、通常０．１〜１．５ＭＰａである。
反応時間は０．１〜４８時間である。
還元反応の実施態様は、特に限定されないが、通常、式（２）で示される化合物、水素源、還元触媒および溶媒を混合することにより実施される。還元反応は、具体的には、式（２）で示される化合物、還元触媒および溶媒を混合した後、水素ガス雰囲気下にする；式（２）で示される化合物、還元触媒および溶媒を混合した後、ギ酸またはギ酸塩を加える等の方法により実施される。工程（ａ）で得られた反応混合物を用いて還元反応を行う場合は、工程（ａ）で得られた反応混合物に担体を加えた後、水素ガス雰囲気下にする；工程（ａ）で得られた反応混合物に担体を加えた後、ギ酸またはギ酸塩を加える等の方法により実施される。
反応終了後は、例えば、得られた混合物をろ過して貴金属担体触媒を含む固体を除去し、ろ液を濃縮する；塩酸、硫酸等の酸性水溶液を加えてラネーニッケル等を溶解させる等の操作を行った後、必要に応じて溶媒を加えて希釈した後、水層を分離し、得られた有機層を水洗後、有機溶媒を留去する、ことにより、式（３）で示される化合物を得ることができる。得られた化合物は、さらに晶析やカラムクロマトグラフィー等で精製することもできる。
このようにして得られる式（３）で示される化合物としては、具体的には、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−メトキシピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−エトキシピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−ｎ−プロポキシピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−イソプロポキシピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−トリフルオロメトキシピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（１，１，２、２−テトラフルオロエトキシ）ピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（２，２、３，３−テトラフルオロプロポキシ）ピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）ピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロポキシ）ピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−クロロピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−ブロモピラジン、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−フルオロピラジン等が挙げられる。
［３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドの製造方法］
３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドは、３−エチルスルホニルピリジンと酸化剤とを反応させることにより得ることができる。
反応は、通常溶媒中で行われる。溶媒としては、例えばクロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン化炭化水素溶媒；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル溶媒；酢酸；水及びこれらの２種以上の混合物が挙げられる。
酸化剤としては、例えば過ヨウ素酸ナトリウム、３−クロロ過安息香酸および過酸化水素が挙げられる。
酸化剤として過酸化水素を用いる場合は、必要に応じて炭酸ナトリウムまたは触媒を加えて反応を行ってもよい。触媒としては、例えばタングステン酸およびタングステン酸ナトリウムが挙げられる。
酸化剤の使用量は、３−エチルスルホニルピリジン１モル当たり、通常１モル〜１０モルである。
炭酸ナトリウムを加えて反応を行う場合、炭酸ナトリウムの使用量は、３−エチルスルホニルピリジン１モル当たり、通常０．０１モル〜１モルである。触媒を加えて反応を行う場合、触媒の使用量は、３−エチルスルホニルピリジン１モル当たり、通常０．０１〜０．５モルである。
反応時間は、通常５分間〜２４時間である。反応温度は、通常−２０℃〜８０℃である。
３−エチルスルホニルピリジンは市販の化合物である。
反応終了後は、反応混合物に水を加え、有機溶媒で抽出し、有機層を必要に応じて還元剤（例えば亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム）の水溶液等で洗浄し、得られた有機層を乾燥、濃縮することにより、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドを単離することができる。
［式（１）で示される化合物の製造方法］
式（１）で示される化合物は、２，５−ジクロロピラジンまたは２，５−ジブロモピラジンと、式（８）
Figure 2019111869
 （式中、Ｑは前記と同じ意味を表す。）
で示される化合物とを塩基の存在下で反応することにより得ることができる。
反応は、溶媒中で行ってもよく、無溶媒で行ってもよい。溶媒としては、テトラヒドロフラン、メチルｔ−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル溶媒；およびこれらの２種類以上の混合物が挙げられる。
塩基としては、例えば水素化リチウム、水素化ナトリウム等のアルカリ金属水素化物；トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン等の有機塩基；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩が挙げられる。
式（８）で示される化合物の使用量は、２，５−ジクロロピラジンまたは２，５−ジブロモピラジン１モル当たり、通常１〜１０モルである。
塩基の使用量は、２，５−ジクロロピラジンまたは２，５−ジブロモピラジン１モル当たり、通常１〜５モルである。
反応温度は、通常−２０℃〜１５０℃である。反応時間は通常０．５〜２４時間である。
２，５−ジクロロピラジン、２，５−ジブロモピラジンおよび式（８）で示される化合物は、市販の化合物であるか、公知の方法で製造することができる。
反応終了後は、反応混合物に水を加え、有機溶媒で抽出し、有機層を乾燥、濃縮する等の後処理操作を行うことにより式（１）で示される化合物を得ることができる。
以下、本発明を実施例等により説明するが、本発明はこれらの例のみに限定されるものではない。
以下の例において、特に記載のない場合、定量分析はガスクロマトグラフィー（以下、ＧＣと記す。）を用いて実施した。その分析条件は以下の通りである。
［ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）測定条件］
・測定機器：島津製作所製 ＧＣ−２０１０
・カラム：ＤＢ−１ 長さ３０m、内径２５０μm、膜厚１．００μm（アジレント・テクノロジー製）
・カラム温度：５０℃から３００℃まで１０℃／分で昇温後、３００℃で１０分保持
・ヘリウムガス流速：１．０ mL/min
・内部標準物質：４−ジメチルアミノトルエン
・注入量：１μＬ
（実施例１）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク管で塩化パラジウム（ＩＩ）３．４ｍｇ、２−ブテニル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフォニウム テトラフルオロボレート９．１ｍｇ、酢酸ナトリウム３．１ｍｇ、炭酸カリウム１１０ｍｇおよびトルエン１ｇを混合し、１２０℃で１０分間撹拌した。得られた混合物に３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシド８７ｍｇを加え、１２０℃で１０分間撹拌した後、２−クロロ−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン１００ｍｇをトルエン１ｇに希釈して加え、さらに混合物を１２０℃で８時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、ガスクロマトグラフィーにて分析したところ、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドが３０％（ＧＣ面積百分率法）残存していた。また、反応混合物をガスクロマトグラフィー内部標準法にて分析したところ、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンが収率５２％、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンが収率１０％で生成していた。
反応混合物を、ガラス内筒管付のオートクレーブに移し、活性炭４０ｍｇを加え、オートクレーブ内を水素ガスで置換した。水素圧１ＭＰａ、９０℃にて６時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却後、ガスクロマトグラフィー内部標準法にて分析したところ、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンは、全て２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンに変換されており、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンの収率は６１％（カップリング反応と還元反応との２工程通算）であった。
（実施例２）
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより単離した２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンは、白色結晶であり、その融点は８７．９℃であった。
（実施例３）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク管で塩化パラジウム（ＩＩ）２ｍｇ、２−ブテニル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフォニウム テトラフルオロボレート５．５ｍｇ、酸化銅（Ｉ）２０ｍｇ、酢酸ナトリウム３．１ｍｇ、炭酸カリウム１１０ｍｇおよびトルエン１ｇを混合し、１２０℃で１０分間撹拌した。得られた混合物に３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシド８７ｍｇを加え、１２０℃で１０分間撹拌した後、２−クロロ−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン１００ｍｇをトルエン１ｇに希釈して加え、さらに混合物を１２０℃で８時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、ガスクロマトグラフィーにて分析したところ、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドが４５％（ＧＣ面積百分率法）残存していた。また、反応混合物をガスクロマトグラフィー内部標準法にて分析したところ、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンが収率４５％、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンが収率１１％で生成していた。
２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン
1H-NMR (CDCl3, TMS) δ: 1.29(3H, t), 3.40(2H, q), 4.89(2H, td), 7.53(1H, dd), 7.94(1H, d), 8.40(1H, d), 8.51(2H, dd).
ＧＣ−ＭＳ：［Ｍ+］４１３
（実施例４）
蓋付試験管に、塩化パラジウム（ＩＩ）１ｍｇ、１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ブタン ビステトラフルオロボレート３．０ｍｇ、安息香酸２ｍｇ、酸化銅（Ｉ）１．４ｍｇ、炭酸カリウム５４ｍｇ、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシド４４ｍｇ、２−クロロ−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン５０ｍｇおよびトルエン１ｇを加え、窒素置換した後、混合物を１２０℃で８時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、ガスクロマトグラフィーにて分析したところ、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドが１２．５％（ＧＣ面積百分率法）残存していた。また、反応混合物をガスクロマトグラフィー内部標準法にて分析したところ、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンが収率５６％、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンが収率１％で生成していた。
（実施例５）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク管に、塩化パラジウム（ＩＩ）３．６ｍｇ、メチル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフォニウム テトラフルオロボレート８．４ｍｇ、酸化銅（Ｉ）１０ｍｇ、酢酸ナトリウム５．０ｍｇ、炭酸カリウム１９０ｍｇおよびトルエン１ｇを混合し、１２０℃で１０分間撹拌した。得られた混合物に３−エチルスルホニルピリジンＮ−オキシド １５０ｍｇを加え、１２０℃で１０分間撹拌した後、２，５−ジクロロピラジン１００ｍｇをトルエン１ｇに希釈して加え、さらに１２０℃で８時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、ガスクロマトグラフィーにて分析したところ、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドが４９％（ＧＣ面積百分率法）残存していた。また、反応混合物をガスクロマトグラフィー内部標準法にて分析したところ、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−クロロピラジンが収率３６％、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−クロロピラジンが収率１５％で生成していた。
２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−クロロピラジン
ＧＣ−ＭＳ：［Ｍ+］２９９
（実施例６）
蓋付試験管に、塩化ニッケル（ＩＩ）２．５ｍｇ、トリメチルホスフィンの１Ｍトルエン溶液を０．１３ｍｌ、安息香酸２．８ｍｇ、酸化銅（Ｉ）４．２ｍｇ、炭酸カリウム５４ｍｇ、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシド４４ｍｇ、２−クロロ−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン５０ｍｇおよびトルエン１ｇを加え、窒素置換した後、混合物を１２０℃で８時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、ガスクロマトグラフィーにて分析したところ、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドが４８％（ＧＣ面積百分率法）残存していた。また、反応混合物をガスクロマトグラフィー内部標準法にて分析したところ、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンが収率４４％、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンが収率４％で生成していた。
（実施例７）
実施例６において、トリメチルホスフィンの１Ｍトルエン溶液を０．２５ｍｌ用いる以外は、実施例６と同様に実施した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、ガスクロマトグラフィーにて分析したところ、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドが２０％（ＧＣ面積百分率法）残存していた。また、反応混合物をガスクロマトグラフィー内部標準法にて分析したところ、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンが収率５３％、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンが収率６％で生成していた。
（実施例８）
窒素雰囲気下、１００ｍｌシュレンク管で酢酸パラジウム（ＩＩ）１３．３ｍｇ、メチル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフォニウム テトラフルオロボレート３４．８ｍｇ、酢酸ナトリウム３１．９ｍｇ、炭酸カリウム５４７ｍｇおよびトルエン２ｇを混合し、１２０℃で１０分間撹拌した。得られた混合物に３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシド４８９ｍｇを加え、１２０℃で１０分間撹拌した後、２−クロロ−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン５８７ｍｇをトルエン１ｇに希釈して加え、さらに混合物を１２０℃で６時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、ガスクロマトグラフィーにて分析したところ、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドが２０％（ＧＣ面積百分率法）残存していた。また、反応混合物をガスクロマトグラフィー内部標準法にて分析したところ、２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンが収率６５％、２−［３−（エチルスルホニル）−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジンが収率５％で生成していた。
この反応混合物に水１０ｇを加え、酢酸エチル１０ｍｌで２回抽出、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去して、黄褐色固体を得た。この固体をシリカゲルカラムにかけて、不純物である３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドの６位でカップリングした異性体と、2位と６位でカップリングした異性体を分取し、同定した。
２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−６−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン
1H-NMR (CDCl3, TMS) δ: 1.38(3H, t), 3.23(2H, q), 4.96(2H, td), 7.74(1H, dd), 8.48(1H, d), 8.53(1H, d), 8.79(1H, d) , 10.06(1H, d).
ＧＣ−ＭＳ：［Ｍ+］４１３
２、２′−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２、６−ピリジニル］-ビス
［５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン］
1H-NMR (CDCl3, TMS) δ: 1.32(3H, t), 3.33(2H, q), 4.93(4H, td), 8.05(1H, d), 8.46(1H, d), 8.49(2H, ｔ), 8.61(1H, d) , 9.93(1H, d).
ＧＣ−ＭＳ：［Ｍ+］６３９
（参考例１） ３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドの製造方法−１
３−エチルスルホニルピリジン１７．１ｇおよび３−クロロ過安息香酸（３０％水を含む）２７．１ｇをクロロホルム１７０ｇに加え、室温で１時間撹拌した。析出したスラリーをろ過し、得られたろ液を２０％亜硫酸ナトリウム水溶液１００ｍＬで洗浄した後、減圧下で濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドを１１．６ｇ（収率６２％）で得た。
３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシド
1H-NMR (CDCl3, TMS) δ: 1.35(3H, t, J=7.2Hz), 3.21(2H, q, J=7.2Hz), 7.49-7.52(1H, m), 7.70-7.72(1H, m), 8.40-8.42(1H, m), 8.67-8.68(1H, m).
（参考例２） ３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドの製造方法−２
撹拌機付き３００ｍｌ丸底フラスコ内のタングステン酸ナトリウム４．２７ｇおよび水１０ｇに、３０％過酸化水素水５ｇを加え、さらに硫酸１．３ｇを加えた。得られた混合物に３−エチルスルホニルピリジン７４ｇを加え、９０℃で撹拌しながら、３０％過酸化水素水７５ｇを１時間かけて滴下した。滴下後、９０℃で４時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、ガスクロマトグラフィー面積百分率法にて分析したところ、３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドが９７％、３−エチルスルホニルピリジンが３％であった。反応混合物を、酢酸エチル１５０ｇで３回抽出した。得られた有機層を合一し、２０％亜硫酸ナトリウム水溶液１００ｍＬで洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。得られた残渣を、イソプロピルアルコールで再結晶することにより３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシド３５ｇを白色結晶として得た。
本発明の製造方法により、有害生物防除剤の有効成分である２−置換−３−エチルスルホニルピリジン化合物の製造中間体および２−置換−３−エチルスルホニルピリジン化合物を得ることができる。

Claims (11)

  1. 工程（ａ）：３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシドと、式（１）
    Figure 2019111869
     （式中、Ｘは、塩素原子または臭素原子を表し、Ｑは、１個以上のフッ素原子で置換されていてもよいＣ１−Ｃ３アルコキシ基、フッ素原子、塩素原子または臭素原子を表す。）
    で示される化合物とを、群Ｐより選ばれる１つ以上の化合物、カルボン酸またはカルボン酸塩、塩基、およびパラジウム化合物またはニッケル化合物の存在下、溶媒中で反応させて、式（２）
    Figure 2019111869
     （式中、Ｑは前記と同じ意味を表す。）
    で示される化合物を得る工程；
    を含む式（２）で示される化合物の製造方法：
    群Ｐ：式（４）
    Ｒ3Ｐ （４）
    （式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基または炭素数３〜６のアルケニル基を表す。）
    で示される化合物、式（５）
    Ｒ3ＰＨ+ Ｚ- （５）
    （式中、Ｒは前記と同じ意味を表し、Ｚ-は陰イオンを表す。）
    で示される化合物、式（６）
    Ｒ2Ｐ（ＣＨ2）nＰＲ2 （６）
    （式中、Ｒは前記と同じ意味を表し、ｎは１から４の整数を表す。）
    で示される化合物、および式（７）
    Ｒ2ＰＨ+（ＣＨ2）nＰＲ2Ｈ+ ２Ｚ- （７）
    （式中、Ｒ、ｎおよびＺ-は前記と同じ意味を表す。）
    で示される化合物からなる群。
  2. 群Ｐより選ばれる化合物が、２−ブテニル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフィン、トリメチルホスフィン、２−ブテニル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフォニウム テトラフルオロボレート、メチル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフィン、メチル（ジ−ｔ−ブチル）ホスフォニウム テトラフルオロボレート、トリメチルホスフォニウム テトラフルオロボレート、１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ブタン、または１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ブタン ビステトラフルオロボレートから選ばれる１つ以上の化合物である、請求項１に記載の製造方法。
  3. 工程（ａ）が、銅または銅化合物の存在下で行われる、請求項１または請求項２に記載の製造方法。
  4. 銅が銅粉であり、銅化合物が酸化銅（Ｉ）である、請求項３に記載の製造方法。
  5. 請求項１〜４のいずれかに記載の工程（ａ）および以下に記載の工程（ｂ）を含む式（３）
    Figure 2019111869
     （式中、Ｑは１個以上のフッ素原子で置換されていてもよいＣ１−Ｃ３アルコキシ基、フッ素原子、塩素原子または臭素原子を表す。）
    で示される化合物の製造方法：
    工程（ｂ）：式（２）
    Figure 2019111869
     （式中、Ｑは前記と同じ意味を表す。）
    で示される化合物を還元反応に付し、式（３）で示される化合物を得る工程。
  6. 工程（ｂ）において、還元反応が水素ガスを用いて行われる請求項５に記載の製造方法。
  7. Ｘが塩素原子であり、Ｑが２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ基である請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
  8. ３−エチルスルホニルピリジン Ｎ−オキシド。
  9. 式（２）
    Figure 2019111869
     （式中、Ｑは１個以上のフッ素原子で置換されていてもよいＣ１−Ｃ３アルコキシ基、フッ素原子、塩素原子または臭素原子を表す。）
    で示される化合物。
  10. ２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ）ピラジン。
  11. ２−［３−（エチルスルホニル）−１−オキシド−２−ピリジニル］−５−クロロピラジン。
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