JPWO2019111624A1 - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019111624A1 JPWO2019111624A1 JP2019558088A JP2019558088A JPWO2019111624A1 JP WO2019111624 A1 JPWO2019111624 A1 JP WO2019111624A1 JP 2019558088 A JP2019558088 A JP 2019558088A JP 2019558088 A JP2019558088 A JP 2019558088A JP WO2019111624 A1 JPWO2019111624 A1 JP WO2019111624A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- pixel circuit
- terminal
- voltage
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 126
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 116
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 95
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000002405 diagnostic procedure Methods 0.000 claims description 12
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 claims description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 66
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 39
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 26
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 22
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 22
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 20
- 230000006870 function Effects 0.000 description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 description 18
- 101100205847 Mus musculus Srst gene Proteins 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 101100367234 Arabidopsis thaliana SVR1 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 101100440050 Arabidopsis thaliana CLPR1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100367235 Arabidopsis thaliana SVR3 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100311249 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) stg1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002583 angiography Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 210000004761 scalp Anatomy 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N17/00—Diagnosis, testing or measuring for television systems or their details
- H04N17/002—Diagnosis, testing or measuring for television systems or their details for television cameras
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
- H04N25/633—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current by using optical black pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
- H04N25/69—SSIS comprising testing or correcting structures for circuits other than pixel cells
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/772—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
1.第1の実施の形態
2.第2の実施の形態
3.撮像装置の使用例
4.移動体への応用例
[構成例]
図1は、一実施の形態に係る撮像装置(撮像装置1)の一構成例を表すものである。撮像装置1は、画素アレイ10と、2つの走査部20L,20Rと、読出部30と、コントローラ40とを備えている。
続いて、本実施の形態の撮像装置1の動作および作用について説明する。
まず、図1を参照して、撮像装置1の全体動作概要を説明する。コントローラ40のアドレス生成部41は、画素アレイ10における駆動対象となる画素ラインLを決定し、その画素ラインLに対応するアドレスを示すアドレス信号ADRを生成する。2つの走査部20L,20Rは、コントローラ40からの指示に基づいて、画素ラインL単位で、画素アレイ10における画素P1、遮光画素P2、およびダミー画素P3を順次駆動する。コントローラ40の電圧生成部42は、電圧信号SVRおよび電源電圧VDDを生成する。画素アレイ10は、信号SIGを読出部30に供給する。読出部30のAD変換部ADCは、信号SIGに基づいてAD変換を行うことにより、デジタルコードCODEを生成する。コントローラ40のカラム走査部43は、データ転送動作の対象となるAD変換部ADCを決定し、その決定結果に基づいて、制御信号SSWを生成する。読出部30のスイッチ部SWは、この制御信号SSWに基づいて、AD変換部ADCから出力されたデジタルコードCODEをバス配線100に供給する。このようにして、読出部30は、画像信号DATA0を生成する。コントローラ40の画像処理部44は、画像信号DATA0が示す画像に対して、所定の画像処理を行うことにより画像信号DATAを生成する。コントローラ40の診断処理部45は、アドレス信号ADRと、画像信号DATA0に基づいて診断処理を行い、診断結果RESを出力する。
撮像装置1において、通常画素領域R1における複数の画素P1は、受光量に応じて電荷を蓄積し、受光量に応じた画素電圧Vpixを信号SIGとして出力する。以下に、この動作について詳細に説明する。
次に、撮像装置1における診断処理について詳細に説明する。
以上のように本実施の形態では、ダミー画素領域を設け、画素ラインLのそれぞれにおいて、ダミー画素領域に複数のダミー画素を設け、この複数のダミー画素を、トランジスタTGのソースの接続先が異なる2種類の画素を用いて構成したので、自己診断を行うことにより、撮像装置の不具合を検出することができる。
上記実施の形態では、2つの走査部20L,20Rを設けたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、図15に示す撮像装置1Bのように、1つの走査部を設けてもよい。この撮像装置1Bは、1つの走査部20Lと、画素アレイ10Bと、読出部30Bと、コントローラ40Bとを備えている。すなわち、撮像装置1Bは、上記実施の形態に係る撮像装置1(図1)において、走査部20Rを省くとともに、画素アレイ10、読出部30、およびコントローラ40を、画素アレイ10B、読出部30B、およびコントローラ40Bにそれぞれ置き換えたものである。
上記実施の形態では、ダミー画素P3を、2つのダミー画素P3A,P3Bのいずれかを用いて構成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば3つ以上のダミー画素のいずれかを用いて構成してもよい。以下に、ダミー画素P3を4つのダミー画素P3C,P3D,P3E,P3Fを用いて構成した撮像装置1Cについて、詳細に説明する。
上記実施の形態では、ダミー画素P3の配列が示す情報がライン識別情報INFLを含むようにしたが、これに限定されるものではなく、例えば、図19に示したように、さらに他の情報をも含むようにしてもよい。この例では、ダミー画素P3の配列が示す情報は、ライン識別情報INFLに加え、各画素ラインLについての属性を示す、2ビットのライン属性情報INFPを含んでいる。このライン属性情報INFPは、例えば、その画素ラインLに係るカラーフィルタについての情報であってもよい。また、例えば、画素ラインLによって、画素の大きさが異なる場合には、ライン属性情報INFPは、画素の大きさについての情報であってもよい。また、例えば、画素ラインLによって、蓄積期間T10の長さが異なる場合には、ライン属性情報INFPは、蓄積期間T10の長さについての情報であってもよい。診断処理部45は、デジタルコードCODEに基づいてこのライン属性情報INFPを求め、このライン属性情報INFPを出力してもよい。
撮像装置1は、実装例E2(図8)に示したように、2つの半導体チップ201,202を互いに張り合わせることにより構成することができる。例えば、半導体チップ201の表面に銅(Cu)配線を形成するとともに、半導体チップ202の表面に銅配線を形成し、いわゆるCu−Cu接合によりこれらの銅配線を互いに接合させてもよい。以下に、この構成について詳細に説明する。
撮像装置1は、実装例E2(図8)に示したように、2つの半導体チップ201,202を互いに張り合わせることにより構成したが、これに限定されるものではなく、3つの半導体チップ(第1の半導体チップ501、第2の半導体チップ502、および第3の半導体チップ503)を積層することにより構成してもよい。
本実施の形態に係る撮像装置1にWCSP(Waferlevel Chip Size Package)を適用してもよい。以下に本変形例について詳細に説明する。
また、これらの変形例のうちの2以上を組み合わせてもよい。
次に、第2の実施の形態に係る撮像装置2について説明する。本実施の形態は、読出部にAD変換部ADCの識別情報を設定し、この識別情報を用いて診断処理を行うものである。なお、上記第1の実施の形態に係る撮像装置1と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
例えば、第1の実施の形態に係る技術と、第2の実施の形態に係る技術とを組み合わせてもよい。
上記実施の形態に係る撮像装置2に、上記第1の実施の形態の各変形例を適用してもよい。
図35は、上記実施の形態に係る撮像装置1,2の使用例を表すものである。上述した撮像装置1,2は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビジョンや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
第1の方向に延伸し、前記第1の画素回路、前記第2の画素回路、および前記第3の画素回路の前記第1の端子に接続された第1の制御線と、
前記第1の方向に延伸し、前記第1の画素回路、前記第2の画素回路、および前記第3の画素回路の前記第2の端子に接続された第2の制御線と、
前記第1の画素回路の前記第3の端子に接続された第1の電圧供給線と、
前記第2の画素回路の前記第3の端子に接続された第2の電圧供給線と、
前記第3の画素回路の前記第3の端子に接続された第1の受光素子と、
前記第1の画素回路の前記出力部から出力された第1の信号、および前記第2の画素回路の前記出力部から出力された第2の信号に基づいて診断処理を行うことが可能な診断部と
を備えた撮像装置。
(2)アドレス信号を生成可能なアドレス生成部と、
前記アドレス信号に基づいて、前記第1の制御線および前記第2の制御線を駆動可能な駆動部と
さらに備え、
前記診断部は、前記アドレス信号、前記第1の信号、および前記第2の信号に基づいて、前記診断処理を行う
前記(1)に記載の撮像装置。
(3)前記診断部は、
前記第1の信号に基づいてAD変換を行うことにより第1のデジタルコードを生成するとともに、前記第2の信号に基づいてAD変換を行うことにより第2のデジタルコードを生成することが可能な変換回路と、
前記アドレス信号、前記第1のデジタルコード、および前記第2のデジタルコードに基づいて前記診断処理を行うことが可能な診断回路と
を有する
前記(2)に記載の撮像装置。
(4)前記第1の制御線、前記第2の制御線、前記第1の電圧供給線、前記第2の電圧供給線、前記複数の画素回路、および前記第1の受光素子は、第1の半導体基板に形成され、
前記アドレス生成部および前記駆動部は、前記第1の半導体基板に貼り合わせられた第2の半導体基板に形成された
前記(2)または(3)に記載の撮像装置。
(5)前記複数の画素回路のそれぞれは、複数の画素ラインのいずれかに属し、
前記第1の画素回路、前記第2の画素回路、および前記第3の画素回路は、前記複数の画素ラインのうちの第1の画素ラインに属し、
前記複数の画素ラインのそれぞれには、前記第3の端子が前記第1の電圧供給線または前記第2の電圧供給線に接続された2以上の所定数の画素回路が属し、
前記複数の画素ラインの数は、前記所定数の画素回路における、前記第3の端子と前記第1の電圧供給線または前記第2の電圧供給線との接続の組み合わせで表現可能な数以下である
前記(1)から(4)のいずれかに記載の撮像装置。
(6)前記第1の画素ラインに属する前記所定数の画素回路における、前記第3の端子と前記第1の電圧供給線または前記第2の電圧供給線との接続の組み合わせが示す第1の情報は、前記第1の画素ラインを識別可能な第2の情報を含む
前記(5)に記載の撮像装置。
(7)前記第1の情報は、前記第1の画素ラインの属性を示す第3の情報をさらに含む
前記(6)に記載の撮像装置。
(8)前記第1の方向に延伸する第3の制御線および第4の制御線と、
前記第1の画素回路の前記出力部に接続された信号線と
さらに備え、
前記複数の画素回路は、第4の画素回路を含み、
前記第4の画素回路の前記第1の端子は、前記第3の制御線に接続され、
前記第4の画素回路の前記第2の端子は、前記第4の制御線に接続され、
前記第4の画素回路の前記出力部は、前記信号線に接続され、
前記第4の画素回路の前記第3の端子は、前記第2の電圧供給線に接続された
前記(1)から(7)のいずれかに記載の撮像装置。
(9)遮光された第2の受光素子をさらに備え、
前記複数の画素回路は、第5の画素回路を含み、
前記第5の画素回路の前記第1の端子は、前記第1の制御線に接続され、
前記第5の画素回路の前記第2の端子は、前記第2の制御線に接続され、
前記第5の画素回路の前記第3の端子は、前記第2の受光素子に接続された
前記(1)から(8)のいずれかに記載の撮像装置。
(10)第1の電圧および第2の電圧を有する第1の電圧信号を前記第1の電圧供給線に印加可能な電圧供給部をさらに備えた
前記(1)から(9)のいずれかに記載の撮像装置。
(11)前記第1の電圧は、前記所定の電圧であり、
前記第1の電圧信号は、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタの両方がオン状態になる第1の期間において前記第1の電圧を有し、前記第1の期間の期間外における第2の期間において前記第2の電圧を有する
前記(10)に記載の撮像装置。
(12)第3の電圧供給線を備え、
前記複数の画素回路は、第6の画素回路を含み、
前記第6の画素回路の前記第1の端子は、前記第1の制御線に接続され、
前記第6の画素回路の前記第2の端子は、前記第2の制御線に接続され、
前記第6の画素回路の前記第3の端子は、前記第3の電圧供給線に接続された
前記(1)から(11)のいずれかに記載の撮像装置。
(13)前記第1の制御線を駆動可能な第1の駆動部をさらに備え、
前記第1の制御線は、前記第1の駆動部が接続された第1の端部と、第2の端部とを有し、
前記第1の画素回路および前記第2の画素回路は、第1の領域に配置され、
前記第3の画素回路は、第2の領域に配置され、
前記第1の領域および前記第2の領域は、前記第2の端部から前記第1の端部に向かう方向に、この順に配置された
前記(1)から(12)のいずれかに記載の撮像装置。
(14)前記第1の制御線の前記第2の端部に接続され、前記第1の制御線を駆動可能な第2の駆動部をさらに備えた
前記(13)に記載の撮像装置。
(15)前記複数の画素回路は、第7の画素回路および第8の画素回路を含み、
前記第7の画素回路および前記第8の画素回路の前記第1の端子は、前記第1の制御線に接続され、
前記第7の画素回路および前記第8の画素回路の前記第2の端子は、前記第2の制御線に接続され、
前記第7の画素回路の前記第3の端子は、前記第1の電圧供給線に接続され、
前記第8の画素回路の前記第3の端子は、前記第2の電圧供給線に接続され、
前記第7の画素回路および前記第8の画素回路は、第3の領域に配置され、
前記第1の領域、前記第2の領域、および前記第3の領域は、前記第2の端部から前記第1の端部に向かう方向に、この順に配置された
前記(14)に記載の撮像装置。
(16)それぞれが、第1の端子と、第2の端子と、第3の端子と、電荷を蓄積可能な蓄積部と、前記第1の端子の電圧に基づいて前記第3の端子を前記蓄積部に接続可能な第1のトランジスタと、前記第2の端子の電圧に基づいて所定の電圧を前記蓄積部に供給可能な第2のトランジスタと、前記蓄積部における電圧に応じた信号を出力可能な出力部とを有し、第1の画素回路、第2の画素回路、および第3の画素回路を含む複数の画素回路と、
第1の方向に延伸し、前記第1の画素回路、前記第2の画素回路、および前記第3の画素回路の前記第1の端子に接続された第1の制御線と、
前記第1の方向に延伸し、前記第1の画素回路、前記第2の画素回路、および前記第3の画素回路の前記第2の端子に接続された第2の制御線と、
前記第1の画素回路の前記第3の端子に接続された第1の電圧供給線と、
前記第2の画素回路の前記第3の端子に接続された第2の電圧供給線と、
前記第3の画素回路の前記第3の端子に接続された第1の受光素子と
を備えた撮像装置。
(17)第1の画素回路と、
前記第1の画素回路に接続された第1の信号線と、
前記第1の信号線における信号に基づいてAD変換を行うことにより、第1のデジタルコードを生成可能な第1の変換回路と、
前記第1のデジタルコードが供給される第1の入力端子と、第1の固定デジタルコードが供給される第2の入力端子とを有し、前記第1のデジタルコードおよび前記第1の固定デジタルコードのうちのいずれか一方を選択して出力可能な第1のセレクタと、
前記第1のセレクタから出力されたデジタルコードを転送可能な転送部と、
前記転送部により転送された前記第1の固定デジタルコードに基づいて診断処理を行うことが可能な診断部と
を備えた撮像装置。
(18)第2の画素回路と、
前記第2の画素回路に接続された第2の信号線と、
前記第2の信号線における信号に基づいてAD変換を行うことにより、第2のデジタルコードを生成可能な第2の変換回路と、
前記第2のデジタルコードが供給される第1の入力端子と、第2の固定デジタルコードが供給される第2の入力端子とを有し、前記第2のデジタルコードおよび前記第2の固定デジタルコードのうちのいずれか一方を選択して出力可能な第2のセレクタと
をさらに備え、
前記第2の固定デジタルコードは、前記第1の固定デジタルコードと異なるデジタルコードであり、
前記転送部は、前記第2のセレクタから出力されたデジタルコードをさらに転送し、
前記診断部は、前記転送部により転送された前記第1の固定デジタルコードおよび前記第2の固定デジタルコードに基づいて前記診断処理を行う
前記(17)に記載の撮像装置。
(19)前記第1の固定デジタルコードは、前記第1の変換回路を識別可能な情報を含む
前記(17)または(18)に記載の撮像装置。
Claims (19)
- それぞれが、第1の端子と、第2の端子と、第3の端子と、電荷を蓄積可能な蓄積部と、前記第1の端子の電圧に基づいて前記第3の端子を前記蓄積部に接続可能な第1のトランジスタと、前記第2の端子の電圧に基づいて所定の電圧を前記蓄積部に供給可能な第2のトランジスタと、前記蓄積部における電圧に応じた信号を出力可能な出力部とを有し、第1の画素回路、第2の画素回路、および第3の画素回路を含む複数の画素回路と、
第1の方向に延伸し、前記第1の画素回路、前記第2の画素回路、および前記第3の画素回路の前記第1の端子に接続された第1の制御線と、
前記第1の方向に延伸し、前記第1の画素回路、前記第2の画素回路、および前記第3の画素回路の前記第2の端子に接続された第2の制御線と、
前記第1の画素回路の前記第3の端子に接続された第1の電圧供給線と、
前記第2の画素回路の前記第3の端子に接続された第2の電圧供給線と、
前記第3の画素回路の前記第3の端子に接続された第1の受光素子と、
前記第1の画素回路の前記出力部から出力された第1の信号、および前記第2の画素回路の前記出力部から出力された第2の信号に基づいて診断処理を行うことが可能な診断部と
を備えた撮像装置。 - アドレス信号を生成可能なアドレス生成部と、
前記アドレス信号に基づいて、前記第1の制御線および前記第2の制御線を駆動可能な駆動部と
さらに備え、
前記診断部は、前記アドレス信号、前記第1の信号、および前記第2の信号に基づいて、前記診断処理を行う
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記診断部は、
前記第1の信号に基づいてAD変換を行うことにより第1のデジタルコードを生成するとともに、前記第2の信号に基づいてAD変換を行うことにより第2のデジタルコードを生成することが可能な変換回路と、
前記アドレス信号、前記第1のデジタルコード、および前記第2のデジタルコードに基づいて前記診断処理を行うことが可能な診断回路と
を有する
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記第1の制御線、前記第2の制御線、前記第1の電圧供給線、前記第2の電圧供給線、前記複数の画素回路、および前記第1の受光素子は、第1の半導体基板に形成され、
前記アドレス生成部および前記駆動部は、前記第1の半導体基板に貼り合わせられた第2の半導体基板に形成された
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記複数の画素回路のそれぞれは、複数の画素ラインのいずれかに属し、
前記第1の画素回路、前記第2の画素回路、および前記第3の画素回路は、前記複数の画素ラインのうちの第1の画素ラインに属し、
前記複数の画素ラインのそれぞれには、前記第3の端子が前記第1の電圧供給線または前記第2の電圧供給線に接続された2以上の所定数の画素回路が属し、
前記複数の画素ラインの数は、前記所定数の画素回路における、前記第3の端子と前記第1の電圧供給線または前記第2の電圧供給線との接続の組み合わせで表現可能な数以下である
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の画素ラインに属する前記所定数の画素回路における、前記第3の端子と前記第1の電圧供給線または前記第2の電圧供給線との接続の組み合わせが示す第1の情報は、前記第1の画素ラインを識別可能な第2の情報を含む
請求項5に記載の撮像装置。 - 前記第1の情報は、前記第1の画素ラインの属性を示す第3の情報をさらに含む
請求項6に記載の撮像装置。 - 前記第1の方向に延伸する第3の制御線および第4の制御線と、
前記第1の画素回路の前記出力部に接続された信号線と
さらに備え、
前記複数の画素回路は、第4の画素回路を含み、
前記第4の画素回路の前記第1の端子は、前記第3の制御線に接続され、
前記第4の画素回路の前記第2の端子は、前記第4の制御線に接続され、
前記第4の画素回路の前記出力部は、前記信号線に接続され、
前記第4の画素回路の前記第3の端子は、前記第2の電圧供給線に接続された
請求項1に記載の撮像装置。 - 遮光された第2の受光素子をさらに備え、
前記複数の画素回路は、第5の画素回路を含み、
前記第5の画素回路の前記第1の端子は、前記第1の制御線に接続され、
前記第5の画素回路の前記第2の端子は、前記第2の制御線に接続され、
前記第5の画素回路の前記第3の端子は、前記第2の受光素子に接続された
請求項1に記載の撮像装置。 - 第1の電圧および第2の電圧を有する第1の電圧信号を前記第1の電圧供給線に印加可能な電圧供給部をさらに備えた
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の電圧は、前記所定の電圧であり、
前記第1の電圧信号は、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタの両方がオン状態になる第1の期間において前記第1の電圧を有し、前記第1の期間の期間外における第2の期間において前記第2の電圧を有する
請求項10に記載の撮像装置。 - 第3の電圧供給線を備え、
前記複数の画素回路は、第6の画素回路を含み、
前記第6の画素回路の前記第1の端子は、前記第1の制御線に接続され、
前記第6の画素回路の前記第2の端子は、前記第2の制御線に接続され、
前記第6の画素回路の前記第3の端子は、前記第3の電圧供給線に接続された
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の制御線を駆動可能な第1の駆動部をさらに備え、
前記第1の制御線は、前記第1の駆動部が接続された第1の端部と、第2の端部とを有し、
前記第1の画素回路および前記第2の画素回路は、第1の領域に配置され、
前記第3の画素回路は、第2の領域に配置され、
前記第1の領域および前記第2の領域は、前記第2の端部から前記第1の端部に向かう方向に、この順に配置された
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の制御線の前記第2の端部に接続され、前記第1の制御線を駆動可能な第2の駆動部をさらに備えた
請求項13に記載の撮像装置。 - 前記複数の画素回路は、第7の画素回路および第8の画素回路を含み、
前記第7の画素回路および前記第8の画素回路の前記第1の端子は、前記第1の制御線に接続され、
前記第7の画素回路および前記第8の画素回路の前記第2の端子は、前記第2の制御線に接続され、
前記第7の画素回路の前記第3の端子は、前記第1の電圧供給線に接続され、
前記第8の画素回路の前記第3の端子は、前記第2の電圧供給線に接続され、
前記第7の画素回路および前記第8の画素回路は、第3の領域に配置され、
前記第1の領域、前記第2の領域、および前記第3の領域は、前記第2の端部から前記第1の端部に向かう方向に、この順に配置された
請求項14に記載の撮像装置。 - それぞれが、第1の端子と、第2の端子と、第3の端子と、電荷を蓄積可能な蓄積部と、前記第1の端子の電圧に基づいて前記第3の端子を前記蓄積部に接続可能な第1のトランジスタと、前記第2の端子の電圧に基づいて所定の電圧を前記蓄積部に供給可能な第2のトランジスタと、前記蓄積部における電圧に応じた信号を出力可能な出力部とを有し、第1の画素回路、第2の画素回路、および第3の画素回路を含む複数の画素回路と、
第1の方向に延伸し、前記第1の画素回路、前記第2の画素回路、および前記第3の画素回路の前記第1の端子に接続された第1の制御線と、
前記第1の方向に延伸し、前記第1の画素回路、前記第2の画素回路、および前記第3の画素回路の前記第2の端子に接続された第2の制御線と、
前記第1の画素回路の前記第3の端子に接続された第1の電圧供給線と、
前記第2の画素回路の前記第3の端子に接続された第2の電圧供給線と、
前記第3の画素回路の前記第3の端子に接続された第1の受光素子と
を備えた撮像装置。 - 第1の画素回路と、
前記第1の画素回路に接続された第1の信号線と、
前記第1の信号線における信号に基づいてAD変換を行うことにより、第1のデジタルコードを生成可能な第1の変換回路と、
前記第1のデジタルコードが供給される第1の入力端子と、第1の固定デジタルコードが供給される第2の入力端子とを有し、前記第1のデジタルコードおよび前記第1の固定デジタルコードのうちのいずれか一方を選択して出力可能な第1のセレクタと、
前記第1のセレクタから出力されたデジタルコードを転送可能な転送部と、
前記転送部により転送された前記第1の固定デジタルコードに基づいて診断処理を行うことが可能な診断部と
を備えた撮像装置。 - 第2の画素回路と、
前記第2の画素回路に接続された第2の信号線と、
前記第2の信号線における信号に基づいてAD変換を行うことにより、第2のデジタルコードを生成可能な第2の変換回路と、
前記第2のデジタルコードが供給される第1の入力端子と、第2の固定デジタルコードが供給される第2の入力端子とを有し、前記第2のデジタルコードおよび前記第2の固定デジタルコードのうちのいずれか一方を選択して出力可能な第2のセレクタと
をさらに備え、
前記第2の固定デジタルコードは、前記第1の固定デジタルコードと異なるデジタルコードであり、
前記転送部は、前記第2のセレクタから出力されたデジタルコードをさらに転送し、
前記診断部は、前記転送部により転送された前記第1の固定デジタルコードおよび前記第2の固定デジタルコードに基づいて前記診断処理を行う
請求項17に記載の撮像装置。 - 前記第1の固定デジタルコードは、前記第1の変換回路を識別可能な情報を含む
請求項17に記載の撮像装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017234360 | 2017-12-06 | ||
JP2017234360 | 2017-12-06 | ||
PCT/JP2018/041307 WO2019111624A1 (ja) | 2017-12-06 | 2018-11-07 | 撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019111624A1 true JPWO2019111624A1 (ja) | 2020-12-10 |
JP7242551B2 JP7242551B2 (ja) | 2023-03-20 |
Family
ID=66750836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019558088A Active JP7242551B2 (ja) | 2017-12-06 | 2018-11-07 | 撮像装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11089293B2 (ja) |
EP (2) | EP3723361B1 (ja) |
JP (1) | JP7242551B2 (ja) |
CN (2) | CN111406403B (ja) |
WO (1) | WO2019111624A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210109775A (ko) * | 2020-02-28 | 2021-09-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 모니터링 방법 |
EP4037308A1 (fr) * | 2021-01-29 | 2022-08-03 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Capteurs d'images |
WO2023136093A1 (ja) * | 2022-01-13 | 2023-07-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、および電子機器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006120815A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置、カメラ、自動車および監視装置 |
JP2009118427A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP2014017834A (ja) * | 2013-08-26 | 2014-01-30 | Sony Corp | 固体撮像装置および電子機器 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2003900746A0 (en) * | 2003-02-17 | 2003-03-06 | Silverbrook Research Pty Ltd | Methods, systems and apparatus (NPS041) |
WO2002098112A2 (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-05 | Transchip, Inc. | Patent application cmos imager for cellular applications and methods of using such |
JP2004281014A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-07 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路 |
JP4337779B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2009-09-30 | ソニー株式会社 | 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに物理量分布検知の半導体装置 |
WO2006029394A2 (en) * | 2004-09-09 | 2006-03-16 | Transchip, Inc. | Imager flicker compensation systems and methods |
JP2008182330A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置の検査装置及び検査方法、並びに固体撮像装置 |
US8730330B2 (en) * | 2011-07-25 | 2014-05-20 | Aptina Imaging Corporation | Image sensors with dark pixels for real-time verification of imaging systems |
US8803979B2 (en) * | 2011-09-29 | 2014-08-12 | Aptina Imaging Corporation | Self test of image signal chain while running in streaming mode |
US8843343B2 (en) * | 2011-10-31 | 2014-09-23 | Aptina Imaging Corporation | Failsafe image sensor with real time integrity checking of pixel analog paths and digital data paths |
US9313485B2 (en) * | 2014-02-21 | 2016-04-12 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imagers with error checking capabilities |
JP6436953B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-12-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法、並びに撮像システム |
-
2018
- 2018-11-07 CN CN201880076273.0A patent/CN111406403B/zh active Active
- 2018-11-07 CN CN202310610710.5A patent/CN116600100A/zh active Pending
- 2018-11-07 EP EP18886897.0A patent/EP3723361B1/en active Active
- 2018-11-07 EP EP21207756.4A patent/EP3975551A1/en active Pending
- 2018-11-07 WO PCT/JP2018/041307 patent/WO2019111624A1/ja unknown
- 2018-11-07 JP JP2019558088A patent/JP7242551B2/ja active Active
- 2018-11-07 US US16/768,390 patent/US11089293B2/en active Active
-
2021
- 2021-07-13 US US17/374,499 patent/US20210409680A1/en active Pending
-
2023
- 2023-04-05 US US18/296,121 patent/US20230239460A1/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006120815A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置、カメラ、自動車および監視装置 |
JP2009118427A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP2014017834A (ja) * | 2013-08-26 | 2014-01-30 | Sony Corp | 固体撮像装置および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230239460A1 (en) | 2023-07-27 |
US11089293B2 (en) | 2021-08-10 |
US20210409680A1 (en) | 2021-12-30 |
EP3723361B1 (en) | 2021-12-29 |
JP7242551B2 (ja) | 2023-03-20 |
CN111406403B (zh) | 2023-06-23 |
CN116600100A (zh) | 2023-08-15 |
US20200322597A1 (en) | 2020-10-08 |
EP3723361A4 (en) | 2020-10-28 |
EP3723361A1 (en) | 2020-10-14 |
CN111406403A (zh) | 2020-07-10 |
WO2019111624A1 (ja) | 2019-06-13 |
EP3975551A1 (en) | 2022-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2017209221A1 (ja) | 撮像装置および撮像方法、カメラモジュール、並びに電子機器 | |
JP7078822B2 (ja) | 光検出装置および光検出システム | |
US20210409680A1 (en) | Imaging device | |
JP6953274B2 (ja) | 撮像システム及び撮像装置 | |
JPWO2019239722A1 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法 | |
JP2018093326A (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
JP6748622B2 (ja) | 撮像システムおよび撮像装置 | |
US11381764B2 (en) | Sensor element and electronic device | |
JP2019134318A (ja) | 撮像装置およびキャリブレーション方法 | |
WO2018142707A1 (ja) | 撮像システム及び撮像装置 | |
WO2018142706A1 (ja) | 撮像システム、撮像装置、及び制御装置 | |
US11381773B2 (en) | Imaging device | |
JP7098346B2 (ja) | 撮像装置および撮像システム | |
WO2022009530A1 (ja) | 撮像装置及び電子機器 | |
WO2021256031A1 (ja) | 固体撮像素子、および、撮像装置 | |
JP7129983B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP2022087529A (ja) | 撮像装置及び電子機器 | |
WO2020021945A1 (ja) | 撮像装置 | |
WO2019176194A1 (ja) | 信号処理装置、信号処理方法、及び信号処理システム | |
TWI840454B (zh) | 攝像裝置 | |
WO2018150790A1 (ja) | 撮像システムおよび撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230308 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7242551 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |