JPWO2019058490A1 - スイッチング素子制御回路及びパワーモジュール - Google Patents
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Abstract
Description
1.実施形態1に係るパワーモジュール1及びスイッチング素子制御回路100の構成
実施形態1に係るパワーモジュール1は、図1に示すように、スイッチング素子200と、スイッチング素子200のオン/オフ動作を制御する実施形態1に係るスイッチング素子制御回路100とを備える。実施形態1に係るパワーモジュール1は、高耐熱性・高絶縁性の樹脂やセラミックス等により形成されたパッケージで覆われている。実施形態1に係るパワーモジュール1には、直流の電源電圧VDDを入力する(+)側入力端子T1、接地側の(−)側入力端子T2、(+)側出力端子T3、接地側の(−)側出力端子T4、及び、駆動信号(例えば、ゲートパルス)Pgを入力する制御端子T5が設けられている。
ゲート電圧制御部10は、閾値電圧算出部40及び記憶部30と接続されている。ゲート電圧制御部10は、入力された駆動信号(例えば、ゲートパルス)Pgに基づいてスイッチング素子200のオン/オフを制御するためにゲート電圧を制御する。
温度検出部20は、温度検出素子22を有し、閾値電圧算出部40と接続されている。温度検出素子22としては、ダイオードやサーミスタ等適宜の温度検出素子を用いることができる。
記憶部30は、ゲート電圧制御部10及び閾値電圧算出部40と接続されている。記憶部30においては、スイッチング素子200の初期閾値電圧Vth0(あらかじめ設定した、使用するスイッチング素子200の閾値電圧の下限値)、及び、初期閾値電圧Vth0を測定したときのスイッチング素子200の初期温度T0(あらかじめ設定した、初期閾値電圧測定温度)を含む情報、並びに、スイッチング素子200における閾値電圧の温度特性に関する情報が、あらかじめ記憶されている。このため、スイッチング素子200をスイッチング素子制御回路100に組み込んだ後に初期閾値電圧Vth0、及び、初期温度T0を計測する必要がない。
まず、温度検出部20が温度検出素子22を介してスイッチング素子200の動作温度Tを検出する。
閾値電圧算出部40は、記憶部30から、スイッチング素子200の初期閾値電圧Vth0、初期閾値電圧Vth0を測定したときのスイッチング素子200の初期温度T0を含む情報、並びに、スイッチング素子200における閾値電圧の温度特性に関する情報を読み取るとともに、温度検出部20からスイッチング素子200の動作温度Tを読み取り、Vth=Vth0−α(T−T0)の特性式に代入し、動作時の閾値電圧Vthを算出する。
次に、ゲート電圧制御部10は、閾値電圧算出部40で算出された動作時の閾値電圧Vthに基づいて、当該閾値電圧Vthをわずかに超えるゲート電圧をゲート電極に印加する(図4(b)参照。)。このようにして、ゲート電極に印加するゲート電圧を決定する。
実施形態1に係るスイッチング素子制御回路100及びパワーモジュール1によれば、閾値電圧算出部40は、温度検出部20によって検出されたスイッチング素子200の動作温度Tを含む情報に基づいてスイッチング素子200の動作時の閾値電圧Vthを算出し、ゲート電圧制御部10は、スイッチング素子200をオン状態とするときに、閾値電圧算出部40によって算出された動作時の閾値電圧Vthに基づいてゲート電圧を制御するため、動作時のスイッチング素子200の動作温度Tが初期閾値電圧Vth0を測定したときのスイッチング素子200の初期温度T0よりも高くなることに起因して動作時の閾値電圧Vthが初期閾値電圧Vth0から変動する場合でも、動作時の閾値電圧Vthをわずかに超える電圧をゲート電極に印加することができる。従って、ターンオン期間及びターンオフ期間を短くすることができ、その結果、スイッチング損失を小さくすることができる。
実施形態2に係るスイッチング素子制御回路102は、基本的には実施形態1に係るスイッチング素子制御回路100と同様の構成を有するが、閾値電圧測定用電源、ドレイン電流検出部及びオン/オフ状態判定部をさらに備える点で実施形態1に係るスイッチング素子制御回路100の場合とは異なる。すなわち、実施形態2に係るスイッチング素子制御回路102は、スイッチング素子200の初期閾値電圧Vth0を測定する初期閾値電圧測定モードと、スイッチング素子200のオン/オフ動作を制御する制御モードとを切り替えて実施するスイッチング素子制御回路である(図5参照。)。
閾値電圧測定用スイッチ52としては、適宜のスイッチを用いることができ、例えば、フォトカプラを用いることができる。
ドレイン電流検出部(第1電極電流検出部)60は、スイッチング素子200のソース電極と接続され、初期閾値電圧測定モードにおいて、スイッチング素子200のドレイン電流(第1電極電流、ソース電流)Id、を検出する。また、ドレイン電流検出部60は、後述するオン/オフ状態判定部70と接続されている。なお、ドレイン電流検出部60は、スイッチング素子200のソース電極に接続した抵抗に電流を流して電圧に変換することによって計測しているが、適宜の検出装置を用いてもよい。
オン/オフ状態判定部70は、初期閾値電圧測定モードにおいて、ドレイン電流検出部60から受信した検出結果に基づいてスイッチング素子200のオン/オフ状態を判定する。オン/オフ状態判定部70は、ドレイン電流検出部60及びゲート電圧制御部10と接続されている。
記憶部30は、ゲート電圧制御部10及び閾値電圧算出部40だけでなく、温度検出部20とも接続されている。
(1)初期閾値電圧測定モード
初期閾値電圧測定モードは、スイッチング素子制御回路100に接続されたスイッチング素子200の初期閾値電圧Vth0を測定するモードである。このモードは、スイッチング素子制御回路102及びスイッチング素子200を駆動させる前に行う。
次に、ゲート電圧制御部10は、想定されている初期閾値電圧よりも低い電圧をゲート電極に印加するようにゲート電圧を制御する。このとき、ドレイン電流検出部60によってドレイン電流は検出されない(ドレイン電流の値が0である)ため、オン/オフ状態判定部70は、スイッチング素子200がオフ状態であると判定する。オン/オフ状態判定部70によってスイッチング素子200がオフ状態であると判定すると、ゲート電圧制御部10は、ゲート電圧が一段階高くなるようにゲート電圧を制御する(図7参照。)。
これを繰り返してゲート電圧を段階的に高くしていき(具体的には階段状に高くしていき)、ドレイン電流検出部60によってドレイン電流が検出されたとき(ドレイン電流の値が0でなくなったとき)、オン/オフ状態判定部70は、スイッチング素子200がオン状態であると判定する。このとき、温度検出部20によって検出されたスイッチング素子200の動作温度を初期温度T0として記憶部30へ送信するとともに、ゲート電圧制御部10は、ゲート電極に印加したゲート電圧Vgsを初期閾値電圧Vth0として記憶部30へ送信する。そして、記憶部30では、当該ゲート電圧Vgsを初期閾値電圧Vth0として記憶する。
制御モードにおいては、スイッチング素子をオン状態とするときに、初期閾値電圧測定モードにおいて測定された初期閾値電圧Vth0及びスイッチング素子200の初期温度T0、温度検出部20によって検出されたスイッチング素子200の動作温度T、あらかじめ記憶部30に記憶されているスイッチング素子における閾値電圧の温度特性に関する情報(温度係数α)に基づいて(Vth=Vth0−α(T−T0)の特性式に代入して)動作時の閾値電圧Vthを算出し、ゲート電圧制御部10は、閾値電圧算出部40で算出された動作時の閾値電圧Vthを、当該閾値電圧Vthをわずかに超えるゲート電圧をゲート電極に印加する(図4(b)参照。)。
特に、スイッチング素子200が(GaNを含む場合のように)ゲート電極の絶対最大定格電圧と閾値電圧との差が小さい場合であっても、実際の閾値電圧をわずかに超えるゲート電圧をゲート電極に印加することができるため、閾値電圧(設計上の閾値電圧)をわずかに超えるゲート電圧をゲート電極に印加してもスイッチング素子200がオン状態にならない現象が発生することを防ぐことができ、その結果、スイッチング素子200のオン/オフ動作を確実に制御することができる。
実施形態3に係るスイッチング素子制御回路(図示せず。)は、基本的には実施形態2に係るスイッチング素子制御回路102と同様の構成を有するが、温度特性算出部をさらに備える点で実施形態2に係るスイッチング素子制御回路102の場合とは異なる。すなわち、実施形態3に係るスイッチング素子制御回路は、制御モードを所定時間実施した後に、スイッチング素子200における閾値電圧の温度特性を測定する温度特性測定モードを実施するスイッチング素子制御回路である。
制御モードを所定時間実施した後に、駆動電源420から電流供給をしない状態で閾値電圧測定用電源50からスイッチング素子200のドレイン電極に閾値電圧測定用の電流を供給する(図8参照。)。
次に、ゲート電圧制御部10は、想定されている(動作時の)閾値電圧よりも低い電圧をゲート電極に印加するようにゲート電圧を制御する。このとき、ドレイン電流検出部60によってドレイン電流は検出されない(ドレイン電流の値が0である)ため、オン/オフ状態判定部70は、スイッチング素子200がオフ状態であると判定する。オン/オフ状態判定部70によってスイッチング素子200がオフ状態であると判定すると、ゲート電圧制御部10は、ゲート電圧が一段階高くなるようにゲート電圧を制御する(図7参照。)。
これを繰り返してゲート電圧が段階的に高くなるように(具体的には階段状に高くなるように)していき、ドレイン電流検出部60によってドレイン電流が検出されたとき(ドレイン電流の値が0でなくなったとき)、オン/オフ状態判定部70は、スイッチング素子200がオン状態であると判定する。このとき、温度検出部20で検出されたスイッチング素子200の動作温度T1を記憶部30へ送信し、記憶部30が記憶する。また、ゲート電圧制御部10は、ゲート電極に印加したゲート電圧Vgsを温度特性測定時閾値電圧Vth1として記憶部30へ送信し、記憶部30は、当該ゲート電圧Vgsを温度特性測定時閾値電圧Vth1として記憶する。
Claims (14)
- 第1電極と、第2電極と、第3電極とを備えるスイッチング素子のオン/オフ動作を制御するスイッチング素子制御回路であって、
前記スイッチング素子のオン/オフ動作を制御するために第3電極電圧を制御する第3電極電圧制御部と、
前記スイッチング素子の動作温度を検出する温度検出部と、
前記スイッチング素子の初期閾値電圧、及び、前記初期閾値電圧を測定したときの前記スイッチング素子の初期温度を含む情報、並びに、前記スイッチング素子における閾値電圧の温度特性に関する情報を記憶する記憶部と、
前記温度検出部によって検出された前記スイッチング素子の前記動作温度、前記初期閾値電圧、及び、前記初期閾値電圧を測定したときの前記スイッチング素子の初期温度を含む情報、並びに、前記スイッチング素子における閾値電圧の温度特性に関する情報に基づいて前記スイッチング素子の動作時の閾値電圧を算出する閾値電圧算出部とを備え、
前記第3電極電圧制御部は、前記スイッチング素子をオン状態とするときに、前記閾値電圧算出部によって算出された前記動作時の閾値電圧に基づいて前記第3電極電圧を制御することを特徴とするスイッチング素子制御回路。 - 前記スイッチング素子における閾値電圧の温度特性に関する情報は、前記スイッチング素子における閾値電圧の温度係数をαとし、動作時の閾値電圧をVthとし、前記初期閾値電圧をVth0とし、前記温度検出部によって検出された前記スイッチング素子の前記動作温度をTとし、前記初期閾値電圧を測定したときの前記スイッチング素子の初期温度をT0としたときに、Vth=Vth0−α(T−T0)の関係を満たす特性式であることを特徴とする請求項1に記載のスイッチング素子制御回路。
- 前記初期閾値電圧、及び、前記初期閾値電圧を測定したときの前記スイッチング素子の初期温度を含む情報、並びに、前記スイッチング素子における閾値電圧の温度特性に関する情報は、あらかじめ前記記憶部に記憶されたものであることを特徴とする請求項1又は2に記載のスイッチング素子制御回路。
- 前記スイッチング素子制御回路は、前記スイッチング素子の前記初期閾値電圧を測定する初期閾値電圧測定モードと、前記スイッチング素子のオン/オフ動作を制御する制御モードとを実施するスイッチング素子制御回路であって、
前記スイッチング素子の前記第1電極に閾値電圧測定用電流を供給する閾値電圧測定用電源と、
前記スイッチング素子を流れる第1電極電流を検出する第1電極電流検出部と、
前記スイッチング素子のオン/オフ状態を判定するオン/オフ状態判定部とをさらに備え、
前記初期閾値電圧測定モードにおいては、
前記第3電極電圧制御部は、前記第3電極電圧が段階的に高くなるように前記第3電極電圧を制御し、
前記オン/オフ状態判定部は、前記第1電極電流検出部で検出された前記第1電極電流に基づいて前記スイッチング素子がオンしたか否かを判定し、
前記記憶部は、前記オン/オフ状態判定部によって前記スイッチング素子がオン状態になったことを判定したときに、前記スイッチング素子の動作温度を記憶するとともに、前記第3電極に印加した第3電極電圧を前記スイッチング素子の前記初期閾値電圧として記憶することを特徴とする請求項1又は2に記載のスイッチング素子制御回路。 - 前記スイッチング素子制御回路は、前記制御モードを所定時間実施した後に、前記スイッチング素子における閾値電圧の温度特性を測定する温度特性測定モードをさらに実施するスイッチング素子制御回路であって、
前記スイッチング素子における閾値電圧の温度特性を算出する温度特性算出部をさらに備え、
前記温度特性測定モードにおいては、
前記第3電極電圧制御部は、前記第3電極電圧が段階的に高くなるように前記第3電極電圧を制御し、
前記オン/オフ状態判定部は、前記第1電極電流検出部で検出された前記第1電極電流に基づいて前記スイッチング素子がオンしたか否かを判定し、
前記記憶部は、前記オン/オフ状態判定部によって前記スイッチング素子がオン状態になったことを判定したときに、前記スイッチング素子の前記動作温度を記憶するとともに、前記第3電極に印加した前記第3電極電圧を前記スイッチング素子の温度特性測定時閾値電圧として記憶し、
前記温度特性算出部は、前記初期閾値電圧、前記初期閾値電圧を測定したときの前記スイッチング素子の初期温度、前記温度特性測定モードにおいて前記温度検出部によって検出された前記スイッチング素子の前記動作温度、及び、前記温度特性測定時閾値電圧を含む情報に基づいて前記スイッチング素子における閾値電圧の温度特性を算出することを特徴とする請求項4に記載のスイッチング素子制御回路。 - 前記第3電極電圧制御部は、前記初期閾値電圧測定モードにおいては、前記第3電極電圧が時間経過に伴って階段状に高くなるように前記第3電極電圧を制御することを特徴とする請求項4又は5に記載のスイッチング素子制御回路。
- 前記第3電極電圧制御部は、前記初期閾値電圧測定モードにおいては、前記第3電極電圧が、時間経過に伴って振幅の大きなパルスとなるパルス状の電圧になるように、前記第3電極電圧を制御することを特徴とする請求項4又は5に記載のスイッチング素子制御回路。
- 前記スイッチング素子制御回路は、前記スイッチング素子のオン/オフ動作を制御する制御モードを所定時間実施した後に、前記スイッチング素子における閾値電圧の温度特性を測定する温度特性測定モードを実施するスイッチング素子制御回路であって、
前記スイッチング素子の前記第1電極に閾値電圧測定用電流を供給する閾値電圧測定用電源と、
前記スイッチング素子を流れる第1電極電流を検出する第1電極電流検出部と、
前記スイッチング素子のオン/オフ状態を判定するオン/オフ状態判定部と、
前記スイッチング素子における閾値電圧の温度特性を算出する温度特性算出部とをさらに備え、
前記温度特性測定モードにおいては、
前記第3電極電圧制御部は、前記第3電極電圧が段階的に高くなるように前記第3電極電圧を制御し、
前記オン/オフ状態判定部は、前記第1電極電流検出部で検出された前記第1電極電流に基づいて前記スイッチング素子がオンしたか否かを判定し、
前記記憶部は、前記オン/オフ状態判定部によって前記スイッチング素子がオン状態になったことを判定したときに、前記第3電極に印加した前記第3電極電圧を前記スイッチング素子の温度特性測定時閾値電圧として記憶し、
前記温度特性算出部は、前記初期閾値電圧、前記初期閾値電圧を測定したときの前記スイッチング素子の初期温度、前記温度特性測定モードにおいて前記温度検出部によって検出された前記スイッチング素子の前記動作温度、及び、前記温度特性測定時閾値電圧を含む情報に基づいて前記スイッチング素子における閾値電圧の温度特性を算出することを特徴とする請求項1又は2に記載のスイッチング素子制御回路。 - 前記第3電極電圧制御部は、前記温度特性測定モードにおいては、前記第3電極電圧が時間経過に伴って階段状に高くなるように前記第3電極電圧を制御することを特徴とする請求項8に記載のスイッチング素子制御回路。
- 前記第3電極電圧制御部は、前記温度特性測定モードにおいては、前記第3電極電圧が、時間経過に伴って振幅の大きなパルスとなるパルス状の電圧になるように、前記第3電極電圧を制御することを特徴とする請求項8に記載のスイッチング素子制御回路。
- 前記スイッチング素子における閾値電圧の温度特性に関する情報は、あらかじめ前記記憶部に記憶された温度−閾値電圧の関係を示すデータであることを特徴とする請求項1に記載のスイッチング素子制御回路。
- 前記スイッチング素子は、MOSFET、IGBT又はHEMTであることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載のスイッチング素子制御回路。
- 前記スイッチング素子は、GaN、SiC又はGa2O3を含む材料により形成されたものであることを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載のスイッチング素子制御回路。
- 第1電極と、第2電極と、第3電極とを備えるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子のオン/オフ動作を制御する、請求項1〜13のいずれかに記載のスイッチング素子制御回路とを備えることを特徴とするパワーモジュール。
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7279502B2 (ja) | 2019-05-14 | 2023-05-23 | 株式会社デンソー | スイッチング回路とゲート駆動回路 |
CN116015261B (zh) * | 2023-03-23 | 2023-07-18 | 派恩杰半导体(杭州)有限公司 | 基于SiC功率器件的阈值电压保护电路及方法 |
CN117997325A (zh) * | 2024-04-03 | 2024-05-07 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 | 一种氮化镓器件的控制电路及电子装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080007318A1 (en) * | 2004-04-26 | 2008-01-10 | Letourneau Technologies Drilling Systems, Inc. | Adaptive gate drive for switching devices of inverter |
EP2178211A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-21 | ABB Oy | Method and arrangement for controlling semiconductor component |
JP2012157223A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Denso Corp | 電子装置 |
JP2013099181A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Toyota Central R&D Labs Inc | 駆動回路 |
JP2014060594A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Denso Corp | スイッチング素子駆動ic |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3384522B2 (ja) * | 1996-07-30 | 2003-03-10 | 矢崎総業株式会社 | スイッチング装置 |
JP3601310B2 (ja) * | 1997-11-06 | 2004-12-15 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | パワーデバイスの駆動回路 |
JP2005151631A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および過電流の基準レベルのデータ設定方法 |
JP4762929B2 (ja) * | 2007-02-14 | 2011-08-31 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体電力変換装置 |
JP5189929B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2013-04-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体スイッチ制御装置 |
US20120242376A1 (en) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | Denso Corporation | Load drive apparatus and semiconductor switching device drive apparatus |
WO2012153459A1 (ja) | 2011-05-11 | 2012-11-15 | 富士電機株式会社 | 絶縁ゲート型スイッチング素子の駆動回路 |
US9030054B2 (en) * | 2012-03-27 | 2015-05-12 | Raytheon Company | Adaptive gate drive control method and circuit for composite power switch |
JP2015012706A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | トランジスタの駆動回路及びそれを用いた半導体遮断器並びにその遮断制御方法 |
JP6187428B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2017-08-30 | 株式会社デンソー | 駆動装置 |
JP6090256B2 (ja) * | 2014-08-05 | 2017-03-08 | 株式会社デンソー | 半導体スイッチング素子の駆動回路及び半導体スイッチング素子モジュール |
JP2016095366A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-26 | 株式会社Joled | 表示装置およびその駆動方法 |
JP6575230B2 (ja) * | 2015-02-24 | 2019-09-18 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の駆動装置 |
JP6304072B2 (ja) * | 2015-02-27 | 2018-04-04 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 遮断装置、遮断方法及びコンピュータプログラム |
JP6669097B2 (ja) * | 2017-02-14 | 2020-03-18 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 給電制御装置 |
US10171069B1 (en) * | 2018-01-26 | 2019-01-01 | General Electric Company | Switch controller for adaptive reverse conduction control in switch devices |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080007318A1 (en) * | 2004-04-26 | 2008-01-10 | Letourneau Technologies Drilling Systems, Inc. | Adaptive gate drive for switching devices of inverter |
EP2178211A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-21 | ABB Oy | Method and arrangement for controlling semiconductor component |
JP2012157223A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Denso Corp | 電子装置 |
JP2013099181A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Toyota Central R&D Labs Inc | 駆動回路 |
JP2014060594A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Denso Corp | スイッチング素子駆動ic |
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