JPWO2019021975A1 - 極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物、極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜及びパターン形成方法 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 156
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 154
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 158
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 129
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 120
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 56
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 55
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- -1 alkylene glycol monoalkyl ether Chemical class 0.000 claims description 39
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 35
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 27
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 19
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 19
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 14
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims description 12
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 claims description 10
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 claims description 7
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims description 7
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 claims description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000007942 carboxylates Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 4
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 claims 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 44
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 36
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 26
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 25
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 19
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 19
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical group CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 8
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 5
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N Titanium ion Chemical compound [Ti+4] LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 4
- VURFVHCLMJOLKN-UHFFFAOYSA-N diphosphane Chemical compound PP VURFVHCLMJOLKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N isoamyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCCC(C)C XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003903 lactic acid esters Chemical class 0.000 description 4
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRFNSWBVXHLTCI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]benzene Chemical compound CC(C)(C)OC1=CC=C(C=C)C=C1 GRFNSWBVXHLTCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)=O DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PORDNMGARGCHNL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybenzoic acid;sulfane Chemical compound S.OC(=O)C1=CC=CC=C1O PORDNMGARGCHNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N Acetoacetic acid Natural products CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940093858 ethyl acetoacetate Drugs 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OVSGBKZKXUMMHS-VGKOASNMSA-L (z)-4-oxopent-2-en-2-olate;propan-2-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(C)[O-].CC(C)[O-].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O OVSGBKZKXUMMHS-VGKOASNMSA-L 0.000 description 2
- LVEYOSJUKRVCCF-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(diphenylphosphino)propane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LVEYOSJUKRVCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)CO QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMFWEWMHABZQNB-UHFFFAOYSA-N 6-acetyloxyhexyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCCCCCOC(C)=O ZMFWEWMHABZQNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100434207 Arabidopsis thaliana ACT8 gene Proteins 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WEEGYLXZBRQIMU-UHFFFAOYSA-N Eucalyptol Chemical compound C1CC2CCC1(C)OC2(C)C WEEGYLXZBRQIMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMDCZENCAXMSOU-UHFFFAOYSA-N N-ethylacetamide Chemical compound CCNC(C)=O PMDCZENCAXMSOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N Propionic acid Chemical group CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N caprylic alcohol Natural products CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical compound C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N dibenzyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1COCC1=CC=CC=C1 MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012156 elution solvent Substances 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N furfural Chemical compound O=CC1=CC=CO1 HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N gamma-valerolactone Chemical compound CC1CCC(=O)O1 GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N nonyl acetate Chemical compound CCCCCCCCCOC(C)=O GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- PHXATPHONSXBIL-UHFFFAOYSA-N xi-gamma-Undecalactone Chemical compound CCCCCCCC1CCC(=O)O1 PHXATPHONSXBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene Chemical compound [Fe+2].C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGCDBGRZEKYHNV-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(diphenylphosphino)methane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XGCDBGRZEKYHNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFMZQPDHXULLKC-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QFMZQPDHXULLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 1
- LORVPHHKJFSORQ-UHFFFAOYSA-N 1-[1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-yloxy]propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)O LORVPHHKJFSORQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 1-phenoxypropan-2-ol Chemical compound CC(O)COC1=CC=CC=C1 IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHJYHAOODFPJOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethylhexoxy)ethanol Chemical compound CCCCC(CC)COCCO OHJYHAOODFPJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHAPGMVKBLELOE-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylpropoxy)ethanol Chemical compound CC(C)COCCO HHAPGMVKBLELOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUAURMBNZUCEAF-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenoxyethoxy)ethanol Chemical compound OCCOCCOC1=CC=CC=C1 ZUAURMBNZUCEAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJVNVNLFZQFJHU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylmethoxyethoxy)ethanol Chemical compound OCCOCCOCC1=CC=CC=C1 LJVNVNLFZQFJHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRWADRITRNUCIY-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propan-2-yloxyethoxy)ethanol Chemical compound CC(C)OCCOCCO HRWADRITRNUCIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutyl acetate Chemical compound CCC(CC)COC(C)=O HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OADIZUFHUPTFAG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethylhexoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCC(CC)COCCOCCO OADIZUFHUPTFAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTIFIMHZHDNQZ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methylpropoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CC(C)COCCOCCO YJTIFIMHZHDNQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1-butanol Chemical compound CCC(CC)CO TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl acetate Chemical compound CCCCC(CC)COC(C)=O WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNKAANHOVFZAMR-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxycyclohexanecarboxylic acid Chemical compound OC1CCCCC1C(O)=O SNKAANHOVFZAMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-pentanol Chemical compound CCCC(C)CO PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical compound CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUZKCNWZBXLAJX-UHFFFAOYSA-N 2-phenylmethoxyethanol Chemical compound OCCOCC1=CC=CC=C1 CUZKCNWZBXLAJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCYHRYNSUGLLMA-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoxyethanol Chemical compound OCCOCC=C GCYHRYNSUGLLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUARKOVVHJSMRW-UHFFFAOYSA-N 3-ethylpentane-2,4-dione Chemical compound CCC(C(C)=O)C(C)=O GUARKOVVHJSMRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSOHKPVFCOWKPU-UHFFFAOYSA-N 3-methylpentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)C(C)C(C)=O GSOHKPVFCOWKPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHLVCLIPMVJYKS-UHFFFAOYSA-N 3-octanone Chemical compound CCCCCC(=O)CC RHLVCLIPMVJYKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMLBDDCTBHGHEO-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybutyl acetate Chemical compound COCCCCOC(C)=O LMLBDDCTBHGHEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPQAKYPOZRXKFA-UHFFFAOYSA-N 6-Undecanone Chemical compound CCCCCC(=O)CCCCC ZPQAKYPOZRXKFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100215341 Arabidopsis thaliana ACT12 gene Proteins 0.000 description 1
- AXPZDYVDTMMLNB-UHFFFAOYSA-N Benzyl ethyl ether Chemical compound CCOCC1=CC=CC=C1 AXPZDYVDTMMLNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical group CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORHYXQSHTBKJCB-UHFFFAOYSA-N C(C(=C)C)(=O)OCCC[Zr](OC)(CCCOC(C(=C)C)=O)CCCOC(C(=C)C)=O Chemical compound C(C(=C)C)(=O)OCCC[Zr](OC)(CCCOC(C(=C)C)=O)CCCOC(C(=C)C)=O ORHYXQSHTBKJCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDXUPQNIQZEZEK-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OCCC[Zr](OC)(CCCOC(C=C)=O)CCCOC(C=C)=O Chemical compound C(C=C)(=O)OCCC[Zr](OC)(CCCOC(C=C)=O)CCCOC(C=C)=O YDXUPQNIQZEZEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZRDIAGXHRMATI-UHFFFAOYSA-N C(CC(=O)C)(=O)OCC(OC(C)C)OC(C)C.[Al+3] Chemical compound C(CC(=O)C)(=O)OCC(OC(C)C)OC(C)C.[Al+3] PZRDIAGXHRMATI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCKJDVIQGQNAPR-UHFFFAOYSA-N CO[Ti](OC)(OC)CCCN Chemical compound CO[Ti](OC)(OC)CCCN CCKJDVIQGQNAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKNNKKIXOGBXGM-UHFFFAOYSA-N CO[Zr](CCC1CCC2OC2C1)(OC)OC Chemical compound CO[Zr](CCC1CCC2OC2C1)(OC)OC NKNNKKIXOGBXGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMFPJCBCDBWIFC-UHFFFAOYSA-N CO[Zr](CCCOCC1CO1)(OC)OC Chemical compound CO[Zr](CCCOCC1CO1)(OC)OC MMFPJCBCDBWIFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N Cyclohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCC1 YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N Diisoamyl ether Chemical compound CC(C)CCOCCC(C)C AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Natural products OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBJFQUCMXXPEEQ-UHFFFAOYSA-N NCCC[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical compound NCCC[Zr](OCC)(OCC)OCC SBJFQUCMXXPEEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100107923 Vitis labrusca AMAT gene Proteins 0.000 description 1
- NMLZYEWNUCRSRJ-UHFFFAOYSA-L [1-(2-diphenylphosphanylnaphthalen-1-yl)naphthalen-2-yl]-diphenylphosphane;ruthenium(2+);diacetate Chemical compound [Ru+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O.C1=CC=CC=C1P(C=1C(=C2C=CC=CC2=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NMLZYEWNUCRSRJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VFFJGRABRBMKGA-UHFFFAOYSA-N [N+](#[C-])CCC[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound [N+](#[C-])CCC[Zr](OC)(OC)OC VFFJGRABRBMKGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRCRLLCHKROABH-UHFFFAOYSA-N [W+5].C[O-].C[O-].C[O-].C[O-].C[O-] Chemical compound [W+5].C[O-].C[O-].C[O-].C[O-].C[O-] XRCRLLCHKROABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZRYQDCKIPGLSI-UHFFFAOYSA-N [W+6].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] Chemical compound [W+6].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] CZRYQDCKIPGLSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- HDYRYUINDGQKMC-UHFFFAOYSA-M acetyloxyaluminum;dihydrate Chemical compound O.O.CC(=O)O[Al] HDYRYUINDGQKMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 229940009827 aluminum acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- VEZXCJBBBCKRPI-UHFFFAOYSA-N beta-propiolactone Chemical compound O=C1CCO1 VEZXCJBBBCKRPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKEGKURXFKLBDX-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;hafnium Chemical compound [Hf].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO CKEGKURXFKLBDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- SYTWXWRJCLAZFP-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+);2-diphenylphosphanylethyl(diphenyl)phosphane;dichloride Chemical compound Cl[Co]Cl.C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 SYTWXWRJCLAZFP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 150000005676 cyclic carbonates Chemical group 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSECQQNIMXMFHP-UHFFFAOYSA-L cyclopenta-1,3-diene;dichlorotungsten Chemical compound [Cl-].[Cl-].[W+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 DSECQQNIMXMFHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K diacetyloxyindiganyl acetate Chemical compound [In+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N diethylazanide Chemical compound CC[N-]CC UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide Chemical compound C[N-]C QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004914 dipropylamino group Chemical group C(CC)N(CCC)* 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002168 ethanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- FIYYPCHPELXPMO-UHFFFAOYSA-N ethanol tungsten Chemical compound [W].CCO.CCO.CCO.CCO.CCO.CCO FIYYPCHPELXPMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFIMXCBKRLYJQO-UHFFFAOYSA-N ethanolate;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] BFIMXCBKRLYJQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PHXATPHONSXBIL-JTQLQIEISA-N gamma-Undecalactone Natural products CCCCCCC[C@H]1CCC(=O)O1 PHXATPHONSXBIL-JTQLQIEISA-N 0.000 description 1
- 229940020436 gamma-undecalactone Drugs 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- GVOLZAKHRKGRRM-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4] GVOLZAKHRKGRRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMKGKDSPHSNMTM-UHFFFAOYSA-N hafnium;propan-2-ol Chemical compound [Hf].CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O HMKGKDSPHSNMTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N heptanoic acid Chemical group CCCCCCC(O)=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N hexamethylbenzene Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C1C YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHMBHFSEKCCCBW-UHFFFAOYSA-N hexane-2,5-diol Chemical compound CC(O)CCC(C)O OHMBHFSEKCCCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N methyl 2-cyclohexylacetate Chemical compound COC(=O)CC1CCCCC1 IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N methylazanide Chemical compound [NH-]C MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFWSQSCIDYBUOU-UHFFFAOYSA-N methylcyclopentadiene Chemical compound CC1=CC=CC1 NFWSQSCIDYBUOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940017144 n-butyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N nonan-5-one Chemical compound CCCCC(=O)CCCC WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N nonanoic acid Chemical group CCCCCCCCC(O)=O FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N norbornadiene Chemical compound C1=CC2C=CC1C2 SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N octan-2-ol Chemical compound CCCCCCC(C)O SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003901 oxalic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- WQIQNKQYEUMPBM-UHFFFAOYSA-N pentamethylcyclopentadiene Chemical compound CC1C(C)=C(C)C(C)=C1C WQIQNKQYEUMPBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N pentamethylene Natural products C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTCCGKPBSJZVRZ-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)O GTCCGKPBSJZVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003151 propanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 229960000380 propiolactone Drugs 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003902 salicylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- IAHFWCOBPZCAEA-UHFFFAOYSA-N succinonitrile Chemical compound N#CCCC#N IAHFWCOBPZCAEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 150000008053 sultones Chemical group 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N tantalum(v) ethoxide Chemical compound [Ta+5].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKLMYPSYVKAPOX-UHFFFAOYSA-N tetra(propan-2-yloxy)germane Chemical compound CC(C)O[Ge](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C PKLMYPSYVKAPOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKSLEHEVAWOTJ-UHFFFAOYSA-N tetrabutoxystannane Chemical compound CCCCO[Sn](OCCCC)(OCCCC)OCCCC PYKSLEHEVAWOTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N tetraethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)indigane Chemical compound [In+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L zinc acetate Chemical compound [Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HKIRVJCLEHCVAL-UHFFFAOYSA-N zinc;propan-2-olate Chemical compound CC(C)O[Zn]OC(C)C HKIRVJCLEHCVAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBNDTYKAOXLLID-UHFFFAOYSA-N zirconium(4+) ion Chemical compound [Zr+4] GBNDTYKAOXLLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
当該膜形成組成物は、[A]化合物と[B]溶媒とを含有する。当該膜形成組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について説明する。
[A]化合物は、金属−酸素共有結合を有する化合物である。[A]化合物は、塩などのイオン性化合物ではないことが好ましい。[A]化合物は、金属−酸素共有結合を有するので、露光により[A]化合物の構造が変化する及び/又は金属原子に結合する基が変わることにより、現像液への溶解性を変化させることができ、これによりパターンを形成することができる。
第4族の金属元素(a)としては、例えばチタン、ジルコニウム、ハフニウム等が、
第5族の金属元素(a)としては、例えばバナジウム、ニオブ、タンタル等が、
第6族の金属元素(a)としては、例えばクロム、モリブデン、タングステン等が、
第7族の金属元素(a)としては、マンガン、レニウム等が、
第8族の金属元素(a)としては、鉄、ルテニウム、オスミウム等が、
第9族の金属元素(a)としては、コバルト、ロジウム、イリジウム等が、
第10族の金属元素(a)としては、ニッケル、パラジウム、白金等が、
第11族の金属元素(a)としては、銅、銀、金等が、
第12族の金属元素(a)としては、亜鉛、カドミウム、水銀等が、
第13族の金属元素(a)としては、アルミニウム、ガリウム、インジウム等が、
第14族の金属元素(a)としては、ゲルマニウム、スズ、鉛等が、
第15族の金属元素(a)としては、アンチモン、ビスマス等が挙げられる。
[A]化合物としては、市販の金属化合物を用いることもできるが、例えば加水分解性基を有する金属含有化合物(以下、「[b]金属含有化合物」ともいう)を用い、加水分解縮合反応を行う方法等により合成することができる。すなわち、[A]化合物は、[b]金属含有化合物に由来するものとすることができる。ここで「加水分解縮合反応」とは、[b]金属含有化合物が有する加水分解性基が加水分解して−OHに変換され、得られた2個の−OHが脱水縮合して−O−が形成される反応をいう。
[b]金属含有化合物は、加水分解性基を有する金属化合物(以下、「金属化合物(I)」ともいう)、金属化合物(I)の加水分解物、金属化合物(I)の加水分解縮合物又はこれらの組み合わせである。金属化合物(I)は、1種単独で又は2種以上組み合わせて使用できる。
チタンを含む化合物として、ジイソプロポキシビス(2,4−ペンタンジオナート)チタン(IV)、テトラn−ブトキシチタン(IV)、テトラn−プロポキシチタン(IV)、トリn−ブトキシモノステアレートチタン(IV)、チタン(IV)ブトキシドオリゴマー、アミノプロピルトリメトキシチタン(IV)、トリエトキシモノ(2,4−ペンタンジオナート)チタン(IV)、トリn−プロポキシモノ(2,4−ペンタンジオナート)チタン(IV)、トリイソプロポキシモノ(2,4−ペンタンジオナート)チタン、ジn−ブトキシビス(2,4−ペンタンジオナート)チタン(IV)等が、
ジルコニウムを含む化合物として、ジブトキシビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム(IV)、ジn−ブトキシビス(2,4−ペンタンジオナート)ジルコニウム(IV)、テトラn−ブトキシジルコニウム(IV)、テトラn−プロポキシジルコニウム(IV)、テトライソプロポキシジルコニウム(IV)、アミノプロピルトリエトキシジルコニウム(IV)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシジルコニウム(IV)、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシジルコニウム(IV)、3−イソシアノプロピルトリメトキシジルコニウム(IV)、トリエトキシモノ(2,4−ペンタンジオナート)ジルコニウム(IV)、トリn−プロポキシモノ(2,4−ペンタンジオナート)ジルコニウム(IV)、トリイソプロポキシモノ(2,4−ペンタンジオナート)ジルコニウム(IV)、トリ(3−メタクリロキシプロピル)メトキシジルコニウム(IV)、トリ(3−アクリロキシプロピル)メトキシジルコニウム(IV)等が、
ハフニウムを含む化合物として、ジイソプロポキシビス(2,4−ペンタンジオナート)ハフニウム(IV)、テトラブトキシハフニウム(IV)、テトライソプロポキシハフニウム(IV)、テトラエトキシハフニウム(IV)、ジクロロビス(シクロペンタジエニル)ハフニウム(IV)等が、
タンタルを含む化合物として、テトラブトキシタンタル(IV)、ペンタブトキシタンタル(V)、ペンタエトキシタンタル(V)等が、
タングステンを含む化合物として、テトラブトキシタングステン(IV)、ペンタブトキシタングステン(V)、ペンタメトキシタングステン(V)、ヘキサブトキシタングステン(VI)、ヘキサエトキシタングステン(VI)、ジクロロビス(シクロペンタジエニル)タングステン(IV)等が、
鉄を含む化合物として、塩化鉄(III)等が、
ルテニウムを含む化合物として、ジアセタト[(S)−(−)−2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル]ルテニウム(II)等が、
コバルトを含む化合物として、ジクロロ[エチレンビス(ジフェニルホスフィン)]コバルト(II)等が、
亜鉛を含む化合物として、ジイソプロポキシ亜鉛(II)、酢酸亜鉛(II)等が、
アルミニウムを含む化合物として、ジイソプロポキシエチルアセトアセテートアルミニウム(III)、酢酸アルミニウム(III)等が、
インジウムを含む化合物として、酢酸インジウム(III)、トリイソプロポキシインジウム(III)等が、
スズを含む化合物として、テトラエチルジアセトキシスタノキサン、テトラブトキシスズ(IV)、テトライソプロポキシスズ(IV)、t−ブチルトリス(ジエチルアミド)スズ(IV)等が、
ゲルマニウムを含む化合物として、テトライソプロポキシゲルマニウム(IV)等が挙げられる。
[B]溶媒は、[A]化合物及び必要に応じて含有される任意成分を溶解又は分散する。[B]溶媒は、(B1)溶媒成分及び(B2)溶媒成分を含む。また、[B]溶媒は、アルコール系溶媒を含み、上記[B]溶媒中の上記アルコール系溶媒の含有率が30質量%以上である。[B]溶媒は、本発明の効果を損なわない範囲で、(B1)溶媒成分及び(B2)溶媒成分以外のその他の溶媒成分を含んでいてもよい。上記各溶媒成分は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
以下、各溶媒成分について詳述する。
(B1)溶媒成分は、標準沸点が160℃未満である溶媒である。
モノアルコール類として、メタノール(沸点:65℃)、エタノール(沸点:78℃)、n−プロパノール(沸点:97℃)、iso−プロパノール(沸点:82℃)、n−ブタノール(沸点:117℃)、iso−ブタノール(沸点:108℃)、sec−ブタノール(沸点:99℃)、tert−ブタノール(沸点:82℃)、n−ペンタノール(沸点:138℃)、iso−ペンタノール(沸点:132℃)、2−メチルブタノール(沸点:136℃)、sec−ペンタノール(沸点:118℃)、tert−ペンタノール(沸点:102℃)、2−メチルペンタノール(沸点:148℃)、2−エチルブタノール(沸点:146℃)、3−メトキシブタノール(沸点:157℃)、n−ヘキサノール(沸点:157℃)等が、
アルキレングリコールモノアルキルエーテル類として、エチレングリコールモノメチルエーテル(沸点:125℃)、エチレングリコールモノエチルエーテル(沸点:135℃)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(沸点:121℃)、プロピレングリコールモノエチルエーテル(沸点:133℃)、プロピレングリコールモノプロピルエーテル(沸点:149.8℃)等が挙げられる。
上記カルボン酸エステル類としては、例えば
プロピオン酸エステル類として、プロピオン酸iso−アミル(沸点:156℃)等が、
乳酸エステル類として、乳酸エチル(沸点:151℃)等が挙げられる。
アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類として、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート(沸点:145℃)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(沸点:146℃)等が挙げられる。
(B2)溶媒成分は、標準沸点が160℃以上400℃未満である溶媒である。
カルボン酸エステル類として、例えば酢酸2−エチルブチル(沸点:160℃)、酢酸2−エチルヘキシル(沸点:199℃)、酢酸ベンジル(沸点:212℃)、酢酸シクロヘキシル(沸点:172℃)、酢酸メチルシクロヘキシル(沸点:201℃)、酢酸n−ノニル(沸点:208℃)、1,6−ジアセトキシヘキサン(沸点:260℃)等の酢酸エステル、アセト酢酸メチル(沸点:169℃)、アセト酢酸エチル(沸点:181℃)等のアセト酢酸エステル、プロピオン酸iso−アミル(沸点:156℃)等のプロピオン酸エステル、シュウ酸ジエチル(沸点:185℃)、シュウ酸ジn−ブチル(沸点:239℃)等のシュウ酸エステル、乳酸n−ブチル(沸点:185℃)等の乳酸エステル、マロン酸ジエチル(沸点:199℃)等のマロン酸エステル、フタル酸ジメチル(沸点:283℃)等のフタル酸エステル、β−プロピオラクトン(沸点:162℃)、γ−ブチロラクトン(沸点:204℃)、γ−バレロラクトン(沸点:207℃)、γ−ウンデカラクトン(沸点:286℃)等のラクトンなどが挙げられる。
モノアルコール類として、n−オクタノール(沸点:194℃)、sec−オクタノール(沸点:174℃)、n−ノニルアルコール(沸点:215℃)、n−デカノール(沸点:228℃)、フェノール(沸点:182℃)、シクロヘキサノール(沸点:161℃)、ベンジルアルコール(沸点:205℃)等が、
多価アルコール類として、例えばエチレングリコール(沸点:197℃)、1,2−プロピレングリコール(沸点:188℃)、1,3−ブチレングリコール(沸点:208℃)、2,4−ペンタンジオール(沸点:201℃)、2−メチル−2,4−ペンタンジオール(沸点:196℃)、2,5−ヘキサンジオール(沸点:216℃)、トリエチレングリコール(沸点:165℃)、ジプロピレングリコール(沸点:230℃)等が、
多価アルコール部分エーテル類として、エチレングリコールモノブチルエーテル(沸点:171℃)、エチレングリコールモノフェニルエーテル(沸点:244℃)、ジエチレングリコールモノメチルエーテル(沸点:194℃)、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(沸点:202℃)、トリエチレングリコールモノメチルエーテル(沸点:249℃)、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル(沸点:207℃)、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(沸点:231℃)、トリエチレングリコールモノブチルエーテル(沸点:271℃)、エチレングリコールモノイソブチルエーテル(沸点:161℃)、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル(沸点:220℃)、エチレングリコールモノヘキシルエーテル(沸点:208℃)、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(沸点:259℃)、エチレングリコールモノ2−エチルヘキシルエーテル(沸点:229℃)、ジエチレングリコールモノ2−エチルヘキシルエーテル(沸点:272℃)、エチレングリコールモノアリルエーテル(沸点:159℃)、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル(沸点:283℃)、エチレングリコールモノベンジルエーテル(沸点:256℃)、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル(沸点:302℃)、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル(沸点:187℃)、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル(沸点:242℃)、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル(沸点:212℃)、プロピレングリコールモノブチルエーテル(沸点:170℃)、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル(沸点:231℃)、プロピレングリコールモノフェニルエーテル(沸点:243℃)等が挙げられる。
ジアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類として、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(標準沸点:213℃)、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(沸点:217℃)、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(標準沸点:247℃)等が、
アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類として、ブチレングリコールモノメチルエーテルアセテート(沸点:172℃)、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(沸点:188℃)等が、
ジアルキレングリコールジアルキルエーテル類として、ジエチレングリコールジメチルエーテル(沸点:162℃)、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル(沸点:176℃)、ジエチレングリコールジエチルエーテル(沸点:189℃)、ジエチレングリコールジブチルエーテル(沸点:255℃)、ジプロピレングリコールジメチルエーテル(沸点:171℃)等が、
トリアルキレングリコールジアルキルエーテル類として、トリエチレングリコールジメチルエーテル(沸点:216℃)等が、
テトラアルキレングリコールジアルキルエーテル類として、テトラエチレングリコールジメチルエーテル(沸点:275℃)等が、
その他、1,8−シネオール(沸点:176℃)、ジイソペンチルエーテル(沸点:171℃)、エチルベンジルエーテル(沸点:189℃)、ジフェニルエーテル(沸点:259℃)、ジベンジルエーテル(沸点:297℃)、ヘキシルエーテル(沸点:226℃)等が挙げられる。
当該膜形成組成物は、任意成分として、例えば塩基性化合物(塩基発生剤を含む)、ラジカル発生剤、酸発生剤、界面活性剤を含有してもよい。当該膜形成組成物は、任意成分をそれぞれ1種又は2種以上含有していてもよい。当該膜形成組成物が任意成分を含有する場合、任意成分の含有量の上限としては、[A]化合物100質量部に対して、例えば2質量部である。
当該膜形成組成物は、例えば[A]化合物、[B]溶媒及び必要に応じて任意成分を所定の割合で混合し、好ましくは、得られた混合物を孔径0.2μm以下程度のメンブランフィルターでろ過することにより調製することができる。
当該パターン形成方法は、基板の少なくとも一方の面側に、当該極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物を塗工する工程(以下、「金属含有膜形成組成物塗工工程」ともいう)と、上記金属含有膜形成組成物塗工工程により形成された金属含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜形成用組成物を塗工する工程(以下、「レジスト膜形成用組成物塗工工程」ともいう)と、上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を極端紫外線又は電子線により露光する工程(以下、「露光工程」ともいう)と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程(以下、「現像工程」ともいう)とを備える。さらに、上記現像されたレジスト膜をマスクとし、上記金属含有膜をエッチングする工程(以下、「エッチング工程」ともいう)を備えてもよい。
また、当該パターン形成方法において、上記エッチングされた金属含有膜をマスクとして、基板をエッチングする工程(以下、「基板エッチング工程」ともいう)をさらに備えていてもよい。
本工程では、基板の少なくとも一方の面側に有機下層膜を形成する。
本工程では、当該膜形成組成物を塗工する。本工程により、基板上に直接又は有機下層膜等の他の層を介して当該膜形成組成物の塗膜が形成される。当該膜形成組成物の塗工方法は特に限定されないが、例えば回転塗工法等の公知の方法が挙げられる。
本工程では、上記金属含有膜形成組成物塗工工程により形成された金属含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜形成用組成物を塗工する。本工程により、金属含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜が形成される。
本工程では、上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を極端紫外線又は電子線により露光する。この露光は、例えばレジスト膜の一定の領域を選択的に照射して行う。
本工程では、上記露光されたレジスト膜を現像する。本工程により、金属含有膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンが形成される。上記現像方法としては、アルカリ現像液を用いたアルカリ現像法でも有機溶媒現像液を用いた有機溶媒現像法でもよい。本工程では、各種現像液で現像を行った後、好ましくは洗浄及び乾燥させることによって、露光工程において露光した形状に対応した所定のレジストパターンが形成される。
本工程では、上記現像工程により形成されたレジストパターンをマスクとして、上記金属含有膜をエッチングする。より具体的には、上記現像工程により形成されたレジストパターンをマスクとした1又は複数回のエッチングによって、金属含有膜がパターニングされる。
本工程では、上記エッチングされた金属含有膜をマスクとして、基板をエッチングする。より具体的には、上記エッチング工程で得られた金属含有膜に形成されたパターンをマスクとした1又は複数回のエッチングを行って、パターニングされた基板を得る。
[A]化合物の溶液0.5gを250℃で30分間焼成することで、この溶液0.5g中の固形分の質量を測定し、[A]化合物の溶液の固形分濃度(質量%)を算出した。
GPCカラム(東ソー(株)の「AWM−H」2本、「AW−H」1本及び「AW2500」2本)を使用し、流量:0.3mL/分、溶出溶媒:N,N’−ジメチルアセトアミドにLiBr(30mM)及びクエン酸(30mM)を添加したもの、カラム温度:40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(検出器:示差屈折計)により測定した。
膜の平均厚みは、分光エリプソメータ(J.A.WOOLLAM社の「M2000D」)を用いて測定した。
レジスト膜形成用組成物を以下のようにして調製した。
レジスト膜形成用組成物(R−1)は、4−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(1)、スチレンに由来する構造単位(2)及び4−t−ブトキシスチレンに由来する構造単位(3)(各構造単位の含有割合は、(1)/(2)/(3)=65/5/30(モル%))を有する重合体100質量部と、感放射線性酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムサリチレート2.5質量部と、溶媒としての乳酸エチル1,500質量部及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート700質量部とを混合し、得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することで得た。
レジスト膜形成用組成物(R−2)は、4−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(1)、スチレンに由来する構造単位(2)及び4−t−ブトキシスチレンに由来する構造単位(3)(各構造単位の含有割合は、(1)/(2)/(3)=65/5/30(モル%))を有する重合体100質量部と、感放射線性酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムサリチレート2.5質量部と、後述する金属化合物である(A−1)1質量部と、溶媒としての乳酸エチル1,500質量部及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート700質量部とを混合し、得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することで得た。
レジスト膜形成用組成物(R−3)は、4−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(1)、スチレンに由来する構造単位(2)及び4−t−ブトキシスチレンに由来する構造単位(3)(各構造単位の含有割合は、(1)/(2)/(3)=65/5/30(モル%))を有する重合体100質量部と、感放射線性酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムサリチレート2.5質量部と、後述する金属化合物である(A−3)1質量部と、溶媒としての乳酸エチル1,500質量部及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート700質量部とを混合し、得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することで得た。
[A]化合物の合成に用いた金属含有化合物を以下に示す。なお、以下の合成例においては特に断りのない限り、「質量部」は使用した金属含有化合物の合計質量を100質量部とした場合の値を意味する。
M−1:ジイソプロポキシビス(2,4−ペンタンジオナート)チタン(IV)(75質量%濃度の2−プロパノール溶液)
M−2:ジブトキシビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム(IV)(70質量%濃度のn−ブタノール溶液)
M−3:ジイソプロポキシビス(2,4−ペンタンジオナート)ハフニウム(IV)
M−4:テトラエトキシシラン
M−5:ジイソプロポキシエチルアセトアセテートアルミニウム(III)(75質量%濃度の2−プロパノール溶液)
M−6:メチルトリメトキシシラン
M−7:チタン(IV)ブトキシドオリゴマー10量体([TiO(OBu)2]10)
反応容器内において、化合物(M−1)(100質量部。但し溶媒を除く。)をプロピレングリコールモノエチルエーテル468質量部に溶解させた。上記反応容器内において、室温(25℃〜30℃)で撹拌しながら、水53質量部を10分かけて滴下した。次いで、60℃で反応を2時間実施した。反応終了後、反応容器内を30℃以下に冷却した。冷却した反応溶液に、プロピレングリコールモノエチルエーテル654質量部を加えた後、エバポレーターを用いて、水、反応により生成したアルコール及び余剰のプロピレングリコールモノエチルエーテルを除去して、化合物(A−1)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。化合物(A−1)のMwは4,200であった。この化合物(A−1)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液の固形分濃度は、7.6質量%であった。
反応容器内において、化合物(M−2)(100質量部。但し溶媒を除く。)をプロピレングリコールモノエチルエーテル1,325質量部に溶解させた。上記反応容器内において、室温(25℃〜30℃)で撹拌しながら水7質量部を10分かけて滴下した。次いで、60℃で反応を2時間実施した。反応終了後、反応容器内を30℃以下に冷却した。冷却した反応溶液に、プロピレングリコールモノエチルエーテル981質量部を加えた後、エバポレーターを用いて、水、反応により生成したアルコール及び余剰のプロピレングリコールモノエチルエーテルを除去して、化合物(A−2)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。化合物(A−2)のMwは2,400であった。この化合物(A−2)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液の固形分濃度は、13.0質量%であった。
反応容器内において、化合物(M−3)及び化合物(M−4)をモル比率が65/35(モル%)となるようプロピレングリコールモノエチルエーテル168質量部に溶解させた。上記反応容器内において、室温(25℃〜30℃)で撹拌しながら18.9質量%酢酸水溶液9質量部を10分かけて滴下した。次いで、95℃で反応を5時間実施した。反応終了後、反応容器内を30℃以下に冷却した。冷却した反応溶液に、プロピレングリコールモノエチルエーテル400質量部を加えた後、エバポレーターを用いて、水、反応により生成したアルコール及び余剰のプロピレングリコールモノエチルエーテルを除去して、化合物(A−3)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。化合物(A−3)のMwは2,300であった。この化合物(A−3)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液の固形分濃度は、10.8質量%であった。
反応容器内において、化合物(M−5)及び化合物(M−6)をモル比率が10/90(モル%)となるようプロピレングリコールモノエチルエーテル198質量部に溶解させた。上記反応容器内において、室温(25℃〜30℃)で撹拌しながら17.6質量%酢酸水溶液39質量部を10分かけて滴下した。次いで、95℃で反応を5時間実施した。反応終了後、反応容器内を30℃以下に冷却した。冷却した反応溶液に、プロピレングリコールモノエチルエーテル471質量部を加えた後、エバポレーターを用いて、水、反応により生成したアルコール及び余剰のプロピレングリコールモノエチルエーテルを除去して、化合物(A−4)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。化合物(A−4)のMwは2,700であった。この化合物(A−4)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液の固形分濃度は、13.1質量%であった。
反応容器内において、化合物(M−7)(100質量部。但し溶媒を除く。)及び無水マレイン酸49.5質量部をプロピレングリコールモノエチルエーテル149.5質量部に溶解させた。上記反応容器内を窒素置換し、次いで、50℃で反応を3時間実施した。反応終了後、反応容器内を30℃以下に冷却して、化合物(A−5)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。化合物(A−5)のMwは3,200であった。この化合物(A−5)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液の固形分濃度は、27.2質量%であった。
反応容器内において、化合物(M−1)(100質量部。但し溶媒を除く。)をプロピレングリコールモノメチルエーテル468質量部に溶解させた。上記反応容器内において、室温(25℃〜30℃)で撹拌しながら水53質量部を10分かけて滴下した。次いで、60℃で反応を2時間実施した。反応終了後、反応容器内を30℃以下に冷却した。冷却した反応溶液に、プロピレングリコールモノメチルエーテル654質量部を加えた後、エバポレーターを用いて、水、反応により生成したアルコール及び余剰のプロピレングリコールモノメチルエーテルを除去して、化合物(A−6)のプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液を得た。化合物(A−6)のMwは4,200であった。この化合物(A−6)のプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液の固形分濃度は、7.6質量%であった。
膜形成組成物の調製に用いた[B]溶媒について以下に示す。
((B1)溶媒成分)
B−1:プロピレングリコールモノエチルエーテル(標準沸点:132℃)
B−2:プロピレングリコールモノメチルエーテル(標準沸点:121℃)
B−3:乳酸エチル(標準沸点:151℃)
B−4:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(標準沸点:146℃)
B−5:ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(標準沸点:213℃)
B−6:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(標準沸点:217℃)
B−7:ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(標準沸点:247℃)
B−8:ジプロピレングリコールジメチルエーテル(標準沸点:171℃)
B−9:ジプロピレングリコールモノメチルエーテル(標準沸点:187℃)
B−10:ジプロピレングリコールモノブチルエーテル(標準沸点:231℃)
B−11:トリプロピレングリコールモノメチルエーテル(標準沸点:242℃)
B−12:トリプロピレングリコールモノn−ブチルエーテル(標準沸点:275℃)
B−13:γ−ブチロラクトン(標準沸点:204℃)
B−14:ベンジルアルコール(標準沸点:205℃)
B−15:プロピレンカーボネート(標準沸点:242℃)
B−16:テトラエチレングリコールジメチルエーテル(標準沸点:275℃)
B−17:1,6−ジアセトキシヘキサン(標準沸点:260℃)
B−18:ジプロピレングリコール(標準沸点:231℃)
B−19:トリエチレングリコール(標準沸点:287℃)
B−20:グリセリン(標準沸点:290℃)
B−21:プロピレングリコール(標準沸点:188℃)
B−22:テトラエチレングリコール(標準沸点:327℃)
[A]化合物(固形分)としての(A−1)2質量部と、[B]溶媒としての(B−1)30質量部([A]化合物の溶液に含まれる溶媒(B−1)も含む)、(B−4)60質量部及び(B−5)10質量部とを混合し、得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して、膜形成組成物(J−1)を調製した。
各成分の種類及び含有量を下記表1に示す通りとした以外は、実施例1と同様に操作して、膜形成組成物(J−2)〜(J−4)及び(J−6)〜(J−29)並びに(j−1)及び(j−2)を調製した。下記表1中の「−」は、該当する成分を使用しなかったことを示す。
[A]化合物(固形分)としての(A−6)2質量部と、[B]溶媒としての(B−2)40質量部([A]化合物の溶液に含まれる溶媒(B−2)も含む)及び(B−5)60質量部とを混合し、得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して、膜形成組成物(J−5)を調製した。
上記調製した膜形成組成物の下記項目について下記方法により評価した。評価結果を下記表2及び表3に合わせて示す。表2中の「−」は、該当する評価を行わなかったことを示す。
上記調製した膜形成組成物をシリコンウェハ(基板)上に、スピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT8」)を用い、1,500rpm及び30秒間の条件で、回転塗工法により塗工した後、得られた塗工膜を250℃で60秒間加熱することにより金属含有膜を形成した。
形成された金属含有膜を光学顕微鏡で観察し、塗工ムラが見られない場合は「A」(良好)と、塗工ムラが見られる場合は「B」(不良)と評価した。
8インチシリコンウェハ上に、上記調製した膜形成組成物を、スピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT8」)を用い、1,500rpm及び30秒間の条件で、回転塗工法により塗工してから、所定の時間経過後に、250℃で60秒間加熱し、23℃で30秒間冷却することにより、金属含有膜を形成した。
上記金属含有膜として、上記所定の時間を30秒とした場合の「金属含有膜(a0)」、上記所定の時間を120秒とした場合の「金属含有膜(a1)」をそれぞれ形成し、金属含有膜(a0)の平均厚みをT0と、金属含有膜(a1)の平均厚みをT1としたとき、膜厚変化率(%)を下記式により求め、塗工膜厚変化抑制性の指標とした。
膜厚変化率(%)=|T1−T0|×100/T0
塗工膜厚変化抑制性は、膜厚変化率が1.7%未満の場合は「A」(良好)と、1.7%以上の場合は「B」(不良)と評価した。
8インチシリコンウェハ上に、反射防止膜形成材料(JSR(株)の「HM8006」)を上記スピンコーターによる回転塗工法により塗工した後、250℃で60秒間加熱を行うことにより平均厚み100nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、上記調製した膜形成組成物を、上記スピンコーターによる回転塗工法により塗工してから、所定の時間経過後に、下記表3に示す加熱温度(℃)及び加熱時間(秒)で加熱してから、23℃で30秒間冷却することにより平均厚み30nmの金属含有膜を形成した。上記金属含有膜として、上記所定の時間を30秒とした場合の「金属含有膜(b0)」、所定の時間を120秒とした場合の「金属含有膜(b1)」をそれぞれ形成した。上記形成した金属含有膜上に、下記表3に示すレジスト膜形成用組成物を塗工し、130℃で60秒間加熱した後、23℃で30秒間冷却することにより平均厚み50nmのレジスト膜を形成した。
最適露光量変化率(%)=|D1−D0|×100/D0
レジスト感度変化抑制性は、最適露光量変化率が1%未満の場合は「A」(良好)と、1%以上の場合は「B」(不良)と評価した。
12インチシリコンウェハ上に、反射防止膜形成材料(JSR(株)の「HM8006」)をスピンコーター(東京エレクトロン(株)の「CLEAN TRACK ACT12」)による回転塗工法により塗工した後、250℃で60秒間加熱を行うことにより平均厚み100nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、上記調製した膜形成組成物を、上記スピンコーターによる回転塗工法により塗工してから、所定の時間経過後に、下記表3に示す加熱温度(℃)及び加熱時間(秒)で加熱してから、23℃で30秒間冷却することにより平均厚み30nmの金属含有膜を形成した。上記金属含有膜として、上記所定の時間を30秒とした場合の「金属含有膜(b0)」、所定の時間を120秒とした場合の「金属含有膜(b1)」をそれぞれ形成した。上記形成した金属含有膜上に、下記表3に示すレジスト膜形成用組成物を塗工し、130℃で60秒間加熱した後、23℃で30秒間冷却することにより平均厚み50nmのレジスト膜を形成した。
最適露光量変化率(%)=|D1−D0|×100/D0
レジスト感度変化抑制性は、最適露光量変化率が1%未満の場合は「A」(良好)と、1%以上の場合は「B」(不良)と評価した。
Claims (12)
- 金属−酸素共有結合を有する化合物と、
溶媒と
を含有し、
上記化合物を構成する金属元素が、周期表第3族〜第15族の第3周期〜第7周期に属し、
上記溶媒が、標準沸点160℃未満である第1溶媒成分と、標準沸点160℃以上400℃未満である第2溶媒成分とを含み、
上記溶媒がアルコール系溶媒を含み、
上記溶媒中の上記アルコール系溶媒の含有率が30質量%以上である極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。 - 上記第1溶媒成分が、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸エステル類又はこれらの組み合わせである請求項1に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 上記溶媒中の上記第2溶媒成分の含有率が0.1質量%以上90質量%以下である請求項1又は請求項2に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 上記第2溶媒成分が、エステル類、アルコール類、エーテル類、カーボネート類又はこれらの組み合わせである請求項1、請求項2又は請求項3に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 上記エステル類が、カルボン酸エステル類である請求項4に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 上記アルコール類が、多価アルコール類、多価アルコール部分エーテル類又はこれらの組み合わせである請求項4又は請求項5に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 上記エーテル類が、ジアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類である請求項4、請求項5又は請求項6に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 上記第2溶媒成分の相対蒸発速度の値が、酢酸ブチルの値を100としたとき0.01以上10以下である請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物。
- 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物から形成される極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜。
- 基板の少なくとも一方の面側に、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物を塗工する工程と、
上記金属含有膜形成組成物塗工工程により形成された金属含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜形成用組成物を塗工する工程と、
上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を極端紫外線又は電子線により露光する工程と、
上記露光されたレジスト膜を現像する工程と
を備えるパターン形成方法。 - 上記金属含有膜形成組成物塗工工程前に、
上記基板の少なくとも一方の面側に有機下層膜を形成する工程
をさらに備える請求項11に記載のパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017143105 | 2017-07-24 | ||
JP2017143105 | 2017-07-24 | ||
PCT/JP2018/027387 WO2019021975A1 (ja) | 2017-07-24 | 2018-07-20 | 極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物、極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019021975A1 true JPWO2019021975A1 (ja) | 2020-05-28 |
JP7205472B2 JP7205472B2 (ja) | 2023-01-17 |
Family
ID=65040248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019532575A Active JP7205472B2 (ja) | 2017-07-24 | 2018-07-20 | 極端紫外線又は電子線リソグラフィー用金属含有膜形成組成物及びパターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200159121A1 (ja) |
JP (1) | JP7205472B2 (ja) |
KR (1) | KR102611177B1 (ja) |
WO (1) | WO2019021975A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11651961B2 (en) * | 2019-08-02 | 2023-05-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Patterning process of a semiconductor structure with enhanced adhesion |
WO2021029422A1 (ja) * | 2019-08-15 | 2021-02-18 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法 |
US11681221B2 (en) | 2019-08-28 | 2023-06-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV photoresist with low-activation-energy ligands or high-developer-solubility ligands |
DE102019133965A1 (de) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Euv-fotoresist mit liganden mit niedriger aktivierungsenergie oder liganden mit hoher entwicklerlöslichkeit |
JP7264771B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2023-04-25 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
CN116547781A (zh) * | 2020-11-27 | 2023-08-04 | 日产化学株式会社 | 抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014167098A (ja) * | 2013-01-19 | 2014-09-11 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ハードマスク表面処理 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4369203B2 (ja) | 2003-03-24 | 2009-11-18 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法 |
CN102187277B (zh) * | 2008-10-20 | 2014-07-09 | 住友电木株式会社 | 喷涂用正型感光性树脂组合物及使用该组合物的贯通电极的制造方法 |
JP5862894B2 (ja) | 2010-09-21 | 2016-02-16 | 日産化学工業株式会社 | 保護された脂肪族アルコールを含有する有機基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
JP5938989B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2016-06-22 | Jsr株式会社 | 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法 |
KR102351281B1 (ko) * | 2013-09-11 | 2022-01-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 다층 레지스트 프로세스용 무기 막 형성 조성물 및 패턴 형성 방법 |
KR20150044162A (ko) * | 2013-10-16 | 2015-04-24 | 현대모비스 주식회사 | 배터리 시스템을 위한 공기 냉각 장치 및 이의 제어 방법 |
KR20150114900A (ko) * | 2014-04-02 | 2015-10-13 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 |
JP6413333B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-10-31 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
JP6572898B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2019-09-11 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
JP6544248B2 (ja) * | 2015-02-09 | 2019-07-17 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
-
2018
- 2018-07-20 WO PCT/JP2018/027387 patent/WO2019021975A1/ja active Application Filing
- 2018-07-20 JP JP2019532575A patent/JP7205472B2/ja active Active
- 2018-07-20 KR KR1020207001971A patent/KR102611177B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-01-23 US US16/750,616 patent/US20200159121A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014167098A (ja) * | 2013-01-19 | 2014-09-11 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ハードマスク表面処理 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7205472B2 (ja) | 2023-01-17 |
KR20200035012A (ko) | 2020-04-01 |
US20200159121A1 (en) | 2020-05-21 |
KR102611177B1 (ko) | 2023-12-08 |
WO2019021975A1 (ja) | 2019-01-31 |
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