JPWO2018229823A1 - レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法 - Google Patents

レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2018229823A1
JPWO2018229823A1 JP2019524560A JP2019524560A JPWO2018229823A1 JP WO2018229823 A1 JPWO2018229823 A1 JP WO2018229823A1 JP 2019524560 A JP2019524560 A JP 2019524560A JP 2019524560 A JP2019524560 A JP 2019524560A JP WO2018229823 A1 JPWO2018229823 A1 JP WO2018229823A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
control parameter
control
control unit
performance data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019524560A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7150711B2 (ja
Inventor
浩幸 増田
浩幸 増田
若林　理
理 若林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gigaphoton Inc
Original Assignee
Gigaphoton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gigaphoton Inc filed Critical Gigaphoton Inc
Publication of JPWO2018229823A1 publication Critical patent/JPWO2018229823A1/ja
Priority to JP2022108198A priority Critical patent/JP2022133383A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7150711B2 publication Critical patent/JP7150711B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10069—Memorized or pre-programmed characteristics, e.g. look-up table [LUT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/1305—Feedback control systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/139—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H01S3/08009—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2251—ArF, i.e. argon fluoride is comprised for lasing around 193 nm
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2256—KrF, i.e. krypton fluoride is comprised for lasing around 248 nm

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

本開示によるレーザ装置は、レーザ発振を行うレーザ出力部と、レーザ出力部から外部装置へのレーザ出力を停止している間に、レーザ出力部において第１のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第１のレーザ性能データと、レーザ出力部において第２のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第２のレーザ性能データとを取得し、第１のレーザ性能データよりも第２のレーザ性能データが改善しているか否かを判定する制御部とを備える。

Description

本開示は、レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法に関する。
近年、半導体露光装置（以下、「露光装置」という）においては、半導体集積回路の微細化および高集積化につれて、解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められている。一般的に、露光用光源には、従来の水銀ランプに代わってガスレーザ装置が用いられる。例えば、露光用のガスレーザ装置としては、波長２４８ｎｍの紫外線のレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置、ならびに波長１９３ｎｍの紫外線のレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。
次世代の露光技術としては、露光装置側の露光用レンズとウエハとの間が液体で満たされる液浸露光が実用化されている。この液浸露光では、露光用レンズとウエハとの間の屈折率が変化するため、露光用光源の見かけの波長が短波長化する。ＡｒＦエキシマレーザ装置を露光用光源として液侵露光が行われた場合、ウエハには水中における波長１３４ｎｍの紫外光が照射される。この技術をＡｒＦ液浸露光（又はＡｒＦ液浸リソグラフィー）という。
ＫｒＦエキシマレーザ装置およびＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振幅は、約３５０〜４００ｐｍと広い。そのため、ＫｒＦ及びＡｒＦレーザ光のような紫外線を透過する材料で投影レンズを構成すると、色収差が発生してしまう場合がある。その結果、解像力が低下し得る。そこで、ガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を、色収差が無視できる程度となるまで狭帯域化する必要がある。そのため、ガスレーザ装置のレーザ共振器内には、スペクトル線幅を狭帯域化するために、狭帯域化素子（エタロン、グレーティング等）を有する狭帯域化モジュール（Line Narrow Module：LNM）が設けられる場合がある。以下では、スペクトル線幅が狭帯域化されるレーザ装置を狭帯域化レーザ装置という。
特開２００２−４３２１９号公報 特開２０００−３０６８１３号公報 特開平７−１４２８０１号公報 特表２００３−５１４４０３号公報 特開２００２−１５９８６号公報
概要
本開示のレーザ装置は、レーザ発振を行うレーザ出力部と、レーザ出力部から外部装置へのレーザ出力を停止している間に、レーザ出力部において第１のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第１のレーザ性能データと、レーザ出力部において第２のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第２のレーザ性能データとを取得し、第１のレーザ性能データよりも第２のレーザ性能データが改善しているか否かを判定する制御部とを備える。
本開示のレーザ装置管理システムは、レーザ装置と、レーザ装置を管理する端末装置とを含み、レーザ装置は、レーザ発振を行うレーザ出力部と、レーザ出力部から外部装置へのレーザ出力を停止している間に、レーザ出力部において第１のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第１のレーザ性能データと、レーザ出力部において第２のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第２のレーザ性能データとを取得し、第１のレーザ性能データよりも第２のレーザ性能データが改善しているか否かを判定する制御部とを備える。
本開示のレーザ装置の管理方法は、レーザ装置においてレーザ出力部から外部装置へのレーザ出力を停止している間に、レーザ出力部において第１のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第１のレーザ性能データと、レーザ出力部において第２のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第２のレーザ性能データとを、制御部によって取得することと、制御部によって、第１のレーザ性能データよりも第２のレーザ性能データが改善しているか否かを判定することとを含む。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例に係るレーザ装置、及びレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示す。 図２は、比較例に係るレーザ装置における制御パラメータの変更に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図３は、比較例に係るレーザ装置における各種制御パラメータの一例を概略的に示す。 図４は、比較例に係るレーザ装置におけるエネルギ制御部のエネルギ制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図５は、比較例に係るレーザ装置におけるスペクトル制御部の波長制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図６は、比較例に係るレーザ装置におけるにおけるスペクトル制御部のスペクトル線幅制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図７は、比較例に係るレーザ装置におけるガス制御部のガス圧制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図８は、比較例に係るレーザ装置におけるガス制御部の部分ガス交換制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図９は、図８に示したフローチャートにおけるステップＳ７１９の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１０は、実施形態１に係るレーザ装置、及びレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示す。 図１１は、実施形態１に係るレーザ装置におけるレーザ制御部による制御パラメータの変更に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図１２は、図１１に示したフローチャートにおけるステップＳ１１０７の調整発振の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１３は、図１２に示したフローチャートにおけるステップＳ１２０２のエネルギ制御の調整発振の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１４は、図１２に示したフローチャートにおけるステップＳ１２０３の波長制御の調整発振の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１５は、図１２に示したフローチャートにおけるステップＳ１２０３のスペクトル線幅制御の調整発振の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１６は、図１２に示したフローチャートにおけるステップＳ１２０４のガス制御の調整発振の処理の第１の例を示すサブのフローチャートである。 図１７は、図１２に示したフローチャートにおけるステップＳ１２０４のガス制御の調整発振の処理の第２の例を示すサブのフローチャートである。 図１８は、実施形態２に係るレーザ装置、及びレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示す。 図１９は、実施形態２に係るレーザ装置管理システムにおいてサーバに記憶される制御パラメータ変更前後の各種制御パラメータのデータの一例を概略的に示す。 図２０は、実施形態２に係るレーザ装置管理システムにおいてサーバに記憶される制御パラメータ変更前後のエネルギ制御関連のレーザ性能データの一例を概略的に示す。 図２１は、実施形態２に係るレーザ装置管理システムにおいてサーバに記憶される制御パラメータ変更前後のスペクトル制御関連のレーザ性能データの一例を概略的に示す。 図２２は、実施形態２に係るレーザ装置、及びレーザ装置管理システムにおける制御パラメータ変更前後のガス制御関連のレーザ性能データの一例を概略的に示す。
実施形態
＜内容＞
＜１．比較例＞（図１〜図９）
１．１ 構成
１．２ 動作
１．３ 課題
＜２．実施形態１＞（制御パラメータの予約変更機能を備えたレーザ装置、及びレーザ装置管理システム）（図１０〜図１７）
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 作用・効果
＜３．実施形態２＞（サーバを介した制御パラメータの予約変更機能を備えたレーザ装置、及びレーザ装置管理システム）（図１８〜図２２）
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 作用・効果
＜４．その他＞
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。
なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
＜１．比較例＞
［１．１ 構成］
図１は、比較例に係るレーザ装置、及びレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示している。
なお、本明細書において、レーザ光の光路軸方向はＺ方向であってもよい。Ｚ方向に略直交する２つの方向は、Ｈ方向とＶ方向とであってもよい。Ｈ方向は、図１の紙面に略直交する方向であってもよい。
比較例に係るレーザ装置管理システムは、レーザ装置１０１と、端末装置１１１とを備えてもよい。端末装置１１１は、レーザ装置１０１のレーザメーカによって操作されるＰＣ（パーソナルコンピュータ）等の端末であってもよい。
レーザ装置１０１は、レーザ発振を行い、外部装置としての露光装置４に向けてパルスレーザ光Ｌｐを出力するレーザ出力部を備えてもよい。レーザ出力部は、レーザガスが供給されるレーザチャンバ２０と、狭帯域化モジュール（ＬＮＭ）１０と、ＯＣ（出力結合器：outcoupler）としての出力結合ミラー３５とを含んでいてもよい。
レーザ装置１０１は、レーザ出力部と露光装置４との間の光路上に配置された出射口シャッタ８０を備えている。出射口シャッタ８０は、レーザ出力部から露光装置４へのレーザ出力を行う場合に開けられる。また、出射口シャッタ８０は、例えばレーザ発振を行うが、レーザ出力部から露光装置４へのレーザ出力を停止する場合には閉じられる。出射口シャッタ８０は、例えば調整発振を行う場合に閉じられる。
露光装置４は、ウエハ露光を行う装置であってもよい。ウエハ露光は、スキャン露光を行うことを含んでもよい。「スキャン露光」とは、パルスレーザ光Ｌｐをスキャンさせながらウエハの露光領域を露光する方法のことである。
レーザ装置１０１は、露光装置４におけるウエハ露光に合わせてバースト運転がなされてもよい。「バースト運転」とは、スキャン露光に合わせて狭帯域化したパルスレーザ光Ｌｐを連続して発振するバースト期間と、発振休止する発振休止期間とを交互に繰り返す運転のことである。
ここで、レーザ装置管理システムの構成を説明するのに先だって、バースト運転、及びウエハ露光の概要を説明する。レーザ装置１０１は、最初に調整発振を行い、所定期間の間隔を空けた後、１枚目のウエハ露光のためのバースト運転を行ってもよい。調整発振は、ウエハにはパルスレーザ光Ｌｐを照射しないものの、調整用のパルスレーザ光Ｌｐを出力する発振を行うことである。パルスレーザ光Ｌｐは、例えば数百〜数ｋＨｚ程度の所定の周波数で出力されてもよい。ウエハ露光時には、バースト期間と発振休止期間とを繰り返すバースト運転を行うのが一般的であり得る。調整発振においても、バースト運転が行われてもよい。調整発振を行った後、比較的大きな間隔時間を空けて、露光装置４において１枚目のウエハ露光が行われてもよい。ウエハ露光は、ウエハを複数の所定の露光領域に分割して、各露光領域をスキャン露光することにより行われてもよい。すなわち、ウエハ露光では、ウエハの第１の所定の露光領域を１回目のスキャン露光で露光し、次いで、第２の所定の露光領域を２回目のスキャン露光で露光するというステップを繰り返してもよい。１回のスキャン露光中は、複数のパルスレーザ光Ｌｐが連続的にレーザ装置１０１から出力され得る。第１の所定の露光領域のスキャン露光が終了したら、所定間隔を空けて第２の所定の露光領域のスキャン露光が行われてもよい。このスキャン露光を順次、繰り返し、１枚目のウエハの全露光領域をスキャン露光し終えたら、再度、調整発振を行った後、２枚目のウエハのウエハ露光が行われてもよい。
図１に戻り、再び、レーザ装置管理システムの構成を説明する。
レーザ装置１０１は、レーザ制御部２と、エネルギ制御部６と、スペクトル制御部７と、ガス制御部９とを、さらに含んでいてもよい。レーザ装置１０１は、モニタモジュール（ＭＭ）３０と、スペクトル可変部６０と、充電器９０と、レーザガス供給装置９１と、レーザガス排気装置９２とを、さらに含んでいてもよい。
端末装置１１１とレーザ制御部２との間には、レーザ装置１０１における各種制御パラメータの変更データである制御パラメータ変更データＰｎと、端末装置１１１からレーザ制御部２への制御パラメータ変更データＰｎの送信を要求する制御パラメータ送信要求信号とを、端末装置１１１からレーザ制御部２に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
露光装置制御部５とレーザ制御部２との間には、各種目標データＤｔを露光装置制御部５からレーザ制御部２に送信する信号ラインが設けられていてもよい。各種目標データＤｔには、目標パルスエネルギＥｔと目標波長λｔと目標スペクトル線幅Δλｔとが含まれていてもよい。
レーザチャンバ２０は、ウインドウ２１，２２と、１対の放電電極２３，２４と、電気絶縁部材２５と、クロスフローファン（ＣＦＦ）２６と、モータ２７と、パルスパワーモジュール（ＰＰＭ）２８とを含んでいてもよい。
電気絶縁部材２５は、例えばアルミナセラミックスであってもよい。パルスパワーモジュール２８は、スイッチ２９を含み、電気絶縁部材２５の図示しないフィードフルーを介して、放電電極２３と接続されていてもよい。放電電極２４は、接地されたレーザチャンバ２０と接続されていてもよい。
狭帯域化モジュール１０と出力結合ミラー３５は光共振器を構成してもよい。この共振器の光路上に１対の放電電極２３，２４の放電領域が配置されるように、レーザチャンバ２０が配置されてもよい。出力結合ミラー３５には、レーザチャンバ２０内で発生したレーザ光の一部を反射し、一部を透過する多層膜がコートされていてもよい。
狭帯域化モジュール１０は、グレーティング１１と、プリズム１２と、プリズム１２を回転させる回転ステージ１４とを含んでいてもよい。
プリズム１２は、レーザチャンバ２０から出力されたレーザ光のビームがプリズム１２でビーム拡大されてグレーティング１１に所定の角度で入射するように配置されてもよい。
回転ステージ１４は、プリズム１２が回転した時に、グレーティング１１へのビームの入射角度が変化するように配置されていてもよい。グレーティング１１は、ビームの入射角度と回折角度とが同じ角度となるようにリトロー配置されてもよい。
充電器９０とパルスパワーモジュール２８は、図示しないパルスパワーモジュール２８の容量Ｃ０の充電コンデンサを充電するように互いに電気的に接続されていてもよい。充電器９０は、充電電圧Ｖを示す充電電圧データＤｖをエネルギ制御部６から受信してもよい。
レーザ制御部２には、露光装置４の露光装置制御部５から発光トリガ信号Ｓｔｒが入力されてもよい。エネルギ制御部６には、レーザ制御部２を介して発光トリガ信号Ｓｔｒが入力されてもよい。エネルギ制御部６とパルスパワーモジュール２８は、発光トリガ信号Ｓｔｒに同期して、スイッチ２９がオン／オフされるように電気的に接続されていてもよい。
モニタモジュール３０は、ビームスプリッタ３１，３２と、パルスエネルギ計測器３３と、スペクトル計測器３４とを含んでいてもよい。
ビームスプリッタ３１は、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐの光路上に配置されていてもよい。ビームスプリッタ３２は、ビームスプリッタ３１で反射されたパルスレーザ光Ｌｐの光路上に配置されていてもよい。ビームスプリッタ３２は、反射光がパルスエネルギ計測器３３に入射し、透過光がスペクトル計測器３４に入射するように配置されていてもよい。
パルスエネルギ計測器３３は、図示しない集光レンズと光センサとを含んでいてもよい。光センサは紫外光に耐性がある高速のフォトダイオードであってもよい。
スペクトル計測器３４は、図示しないエタロンを含む分光器であってもよい。スペクトル計測器３４は、例えば、図示しないモニタエタロンと、集光レンズと、モニタエタロンを透過し、集光レンズによって焦点面上に生成された干渉縞を計測するイメージセンサとを含むモニタエタロン分光器であってもよい。
スペクトル制御部７と狭帯域化モジュール１０の回転ステージ１４との間には、回転ステージ１４の回転ステージ角度θを制御するためのステージ角度制御信号を、スペクトル制御部７から回転ステージ１４に送信する信号ラインが設けられていてもよい。回転ステージ１４の回転ステージ角度θは、スペクトル計測器３４で検出された波長λに基づいて制御されてもよい。
また、スペクトル制御部７とレーザ制御部２との間には、スペクトル計測器３４による計測結果に基づくスペクトル制御関連データＤλｃをスペクトル制御部７からレーザ制御部２に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
スペクトル可変部６０は、レーザチャンバ２０と出力結合ミラー３５との間の光路上に配置されていてもよい。スペクトル可変部６０は、シリンドリカル凹レンズ６１と、シリンドリカル凸レンズ６２と、リニアステージ６３とを含んでもよい。スペクトル可変部６０は、レーザチャンバ２０から最も遠い位置にあるシリンドリカル凸レンズ６２の一方の面が平面であって、この平面に部分反射膜がコートされていてもよい。
シリンドリカル凹レンズ６１とシリンドリカル凸レンズ６２は、レーザチャンバ２０と出力結合ミラー３５との間の光路上に配置されていてもよい。シリンドリカル凹レンズ６１とシリンドリカル凸レンズ６２とのレンズ間隔は、リニアステージ６３によって変更可能であってもよい。シリンドリカル凸レンズ６２は、
スペクトル制御部７とリニアステージ６３との間には、リニアステージ６３のステージ位置Ｘを制御するためのステージ位置制御信号をスペクトル制御部７からリニアステージ６３に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザ制御部２とスペクトル制御部７との間には、スペクトル制御を行うための目標波長λｔと目標スペクトル線幅Δλｔとのデータをレーザ制御部２からスペクトル制御部７に送信する信号ラインが設けられていてもよい。また、レーザ制御部２とスペクトル制御部７との間には、スペクトル制御を行うためのスペクトル制御パラメータＰλｃをレーザ制御部２からスペクトル制御部７に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
エネルギ制御部６と充電器９０との間には、充電電圧Ｖを示す充電電圧データＤｖをエネルギ制御部６から充電器９０に送信する信号ラインが設けられていてもよい。充電電圧Ｖは、パルスエネルギ計測器３３によって計測されたパルスエネルギＥに基づいて制御されてもよい。充電電圧Ｖは、パルスパワーモジュール２８の図示しない充電コンデンサを充電する電圧であってもよい。
エネルギ制御部６とレーザ制御部２との間には、パルスエネルギ計測器３３による計測結果に基づくエネルギ制御関連データＤｅｇをエネルギ制御部６からレーザ制御部２に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
ガス制御部９とレーザ制御部２との間には、ガス制御関連データＤｇｓをガス制御部９からレーザ制御部２に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザガス供給装置９１は、ガス制御部９からの制御信号に基づいて、レーザガスとして、バッファガスと、フッ素を含むガスとをそれぞれ、レーザチャンバ２０内に供給できるように構成されていてもよい。バッファガスは、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスであってもよい。フッ素を含むガスは、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスであってもよい。レーザガス供給装置９１は、バッファガスとしてのＡｒ＋Ｎｅ混合ガスを供給するガスボンベ９３と、フッ素を含むガスとしてのＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスを供給するガスボンベ９４とに接続されていてもよい。レーザガス供給装置９１は、ガスボンベ９３からのＡｒ＋Ｎｅ混合ガスの供給を制御するバルブと、ガスボンベ９４からのＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの供給を制御するバルブとを含んでいてもよい。
レーザガス排気装置９２は、ガス制御部９からの制御信号によってレーザチャンバ２０内のレーザガスを排気できるように構成されていてもよい。レーザガス排気装置９２は、排気を制御するバルブと、排気ポンプと、排気ガス中のＦ2ガスをトラップするハロゲンフィルタとを含んでいてもよい。
レーザ制御部２とガス制御部９との間には、ガス制御を行うためのガス制御パラメータＰｇｓをレーザ制御部２からガス制御部９に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザ制御部２とエネルギ制御部６との間には、エネルギ制御を行うための目標パルスエネルギＥｔのデータをレーザ制御部２からエネルギ制御部６に送信する信号ラインが設けられていてもよい。また、レーザ制御部２とエネルギ制御部６との間には、発光トリガ信号Ｓｔｒをレーザ制御部２からエネルギ制御部６に送信する信号ラインが設けられていてもよい。また、レーザ制御部２とエネルギ制御部６との間には、エネルギ制御を行うためのエネルギ制御パラメータＰｅｇをレーザ制御部２からエネルギ制御部６に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザ制御部２とスペクトル制御部７との間には、スペクトル制御を行うための目標波長λｔのデータをレーザ制御部２からスペクトル制御部７に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザ制御部２とレーザチャンバ２０のモータ２７との間には、クロスフローファン２６の回転数ωを制御するための回転数データＤωをレーザ制御部２からモータ２７に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザ制御部２は、各種制御パラメータを記憶する図示しない記憶部を含んでいてもよい。
［１．２ 動作］
（レーザ発振の準備）
レーザ制御部２は、図示しない記憶部から後述する図３に示すような各種制御パラメータを読み込む。次に、レーザ制御部２は、レーザ発振の準備を行う。レーザ制御部２はレーザ発振の準備として、エネルギ制御部６とスペクトル制御部７とガス制御部９との各制御部に制御パラメータを送信する。また、レーザ制御部２はレーザ発振の準備として、各制御部に各種計測器やステージ等を駆動させる信号を送信する。次に、レーザ制御部２は、各制御部からレーザ発振準備ＯＫ信号を受信する。次に、レーザ制御部２は、露光装置制御部５から、各種目標データＤｔと発光トリガ信号Ｓｔｒとを受信する。
（制御パラメータの変更制御）
図２は、比較例に係るレーザ装置１０１における制御パラメータの変更に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
レーザ制御部２は、レーザＯＦＦ信号を受信したか否かを判断する（ステップＳ１０１）。例えば、レーザ制御部２は、露光装置４を停止してもよい時に、サービスマンがレーザＯＦＦ信号を入力したか否かを判断する。
レーザ制御部２は、レーザＯＦＦ信号を受信していないと判断した場合（ステップＳ１０１；Ｎ）には、ステップＳ１０１の処理を繰り返す。次に、レーザ制御部２は、端末装置１１１からの制御パラメータ送信要求信号を受信したか否かを判断する（ステップＳ１０２）。
次に、レーザ制御部２は、端末装置１１１から制御パラメータ変更データＰｎを受信し、変更対象となる新しい制御パラメータを読み込む（ステップＳ１０３）。次に、レーザ制御部２は、各制御部に新しい制御パラメータを送信する（ステップＳ１０４）。
次に、レーザ制御部２は、出射口シャッタ８０を閉じ（ステップＳ１０５）、調整発振を行う（ステップＳ１０６）。調整発振では、外部トリガである露光装置制御部５からの発光トリガ信号Ｓｔｒではなく、レーザ装置１０１の内部トリガによって所定の繰り返し周波数でレーザ発振を行う。
エネルギ制御部６、スペクトル制御部７、及びガス制御部９の各制御部は、新しい制御パラメータで、例えば後述の図４〜図９に示すような制御を実行する（ステップＳ１０７）。
次に、レーザ制御部２は、レーザ性能がＯＫであるか否かを判断する（ステップＳ１０８）。レーザ性能がＯＫであるか否かの判断は、レーザ性能が予め決められた許容範囲であるか否かを判断することにより行う。
レーザ性能がＯＫではないと判断した場合（ステップＳ１０８；Ｎ）には、レーザ制御部２は、露光装置４に性能ＮＧ信号を出力する（ステップＳ１０９）。次に、レーザ制御部２は調整発振を停止し（ステップＳ１１０）、処理を終了する。
一方、レーザ性能がＯＫであると判断した場合（ステップＳ１０８；Ｙ）には、レーザ制御部２は、調整発振を停止し（ステップＳ１１１）、出射口シャッタ８０を開く（ステップＳ１１２）。次に、レーザ制御部２は、露光装置４に性能ＯＫ信号を出力する（ステップＳ１１３）。次に、レーザ制御部２は、露光装置４からの外部トリガでレーザ発振できるように設定し（ステップＳ１１４）、処理を終了する。
（制御パラメータの具体例）
図３は、比較例に係るレーザ装置１０１における各種制御パラメータの一例を概略的に示している。制御パラメータは、レーザ装置１０１のレーザ性能を露光装置４が求める目標性能に近づけるための目標制御パラメータである。
（ガス制御パラメータ）
ガス制御パラメータＰｇｓは、ガス圧制御パラメータと部分ガス交換制御パラメータとを含んでいてもよい。ガス制御パラメータＰｇｓは、間接的に、パルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥを目標パルスエネルギＥｔに近づけるための目標制御パラメータである。
ガス圧制御パラメータは、最小充電電圧Ｖｍｉｎ、最大充電電圧Ｖｍａｘ、最大制御ガス圧Ｐｍａｘ、及びガス圧可変量ΔＰを含んでいてもよい。最小充電電圧Ｖｍｉｎは、充電電圧Ｖの最小値であってもよい。最大充電電圧Ｖｍａｘは、充電電圧Ｖの最大値であってもよい。最大制御ガス圧Ｐｍａｘは、レーザを運転する時のレーザチャンバ２０内の最大ガス圧力であってもよい。ガス圧可変量ΔＰは、ガス圧Ｐを増加又は減少させる圧力変化量であってもよい。
部分ガス交換制御パラメータは、部分ガス交換周期Ｔｐｇ、バッファガスの注入係数Ｋｐｇ、及びフッ素を含むガスの注入係数Ｋｈｇを含んでいてもよい。部分ガス交換周期Ｔｐｇは、部分ガス交換を実施する周期であってもよい。バッファガスの注入係数Ｋｐｇは、単位パルス当たりのＡｒ＋Ｎｅ混合ガスの注入量であってもよい。フッ素を含むガスの注入係数Ｋｈｇは、単位パルス当たりのＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの注入量であってもよい。
（スペクトル制御パラメータ）
スペクトル制御パラメータＰλｃは、波長制御パラメータとスペクトル線幅制御パラメータとを含んでいてもよい。波長制御パラメータは、パルスレーザ光Ｌｐの波長を目標波長λｔに近づけるための目標制御パラメータである。スペクトル線幅制御パラメータは、パルスレーザ光Ｌｐのスペクトル線幅を目標スペクトル線幅Δλｔに近づけるための目標制御パラメータである。
波長制御パラメータは、波長制御ゲインλｋ、及び狭帯域化モジュール１０における回転ステージ１４の初期角度θ０を含んでいてもよい。回転ステージ１４の初期角度θ０は、狭帯域化モジュール１０におけるプリズム１２の初期回転角度に対応してもよい。スペクトル線幅制御パラメータは、スペクトル線幅制御ゲインΔλｋと、スペクトル可変部６０におけるリニアステージ６３の初期位置Ｘ０を含んでいてもよい。リニアステージ６３の初期位置Ｘ０は、スペクトル可変部６０におけるシリンドリカル凹レンズ６１の初期位置に対応してもよい。
（エネルギ制御パラメータ）
エネルギ制御パラメータＰｅｇは、パルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥを目標パルスエネルギＥｔに近づけるための目標制御パラメータである。
エネルギ制御パラメータＰｅｇは、エネルギ制御ゲインＶｋと充電電圧Ｖの初期値Ｖ０とを含んでいてもよい。
（エネルギ制御）
レーザ制御部２は、エネルギ制御部６に、目標パルスエネルギＥｔのデータと、発光トリガ信号Ｓｔｒとを送信してもよい。エネルギ制御部６は、充電電圧データＤｖを、充電器９０に送信してもよい。また、エネルギ制御部６は、発光トリガ信号Ｓｔｒに同期して、パルスパワーモジュール２８のスイッチ２９にオン信号を送信してもよい。これにより、レーザチャンバ２０において、１対の放電電極２３，２４間に高電圧が印加され、１対の放電電極２３，２４間の放電領域においてレーザガスが絶縁破壊して、放電が生成され得る。その結果、レーザチャンバ２０内においてレーザガスが励起され、光共振器を構成する狭帯域化モジュール１０と出力結合ミラー３５との間でレーザ発振が起こり得る。出力結合ミラー３５からは、レーザ発振によるパルスレーザ光Ｌｐが出力され得る。
出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐは、ビームスプリッタ３１とビームスプリッタ３２とによって一部がパルスエネルギＥを検出するためのサンプル光として、パルスエネルギ計測器３３に入射し得る。
パルスエネルギ計測器３３では、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥを検出し得る。パルスエネルギ計測器３３は、検出したパルスエネルギＥのデータを、エネルギ制御部６に送信してもよい。
エネルギ制御部６は、パルスエネルギＥと目標パルスエネルギＥｔとの差ΔＥに基づいて、次のパルスの充電電圧Ｖを計算して、充電器９０に充電電圧Ｖを示す充電電圧データＤｖを送信してもよい。その結果、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥは目標パルスエネルギＥｔに近づき得る。
図４は、レーザ装置１０１におけるエネルギ制御部６のエネルギ制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
エネルギ制御部６は、エネルギ制御パラメータＰｅｇの設定と読み込みとを行ってもよい（ステップＳ５０１）。ここで、エネルギ制御部６は、充電電圧Ｖの初期値をＶ＝Ｖ０に設定してもよい。また、エネルギ制御部６は、レーザ制御部２を介してパルスエネルギ制御ゲインＶｋの読み込みを行ってもよい。
次に、エネルギ制御部６は、レーザ制御部２を介して、露光装置制御部５からの目標パルスエネルギＥｔの読み込みを行ってもよい（ステップＳ５０２）。
次に、エネルギ制御部６は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ５０３）。エネルギ制御部６は、例えば、露光制御装置５からの発光トリガ信号Ｓｔｒに基づいて、レーザ発振したか否かを判断してもよい。又は、エネルギ制御部６は、例えば、パルスエネルギ計測器３３で検出されたパルスエネルギＥに基づいて、レーザ発振したか否かを判断してもよい。
エネルギ制御部６は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ５０３；Ｎ）には、ステップＳ５０３の処理を繰り返してもよい。
一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ５０３；Ｙ）には、エネルギ制御部６は、次に、パルスエネルギ計測器３３によってパルスエネルギＥの計測を行ってもよい（ステップＳ５０４）。
次に、エネルギ制御部６は、レーザ制御部２に、計測されたパルスエネルギＥと充電電圧Ｖとのデータを送信してもよい（ステップＳ５０５）。
次に、エネルギ制御部６は、計測されたパルスエネルギＥと目標パルスエネルギＥｔとの差ΔＥ（＝Ｅ−Ｅｔ）の計算をしてもよい（ステップＳ５０６）。
次に、エネルギ制御部６は、ΔＥに基づいて、以下の式のように、次の充電電圧Ｖを計算してもよい（ステップＳ５０７）。すなわち、パルスエネルギＥを計測した時の充電電圧ＶからＶｋ・ΔＥを減算して、次に充電する充電電圧Ｖを計算してもよい。パルスエネルギ制御ゲインＶｋは、ΔＥを充電電圧Ｖの変化量に変換する比例係数であってもよい。
Ｖ＝Ｖ−Ｖｋ・ΔＥ
ここで、Ｖｋ＝ΔＶ／ΔＥ
次に、エネルギ制御部６は、計算した充電電圧Ｖを示す充電電圧データＤｖを充電器９０に送信することにより、充電器９０に充電電圧Ｖを設定してもよい（ステップＳ５０８）。
次に、エネルギ制御部６は、目標パルスエネルギＥｔを変更するか否かを判断してもよい（ステップＳ５０９）。エネルギ制御部６は、目標パルスエネルギＥｔを変更すると判断した場合（ステップＳ５０９；Ｙ）には、ステップＳ５０２の処理に戻ってもよい。
一方、目標パルスエネルギＥｔを変更しないと判断した場合（ステップＳ５０９；Ｎ）には、エネルギ制御部６は、次に、エネルギ制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ５１０）。
エネルギ制御部６は、エネルギ制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ５１０；Ｎ）には、ステップＳ５０３の処理に戻ってもよい。一方、エネルギ制御を終了すると判断した場合（ステップＳ５１０；Ｙ）には、エネルギ制御部６は、エネルギ制御の処理を終了してもよい。
（スペクトル制御）
レーザ制御部２は、スペクトル制御部７に、目標波長λｔのデータと、発光トリガ信号Ｓｔｒとを送信してもよい。スペクトル制御部７は、モニタモジュール３０のスペクトル計測器３４によって、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐの波長λとスペクトル線幅Δλとを計測してもよい。
スペクトル制御部７は、計測された波長λと目標波長λｔとの差δλに基づいて、δλが０に近づくように、狭帯域化モジュール１０の回転ステージ１４にステージ角度制御信号を送信してもよい。ステージ角度制御信号によって、回転ステージ１４の回転ステージ角度θが制御され得る。その結果、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光Ｌｐの波長λは目標波長λｔに近づき得る。
ここで、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２にスペクトル制御関連データＤλｃを送信してもよい。スペクトル制御関連データＤλｃは、例えば、目標波長λｔと、計測された波長λと、スペクトル線幅Δλとを含むデータであってもよい。
図５は、レーザ装置１０１におけるスペクトル制御部７の波長制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
スペクトル制御部７は、スペクトル制御パラメータＰλｃのうち波長制御パラメータの設定と読み込みとを行ってもよい（ステップＳ６０１）。ここで、スペクトル制御部７は、狭帯域化モジュール１０の回転ステージ１４の回転ステージ角度θの初期値をθ＝θ０に設定してもよい。また、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２を介して波長制御ゲインλｋの読み込みを行ってもよい。
次に、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２を介して、露光装置制御部５からの目標波長λｔの読み込みを行ってもよい（ステップＳ６０２）。
次に、スペクトル制御部７は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ６０３）。スペクトル制御部７は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ６０３；Ｎ）には、ステップＳ６０３の処理を繰り返してもよい。
一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ６０３；Ｙ）には、スペクトル制御部７は、次に、スペクトル計測器３４によって波長λの計測を行ってもよい（ステップＳ６０４）。
次に、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２に、計測された波長λのデータを送信してもよい（ステップＳ６０５）。
次に、スペクトル制御部７は、計測された波長λと目標波長λｔとの差δλ（＝λ−λｔ）の計算をしてもよい（ステップＳ６０６）。
次に、スペクトル制御部７は、δλに基づいて、以下の式のように、次の回転ステージ角度θを計算してもよい（ステップＳ６０７）。すなわち、波長λを計測した時の回転ステージ１４の回転ステージ角度θからλｋ・δλを減算して、次のステージ角度を計算してもよい。波長制御ゲインλｋは、δλを回転ステージ角度θの変化量に変換する比例係数であってもよい。
θ＝θ−λｋ・δλ
ここで、λｋ＝Δθ／δλ
次に、スペクトル制御部７は、回転ステージ角度がθとなるように、ステージ角度制御信号を、狭帯域化モジュール１０の回転ステージ１４に送信してもよい（ステップＳ６０８）。
次に、スペクトル制御部７は、目標波長λｔを変更するか否かを判断してもよい（ステップＳ６０９）。スペクトル制御部７は、目標波長λｔを変更すると判断した場合（ステップＳ６０９；Ｙ）には、ステップＳ６０２の処理に戻ってもよい。
一方、目標波長λｔを変更しないと判断した場合（ステップＳ６０９；Ｎ）には、スペクトル制御部７は、次に、波長制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ６１０）。
スペクトル制御部７は、波長制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ６１０；Ｎ）には、ステップＳ６０３の処理に戻ってもよい。一方、波長制御を終了すると判断した場合（ステップＳ６１０；Ｙ）には、スペクトル制御部７は、波長制御の処理を終了してもよい。
（スペクトル線幅制御）
レーザ制御部２は、スペクトル制御部７に、目標スペクトル線幅Δλｔのデータと、発光トリガ信号Ｓｔｒとを送信してもよい。スペクトル制御部７は、モニタモジュール３０のスペクトル計測器３４によって、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐのスペクトル線幅Δλを計測してもよい。
スペクトル制御部７は、計測されたスペクトル線幅Δλと目標スペクトル線幅Δλｔとの差ΔΔλに基づいて、ΔΔλが０に近づくように、スペクトル可変部６０のリニアステージ６３にステージ位置制御信号を送信してもよい。ステージ位置制御信号によって、リニアステージ６３のステージ位置Ｘが制御され得る。その結果、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光Ｌｐのスペクトル線幅Δλは目標スペクトル線幅Δλｔに近づき得る。
ここで、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２に、目標スペクトル線幅Δλｔと、計測されたスペクトル線幅Δλとを含むスペクトル制御関連データＤλｃを送信してもよい。
図６は、レーザ装置１０１におけるにおけるスペクトル制御部７のスペクトル線幅制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
スペクトル制御部７は、スペクトル制御パラメータＰλｃのうちスペクトル線幅制御パラメータの設定と読み込みとを行ってもよい（ステップＳ６１１）。ここで、スペクトル制御部７は、スペクトル可変部６０のリニアステージ６３の位置Ｘの初期値をＸ＝Ｘ０に設定してもよい。また、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２を介してスペクトル線幅制御ゲインΔλｋの読み込みを行ってもよい。
次に、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２を介して、露光装置制御部５からの目標スペクトル線幅Δλｔの読み込みを行ってもよい（ステップＳ６１２）。
次に、スペクトル制御部７は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ６１３）。スペクトル制御部７は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ６１３；Ｎ）には、ステップＳ６１３の処理を繰り返してもよい。
一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ６１３；Ｙ）には、スペクトル制御部７は、次に、スペクトル計測器３４によってスペクトル線幅Δλの計測を行ってもよい（ステップＳ６１４）。
次に、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２に、計測されたスペクトル線幅Δλのデータを送信してもよい（ステップＳ６１５）。
次に、スペクトル制御部７は、計測されたスペクトル線幅Δλと目標スペクトル線幅Δλｔとの差ΔΔλ（＝Δλ−Δλｔ）の計算をしてもよい（ステップＳ６１６）。
次に、スペクトル制御部７は、Δλに基づいて、以下の式のように、次のリニアステージ６３の位置Ｘを計算してもよい（ステップＳ６１７）。すなわち、スペクトル線幅を計測した時のリニアステージ６３の位置ＸからΔλｋ・ΔΔλを減算して、次のリニアステージ６３の位置Ｘを計算してもよい。スペクトル線幅制御ゲインΔλｋは、ΔΔλを位置Ｘの変化量に変換する比例係数であってもよい。
Ｘ＝Ｘ−Δλｋ・Δλ
ここで、Δλｋ＝ΔＸ／ΔΔλ
次に、スペクトル制御部７は、リニアステージ６３の位置がＸとなるように、ステージ位置制御信号を、スペクトル可変部６０のリニアステージ６３に送信してもよい（ステップＳ６１８）。
次に、スペクトル制御部７は、目標スペクトル線幅Δλｔを変更するか否かを判断してもよい（ステップＳ６１９）。スペクトル制御部７は、目標スペクトル線幅Δλｔを変更すると判断した場合（ステップＳ６１９；Ｙ）には、ステップＳ６１２の処理に戻ってもよい。
一方、目標スペクトル線幅Δλｔを変更しないと判断した場合（ステップＳ６１９；Ｎ）には、スペクトル制御部７は、次に、スペクトル線幅制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ６２０）。
スペクトル制御部７は、スペクトル線幅制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ６２０；Ｎ）には、ステップＳ６１３の処理に戻ってもよい。一方、スペクトル線幅制御を終了すると判断した場合（ステップＳ６２０；Ｙ）には、スペクトル制御部７は、スペクトル線幅制御の処理を終了してもよい。
（ガス制御）
ガス制御部９は、ガス制御として、ガス圧制御と部分ガス交換制御とを行ってもよい。レーザ制御部２は、ガス制御部９にガス制御パラメータＰｇｓを送信してもよい。ガス制御パラメータＰｇｓは、ガス圧制御パラメータと部分ガス交換制御パラメータとを含んでいてもよい。
（ガス圧制御）
ガス制御部９によるガス圧制御は、以下の性質を利用するガス制御方式であってもよい。レーザガス圧が高くなると、絶縁破壊電圧が上昇して、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥが増加し得る。逆にレーザガス圧が低くなると、絶縁破壊電圧が降下して、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥが低下し得る。
ガス制御部９は、レーザチャンバ２０内のガス圧Ｐを圧力センサによって計測してもよい。ガス制御部９は、ガス圧Ｐのデータをレーザ制御部２に送信してもよい。
ガス制御部９は、充電電圧Ｖが最大充電電圧Ｖｍａｘ以上となった場合は、レーザガス供給装置９１を制御して、ガス圧Ｐがガス圧可変量ΔＰだけ増加するように、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ混合ガスを注入してもよい。逆に、ガス制御部９は、充電電圧Ｖが最小充電電圧Ｖｍｉｎ以下となった場合は、レーザガス排気装置９２を制御して、ガス圧Ｐがガス圧可変量ΔＰだけ減少するように、レーザチャンバ２０内のガスを排気してもよい。
図７は、レーザ装置１０１におけるガス制御部９のガス圧制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
ガス制御部９は、ガス制御パラメータＰｇｓのうちガス圧制御パラメータの読み込みを行ってもよい（ステップＳ７０１）。ここで、ガス制御部９は、ガス圧制御パラメータとして、レーザ制御部２を介して、最小充電電圧Ｖｍｉｎ、最大充電電圧Ｖｍａｘ、最大制御ガス圧Ｐｍａｘ、及びガス圧可変量ΔＰの読み込みを行ってもよい。
次に、ガス制御部９は、圧力センサによって計測されたレーザチャンバ２０内のガス圧Ｐの読み込みを行ってもよい（ステップＳ７０２）。
次に、ガス制御部９は、レーザ制御部２に、計測されたガス圧Ｐのデータを送信してもよい（ステップＳ７０３）。
次に、ガス制御部９は、レーザ制御部２を介して充電電圧Ｖのデータを受信してもよい（ステップＳ７０４）。
次に、ガス制御部９は、充電電圧Ｖの値を、最小充電電圧Ｖｍｉｎ及び最大充電電圧Ｖｍａｘと比較してもよい（ステップＳ７０５）。Ｖｍａｘ≧Ｖ≧Ｖｍｉｎの場合には、ガス制御部９は、ガス圧制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ７０８）。ガス圧制御を終了するか否かの判断は、例えば、計測されたガス圧Ｐが最大制御ガス圧Ｐｍａｘを超えているか否かを判断することにより行うようにしてもよい。
また、Ｖ＞Ｖｍａｘの場合には、ガス制御部９は、レーザガス供給装置９１を制御して、レーザチャンバ２０内のガス圧Ｐがガス圧可変量ΔＰだけ増加するように、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ混合ガスを注入してもよい（ステップＳ７０６）。その後、ガス制御部９は、ガス圧制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ７０８）。
また、Ｖ＜Ｖｍｉｎの場合には、ガス制御部９は、レーザガス排気装置９２を制御して、レーザチャンバ２０内のガス圧Ｐがガス圧可変量ΔＰだけ減少するように、レーザチャンバ２０内のガスを排気してもよい（ステップＳ７０７）。その後、ガス制御部９は、ガス圧制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ７０８）。
ガス制御部９は、ガス圧制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ７０８；Ｎ）には、ステップＳ７０２の処理に戻ってもよい。一方、ガス圧制御を終了すると判断した場合（ステップＳ７０８；Ｙ）には、ガス制御部９は、ガス圧制御の処理を終了してもよい。
（部分ガス交換制御）
ガス制御部９による部分ガス交換制御は、例えば一定周期で、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ混合ガスとＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスとを所定量注入した後、それらの注入したガスの量だけレーザチャンバ２０内のガスを排気する制御であってもよい。部分ガス交換制御を行うことによって、放電によるＦ2ガスの低下分がレーザチャンバ２０内に補充され得る。部分ガス交換制御を行うことによって、レーザチャンバ２０内に発生した不純物ガスの濃度とＦ2ガスの濃度とをそれぞれ所定の濃度に維持することができる。
図８は、レーザ装置１０１におけるガス制御部９の部分ガス交換制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
ガス制御部９は、ガス制御パラメータＰｇｓのうち部分ガス交換制御パラメータの読み込みを行ってもよい（ステップＳ７１１）。ここで、ガス制御部９は、部分ガス交換制御パラメータとして、部分ガス交換周期Ｔｐｇと、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスの注入係数Ｋｐｇと、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの注入係数Ｋｈｇとの読み込みを行ってもよい。Ｋｐｇは、単位発振パルス当たりのＡｒ＋Ｎｅガスの注入量であってもよい。Ｋｈｇは、単位発振パルス当たりのＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの注入量であってもよい。
次に、ガス制御部９は、パルス数のカウンタ値Ｎの初期値をＮ＝０に設定してもよい（ステップＳ７１２）。次に、ガス制御部９は、タイマＴをリセットスタートさせてもよい（ステップＳ７１３）。
次に、ガス制御部９は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ７１４）。ガス制御部９は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ７１４；Ｎ）には、ステップＳ７１６の処理に進んでもよい。
一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ７１４；Ｙ）には、ガス制御部９は、次に、パルス数のカウンタ値ＮをＮ＋１に設定してもよい（ステップＳ７１５）。
次に、ガス制御部９は、タイマＴの値が部分ガス交換周期Ｔｐｇに達したか否かを判断してもよい（ステップＳ７１６）。これにより、ガス制御部９は、部分ガス交換周期Ｔｐｇにおけるレーザ発振のパルス数を計測してもよい。ガス制御部９は、タイマＴの値が部分ガス交換周期Ｔｐｇに達していないと判断した場合（ステップＳ７１６；Ｎ）には、ステップＳ７１４の処理に戻ってもよい。
一方、タイマＴの値が部分ガス交換周期Ｔｐｇに達したと判断した場合（ステップＳ７１６；Ｙ）には、ガス制御部９は、次に、圧力センサによって計測されたレーザチャンバ２０内のガス圧Ｐの読み込みを行ってもよい（ステップＳ７１７）。
次に、ガス制御部９は、レーザ制御部２に、計測されたガス圧Ｐのデータを送信してもよい（ステップＳ７１８）。
次に、ガス制御部９は、後述の図９に示す部分ガス交換の処理を行ってもよい（ステップＳ７１９）。
ガス制御部９は、次に、部分ガス交換制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ７２０）。ガス制御部９は、部分ガス交換制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ７２０；Ｎ）には、ステップＳ７１２の処理に戻ってもよい。一方、部分ガス交換制御を終了すると判断した場合（ステップＳ７２０；Ｙ）には、ガス制御部９は、部分ガス交換制御の処理を終了してもよい。
図９は、図８に示したフローチャートにおけるステップＳ７１９の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
ガス制御部９は、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスの注入係数Ｋｐｇと、部分ガス交換周期Ｔｐｇにおけるレーザ発振のパルス数Ｎとから、ΔＰｐｇ（＝Ｋｐｇ・Ｎ）の計算をしてもよい（ステップＳ７２１）。
次に、ガス制御部９は、レーザチャンバ２０内のガス圧ＰがΔＰｐｇだけ増加するように、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ混合ガスを注入してもよい（ステップＳ７２２）。
次に、ガス制御部９は、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの注入係数Ｋｈｇと、部分ガス交換周期Ｔｐｇにおけるレーザ発振のパルス数Ｎとから、ΔＰｈｇ（＝Ｋｈｇ・Ｎ）の計算をしてもよい（ステップＳ７２３）。
次に、ガス制御部９は、レーザチャンバ２０内のガス圧ＰがΔＰｈｇだけ増加するように、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスを注入してもよい（ステップＳ７２４）。
次に、ガス制御部９は、レーザチャンバ２０内のガス圧Ｐが（ΔＰｐｇ＋ΔＰｈｇ）だけ減少するように、レーザチャンバ２０内のガスを排気してもよい（ステップＳ７２５）。その後、ガス制御部９は、図８のステップＳ７２０の処理を行ってもよい。
なお、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスの注入と、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの注入とは、同時にまとめて行ってもよい。
なお、以上の各種制御の説明では、各種制御ゲインが比例係数である場合を例にしたが、各種制御ゲインとしてＰＩＤ（Proportional-Integral-Differential）制御による微分制御係数や積分制御係数を用いる場合であってもよい。
［１．３ 課題］
比較例に係るレーザ装置１０１、及びレーザ装置管理システムにおいて、制御パラメータを変更する場合には、レーザ装置１０１のユーザ先に依頼をしてレーザ出力動作を止めてもらい、レーザメーカのサービスマンがレーザ装置１０１を直接操作して制御パラメータを変更し、レーザ性能の結果を判断する。このため、長時間のダウンタイムが発生し得る。さらに、比較例に係るレーザ装置１０１、及びレーザ装置管理システムでは、制御パラメータ変更前後のレーザ性能の差が明確にされず、制御パラメータの変更がＯＫであるか否かの判断をすることが困難であった。
＜２．実施形態１＞（制御パラメータの予約変更機能を備えたレーザ装置、及びレーザ装置管理システム）
次に、本開示の実施形態１に係るレーザ装置、及びレーザ装置管理システムについて説明する。なお、以下では上記比較例に係るレーザ装置１、及びレーザ装置管理システムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
［２．１ 構成］
図１０は、実施形態１に係るレーザ装置１、及びレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示している。
実施形態１に係るレーザ装置管理システムは、上記比較例に係るレーザ装置１０１に代えてレーザ装置１を備えた構成であってもよい。
レーザ装置１において、レーザ制御部２は、第１の記憶部５１と第２の記憶部５２とを備えている。
第１の記憶部５１は、第１のレーザ制御パラメータを記憶してもよい。第１のレーザ制御パラメータは、後述の図１１〜図１７に示す制御パラメータ変更を行うための調整発振を行う場合における制御パラメータ変更前の各種制御パラメータであってもよい。第１のレーザ制御パラメータは、制御パラメータ変更を行うための調整発振を行う前、換言すれば、レーザ出力部から露光装置４へのレーザ出力を停止する前に用いられていたレーザ制御パラメータであってもよい。制御パラメータ変更前の各種制御パラメータは、図３に示したような、エネルギ制御パラメータＰｅｇ、スペクトル制御パラメータＰλｃ、及びガス制御パラメータＰｇｓのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
第２の記憶部５２は、第２のレーザ制御パラメータを記憶してもよい。第２のレーザ制御パラメータは、後述の図１１〜図１７に示す制御パラメータ変更を行うための調整発振を行う場合における制御パラメータ変更後の各種制御パラメータであってもよい。制御パラメータ変更後の各種制御パラメータは、図３に示したような、エネルギ制御パラメータＰｅｇ、スペクトル制御パラメータＰλｃ、及びガス制御パラメータＰｇｓのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
端末装置１１１とレーザ制御部２との間には、レーザ装置１における各種制御パラメータの変更データを含む予約制御パラメータＰｒを、端末装置１１１からレーザ制御部２に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
また、端末装置１１１とレーザ制御部２との間には、レーザ性能データＤａｂと制御パラメータ変更結果信号Ｓａｂとを、レーザ制御部２から端末装置１１１に送信する信号ラインが設けられていてもよい。制御パラメータ変更結果信号Ｓａｂは、後述の図１１〜図１７に示す制御パラメータ変更を行うための調整発振を行う場合における、制御パラメータ変更ＯＫ信号、又は制御パラメータ変更ＮＧ信号を含んでいてもよい。
また、レーザ制御部２と露光装置４の露光装置制御部５との間には、制御パラメータ変更結果信号Ｓａｂを、レーザ制御部２から露光装置制御部５に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザ性能データＤａｂは、制御パラメータ変更前後のレーザ性能データであってもよい。レーザ性能データＤａｂは、第１のレーザ性能データ、及び第２のレーザ性能データを含んでいてもよい。
第１のレーザ性能データは、レーザ出力部から露光装置４へのレーザ出力を停止している間に、レーザ出力部において第１のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られるレーザ性能データであってもよい。
第２のレーザ性能データは、レーザ出力部から露光装置４へのレーザ出力を停止している間に、レーザ出力部において第２のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られるレーザ性能データであってもよい。
レーザ制御部２は、レーザ出力部から露光装置４へのレーザ出力を停止している間に、第１のレーザ性能データよりも第２のレーザ性能データが改善しているか否かを判定する制御部であってもよい。
なお、以上の説明において、レーザ出力部から露光装置４へのレーザ出力を停止している間とは、図１１〜図１７に示す制御パラメータ変更を行うための調整発振を行う期間であってもよい。
レーザ制御部２は、第１のレーザ性能データよりも第２のレーザ性能データが改善しているか否かの判定の結果に基づいて、第１のレーザ制御パラメータ及び第２のレーザ制御パラメータのうち、いずれか一方のレーザ制御パラメータを用いてレーザ出力部に露光装置４へのレーザ出力を行わせる制御部であってもよい。
レーザ制御部２は、第２のレーザ性能データが改善していると判定した場合には、第２のレーザ制御パラメータを用いてレーザ出力部に露光装置４へのレーザ出力を行わせるようにしてもよい。レーザ制御部２は、第２のレーザ性能データが改善していないと判定した場合には、第１のレーザ制御パラメータを用いてレーザ出力部に露光装置４へのレーザ出力を行わせるようにしてもよい。
予約制御パラメータＰｒには、第２のレーザ制御パラメータが含まれていてもよい。レーザ制御部２は、第２のレーザ制御パラメータを、レーザ出力部から露光装置４へのレーザ出力を停止する前に、端末装置１１１から受信し、第２の記憶部５２に記憶してもよい。
その他の構成は、上記比較例に係るレーザ装置１０１、及びレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
［２．２ 動作］
（制御パラメータの変更制御）
図１１は、レーザ装置１におけるレーザ制御部２による制御パラメータの変更に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
レーザ制御部２は、予約制御パラメータＰｒのデータを端末装置１１１から受信したか否かを判断する（ステップＳ１１０１）。レーザ制御部２は、予約制御パラメータＰｒのデータを端末装置１１１から受信していないと判断した場合（ステップＳ１１０１；Ｎ）には、ステップＳ１１０１の処理を繰り返してもよい。
一方、予約制御パラメータＰｒのデータを端末装置１１１から受信したと判断した場合（ステップＳ１１０１；Ｙ）には、次に、レーザ制御部２は、制御パラメータ変更前の制御パラメータのデータを第１の記憶部５１に書き込む（ステップＳ１１０２）。
次に、レーザ制御部２は、予約制御パラメータＰｒのデータを第２の記憶部５２に書き込む（ステップＳ１１０３）。
次に、レーザ制御部２は、露光装置４に制御パラメータ変更のための調整発振要求信号を送信する（ステップＳ１１０４）。
レーザ制御部２は、露光装置４から調整発振ＯＫ信号を受信したか否かを判断する（ステップＳ１１０５）。レーザ制御部２は、調整発振ＯＫ信号を受信していないと判断した場合（ステップＳ１１０５；Ｎ）には、ステップＳ１１０５の処理を繰り返してもよい。
一方、調整発振ＯＫ信号を受信したと判断した場合（ステップＳ１１０５；Ｙ）には、次に、レーザ制御部２は、出射口シャッタ８０を閉じ（ステップＳ１１０６）、調整発振を行う（ステップＳ１１０７）。ここで、後述の図１３〜図１７の調整発振が行われることにより、レーザ性能が改善したか否かを示すフラグＦの値が得られる。レーザ性能が改善している場合にはフラグＦ＝１、レーザ性能が改善していない場合にはフラグＦ＝０の値が得られる。
レーザ制御部２は、レーザ性能が改善したか否かを判断する（ステップＳ１１０８）。ここで、レーザ性能が改善したか否かの判断は、フラグＦの値が１であるか否かを判断することにより行うことができる。
レーザ性能が改善していると判断した場合（ステップＳ１１０８；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、第２の記憶部５２の制御パラメータ変更後の制御パラメータのデータをレーザ装置１の制御パラメータとして設定する（ステップＳ１１０９）。次に、レーザ制御部２は、出射口シャッタ８０を開き（ステップＳ１１１０）、露光装置４に制御パラメータ変更ＯＫ信号を出力した後（ステップＳ１１１１）、ステップＳ１１０１の処理に戻ってもよい。なお、ステップＳ１１１１の処理において、レーザ制御部２は、さらに、端末装置１１１に、制御パラメータ変更ＯＫ信号を出力してもよい。
一方、レーザ性能が改善していないと判断した場合（ステップＳ１１０８；Ｎ）には、レーザ制御部２は、次に、露光装置４に制御パラメータ変更ＮＧ信号を出力した後（ステップＳ１１１２）、第１の記憶部５１の制御パラメータ変更前の制御パラメータのデータをレーザ装置１の制御パラメータとして設定し（ステップＳ１１１３）、処理を終了してもよい。なお、ステップＳ１１１２の処理において、レーザ制御部２は、さらに、端末装置１１１に、制御パラメータ変更ＮＧ信号を出力してもよい。
図１２は、図１１に示したフローチャートにおけるステップＳ１１０７の調整発振の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
まず、レーザ制御部２は、どの制御パラメータの変更か判定する（ステップＳ１２０１）。
エネルギ制御パラメータＰｅｇの変更である場合、レーザ制御部２は、エネルギ制御の調整発振を行い（ステップＳ１２０２）、図１１のステップＳ１１０８の処理に進む。
スペクトル制御パラメータＰλｃの変更である場合、レーザ制御部２は、スペクトル制御の調整発振を行い（ステップＳ１２０３）、図１１のステップＳ１１０８の処理に進む。なお、スペクトル制御パラメータＰλｃの変更が波長制御パラメータの変更である場合、レーザ制御部２は、波長制御の調整発振を行う。また、スペクトル制御パラメータＰλｃの変更がスペクトル線幅制御パラメータの変更である場合、レーザ制御部２は、スペクトル線幅制御の調整発振を行う。
ガス制御パラメータＰｇｓの変更である場合、レーザ制御部２は、ガス制御の調整発振を行い（ステップＳ１２０４）、図１１のステップＳ１１０８の処理に進む。
なお、図１２では、エネルギ制御パラメータＰｅｇ、スペクトル制御パラメータＰλｃ、及びガス制御パラメータＰｇｓの変更を別々に行う場合を例にしているが、各制御パラメータの変更により、各制御同士の干渉がない場合は、各制御パラメータを同時に変更してもよい。特に、エネルギ制御パラメータＰｅｇの変更とスペクトル制御パラメータＰλｃの変更は互いに制御が干渉することが少ないので同時に制御パラメータを変更してもよい。
（エネルギ制御の調整発振）
図１３は、図１２に示したフローチャートにおけるステップＳ１２０２のエネルギ制御の調整発振の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。レーザ制御部２は、主としてエネルギ制御部６を制御してエネルギ制御の調整発振を行う。
レーザ制御部２は、調整発振を開始する（ステップＳ１３０１）。調整発振では、外部トリガである露光装置制御部５からの発光トリガ信号Ｓｔｒではなく、レーザ装置１の内部トリガによって所定の繰り返し周波数でレーザ発振を行う。調整発振では、実露光に近いバースト運転で発振させるのが好ましい。例えば、６ｋＨｚで０．５ｓ（秒）の発振期間と０．２ｓの休止時間とを含むバースト運転等を行ってもよい。
次に、レーザ制御部２は、第１の記憶部５１に記憶された変更前のエネルギ制御パラメータＰｅｇのデータをエネルギ制御パラメータＰｅｇとして設定し（ステップＳ１３０２）、エネルギ制御を実行する（ステップＳ１３０３）。
次に、レーザ制御部２は、エネルギ制御パラメータＰｅｇ変更前のパルスエネルギを計測し、その評価データを記憶する（ステップＳ１３０４）。ここで、パルスエネルギの評価データとは、例えば、パルスエネルギのエネルギ安定性Ｅσ（％）であってもよい。パルスエネルギのエネルギ安定性Ｅσは、パルスエネルギの標準偏差σであってもよい。レーザ制御部２は、評価データを端末装置１１１に送信してもよい。
次に、レーザ制御部２は、第２の記憶部５２に記憶された変更後のエネルギ制御パラメータＰｅｇのデータをエネルギ制御パラメータＰｅｇとして設定し（ステップＳ１３０５）。エネルギ制御を実行する（ステップＳ１３０６）。ここで、変更するエネルギ制御パラメータＰｅｇは、例えばパルスエネルギ制御ゲインＶｋであってもよい。
次に、レーザ制御部２は、エネルギ制御パラメータＰｅｇ変更後のパルスエネルギを計測し、その評価データを記憶する（ステップＳ１３０７）。ここで、パルスエネルギの評価データとは、例えば、パルスエネルギのエネルギ安定性Ｅσ（％）であってもよい。パルスエネルギのエネルギ安定性Ｅσは、パルスエネルギの標準偏差σであってもよい。レーザ制御部２は、評価データを端末装置１１１に送信してもよい。
次に、レーザ制御部２は、調整発振を停止し（ステップＳ１３０９）、エネルギ安定性が改善したか否かを判断する（ステップＳ１３０９）。ここで、エネルギ安定性が改善したか否かの判断は、エネルギ安定性Ｅσの値が制御パラメータ変更前後で、小さくなったか否かを判定することによって行ってもよい。
エネルギ安定性が改善したと判断した場合（ステップＳ１３０９；Ｙ）には、レーザ制御部２は、フラグＦの値を１（ステップＳ１３１１）として、図１１のステップＳ１１０８の処理に進んでもよい。一方、エネルギ安定性が改善していないと判断した場合（ステップＳ１３０９；Ｎ）には、レーザ制御部２は、フラグＦの値を０（ステップＳ１３１０）として、図１１のステップＳ１１０８の処理に進んでもよい。
（波長制御の調整発振）
図１４は、図１２に示したフローチャートにおけるステップＳ１２０３の波長制御の調整発振の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。レーザ制御部２は、主としてスペクトル制御部７を制御して波長制御の調整発振を行う。
レーザ制御部２は、調整発振を開始する（ステップＳ１４０１）。調整発振では、外部トリガである露光装置制御部５からの発光トリガ信号Ｓｔｒではなく、レーザ装置１の内部トリガによって所定の繰り返し周波数でレーザ発振を行う。調整発振では、実露光に近いバースト運転で発振させるのが好ましい。例えば、６ｋＨｚで０．５ｓ（秒）の発振期間と０．２ｓの休止時間とを含むバースト運転等を行ってもよい。
次に、レーザ制御部２は、第１の記憶部５１に記憶された変更前の波長制御パラメータのデータを波長制御パラメータとして設定し（ステップＳ１４０２）、波長制御を実行する（ステップＳ１４０３）。
次に、レーザ制御部２は、波長制御パラメータ変更前の波長を計測し、その評価データを記憶する（ステップＳ１４０４）。ここで、波長の評価データとは、例えば、波長安定性λσであってもよい。波長安定性λσは、例えば、計測された波長λと目標波長λｔとの差δλ（＝λ−λｔ）の標準偏差値δλσであってもよい。レーザ制御部２は、評価データを端末装置１１１に送信してもよい。
次に、レーザ制御部２は、第２の記憶部５２に記憶された変更後の波長制御パラメータのデータを波長制御パラメータとして設定し（ステップＳ１４０５）。波長制御を実行する（ステップＳ１４０６）。ここで、変更する波長制御パラメータは、例えば波長制御ゲインλｋであってもよい。
次に、レーザ制御部２は、波長制御パラメータ変更後の波長を計測し、その評価データを記憶する（ステップＳ１４０７）。ここで、波長の評価データとは、例えば、波長安定性λσであってもよい。波長安定性λσは、例えば、計測された波長λと目標波長λｔとの差δλ（＝λ−λｔ）の標準偏差値δλσであってもよい。レーザ制御部２は、評価データを端末装置１１１に送信してもよい。
次に、レーザ制御部２は、調整発振を停止し（ステップＳ１４０９）、波長安定性が改善したか否かを判断する（ステップＳ１４０９）。ここで、波長安定性が改善したか否かの判断は、波長安定性λσの値が制御パラメータ変更前後で、小さくなったか否かを判定することによって行ってもよい。
波長安定性が改善したと判断した場合（ステップＳ１４０９；Ｙ）には、レーザ制御部２は、フラグＦの値を１（ステップＳ１４１１）として、図１１のステップＳ１１０８の処理に進んでもよい。一方、波長安定性が改善していないと判断した場合（ステップＳ１４０９；Ｎ）には、レーザ制御部２は、フラグＦの値を０（ステップＳ１４１０）として、図１１のステップＳ１１０８の処理に進んでもよい。
（スペクトル線幅制御の調整発振）
図１５は、図１２に示したフローチャートにおけるステップＳ１２０３のスペクトル線幅制御の調整発振の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。レーザ制御部２は、主としてスペクトル制御部７を制御してスペクトル線幅制御の調整発振を行う。
レーザ制御部２は、調整発振を開始する（ステップＳ１５０１）。調整発振では、外部トリガである露光装置制御部５からの発光トリガ信号Ｓｔｒではなく、レーザ装置１の内部トリガによって所定の繰り返し周波数でレーザ発振を行う。調整発振では、実露光に近いバースト運転で発振させるのが好ましい。例えば、６ｋＨｚで０．５ｓ（秒）の発振期間と０．２ｓの休止時間とを含むバースト運転等を行ってもよい。
次に、レーザ制御部２は、第１の記憶部５１に記憶された変更前のスペクトル線幅制御パラメータのデータをスペクトル線幅制御パラメータとして設定し（ステップＳ１５０２）、スペクトル線幅制御を実行する（ステップＳ１５０３）。
次に、レーザ制御部２は、スペクトル線幅制御パラメータ変更前のスペクトル線幅を計測し、その評価データを記憶する（ステップＳ１５０４）。ここで、スペクトル線幅の評価データとは、例えば、スペクトル線幅安定性Δλσであってもよい。スペクトル線幅安定性Δλσは、計測されたスペクトル線幅Δλと目標スペクトル線幅Δλｔとの差ΔΔλ（＝Δλ−Δλｔ）の標準偏差値ΔΔλσであってもよい。レーザ制御部２は、評価データを端末装置１１１に送信してもよい。
次に、レーザ制御部２は、第２の記憶部５２に記憶された変更後のスペクトル線幅制御パラメータのデータをスペクトル線幅制御パラメータとして設定し（ステップＳ１５０５）。スペクトル線幅制御を実行する（ステップＳ１５０６）。ここで、変更するスペクトル線幅制御パラメータは、例えばスペクトル線幅制御ゲインΔλｋであってもよい。
次に、レーザ制御部２は、スペクトル線幅制御パラメータ変更後のスペクトル線幅を計測し、その評価データを記憶する（ステップＳ１５０７）。ここで、スペクトル線幅の評価データとは、例えば、スペクトル線幅安定性Δλσであってもよい。スペクトル線幅安定性Δλσは、計測されたスペクトル線幅Δλと目標スペクトル線幅Δλｔとの差ΔΔλ（＝Δλ−Δλｔ）の標準偏差値ΔΔλσであってもよい。レーザ制御部２は、評価データを端末装置１１１に送信してもよい。
次に、レーザ制御部２は、調整発振を停止し（ステップＳ１５０９）、スペクトル線幅安定性が改善したか否かを判断する（ステップＳ１５０９）。ここで、スペクトル線幅安定性が改善したか否かの判断は、スペクトル線幅安定性Δλσの値が制御パラメータ変更前後で、小さくなったか否かを判定することによって行ってもよい。
スペクトル線幅安定性が改善したと判断した場合（ステップＳ１５０９；Ｙ）には、レーザ制御部２は、フラグＦの値を１（ステップＳ１５１１）として、図１１のステップＳ１１０８の処理に進んでもよい。一方、スペクトル線幅安定性が改善していないと判断した場合（ステップＳ１５０９；Ｎ）には、レーザ制御部２は、フラグＦの値を０（ステップＳ１５１０）として、図１１のステップＳ１１０８の処理に進んでもよい。
（ガス制御の調整発振の第１の例）
図１６は、図１２に示したフローチャートにおけるステップＳ１２０４のガス制御の調整発振の処理の第１の例を示すサブのフローチャートである。レーザ制御部２は、主としてガス制御部９を制御してガス制御の調整発振を行う。図１６では、ガス制御の調整発振の処理の第１の例として、所定時間内にレーザ性能がＯＫとなるか否かを判定する例を説明する。
レーザ制御部２は、調整発振を開始する（ステップＳ１６０１）。調整発振では、外部トリガである露光装置制御部５からの発光トリガ信号Ｓｔｒではなく、レーザ装置１の内部トリガによって所定の繰り返し周波数でレーザ発振を行う。調整発振では、実露光に近いバースト運転で発振させるのが好ましい。例えば、６ｋＨｚで０．５ｓ（秒）の発振期間と０．２ｓの休止時間とを含むバースト運転等を行ってもよい。
次に、レーザ制御部２は、第２の記憶部５２に記憶された変更後のガス制御パラメータＰｇｓの情報を読み込み（ステップＳ１６０２）、変更後のガス制御パラメータＰｇｓでガス制御を実施する（ステップＳ１６０３）。ここでは、ガス制御パラメータＰｇｓの変更として、例えば最大制御ガス圧Ｐｍａｘが増加する方向になった場合を想定してもよい。
次に、レーザ制御部２は、タイマＴをリセットスタートさせる（ステップＳ１６０４）。次に、レーザ制御部２は、変更後のガス制御パラメータＰｇｓでガス制御を実施する（ステップＳ１６０５）。
次に、レーザ制御部２は、タイマＴの値が所定時間Ｋに達したか否かを判断する（ステップＳ１６０６）。レーザ制御部２は、タイマＴの値が所定時間Ｋに達していないと判断した場合（ステップＳ１６０６；Ｎ）には、ステップＳ１６０５の処理に戻ってもよい。
一方、タイマＴの値が所定時間Ｋに達したと判断した場合（ステップＳ１６０６；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、レーザ性能を計測する（ステップＳ１６０７）。ここで、レーザ性能の計測は、例えば、エネルギ安定性Ｅσや充電電圧Ｖ等の値を計測してもよい。レーザ制御部２は、計測結果を端末装置１１１に送信してもよい。
次に、レーザ制御部２は、調整発振を停止し（ステップＳ１６０８）、レーザ性能がＯＫであるか否かを判断する（ステップＳ１６０９）。ここで、レーザ性能がＯＫであるか否かの判断は、例えば、エネルギ安定性Ｅσや充電電圧Ｖ等の値が許容範囲か否かを判定することによって行ってもよい。
レーザ性能がＯＫであると判断した場合（ステップＳ１６０９；Ｙ）には、レーザ制御部２は、フラグＦの値を１（ステップＳ１６１１）として、図１１のステップＳ１１０８の処理に進んでもよい。一方、レーザ性能がＯＫではないと判断した場合（ステップＳ１６０９；Ｎ）には、レーザ制御部２は、フラグＦの値を０（ステップＳ１６１０）として、図１１のステップＳ１１０８の処理に進んでもよい。
（ガス制御の調整発振の第２の例）
図１７は、図１２に示したフローチャートにおけるステップＳ１２０４のガス制御の調整発振の処理の第２の例を示すサブのフローチャートである。レーザ制御部２は、主としてガス制御部９を制御してガス制御の調整発振を行う。図１７では、ガス制御の調整発振の処理の第２の例として、ガス制御パラメータＰｇｓ変更前後のレーザ性能を計測して判定する場合を例に説明する。
レーザ制御部２は、調整発振を開始する（ステップＳ１７０１）。調整発振では、外部トリガである露光装置制御部５からの発光トリガ信号Ｓｔｒではなく、レーザ装置１の内部トリガによって所定の繰り返し周波数でレーザ発振を行う。調整発振では、実露光に近いバースト運転で発振させるのが好ましい。例えば、６ｋＨｚで０．５ｓ（秒）の発振期間と０．２ｓの休止時間とを含むバースト運転等を行ってもよい。
次に、レーザ制御部２は、第１の記憶部５１に記憶された変更前のガス制御パラメータＰｇｓのデータをガス制御パラメータＰｇｓとして設定し（ステップＳ１７０２）、タイマＴをリセットスタートさせる（ステップＳ１７０３）。次に、レーザ制御部２は、ガス制御を実行する（ステップＳ１７０４）。
次に、レーザ制御部２は、タイマＴの値が所定時間Ｋ１に達したか否かを判断する（ステップＳ１７０５）。レーザ制御部２は、タイマＴの値が所定時間Ｋ１に達していないと判断した場合（ステップＳ１７０５；Ｎ）には、ステップＳ１７０４の処理に戻ってもよい。
一方、タイマＴの値が所定時間Ｋ１に達したと判断した場合（ステップＳ１７０５；Ｙ）には、次に、レーザ制御部２は、ガス制御パラメータＰｇｓ変更前のレーザ性能を計測し、その評価データを記憶する（ステップＳ１７０６）。ここで、レーザ性能の計測は、例えば、エネルギ安定性Ｅσや充電電圧Ｖ等の値を計測してもよい。レーザ制御部２は、評価データを端末装置１１１に送信してもよい。
次に、レーザ制御部２は、第２の記憶部５２に記憶された変更後のガス制御パラメータＰｇｓのデータをガス制御パラメータＰｇｓとして設定し（ステップＳ１７０７）、タイマＴをリセットスタートさせる（ステップＳ１７０８）。ここで、変更するガス制御パラメータＰｇｓは、例えば最大制御ガス圧Ｐｍａｘであってもよい。次に、レーザ制御部２は、ガス制御を実行する（ステップＳ１７０９）。
次に、レーザ制御部２は、タイマＴの値が所定時間Ｋ２に達したか否かを判断する（ステップＳ１７１０）。ここで、所定時間Ｋ１と所定時間Ｋ２の値は、Ｋ２≧Ｋ１となる値であってもよい。レーザ制御部２は、タイマＴの値が所定時間Ｋ２に達していないと判断した場合（ステップＳ１７１０；Ｎ）には、ステップＳ１７０９の処理に戻ってもよい。
一方、タイマＴの値が所定時間Ｋ２に達したと判断した場合（ステップＳ１７１０；Ｙ）には、次に、レーザ制御部２は、ガス制御パラメータＰｇｓ変更後のレーザ性能を計測し、その評価データを記憶する（ステップＳ１７１１）。ここで、レーザ性能の計測は、例えば、エネルギ安定性Ｅσや充電電圧Ｖ等の値を計測してもよい。レーザ制御部２は、評価データを端末装置１１１に送信してもよい。
次に、レーザ制御部２は、調整発振を停止し（ステップＳ１７１２）、レーザ性能が改善したか否かを判断する（ステップＳ１７１３）。ここで、レーザ性能が改善したか否かの判断は、エネルギ安定性Ｅσ等のレーザ性能の値が制御パラメータ変更前後で、小さくなったか否かを判定することによって行ってもよい。
レーザ性能が改善したと判断した場合（ステップＳ１７１３；Ｙ）には、レーザ制御部２は、フラグＦの値を１（ステップＳ１７１５）として、図１１のステップＳ１１０８の処理に進んでもよい。一方、レーザ性能が改善していないと判断した場合（ステップＳ１７１３；Ｎ）には、レーザ制御部２は、フラグＦの値を０（ステップＳ１７１４）として、図１１のステップＳ１１０８の処理に進んでもよい。
その他の動作は、上記比較例に係るレーザ装置１０１、及びレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
［２．３ 作用・効果］
実施形態１のレーザ装置１、及びレーザ装置管理システムによれば、制御パラメータ変更前後のレーザ性能のデータに基づいて、制御パラメータの変更が有効であるか否かを判定できる。そして、有効な場合には、制御パラメータの変更によってレーザ性能が改善される。
また、図１１のように、変更した制御パラメータで制御し、その後、レーザ性能がＯＫであるか否かを判定することによって、制御パラメータの変更が有効であるか否かを判定できる。そして、有効な場合は、制御パラメータの変更によってレーザ性能が改善される。
（その他）
実施形態１では、レーザ制御部２と端末装置１１１とを直接接続する場合を例にしたが、レーザ制御部２と端末装置１１１とがネットワークを介して接続されてもよい。レーザ制御部２と端末装置１１１との間の予約制御パラメータＰｒ、レーザ性能データＤａｂ、及び制御パラメータ変更結果信号Ｓａｂ等のデータの送受信は、ネットワークを介して行われてもよい。
＜３．実施形態２＞（サーバを介した制御パラメータの予約変更機能を備えたレーザ装置、及びレーザ装置管理システム）
次に、本開示の実施形態２に係るレーザ装置、及びレーザ装置管理システムについて説明する。なお、以下では上記比較例、又は実施形態１に係るレーザ装置、及びレーザ装置管理システムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
［３．１ 構成］
図１８は、実施形態２に係るレーザ装置、及びレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示している。
実施形態２に係るレーザ装置管理システムは、実施形態１に係るレーザ装置管理システムに対して、サーバ１１０と、端末装置１１２とを、さらに備えた構成であってもよい。
端末装置１１１は、レーザ装置１のレーザメーカによって操作されるＰＣ（パーソナルコンピュータ）等の端末であってもよい。端末装置１１２は、レーザ装置１のユーザによって操作されるＰＣ等の端末であってもよい。
端末装置１１１、端末装置１１２、及びレーザ制御部２はそれぞれ、サーバ１１０との間で各種データの送受信を行うことが可能な信号ラインで接続されていてもよい。
実施形態２に係るレーザ装置管理システムでは、レーザ装置１が複数、含まれていてもよい。複数のレーザ装置１のそれぞれのレーザ制御部２が、サーバ１１０との間で各種データの送受信を行うことが可能な信号ラインで接続されていてもよい。
実施形態２に係るレーザ装置管理システムでは、レーザ制御部２と端末装置１１１との間で、第２のレーザ制御パラメータとしての予約制御パラメータＰｒ、レーザ性能データＤａｂ、及び制御パラメータ変更結果信号Ｓａｂ等のデータの送受信をサーバ１１０を介して行うように構成されている。
実施形態２に係るレーザ装置管理システムでは、予約制御パラメータＰｒは、レーザ出力部から露光装置４へのレーザ出力を制御パラメータの変更のために停止する前に、サーバ１１０から送信される。
実施形態２に係るレーザ装置管理システムでは、レーザ制御部２は、予約制御パラメータＰｒのデータを、レーザ出力部から露光装置４へのレーザ出力を制御パラメータの変更のために停止する前に、端末装置１１１に接続されたサーバ１１０から受信し、第２の記憶部５２に記憶する。
レーザ制御部２は、制御パラメータ変更前の第１のレーザ性能データと制御パラメータ変更後の第２のレーザ性能データとを含むレーザ性能データＤａｂを、サーバ１１０に送信する性能データ送信部を備えていてもよい。
サーバ１１０は、データ記憶部１２０を備えている。データ記憶部１２０は、端末装置１１１から送信された予約制御パラメータＰｒのデータを記憶する制御パラメータ記憶部を含む。また、データ記憶部１２０は、レーザ制御部２の性能データ送信部から送信された第１のレーザ性能データと第２のレーザ性能データとを含むレーザ性能データＤａｂを記憶する性能データ記憶部を含む。また、データ記憶部１２０は、制御パラメータ変更前後の制御パラメータのデータを記憶する記憶部を含む。また、データ記憶部１２０は、制御パラメータ変更ＯＫ信号、又は制御パラメータ変更ＮＧ信号を含む制御パラメータ変更結果信号Ｓａｂを記憶してもよい。
なお、実施形態２に係るレーザ装置管理システムにおいても、レーザ制御部２に、第１の記憶部５１と第２の記憶部５２とが設けられていることが好ましい。ただし、レーザ制御部２に第１の記憶部５１と第２の記憶部５２とを設けずに、サーバ１１０側のデータ記憶部１２０に、制御パラメータ変更前後の各種制御パラメータのデータを保存しておいて、レーザ制御部２は、そのデータ記憶部１２０に記憶された各種制御パラメータを用いて、制御パラメータの変更制御を行うようにしてもよい。
その他の構成は、上記比較例、又は実施形態１に係るレーザ装置、及びレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
［３．２ 動作］
端末装置１１１から予約制御パラメータＰｒのデータがサーバ１１０に送信されると、サーバ１１０は、予約制御パラメータＰｒのデータをデータ記憶部１２０に記憶すると共に、レーザ装置１のレーザ制御部２に予約制御パラメータＰｒを送信する。
レーザ制御部２は、サーバ１１０から予約制御パラメータＰｒを受信すると、実施形態１と略同様の制御パラメータの変更制御を行ってもよい。
レーザ制御部２は、制御パラメータ変更前に、内部トリガによって第１の発振パターンでレーザ装置１を運転し、その時に計測された、エネルギ制御関連データＤｅｇと、スペクトル制御関連データＤλｃと、ガス制御関連データＤｇｓとを、制御パラメータ変更前の調整発振時のレーザ性能データとしてサーバ１１０に送信する。サーバ１１０は、データ記憶部１２０に、そのレーザ性能データを記憶する。
レーザ制御部２は、制御パラメータ変更後に、内部トリガによって第２の発振パターンのレーザ装置１を運転し、その時に計測された、エネルギ制御関連データＤｅｇと、スペクトル制御関連データＤλｃと、ガス制御関連データＤｇｓとを、制御パラメータ変更後の調整発振時のレーザ性能のデータとしてサーバ１１０に送信する。サーバ１１０は、データ記憶部１２０に、そのレーザ性能データを記憶する。
また、レーザ制御部２は、制御パラメータ変更前後の制御パラメータのデータと、制御パラメータ変更ＯＫ信号、又は制御パラメータ変更ＮＧ信号を含む制御パラメータ変更結果信号Ｓａｂとを、サーバ１１０に送信する。サーバ１１０は、データ記憶部１２０に、それらのデータを記憶する。
サーバ１１０は、データ記憶部１２０に記憶されたデータに対して内容に応じて参照権限を設定してもよい。サーバ１１０は、例えば、制御パラメータ変更前後の制御パラメータのデータに対しては、端末装置１１１から参照可能な参照権限を設定してもよい。ただし、制御パラメータ変更前後の制御パラメータのデータに対して、端末装置１１２からも参照可能な参照権限を設定してもよい。サーバ１１０は、例えば、制御パラメータ変更ＯＫ信号、又は制御パラメータ変更ＮＧ信号を含む制御パラメータ変更結果信号Ｓａｂのデータに対しては、端末装置１１１と端末装置１１２とから参照可能な参照権限を設定してもよい。サーバ１１０は、例えば、制御パラメータ変更前後のレーザ性能データＤａｂに対しては、端末装置１１１と端末装置１１２とから参照可能な参照権限を設定してもよい。
端末装置１１１は、サーバ１１０のデータ記憶部１２０に記憶されたデータのうち、少なくとも、制御パラメータ変更前後の制御パラメータのデータと、制御パラメータ変更前後のレーザ性能データＤａｂと、制御パラメータ変更結果信号Ｓａｂのデータとを閲覧することが可能であってもよい。
端末装置１１２は、サーバ１１０のデータ記憶部１２０に記憶されたデータのうち、少なくとも、制御パラメータ変更前後の制御パラメータのデータと、制御パラメータ変更前後のレーザ性能データＤａｂと、制御パラメータ変更結果信号Ｓａｂのデータとを閲覧することが可能であってもよい。ただし、制御パラメータ変更前後の制御パラメータのデータは、端末装置１１２からは閲覧不可に設定されていてもよい。
（変更前後の各種制御パラメータ）
図１９は、実施形態２に係るレーザ装置管理システムにおいてサーバ１１０に記憶される制御パラメータ変更前後の各種制御パラメータのデータの一例を概略的に示している。
サーバ１１０は、ガス制御パラメータＰｇｓに関する変更前後の制御パラメータのデータをデータ記憶部１２０に記憶してもよい。ガス制御パラメータＰｇｓに関する変更前後の制御パラメータは、最小充電電圧Ｖｍｉｎａ，Ｖｍｉｎｂ、最大充電電圧Ｖｍａｘａ，Ｖｍａｘｂ、最大制御ガス圧Ｐｍａｘａ，Ｐｍａｘｂ、ガス圧可変量ΔＰａ，ΔＰｂ、部分ガス交換周期Ｔｐｇａ，Ｔｐｇｂ、バッファガスの注入係数Ｋｐｇａ，Ｋｐｇｂ、及びフッ素を含むガスの注入係数Ｋｈｇａ，Ｋｈｇｂを含んでいてもよい。
また、サーバ１１０は、スペクトル制御パラメータＰλｃに関する変更前後の制御パラメータのデータをデータ記憶部１２０に記憶してもよい。スペクトル制御パラメータＰλｃに関する変更前後の制御パラメータは、波長制御ゲインλｋａ，λｋｂ、回転ステージ１４の初期角度θ０ａ，θ０ｂ、スペクトル線幅制御ゲインΔλｋａ，Δλｋｂ、及びリニアステージ６３の初期位置Ｘ０ａ，Ｘ０ｂを含んでいてもよい。
また、サーバ１１０は、エネルギ制御パラメータＰｅｇに関する変更前後の制御パラメータのデータをデータ記憶部１２０に記憶してもよい。エネルギ制御パラメータＰｅｇに関する変更前後の制御パラメータは、エネルギ制御ゲインＶｋａ，Ｖｋｂ、及び充電電圧Ｖの初期値Ｖ０ａ，Ｖ０ｂを含んでいてもよい。
サーバ１１０は、上記したデータ記憶部１２０に記憶された各種制御パラメータのデータを、例えばレーザメーカのサービスマンが使用する端末装置１１１から参照可能となるように権限設定してもよい。また、サーバ１１０は、上記したデータ記憶部１２０に記憶された各種制御パラメータのデータをレーザ装置１のユーザへ開示しない場合は、ユーザが使用する端末装置１１２から参照不可となるように権限設定してもよい。
なお、上記した各種制御パラメータは、一例であって、上記した各種制御パラメータに限定されるものではない。また、サーバ１１０は、制御パラメータを変更した時刻や制御パラメータを変更した担当者のＩＤ等の履歴データを、上記した各種制御パラメータに関連付けてデータ記憶部１２０に記憶してもよい。
（変更前後のエネルギ制御関連のレーザ性能データ）
図２０は、実施形態２に係るレーザ装置管理システムにおいてサーバ１１０に記憶される制御パラメータ変更前後のエネルギ制御関連のレーザ性能データの一例を概略的に示している。
サーバ１１０は、制御パラメータ変更前後のエネルギ制御関連のレーザ性能データをデータ記憶部１２０に記憶してもよい。制御パラメータ変更前後のエネルギ制御関連のレーザ性能データは、目標パルスエネルギＥｔ、パルスエネルギＥａ，Ｅｂ、エネルギ安定性Ｅσａ，Ｅσｂ、及び充電電圧Ｖａ，Ｖｂのデータを含んでいてもよい。
サーバ１１０は、上記した制御パラメータ変更前後のエネルギ制御関連のレーザ性能データを、制御パラメータ変更前後の各調整発振開始からのショット（ｓｈｏｔ）番号、制御パラメータ変更前後の各調整発振開始時刻からの経過時間Ｔａ，Ｔｂとに関連付けてデータ記憶部１２０に記憶してもよい。
サーバ１１０は、上記したデータ記憶部１２０に記憶された制御パラメータ変更前後のエネルギ制御関連のレーザ性能データを、例えばレーザメーカのサービスマンが使用する端末装置１１１から参照可能となるように権限設定してもよい。また、サーバ１１０は、上記したデータ記憶部１２０に記憶された制御パラメータ変更前後のエネルギ制御関連のレーザ性能データを、レーザ装置１のユーザが使用する端末装置１１２から参照可能となるように権限設定してもよい。
端末装置１１１では、サーバ１１０のデータ記憶部１２０から読み込んだ上記レーザ性能データから、例えば、制御パラメータ変更前後の各ｓｈｏｔ番号、又は制御パラメータ変更前後の各調整発振開始時刻からの経過時間Ｔａ，Ｔｂを横軸、エネルギ制御関連のレーザ性能データの各々を縦軸にプロットして、レーザ性能を評価することができる。これにより、サービスマンは、制御パラメータ変更前後における、より詳細なレーザ性能の改善又は悪化の状態を比較解析することができる。
（変更前後のスペクトル制御関連のレーザ性能データ）
図２１は、実施形態２に係るレーザ装置管理システムにおいてサーバ１１０に記憶される制御パラメータ変更前後のスペクトル制御関連のレーザ性能データの一例を概略的に示している。
サーバ１１０は、制御パラメータ変更前後のスペクトル制御関連のレーザ性能データをデータ記憶部１２０に記憶してもよい。制御パラメータ変更前後のスペクトル制御関連のレーザ性能データは、目標波長λｔ、目標波長との差δλａ，δλｂ、波長安定性λσａ，λσｂ、目標スペクトル線幅Δλｔ、スペクトル線幅Δλａ，Δλｂ、及びスペクトル線幅安定性Δλσａ，Δλσｂのデータを含んでいてもよい。
サーバ１１０は、上記した制御パラメータ変更前後のスペクトル制御関連のレーザ性能データを、制御パラメータ変更前後の各調整発振開始からのショット（ｓｈｏｔ）番号、制御パラメータ変更前後の各調整発振開始時刻からの経過時間Ｔａ，Ｔｂとに関連付けてデータ記憶部１２０に記憶してもよい。
サーバ１１０は、上記したデータ記憶部１２０に記憶された制御パラメータ変更前後のスペクトル制御関連のレーザ性能データを、例えばレーザメーカのサービスマンが使用する端末装置１１１から参照可能となるように権限設定してもよい。また、サーバ１１０は、上記したデータ記憶部１２０に記憶された制御パラメータ変更前後のスペクトル制御関連のレーザ性能データを、レーザ装置１のユーザが使用する端末装置１１２から参照可能となるように権限設定してもよい。
端末装置１１１では、サーバ１１０のデータ記憶部１２０から読み込んだ上記レーザ性能データから、例えば、制御パラメータ変更前後の各ｓｈｏｔ番号、又は制御パラメータ変更前後の各調整発振開始時刻からの経過時間Ｔａ，Ｔｂを横軸、スペクトル制御関連のレーザ性能データの各々を縦軸にプロットして、レーザ性能を評価することができる。これにより、サービスマンは、制御パラメータ変更前後における、より詳細なレーザ性能の改善又は悪化の状態を比較解析することができる。
（変更前後のガス制御関連のレーザ性能データ）
図２２は、実施形態２に係るレーザ装置１、及びレーザ装置管理システムにおける制御パラメータ変更前後のガス制御関連のレーザ性能データの一例を概略的に示している。
サーバ１１０は、制御パラメータ変更前後のガス制御関連のレーザ性能データをデータ記憶部１２０に記憶してもよい。制御パラメータ変更前後のガス制御関連のレーザ性能データは、ガス圧Ｐａ，Ｐｂ、及び充電電圧Ｖａ，Ｖｂのデータを含んでいてもよい。
サーバ１１０は、上記した制御パラメータ変更前後のガス制御関連のレーザ性能データを、制御パラメータ変更前後の各調整発振開始からのショット（ｓｈｏｔ）番号、制御パラメータ変更前後の各調整発振開始時刻からの経過時間Ｔａ，Ｔｂとに関連付けてデータ記憶部１２０に記憶してもよい。
サーバ１１０は、上記したデータ記憶部１２０に記憶された制御パラメータ変更前後のガス制御関連のレーザ性能データを、例えばレーザメーカのサービスマンが使用する端末装置１１１から参照可能となるように権限設定してもよい。また、サーバ１１０は、上記したデータ記憶部１２０に記憶された制御パラメータ変更前後のガス制御関連のレーザ性能データを、レーザ装置１のユーザが使用する端末装置１１２から参照可能となるように権限設定してもよい。
端末装置１１１では、サーバ１１０のデータ記憶部１２０から読み込んだ上記レーザ性能データから、例えば、制御パラメータ変更前後の各ｓｈｏｔ番号、又は制御パラメータ変更前後の各調整発振開始時刻からの経過時間Ｔａ，Ｔｂを横軸、ガス制御関連のレーザ性能データの各々を縦軸にプロットして、レーザ性能を評価することができる。これにより、サービスマンは、制御パラメータ変更前後における、より詳細なレーザ性能の改善又は悪化の状態を比較解析することができる。
その他の動作は、上記比較例、又は実施形態１に係るレーザ装置１、及びレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
［３．３ 作用・効果］
実施形態２のレーザ装置１、及びレーザ装置管理システムによれば、制御パラメータ変更前後の制御パラメータのデータ及びレーザ性能データと、制御パラメータ変更ＯＫ信号、又は制御パラメータ変更ＮＧ信号のデータとがサーバ１１０に記憶され、それらの詳細なデータを端末装置１１１から閲覧可能となる。その結果、端末装置１１１では、制御パラメータ変更によるレーザ性能の総合的な評価を行うことができる。さらに、端末装置１１１では、それらの詳細なデータの総合的な評価から、レーザ性能を改善するために制御パラメータのさらなる変更をする場合の有力な情報源として利用することができる。
また、レーザ装置１のユーザが使用する端末装置１１２からも、制御パラメータ変更前後のレーザ性能データ等が閲覧可能となる。これにより、レーザ装置１のユーザは、露光プロセスに制御パラメータ変更の結果を反映させることができる。
（その他）
実施形態２では、サーバ１１０に対して、レーザ制御部２、端末装置１１１、及び端末装置１１２を直接接続する場合を例にしたが、レーザ制御部２、端末装置１１１、及び端末装置１１２がサーバ１１０に対してネットワークを介して接続されてもよい。
例えば、レーザ装置１とサーバ１１０とが半導体工場内に設置されていてもよい。この場合、半導体工場内のネットワークにサーバ１１０と、レーザ制御部２、端末装置１１１、及び端末装置１１２とが接続されてもよい。そして、端末装置１１１から、半導体工場内のネットワークに接続して、サーバ１１０を介して予約制御パラメータＰｒのデータをレーザ制御部２に送信してもよい。
また、端末装置１１１は、半導体工場とは異なる場所にあるレーザメーカの工場内に設置されていてもよい。端末装置１１１は、インターネットを介して、レーザメーカの工場から、半導体工場内のサーバ１１０に接続して、予約制御パラメータＰｒのデータをサーバ１１０に送信してもよい。この場合は、半導体工場にレーザメーカのサービスマンを派遣しなくても、予約制御パラメータＰｒを遠隔地から送信してレーザ装置１の制御パラメータ変更を行い、レーザ装置１のレーザ性能を改善することができる。
また、サーバ１１０に複数のレーザ装置１を接続する場合、それぞれのレーザ装置１にＩＤを付けてもよい。そして、制御パラメータ変更を行うレーザ装置１のＩＤを予約制御パラメータＰｒに関連付けて、ＩＤ付きの予約制御パラメータＰｒのデータを端末装置１１１からサーバ１１０に送信してもよい。
その他の作用・効果は、上記比較例、又は実施形態１に係るレーザ装置、及びレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
＜４．その他＞
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (20)

  1. レーザ発振を行うレーザ出力部と、
    前記レーザ出力部から外部装置へのレーザ出力を停止している間に、前記レーザ出力部において第１のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第１のレーザ性能データと、前記レーザ出力部において第２のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第２のレーザ性能データとを取得し、前記第１のレーザ性能データよりも前記第２のレーザ性能データが改善しているか否かを判定する制御部と
    を備える
    レーザ装置。
  2. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
    前記制御部は、前記判定の結果に基づいて、前記第１のレーザ制御パラメータ及び前記第２のレーザ制御パラメータのうち、いずれか一方のレーザ制御パラメータを用いて前記レーザ出力部に前記外部装置へのレーザ出力を行わせる。
  3. 請求項２に記載のレーザ装置であって、
    前記制御部は、前記第２のレーザ性能データが改善していると判定した場合には、前記第２のレーザ制御パラメータを用いて前記レーザ出力部に前記外部装置へのレーザ出力を行わせる。
  4. 請求項２に記載のレーザ装置であって、
    前記制御部は、前記第２のレーザ性能データが改善していないと判定した場合には、前記第１のレーザ制御パラメータを用いて前記レーザ出力部に前記外部装置へのレーザ出力を行わせる。
  5. 請求項２に記載のレーザ装置であって、
    前記レーザ出力部は、光共振器と、前記光共振器内に配置され、レーザガスが供給されるレーザチャンバとを含んで、パルスレーザ光を出力し、
    前記第１のレーザ制御パラメータ及び前記第２のレーザ制御パラメータはそれぞれ、
    前記パルスレーザ光のパルスエネルギの制御に関するエネルギ制御パラメータ、
    前記パルスレーザ光のスペクトルの制御に関するスペクトル制御パラメータ、
    及び、前記レーザガスの制御に関するガス制御パラメータのうち少なくとも１つを含む。
  6. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
    前記第１のレーザ制御パラメータ及び前記第２のレーザ制御パラメータは、前記レーザ装置のレーザ性能を前記外部装置が求める目標性能に近づけるための目標制御パラメータである。
  7. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
    前記第１のレーザ制御パラメータを記憶する第１の記憶部と、
    前記第２のレーザ制御パラメータを記憶する第２の記憶部と
    をさらに備える。
  8. 請求項７に記載のレーザ装置であって、
    前記制御部は、前記第２のレーザ制御パラメータを、前記レーザ出力部から前記外部装置へのレーザ出力を停止する前に、端末装置から受信し、前記第２の記憶部に記憶する。
  9. 請求項７に記載のレーザ装置であって、
    前記制御部は、前記第２のレーザ制御パラメータを、前記レーザ出力部から前記外部装置へのレーザ出力を停止する前に、端末装置に接続されたサーバから受信し、前記第２の記憶部に記憶する。
  10. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
    前記第１のレーザ制御パラメータは、前記レーザ出力部から前記外部装置へのレーザ出力を停止する前に用いられていたレーザ制御パラメータである。
  11. 請求項１に記載のレーザ装置であって、
    前記第１のレーザ性能データと前記第２のレーザ性能データとを端末装置に接続されたサーバに送信する性能データ送信部、をさらに備える。
  12. レーザ装置と、
    前記レーザ装置を管理する端末装置と
    を含み、
    前記レーザ装置は、
    レーザ発振を行うレーザ出力部と、
    前記レーザ出力部から外部装置へのレーザ出力を停止している間に、前記レーザ出力部において第１のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第１のレーザ性能データと、前記レーザ出力部において第２のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第２のレーザ性能データとを取得し、前記第１のレーザ性能データよりも前記第２のレーザ性能データが改善しているか否かを判定する制御部と
    を備える
    レーザ装置管理システム。
  13. 請求項１２に記載のレーザ装置管理システムであって、
    前記第２のレーザ制御パラメータは、前記レーザ出力部から前記外部装置へのレーザ出力を停止する前に、前記端末装置から送信される。
  14. 請求項１２に記載のレーザ装置管理システムであって、
    前記端末装置に接続されたサーバ、をさらに含み、
    前記第２のレーザ制御パラメータは、前記レーザ出力部から前記外部装置へのレーザ出力を停止する前に、前記サーバから送信される。
  15. 請求項１４に記載のレーザ装置管理システムであって、
    前記サーバは、前記端末装置から送信された前記第２のレーザ制御パラメータを記憶する制御パラメータ記憶部を備える。
  16. 請求項１４に記載のレーザ装置管理システムであって、
    前記レーザ装置は、前記第１のレーザ性能データと前記第２のレーザ性能データとを前記サーバに送信する性能データ送信部、をさらに備え、
    前記サーバは、前記性能データ送信部から送信された前記第１のレーザ性能データと前記第２のレーザ性能データとを記憶する性能データ記憶部、をさらに備える。
  17. レーザ装置においてレーザ出力部から外部装置へのレーザ出力を停止している間に、前記レーザ出力部において第１のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第１のレーザ性能データと、前記レーザ出力部において第２のレーザ制御パラメータに基づくレーザ発振を行った場合に得られる第２のレーザ性能データとを、制御部によって取得することと、
    前記制御部によって、前記第１のレーザ性能データよりも前記第２のレーザ性能データが改善しているか否かを判定することと
    を含む
    レーザ装置の管理方法。
  18. 請求項１７に記載のレーザ装置の管理方法であって、
    前記制御部によって、前記第２のレーザ制御パラメータを、前記レーザ出力部から前記外部装置へのレーザ出力を停止する前に、端末装置から受信することと、
    前記制御部によって、受信した前記第２のレーザ制御パラメータを記憶部に記憶することと、
    をさらに含む。
  19. 請求項１７に記載のレーザ装置の管理方法であって、
    前記制御部によって、前記第２のレーザ制御パラメータを、前記レーザ出力部から前記外部装置へのレーザ出力を停止する前に、端末装置に接続されたサーバから受信することと、
    前記制御部によって、受信した前記第２のレーザ制御パラメータを記憶部に記憶することと、
    をさらに含む。
  20. 請求項１７に記載のレーザ装置の管理方法であって、
    前記第１のレーザ制御パラメータは、前記レーザ出力部から前記外部装置へのレーザ出力を停止する前に用いられていたレーザ制御パラメータである。
JP2019524560A 2017-06-12 2017-06-12 レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法 Active JP7150711B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022108198A JP2022133383A (ja) 2017-06-12 2022-07-05 レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2017/021620 WO2018229823A1 (ja) 2017-06-12 2017-06-12 レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022108198A Division JP2022133383A (ja) 2017-06-12 2022-07-05 レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018229823A1 true JPWO2018229823A1 (ja) 2020-04-16
JP7150711B2 JP7150711B2 (ja) 2022-10-11

Family

ID=64659007

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019524560A Active JP7150711B2 (ja) 2017-06-12 2017-06-12 レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法
JP2022108198A Pending JP2022133383A (ja) 2017-06-12 2022-07-05 レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022108198A Pending JP2022133383A (ja) 2017-06-12 2022-07-05 レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11502478B2 (ja)
JP (2) JP7150711B2 (ja)
CN (1) CN110622373B (ja)
WO (1) WO2018229823A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10652441B1 (en) * 2019-05-10 2020-05-12 The Boeing Company Systems and methods for protecting imaging devices against high-radiant-flux light
JP7361210B2 (ja) * 2019-10-30 2023-10-13 サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー 放射源試験

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07249818A (ja) * 1994-03-08 1995-09-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 周波数可変半導体レーザの周波数安定化方法
JP2001023888A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Nikon Corp レーザ装置及びその制御方法、並びに露光装置及び露光方法
JP2002043219A (ja) * 2000-04-25 2002-02-08 Gigaphoton Inc レーザ装置管理システム
JP2002237649A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Nec Corp フィードフォワード型ａｐｃ回路を備えたレーザダイオード駆動回路および方法
JP2003347636A (ja) * 2002-05-22 2003-12-05 Nec Corp Ｑスイッチレーザ装置及びｑスイッチ制御方法
JP2006024765A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Komatsu Ltd レーザ装置管理システム
US20060114958A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-01 Cymer, Inc. Method and apparatus for gas discharge laser bandwidth and center wavelength control
JP2013247240A (ja) * 2012-05-25 2013-12-09 Gigaphoton Inc レーザ装置
WO2015092855A1 (ja) * 2013-12-16 2015-06-25 ギガフォトン株式会社 レーザ装置
JP2016139767A (ja) * 2015-01-29 2016-08-04 ファナック株式会社 レーザガスの組成比を判定するガスレーザ装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142801A (ja) 1993-11-12 1995-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ装置
JP2000306813A (ja) 1999-04-22 2000-11-02 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
US7023885B1 (en) 1999-07-09 2006-04-04 Nikon Corporation Laser apparatus and method for controlling the same
US6618425B1 (en) 1999-11-17 2003-09-09 Cymer, Inc. Virtual laser operator
EP1257924A4 (en) 2000-02-16 2007-06-20 Cymer Inc PROCESS MONITORING SYSTEM FOR LITHOGRAPHY LASER
US6700916B1 (en) * 2001-09-26 2004-03-02 Lambda Physik Ag E-diagnostic, laser simulator, automated testing and deconvolution of spectra for lithographic exposure radiation generating systems such as excimer or molecular fluorine laser or EUV source systems
CN102133687A (zh) * 2010-01-26 2011-07-27 豪晶科技股份有限公司 激光加工装置
JP5430488B2 (ja) * 2010-05-11 2014-02-26 株式会社日本製鋼所 レーザアニール処理装置、レーザアニール処理体の製造方法およびレーザアニール処理プログラム
JP6022837B2 (ja) * 2011-10-25 2016-11-09 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置及びエキシマレーザシステム
JP6310390B2 (ja) 2012-06-26 2018-04-11 ギガフォトン株式会社 レーザ装置の制御方法及びレーザ装置
JP5661834B2 (ja) 2013-03-05 2015-01-28 ファナック株式会社 レーザガス容器の密閉性を推定可能なレーザ装置
CN103219647B (zh) * 2013-03-26 2016-01-06 武汉锐泽科技发展有限公司 一种半导体激光电源

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07249818A (ja) * 1994-03-08 1995-09-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 周波数可変半導体レーザの周波数安定化方法
JP2001023888A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Nikon Corp レーザ装置及びその制御方法、並びに露光装置及び露光方法
JP2002043219A (ja) * 2000-04-25 2002-02-08 Gigaphoton Inc レーザ装置管理システム
JP2002237649A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Nec Corp フィードフォワード型ａｐｃ回路を備えたレーザダイオード駆動回路および方法
JP2003347636A (ja) * 2002-05-22 2003-12-05 Nec Corp Ｑスイッチレーザ装置及びｑスイッチ制御方法
JP2006024765A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Komatsu Ltd レーザ装置管理システム
US20060114958A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-01 Cymer, Inc. Method and apparatus for gas discharge laser bandwidth and center wavelength control
JP2013247240A (ja) * 2012-05-25 2013-12-09 Gigaphoton Inc レーザ装置
WO2015092855A1 (ja) * 2013-12-16 2015-06-25 ギガフォトン株式会社 レーザ装置
JP2016139767A (ja) * 2015-01-29 2016-08-04 ファナック株式会社 レーザガスの組成比を判定するガスレーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022133383A (ja) 2022-09-13
WO2018229823A1 (ja) 2018-12-20
CN110622373B (zh) 2022-08-12
JP7150711B2 (ja) 2022-10-11
US20200067259A1 (en) 2020-02-27
CN110622373A (zh) 2019-12-27
US11502478B2 (en) 2022-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022133383A (ja) レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法
JP6671387B2 (ja) レーザ装置管理システム
JP6290084B2 (ja) 光源装置及びデータ処理方法
US10151640B2 (en) Light beam measurement device, laser apparatus, and light beam separator
JP2000004057A (ja) 高信頼性、モジュラ、プロダクションクオリティ狭帯域化ＫｒＦエキシマレ―ザ
JP6310390B2 (ja) レーザ装置の制御方法及びレーザ装置
CN1742413A (zh) 带有波长控制的注入种子的f2激光器
US9601893B2 (en) Laser apparatus
CN109891689B (zh) 激光装置
US11353857B2 (en) Data analyzer, semiconductor manufacturing system, data analysis method, and semiconductor manufacturing method
WO2014156407A1 (ja) レーザ光の波長を制御する方法およびレーザ装置
JP2005142306A (ja) 露光用ガスレーザ装置
WO2022157897A1 (ja) レーザシステムの制御方法、レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法
JP5352321B2 (ja) 露光用ガスレーザ装置
JP7239485B2 (ja) エキシマレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200511

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210727

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20210922

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211103

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20220405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220705

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20220705

C876 Explanation why request for accelerated appeal examination is justified

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C876

Effective date: 20220705

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20220819

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20220823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220913

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220928

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7150711

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150