JP2002237649A - フィードフォワード型ａｐｃ回路を備えたレーザダイオード駆動回路および方法 - Google Patents
フィードフォワード型ａｐｃ回路を備えたレーザダイオード駆動回路および方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マーク率変動による光出力ピークパワー変動
を補償するフィードフォワード型ＡＰＣ回路を備えたレ
ーザダイオード駆動回路を提供する。 【解決手段】 平均値検出器９で入力信号Ａの平均値を
検出し、そのマーク率に対応する値をメモリ制御回路１
１へ入力する。メモリ制御回路１１は、複数のメモリ
（メモリＡ１２、メモリＢ１３、メモリＣ１４）と接続
される。それぞれのメモリは、ＬＤ１のパルス駆動電流
Ｉａｃに対応する値とバイアス駆動電流Ｉｄｃに対応す
る値について、温度に対応して特性の異なるデータを記
憶する。メモリ制御回路１１は、検出したマーク率に対
応して、使用するメモリを選択し、温度センサ７からの
温度に応じてパルス駆動電流Ｉａｃに対応する値とバイ
アス電流Ｉｄｃに対応する値とを呼び出し、パルス駆動
電流Ｉａｃとバイアス電流Ｉｄｃを決定する。
を補償するフィードフォワード型ＡＰＣ回路を備えたレ
ーザダイオード駆動回路を提供する。 【解決手段】 平均値検出器９で入力信号Ａの平均値を
検出し、そのマーク率に対応する値をメモリ制御回路１
１へ入力する。メモリ制御回路１１は、複数のメモリ
（メモリＡ１２、メモリＢ１３、メモリＣ１４）と接続
される。それぞれのメモリは、ＬＤ１のパルス駆動電流
Ｉａｃに対応する値とバイアス駆動電流Ｉｄｃに対応す
る値について、温度に対応して特性の異なるデータを記
憶する。メモリ制御回路１１は、検出したマーク率に対
応して、使用するメモリを選択し、温度センサ７からの
温度に応じてパルス駆動電流Ｉａｃに対応する値とバイ
アス電流Ｉｄｃに対応する値とを呼び出し、パルス駆動
電流Ｉａｃとバイアス電流Ｉｄｃを決定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バースト対応光送
信器において、マーク率変動による光出力ピークパワー
の変動を補償するフィードフォワード型ＡＰＣ（Auto P
ower Control）回路を備えたレーザダイオード駆動回路
に関する。
信器において、マーク率変動による光出力ピークパワー
の変動を補償するフィードフォワード型ＡＰＣ（Auto P
ower Control）回路を備えたレーザダイオード駆動回路
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７に示すＰＯＮ（Passive Optical Ne
twork）システム（例：ＡＴＭ−ＰＯＮ(Asynchronous T
ransfer Mode-Passive Optical Network)）では、局舎
からのファイバをスターカプラによって、複数のファイ
バに伝送路を分散させる。一芯のファイバで双方向送受
信を行うため、各加入者から出力された上り信号は、他
の加入者からの信号とぶつからないよう、バースト伝送
を用いる。上り信号用の光送信器はバースト伝送に対応
するため、さまざまな光送信方式が提案されているが、
その一つとしてフィードフォワード型ＡＰＣがよく使わ
れる。
twork）システム（例：ＡＴＭ−ＰＯＮ(Asynchronous T
ransfer Mode-Passive Optical Network)）では、局舎
からのファイバをスターカプラによって、複数のファイ
バに伝送路を分散させる。一芯のファイバで双方向送受
信を行うため、各加入者から出力された上り信号は、他
の加入者からの信号とぶつからないよう、バースト伝送
を用いる。上り信号用の光送信器はバースト伝送に対応
するため、さまざまな光送信方式が提案されているが、
その一つとしてフィードフォワード型ＡＰＣがよく使わ
れる。
【０００３】従来の光送信部は、例えば特開平１１−１
３５８７１号公報に開示された例が挙げられる。図８
は、その構成を示すブロック図である。温度センサ７で
検出した温度は、Ａ／Ｄ変換器８で温度に対応する値に
変換され、メモリ２０へ入力する。メモリ２０は、温度
に対応する値に対応してＬＤ(Laser Diode)１をパルス
駆動するパルス電流Ｉａｃに対応する値と、ＬＤ１をバ
イアス駆動するバイアス電流Ｉｄｃに対応する値とを記
憶しており、光送信器周囲温度に対応する値に対応し
て、パルス電流Ｉａｃに対応する値とバイアス電流Ｉｄ
ｃに対応する値を出力する。
３５８７１号公報に開示された例が挙げられる。図８
は、その構成を示すブロック図である。温度センサ７で
検出した温度は、Ａ／Ｄ変換器８で温度に対応する値に
変換され、メモリ２０へ入力する。メモリ２０は、温度
に対応する値に対応してＬＤ(Laser Diode)１をパルス
駆動するパルス電流Ｉａｃに対応する値と、ＬＤ１をバ
イアス駆動するバイアス電流Ｉｄｃに対応する値とを記
憶しており、光送信器周囲温度に対応する値に対応し
て、パルス電流Ｉａｃに対応する値とバイアス電流Ｉｄ
ｃに対応する値を出力する。
【０００４】パルス電流Ｉａｃに対応する値はＤ／Ａ変
換器６でＤ／Ａ変換され、電流制御回路４に入力され
る。電流制御回路４は、パルス電流Ｉａｃに対応する値
をパルス電流Ｉａｃに変換し、ドライバ２に入力する。
ドライバ２は、入力信号Ａ（データ入力）に応じて、Ｌ
Ｄ１の発光をＯＮ／ＯＦＦする。その際の変調電流はパ
ルス電流Ｉａｃとなる。また、バイアス電流Ｉｄｃに対
応する値は、Ｄ／Ａ変換器５でＤ／Ａ変換され、電流制
御回路３に入力される。電流制御回路３は、バイアス電
流Ｉｄｃに対応する値をバイアス電流Ｉｄｃに変換し、
ＬＤ１に供給する。
換器６でＤ／Ａ変換され、電流制御回路４に入力され
る。電流制御回路４は、パルス電流Ｉａｃに対応する値
をパルス電流Ｉａｃに変換し、ドライバ２に入力する。
ドライバ２は、入力信号Ａ（データ入力）に応じて、Ｌ
Ｄ１の発光をＯＮ／ＯＦＦする。その際の変調電流はパ
ルス電流Ｉａｃとなる。また、バイアス電流Ｉｄｃに対
応する値は、Ｄ／Ａ変換器５でＤ／Ａ変換され、電流制
御回路３に入力される。電流制御回路３は、バイアス電
流Ｉｄｃに対応する値をバイアス電流Ｉｄｃに変換し、
ＬＤ１に供給する。
【０００５】ＰＯＮシステムでは、前述のように上り信
号にバースト伝送を行う。バースト伝送では、バースト
セルと呼ばれる規定時間単位のデータ区間でデータをラ
ンダムに伝送する。バーストセル数は、任意に決定され
るため、例えば図９に示すように、発光がほとんど連続
に近い場合（ａ）と、発光回数が少ない場合（ｂ）がラ
ンダムに混在する。光送信器周囲温度が一定の場合で
も、これらのようにバーストセルが密であるか疎である
かによって、ＬＤの発光量に比例して発熱量が異なって
くる。バーストセルが密の場合（ａ）、ＬＤを流れる電
流が多いため、ＬＤの自己発熱量も多くなる。また、バ
ーストセルが疎の場合（ｂ）、ＬＤを流れる電流時間が
短く、また電流量も少ないため、ＬＤの自己発熱量は少
ない。つまり、光送信器周囲温度が一定の場合でも、バ
ーストセルの疎密により光出力ピークパワーの変動が生
じる。このバーストセルの疎密は、マーク率の大小に置
き換えられる。
号にバースト伝送を行う。バースト伝送では、バースト
セルと呼ばれる規定時間単位のデータ区間でデータをラ
ンダムに伝送する。バーストセル数は、任意に決定され
るため、例えば図９に示すように、発光がほとんど連続
に近い場合（ａ）と、発光回数が少ない場合（ｂ）がラ
ンダムに混在する。光送信器周囲温度が一定の場合で
も、これらのようにバーストセルが密であるか疎である
かによって、ＬＤの発光量に比例して発熱量が異なって
くる。バーストセルが密の場合（ａ）、ＬＤを流れる電
流が多いため、ＬＤの自己発熱量も多くなる。また、バ
ーストセルが疎の場合（ｂ）、ＬＤを流れる電流時間が
短く、また電流量も少ないため、ＬＤの自己発熱量は少
ない。つまり、光送信器周囲温度が一定の場合でも、バ
ーストセルの疎密により光出力ピークパワーの変動が生
じる。このバーストセルの疎密は、マーク率の大小に置
き換えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バース
ト伝送を行う光送信器は、バースト先頭の１ビットから
瞬時に波形が立ち上がる必要があるが、従来のフィード
フォワード型ＡＰＣでは光送信器の周囲温度のみしか検
知しないため、マーク率の大小等の周囲温度以外の要因
による光出力の変動を抑圧することができなかった。
ト伝送を行う光送信器は、バースト先頭の１ビットから
瞬時に波形が立ち上がる必要があるが、従来のフィード
フォワード型ＡＰＣでは光送信器の周囲温度のみしか検
知しないため、マーク率の大小等の周囲温度以外の要因
による光出力の変動を抑圧することができなかった。
【０００７】そこで本発明は、マーク率変動による光出
力ピークパワー変動を補償することが可能なフィードフ
ォワード型ＡＰＣ回路を備えたレーザダイオード駆動回
路および方法を提供することを目的とする。
力ピークパワー変動を補償することが可能なフィードフ
ォワード型ＡＰＣ回路を備えたレーザダイオード駆動回
路および方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明は、図１において、平均値検出器９で入力信
号Ａの平均値を検出し、そのマーク率に対応する値をメ
モリ制御回路１１へ入力する。メモリ制御回路１１は、
複数のメモリ（メモリＡ１２、メモリＢ１３、メモリＣ
１４）と接続される。それぞれのメモリは、ＬＤ１のパ
ルス駆動電流Ｉａｃに対応する値とバイアス駆動電流Ｉ
ｄｃに対応する値について、温度に対応して特性の異な
るデータを記憶する。メモリ制御回路１１は、検出した
マーク率に対応して、使用するメモリを選択し、温度セ
ンサ７からの温度に応じてパルス駆動電流Ｉａｃに対応
する値とバイアス電流Ｉｄｃに対応する値とを呼び出
し、パルス駆動電流Ｉａｃとバイアス電流Ｉｄｃを決定
する。すなわち、平均値検出器９でマーク率を検出する
ことにより、マーク率によってパルス駆動電流Ｉａｃと
バイアス駆動電流Ｉｄｃを調整し、光出力および消光比
を一定に制御することを特徴とする。
め、本発明は、図１において、平均値検出器９で入力信
号Ａの平均値を検出し、そのマーク率に対応する値をメ
モリ制御回路１１へ入力する。メモリ制御回路１１は、
複数のメモリ（メモリＡ１２、メモリＢ１３、メモリＣ
１４）と接続される。それぞれのメモリは、ＬＤ１のパ
ルス駆動電流Ｉａｃに対応する値とバイアス駆動電流Ｉ
ｄｃに対応する値について、温度に対応して特性の異な
るデータを記憶する。メモリ制御回路１１は、検出した
マーク率に対応して、使用するメモリを選択し、温度セ
ンサ７からの温度に応じてパルス駆動電流Ｉａｃに対応
する値とバイアス電流Ｉｄｃに対応する値とを呼び出
し、パルス駆動電流Ｉａｃとバイアス電流Ｉｄｃを決定
する。すなわち、平均値検出器９でマーク率を検出する
ことにより、マーク率によってパルス駆動電流Ｉａｃと
バイアス駆動電流Ｉｄｃを調整し、光出力および消光比
を一定に制御することを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、本発明のフィード
フォワード型ＡＰＣ回路を備えたレーザダイオード駆動
回路の構成を示す。
て図面を参照して説明する。図１は、本発明のフィード
フォワード型ＡＰＣ回路を備えたレーザダイオード駆動
回路の構成を示す。
【００１０】平均値検出器９で入力信号Ａの平均値を検
出して、そのマーク率に対応する値をＡ／Ｄ変換器１０
でＡ／Ｄ変換し、メモリ制御回路１１へ入力する。メモ
リ制御回路１１は、複数のメモリ（メモリＡ１２、メモ
リＢ１３、メモリＣ１４）に接続される。メモリＡ１
２、メモリＢ１３、メモリＣ１４は、光送信器周囲温度
に対応してＬＤ（レーザダイオード）１をパルス駆動す
るパルス電流Ｉａｃに対応する値と、ＬＤ１をバイアス
駆動するバイアス電流Ｉｄｃに対応する値とを記憶す
る。光送信器周囲温度は、温度センサ７で検出され、光
送信器周囲温度に対する値に変換され、Ａ／Ｄ変換器８
に入力され、Ａ／Ｄ変換されてメモリ制御回路１１に入
力される。
出して、そのマーク率に対応する値をＡ／Ｄ変換器１０
でＡ／Ｄ変換し、メモリ制御回路１１へ入力する。メモ
リ制御回路１１は、複数のメモリ（メモリＡ１２、メモ
リＢ１３、メモリＣ１４）に接続される。メモリＡ１
２、メモリＢ１３、メモリＣ１４は、光送信器周囲温度
に対応してＬＤ（レーザダイオード）１をパルス駆動す
るパルス電流Ｉａｃに対応する値と、ＬＤ１をバイアス
駆動するバイアス電流Ｉｄｃに対応する値とを記憶す
る。光送信器周囲温度は、温度センサ７で検出され、光
送信器周囲温度に対する値に変換され、Ａ／Ｄ変換器８
に入力され、Ａ／Ｄ変換されてメモリ制御回路１１に入
力される。
【００１１】メモリ制御回路１１は、検出したマーク率
に対応して、使用するメモリを選択し、温度に対応し
て、パルス電流Ｉａｃに対応する値とバイアス電流Ｉｄ
ｃに対応する値を呼び出し、パルス電流Ｉａｃに対応す
る値をＤ／Ａ変換器６へ出力し、バイアス電流Ｉｄｃに
対応する値をＤ／Ａ変換器５へ出力する。パルス電流Ｉ
ａｃに対応する値はＤ／Ａ変換器６でＤ／Ａ変換され、
電流制御回路４へ入力され、パルス電流Ｉａｃに変換さ
れる。ドライバ２は、入力信号Ａに対応してＬＤ１のＯ
Ｎ／ＯＦＦを制御する。この際、ＬＤ１をパルス駆動す
る電流値はパルス電流Ｉａｃである。一方、メモリ制御
回路１１から出力されたバイアス電流Ｉｄｃに対応する
値はＤ／Ａ変換器５でＤ／Ａ変換され、電流制御回路３
へ入力され、バイアス電流Ｉｄｃに変換される。電流制
御回路３はＬＤ１に接続されており、ＬＤ１に流すバイ
アス電流Ｉｄｃを制御する。
に対応して、使用するメモリを選択し、温度に対応し
て、パルス電流Ｉａｃに対応する値とバイアス電流Ｉｄ
ｃに対応する値を呼び出し、パルス電流Ｉａｃに対応す
る値をＤ／Ａ変換器６へ出力し、バイアス電流Ｉｄｃに
対応する値をＤ／Ａ変換器５へ出力する。パルス電流Ｉ
ａｃに対応する値はＤ／Ａ変換器６でＤ／Ａ変換され、
電流制御回路４へ入力され、パルス電流Ｉａｃに変換さ
れる。ドライバ２は、入力信号Ａに対応してＬＤ１のＯ
Ｎ／ＯＦＦを制御する。この際、ＬＤ１をパルス駆動す
る電流値はパルス電流Ｉａｃである。一方、メモリ制御
回路１１から出力されたバイアス電流Ｉｄｃに対応する
値はＤ／Ａ変換器５でＤ／Ａ変換され、電流制御回路３
へ入力され、バイアス電流Ｉｄｃに変換される。電流制
御回路３はＬＤ１に接続されており、ＬＤ１に流すバイ
アス電流Ｉｄｃを制御する。
【００１２】次に、本発明の動作を説明する。
【００１３】図２は、図１の（ａ）、（ｂ）における波
形を時間軸上に示した図である。入力信号Ａの状態によ
って、３つの場合（Ａ〜Ｃ）に分けている。入力信号Ａ
は、バーストセルを１単位としてデータ列を構成してお
り、バーストセル内に規定された時間のパルスが含まれ
ている。図２の例では、バーストセル長は、バーストセ
ル内のデータ列４８０ビットで構成している。データ列
のマーク率は定常的に１／２としている。図２の（Ａ）
（Ｂ）（Ｃ）は、入力信号Ａのバーストセルの疎密によ
る平均値検出器９の動作を図示している。
形を時間軸上に示した図である。入力信号Ａの状態によ
って、３つの場合（Ａ〜Ｃ）に分けている。入力信号Ａ
は、バーストセルを１単位としてデータ列を構成してお
り、バーストセル内に規定された時間のパルスが含まれ
ている。図２の例では、バーストセル長は、バーストセ
ル内のデータ列４８０ビットで構成している。データ列
のマーク率は定常的に１／２としている。図２の（Ａ）
（Ｂ）（Ｃ）は、入力信号Ａのバーストセルの疎密によ
る平均値検出器９の動作を図示している。
【００１４】バーストセルが密な場合、言い換えるとマ
ーク率が大きい場合（Ａ）は、平均値検出器９は大きな
レベルを出力する。バーストセルが疎な場合、言い換え
るとマーク率が小さい場合（Ｃ）は、平均値検出器９は
小さなレベルを出力する。つまり、バーストセルの疎密
状態に対応して、平均値検出器９はマーク率に対応する
値を出力する。平均値検出器９で検出したマーク率に対
応する値は、Ａ／Ｄ変換器１０でＡ／Ｄ変換され、メモ
リ制御回路１１へ入力される。メモリ制御回路１１で
は、検出したマーク率に対応する値に対応して、使用す
るメモリをメモリＡ１２、メモリＢ１３、メモリＣ１４
から選択する。
ーク率が大きい場合（Ａ）は、平均値検出器９は大きな
レベルを出力する。バーストセルが疎な場合、言い換え
るとマーク率が小さい場合（Ｃ）は、平均値検出器９は
小さなレベルを出力する。つまり、バーストセルの疎密
状態に対応して、平均値検出器９はマーク率に対応する
値を出力する。平均値検出器９で検出したマーク率に対
応する値は、Ａ／Ｄ変換器１０でＡ／Ｄ変換され、メモ
リ制御回路１１へ入力される。メモリ制御回路１１で
は、検出したマーク率に対応する値に対応して、使用す
るメモリをメモリＡ１２、メモリＢ１３、メモリＣ１４
から選択する。
【００１５】各メモリは、光送信器周辺温度に対応し
て、パルス電流Ｉａｃに対応する値とバイアス電流Ｉｄ
ｃに対応する値を記憶する。メモリＡ１２、メモリＢ１
３、メモリＣ１４には、例えば、図３に示すようにそれ
ぞれ特性の異なるデータを記憶させておく。図３の例で
は、（Ａ）メモリＡには、温度と駆動電流の傾きが急峻
な特性を記憶させており、（Ｂ）メモリＢ、（Ｃ）メモ
リＣの順で傾きが緩やかな特性を記憶させている。例え
ば、バーストセルが密で、マーク率が大きい状態の時、
図２（Ａ）に対応する図３（Ａ）のメモリＡを選択する
ようにメモリ制御回路１１にあらかじめ設定しておく。
同様に、図２（Ｂ）に対応して図３（Ｂ）を記憶させ、
図２（Ｃ）に対応して図３（Ｃ）を記憶しておく。
て、パルス電流Ｉａｃに対応する値とバイアス電流Ｉｄ
ｃに対応する値を記憶する。メモリＡ１２、メモリＢ１
３、メモリＣ１４には、例えば、図３に示すようにそれ
ぞれ特性の異なるデータを記憶させておく。図３の例で
は、（Ａ）メモリＡには、温度と駆動電流の傾きが急峻
な特性を記憶させており、（Ｂ）メモリＢ、（Ｃ）メモ
リＣの順で傾きが緩やかな特性を記憶させている。例え
ば、バーストセルが密で、マーク率が大きい状態の時、
図２（Ａ）に対応する図３（Ａ）のメモリＡを選択する
ようにメモリ制御回路１１にあらかじめ設定しておく。
同様に、図２（Ｂ）に対応して図３（Ｂ）を記憶させ、
図２（Ｃ）に対応して図３（Ｃ）を記憶しておく。
【００１６】マーク率が平均的な状態である図２（Ｂ）
から、マーク率が密な状態である図２（Ａ）に変化した
場合、ＬＤ１には電流がほぼ定常的に流れるようになる
ため、ＬＤ１の周囲温度が上昇する。ＬＤ１は自己発熱
による周囲温度の上昇で、光出力ピークパワーが減衰す
る。その理由は、ＬＤ１の電流対発光特性が温度上昇に
より劣化するからである。入力信号Ａのマーク率を検出
することにより、図３（Ａ）のメモリＡが選択され、光
出力ピークパワーの減衰が補償される。また、マーク率
が平均的な状態である図２（Ｂ）から、マーク率が疎の
状態である図２（Ｃ）に変化した場合、ＬＤ１には電流
が不定間隔かつ少量しか流れないため、ＬＤ１の周囲温
度は下降し、光出力ピークパワーが上昇する。その理由
は、ＬＤ１の電流対発光特性が周囲温度の下降により改
善されるからである。その際、入力信号Ａのマーク率を
検出することにより図３（Ｃ）のメモリＣを選択され、
光出力パワーの上昇が補償される。このように、マーク
率の疎密を検出することにより、マーク率によるレーザ
ダイオード駆動電流の温度特性を調整し、マーク率変動
による光出力ピークパワーの変動を補償することができ
る。
から、マーク率が密な状態である図２（Ａ）に変化した
場合、ＬＤ１には電流がほぼ定常的に流れるようになる
ため、ＬＤ１の周囲温度が上昇する。ＬＤ１は自己発熱
による周囲温度の上昇で、光出力ピークパワーが減衰す
る。その理由は、ＬＤ１の電流対発光特性が温度上昇に
より劣化するからである。入力信号Ａのマーク率を検出
することにより、図３（Ａ）のメモリＡが選択され、光
出力ピークパワーの減衰が補償される。また、マーク率
が平均的な状態である図２（Ｂ）から、マーク率が疎の
状態である図２（Ｃ）に変化した場合、ＬＤ１には電流
が不定間隔かつ少量しか流れないため、ＬＤ１の周囲温
度は下降し、光出力ピークパワーが上昇する。その理由
は、ＬＤ１の電流対発光特性が周囲温度の下降により改
善されるからである。その際、入力信号Ａのマーク率を
検出することにより図３（Ｃ）のメモリＣを選択され、
光出力パワーの上昇が補償される。このように、マーク
率の疎密を検出することにより、マーク率によるレーザ
ダイオード駆動電流の温度特性を調整し、マーク率変動
による光出力ピークパワーの変動を補償することができ
る。
【００１７】図４は、図１の構成に入力信号Ｂを追加し
た他の実施の形態の構成を示す。図５は、入力信号Ａ
（データ入力）と入力信号Ｂ（セル入力）との関係を示
し、入力信号Ｂはバーストセルに同期したバーストセル
長の信号である。入力信号Ｂは電流制御回路３を制御す
る信号で、バイアス電流ＩｄｃのＯＮ／ＯＦＦに使用さ
れ、入力信号Ａの無い区間で光を発出させないようにバ
イアス電流を流さないようにしている。バースト伝送の
マーク率は、バーストセルの密度で決定されるため、入
力信号Ｂを検出することにより、マーク率を検出でき
る。平均値検出器９で入力信号Ｂの平均値を検出するこ
とにより、マーク率に対応する値を取得でき、本発明を
適用できる。
た他の実施の形態の構成を示す。図５は、入力信号Ａ
（データ入力）と入力信号Ｂ（セル入力）との関係を示
し、入力信号Ｂはバーストセルに同期したバーストセル
長の信号である。入力信号Ｂは電流制御回路３を制御す
る信号で、バイアス電流ＩｄｃのＯＮ／ＯＦＦに使用さ
れ、入力信号Ａの無い区間で光を発出させないようにバ
イアス電流を流さないようにしている。バースト伝送の
マーク率は、バーストセルの密度で決定されるため、入
力信号Ｂを検出することにより、マーク率を検出でき
る。平均値検出器９で入力信号Ｂの平均値を検出するこ
とにより、マーク率に対応する値を取得でき、本発明を
適用できる。
【００１８】図６は、図１の構成でメモリの個数を増や
した他の実施の形態の構成を示す。図１の実施の形態で
は、メモリを３個としたが、メモリの個数を増やすこと
により、より精細なマーク率補償が可能となる。
した他の実施の形態の構成を示す。図１の実施の形態で
は、メモリを３個としたが、メモリの個数を増やすこと
により、より精細なマーク率補償が可能となる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１効果
は、マーク率の変動による光出力ピークパワーの変動を
フィードフォワードで制御できることである。その理由
は、従来の回路では光送信器の周囲温度を検知してレー
ザダイオードの駆動電流を決定するので、マーク率の大
小によるレーザダイオード周囲温度の変動を補償できな
いが、本発明では入力信号からマーク率を検出し、マー
ク率によって光出力の駆動電流設定を調整する機能を有
しているからである。
は、マーク率の変動による光出力ピークパワーの変動を
フィードフォワードで制御できることである。その理由
は、従来の回路では光送信器の周囲温度を検知してレー
ザダイオードの駆動電流を決定するので、マーク率の大
小によるレーザダイオード周囲温度の変動を補償できな
いが、本発明では入力信号からマーク率を検出し、マー
ク率によって光出力の駆動電流設定を調整する機能を有
しているからである。
【００２０】本発明の第２の効果は、マーク率変動によ
る光出力ピークパワー変動を、光出力をモニタすること
なく、電気回路構成のみで抑圧できることである。その
理由は、入力信号のみからマーク率を検出し、マーク率
によって光出力の駆動電流設定を調整する機能を有して
いるからである。光出力をモニタしないため、モニタ用
のフォトダイオードを必要としないことから低コスト化
に効果がある。
る光出力ピークパワー変動を、光出力をモニタすること
なく、電気回路構成のみで抑圧できることである。その
理由は、入力信号のみからマーク率を検出し、マーク率
によって光出力の駆動電流設定を調整する機能を有して
いるからである。光出力をモニタしないため、モニタ用
のフォトダイオードを必要としないことから低コスト化
に効果がある。
【図１】本発明のフィードフォワード型ＡＰＣ回路を備
えたレーザダイオード駆動回路の構成図である。
えたレーザダイオード駆動回路の構成図である。
【図２】図１の（ａ）、（ｂ）における波形を時間軸上
に示した図であって、入力信号Ａの状態によって、
（Ａ）〜（Ｃ）の３つの場合に分けた説明図である。
に示した図であって、入力信号Ａの状態によって、
（Ａ）〜（Ｃ）の３つの場合に分けた説明図である。
【図３】メモリＡ、メモリＢ、メモリＣに記憶された、
それぞれ特性の異なるデータの説明図である。
それぞれ特性の異なるデータの説明図である。
【図４】図１の構成に入力信号Ｂを追加した他の実施の
形態の構成図である。
形態の構成図である。
【図５】入力信号Ａ（データ入力）と入力信号Ｂ（セル
入力）との関係を示す図である。
入力）との関係を示す図である。
【図６】図１の構成でメモリの個数を増やした他の実施
の形態の構成図である。
の形態の構成図である。
【図７】ＰＯＮシステムの説明図である。
【図８】従来の光送信部の構成例を示すブロック図であ
る。
る。
【図９】バースト伝送のバーストセルが密である場合
（ａ）と、疎である場合（ｂ）を示す図である。
（ａ）と、疎である場合（ｂ）を示す図である。
１ ＬＤ（レーザダイオード） ２ ドライバ ３ （バイアス）電流制御回路 ４ （パルス）電流制御回路 ５ Ｄ／Ａ変換器 ６ Ｄ／Ａ変換器 ７ 温度センサ ８ Ａ／Ｄ変換器 ９ 平均値検出器 １０ Ａ／Ｄ変換器 １１ メモリ制御回路 １２ メモリＡ １３ メモリＢ １４ メモリＣ
Claims (6)
- 【請求項１】 バースト対応光送信器において、 送信用信号光を発するレーザダイオードと、 バースト入力信号に応じて、前記レーザダイオードを駆
動するドライバ回路と、 このドライバ回路による、前記バースト入力信号に応じ
た前記レーザダイオードのパルス駆動電流を制御するパ
ルス電流制御回路と、 前記レーザダイオードのバイアス駆動電流を制御するバ
イアス電流制御回路と、 前記バースト入力信号の平均値を検出し、マーク率に対
応する値を出力する平均値検出回路と、 光送信機周囲温度を検出して、出力する温度検出回路
と、 前記光送信器周囲温度に対応させて、前記レーザダイオ
ードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス駆動電流
に対応する値とについて、それぞれ特性の異なるデータ
を記憶する複数のメモリが接続されたメモリ制御回路と
を備え、 このメモリ制御回路は、前記平均値検出回路からのマー
ク率に対応して、前記複数のメモリの中から使用するメ
モリを選択し、前記光送信器周囲温度に応じて前記レー
ザダイオードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス
駆動電流に対応する値とを呼び出し、前記パルス駆動電
流とバイアス駆動電流を調整して、前記レーザダイオー
ドの光出力および消光比を一定に制御することを特徴と
する、フィードフォワード型ＡＰＣ回路を備えたレーザ
ダイオード駆動回路。 - 【請求項２】 バースト対応光送信器において、 送信用信号光を発するレーザダイオードと、 バースト入力信号に応じて、前記レーザダイオードを駆
動するドライバ回路と、 このドライバ回路による、前記バースト入力信号に応じ
た前記レーザダイオードのパルス駆動電流を制御するパ
ルス電流制御回路と、 前記バースト入力信号のバーストセルに同期したバース
トセル長のセル同期信号が入力され、前記レーザダイオ
ードのバイアス駆動電流のオン／オフを制御して、前記
バースト入力信号の無い区間で発光しないようにバイア
ス駆動電流を制御するバイアス電流制御回路と、 前記セル同期信号の平均値を検出し、マーク率に対応す
る値を出力する平均値検出回路と、 光送信機周囲温度を検出して、出力する温度検出回路
と、 前記光送信器周囲温度に対応させて、前記レーザダイオ
ードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス駆動電流
に対応する値とについて、それぞれ特性の異なるデータ
を記憶する複数のメモリが接続されたメモリ制御回路と
を備え、 このメモリ制御回路は、前記平均値検出回路からのマー
ク率に対応して、前記複数のメモリの中から使用するメ
モリを選択し、前記光送信器周囲温度に応じて前記レー
ザダイオードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス
電流に対応する値とを呼び出し、前記パルス駆動電流と
バイアス駆動電流を調整して、前記レーザダイオードの
光出力および消光比を一定に制御することを特徴とす
る、フィードフォワード型ＡＰＣ回路を備えたレーザダ
イオード駆動回路。 - 【請求項３】 前記複数のメモリを構成する、第１メモ
リには、温度と駆動電流の傾きが急峻な特性を記憶さ
せ、以降、第２メモリ、第３メモリの順で傾きが緩やか
な特性を記憶させて、 前記メモリ制御回路は、マーク率の大きさに応じて、前
記第１メモリ、第２メモリ、第３メモリの順に選択する
ことを特徴とする、請求項１または２記載のフィードフ
ォワード型ＡＰＣ回路を備えたレーザダイオード駆動回
路。 - 【請求項４】 送信用信号光を発するレーザダイオード
と、 バースト入力信号に応じて、前記レーザダイオードを駆
動するドライバ回路と、 このドライバ回路による、前記バースト入力信号に応じ
た前記レーザダイオードのパルス駆動電流を制御するパ
ルス電流制御回路と、 前記レーザダイオードのバイアス駆動電流を制御するバ
イアス電流制御回路と、 前記バースト入力信号の平均値を検出し、マーク率に対
応する値を出力する平均値検出回路と、 光送信機周囲温度を検出して、出力する温度検出回路と
を備えたバースト対応光送信器において、 前記光送信器周囲温度に対応させて、前記レーザダイオ
ードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス駆動電流
に対応する値とについて、それぞれ特性の異なるデータ
を複数のメモリに記憶し、 前記平均値検出回路からのマーク率に対応して、前記複
数のメモリの中から使用するメモリを選択し、 前記光送信器周囲温度に応じて前記レーザダイオードの
パルス駆動電流に対応する値とバイアス駆動電流に対応
する値とを呼び出し、前記パルス駆動電流とバイアス駆
動電流を調整して、前記レーザダイオードの光出力およ
び消光比を一定に制御することを特徴とする、フィード
フォワード型ＡＰＣによるレーザダイオード駆動方法。 - 【請求項５】 送信用信号光を発するレーザダイオード
と、 バースト入力信号に応じて、前記レーザダイオードを駆
動するドライバ回路と、 このドライバ回路による、前記バースト入力信号に応じ
た前記レーザダイオードのパルス駆動電流を制御するパ
ルス電流制御回路と、 前記バースト入力信号のバーストセルに同期したバース
トセル長のセル同期信号が入力され、前記レーザダイオ
ードのバイアス駆動電流のオン／オフを制御して、前記
バースト入力信号の無い区間で発光しないようにバイア
ス駆動電流を制御するバイアス電流制御回路と、 前記セル同期信号の平均値を検出し、マーク率に対応す
る値を出力する平均値検出回路と、 光送信機周囲温度を検出して、出力する温度検出回路と
を備えたバースト対応光送信器において、 前記光送信器周囲温度に対応させて、前記レーザダイオ
ードのパルス駆動電流に対応する値とバイアス駆動電流
に対応する値とについて、それぞれ特性の異なるデータ
を複数のメモリに記憶し、 前記平均値検出回路からのマーク率に対応して、前記複
数のメモリの中から使用するメモリを選択し、 前記光送信器周囲温度に応じて前記レーザダイオードの
パルス駆動電流に対応する値とバイアス駆動電流に対応
する値とを呼び出し、前記パルス駆動電流とバイアス駆
動電流を調整して、前記レーザダイオードの光出力およ
び消光比を一定に制御することを特徴とする、フィード
フォワード型ＡＰＣによるレーザダイオード駆動方法。 - 【請求項６】 前記複数のメモリを構成する、第１メモ
リには、温度と駆動電流の傾きが急峻な特性を記憶さ
せ、以降、第２メモリ、第３メモリの順で傾きが緩やか
な特性を記憶させて、 マーク率の大きさに応じて、前記第１メモリ、第２メモ
リ、第３メモリの順に選択することを特徴とする、請求
項４または５記載のフィードフォワード型ＡＰＣによる
レーザダイオード駆動方法。
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- 2001-02-08 JP JP2001032464A patent/JP3637872B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2002
- 2002-02-06 US US10/066,776 patent/US6697400B2/en not_active Expired - Fee Related
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