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Description
他の実施形態では、ウラン金属ならびに/または水和されたおよび炭酸化されたウラン酸化物、ならびに他の重要なウラン成分は、ウラン酸化物形態または酸化物鉱物相の成分に変換される。
本発明の他の実施形態は、本明細書および本明細書に開示される本発明の実施を考慮することにより当業者に明らかである。本明細書および実施例は例示にすぎないとみなされるべきであり、本発明の真の範囲は添付の特許請求の範囲によって示されることが意図される。
本発明の好ましい実施形態によれば、以下が提供される。
(項1)
ウラン、グラファイト、マグネシウム、およびアルミニウムのうちの少なくとも1種の放射性成分または合金を含有する核含有廃棄物を固定化する組成物であって、前記組成物が、
前記少なくとも1種の放射性成分または合金と反応する少なくとも1種の鉱物相形成元素または化合物、および
前記少なくとも1種の鉱物相形成元素または化合物と反応しない廃棄物放射性同位体および不純物を組み込むガラス相を形成する少なくとも1種のガラス形成元素または化合物を含み、前記核含有廃棄物を固体の廃棄物形態に固定化する組成物。
(項2)
前記核含有廃棄物が、マグネシウム金属、炭酸マグネシウムまたは水酸化マグネシウムを含み、前記鉱物相が、前記マグネシウム金属、炭酸マグネシウムまたは水酸化マグネシウムをMgOに変換するのに十分である、上記項1に記載の組成物。
(項3)
前記核含有廃棄物が、ウラン金属ならびに/または水和されたおよび炭酸化されたウランを含み、前記鉱物相が、ウラン酸化物を変換するのに十分である、上記項1に記載の組成物。
(項4)
核含有廃棄物が、マグノックススラッジ、クリノプチロライト廃棄物、およびそれらの組合せを含む、上記項1に記載の組成物。
(項5)
前記最終の廃棄物形態が、理論密度の90%より高い密度を有する、上記項1に記載の組成物。
(項6)
前記マグネシウムが、250μm未満の粒径を有するマグネシウム由来成分を有する、上記項1に記載の組成物。
(項7)
前記最終の廃棄物形態の熱処置および圧密化を支援する少なくとも1種の添加剤をさらに含む、上記項1に記載の組成物。
(項8)
前記少なくとも1種の添加剤が、Ti、Si、PまたはAlの供給源を含み、前記マグネシウム成分と反応して、安定な相を形成する、上記項7に記載の組成物。
(項9)
Ti、Si、PまたはAlの前記供給源が、チタニア、チタネート鉱物、アルミナ、ホスフェート シリカ、シリケート鉱物、シリカゾルおよびガラスフリットを含む、上記項8に記載の組成物。
(項10)
前記安定な相が、MgTiO 3 、Mg 2 TiO 4 、およびMgTi 2 O 5 、MgSiO 3 、Mg 2 SiO 4 、MgAl 2 O 4 、ならびにそれらの組合せを含む、上記項8に記載の組成物。
(項11)
前記廃棄物の他の元素からの三元多成分相をさらに含む、上記項8に記載の組成物。
(項12)
前記三元多成分相が、透輝石(CaMgSi 2 O 6 )およびペロブスカイト(CaTiO 3 )を含む、上記項11に記載の組成物。
(項13)
前記廃棄物形態が、保護ガラスとセラミック相のマトリックスにカプセル化された、MgOと他のセラミック相との混合物を含む、上記項1に記載の組成物。
(項14)
前記廃棄物形態が、ウラン酸化物、またはマトリックスにカプセル化された、チタネート鉱物:ブラネライト、パイロクロア、ジルコノライトから選択される化合物を含む、上記項1に記載の組成物。
(項15)
前記核含有廃棄物が、微粒子の粗部分と微細部分の両方を10:90~90:10の範囲の比で含有する、上記項1に記載の組成物。
(項16)
前記粗部分の大部分が、200μm~6mmの範囲の微粒子サイズを有し、前記微細部分の大部分が、0.1~200μm未満の範囲の微粒子サイズを有する、上記項15に記載の組成物。
(項17)
核含有廃棄物を処置する方法であって、前記方法が、
核含有廃棄物および少なくとも1種の添加剤を含むスラリーを形成するステップ、
前記スラリーを乾燥して、乾燥生成物を形成するステップ、
前記乾燥生成物をか焼して、か焼生成物を形成するステップ、
前記か焼生成物をキャニスターに装填するステップ、
前記金属キャニスターを排気し、シールするステップ、ならびに
前記キャニスター中の材料を熱処置して、ガラス-セラミックを含む緻密な廃棄物形態の生成物を生成するステップ
を含む方法。
(項18)
少なくとも1つのパドル型混合、再循環混合、インライン混合、乱流スラリー混合またはそれらの組合せを使用して、前記スラリーを混合するステップをさらに含む、上記項17に記載の方法。
(項19)
前記スラリーの乾燥が、得られた生成物を顆粒化するステップと同時に行われ、前記乾燥が、ワイプもしくは薄膜蒸発、回転乾燥またはコニカルミキサー乾燥、噴霧乾燥、流動床乾燥またはフラッシュ乾燥から選択される少なくとも1つのプロセスを含む、上記項17に記載の方法。
(項20)
熱間静水圧プレス処理が、900℃~1300℃の範囲の温度および5MPa~150MPaの範囲の圧力で行われる、上記項17に記載の方法。
(項21)
か焼が、回転式か焼、振動式か焼、流動床か焼またはバッチ式か焼法を使用して行われる、上記項17に記載の方法。
(項22)
か焼後に、1種または複数の廃棄物成分が酸化物形態に変換される、上記項17に記載の方法。
(項23)
マグネシウム金属、炭酸マグネシウムもしくは水酸化マグネシウムが、MgOに変換され、そして/またはウラン金属ならびに/もしくは水和されたおよび炭酸化されたウランが、ウラン酸化物に変換される、上記項17に記載の方法。
(項24)
か焼により、水素および/または反応性水が前記廃棄物形態から除去される、上記項17に記載の方法。
(項25)
前記生成物を理論密度の90%より高くなるまで緻密化する熱処理のステップをさらに含む、上記項17に記載の方法。
(項26)
250μm未満の粒径を有するマグネシウム由来成分を、前記緻密な廃棄物形態の生成物の前記熱処置および圧密化を支援する少なくとも1種の添加剤と反応させるステップをさらに含む、上記項17に記載の方法。
(項27)
前記反応が、前記廃棄物の微細成分と、Ti、Si、PまたはAlの供給源を提供する微細添加剤とを一緒に混合して、少なくとも1つの安定な相を形成するステップを含む、上記項25に記載の方法。
(項28)
Ti、Si、PまたはAlの前記供給源が、チタニア、アルミナ、ホスフェート シリカ、およびガラスフリットを含む、上記項27に記載の方法。
(項29)
前記少なくとも1つの安定な相が、MgTiO 3 、Mg 2 TiO 4 、およびMgTi 2 O 5 、MgSiO 3 、Mg 2 SiO 4 、MgAl 2 O 4 、ならびにそれらの組合せを含む、上記項27に記載の方法。
(項30)
前記廃棄物の他の元素からの三元多成分相をさらに含む、上記項27に記載の方法。
(項31)
前記三元多成分相が、透輝石(CaMgSi 2 O 6 )、ペロブスカイト(CaTiO 3 )、およびそれらの混合物を含む、上記項30に記載の方法。
(項32)
前記緻密な廃棄物形態の生成物が、保護ガラスとセラミック相のマトリックスにカプセル化された、MgOと少なくとも1つの他のセラミック相との混合物を含む、上記項17に記載の方法。
(項33)
前記緻密な廃棄物形態の生成物が、ウラン酸化物、およびマトリックスにカプセル化された、チタネート鉱物 ブラネライト、パイロクロア、ジルコノライトから選択される少なくとも化合物を含む、上記項17に記載の方法。
(項34)
前記少なくとも1種の添加剤が、ゼオライトを含む、上記項17に記載の方法。
(項35)
前記ゼオライトが、揮発性元素およびそれらの同位体を吸着し、廃棄物中に存在する放射性イオンを含有するガラスを処理の間に形成し、または両方を行って、熱処理の間におけるそれらの損失率が低減されるような量で見出される、クリノプチロライトを含む、上記項34に記載の方法。
(項36)
前記揮発性元素およびそれらの同位体が、Csを含む、上記項34に記載の方法。
(項37)
前記ゼオライトが反応して、処理の間に前記廃棄物中に存在する放射性イオンを含有するガラスを形成し、必要に応じて、前記乾燥生成物を顆粒化する、上記項34に記載の方法。
(項38)
前記か焼材料を、熱処置する前に振動充填するステップをさらに含む、上記項17に記載の方法。
(項39)
前記キャニスターが金属で作製され、前記金属材料キャニスターの熱処置が、熱間静水圧プレス処理を含む、上記項38に記載の方法。
(項40)
前記乾燥生成物を顆粒化するステップをさらに含む、上記項17に記載の方法。
本発明の好ましい実施形態によれば、以下が提供される。
(項1)
ウラン、グラファイト、マグネシウム、およびアルミニウムのうちの少なくとも1種の放射性成分または合金を含有する核含有廃棄物を固定化する組成物であって、前記組成物が、
前記少なくとも1種の放射性成分または合金と反応する少なくとも1種の鉱物相形成元素または化合物、および
前記少なくとも1種の鉱物相形成元素または化合物と反応しない廃棄物放射性同位体および不純物を組み込むガラス相を形成する少なくとも1種のガラス形成元素または化合物を含み、前記核含有廃棄物を固体の廃棄物形態に固定化する組成物。
(項2)
前記核含有廃棄物が、マグネシウム金属、炭酸マグネシウムまたは水酸化マグネシウムを含み、前記鉱物相が、前記マグネシウム金属、炭酸マグネシウムまたは水酸化マグネシウムをMgOに変換するのに十分である、上記項1に記載の組成物。
(項3)
前記核含有廃棄物が、ウラン金属ならびに/または水和されたおよび炭酸化されたウランを含み、前記鉱物相が、ウラン酸化物を変換するのに十分である、上記項1に記載の組成物。
(項4)
核含有廃棄物が、マグノックススラッジ、クリノプチロライト廃棄物、およびそれらの組合せを含む、上記項1に記載の組成物。
(項5)
前記最終の廃棄物形態が、理論密度の90%より高い密度を有する、上記項1に記載の組成物。
(項6)
前記マグネシウムが、250μm未満の粒径を有するマグネシウム由来成分を有する、上記項1に記載の組成物。
(項7)
前記最終の廃棄物形態の熱処置および圧密化を支援する少なくとも1種の添加剤をさらに含む、上記項1に記載の組成物。
(項8)
前記少なくとも1種の添加剤が、Ti、Si、PまたはAlの供給源を含み、前記マグネシウム成分と反応して、安定な相を形成する、上記項7に記載の組成物。
(項9)
Ti、Si、PまたはAlの前記供給源が、チタニア、チタネート鉱物、アルミナ、ホスフェート シリカ、シリケート鉱物、シリカゾルおよびガラスフリットを含む、上記項8に記載の組成物。
(項10)
前記安定な相が、MgTiO 3 、Mg 2 TiO 4 、およびMgTi 2 O 5 、MgSiO 3 、Mg 2 SiO 4 、MgAl 2 O 4 、ならびにそれらの組合せを含む、上記項8に記載の組成物。
(項11)
前記廃棄物の他の元素からの三元多成分相をさらに含む、上記項8に記載の組成物。
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前記三元多成分相が、透輝石(CaMgSi 2 O 6 )およびペロブスカイト(CaTiO 3 )を含む、上記項11に記載の組成物。
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前記廃棄物形態が、保護ガラスとセラミック相のマトリックスにカプセル化された、MgOと他のセラミック相との混合物を含む、上記項1に記載の組成物。
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前記廃棄物形態が、ウラン酸化物、またはマトリックスにカプセル化された、チタネート鉱物:ブラネライト、パイロクロア、ジルコノライトから選択される化合物を含む、上記項1に記載の組成物。
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前記核含有廃棄物が、微粒子の粗部分と微細部分の両方を10:90~90:10の範囲の比で含有する、上記項1に記載の組成物。
(項16)
前記粗部分の大部分が、200μm~6mmの範囲の微粒子サイズを有し、前記微細部分の大部分が、0.1~200μm未満の範囲の微粒子サイズを有する、上記項15に記載の組成物。
(項17)
核含有廃棄物を処置する方法であって、前記方法が、
核含有廃棄物および少なくとも1種の添加剤を含むスラリーを形成するステップ、
前記スラリーを乾燥して、乾燥生成物を形成するステップ、
前記乾燥生成物をか焼して、か焼生成物を形成するステップ、
前記か焼生成物をキャニスターに装填するステップ、
前記金属キャニスターを排気し、シールするステップ、ならびに
前記キャニスター中の材料を熱処置して、ガラス-セラミックを含む緻密な廃棄物形態の生成物を生成するステップ
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マグネシウム金属、炭酸マグネシウムもしくは水酸化マグネシウムが、MgOに変換され、そして/またはウラン金属ならびに/もしくは水和されたおよび炭酸化されたウランが、ウラン酸化物に変換される、上記項17に記載の方法。
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250μm未満の粒径を有するマグネシウム由来成分を、前記緻密な廃棄物形態の生成物の前記熱処置および圧密化を支援する少なくとも1種の添加剤と反応させるステップをさらに含む、上記項17に記載の方法。
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前記三元多成分相が、透輝石(CaMgSi 2 O 6 )、ペロブスカイト(CaTiO 3 )、およびそれらの混合物を含む、上記項30に記載の方法。
(項32)
前記緻密な廃棄物形態の生成物が、保護ガラスとセラミック相のマトリックスにカプセル化された、MgOと少なくとも1つの他のセラミック相との混合物を含む、上記項17に記載の方法。
(項33)
前記緻密な廃棄物形態の生成物が、ウラン酸化物、およびマトリックスにカプセル化された、チタネート鉱物 ブラネライト、パイロクロア、ジルコノライトから選択される少なくとも化合物を含む、上記項17に記載の方法。
(項34)
前記少なくとも1種の添加剤が、ゼオライトを含む、上記項17に記載の方法。
(項35)
前記ゼオライトが、揮発性元素およびそれらの同位体を吸着し、廃棄物中に存在する放射性イオンを含有するガラスを処理の間に形成し、または両方を行って、熱処理の間におけるそれらの損失率が低減されるような量で見出される、クリノプチロライトを含む、上記項34に記載の方法。
(項36)
前記揮発性元素およびそれらの同位体が、Csを含む、上記項34に記載の方法。
(項37)
前記ゼオライトが反応して、処理の間に前記廃棄物中に存在する放射性イオンを含有するガラスを形成し、必要に応じて、前記乾燥生成物を顆粒化する、上記項34に記載の方法。
(項38)
前記か焼材料を、熱処置する前に振動充填するステップをさらに含む、上記項17に記載の方法。
(項39)
前記キャニスターが金属で作製され、前記金属材料キャニスターの熱処置が、熱間静水圧プレス処理を含む、上記項38に記載の方法。
(項40)
前記乾燥生成物を顆粒化するステップをさらに含む、上記項17に記載の方法。
Claims (14)
- ウラン、グラファイト、マグネシウム、およびアルミニウムのうちの少なくとも1種の放射性成分または合金を含有する核含有廃棄物を固定化する組成物であって、前記組成物が、
前記少なくとも1種の放射性成分または合金と反応する少なくとも1種の鉱物相形成元素または化合物、および
前記少なくとも1種の鉱物相形成元素または化合物と反応しない廃棄物放射性同位体および不純物を組み込むガラス相を形成する少なくとも1種のガラス形成元素または化合物を含み、
ここで、前記組成物が、前記核含有廃棄物を固体の廃棄物形態に固定化し、
ここで、前記核含有廃棄物が、マグネシウム金属、炭酸マグネシウムまたは水酸化マグネシウムを含み、そして前記少なくとも1種の鉱物相形成元素または化合物が、前記マグネシウム金属、炭酸マグネシウムまたは水酸化マグネシウムをMgOに変換するのに十分であり、ならびに/または前記核含有廃棄物が、ウラン金属ならびに/または水和されたおよび炭酸化されたウランを含み、そして前記少なくとも1種の鉱物相形成元素または化合物が、ウラン金属ならびに/または水和されたおよび炭酸化されたウランをウラン酸化物に変換するのに十分である、
組成物。 - 核含有廃棄物が、マグノックススラッジ、クリノプチロライト廃棄物、およびそれらの組合せを含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記固体の廃棄物形態が、理論密度の90%より高い密度を有する、請求項1に記載の組成物。
- 前記マグネシウムが、250μm未満の粒径を有するマグネシウム由来成分を有する、請求項1に記載の組成物。
- 前記固体の廃棄物形態の熱処置および圧密化を支援する少なくとも1種の添加剤をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記少なくとも1種の添加剤が、Ti、Si、PまたはAlの供給源を含み、前記マグネシウムと反応して、安定な相を形成する、請求項5に記載の組成物。
- Ti、Si、PまたはAlの前記供給源が、チタニア、チタネート鉱物、アルミナ、ホスフェート シリカ、シリケート鉱物、シリカゾルおよびガラスフリットを含む、請求項6に記載の組成物。
- 前記安定な相が、MgTiO3、Mg2TiO4 、MgTi2O5、MgSiO3、Mg2SiO4、MgAl2O4、およびそれらの組合せを含む、請求項6に記載の組成物。
- 前記核含有廃棄物の他の元素からの三元多成分相をさらに含む、請求項6に記載の組成物。
- 前記三元多成分相が、透輝石(CaMgSi2O6)およびペロブスカイト(CaTiO3)を含む、請求項9に記載の組成物。
- 前記廃棄物形態が、保護ガラスとセラミック相のマトリックスにカプセル化された、MgOと他のセラミック相との混合物を含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記廃棄物形態が、ウラン酸化物、またはマトリックスにカプセル化された、チタネート鉱物:ブラネライト、パイロクロア、ジルコノライトから選択される化合物を含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記核含有廃棄物が、微粒子の、200μmよりも大きいとして定義される粗部分と200μm未満として定義される微細部分の両方を10:90~90:10の範囲の比で含有する、請求項1に記載の組成物。
- 前記粗部分が、200μm~6mmの範囲の微粒子サイズを有し、前記微細部分が、0.1~200μm未満の範囲の微粒子サイズを有する、請求項13に記載の組成物。
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