JPWO2018139382A1 - 多層基板および電子機器 - Google Patents

Abstract

多層基板（１０１）は、絶縁基材層（１１，１２，１３，１４）を積層してなる積層体（１０Ａ）と、絶縁基材層（１１，１２，１３，１４）に形成される導体（第１信号線（ＳＬ１）、第２信号線（ＳＬ２）、第１開口部（ＯＰ１）を有する第１グランド導体（Ｇ１）、第２グランド導体（Ｇ２）、第３グランド導体（Ｇ３）および層間接続導体）とを備える。第１信号線（ＳＬ１）は、積層方向（Ｚ軸方向）から視て、第１開口部（ＯＰ１）に重なる。第２信号線（ＳＬ１）は、第１信号線（ＳＬ１）とは異なる層に形成され、Ｚ軸方向から視て第１信号線（ＳＬ１）に並走する部分を有する。第１グランド導体（Ｇ１）、第２グランド導体（Ｇ２）および第３グランド導体（Ｇ３）は、層間接続導体により接続される。第３グランド導体（Ｇ３）は、第１信号線（ＳＬ１）と同じ層、または第１信号線（ＳＬ１）と第２信号線（ＳＬ２）との間に位置する層に配置される。

Description

本発明は、多層基板に関し、特に複数の伝送線路を有する多層基板に関する。また、本発明は、電子機器に関し、特に該多層基板を備えた電子機器に関する。

従来、複数の絶縁基材層を積層してなる積層体に、複数の伝送線路が設けられた多層基板が知られている。

例えば、特許文献１には、第１信号線、第２信号線、開口部を有する第１グランド導体、第２グランド導体および補助グランド導体を備える多層基板が示されている。上記多層基板では、開口部を信号線（第１信号線または第２信号線）に重なるように配置することにより、隣接する信号線は、複数の絶縁基材層の積層方向の異なる位置に配置されている。そのため、隣接する信号線間の距離を大きくでき、隣接する信号線間のアイソレーションが確保される。

また、上記多層基板では、第１信号線と第２信号線との間に補助グランド導体を配置しており、隣接する信号線間のアイソレーションはさらに高まる。

国際公開第２０１４／１７８２９５号

しかし、特許文献１に示される多層基板のように、隣接する信号線の間に補助グランド導体を配置しただけでは、複数の信号線間のアイソレーションを十分に確保できない場合がある。

本発明の目的は、複数の絶縁基材層の積層方向の異なる位置に、隣接する信号線をそれぞれ配置する構成において、複数の信号線間のアイソレーションをさらに高めた多層基板を提供することにある。

（１）本発明の多層基板は、
複数の絶縁基材層を積層してなる積層体と、
前記複数の絶縁基材層に形成される、第１信号線、第２信号線、第１開口部を有する第１グランド導体、第２グランド導体、第３グランド導体および層間接続導体と、
を備え、
前記第１信号線と、前記第１グランド導体と、前記第２グランド導体と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第１信号線および前記第１グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第１信号線および第２グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、を含んで第１伝送線路が構成され、
前記第２信号線と、前記第２グランド導体と、前記第３グランド導体と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第２信号線および前記第２グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第２信号線および前記第３グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、を含んで第２伝送線路が構成され、
前記第１信号線は、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、前記第１開口部に重なり、
前記第２信号線は、前記第１信号線とは異なる層に形成され、前記積層方向から視て前記第１信号線に並走する部分を有し、
前記第１グランド導体、前記第２グランド導体および前記第３グランド導体は、前記層間接続導体により接続され、
前記第３グランド導体は、前記第１信号線と同じ層、または前記第１信号線と第２信号線との間に位置する層に配置されることを特徴とする。

第１グランド導体の第１開口部に第１信号線を重ねた場合、第１信号線と第１グランド導体との間の容量が軽減されるため、第１信号線を第１グランド導体の近くに配置することができる。そのため、複数の絶縁基材層の積層方向の異なる位置に、第１信号線と第２信号線とをそれぞれ配置できる。したがって、この構成により、第１信号線と第２信号線とを同じ層に配置した場合に比べて、第１信号線と第２信号線との間の距離を大きくでき、第１信号線と第２信号線との間のアイソレーションを確保できる。

また、この構成では、第３グランド導体が、第１信号線と同じ層、または第１信号線と第２信号線との間に位置する層に配置されるため、第２信号線と第３グランド導体との間の距離は、第１信号線と第２信号線との間の距離よりも短くなる。したがって、第２信号線の周囲に生じる磁界が効果的に遮蔽され、第１信号線と第２信号線との間のアイソレーションをさらに高めることができる。

（２）上記（１）において、前記複数の絶縁基材層に形成される第１補助グランド導体を備え、前記第１補助グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置され、且つ、前記積層方向における前記第２グランド導体と前記第３グランド導体との間に配置されることが好ましい。この構成により、第１信号線と第２信号線との間のアイソレーションがさらに確保され、クロストークの抑制効果がさらに高まる。

（３）上記（１）または（２）において、前記複数の絶縁基材層に形成される第２補助グランド導体を備え、前記第２補助グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第１信号線に対して前記第２信号線とは反対側の位置に配置され、且つ、前記積層方向における前記第１グランド導体と前記第３グランド導体との間に配置されることが好ましい。この構成により、第２補助グランド導体を備えていない場合に比べ、第１信号線からの不要輻射が抑制される。

（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記複数の絶縁基材層に形成される第３補助グランド導体を備え、前記第３補助グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第２信号線に対して前記１信号線とは反対側の位置に配置され、且つ、前記積層方向における前記第２グランド導体と前記第３グランド導体との間に配置されることが好ましい。この構成により、第３補助グランド導体を備えていない場合に比べて、第２信号線からの不要輻射が抑制される。

（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記層間接続導体は、前記積層方向から視て、前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置される第１層間接続導体を有することが好ましい。この構成により、第１信号線と第２信号線との間のアイソレーションがさらに確保され、クロストークの抑制効果がさらに高まる。

（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、前記層間接続導体は、前記積層方向から視て、前記第１信号線に対して前記第２信号線とは反対側の位置に配置される第２層間接続導体を有することが好ましい。この構成により、第２層間接続導体を備えていない場合に比べて、第１信号線からの不要輻射がより確実に抑制される。

（７）上記（１）から（６）のいずれかにおいて、前記層間接続導体は、前記積層方向から視て、前記第２信号線に対して前記第１信号線とは反対側の位置に配置される第３層間接続導体を有することが好ましい。この構成により、第３層間接続導体を備えていない場合に比べて、第２信号線からの不要輻射がより確実に抑制される。

（８）上記（１）から（７）のいずれかにおいて、前記第１伝送線路は、アナログ信号を伝送する線路であり、前記第２伝送線路は、デジタル信号を伝送する線路であってもよい。

（９）上記（１）から（８）のいずれかにおいて、複数の前記第１開口部は、前記積層方向から視て、前記第１信号線の延伸方向に沿って配列されていてもよい。

（１０）上記（１）から（９）のいずれかにおいて、
前記複数の絶縁基材層のいずれかに形成される第３信号線と、
前記第１グランド導体に形成される第２開口部と、
を備え、
前記第３信号線は、前記積層方向から視て、前記第２開口部に重なり、前記第２信号線に対して前記第１信号線とは反対側の位置に配置され、
前記第３信号線と、前記第１グランド導体と、前記第２グランド導体と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第３信号線および前記第１グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第３信号線および第２グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、を含んで第３伝送線路が構成され、
前記第２信号線は、前記第３信号線とは異なる層に形成され、前記積層方向から視て前記第３信号線に並走する部分を有し、
前記第３グランド導体は、前記第３信号線と同じ層、または前記第３信号線と第２信号線との間に位置する層に配置されることが好ましい。

この構成により、複数の絶縁基材層の積層方向の異なる位置に、第３信号線と第２信号線とをそれぞれ配置するため、第３信号線と第２信号線とを同じ層に配置した場合に比べて、第３信号線と第２信号線との間の距離を大きくできる。したがって、第３信号線と第２信号線との間のアイソレーションが確保される。

また、この構成では、第３グランド導体が、第３信号線と同じ層、または第３信号線と第２信号線との間に位置する層に配置されるため、第２信号線と第３グランド導体との間の距離が、第３信号線と第２信号線との間の距離よりも短くなる。そのため、第２信号線の周囲に生じる磁界が効果的に遮蔽され、第３信号線と第２信号線とのアイソレーションをより高めることができる。

（１１）上記（１０）において、複数の前記第２開口部は、前記積層方向から視て、前記第３信号線の延伸方向に沿って配置されていてもよい。

（１２）本発明における電子機器は、
第１回路と、第２回路と、多層基板と、を備え、
前記第１回路と前記第２回路とは、前記多層基板を介して接続され、
前記多層基板は、
複数の絶縁基材層を積層してなる積層体と、
前記複数の絶縁基材層のいずれかに形成される、第１信号線、第２信号線、第１開口部を有する第１グランド導体、第２グランド導体、第３グランド導体および層間接続導体と、
を有し、
前記第１信号線と、前記第１グランド導体と、前記第２グランド導体と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第１信号線および前記第１グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第１信号線および第２グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、を含んで第１伝送線路が構成され、
前記第２信号線と、前記第２グランド導体と、前記第３グランド導体と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第２信号線および前記第２グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第２信号線および前記第３グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、を含んで第２伝送線路が構成され、
前記第１信号線は、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、前記第１開口部に重なり、
前記第２信号線は、前記第１信号線とは異なる層に形成され、前記積層方向から視て前記第１信号線に並走する部分を有し、
前記層間接続導体は、前記第１グランド導体、前記第２グランド導体および前記第３グランド導体を互いに接続し、
前記第３グランド導体は、前記第１信号線と同じ層、または前記第１信号線と第２信号線との間に位置する層に配置されることを特徴とする。

この構成により、複数の信号線間のアイソレーションを高めた多層基板を備える電子機器を実現できる。

本発明によれば、複数の絶縁基材層の積層方向の異なる位置に、隣接する信号線をそれぞれ配置する構成において、隣接する信号線間のアイソレーションをさらに高めた多層基板を実現できる。

図１は、第１の実施形態に係る多層基板１０１の斜視図である。 図２は多層基板１０１の線路部ＳＰにおける分解平面図である。 図３は、図１における多層基板１０１のＡ−Ａ断面図である。 図４（Ａ）は第１の実施形態に係る電子機器２０１の平面透視図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。 図５は、多層基板１０１を利用した電子機器２０１の一部の回路図である。 図６は、第２の実施形態に係る多層基板１０２の線路部における断面図である。 図７は、多層基板１０２の線路部における分解平面図である。 図８は、第３の実施形態に係る多層基板１０３の線路部における断面図である。 図９は多層基板１０３の線路部における分解平面図である。 図１０は、第４の実施形態に係る多層基板１０４の線路部における断面図である。 図１１は、多層基板１０４の線路部における分解平面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は、第１の実施形態に係る多層基板１０１の斜視図である。図２は多層基板１０１の線路部ＳＰにおける分解平面図である。図３は、図１における多層基板１０１のＡ−Ａ断面図である。

多層基板１０１は、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４および保護層１を積層してなる積層体１０Ａと、絶縁基材層１１，１２，１３，１４に形成される導体（第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２、第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２、第３グランド導体Ｇ３、第１補助グランド導体ＳＧ３１，第２補助グランド導体ＳＧ２２，ＳＧ３２、第３補助グランド導体ＳＧ３３、複数の層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ３３）と、コネクタ５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂと、を備える。

図１に示すように、多層基板１０１は、線路部ＳＰ、第１接続部ＣＰ１および第２接続部ＣＰ２を有する。第１接続部ＣＰ１、線路部ＳＰおよび第２接続部ＣＰ２は、＋Ｘ方向に沿って順に配置されている。第１接続部ＣＰ１は、線路部ＳＰからＹ字状に分岐した部分である。第２接続部ＣＰ２は、線路部ＳＰからＹ字状に分岐した部分である。

積層体１０Ａは、長手方向がＸ軸方向に一致し、可撓性を有する略矩形の平板である。積層体１０Ａは互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。図２および図３に示すように、積層体１０Ａは、絶縁基材層１４，１３，１２，１１および保護層１の順に積層して形成される。

複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４は、それぞれ長手方向がＸ軸方向に一致する平板である。絶縁基材層１１，１２，１３，１４は、例えば熱可塑性樹脂の平板であり、液晶ポリマーを主材料とし、可撓性を有するシートである。

絶縁基材層１１の表面には、複数の第１開口部ＯＰ１を有する第１グランド導体Ｇ１が形成される。第１グランド導体Ｇ１は、絶縁基材層１１の略全面に形成された導体である。複数の第１開口部ＯＰ１は、絶縁基材層１１の第１辺（図２おける絶縁基材層１１の上辺）寄りに配置され、Ｘ軸方向に配列された略矩形の開口である。第１グランド導体Ｇ１は例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁基材層１１には、複数の層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３が形成される。複数の層間接続導体Ｖ１１は、絶縁基材層１１の短手方向（Ｙ軸方向）の中央に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。複数の層間接続導体Ｖ１２は、絶縁基材層１１の第１辺（図２における絶縁基材層１１の上辺）近傍に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。また、複数の層間接続導体Ｖ１３は、絶縁基材層１１の第２辺（図２における絶縁基材層１１の下辺）近傍に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３は、例えばビア導体またはスルーホール等である。

絶縁基材層１２の表面には、第１信号線ＳＬ１、第２補助グランド導体ＳＧ２２および第３グランド導体Ｇ３が形成される。第１信号線ＳＬ１は、絶縁基材層１２の短手方向（Ｙ軸方向）の中央よりも絶縁基材層１２の第１辺（図２における絶縁基材層１２の上辺）寄りの位置に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第２補助グランド導体ＳＧ２２は、絶縁基材層１２の第１辺近傍に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第３グランド導体Ｇ３は、絶縁基材層１２の第２辺（絶縁基材層１２の下辺）近傍に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。図２に示すように、第２補助グランド導体ＳＧ２２、第１信号線ＳＬ１および第３グランド導体Ｇ３は、絶縁基材層１２の短手方向（Ｙ軸方向）に沿って順に配列されている。第１信号線ＳＬ１、第２補助グランド導体ＳＧ２２および第３グランド導体Ｇ３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁基材層１２には、複数の層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３が形成される。複数の層間接続導体Ｖ２１は、絶縁基材層１２の短手方向（Ｙ軸方向）の中央に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。複数の層間接続導体Ｖ２２は、絶縁基材層１２の第１辺（絶縁基材層１２の上辺）近傍に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。また、複数の層間接続導体Ｖ２３は、絶縁基材層１２の第２辺（絶縁基材層１２の下辺）近傍に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３は、例えばビア導体またはスルーホール等である。

絶縁基材層１３の表面には、第２信号線ＳＬ２、第１補助グランド導体ＳＧ３１、第２補助グランド導体ＳＧ３２および第３補助グランド導体ＳＧ３３が形成される。第２信号線ＳＬ２は、絶縁基材層１３の短手方向（Ｙ軸方向）の中央よりも絶縁基材層１３の第２辺（図２における絶縁基材層１３の下辺）寄りの位置に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第１補助グランド導体ＳＧ３１は、絶縁基材層１３の中央に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第２補助グランド導体ＳＧ３２は、絶縁基材層１３の第１辺（絶縁基材層１３の上辺）近傍に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第３補助グランド導体ＳＧ３３は、絶縁基材層１３の第２辺近傍に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。図２に示すように、第２補助グランド導体ＳＧ３２、第１補助グランド導体ＳＧ３１、第２信号線ＳＬ２および第３補助グランド導体ＳＧ３３は、絶縁基材層１３の短手方向（Ｙ軸方向）に沿って順に配列されている。第２信号線ＳＬ２、第１補助グランド導体ＳＧ３１、第２補助グランド導体ＳＧ３２および第３補助グランド導体ＳＧ３３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁基材層１３には、複数の層間接続導体Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ３３が形成される。複数の層間接続導体Ｖ３１は、絶縁基材層１３の短手方向（Ｙ軸方向）の中央に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。複数の層間接続導体Ｖ３２は、絶縁基材層１３の第１辺近傍に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。複数の層間接続導体Ｖ３３は、絶縁基材層１３の第２辺近傍に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。層間接続導体Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ３３は、例えばビア導体またはスルーホール等である。

絶縁基材層１４の表面には、第２グランド導体Ｇ２が形成される。第２グランド導体Ｇ２は、絶縁基材層１４の略全面に形成された導体である。第２グランド導体Ｇ２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

保護層１は、平面形状が絶縁基材層１１と略同じであり、絶縁基材層１１の上面に積層される。保護層１は例えばソルダーレジスト膜である。

本実施形態では、図３に示すように、第１信号線ＳＬ１、第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２、第１信号線ＳＬ１および第１グランド導体Ｇ１で挟まれる絶縁基材層１１、第１信号線ＳＬ１および第２グランド導体Ｇ２で挟まれる絶縁基材層１２，１３、を含んで第１伝送線路ＴＬ１が構成される。なお、本発明における「第１伝送線路」は、Ｚ軸方向において互いに対向する第１信号線ＳＬ１と第１グランド導体Ｇ１との間に、絶縁基材層（１１）のみが配置され、他の導体は存在しない。また、本発明の「第１伝送線路」は、Ｚ軸方向において互いに対向する第１信号線ＳＬ１と第２グランド導体Ｇ２との間に、絶縁基材層（１２，１３）のみが配置され、他の導体は存在しない。

また、本実施形態では、第２信号線ＳＬ２、第２グランド導体Ｇ２、第３グランド導体Ｇ３、第２信号線ＳＬ２および第３グランド導体Ｇ３で挟まれる絶縁基材層１２、第２信号線ＳＬ２および第２グランド導体Ｇ２で挟まれる絶縁基材層１３、を含んで第２伝送線路ＴＬ２が構成される。なお、本発明の「第２伝送線路」は、Ｚ軸方向において互いに対向する第２信号線ＳＬ２と第３グランド導体Ｇ３との間に、絶縁基材層１２のみ配置され、他の導体は存在しない。また、本発明の「第２伝送線路」は、Ｚ軸方向において互いに対向する第２信号線ＳＬ２と第２グランド導体Ｇ２との間に、絶縁基材層１３のみが配置され、他の導体は存在しない。

図２および図３に示すように、第１信号線ＳＬ１は、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４の積層方向（Ｚ軸方向）から視て、第１開口部ＯＰ１に重なっている。第１信号線ＳＬ１の線幅（Ｙ軸方向の幅）は、第２信号線ＳＬ２の幅よりも太い。第２信号線ＳＬ２は、第１信号線ＳＬ１とは異なる層に形成され、Ｚ軸方向から視て、第１信号線ＳＬ１に並走する部分を有する。

本実施形態では、図２等に示すように、複数の第１開口部ＯＰ１が、Ｚ軸方向から視て、第１信号線ＳＬ１の延伸方向（Ｘ軸方向）に沿って配列されている。また、本実施形態では、第３グランド導体Ｇ３が、第１信号線ＳＬ１と同じ層に配置されている。

第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２および第３グランド導体Ｇ３は、複数の層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ３３により接続されている。具体的には、図３に示すように、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１３は第１グランド導体Ｇ１と第３グランド導体Ｇ３とを接続し、層間接続導体Ｖ１２は第１グランド導体Ｇ１と第２補助グランド導体ＳＧ２２とを接続する。また、層間接続導体Ｖ２１は第３グランド導体Ｇ３と第１補助グランド導体ＳＧ３１とを接続し、層間接続導体Ｖ２２は第２補助グランド導体ＳＧ２２と第２補助グランド導体ＳＧ３２とを接続し、層間接続導体Ｖ２３は第３グランド導体Ｇ３と第３補助グランド導体ＳＧ３３とを接続する。さらに、層間接続導体Ｖ３１は第１補助グランド導体ＳＧ３１と第２グランド導体Ｇ２とを接続し、層間接続導体Ｖ３２は第２補助グランド導体ＳＧ３２と第２グランド導体Ｇ２とを接続し、層間接続導体Ｖ３３は第３補助グランド導体ＳＧ３３と第２グランド導体Ｇ２とを接続する。

層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１，Ｖ３１は、Ｚ軸方向から視て、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間で、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との略中央に配置されている。本実施形態では、これら層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１，Ｖ３１が本発明における「第１層間接続導体」に相当する。

層間接続導体Ｖ１２，Ｖ２２，Ｖ３２は、Ｚ軸方向から視て、第１信号線ＳＬ１に対して第２信号線ＳＬ２とは反対側（図３中の第１信号線ＳＬ１に対して＋Ｙ方向側）の位置に配置されている。本実施形態では、これら層間接続導体Ｖ１２，Ｖ２２，Ｖ３２が本発明における「第２層間接続導体」に相当する。

また、層間接続導体Ｖ１３，Ｖ２３，Ｖ３３は、Ｚ軸方向から視て、第２信号線ＳＬ２に対して第１信号線ＳＬ１とは反対側（図３中の第２信号線ＳＬ２に対して−Ｙ方向側）の位置に配置されている。本実施形態では、これら層間接続導体Ｖ１３，Ｖ２３，Ｖ３３が本発明における「第３層間接続導体」に相当する。

さらに、図３に示すように、第１補助グランド導体ＳＧ３１は、Ｚ軸方向から視て、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間に配置され、且つ、Ｚ軸方向における第２グランド導体Ｇ２と第３グランド導体Ｇ３との間に配置されている。

第２補助グランド導体ＳＧ２２，ＳＧ３２は、Ｚ軸方向から視て、第１信号線ＳＬ１に対して第２信号線ＳＬ２とは反対側（図３中の第１信号線ＳＬ１に対して＋Ｙ方向側）の位置に配置され、且つ、Ｚ軸方向における第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２との間に配置されている。

第３補助グランド導体ＳＧ３３は、Ｚ軸方向から視て、第２信号線ＳＬ２に対して第１信号線ＳＬ１とは反対側（図３中の第２信号線ＳＬ２に対して−Ｙ方向側）の位置に配置され、且つ、Ｚ軸方向における第２グランド導体Ｇ２と第３グランド導体Ｇ３との間に配置されている。

図２および図３に示すように、第１補助グランド導体ＳＧ３１、第２補助グランド導体ＳＧ２２，ＳＧ３２および第３補助グランド導体ＳＧ３３は、第１信号線ＳＬ１および第２信号線ＳＬ２に沿って、連続的に並走している。

本実施形態に係る多層基板１０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）多層基板１０１では、第１グランド導体Ｇ１の第１開口部ＯＰ１に第１信号線ＳＬ１が重なるため、第１信号線ＳＬ１と第１グランド導体Ｇ１との間の容量が軽減され、第１信号線ＳＬ１を第１グランド導体Ｇ１の近くに配置できる。具体的には、第１信号線ＳＬ１は、第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２とに挟まれ、Ｚ軸方向において第１グランド導体Ｇ１寄りの位置にオフセットされる。すなわち、多層基板１０１では、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２とが、Ｚ軸方向の異なる位置にそれぞれ配置されている。この構成により、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２とを同じ層に配置した場合に比べて、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間の距離を大きくでき、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間のアイソレーションを確保できる。

（ｂ）また、多層基板１０１では、第３グランド導体Ｇ３が第１信号線ＳＬ１と同じ層に配置されるため、第２信号線ＳＬ２と第３グランド導体Ｇ３との間の距離は、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間の距離よりも短くなる。したがって、第２信号線ＳＬ２の周囲に生じる磁界が第３グランド導体Ｇ３によって効果的に遮蔽され、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間のアイソレーションをさらに高めることができる。

（ｃ）また、第３グランド導体Ｇ３を第１信号線ＳＬ１と同じ層に配置することにより、導体を形成する絶縁基材層の数を削減できる。そのため、多層基板１０１の製造工程が削減され、製造コストを低減できる。

（ｄ）また、多層基板１０１は、Ｚ軸方向から視て、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間に配置されて、Ｚ軸方向における第２グランド導体Ｇ２と第３グランド導体Ｇ３との間に配置される第１補助グランド導体ＳＧ３１を備えている。さらに、多層基板１０１は、多層基板１０１は、Ｚ軸方向から視て、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間に配置される第１層間接続導体（層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１，Ｖ３１）を備える。この構成により、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間のアイソレーションがさらに確保され、クロストークの抑制効果がさらに高まる。

（ｅ）多層基板１０１は、Ｚ軸方向から視て、第１信号線ＳＬ１に対して第２信号線ＳＬ２とは反対側の位置に配置されて、Ｚ軸方向における第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２との間に配置される第２補助グランド導体ＳＧ２２，ＳＧ３２を備えている。また、多層基板１０１は、Ｚ軸方向から視て、第１信号線ＳＬ１に対して第２信号線ＳＬ２とは反対側（第１信号線ＳＬ１に対して＋Ｙ方向側）の位置に配置される第２層間接続導体（層間接続導体Ｖ１２，Ｖ２２，Ｖ３２）を備える。この構成により、第２補助グランド導体ＳＧ２２，ＳＧ３２、または第２層間接続導体を備えていない場合に比べて、第１信号線ＳＬ１からの不要輻射がより確実に抑制される。また、この構成により、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間のアイソレーションがさらに向上する。

（ｆ）多層基板１０１では、Ｚ軸方向から視て、第２信号線ＳＬ２に対して第１信号線ＳＬ１とは反対側の位置に配置されて、Ｚ軸方向における第２グランド導体Ｇ２と第３グランド導体Ｇ３との間に配置される第３補助グランド導体ＳＧ３３を備えている。また、多層基板１０１は、Ｚ軸方向から視て、第２信号線ＳＬ２に対して第１信号線ＳＬ１とは反対側（第２信号線ＳＬ２に対して−Ｙ方向側）の位置に配置される第３層間接続導体（層間接続導体Ｖ１３，Ｖ２３，３３）を備える。この構成により、第３補助グランド導体ＳＧ３３、または第３層間接続導体を備えていない場合に比べて、第２信号線ＳＬ２からの不要輻射がより確実に抑制される。また、この構成により、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間のアイソレーションがさらに向上する。

（ｇ）第１信号線ＳＬ１は、Ｚ軸方向において第１グランド導体Ｇ１寄りの位置にオフセットされ、第２信号線ＳＬ２に比べて第１グランド導体Ｇ１から離間している。また、第１信号線ＳＬ１は、Ｚ軸方向から視て、第１開口部ＯＰ１に重なっている。つまり、第１信号線ＳＬ１とグランド導体との間には、容量が形成され難い。そのため、第１信号線ＳＬ１の線幅（Ｙ軸方向の幅）を、第２信号線ＳＬ２の線幅よりも太くすることができ、第１信号線ＳＬ１の導体損を低減できる。なお、第１信号線ＳＬ１の線幅が第２信号線ＳＬ２の線幅よりも太い場合には、導体損の影響を受けやすい高周波信号を、第１伝送線路ＴＬ１に割り当てることが好ましい。

本実施形態に係る多層基板１０１は、例えば次の工程で製造される。

（１）まず集合基板状態の絶縁基材層１１，１２，１３，１４の片側主面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２、第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２、第３グランド導体Ｇ３、第１補助グランド導体ＳＧ３１、第２補助グランド導体ＳＧ２２，ＳＧ３２、第３補助グランド導体ＳＧ３３等を形成する。絶縁基材層１１，１２，１３，１４は、例えば液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂基材が用いられる。

また、集合基板状態の絶縁基材層１１，１２，１３，１４に層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ３３を形成する。層間接続導体は、レーザー等で貫通孔を設けた後、銅、銀、錫等のうち１以上を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱・加圧工程で硬化させることによって設けられる。

（２）絶縁基材層１１，１２，１３，１４を積層し、加熱・加圧することで導電性ペーストを固化させるとともに、絶縁基材層１１，１２，１３，１４を圧着し、集合基板状態の積層体１０Ａを構成する。なお、積層体１０Ａの第１主面ＶＳ１側には、保護層１が形成される。保護層１は例えばソルダーレジスト膜である。

（３）積層体１０Ａの第１主面ＶＳ１に露出する電極にコネクタ（図１におけるコネクタ５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂ）を実装（接合）する。コネクタの実装（接合）は、例えばはんだ等の導電性接合材を用いることによって行う。

（４）その後、集合基板状態の積層体１０Ａを分断することで、個別の多層基板１０１を得る。なお、（３）と（４）の工程の順序は逆であってもよい。

次に、多層基板１０１を備える電子機器について図を参照して説明する。図４（Ａ）は第１の実施形態に係る電子機器２０１の平面透視図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。図５は、多層基板１０１を利用した電子機器２０１の一部の回路図である。

多層基板１０１は、筐体６と、筐体６に収納される多層基板１０１、第１回路基板７１、第２回路基板７２、バッテリーパック５等を備える。第１回路基板７１、バッテリーパック５および第２回路基板７２は、Ｘ軸方向に沿って順に配置されている。第１回路基板７１および第２回路基板７２は、例えばプリント配線基板である。

第１回路基板７１の主面には、第１アンテナ６１および第２アンテナ６２等が実装されている。第２回路基板７２の主面には、第１給電回路８１および第２給電回路８２等が実装されている。第１給電回路８１は、例えばＧＰＳ受信用の回路である。第２給電回路８２は、例えば無線ＬＡＮ通信用の回路である。第１アンテナ６１は、例えばＧＰＳ用のアンテナである。第２アンテナ６２は、例えば無線ＬＡＮ通信用のアンテナである。

第１回路基板７１と第２回路基板７２とは、多層基板１０１を介して接続されている。具体的には、多層基板１０１の第１接続部ＣＰ１が第１回路基板７１に接続され、第２接続部ＣＰ２が第２回路基板７２に接続される。図４（Ｂ）に示すように、第１接続部ＣＰ１のコネクタ５１Ａ等は、第１回路基板７１の主面に配置されたレセプタクル（図示省略）に接続される。また、第２接続部ＣＰ２のコネクタ５２Ａ等は、第２回路基板７２の主面に配置されたレセプタクル（図示省略）に接続される。

図５に示すように、第１アンテナ６１は、多層基板１０１の第１伝送線路ＴＬ１を介して、第１給電回路８１に接続される。また、第２アンテナ６２は、多層基板１０１の第２伝送線路ＴＬ２を介して、第２給電回路８２に接続される。

本実施形態では、第１回路基板７１に形成される回路が、本発明における「第１回路」に相当する。また、第２回路基板７２に形成される回路が、本発明における「第２回路」に相当する。

この構成により、複数の信号線間のアイソレーションを高めた多層基板１０１を備える電子機器を実現できる。

なお、本実施形態では、第１回路が、ＧＰＳ通信用のアンテナまたは無線ＬＡＮ通信用のアンテナである例を示したが、本発明の「第１回路」はアンテナに限定されるものではない。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第３グランド導体が第１信号線と同じ層に配置されていない多層基板の例を示す。

図６は、第２の実施形態に係る多層基板１０２の線路部における断面図である。図７は、多層基板１０２の線路部における分解平面図である。

多層基板１０２は、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５および保護層１を積層してなる積層体１０Ｂと、絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５に形成される導体（後に詳述する）と、を備える。

多層基板１０２は、第１補助グランド導体ＳＧ２１，ＳＧ４１、第２補助グランド導体ＳＧ４２、第３補助グランド導体ＳＧ２３，ＳＧ４３を備える点で、第１の実施形態に係る多層基板１０２と異なる。また、本実施形態に係る積層体１０Ｂは、絶縁基材層の積層数が第１の実施形態に係る積層体１０Ａと異なる。その他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

積層体１０Ｂは、図６および図７に示すように、絶縁基材層１５，１４，１３，１２，１１および保護層１の順に積層して形成される。

複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５および保護層１の構成については、第１の実施形態で説明した複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４および保護層１と実質的に同じである。

絶縁基材層１１の表面には、複数の第１開口部ＯＰ１を有する第１グランド導体Ｇ１が形成される。また、絶縁基材層１１には複数の層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３が形成される。第１グランド導体Ｇ１および複数の層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３の構成については、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。

絶縁基材層１２の表面には、第１信号線ＳＬ１、第１補助グランド導体ＳＧ２１、第２補助グランド導体ＳＧ２２および第３補助グランド導体ＳＧ２３が形成される。第１信号線ＳＬ１および第２補助グランド導体ＳＧ２２の構成については、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。第１補助グランド導体ＳＧ２１は、絶縁基材層１２の短手方向（Ｙ軸方向）の中央に配置され、延伸方向がＸ軸に一致する線状の導体である。第３補助グランド導体ＳＧ２３は、絶縁基材層１２の第２辺（図７における絶縁基材層１２の下辺）近傍に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。

また、絶縁基材層１２には、複数の層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３が形成される。複数の層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３の構成については、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。

絶縁基材層１３の表面には、第３グランド導体Ｇ３および第２補助グランド導体ＳＧ３２が形成される。第３グランド導体Ｇ３は、絶縁基材層１３の第２辺（図７における絶縁基材層１３の下辺）近傍に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第２補助グランド導体ＳＧ３２は、絶縁基材層１３の第１辺（絶縁基材層１３の上辺）近傍に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。

また、絶縁基材層１３には、複数の層間接続導体Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ３３が形成される。複数の層間接続導体Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ３３の構成については、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。

絶縁基材層１４の表面には、第２信号線ＳＬ２、第１補助グランド導体ＳＧ４１、第２補助グランド導体ＳＧ４２および第３補助グランド導体ＳＧ４３が形成される。第２信号線ＳＬ２は、絶縁基材層１４の短手方向（Ｙ軸方向）の中央よりも絶縁基材層１４の第２辺（図７における絶縁基材層１４の下辺）寄りの位置に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第１補助グランド導体ＳＧ４１は、絶縁基材層１４の短手方向の中央に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第２補助グランド導体ＳＧ４２は、絶縁基材層１４の第１辺（絶縁基材層１４の上辺）近傍に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第３補助グランド導体ＳＧ４３は、絶縁基材層１４の第２辺近傍に配置され、延伸方向がＸ軸に一致する線状の導体である。

また、絶縁基材層１４には、複数の層間接続導体Ｖ４１，Ｖ４２，Ｖ４３が形成される。複数の層間接続導体Ｖ４１は、絶縁基材層１４の短手方向（Ｙ軸方向）の中央に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。複数の層間接続導体Ｖ４２は、絶縁基材層１４の第１辺（図７における絶縁基材層１４の上辺）近傍に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。また、複数の層間接続導体Ｖ４３は、絶縁基材層１４の第２辺（絶縁基材層１２の下辺）近傍に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。層間接続導体Ｖ４１，Ｖ４２，Ｖ４３は、例えばビア導体またはスルーホール等である。

絶縁基材層１５の表面には、第２グランド導体Ｇ２が形成される。第２グランド導体Ｇ２は、絶縁基材層１５の略全面に形成された導体である。

図６および図７に示すように、第１補助グランド導体ＳＧ２１，ＳＧ４１、第２補助グランド導体ＳＧ２２，ＳＧ３２，ＳＧ４２および第３補助グランド導体ＳＧ２３，ＳＧ４３は、第１信号線ＳＬ１および第２信号線ＳＬ２に沿って、連続的に並走している。

本実施形態では、図６および図７に示すように、第３グランド導体Ｇ３が、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間に位置する層に配置されている。この構成により、第２信号線ＳＬ２と第３グランド導体Ｇ３との間の距離が、第１の実施形態に係る多層基板１０１よりもさらに短くなるため、第２信号線ＳＬ２の周囲に生じる磁界の広がりがさらに抑制される。したがって、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２との間のアイソレーションがさらに高まる。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、複数の第２信号線を備えた多層基板について示す。

図８は、第３の実施形態に係る多層基板１０３の線路部における断面図である。図９は多層基板１０３の線路部における分解平面図である。

多層基板１０３は、複数の絶縁基材層１１，１２，１３を積層してなる積層体１０Ｃと、絶縁基材層１１，１２，１３に形成される導体（後に詳述する）と、を備える。

多層基板１０３は、２本の第２信号線ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂを備える点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。また、多層基板１０３は、第２補助グランド導体ＳＧ２２，ＳＧ３２、第３補助グランド導体ＳＧ３３および層間接続導体Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ３２，Ｖ３３を備えていない点で、多層基板１０１と異なる。その他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

積層体１０Ｃは、図８および図９に示すように、絶縁基材層１１，１２，１３の順に積層して形成される。

複数の絶縁基材層１１，１２，１３の構成については、第１の実施形態で説明した複数の絶縁基材層１１，１２，１３と実質的に同じである。

絶縁基材層１１の表面には、複数の第１開口部ＯＰ１を有する第１グランド導体Ｇ１が形成される。また、絶縁基材層１１には、複数の層間接続導体Ｖ１１が形成される。第１グランド導体Ｇ１および層間接続導体Ｖ１１の構成については、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。

絶縁基材層１２の表面には、第１信号線ＳＬ１および第３グランド導体Ｇ３が形成される。また、絶縁基材層１２には、複数の層間接続導体Ｖ２１が形成される。第１信号線ＳＬ１、第３グランド導体Ｇ３および層間接続導体Ｖ２１の構成については、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。

絶縁基材層１３の表面には、２本の第２信号線ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂおよび第１補助グランド導体ＳＧ３１が形成される。また、絶縁基材層１３には、複数の層間接続導体Ｖ３１が形成される。第１補助グランド導体ＳＧ３１および層間接続導体Ｖ３１の構成については、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。２本の第２信号線ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂは、絶縁基材層１３の短手方向（Ｙ軸方向）の中央よりも絶縁基材層１３の第２辺（図９における絶縁基材層１３の下辺）寄りの位置に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第２信号線ＳＬ２Ａと第２信号線ＳＬ２Ｂとは、Ｚ軸方向から視て互いに並走する部分を有する。第１補助グランド導体ＳＧ３１および２本の第２信号線ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂは、絶縁基材層１３の短手方向に沿って順に配列されている。

絶縁基材層１３の裏面には、第２グランド導体Ｇ２が形成されている。第２グランド導体Ｇ２は、絶縁基材層１３の略全面に形成された導体である。

本実施形態では、第１伝送線路ＴＬ１がアナログ信号を伝送する線路であり、第２伝送線路ＴＬ２がデジタル信号を伝送する線路である。

第２伝送線路ＴＬ２は、以下に示すように、デジタル信号を伝送する線路であることが好ましい。第２伝送線路ＴＬ２の第２信号線ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂは、第１伝送線路ＴＬ１の第１信号線ＳＬ１よりもグランド導体（第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２または第３グランド導体Ｇ３）に近接して配置される。つまり、第２伝送線路ＴＬ２がアナログ信号を伝送する線路であった場合に、一般的な特性インピーダンス（例えば、５０Ω）に調整しようとすると、第２信号線ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂの線幅を細くする必要がある。これにより、第２信号線ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂの導体損が大きくなるためである。

なお、本実施形態では、２本の第２信号線ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂを備える多層基板を示したが、第２伝送線路ＴＬ２の第２信号線の本数は２本に限定されるものではない。第２伝送線路ＴＬ２の第２信号線の本数は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、３つの伝送線路が構成された多層基板の例を示す。

図１０は、第４の実施形態に係る多層基板１０４の線路部における断面図である。図１１は、多層基板１０４の線路部における分解平面図である。

多層基板１０４は、複数の絶縁基材層１１，１２，１３を積層してなる積層体１０Ｄと、絶縁基材層１１，１２，１３に形成される導体（後に詳述する）と、を備える。

多層基板１０４は、第３信号線ＳＬ３、第３補助グランド導体ＳＧ３３、層間接続導体Ｖ１３，Ｖ２３，Ｖ３３を備える点で、第３の実施形態に係る多層基板１０３と異なる。また、多層基板１０４は、第１グランド導体Ｇ１が第２開口部ＯＰ２を有する点で、多層基板１０３と異なる。その他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０３と異なる部分について説明する。

積層体１０Ｄは、図１０および図１１に示すように、絶縁基材層１３，１２，１１の順に積層して形成される。

複数の絶縁基材層１１，１２，１３の構成については、第３の実施形態で説明した複数の絶縁基材層１１，１２，１３と実質的に同じである。

絶縁基材層１１の表面には、第１グランド導体Ｇ１が形成される。第１グランド導体は、絶縁基材層１１の略全面に形成された導体である。第１グランド導体Ｇ１は、複数の第１開口部ＯＰ１および複数の第２開口部ＯＰ２を有する。複数の第１開口部ＯＰ１の構成については、第１・第３の実施形態で説明したものと実質的に同じである。複数の第２開口部ＯＰ２は、絶縁基材層１１の第２辺（図１１における絶縁基材層１１の下辺）寄りに配置され、Ｘ軸方向に配列された略矩形の開口である。

また、絶縁基材層１１には、複数の層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１３が形成される。複数の層間接続導体Ｖ１１は、絶縁基材層１１の短手方向（Ｙ軸方向）の中央よりも絶縁基材層１１の第１辺（図１１における絶縁基材層１１の上辺）寄りの位置に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。複数の層間接続導体Ｖ１３は、絶縁基材層１１の短手方向の中央よりも絶縁基材層１１の第２辺（図１１における絶縁基材層１１の下辺）寄りの位置に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。

絶縁基材層１２の表面には、第１信号線ＳＬ１、第３信号線ＳＬ３、第３グランド導体Ｇ３が形成される。第１信号線ＳＬ１の構成については、第１・第３の実施形態で説明したものと実質的に同じである。第３信号線ＳＬ３は、絶縁基材層１２の短手方向（Ｙ軸方向）の中央から絶縁基材層１２の第２辺（図１１における絶縁基材層１２の下辺）寄りの位置に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第３グランド導体Ｇ３は、絶縁基材層１２の短手方向の中央付近に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第１信号線ＳＬ１、第３グランド導体Ｇ３および第３信号線ＳＬ３は、絶縁基材層１２の短手方向に沿って順に配列されている。

また、絶縁基材層１２には、複数の層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２３が形成される。複数の層間接続導体Ｖ２１は、絶縁基材層１２の短手方向（Ｙ軸方向）の中央よりも絶縁基材層１２の第１辺（図１１における絶縁基材層１２の上辺）寄りの位置に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。複数の層間接続導体Ｖ２３は、絶縁基材層１２の短手方向の中央よりも絶縁基材層１２の第２辺（図１１における絶縁基材層１２の下辺）寄りの位置に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。

絶縁基材層１３の表面には、２本の第２信号線ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂ、第１補助グランド導体ＳＧ３１および第３補助グランド導体ＳＧ３３が形成される。２本の第２信号線ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂは、絶縁基材層１３の短手方向（Ｙ軸方向）の中央付近に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第１補助グランド導体ＳＧ３１は、絶縁基材層１３の短手方向の中央よりも絶縁基材層１３の第１辺（図１１における絶縁基材層１３の上辺）寄りの位置に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第３補助グランド導体ＳＧ３３は、絶縁基材層１３の短手方向の中央よりも絶縁基材層１３の第２辺（図１１における絶縁基材層１３の下辺）寄りの位置に配置され、延伸方向がＸ軸方向に一致する線状の導体である。第１補助グランド導体ＳＧ３１、２本の第２信号線ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂおよび第３補助グランド導体ＳＧ３３は、絶縁基材層１３の短手方向に沿って順に配列されている。絶縁基材層１３の裏面には、第２グランド導体Ｇ２が形成される。第２グランド導体Ｇ２は、絶縁基材層１３の略全面に形成された導体である。

また、絶縁基材層１３には、複数の層間接続導体Ｖ３１，Ｖ３３が形成される。複数の層間接続導体Ｖ３１は、絶縁基材層１３の短手方向（Ｙ軸方向）の中央よりも絶縁基材層１３の第１辺（図１１における絶縁基材層１１の上辺）寄りの位置に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。複数の層間接続導体Ｖ３３は、絶縁基材層１３の短手方向の中央よりも絶縁基材層１３の第２辺（図１１における絶縁基材層１１の下辺）寄りの位置に配置され、Ｘ軸方向に配列された導体である。

図１０および図１１に示すように、第３信号線ＳＬ３は、Ｚ軸方向から視て、第２開口部ＯＰ２に重なっている。また、図１０に示すように、第３信号線ＳＬ３は、第２信号線ＳＬ２に対して第１信号線ＳＬ１とは反対側（第２信号線ＳＬ２に対して−Ｙ方向側）の位置に配置されている。

また、第２信号線ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂは、第１信号線ＳＬ１および第３信号線ＳＬ３とは異なる層に配置され、Ｚ軸方向から視て、第１信号線ＳＬ１および第３信号線ＳＬ３に並走する部分を有する。さらに、第１信号線ＳＬ１および第３信号線ＳＬ３の線幅（Ｙ軸方向の幅）は、第２信号線ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂの幅よりも太い。

本実施形態では、図９等に示すように、複数の第２開口部ＯＰ２が、Ｚ軸方向から視て、第３信号線ＳＬ３の延伸方向（Ｘ軸方向）に沿って配列されている。また、本実施形態では、第３グランド導体Ｇ３が、第１信号線ＳＬ１および第３信号線ＳＬ３と同じ層に配置されている。

図１０に示すように、第３信号線ＳＬ３、第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２、第１信号線ＳＬ１および第１グランド導体Ｇ１で挟まれる絶縁基材層１１、第１信号線ＳＬ１および第２グランド導体Ｇ２で挟まれる絶縁基材層１２，１３、を含んで第３伝送線路ＴＬ３が構成される。なお、本発明における「第３伝送線路」は、Ｚ軸方向において互いに対向する第３信号線ＳＬ３と第１グランド導体Ｇ１との間に、絶縁基材層（１１）のみが配置され、他の導体は存在しない。また、本発明の「第３伝送線路」は、Ｚ軸方向において互いに対向する第３信号線ＳＬ３と第２グランド導体Ｇ２との間に、絶縁基材層（１２，１３）のみが配置され、他の導体は存在しない。

第１伝送線路ＴＬ１、第２伝送線路ＴＬ２および第３伝送線路ＴＬ３は、積層体１０Ｄの短手方向（Ｙ軸方向）に沿って順に配置されている。本実施形態では、第１伝送線路ＴＬ１および第３伝送線路ＴＬ３がアナログ信号を伝送する線路であり、第２伝送線路ＴＬ２がデジタル信号を伝送する線路である。

本実施形態に係る多層基板１０４によれば、第３の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ａ）多層基板１０４では、第１グランド導体Ｇ１の第２開口部ＯＰ２に第３信号線ＳＬ３が重なるため、第３信号線ＳＬ３と第１グランド導体Ｇ１との間の容量が軽減され、第３信号線ＳＬ３を第１グランド導体Ｇ１により近付けて配置できる。具体的には、第３信号線ＳＬ３は、第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２とに挟まれ、Ｚ軸方向において第１グランド導体Ｇ１寄りの位置にオフセットされる。すなわち、多層基板１０４では、第３信号線ＳＬ３と第２信号線ＳＬ２とが、Ｚ軸方向の異なる位置にそれぞれ配置されている。この構成により、第３信号線ＳＬ３と第２信号線ＳＬ２とを同じ層に配置した場合に比べて、第３信号線ＳＬ３と第２信号線ＳＬ２との間の距離を大きくでき、第３信号線ＳＬ３と第２信号線ＳＬ２との間のアイソレーションを確保できる。

なお、本実施形態では、第３信号線ＳＬ３は、第２信号線ＳＬ２に対して第１信号線ＳＬ１とは反対側（第２信号線ＳＬ２に対して−Ｙ方向側）の位置に配置されている。言い換えると、多層基板１０４は、第１伝送線路ＴＬ１と第３伝送線路ＴＬ３との間に、第２伝送線路ＴＬ２が挟まれる構成である。この構成により、第１信号線ＳＬ１と第３信号線ＳＬ３との間のアイソレーションは確保される。

（ｂ）また、多層基板１０４では、第３グランド導体Ｇ３が第３信号線ＳＬ３と同じ層に配置されるため、第２信号線ＳＬ２と第３グランド導体Ｇ３との間の距離は、第３信号線ＳＬ３と第２信号線ＳＬ２との間の距離よりも短くなる。したがって、第２信号線ＳＬ２の周囲に生じる磁界が第３グランド導体Ｇ３によって効果的に遮蔽され、第３信号線ＳＬ３と第２信号線ＳＬ２との間のアイソレーションをさらに高めることができる。

なお、本実施形態では、第３グランド導体Ｇ３が、第３信号線ＳＬ３と同じ層に配置される例を示したが、この構成に限定されるものではない。第３グランド導体Ｇ３は、第３信号線ＳＬ３と第２信号線ＳＬ２との間に位置する層に配置されていてもよい。その場合には、第２信号線ＳＬ２と第３グランド導体Ｇ３との間の距離がさらに短くなり、第２信号線ＳＬ２の周囲に生じる磁界の広がりがさらに抑制されるため、第２信号線ＳＬ２と第３信号線ＳＬ３との間のアイソレーションがさらに高まる。

また、本実施形態では、第１信号線ＳＬ１、第３信号線ＳＬ３および第３グランド導体Ｇ３が同じ層に配置される例を示したが、第３信号線ＳＬ３は、第１信号線ＳＬ１および第３グランド導体Ｇ３と同じ層に配置されていなくてもよい。但し、第３信号線ＳＬ３が第１信号線ＳＬ１および第３グランド導体Ｇ３と同じ層に配置されている場合には、導体を形成する絶縁基材層の数を削減できる。そのため、多層基板１０４の製造工程が削減され、製造コストを低減できる。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、積層体が略矩形の平板である例を示したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。積層体の平面形状は、略矩形に限定されるものではなく、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。積層体の平面形状は、例えば円形、楕円形、多角形、Ｌ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。

以上に示した各実施形態では、３つ、４つまたは５つの絶縁基材層を積層して形成される積層体を備える多層基板について示したが、この構成に限定されるものではない。積層体を形成する絶縁基材層の層数は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

以上に示した各実施形態では、２つまたは３つの伝送線路が構成された多層基板について示したが、この構成に限定されるものではない。多層基板に構成される伝送線路の数は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、多層基板に４つ以上の伝送線路が構成されていてもよい。また、以上に示した各実施形態では、２つの接続部（第１接続部ＣＰ１および第２接続部ＣＰ２）を有する多層基板について示したが、接続部の数も本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、多層基板が３つ以上の接続部を有していてもよい。

また、以上に示した各実施形態では、積層体の第１主面ＶＳ１のみにコネクタが実装された多層基板について示したが、本発明の多層基板はこの構成に限定されるものではない。コネクタは、積層体の第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２の両方に実装されていてもよい。なお、本発明の多層基板において、コネクタは必須ではない。積層体の表面に露出する電極が、はんだ等の導電性接合材を介して、回路基板の表面に形成された電極に接続されていてもよい。

以上に示した各実施形態では、第１グランド導体Ｇ１が複数の第１開口部ＯＰ１を有する例を示したが、この構成に限定されるものではない。第１グランド導体Ｇ１が有する第１開口部ＯＰ１は、１つであってもよい。但し、面積の大きな第１開口部を第１グランド導体Ｇ１に形成すると、第１グランド導体Ｇ１のグランド電位が不安定となる虞がある。そのため、複数の面積の小さな第１開口部を第１グランド導体Ｇ１に形成することが好ましい。このことは、第２開口部ＯＰ２についても同様である。

以上に示した各実施形態では、積層体の長手方向の端部付近に、接続部（第１接続部ＣＰ１および第２接続部ＣＰ２）が形成される例について示したが、この構成に限定されるものではない。接続部の位置は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば積層体の長手方向の中央付近に形成されていてもよい。

以上に示した各実施形態では、第１接続部ＣＰ１、線路部ＳＰおよび第２接続部ＣＰ２がＸ軸方向に順に配置される多層基板について示したが、この構成に限定されるものではない。接続部（第１接続部ＣＰ１、第２接続部ＣＰ２等）および線路部ＳＰの配置は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、以上に示した各実施形態では、線路部ＳＰおよび信号線（第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２および第３信号線ＳＬ３）がＸ軸方向に延伸する例を示したが、この構成に限定されるものではない。線路部ＳＰおよび信号線は、Ｘ軸方向に延伸するような直線状に限定されず、例えばＹ軸方向に曲がっていてもよく、例えばＺ軸方向から視てＬ字状またはクランク状に屈曲していてもよい。

以上に示した各実施形態では、接続部（第１接続部ＣＰ１および第２接続部ＣＰ２）が、線路部ＳＰからＹ字状に分岐する例について示したが、接続部が分岐する構成に限定されるものではない。

なお、以上に示した各実施形態では、補助グランド導体（第１補助グランド導体、第２補助グランド導体および第３補助グランド導体）が、信号線（第１信号線、第２信号線または第３信号線）に沿って連続的に並走している例を示したが、この構成に限定されるものではない。補助グランド導体は、信号線に沿って断続的に並走する構成でもよい。その場合には、補助グランド導体は、層間接続導体等によって他のグランド導体に接続されることが好ましい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＣＰ１…第１接続部
ＣＰ２…第２接続部
Ｇ１…第１グランド導体
Ｇ２…第２グランド導体
Ｇ３…第３グランド導体
ＯＰ１…第１開口部
ＯＰ２…第２開口部
ＳＧ２１，ＳＧ３１，ＳＧ４１…第１補助グランド導体
ＳＧ２２，ＳＧ３２，ＳＧ４２…第２補助グランド導体
ＳＧ２３，ＳＧ３３，ＳＧ４３…第３補助グランド導体
ＳＬ１…第１信号線
ＳＬ２，ＳＬ２Ａ，ＳＬ２Ｂ…第２信号線
ＳＬ３…第３信号線
ＳＰ…線路部
ＴＬ１…第１伝送線路
ＴＬ２…第２伝送線路
ＴＬ３…第３伝送線路
Ｖ１１，Ｖ２１，Ｖ３１，Ｖ４１…層間接続導体（第１層間接続導体）
Ｖ１２，Ｖ２２，Ｖ３２，Ｖ４２…層間接続導体（第２層間接続導体）
Ｖ１３，Ｖ２３，Ｖ３３，Ｖ４３…層間接続導体（第３層間接続導体）
ＶＳ１…第１主面
ＶＳ２…第２主面
１…保護層
５…バッテリーパック
６…筐体
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ…積層体
１１，１２，１３，１４，１５…絶縁基材層
５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂ…コネクタ
６１…第１アンテナ
６２…第２アンテナ
７１…第１回路基板
７２…第２回路基板
８１…第１給電回路
８２…第２給電回路
１０１，１０２，１０３，１０４…多層基板
２０１…電子機器

Claims (12)

1. 複数の絶縁基材層を積層してなる積層体と、
   前記複数の絶縁基材層に形成される、第１信号線、第２信号線、第１開口部を有する第１グランド導体、第２グランド導体、第３グランド導体および層間接続導体と、
   を備え、
   前記第１信号線と、前記第１グランド導体と、前記第２グランド導体と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第１信号線および前記第１グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第１信号線および第２グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、を含んで第１伝送線路が構成され、
   前記第２信号線と、前記第２グランド導体と、前記第３グランド導体と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第２信号線および前記第２グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第２信号線および前記第３グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、を含んで第２伝送線路が構成され、
   前記第１信号線は、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、前記第１開口部に重なり、
   前記第２信号線は、前記第１信号線とは異なる層に形成され、前記積層方向から視て前記第１信号線に並走する部分を有し、
   前記第１グランド導体、前記第２グランド導体および前記第３グランド導体は、前記層間接続導体により接続され、
   前記第３グランド導体は、前記第１信号線と同じ層、または前記第１信号線と第２信号線との間に位置する層に配置される、多層基板。
2. 前記複数の絶縁基材層に形成される第１補助グランド導体を備え、
   前記第１補助グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置され、且つ、前記積層方向における前記第２グランド導体と前記第３グランド導体との間に配置される、請求項１に記載の多層基板。
3. 前記複数の絶縁基材層に形成される第２補助グランド導体を備え、
   前記第２補助グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第１信号線に対して前記第２信号線とは反対側の位置に配置され、且つ、前記積層方向における前記第１グランド導体と前記第３グランド導体との間に配置される、請求項１または２に記載の多層基板。
4. 前記複数の絶縁基材層に形成される第３補助グランド導体を備え、
   前記第３補助グランド導体は、前記積層方向から視て、前記第２信号線に対して前記１信号線とは反対側の位置に配置され、且つ、前記積層方向における前記第２グランド導体と前記第３グランド導体との間に配置される、請求項１から３のいずれかに記載の多層基板。
5. 前記層間接続導体は、前記積層方向から視て、前記第１信号線と前記第２信号線との間に配置される第１層間接続導体を有する、請求項１から４のいずれかに記載の多層基板。
6. 前記層間接続導体は、前記積層方向から視て、前記第１信号線に対して前記第２信号線とは反対側の位置に配置される第２層間接続導体を有する、請求項１から５のいずれかに記載の多層基板。
7. 前記層間接続導体は、前記積層方向から視て、前記第２信号線に対して前記第１信号線とは反対側の位置に配置される第３層間接続導体を有する、請求項１から６のいずれかに記載の多層基板。
8. 前記第１伝送線路は、アナログ信号を伝送する線路であり、
   前記第２伝送線路は、デジタル信号を伝送する線路である、請求項１から７のいずれかに記載の多層基板。
9. 複数の前記第１開口部は、前記積層方向から視て、前記第１信号線の延伸方向に沿って配列される、請求項１から８のいずれかに記載の多層基板。
10. 前記複数の絶縁基材層のいずれかに形成される第３信号線と、
    前記第１グランド導体に形成される第２開口部と、
    を備え、
    前記第３信号線は、前記積層方向から視て、前記第２開口部に重なり、前記第２信号線に対して前記第１信号線とは反対側の位置に配置され、
    前記第３信号線と、前記第１グランド導体と、前記第２グランド導体と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第３信号線および前記第１グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第３信号線および第２グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、を含んで第３伝送線路が構成され、
    前記第２信号線は、前記第３信号線とは異なる層に形成され、前記積層方向から視て前記第３信号線に並走する部分を有し、
    前記第３グランド導体は、前記第３信号線と同じ層、または前記第３信号線と第２信号線との間に位置する層に配置される、請求項１から９のいずれかに記載の多層基板。
11. 複数の前記第２開口部は、前記積層方向から視て、前記第３信号線の延伸方向に沿って配置される、請求項１０に記載の多層基板。
12. 第１回路と、第２回路と、多層基板と、を備える電子機器であって、
    前記第１回路と前記第２回路とは、前記多層基板を介して接続され、
    前記多層基板は、
    複数の絶縁基材層を積層してなる積層体と、
    前記複数の絶縁基材層に形成される、第１信号線、第２信号線、第１開口部を有する第１グランド導体、第２グランド導体、第３グランド導体および層間接続導体と、
    を有し、
    前記第１信号線と、前記第１グランド導体と、前記第２グランド導体と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第１信号線および前記第１グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第１信号線および第２グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、を含んで第１伝送線路が構成され、
    前記第２信号線と、前記第２グランド導体と、前記第３グランド導体と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第２信号線および前記第２グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、前記複数の絶縁基材層のうち前記第２信号線および前記第３グランド導体で挟まれる絶縁基材層と、を含んで第２伝送線路が構成され、
    前記第１信号線は、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、前記第１開口部に重なり、
    前記第２信号線は、前記第１信号線とは異なる層に形成され、前記積層方向から視て前記第１信号線に並走する部分を有し、
    前記第１グランド導体、前記第２グランド導体および前記第３グランド導体は、前記層間接続導体により接続され、
    前記第３グランド導体は、前記第１信号線と同じ層、または前記第１信号線と第２信号線との間に位置する層に配置される、電子機器。

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