JPWO2018123035A1 - ターゲット撮影装置及び極端紫外光生成装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 88
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 80
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 67
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 32
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 17
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 36
- 230000036278 prepulse Effects 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 20
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 15
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 9
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 8
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 6
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/56—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof provided with illuminating means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
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Abstract
Description
1.極端紫外光生成システムの全体説明
1.1 構成
1.2 動作
2.用語の説明
3.ターゲット撮影装置を含むEUV光生成装置の説明
3.1 構成
3.2 動作
4.フラッシュランプの配置形態
4.1 第1構成例
4.2 動作
4.3 第2構成例
4.4 動作
5.ターゲット画像計測装置のトリガ関係の説明
6.課題
6.1 第1の課題
6.2 第2の課題
7.第1実施形態
7.1 構成
7.2 動作
7.3 TFL調整の実施タイミングについて
7.4 TFL調整処理アルゴリズムの例
7.5 効果
8.第2実施形態
8.1 構成
8.2 動作
8.3 効果
9.拡散ターゲットの計測について
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
1.1 構成
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システム10の構成を概略的に示す。EUV光生成装置12は、少なくとも1つのレーザ装置14と共に用いられる場合がある。本願においては、EUV光生成装置12及びレーザ装置14を含むシステムを、EUV光生成システム10と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置12は、チャンバ16と、ターゲット供給部18とを含む。
図1を参照して、例示的なLPP式のEUV光生成システム10の動作を説明する。レーザ装置14から出力されたパルスレーザ光21は、レーザ光伝送装置54を経て、パルスレーザ光22としてウインドウ20を透過してチャンバ16内に入射する。パルスレーザ光22は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ16内を進み、レーザ光集光ミラー56で反射されて、パルスレーザ光23として少なくとも1つのターゲット44に照射される。
「パルスレーザ光」は、複数のパルスを含むレーザ光を意味し得る。
3.1 構成
図2は、ターゲット撮影装置を含むEUV光生成装置の構成を概略的に示す図である。EUV光生成装置12は、ターゲット通過検出装置70と、ターゲット画像計測装置90とを備えている。ターゲット通過検出装置70とターゲット画像計測装置90は、チャンバ16に搭載される。
図2において、方向に関する説明の便宜上、XYZ直交座標軸を導入する。ターゲット供給部18からターゲット物質のドロップレットを出力する方向をY軸の方向とする。チャンバ16から露光装置46(図1参照)に向かってEUV光を導出する方向をX軸の方向とし、図2の紙面に垂直な方向をZ軸の方向とする。
4.1 第1構成例
図3は、ターゲット画像計測装置90における照明部91の第1構成例を模式的に示す図である。図3に例示した照明部91は、ケース96内にフラッシュランプ92と照明光学系94と収容され、チャンバ壁16Aにケース96が直接取り付けられている。チャンバ壁16Aは、チャンバ16の壁の一部である。
図3に示すように、フラッシュランプ92は、照明光学系94の近傍に配置される。チャンバ壁16Aに直付けされたケース96に収容されているフラッシュランプ92から発せられた照明光は、照明光学系94及びウインドウ98を介してりプラズマ生成領域26の付近に照射される。
図4は、ターゲット画像計測装置90における照明部91の第2構成例を示す図である。図4に例示する照明部91のフラッシュランプ92は、照明光学系94の近傍に配置せず、照明光学系94から十分な距離を隔てた遠方に配置される。また、照明部91は、フラッシュランプ92から発せられた照明光を照明光学系94へと導く光ファイバ93を備えている。
図4に示したフラッシュランプ92から発せられた照明光は、光ファイバ93を用いてケース96内の照明光学系94へ伝送される。照明光は、光ファイバ伝送によりチャンバ付近で照明光学系94によりコリメートされ、プラズマ生成領域26の付近に照射される。なお、光ファイバ93に代えて、又は、これと組み合わせて、ミラーを用い、照明光を伝送する光伝送光路を採用してもよい。図4で例示したとおり、フラッシュランプ92は、チャンバ16から離れた位置に置くことができる。
図5は、ターゲット画像計測装置のタイミングチャートである。ターゲット通過検出信号は、撮像トリガ、シャッタトリガ、及びFLトリガの各トリガ信号のタイミングの基準となるタイミング信号である。遅延回路112は、ターゲット通過検出信号の受信時からそれぞれ必要な遅延時間を与えて、撮像トリガ、シャッタトリガ及びFLトリガの各トリガ信号を出力する。
6.1 第1の課題
フラッシュランプ92を長期間にわたって使用していると、フラッシュランプ92の放電電極の損耗や、封入ガスの劣化、電子回路部品の劣化等によって、フラッシュランプ92のトリガ入力から発光までの時間差が変化する。
また、第2の課題として、フラッシュランプを長期に使用した場合、フラッシュランプの発光光量の総量も経年劣化で低下する。フラッシュランプの発光光量自体が低下することにより、図7及び図8で説明したような現象が発生し得る。その結果として、上述した第1の課題と同様に、撮影画像に基づくターゲットの位置や形状などの計測の誤差拡大や最悪の場合には計測不能に陥るおそれがある。第1の課題と第2の課題は複合的に発生し得る。
7.1 構成
図11は、第1実施形態に係るターゲット撮影装置を含むEUV光生成装置の構成を概略的に示す図である。制御部40は、処理部110による撮影画像の背景輝度計測の結果を用いて、遅延回路112の遅延時間を調整する制御を行う。
処理部110は、画像センサ107から得られる撮影画像の画像データを基に、撮影画像の背景輝度を計測する。図12に、撮影画像の画像データのイメージを例示的に示す。撮影画像には、ドロップレットの影が映っている。このような撮影画像から、背景輝度を計測する方法として、例えば、次のような計測方法a〜cを採用し得る。
背景輝度計測は、例えば、ターゲット計測を行うごとに毎回、又は、複数回のターゲット計測につき1回の割合で、常時実施してもよい。そして、計測された背景輝度が予め定めた基準輝度の許容変動幅(例えば90%)を下回った場合に、TFL調整を実施する。TFL調整とは、FLトリガの遅延時間TFLを最適な値に調整することを意味する。
図17は、第1実施形態に係るターゲット撮影装置におけるTFL調整処理のフローチャートである。図14に示すフローチャートの各ステップは、制御部40として機能する1つ又は複数のCPU(Central Processing Unit)がプログラムを実行することにより実施され得る。
ターゲットの影を捉えた撮影画像から背景輝度を計測してFLトリガの遅延時間を調整することにより、適切な明るさの撮影画像を得ることができる。これにより、フラッシュランプの発光タイミングとシャッタトリガとの同期崩れによる背景輝度の低下を抑制することができ、背景輝度を概ね一定に保つことができる。第1実施形態によれば、フラッシュランプ92の経年劣化や状態変化による背景輝度の低下を抑えて、ターゲットの計測精度を維持することができる。
8.第2実施形態
8.1 構成
図26は、第2実施形態に係るターゲット撮影装置を含んだEUV光生成装置の構成を例示的に示した構成図である。図26に示す第2実施形態について、図11で説明した第1実施形態との相違点を説明する。
FL放電電圧制御部124は、処理部110による処理結果を基に、FL発光時に放出される光量が低下した際に、フラッシュランプ92の放電電圧を上昇させることによって、背景輝度を基準輝度に合わせる制御を行う。
第2実施形態によれば、第1実施形態の効果に加え、フラッシュランプの経年劣化による発光光量の総量の低下に対して、フラッシュランプの放電電圧を調整することにより、撮影画像の背景輝度の低下を抑制することができる。これにより、背景輝度を適正な基準輝度に維持することができる。
第1実施形態及び第2実施形態の説明においては、ターゲット画像計測装置90がドロップレット状のターゲットを撮影する例を説明したが、ターゲット画像計測装置90は、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射した後の拡散ターゲットを撮影してもよい。
Claims (18)
- 外部からタイミング信号を受信し、前記タイミング信号の受信時から第1の遅延時間だけ遅延させたタイミングで第1のトリガ信号を出力する遅延回路と、
前記第1のトリガ信号に基づいて発光する照明光源と、
前記照明光源から発せられた光が観察対象であるターゲットに照射されることにより、前記ターゲットの影の像を撮影するよう配置された撮影部と、
前記撮影部によって撮影された撮影画像から背景輝度を計測する処理を含む画像処理を行う処理部と、
前記背景輝度に基づいて前記第1の遅延時間を調整する制御を行う制御部と、
を備えるターゲット撮影装置。 - 請求項1に記載のターゲット撮影装置であって、
前記照明光源から発せられた光を前記ターゲットに向けて出射する光出射ポートと、
前記ターゲットの周辺を通過した光を前記撮影部に導入する光入射ポートとは、互いに前記ターゲットの通過位置を挟んで対向する位置に配置されるターゲット撮影装置。 - 請求項1に記載のターゲット撮影装置であって、
前記撮影部は、画像センサと、シャッタと、を含み、
前記遅延回路は、前記タイミング信号の受信時から第2の遅延時間だけ遅延させたタイミングで第2のトリガ信号である撮像トリガを出力し、かつ、前記タイミング信号の受信時から第3の遅延時間だけ遅延させたタイミングで第3のトリガ信号であるシャッタトリガを出力し、
前記撮像トリガに基づいて、前記画像センサによる撮影が行われ、
前記シャッタトリガに基づいて、前記シャッタの開閉が行われるターゲット撮影装置。 - 請求項1に記載のターゲット撮影装置であって、
前記制御部は、前記第1の遅延時間の設定を変えて前記背景輝度の計測を行い、前記背景輝度が最も高くなるように前記第1の遅延時間を調整するターゲット撮影装置。 - 請求項1に記載のターゲット撮影装置であって、
前記処理部は、前記撮影部によって取得される前記撮影画像ごとに、前記撮影画像から前記ターゲットの位置及び形状の少なくとも一方に関する情報を得るための計測を行うターゲット計測処理と、前記背景輝度を計測する処理とを行うターゲット撮影装置。 - 請求項1に記載のターゲット撮影装置であって、
前記制御部は、前記処理部により計測された前記背景輝度が許容下限輝度を下回った場合に、前記第1の遅延時間を調整する制御を行うターゲット撮影装置。 - 請求項6に記載のターゲット撮影装置であって、
予め基準輝度と前記基準輝度に対する許容変動幅とが設定され、
前記制御部は、前記処理部により計測された前記背景輝度が、前記基準輝度と前記許容変動幅とで規定される前記許容下限輝度を下回った場合に、前記第1の遅延時間を調整する制御を行うターゲット撮影装置。 - 請求項6に記載のターゲット撮影装置であって、
前記制御部は、前記処理部により計測された前記背景輝度が、前記許容下限輝度を下回った場合に、前記第1の遅延時間を短縮するターゲット撮影装置。 - 請求項1に記載のターゲット撮影装置であって、
前記処理部は、前記撮影画像の各ピクセルのカウント値を基に、前記撮影画像の画像内全体の平均カウント値を算出する処理を行い、
前記制御部は、前記背景輝度として前記平均カウント値を取得するターゲット撮影装置。 - 請求項1に記載のターゲット撮影装置であって、
前記処理部は、前記撮影画像の各ピクセルのカウント値から、前記撮影画像の画像内全体における最大カウント値を特定する処理を行い、
前記制御部は、前記背景輝度として前記最大カウント値を取得するターゲット撮影装置。 - 請求項1に記載のターゲット撮影装置であって、
前記処理部は、前記撮影画像の各ピクセルのカウント値を基に、前記撮影画像の画像内全体の前記カウント値のヒストグラムを作成して、前記ヒストグラムのピークに対応するカウント値を特定する処理を行い、
前記制御部は、前記背景輝度として前記ピークに対応するカウント値を取得するターゲット撮影装置。 - 請求項1に記載のターゲット撮影装置であって、
前記処理部は、前記撮影画像の画像領域内に予め複数の計測領域が設定され、
前記計測領域ごとに、それぞれの計測領域内の平均カウント値を算出し、かつ、前記算出された前記計測領域ごとの前記平均カウント値の平均値を算出する処理を行い、
前記制御部は、前記背景輝度として前記平均値を取得するターゲット撮影装置。 - 請求項1に記載のターゲット撮影装置であって、
前記処理部は、前記撮影画像の画像領域内に予め複数の計測領域が設定され、
前記複数の計測領域のうち、前記ターゲットの影が含まれている計測領域を演算から除外して、前記ターゲットの影が含まれていない残りの計測領域ごとに、それぞれの計測領域内の平均カウント値を算出し、かつ、前記算出された前記計測領域ごとの平均カウント値の平均値を算出する処理を行い、
前記制御部は、前記背景輝度として前記平均値を取得するターゲット撮影装置。 - 請求項1に記載のターゲット撮影装置であって、
前記照明光源は、フラッシュランプであるターゲット撮影装置。 - 請求項14に記載のターゲット撮影装置であって、
前記フラッシュランプの放電電圧を指定する放電電圧制御部を備え、
前記放電電圧制御部は、前記処理部によって計測される前記背景輝度に基づいて前記フラッシュランプの放電電圧を調整する制御を行うターゲット撮影装置。 - 請求項15に記載のターゲット撮影装置であって、
前記放電電圧制御部は、現在の放電電圧と、前記処理部によって計測された前記背景輝度と、予め定められた基準輝度と、を基に、背景輝度が前記基準輝度となるために最適な放電電圧を決定する処理を行い、
前記制御部は、前記放電電圧制御部による放電電圧の設定の変更に伴い、放電電圧と最適遅延時間の関係を基に、前記前記第1の遅延時間の補正を行うターゲット撮影装置。 - 内部でプラズマが生成されるチャンバと、
前記チャンバの内部に前記プラズマの発生源となるターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部から前記チャンバの内部に供給された前記ターゲットの通過を検出してターゲット通過検出信号を出力するターゲット通過検出装置と、
前記ターゲット通過検出信号を受信し、前記ターゲット通過検出信号の受信時から第1の遅延時間だけ遅延させたタイミングで第1のトリガ信号を出力する遅延回路と、
前記第1のトリガ信号に基づいて発光する照明光源と、
前記照明光源から発せられた光が観察対象である前記ターゲットに照射されることにより、前記ターゲットの影の像を撮影するよう前記チャンバに配置された撮影部と、
前記撮影部によって撮影された撮影画像から背景輝度を計測する処理を含む画像処理を行う処理部と、
前記背景輝度に基づいて前記第1の遅延時間を調整する制御を行う制御部と、
を備え、
前記ターゲット供給部から前記チャンバの内部に供給された前記ターゲットにレーザ光を照射することにより前記ターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置。 - 請求項17に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記チャンバは、前記照明光源から発せられた光を前記ターゲットに向けて出射する光出射ポートとしての第1のウインドウと、
前記ターゲットの周辺を通過した光を前記撮影部に導入する光入射ポートとしての第2のウインドウと、を備え、
前記第1のウインドウと前記第2のウインドウとは、互いに前記ターゲットの通過位置を挟んで対向する位置に配置される極端紫外光生成装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/089153 WO2018123035A1 (ja) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | ターゲット撮影装置及び極端紫外光生成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018123035A1 true JPWO2018123035A1 (ja) | 2019-10-31 |
JP6724167B2 JP6724167B2 (ja) | 2020-07-15 |
Family
ID=62707249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018558620A Active JP6724167B2 (ja) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | ターゲット撮影装置及び極端紫外光生成装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10976664B2 (ja) |
JP (1) | JP6724167B2 (ja) |
WO (1) | WO2018123035A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110913128B (zh) * | 2019-11-11 | 2021-04-23 | 苏州浩哥文化传播有限公司 | 一种舞台摄像装置的多方位智能控制方法 |
EP3840395B1 (en) * | 2019-12-18 | 2021-11-03 | Axis AB | Camera and method for introducing light pulses in an image stream |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11105307A (ja) * | 1997-08-05 | 1999-04-20 | Ricoh Co Ltd | 液滴の噴射特性測定システム |
US6941005B2 (en) * | 2002-11-01 | 2005-09-06 | Coulter International Corp. | Monitoring and control of droplet sorting |
JP2009012206A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Konica Minolta Ij Technologies Inc | インクジェットヘッド検査装置及び検査方法 |
JP2009104924A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
JP2014086523A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
WO2014147901A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法、並びにパルスレーザ光の集光ビーム計測装置及び集光ビーム計測方法 |
WO2015041260A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JP2015524599A (ja) * | 2012-07-06 | 2015-08-24 | イーティーエイチ・チューリッヒ | 液滴ターゲットとレーザとの間の相互作用を制御するための方法、および、前記方法を行なうための装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5909244A (en) * | 1996-04-15 | 1999-06-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Real time adaptive digital image processing for dynamic range remapping of imagery including low-light-level visible imagery |
US6341183B1 (en) * | 1998-10-27 | 2002-01-22 | The Regents Of The University Of California | Graphical user interface for image acquisition and processing |
JP2001242503A (ja) | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | 露光制御装置 |
US7394083B2 (en) * | 2005-07-08 | 2008-07-01 | Cymer, Inc. | Systems and methods for EUV light source metrology |
-
2016
- 2016-12-28 JP JP2018558620A patent/JP6724167B2/ja active Active
- 2016-12-28 WO PCT/JP2016/089153 patent/WO2018123035A1/ja active Application Filing
-
2019
- 2019-04-19 US US16/389,867 patent/US10976664B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11105307A (ja) * | 1997-08-05 | 1999-04-20 | Ricoh Co Ltd | 液滴の噴射特性測定システム |
US6941005B2 (en) * | 2002-11-01 | 2005-09-06 | Coulter International Corp. | Monitoring and control of droplet sorting |
JP2009012206A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Konica Minolta Ij Technologies Inc | インクジェットヘッド検査装置及び検査方法 |
JP2009104924A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
JP2015524599A (ja) * | 2012-07-06 | 2015-08-24 | イーティーエイチ・チューリッヒ | 液滴ターゲットとレーザとの間の相互作用を制御するための方法、および、前記方法を行なうための装置 |
JP2014086523A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
WO2014147901A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法、並びにパルスレーザ光の集光ビーム計測装置及び集光ビーム計測方法 |
WO2015041260A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190250517A1 (en) | 2019-08-15 |
US10976664B2 (en) | 2021-04-13 |
WO2018123035A1 (ja) | 2018-07-05 |
JP6724167B2 (ja) | 2020-07-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200528 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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