JPWO2018110497A1 - 多環芳香族アミノ化合物 - Google Patents

Abstract

例えば下記式のような、アミノ置換基を有する、ホウ素原子と酸素原子などで複数の芳香族環を連結した新規な多環芳香族アミノ化合物を提供することで、有機ＥＬ素子用材料の選択肢を増やす。また、新規な多環芳香族アミノ化合物を有機電界発光素子用材料として用いることで、優れた有機ＥＬ素子を提供する。【化１２５】

Description

本発明は、多環芳香族アミノ化合物と、これを用いた有機電界発光素子、有機電界効果トランジスタおよび有機薄膜太陽電池、並びに、表示装置および照明装置に関する。

従来、電界発光する発光素子を用いた表示装置は、省電力化や薄型化が可能なことから、種々研究され、さらに、有機材料からなる有機電界発光素子は、軽量化や大型化が容易なことから活発に検討されてきた。特に、光の三原色の一つである青色などの発光特性を有する有機材料の開発、および正孔、電子などの電荷輸送能（半導体や超電導体となる可能性を有する）を備えた有機材料の開発については、高分子化合物、低分子化合物を問わずこれまで活発に研究されてきた。

有機ＥＬ素子は、陽極および陰極からなる一対の電極と、当該一対の電極間に配置され、有機化合物を含む一層または複数の層とからなる構造を有する。有機化合物を含む層には、発光層や、正孔、電子などの電荷を輸送または注入する電荷輸送／注入層などがあるが、これらの層に適当な種々の有機材料が開発されている。

発光層用材料としては、例えばベンゾフルオレン系化合物などが開発されている（国際公開第2004/061047号公報）。また、正孔輸送材料としては、例えばトリフェニルアミン系化合物などが開発されている（特開2001-172232号公報）。また、電子輸送材料としては、例えばアントラセン系化合物などが開発されている（特開2005-170911号公報）。

また、近年では有機ＥＬ素子や有機薄膜太陽電池に使用する材料としてトリフェニルアミン誘導体を改良した材料も報告されている（国際公開第2012/118164号公報）。この材料は既に実用化されていたＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を参考にして、トリフェニルアミンを構成する芳香環同士を連結することでその平面性を高めたことを特徴とする材料である。この文献では例えばＮＯ連結系化合物（６３頁の化合物１）の電荷輸送特性が評価されているが、ＮＯ連結系化合物以外の材料の製造方法については記載されておらず、また、連結する元素が異なれば化合物全体の電子状態が異なるため、ＮＯ連結系化合物以外の材料から得られる特性も未だ知られていない。このような化合物の例は他にも見られる（国際公開第2011/107186号公報、国際公開第2015/102118号公報）。例えば、三重項励起子のエネルギー（Ｔ１）が大きい共役構造を有する化合物は、より短い波長の燐光を発することができるため、青色の発光層用材料として有益である。また、発光層を挟む電子輸送材料や正孔輸送材料としてもＴ１が大きい新規共役構造を有する化合物が求められている。

有機ＥＬ素子のホスト材料は、一般に、ベンゼンやカルバゾールなどの既存の芳香環を単結合やリン原子やケイ素原子で複数連結した分子である。これは、比較的共役系の小さな芳香環を多数連結することで、ホスト材料に必要とされる大きなＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップ（薄膜におけるバンドギャップＥｇ）が担保されるからである。さらに、燐光材料や熱活性型遅延蛍光材料を用いた有機ＥＬ素子のホスト材料には、高い三重項励起エネルギー（Ｅ_Ｔ）も必要となるが、分子にドナーあるいはアクセプター性の芳香環や置換基を連結することで、三重項励起状態（Ｔ１）のＳＯＭＯ１およびＳＯＭＯ２を局在化させ、両軌道間の交換相互作用を小さくすることで、三重項励起エネルギー（Ｅ_Ｔ）を向上させることが可能となる。しかし、共役系の小さな芳香環はレドックス安定性が十分ではなく、既存の芳香環を連結していった分子をホスト材料として用いた素子は寿命が十分ではない。一方、拡張π共役系を有する多環芳香族化合物は、一般に、レドックス安定性は優れているが、ＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップ（薄膜におけるバンドギャップＥｇ）や三重項励起エネルギー（Ｅ_Ｔ）が低いため、ホスト材料に不向きと考えられてきた。

国際公開第2004/061047号公報 特開2001-172232号公報 特開2005-170911号公報 国際公開第2012/118164号公報 国際公開第2011/107186号公報 国際公開第2015/102118号公報

上述するように、有機ＥＬ素子に用いられる材料としては種々のものが開発されているが、有機ＥＬ素子用材料の選択肢を増やすために、従来のものとは異なる化合物からなる材料の開発が望まれている。特に、特許文献１〜４で報告されたＮＯ連結系化合物以外の材料から得られる有機ＥＬ特性やその製造方法は未だ知られていない。

本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、アミノ置換基を有し、ホウ素原子と酸素原子などで複数の芳香族環を連結した新規な多環芳香族アミノ化合物を見出し、その製造に成功した。また、この多環芳香族アミノ化合物を含有する層を一対の電極間に配置して有機ＥＬ素子を構成することにより、優れた有機ＥＬ素子が得られることを見出し、本発明を完成させた。すなわち本発明は、以下のような多環芳香族アミノ化合物、さらには以下のような多環芳香族アミノ化合物を含む有機ＥＬ素子用材料を提供する。

項１． 下記一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表される多環芳香族アミノ化合物。
（上記式（１Ａ）または式（１Ｂ）中、
Ａｒは、それぞれ独立して、アリールまたはヘテロアリールであり、
Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリル、アリールオキシまたはシアノであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノまたはアルキルで置換されていてもよく、
Ｒ^４が複数の場合、隣接するＲ^４同士は結合してａ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリル、アリールオキシまたはシアノで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノまたはアルキルで置換されていてもよく、
Ｒ^１とＲ^３が隣接する場合には、これらは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）_２−または単結合により結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）_２−のＲは水素または炭素数１〜６のアルキルであり、
ｍは０〜３の整数であり、ｎはそれぞれ独立して０からＡｒに最大置換可能な数までの整数であり、ｐは０〜４の整数であり、ｑはそれぞれ独立して０〜５の整数であり、
Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、ＯまたはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１２のアリール、炭素数２〜１５のヘテロアリールまたは炭素数１〜６のアルキルであり、また、Ｘ^２が前記Ｎ−Ｒである場合のＲは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）_２−または単結合により前記ａ環と結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）_２−のＲは水素または炭素数１〜６のアルキルであり、そして、
式（１Ａ）または式（１Ｂ）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい。）

項２． Ａｒは、それぞれ独立して、アリールであり、
Ｒ^２〜Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリルまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、
Ｒ^４が複数の場合、隣接するＲ^４同士は結合してａ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリルまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、
ｍは０〜３の整数であり、ｎはそれぞれ独立して０からＡｒに最大置換可能な数までの整数であり、ｐは０〜４の整数であり、ｑは０であり、
Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、ＯまたはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１２のアリール、炭素数２〜１５のヘテロアリールまたは炭素数１〜６のアルキルである、
項１に記載する多環芳香族アミノ化合物。

項３． 下記一般式（１Ａ’）または一般式（１Ｂ’）で表される、項１に記載する多環芳香族アミノ化合物。
（上記式（１Ａ’）または式（１Ｂ’）中、
Ｒ^２〜Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリルまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、
Ｒ^４が複数の場合、隣接するＲ^４同士は結合してａ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリルまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、
ｍは０〜３の整数であり、ｎはそれぞれ独立して０〜５の整数であり、ｐは０〜４の整数であり、
Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、ＯまたはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１２のアリール、炭素数２〜１５のヘテロアリールまたは炭素数１〜６のアルキルである。）

項４． 下記一般式（１Ａ’）で表される、項１に記載する多環芳香族アミノ化合物。
（上記式（１Ａ’）中、
Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリール、炭素数６〜３０のジアリールアミノ、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数１〜２４のアルコキシ、炭素数１〜４のアルキルを有するトリアルキルシリルまたは炭素数６〜３０のアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素は炭素数６〜１６のアリール、炭素数２〜２５のヘテロアリールまたは炭素数１〜１８のアルキルで置換されていてもよく、
ｍは０〜３の整数であり、ｎはそれぞれ独立して０〜５の整数であり、
Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、ＯまたはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１０のアリール、炭素数２〜１０のヘテロアリールまたは炭素数１〜４のアルキルである。）

項５． Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリール、炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数１〜４のアルキルを有するトリアルキルシリルであり、
ｍは０または１であり、ｎはそれぞれ独立して０または１であり、
Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、ＯまたはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１０のアリール、炭素数２〜１０のヘテロアリールまたは炭素数１〜４のアルキルである、
項４に記載する多環芳香族アミノ化合物。

項６．
下記式（１Ａ−１）、式（１Ａ−１５３）、式（１Ａ−１７３）または式（１Ｂ−９２）で表される、項１に記載する多環芳香族アミノ化合物。

項７． 項１〜６のいずれかに記載する多環芳香族アミノ化合物を含有する、有機デバイス用材料。

項８． 前記有機デバイス用材料が、有機電界発光素子用材料、有機電界効果トランジスタ用材料または有機薄膜太陽電池用材料である、項７に記載する有機デバイス用材料。

項９． 発光層用材料である、項８に記載する有機電界発光素子用材料。

項１０． 電子注入層用材料または電子輸送層用材料である、項８に記載する有機電界発光素子用材料。

項１１． 正孔注入層用材料または正孔輸送層用材料である、項８に記載する有機電界発光素子用材料。

項１２． 陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置され、項９に記載する発光層用材料を含有する発光層とを有する、有機電界発光素子。

項１３． 陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置された発光層と、前記陰極および前記発光層の間に配置され、項１０に記載する電子注入層用材料および／または電子輸送層用材料を含有する電子注入層および／または電子輸送層とを有する、有機電界発光素子。

項１４． 陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置された発光層と、前記陽極および前記発光層の間に配置され、項１１に記載する正孔注入層用材料および／または正孔輸送層用材料を含有する正孔注入層および／または正孔輸送層とを有する、有機電界発光素子。

項１５． 前記陰極と該発光層との間に配置される電子輸送層および／または電子注入層を有し、該電子輸送層および電子注入層の少なくとも１つは、キノリノール系金属錯体、ピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体、ボラン誘導体およびベンゾイミダゾール誘導体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、項１２〜１４のいずれかに記載する有機電界発光素子。

項１６． 前記電子輸送層および／または電子注入層が、さらに、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、項１５に記載の有機電界発光素子。

項１７． 項１２〜１６のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた表示装置。

項１８． 項１２〜１６のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた照明装置。

本発明の好ましい態様によれば、例えば有機ＥＬ素子用材料として用いることができる、新規な多環芳香族アミノ化合物を提供することができ、この多環芳香族アミノ化合物を用いることで優れた有機ＥＬ素子を提供することができる。

具体的には、本発明者らは、アミノ置換基を有し、芳香環をホウ素、酸素、窒素のようなヘテロ元素で連結した多環芳香族アミノ化合物が、大きなＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップ（薄膜におけるバンドギャップＥｇ）と高い三重項励起エネルギー（Ｅ_Ｔ）を有することを見出した。これは、ヘテロ元素を含む６員環は芳香族性が低いため、共役系の拡張に伴うＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップの減少が抑制されること、ヘテロ元素の電子的な摂動により三重項励起状態（Ｔ１）のＳＯＭＯ１およびＳＯＭＯ２が局在化することが原因となっていると考えられる。また、本発明に係るヘテロ元素を含有する多環芳香族アミノ化合物は、三重項励起状態（Ｔ１）におけるＳＯＭＯ１およびＳＯＭＯ２の局在化により、両軌道間の交換相互作用が小さくなるため、三重項励起状態（Ｔ１）と一重項励起状態（Ｓ１）のエネルギー差が小さく、熱活性型遅延蛍光を示すため、有機ＥＬ素子の蛍光材料としても有用である。また、高い三重項励起エネルギー（Ｅ_Ｔ）を有する材料は、燐光有機ＥＬ素子や熱活性型遅延蛍光を利用した有機ＥＬ素子の電子輸送層や正孔輸送層としても有用である。更に、これらの多環芳香族アミノ化合物は、置換基の導入により、ＨＯＭＯとＬＵＭＯのエネルギーを任意に動かすことができるため、イオン化ポテンシャルや電子親和力を周辺材料に応じて最適化することが可能である。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す概略断面図である。

１．多環芳香族アミノ化合物
本願発明は、下記一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表される多環芳香族アミノ化合物である。また、本願発明は、好ましくは、下記一般式（１Ａ’）または一般式（１Ｂ’）で表される多環芳香族アミノ化合物である。
一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）における、Ａｒをフェニル基に限定し、Ｒ^１〜Ｒ^４の置換基やその数のｍ、ｎ、ｐおよびｑを適宜限定したものが一般式（１Ａ’）または一般式（１Ｂ’）である。

Ａｒは、それぞれ独立して、アリールまたはヘテロアリールである。

アリールとしては、例えば、炭素数６〜３０のアリールがあげられ、炭素数６〜１６のアリールが好ましく、炭素数６〜１２のアリールがより好ましく、炭素数６〜１０のアリールが特に好ましい。

具体的なアリールとしては、単環系であるフェニル、二環系であるビフェニリル、縮合二環系であるナフチル、三環系であるテルフェニリル（ｍ−テルフェニリル、ｏ−テルフェニリル、ｐ−テルフェニリル）、縮合三環系である、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナレニル、フェナントレニル、縮合四環系であるトリフェニレニル、ピレニル、ナフタセニル、縮合五環系であるペリレニル、ペンタセニルなどがあげられる。

ヘテロアリールとしては、例えば、炭素数２〜３０のヘテロアリールがあげられ、炭素数２〜２５のヘテロアリールが好ましく、炭素数２〜２０のヘテロアリールがより好ましく、炭素数２〜１５のヘテロアリールがさらに好ましく、炭素数２〜１０のヘテロアリールが特に好ましい。また、ヘテロアリールとしては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄および窒素から選ばれるヘテロ原子を１〜５個含有する複素環などがあげられる。

具体的なヘテロアリールとしては、例えば、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、オキサジアゾリル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアジニル、インドリル、イソインドリル、１Ｈ−インダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−ベンゾトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリル、キナゾリル、キノキサリニル、フタラジニル、ナフチリジニル、プリニル、プテリジニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノキサチイニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、インドリジニル、フリル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、チエニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、ジベンゾチエニル、フラザニル、オキサジアゾリル、チアントレニル、ナフトベンゾフラニル、ナフトベンゾチエニルなどがあげられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリル、アリールオキシまたはシアノであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノまたはアルキルで置換されていてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４としてのアリールおよびヘテロアリールは、上記Ａｒの説明を引用することができる。

Ｒ^１〜Ｒ^４としてのジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノおよびアリールヘテロアリールアミノは、それぞれアミノ基に２つのアリール基、２つのヘテロアリール基、１つのアリール基と１つのヘテロアリール基が置換した基であり、ここでのアリールおよびヘテロアリールも上記Ａｒの説明を引用することができる。

Ｒ^１〜Ｒ^４としてのアルキルとしては、直鎖および分岐鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分岐鎖アルキルがあげられる。炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分岐鎖アルキル）が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分岐鎖アルキル）がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分岐鎖アルキル）がさらに好ましく、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分岐鎖アルキル）が特に好ましい。

具体的なアルキルとしては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、２，６−ジメチル−４−ヘプチル、３，５，５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、１−メチルデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、１−ヘキシルヘプチル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−エイコシルなどがあげられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４としてのアルコキシとしては、例えば、炭素数１〜２４の直鎖または炭素数３〜２４の分岐鎖のアルコキシがあげられる。炭素数１〜１８のアルコキシ（炭素数３〜１８の分岐鎖のアルコキシ）が好ましく、炭素数１〜１２のアルコキシ（炭素数３〜１２の分岐鎖のアルコキシ）がより好ましく、炭素数１〜６のアルコキシ（炭素数３〜６の分岐鎖のアルコキシ）がさらに好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ（炭素数３〜４の分岐鎖のアルコキシ）が特に好ましい。

具体的なアルコキシとしては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシなどがあげられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４としてのトリアルキルシリルは、シリル基における３つの水素がそれぞれ独立してアルキルで置換されたものがあげられ、アルキルとしてはＲ^１〜Ｒ^４としてのアルキルの欄で説明したものがあげられる。置換するのに好ましいアルキルは、炭素数１〜４のアルキルであり、具体的にはメチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチルなどがあげられる。

具体的なトリアルキルシリルとしては、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、トリｉ−プロピルシリル、トリブチルシリル、トリｓｅｃ−ブチルシリル、トリｔ−ブチルシリル、エチルジメチルシリル、プロピルジメチルシリル、ｉ−プロピルジメチルシリル、ブチルジメチルシリル、ｓｅｃ−ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、メチルジエチルシリル、プロピルジエチルシリル、ｉ−プロピルジエチルシリル、ブチルジエチルシリル、ｓｅｃ−ブチルジエチルシリル、ｔ−ブチルジエチルシリル、メチルジプロピルシリル、エチルジプロピルシリル、ブチルジプロピルシリル、ｓｅｃ−ブチルジプロピルシリル、ｔ−ブチルジプロピルシリル、メチルジｉ−プロピルシリル、エチルジｉ−プロピルシリル、ブチルジｉ−プロピルシリル、ｓｅｃ−ブチルジｉ−プロピルシリル、ｔ−ブチルジｉ−プロピルシリルなどがあげられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４としてのアリールオキシは、ヒドロキシル基の水素がアリールで置換された基であり、ここでのアリールは上記Ａｒの説明を引用することができる。

また、Ｒ^１〜Ｒ^４における少なくとも１つの水素は、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノまたはアルキルで置換されていてもよく、これらの置換基についても上述した説明を引用することができる。

一般式（１Ｂ）および一般式（１Ｂ’）におけるＲ^４が複数の場合は、隣接するＲ^４同士が結合してａ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリル、アリールオキシまたはシアノで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノまたはアルキルで置換されていてもよい。

ここで、形成された環における置換基（アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリルまたはアリールオキシ）、当該置換基へのさらなる置換基（アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノまたはアルキル）については、上述した説明を引用することができる。

置換基Ｒ^４が隣接する場合とは、２つの置換基Ｒ^４がａ環（ベンゼン環）上において隣り合う炭素上に置換した場合を意味する。そして、一般式（１Ｂ）または一般式（１Ｂ’）で表される多環芳香族アミノ化合物は、ａ環における置換基の相互の結合形態によって、下記一般式（１Ｂ−ａ’）および一般式（１Ｂ’−ａ’）に示すように、化合物を構成する環構造が変化する（ａ環がａ’環に変化する）。

上記一般式（１Ｂ−ａ’）や一般式（１Ｂ’−ａ’）で表される化合物は、後述する具体的化合物として列挙した、例えば式（１Ｂ−２１）〜式（１Ｂ−３６）、式（１Ｂ−４１）、式（１Ｂ−４２）または式（１Ｂ−４６）で表されるような化合物に対応する。すなわち、ａ環であるベンゼン環に対してベンゼン環などが縮合して形成されるａ’環を有する化合物であり、形成されてできた縮合環ａ’はナフタレン環などである。他には、ａ環であるベンゼン環に対して、インドール環、ピロール環、ベンゾフラン環またはベンゾチオフェン環が縮合して形成された、それぞれカルバゾール環（Ｎ上の水素が上記アルキルやアリールで置換されたものも含む）、インドール環（Ｎ上の水素が上記アルキルやアリールで置換されたものも含む）、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環などもある。

一般式（１Ａ）および（１Ｂ）におけるＲ^１とＲ^３が隣接する場合には、これらは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）_２−または単結合により結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）_２−のＲは水素または炭素数１〜６のアルキル（特に炭素数１〜４のアルキル（例えばメチル、エチルなど））である。

Ｒ^１とＲ^３が隣接する場合とは、例えば以下のように、Ａｒ（フェニル）におけるＮ（窒素）との結合位置の隣に置換基Ｒ^３が置換し、ナフタレン構造におけるＮ（窒素）との結合位置（１位）の隣（２位や８位）に置換基Ｒ^１が置換した場合を意味する。この二つの置換基は上述するように結合してもよい。

ｍは０〜３の整数であり、ｎはそれぞれ独立して０からＡｒに最大置換可能な数までの整数であり、ｐは０〜４の整数であり、ｑはそれぞれ独立して０〜５の整数である。

ｍは、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０または１であり、特に好ましくは０である。また、ｎは、それぞれ独立して、好ましくは０〜５の整数であり、より好ましくは０〜３の整数であり、特に好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは０または１であり、最も好ましくは０である。ｐは、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０または１であり、特に好ましくは０である。ｑは、それぞれ独立して、好ましくは０〜２であり、特に好ましくは０または１であり、さらに好ましくは０である。

Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、ＯまたはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１２のアリール、炭素数２〜１５のヘテロアリールまたは炭素数１〜６のアルキルである。

前記Ｎ−ＲのＲとしてのアリール、ヘテロアリール、アルキルは上記ＡｒやＲ^１〜Ｒ^４での説明を引用することができる。

また、一般式（１Ｂ）および（１Ｂ’）におけるＸ^２が前記Ｎ−Ｒである場合のＲは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）_２−または単結合により前記ａ環と結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）_２−のＲは水素または炭素数１〜６のアルキル（特に炭素数１〜４のアルキル（例えばメチル、エチルなど））である。

前記−Ｃ（−Ｒ）_２−のＲとしてのアルキルも上記Ｒ^１〜Ｒ^４での説明を引用することができる。また、「Ｎ−ＲのＲは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）_２−または単結合により前記ａ環と結合している」との規定は、下記一般式（１Ｂ−ａ”）や一般式（１Ｂ’−ａ”）で表される、Ｘ^２が縮合環ａ”に取り込まれた環構造を有する化合物で表現できる。すなわち、例えば一般式（１Ｂ）や一般式（１Ｂ’）におけるａ環であるベンゼン環に対してＸ^２を取り込むようにして他の環が縮合して形成されるａ”環を有する化合物である。このようにして形成されてできた縮合環ａ”は、例えばフェノキサジン環、フェノチアジン環またはアクリジン環などである。

一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい。

ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素であり、好ましくはフッ素または塩素、より好ましくはフッ素である。

また、本発明に係る多環芳香族アミノ化合物は、有機デバイス用材料として用いることができる。有機デバイスとしては、例えば、有機電界発光素子、有機電界効果トランジスタまたは有機薄膜太陽電池などがあげられる。特に、有機電界発光素子においては、発光層のドーパント材料として、Ｘ^１およびＸ^２がＮ−Ｒである化合物、Ｘ^１およびＸ^２がＯである化合物、Ｘ^１がＯ、Ｘ^２がＮ−Ｒである化合物、Ｘ^１がＮ−Ｒ、Ｘ^２がＯである化合物が好ましく、発光層のホスト材料として、Ｘ^１がＯ、Ｘ^２がＮ−Ｒである化合物、Ｘ^１がＮ−Ｒ、Ｘ^２がＯである化合物、Ｘ^１およびＸ^２がＯである化合物が好ましく、電子輸送材料として、Ｘ^１およびＸ^２がＯである化合物が好ましく用いられる。

本発明の多環芳香族アミノ化合物のさらに具体的な例としては、例えば、下記式（１Ａ−１）〜（１Ａ−２８６）で表される化合物、および下記式（１Ｂ−１）〜（１Ａ−２２６）で表される化合物、さらに下記式（１Ｂ−２３１）〜（１Ａ−２９６）で表される化合物が挙げられる。各構造式中の「Ｍｅ」はメチル基、「ｉＰｒ」はイソプロピル基、「ｔＢｕ」はｔ−ブチル基、「ＳｉＭｅ_３」はトリメチルシリル基、「ＣＮ」はシアノ基である。

また、本発明の一般式（１Ｂ）または一般式（１Ｂ’）で表される多環芳香族アミノ化合物は、ａ環における、Ｂ（ホウ素）に対するパラ位にフェニルオキシ基、カルバゾリル基またはジフェニルアミノ基を導入することで、Ｔ１エネルギーの向上（およそ０．０１〜０．１ｅＶ向上）が期待できる。特に、Ｂ（ホウ素）に対するパラ位にフェニルオキシ基を導入することで、ａ環であるベンゼン環上のＨＯＭＯがよりホウ素に対するメタ位に局在化し、ＬＵＭＯがホウ素に対するオルトおよびパラ位に局在化するため、Ｔ１エネルギーの向上が特に期待できる。

２．多環芳香族アミノ化合物の製造方法
一般式（１Ａ）や（１Ｂ）で表される多環芳香族アミノ化合物は、基本的には、まず一般式（１Ａ）の場合は２つのナフタレン系化合物同士、一般式（１Ｂ）の場合は１つのナフタレン系化合物とａ環とを結合基（Ｘ^１やＸ^２を含む基）で結合させることで中間体を製造し（第１反応）、その後に、一般式（１Ａ）の場合は２つのナフタレン系化合物同士、一般式（１Ｂ）の場合は１つのナフタレン系化合物とａ環とを結合基（Ｂ：ホウ素原子を含む基）で結合させることで最終生成物を製造することができる（第２反応）。第１反応では、例えばエーテル化反応であれば、求核置換反応、ウルマン反応といった一般的反応が利用でき、アミノ化反応で有ればブッフバルト−ハートウィッグ反応といった一般的反応が利用できる。また、第２反応では、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応（連続的な芳香族求電子置換反応、以下同様）が利用できる。なお、以下の各スキームにおいてＡｒ、Ｒ^１〜Ｒ^４、Ｘ^１、Ｘ^２、ｍ、ｎ、ｐおよびｑの定義は式（１Ａ）または式（１Ｂ）のそれらの定義と同一である。

第２反応は、下記スキーム（１）や（２）に示すように、２つのナフタレン系化合物同士または１つのナフタレン系化合物とａ環とを結合するＢ（ホウ素原子）を導入する反応であり、例としてＸ^１およびＸ^２が酸素原子の場合を以下に示す。まず、Ｘ^１とＸ^２の間の水素原子をｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムまたはｔ−ブチルリチウム等でオルトメタル化する。次いで、三塩化ホウ素や三臭化ホウ素等を加え、リチウム−ホウ素の金属交換を行った後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン等のブレンステッド塩基を加えることで、タンデムボラフリーデルクラフツ反応させ、目的物を得ることができる。第２反応においては反応を促進させるために三塩化アルミニウム等のルイス酸を加えてもよい。

上記スキームにおいては、オルトメタル化により所望の位置へリチウムを導入したが、下記スキーム（３）および（４）のようにリチウムを導入したい位置に臭素原子等を導入し、ハロゲン−メタル交換によっても所望の位置へリチウムを導入することができる。

この方法によれば、置換基の影響でオルトメタル化ができないようなケースでも目的物を合成することができ有用である。

上述の合成法を適宜選択し、使用する原料も適宜選択することで、所望の位置に置換基を有し、Ｘ^１およびＸ^２が酸素原子である多環芳香族アミノ化合物を合成することができる。

次に、例としてＸ^１およびＸ^２が窒素原子の場合を下記スキーム（５）および（６）に示す。Ｘ^１およびＸ^２が酸素原子である場合と同様に、まずＸ^１とＸ^２の間の水素原子をｎ−ブチルリチウム等でオルトメタル化する。次いで、三臭化ホウ素等を加え、リチウム−ホウ素の金属交換を行った後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン等のブレンステッド塩基を加えることで、タンデムボラフリーデルクラフツ反応させ、目的物を得ることができる。ここでは反応を促進させるために三塩化アルミニウム等のルイス酸を加えてもよい。

以上の反応で用いられる溶媒の具体例は、トルエン、ｔ−ブチルベンゼン、キシレンなどである。

また、一般式（１Ｂ）および一般式（１Ｂ’）におけるＲ^４が複数の場合は、隣接するＲ^４同士が結合してａ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよい。したがって、一般式（１Ｂ）および一般式（１Ｂ’）で表される多環芳香族アミノ化合物は、ａ環における置換基の相互の結合形態によって、下記スキーム（７）および（８）の一般式（１Ｂ−ａ’）および一般式（１Ｂ’−ａ’）に示すように、化合物を構成する環構造が変化する。これらの化合物は下記スキーム（７）および（８）に示す中間体に上記スキーム（１）〜（６）で示した合成法を適用することで合成することができる。

上記一般式（１Ｂ−ａ’）および一般式（１Ｂ’−ａ’）中のａ’環は、隣接するＲ^４同士が結合してａ環と共に形成したアリール環またはヘテロアリール環を示す。

また、一般式（１Ｂ）および（１Ｂ’）における「Ｎ−ＲのＲは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）_２−または単結合により前記ａ環と結合している」との規定は、下記スキーム（９）または（１０）の一般式（１Ｂ−ａ”）または一般式（１Ｂ’−ａ”）で表される、Ｘ^２が縮合環ａ”に取り込まれた環構造を有する化合物で表現することができる。これらの化合物は下記スキーム（９）または（１０）に示す中間体に上記スキーム（１）〜（６）で示した合成法を適用することで合成することができる。

また、上記スキーム（１）〜（１０）の合成法では、三塩化ホウ素や三臭化ホウ素等を加える前に、Ｘ^１とＸ^２の間の水素原子（またはハロゲン原子）をブチルリチウム等でオルトメタル化することで、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応させた例を示したが、ブチルリチウム等を用いたオルトメタル化を行わずに、三塩化ホウ素や三臭化ホウ素等の添加により反応を進行させることもできる。

なお、上記スキーム（１）〜（１０）で使用するオルトメタル化試薬としては、メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム等のアルキルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムテトラメチルピペリジド、リチウムヘキサメチルジシラジド、カリウムヘキサメチルジシラジドなどの有機アルカリ化合物が挙げられる。

なお、上記スキーム（１）〜（１０）で使用するメタル−Ｂ（ホウ素）の金属交換試薬としては、Ｂの三フッ化物、三塩化物、三臭化物、三ヨウ化物などのＢのハロゲン化物、ＣＩＰＮ（ＮＥｔ_２）_２などのＢのアミノ化ハロゲン化物、Ｂのアルコキシ化物、Ｂのアリールオキシ化物などが挙げられる。

なお、上記スキーム（１）〜（１０）で使用するブレンステッド塩基としては、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン、トリエチルアミン、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルトルイジン、２，６−ルチジン、テトラフェニルホウ酸ナトリウム、テトラフェニルホウ酸カリウム、トリフェニルボラン、テトラフェニルシラン、Ａｒ_４ＢＮａ、Ａｒ_４ＢＫ、Ａｒ_３Ｂ、Ａｒ_４Ｓｉ（なお、Ａｒはフェニルなどのアリール）などが挙げられる。

上記スキーム（１）〜（１０）で使用するルイス酸としては、ＡｌＣｌ_３、ＡｌＢｒ_３、ＡｌＦ_３、ＢＦ_３・ＯＥｔ_２、ＢＣｌ_３、ＢＢｒ_３、ＧａＣｌ_３、ＧａＢｒ_３、ＩｎＣｌ_３、ＩｎＢｒ_３、Ｉｎ（ＯＴｆ）_３、ＳｎＣｌ_４、ＳｎＢｒ_４、ＡｇＯＴｆ、ＳｃＣｌ_３、Ｓｃ（ＯＴｆ）_３、ＺｎＣｌ_２、ＺｎＢｒ_２、Ｚｎ（ＯＴｆ）_２、ＭｇＣｌ_２、ＭｇＢｒ_２、Ｍｇ（ＯＴｆ）_２、ＬｉＯＴｆ、ＮａＯＴｆ、ＫＯＴｆ、Ｍｅ_３ＳｉＯＴｆ、Ｃｕ（ＯＴｆ）_２、ＣｕＣｌ_２、ＹＣｌ_３、Ｙ（ＯＴｆ）_３、ＴｉＣｌ_４、ＴｉＢｒ_４、ＺｒＣｌ_４、ＺｒＢｒ_４、ＦｅＣｌ_３、ＦｅＢｒ_３、ＣｏＣｌ_３、ＣｏＢｒ_３などが挙げられる。

上記スキーム（１）〜（１０）では、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応の促進のためにブレンステッド塩基またはルイス酸を使用してもよい。ただし、Ｂの三フッ化物、三塩化物、三臭化物、三ヨウ化物などのＢのハロゲン化物を用いた場合は、芳香族求電子置換反応の進行とともに、フッ化水素、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素といった酸が生成するため、酸を捕捉するブレンステッド塩基の使用が効果的である。一方、Ｂのアミノ化ハロゲン化物、Ｂのアルコキシ化物を用いた場合は、芳香族求電子置換反応の進行とともに、アミン、アルコールが生成するために、多くの場合、ブレンステッド塩基を使用する必要はないが、アミノ基やアルコキシ基の脱離能が低いために、その脱離を促進するルイス酸の使用が効果的である。

また、本発明の多環芳香族アミノ化合物には、少なくとも一部の水素原子が重水素で置換されているものやフッ素や塩素などのハロゲンで置換されているものも含まれるが、このような化合物などは所望の箇所が重水素化、フッ素化または塩素化された原料を用いることで、上記と同様に合成することができる。

本発明に係る多環芳香族アミノ化合物は、有機デバイス用材料として用いることができる。有機デバイスとしては、例えば、有機電界発光素子、有機電界効果トランジスタまたは有機薄膜太陽電池などがあげられる。

３．有機電界発光素子
本発明に係る多環芳香族アミノ化合物は、例えば、有機電界発光素子の材料として用いることができる。以下に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子について図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す概略断面図である。

＜有機電界発光素子の構造＞
図１に示された有機電界発光素子１００は、基板１０１と、基板１０１上に設けられた陽極１０２と、陽極１０２の上に設けられた正孔注入層１０３と、正孔注入層１０３の上に設けられた正孔輸送層１０４と、正孔輸送層１０４の上に設けられた発光層１０５と、発光層１０５の上に設けられた電子輸送層１０６と、電子輸送層１０６の上に設けられた電子注入層１０７と、電子注入層１０７の上に設けられた陰極１０８とを有する。

なお、有機電界発光素子１００は、作製順序を逆にして、例えば、基板１０１と、基板１０１上に設けられた陰極１０８と、陰極１０８の上に設けられた電子注入層１０７と、電子注入層１０７の上に設けられた電子輸送層１０６と、電子輸送層１０６の上に設けられた発光層１０５と、発光層１０５の上に設けられた正孔輸送層１０４と、正孔輸送層１０４の上に設けられた正孔注入層１０３と、正孔注入層１０３の上に設けられた陽極１０２とを有する構成としてもよい。

上記各層すべてがなくてはならないわけではなく、最小構成単位を陽極１０２と発光層１０５と陰極１０８とからなる構成として、正孔注入層１０３、正孔輸送層１０４、電子輸送層１０６、電子注入層１０７は任意に設けられる層である。また、上記各層は、それぞれ単一層からなってもよいし、複数層からなってもよい。

有機電界発光素子を構成する層の態様としては、上述する「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」の構成態様の他に、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子注入層／陰極」の構成態様であってもよい。

＜有機電界発光素子における基板＞
基板１０１は、有機電界発光素子１００の支持体となるものであり、通常、石英、ガラス、金属、プラスチックなどが用いられる。基板１０１は、目的に応じて板状、フィルム状、またはシート状に形成され、例えば、ガラス板、金属板、金属箔、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどが用いられる。なかでも、ガラス板、および、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂製の板が好ましい。ガラス基板であれば、ソーダライムガラスや無アルカリガラスなどが用いられ、また、厚みも機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、例えば、０．２ｍｍ以上あればよい。厚さの上限値としては、例えば、２ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましいが、ＳｉＯ_２などのバリアコートを施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用することができる。また、基板１０１には、ガスバリア性を高めるために、少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜などのガスバリア膜を設けてもよく、特にガスバリア性が低い合成樹脂製の板、フィルムまたはシートを基板１０１として用いる場合にはガスバリア膜を設けるのが好ましい。

＜有機電界発光素子における陽極＞
陽極１０２は、発光層１０５へ正孔を注入する役割を果たすものである。なお、陽極１０２と発光層１０５との間に正孔注入層１０３および／または正孔輸送層１０４が設けられている場合には、これらを介して発光層１０５へ正孔を注入することになる。

陽極１０２を形成する材料としては、無機化合物および有機化合物があげられる。無機化合物としては、例えば、金属（アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、クロムなど）、金属酸化物（インジウムの酸化物、スズの酸化物、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）など）、ハロゲン化金属（ヨウ化銅など）、硫化銅、カーボンブラック、ＩＴＯガラスやネサガラスなどがあげられる。有機化合物としては、例えば、ポリ（３−メチルチオフェン）などのポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマーなどがあげられる。その他、有機電界発光素子の陽極として用いられている物質の中から適宜選択して用いることができる。

透明電極の抵抗は、発光素子の発光に十分な電流が供給できればよいので限定されないが、発光素子の消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば、３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能になっていることから、例えば１００〜５Ω／□、好ましくは５０〜５Ω／□の低抵抗品を使用することが特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常５０〜３００ｎｍの間で用いられることが多い。

＜有機電界発光素子における正孔注入層、正孔輸送層＞
正孔注入層１０３は、陽極１０２から移動してくる正孔を、効率よく発光層１０５内または正孔輸送層１０４内に注入する役割を果たすものである。正孔輸送層１０４は、陽極１０２から注入された正孔または陽極１０２から正孔注入層１０３を介して注入された正孔を、効率よく発光層１０５に輸送する役割を果たすものである。正孔注入層１０３および正孔輸送層１０４は、それぞれ、正孔注入・輸送材料の一種または二種以上を積層、混合するか、正孔注入・輸送材料と高分子結着剤の混合物により形成される。また、正孔注入・輸送材料に塩化鉄（III）のような無機塩を添加して層を形成してもよい。

正孔注入・輸送性物質としては電界を与えられた電極間において正極からの正孔を効率よく注入・輸送することが必要で、正孔注入効率が高く、注入された正孔を効率よく輸送することが望ましい。そのためにはイオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。

正孔注入層１０３および正孔輸送層１０４を形成する材料としては、上記一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表される多環芳香族アミノ化合物を使用することができる。また、光導電材料において、正孔の電荷輸送材料として従来から慣用されている化合物、ｐ型半導体、有機電界発光素子の正孔注入層および正孔輸送層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。

それらの具体例は、カルバゾール誘導体（Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなど）、ビス（Ｎ−アリールカルバゾール）またはビス（Ｎ−アルキルカルバゾール）などのビスカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体（芳香族第３級アミノを主鎖または側鎖に持つポリマー、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミン、Ｎ^４，Ｎ^４’−ジフェニル−Ｎ^４，Ｎ^４’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、Ｎ^４，Ｎ^４，Ｎ^４’，Ｎ^４’−テトラ［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニル（フェニル）アミノ）トリフェニルアミンなどのトリフェニルアミン誘導体、スターバーストアミン誘導体など）、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体（無金属、銅フタロシアニンなど）、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン系化合物、ベンゾフラン誘導体やチオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、キノキサリン誘導体（例えば、１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン−２，３，６，７，１０，１１−ヘキサカルボニトリルなど）、ポルフィリン誘導体などの複素環化合物、ポリシランなどである。ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾールおよびポリシランなどが好ましいが、発光素子の作製に必要な薄膜を形成し、陽極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されるものではない。

また、有機半導体の導電性は、そのドーピングにより、強い影響を受けることも知られている。このような有機半導体マトリックス物質は、電子供与性の良好な化合物、または、電子受容性の良好な化合物から構成されている。電子供与物質のドーピングのために、テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）または２，３，５，６−テトラフルオロテトラシアノ−１，４−ベンゾキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）などの強い電子受容体が知られている（例えば、文献「M.Pfeiffer,A.Beyer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73(22),3202-3204(1998)」および文献「J.Blochwitz,M.Pheiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73（6）,729-731（1998）」を参照）。これらは、電子供与型ベース物質（正孔輸送物質）における電子移動プロセスによって、いわゆる正孔を生成する。正孔の数および移動度によって、ベース物質の伝導性が、かなり大きく変化する。正孔輸送特性を有するマトリックス物質としては、例えばベンジジン誘導体（ＴＰＤなど）またはスターバーストアミン誘導体（ＴＤＡＴＡなど）または特定の金属フタロシアニン（特に、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰｃ）など）が知られている（特開2005-167175号公報）。

＜有機電界発光素子における発光層＞
発光層１０５は、電界を与えられた電極間において、陽極１０２から注入された正孔と、陰極１０８から注入された電子とを再結合させることにより発光するものである。発光層１０５を形成する材料としては、正孔と電子との再結合によって励起されて発光する化合物（発光性化合物）であればよく、安定な薄膜形状を形成することができ、かつ、固体状態で強い発光（蛍光）効率を示す化合物であるのが好ましい。本発明では、発光層用の材料として、上記一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表される多環芳香族アミノ化合物を用いることができる。

発光層は単一層でも複数層からなってもどちらでもよく、それぞれ発光層用材料（ホスト材料、ドーパント材料）により形成される。ホスト材料とドーパント材料は、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであっても、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれであってもよい。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸着法によって形成することができるが、ホスト材料と予め混合してから同時に蒸着してもよい。

ホスト材料の使用量はホスト材料の種類によって異なり、そのホスト材料の特性に合わせて決めればよい。ホスト材料の使用量の目安は、好ましくは発光層用材料全体の５０〜９９．９９９重量％であり、より好ましくは８０〜９９．９５重量％であり、さらに好ましくは９０〜９９．９重量％である。上記一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表される多環芳香族アミノ化合物はホスト材料としても使用することもできる。

ドーパント材料の使用量はドーパント材料の種類によって異なり、そのドーパント材料の特性に合わせて決めればよい。ドーパントの使用量の目安は、好ましくは発光層用材料全体の０．００１〜５０重量％であり、より好ましくは０．０５〜２０重量％であり、さらに好ましくは０．１〜１０重量％である。上記の範囲であれば、例えば、濃度消光現象を防止できるという点で好ましい。上記一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表される多環芳香族アミノ化合物はドーパント材料としても使用することもできる。

上記一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表される多環芳香族アミノ化合物と併用することができるホスト材料としては、以前から発光体として知られていたアントラセンやピレンなどの縮合環誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、フルオレン誘導体、ベンゾフルオレン誘導体などが挙げられる。

また、上記一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表される多環芳香族アミノ化合物と併用することができるドーパント材料としては、特に限定されるものではなく、既知の化合物を用いることができ、所望の発光色に応じて様々な材料の中から選択することができる。具体的には、例えば、フェナンスレン、アントラセン、ピレン、テトラセン、ペンタセン、ペリレン、ナフトピレン、ジベンゾピレン、ルブレンおよびクリセンなどの縮合環誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン誘導体、チオフェン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体（特開平１−２４５０８７号公報）、ビススチリルアリーレン誘導体（特開平２−２４７２７８号公報）、ジアザインダセン誘導体、フラン誘導体、ベンゾフラン誘導体、フェニルイソベンゾフラン、ジメシチルイソベンゾフラン、ジ（２−メチルフェニル）イソベンゾフラン、ジ（２−トリフルオロメチルフェニル）イソベンゾフラン、フェニルイソベンゾフランなどのイソベンゾフラン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、７−ジアルキルアミノクマリン誘導体、７−ピペリジノクマリン誘導体、７−ヒドロキシクマリン誘導体、７−メトキシクマリン誘導体、７−アセトキシクマリン誘導体、３−ベンゾチアゾリルクマリン誘導体、３−ベンゾイミダゾリルクマリン誘導体、３−ベンゾオキサゾリルクマリン誘導体などのクマリン誘導体、ジシアノメチレンピラン誘導体、ジシアノメチレンチオピラン誘導体、ポリメチン誘導体、シアニン誘導体、オキソベンゾアンスラセン誘導体、キサンテン誘導体、ローダミン誘導体、フルオレセイン誘導体、ピリリウム誘導体、カルボスチリル誘導体、アクリジン誘導体、オキサジン誘導体、フェニレンオキサイド誘導体、キナクリドン誘導体、キナゾリン誘導体、ピロロピリジン誘導体、フロピリジン誘導体、１，２，５−チアジアゾロピレン誘導体、ピロメテン誘導体、ペリノン誘導体、ピロロピロール誘導体、スクアリリウム誘導体、ビオラントロン誘導体、フェナジン誘導体、アクリドン誘導体、デアザフラビン誘導体、フルオレン誘導体およびベンゾフルオレン誘導体などがあげられる。

発色光ごとに例示すると、青〜青緑色ドーパント材料としては、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、トリフェニレン、ペリレン、フルオレン、インデン、クリセンなどの芳香族炭化水素化合物やその誘導体、フラン、ピロール、チオフェン、シロール、９−シラフルオレン、９，９’−スピロビシラフルオレン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、インドール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、イミダゾピリジン、フェナントロリン、ピラジン、ナフチリジン、キノキサリン、ピロロピリジン、チオキサンテンなどの芳香族複素環化合物やその誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、アルダジン誘導体、クマリン誘導体、イミダゾール、チアゾール、チアジアゾール、カルバゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾールなどのアゾール誘導体およびその金属錯体およびＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミンに代表される芳香族アミン誘導体などがあげられる。

また、緑〜黄色ドーパント材料としては、クマリン誘導体、フタルイミド誘導体、ナフタルイミド誘導体、ペリノン誘導体、ピロロピロール誘導体、シクロペンタジエン誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体およびルブレンなどのナフタセン誘導体などがあげられ、さらに上記青〜青緑色ドーパント材料として例示した化合物に、アリール、ヘテロアリール、アリールビニル、アミノ、シアノなど長波長化を可能とする置換基を導入した化合物も好適な例としてあげられる。

さらに、橙〜赤色ドーパント材料としては、ビス（ジイソプロピルフェニル）ペリレンテトラカルボン酸イミドなどのナフタルイミド誘導体、ペリノン誘導体、アセチルアセトンやベンゾイルアセトンとフェナントロリンなどを配位子とするＥｕ錯体などの希土類錯体、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランやその類縁体、マグネシウムフタロシアニン、アルミニウムクロロフタロシアニンなどの金属フタロシアニン誘導体、ローダミン化合物、デアザフラビン誘導体、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、フェノキサジン誘導体、オキサジン誘導体、キナゾリン誘導体、ピロロピリジン誘導体、スクアリリウム誘導体、ビオラントロン誘導体、フェナジン誘導体、フェノキサゾン誘導体およびチアジアゾロピレン誘導体などあげられ、さらに上記青〜青緑色および緑〜黄色ドーパント材料として例示した化合物に、アリール、ヘテロアリール、アリールビニル、アミノ、シアノなど長波長化を可能とする置換基を導入した化合物も好適な例としてあげられる。

その他、ドーパントとしては、化学工業２００４年６月号１３頁、および、それにあげられた参考文献などに記載された化合物などの中から適宜選択して用いることができる。

上述するドーパント材料の中でも、特にスチルベン構造を有するアミン、ペリレン誘導体、ボラン誘導体、芳香族アミン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体またはピレン誘導体が好ましい。

スチルベン構造を有するアミンは、例えば、下記式で表される。
当該式中、Ａｒ^１は炭素数６〜３０のアリールに由来するｍ価の基であり、Ａｒ^２およびＡｒ^３は、それぞれ独立して炭素数６〜３０のアリールであるが、Ａｒ^１〜Ａｒ^３の少なくとも１つはスチルベン構造を有し、Ａｒ^１〜Ａｒ^３は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、トリ置換シリル（アリールおよび／またはアルキルでトリ置換されたシリル）またはシアノで置換されていてもよく、そして、ｍは１〜４の整数である。

スチルベン構造を有するアミンは、下記式で表されるジアミノスチルベンがより好ましい。
当該式中、Ａｒ^２およびＡｒ^３は、それぞれ独立して炭素数６〜３０のアリールであり、Ａｒ^２およびＡｒ^３は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、トリ置換シリル（アリールおよび／またはアルキルでトリ置換されたシリル）またはシアノで置換されていてもよい。

炭素数６〜３０のアリールの具体例は、フェニル、ナフチル、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナレニル、フェナントレニル、アントリル、フルオランテニル、トリフェニレニル、ピレニル、クリセニル、ナフタセニル、ペリレニル、スチルベニル、ジスチリルフェニル、ジスチリルビフェニリル、ジスチリルフルオレニルなどが挙げられる。

スチルベン構造を有するアミンの具体例は、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−ビフェニリル）−４，４’−ジアミノスチルベン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（１−ナフチル）−４，４’−ジアミノスチルベン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（２−ナフチル）−４，４’−ジアミノスチルベン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジアミノスチルベン、Ｎ，Ｎ’−ジ（９−フェナントリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジアミノスチルベン、４，４’−ビス［４”−ビス（ジフェニルアミノ）スチリル］−ビフェニル、１，４−ビス［４’−ビス（ジフェニルアミノ）スチリル］−ベンゼン、２，７−ビス［４’−ビス（ジフェニルアミノ）スチリル］−９，９−ジメチルフルオレン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−ビフェニル、４，４’−ビス（９−フェニル−３−カルバゾビニレン）−ビフェニルなどが挙げられる。
また、特開2003-347056号公報、および特開2001-307884号公報などに記載されたスチルベン構造を有するアミンを用いてもよい。

ペリレン誘導体としては、例えば、３，１０−ビス（２，６−ジメチルフェニル）ペリレン、３，１０−ビス（２，４，６−トリメチルフェニル）ペリレン、３，１０−ジフェニルペリレン、３，４−ジフェニルペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン、３，４，９，１０−テトラフェニルペリレン、３−（１’−ピレニル）−８，１１−ジ（ｔ−ブチル）ペリレン、３−（９’−アントリル）−８，１１−ジ（ｔ−ブチル）ペリレン、３，３’−ビス（８，１１−ジ（ｔ−ブチル）ペリレニル）などがあげられる。
また、特開平11-97178号公報、特開2000-133457号公報、特開2000-26324号公報、特開2001-267079号公報、特開2001-267078号公報、特開2001-267076号公報、特開2000-34234号公報、特開2001-267075号公報、および特開2001-217077号公報などに記載されたペリレン誘導体を用いてもよい。

ボラン誘導体としては、例えば、１，８−ジフェニル−１０−（ジメシチルボリル）アントラセン、９−フェニル−１０−（ジメシチルボリル）アントラセン、４−（９’−アントリル）ジメシチルボリルナフタレン、４−（１０’−フェニル−９’−アントリル）ジメシチルボリルナフタレン、９−（ジメシチルボリル）アントラセン、９−（４’−ビフェニリル）−１０−（ジメシチルボリル）アントラセン、９−（４’−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル）−１０−（ジメシチルボリル）アントラセンなどがあげられる。
また、国際公開第2000/40586号パンフレットなどに記載されたボラン誘導体を用いてもよい。

芳香族アミン誘導体は、例えば、下記式で表される。
当該式中、Ａｒ^４は炭素数６〜３０のアリールに由来するｎ価の基であり、Ａｒ^５およびＡｒ^６はそれぞれ独立して炭素数６〜３０のアリールであり、Ａｒ^４〜Ａｒ^６は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、トリ置換シリル（アリールおよび／またはアルキルでトリ置換されたシリル）またはシアノで置換されていてもよく、そして、ｎは１〜４の整数である。

特に、Ａｒ^４がアントラセン、クリセン、フルオレン、ベンゾフルオレンまたはピレンに由来する２価の基であり、Ａｒ^５およびＡｒ^６がそれぞれ独立して炭素数６〜３０のアリールであり、Ａｒ^４〜Ａｒ^６は、アリール、ヘテロアリール、アルキル、トリ置換シリル（アリールおよび／またはアルキルでトリ置換されたシリル）またはシアノで置換されていてもよく、そして、ｎは２である、芳香族アミン誘導体がより好ましい。

炭素数６〜３０のアリールの具体例は、フェニル、ナフチル、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナレニル、フェナントレニル、アントリル、フルオランテニル、トリフェニレニル、ピレニル、クリセニル、ナフタセニル、ペリレニル、ペンタセニルなどが挙げられる。

芳香族アミン誘導体としては、クリセン系としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルクリセン−６，１２−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（ｐ−トリル）クリセン−６，１２−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（ｍ−トリル）クリセン−６，１２−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−イソプロピルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（ナフタレン−２−イル）クリセン−６，１２−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）クリセン−６，１２−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−イソプロピルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−イソプロピルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）クリセン−６，１２−ジアミンなどが挙げられる。

また、ピレン系としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（ｐ−トリル）ピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（ｍ−トリル）ピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−イソプロピルフェニル）ピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（３，４−ジメチルフェニル）ピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）ピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）ピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）ピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−イソプロピルフェニル）ピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−イソプロピルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）ピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（３，４−ジメチルフェニル）−３，８−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラフェニルピレン−１，８−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ビフェニル−４−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，８−ジアミン、Ｎ^１，Ｎ^６−ジフェニル−Ｎ^１，Ｎ^６−ビス−（４−トリメチルシラニル−フェニル）−１Ｈ，８Ｈ−ピレン−１，６−ジアミンなどが挙げられる。

また、アントラセン系としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラフェニルアントラセン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（ｐ−トリル）アントラセン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（ｍ−トリル）アントラセン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−イソプロピルフェニル）アントラセン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）アントラセン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）アントラセン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）アントラセン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）アントラセン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−イソプロピルフェニル）アントラセン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）アントラセン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−イソプロピルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）アントラセン−９，１０−ジアミン、２，６−ジ−ｔ−ブチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（ｐ−トリル）アントラセン−９，１０−ジアミン、２，６−ジ−ｔ−ブチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−イソプロピルフェニル）アントラセン−９，１０−ジアミン、２，６−ジ−ｔ−ブチル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−イソプロピルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）アントラセン−９，１０−ジアミン、２，６−ジシクロヘキシル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−イソプロピルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）アントラセン−９，１０−ジアミン、２，６−ジシクロヘキシル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−イソプロピルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）アントラセン−９，１０−ジアミン、９，１０−ビス（４−ジフェニルアミノ−フェニル）アントラセン、９，１０−ビス（４−ジ（１−ナフチルアミノ）フェニル）アントラセン、９，１０−ビス（４−ジ（２−ナフチルアミノ）フェニル）アントラセン、１０−ジ−ｐ−トリルアミノ−９−（４−ジ−ｐ−トリルアミノ−１−ナフチル）アントラセン、１０−ジフェニルアミノ−９−（４−ジフェニルアミノ−１−ナフチル）アントラセン、１０−ジフェニルアミノ−９−（６−ジフェニルアミノ−２−ナフチル）アントラセンなどが挙げられる。

また、他には、［４−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）ナフタレン−１−イル］−ジフェニルアミン、［６−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）ナフタレン−２−イル］−ジフェニルアミン、４，４’−ビス［４−ジフェニルアミノナフタレン−１−イル］ビフェニル、４，４’−ビス［６−ジフェニルアミノナフタレン−２−イル］ビフェニル、４，４”−ビス［４−ジフェニルアミノナフタレン−１−イル］−ｐ−テルフェニル、４，４”−ビス［６−ジフェニルアミノナフタレン−２−イル］−ｐ−テルフェニルなどがあげられる。
また、特開2006-156888号公報などに記載された芳香族アミン誘導体を用いてもよい。

クマリン誘導体としては、クマリン−６、クマリン−３３４などがあげられる。
また、特開2004-43646号公報、特開2001-76876号公報、および特開平6-298758号公報などに記載されたクマリン誘導体を用いてもよい。

ピラン誘導体としては、下記のＤＣＭ、ＤＣＪＴＢなどがあげられる。
また、特開2005-126399号公報、特開2005-097283号公報、特開2002-234892号公報、特開2001-220577号公報、特開2001-081090号公報、および特開2001-052869号公報などに記載されたピラン誘導体を用いてもよい。

＜有機電界発光素子における電子注入層、電子輸送層＞
電子注入層１０７は、陰極１０８から移動してくる電子を、効率よく発光層１０５内または電子輸送層１０６内に注入する役割を果たすものである。電子輸送層１０６は、陰極１０８から注入された電子または陰極１０８から電子注入層１０７を介して注入された電子を、効率よく発光層１０５に輸送する役割を果たすものである。電子輸送層１０６および電子注入層１０７は、それぞれ、電子輸送・注入材料の一種または二種以上を積層、混合するか、電子輸送・注入材料と高分子結着剤の混合物により形成される。

電子注入・輸送層とは、陰極から電子が注入され、さらに電子を輸送することをつかさどる層であり、電子注入効率が高く、注入された電子を効率よく輸送することが望ましい。そのためには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。しかしながら、正孔と電子の輸送バランスを考えた場合に、陽極からの正孔が再結合せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止できる役割を主に果たす場合には、電子輸送能力がそれ程高くなくても、発光効率を向上させる効果は電子輸送能力が高い材料と同等に有する。したがって、本実施形態における電子注入・輸送層は、正孔の移動を効率よく阻止できる層の機能も含まれてもよい。

電子輸送層１０６または電子注入層１０７を形成する材料（電子輸送材料）としては、上記一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表される多環芳香族アミノ化合物を使用することができる。また、光導電材料において電子伝達化合物として従来から慣用されている化合物、有機電界発光素子の電子注入層および電子輸送層に使用されている公知の化合物の中から任意に選択して用いることができる。

電子輸送層または電子注入層に用いられる材料としては、炭素、水素、酸素、硫黄、ケイ素およびリンの中から選ばれる一種以上の原子で構成される芳香族環または複素芳香族環からなる化合物、ピロール誘導体およびその縮合環誘導体および電子受容性窒素を有する金属錯体の中から選ばれる少なくとも一種を含有することが好ましい。具体的には、ナフタレン、アントラセンなどの縮合環系芳香族環誘導体、４，４’−ビス（ジフェニルエテニル）ビフェニルに代表されるスチリル系芳香族環誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノンやジフェノキノンなどのキノン誘導体、リンオキサイド誘導体、カルバゾール誘導体およびインドール誘導体などがあげられる。電子受容性窒素を有する金属錯体としては、例えば、ヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体およびベンゾキノリン金属錯体などがあげられる。これらの材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用しても構わない。

また、他の電子伝達化合物の具体例として、ピリジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントロリン誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体（１，３−ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）１，３，４−オキサジアゾリル］フェニレンなど）、チオフェン誘導体、トリアゾール誘導体（Ｎ−ナフチル−２，５−ジフェニル−１，３，４−トリアゾールなど）、チアジアゾール誘導体、オキシン誘導体の金属錯体、キノリノール系金属錯体、キノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体のポリマー、ベンザゾール類化合物、ガリウム錯体、ピラゾール誘導体、パーフルオロ化フェニレン誘導体、トリアジン誘導体、ピラジン誘導体、ベンゾキノリン誘導体（２，２’−ビス（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレンなど）、イミダゾピリジン誘導体、ボラン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体（トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼンなど）、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、テルピリジンなどのオリゴピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、テルピリジン誘導体（１，３−ビス（４’−（２，２’：６’２”−テルピリジニル））ベンゼンなど）、ナフチリジン誘導体（ビス（１−ナフチル）−４−（１，８−ナフチリジン−２−イル）フェニルホスフィンオキサイドなど）、アルダジン誘導体、カルバゾール誘導体、インドール誘導体、リンオキサイド誘導体、ビススチリル誘導体などがあげられる。

また、電子受容性窒素を有する金属錯体を用いることもでき、例えば、キノリノール系金属錯体やヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体およびベンゾキノリン金属錯体などがあげられる。

上述した材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用しても構わない。

上述した材料の中でも、キノリノール系金属錯体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体またはボラン誘導体が好ましい。

キノリノール系金属錯体は、下記一般式（Ｅ−１）で表される化合物である。
式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は、それぞれ独立して、水素、フッ素、アルキル、アラルキル、アルケニル、シアノ、アルコキシまたはアリールであり、ＭはＬｉ、Ａｌ、Ｇａ、ＢｅまたはＺｎであり、ｎは１〜３の整数である。

キノリノール系金属錯体の具体例としては、８−キノリノールリチウム、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（３，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，５−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，６−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，３−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，４−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，５，６−テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリン）ベリリウムなどがあげられる。

ビピリジン誘導体は、下記一般式（Ｅ−２）で表される化合物である。
式中、Ｇは単なる結合手またはｎ価の連結基を表し、ｎは２〜８の整数である。また、ピリジン−ピリジンまたはピリジン−Ｇの結合に用いられない炭素は、アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシアノで置換されていてもよい。

一般式（Ｅ−２）のＧとしては、例えば、以下の構造式のものがあげられる。なお、下記構造式中のＲは、それぞれ独立して、水素、メチル、エチル、イソプロピル、シクロヘキシル、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、ビフェニリルまたはテルフェニリルである。

ピリジン誘導体の具体例としては、２，５−ビス（２，２’−ピリジン−６−イル）−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール、２，５−ビス（２，２’−ピリジン−６−イル）−１，１−ジメチル−３，４−ジメシチルシロール、２，５−ビス（２，２’−ピリジン−５−イル）−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール、２，５−ビス（２，２’−ピリジン−５−イル）−１，１−ジメチル−３，４−ジメシチルシロール、９，１０−ジ（２，２’−ピリジン−６−イル）アントラセン、９，１０−ジ（２，２’−ピリジン−５−イル）アントラセン、９，１０−ジ（２，３’−ピリジン−６−イル）アントラセン、９，１０−ジ（２，３’−ピリジン−５−イル）アントラセン、９，１０−ジ（２，３’−ピリジン−６−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，３’−ピリジン−５−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，２’−ピリジン−６−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，２’−ピリジン−５−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，４’−ピリジン−６−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，４’−ピリジン−５−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（３，４’−ピリジン−６−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（３，４’−ピリジン−５−イル）−２−フェニルアントラセン、３，４−ジフェニル−２，５−ジ（２，２’−ピリジン−６−イル）チオフェン、３，４−ジフェニル−２，５−ジ（２，３’−ピリジン−５−イル）チオフェン、６’，６”−ジ（２−ピリジル）２，２’：４’，４”：２”，２”’−クアテルピリジンなどがあげられる。

フェナントロリン誘導体は、下記一般式（Ｅ−３−１）または（Ｅ−３−２）で表される化合物である。
式中、Ｒ^１〜Ｒ^８は、それぞれ独立して、水素、アルキル（メチル、エチル、イソプロピル、ヒドロキシエチル、メトキシメチル、トリフルオロメチル、ｔ−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ベンジルなど）、アルキルオキシ（メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシなど）、アリールオキシ（フェノキシ、１−ナフチルオキシ、４−トリルオキシなど）、ハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素など）、アリール（フェニル、ナフチル、ｐ−トリル、ｐ−クロロフェニルなど）、アルキルチオ（メチルチオ、エチルチオ、イソプロピルチオなど）、アリールチオ（フェニルチオなど）、シアノ、ニトロ、複素環（ピロール、ピロリジル、ピラゾリル、イミダゾリル、ピリジル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、ベンゾオキサゾリルなど）などが挙げられ、好ましくはアルキルまたはハロゲンであり、より好ましくは、メチル、エチル、イソプロピルまたはフッ素であり、隣接する基は互いに結合して縮合環を形成してもよく、Ｇは単なる結合手またはｎ価の連結基を表し、ｎは２〜８の整数である。また、一般式（Ｅ−３−２）のＧとしては、例えば、ビピリジン誘導体の欄で説明したものと同じものがあげられる。

フェナントロリン誘導体の具体例としては、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、９，１０−ジ（１，１０−フェナントロリン−２−イル）アントラセン、２，６−ジ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）ピリジン、１，３，５−トリ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）ベンゼン、９，９’−ジフルオロ−ビ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）、バソクプロインや１，３−ビス（２−フェニル−１，１０−フェナントロリン−９−イル）ベンゼンなどがあげられる。

特に、フェナントロリン誘導体を電子輸送層、電子注入層に用いた場合について説明する。長時間にわたって安定な発光を得るには、熱的安定性や薄膜形成性に優れた材料が望まれ、フェナントロリン誘導体の中でも、置換基自身が三次元的立体構造を有するか、フェナントロリン骨格とのまたは隣接置換基との立体反発により三次元的立体構造を有するもの、または複数のフェナントロリン骨格を連結したものが好ましい。さらに、複数のフェナントロリン骨格を連結する場合、連結ユニット中に共役結合、置換または無置換の芳香族炭化水素、置換または無置換の芳香複素環を含んでいる化合物がより好ましい。

ボラン誘導体は、下記一般式（Ｅ−４）で表される化合物であり、詳細には特開2007-27587号公報に開示されている。
式中、Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ^１３〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｘは、置換されていてもよいアリーレンであり、Ｙは、置換されていてもよい炭素数１６以下のアリール、置換されているボリル、または置換されていてもよいカルバゾリルであり、そして、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。また、「置換されていてもよい」または「置換されている」場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリールまたはアルキルなどが挙げられる。

上記一般式（Ｅ−４）で表される化合物の中でも、下記一般式（Ｅ−４−１）で表される化合物、さらに下記一般式（Ｅ−４−１−１）〜（Ｅ−４−１−４）で表される化合物が好ましい。具体例としては、９−［４−（４−ジメシチルボリルナフタレン−１−イル）フェニル］カルバゾール、９−［４−（４−ジメシチルボリルナフタレン−１−イル）ナフタレン−１−イル］カルバゾールなどがあげられる。
式中、Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ^１３〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｒ^２１およびＲ^２２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｘ^１は、置換されていてもよい炭素数２０以下のアリーレンであり、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数であり、そして、ｍはそれぞれ独立して０〜４の整数である。また、「置換されていてもよい」または「置換されている」場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリールまたはアルキルなどが挙げられる。

各式中、Ｒ^３１〜Ｒ^３４は、それぞれ独立して、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかであり、そして、Ｒ^３５およびＲ^３６は、それぞれ独立して、水素、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかである。

上記一般式（Ｅ−４）で表される化合物の中でも、下記一般式（Ｅ−４−２）で表される化合物、さらに下記一般式（Ｅ−４−２−１）で表される化合物が好ましい。
式中、Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ^１３〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｘ^１は、置換されていてもよい炭素数２０以下のアリーレンであり、そして、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。また、「置換されていてもよい」または「置換されている」場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリールまたはアルキルなどが挙げられる。

式中、Ｒ^３１〜Ｒ^３４は、それぞれ独立して、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかであり、そして、Ｒ^３５およびＲ^３６は、それぞれ独立して、水素、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかである。

上記一般式（Ｅ−４）で表される化合物の中でも、下記一般式（Ｅ−４−３）で表される化合物、さらに下記一般式（Ｅ−４−３−１）または（Ｅ−４−３−２）で表される化合物が好ましい。
式中、Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ^１３〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｘ^１は、置換されていてもよい炭素数１０以下のアリーレンであり、Ｙ^１は、置換されていてもよい炭素数１４以下のアリールであり、そして、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。また、「置換されていてもよい」または「置換されている」場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリールまたはアルキルなどが挙げられる。

各式中、Ｒ^３１〜Ｒ^３４は、それぞれ独立して、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかであり、そして、Ｒ^３５およびＲ^３６は、それぞれ独立して、水素、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかである。

ベンゾイミダゾール誘導体は、下記一般式（Ｅ−５）で表される化合物である。
式中、Ａｒ^１〜Ａｒ^３はそれぞれ独立に水素または置換されてもよい炭素数６〜３０のアリールである。「置換されていてもよい」場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシアノなどが挙げられる。特に、Ａｒ^１が、アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシアノで置換されてもよいアントリルであるベンゾイミダゾール誘導体が好ましい。

炭素数６〜３０のアリールの具体例は、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、アセナフチレン−１−イル、アセナフチレン−３−イル、アセナフチレン−４−イル、アセナフチレン−５−イル、フルオレン−１−イル、フルオレン−２−イル、フルオレン−３−イル、フルオレン−４−イル、フルオレン−９−イル、フェナレン−１−イル、フェナレン−２−イル、１−フェナントリル、２−フェナントリル、３−フェナントリル、４−フェナントリル、９−フェナントリル、１−アントリル、２−アントリル、９−アントリル、フルオランテン−１−イル、フルオランテン−２−イル、フルオランテン−３−イル、フルオランテン−７−イル、フルオランテン−８−イル、トリフェニレン−１−イル、トリフェニレン−２−イル、ピレン−１−イル、ピレン−２−イル、ピレン−４−イル、クリセン−１−イル、クリセン−２−イル、クリセン−３−イル、クリセン−４−イル、クリセン−５−イル、クリセン−６−イル、ナフタセン−１−イル、ナフタセン−２−イル、ナフタセン−５−イル、ペリレン−１−イル、ペリレン−２−イル、ペリレン−３−イル、ペンタセン−１−イル、ペンタセン−２−イル、ペンタセン−５−イル、ペンタセン−６−イルである。

ベンゾイミダゾール誘導体の具体例は、１−フェニル−２−（４−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）フェニル）−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（４−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（３−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、５−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）−１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、１−（４−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、１−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、５−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）−１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾールである。

電子輸送層または電子注入層には、さらに、電子輸送層または電子注入層を形成する材料を還元できる物質を含んでいてもよい。この還元性物質は、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを好適に使用することができる。

好ましい還元性物質としては、Ｎａ（仕事関数２．３６ｅＶ）、Ｋ（同２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（同２．１６ｅＶ）またはＣｓ（同１．９５ｅＶ）などのアルカリ金属や、Ｃａ（同２．９ｅＶ）、Ｓｒ（同２．０〜２．５ｅＶ）またはＢａ（同２．５２ｅＶ）などのアルカリ土類金属が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性物質は、Ｋ、ＲｂまたはＣｓのアルカリ金属であり、さらに好ましくはＲｂまたはＣｓであり、最も好ましいのはＣｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性物質として、これら二種以上のアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂ、またはＣｓとＮａとＫとの組み合わせが好ましい。Ｃｓを含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。

＜有機電界発光素子における陰極＞
陰極１０８は、電子注入層１０７および電子輸送層１０６を介して、発光層１０５に電子を注入する役割を果たすものである。

陰極１０８を形成する材料としては、電子を有機層に効率よく注入できる物質であれば特に限定されないが、陽極１０２を形成する材料と同様のものを用いることができる。なかでも、スズ、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金、鉄、亜鉛、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウムおよびマグネシウムなどの金属またはそれらの合金（マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、フッ化リチウム／アルミニウムなどのアルミニウム−リチウム合金など）などが好ましい。電子注入効率をあげて素子特性を向上させるためには、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかしながら、これらの低仕事関数金属は一般に大気中で不安定であることが多い。この点を改善するために、例えば、有機層に微量のリチウム、セシウムやマグネシウムをドーピングして、安定性の高い電極を使用する方法が知られている。その他のドーパントとしては、フッ化リチウム、フッ化セシウム、酸化リチウムおよび酸化セシウムのような無機塩も使用することができる。ただし、これらに限定されるものではない。

さらに、電極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、スズ、アルミニウムおよびインジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チタニアおよび窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビニル、炭化水素系高分子化合物などを積層することが、好ましい例としてあげられる。これらの電極の作製法も、抵抗加熱、電子ビーム蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングおよびコーティングなど、導通を取ることができれば特に制限されない。

＜各層で用いてもよい結着剤＞
以上の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層に用いられる材料は単独で各層を形成することができるが、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キシレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用いることも可能である。

＜有機電界発光素子の作製方法＞
有機電界発光素子を構成する各層は、各層を構成すべき材料を蒸着法、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、印刷法、スピンコート法またはキャスト法、コーティング法などの方法で薄膜とすることにより、形成することができる。このようにして形成された各層の膜厚については特に限定はなく、材料の性質に応じて適宜設定することができるが、通常２ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲である。膜厚は通常、水晶発振式膜厚測定装置などで測定できる。蒸着法を用いて薄膜化する場合、その蒸着条件は、材料の種類、膜の目的とする結晶構造および会合構造などにより異なる。蒸着条件は一般的に、蒸着用ルツボの加熱温度＋５０〜＋４００℃、真空度１０^−６〜１０^−３Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−１５０〜＋３００℃、膜厚２ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜設定することが好ましい。

次に、有機電界発光素子を作製する方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料とドーパント材料からなる発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機電界発光素子の作製法について説明する。適当な基板上に、陽極材料の薄膜を蒸着法などにより形成させて陽極を作製した後、この陽極上に正孔注入層および正孔輸送層の薄膜を形成させる。この上にホスト材料とドーパント材料を共蒸着し薄膜を形成させて発光層とし、この発光層の上に電子輸送層、電子注入層を形成させ、さらに陰極用物質からなる薄膜を蒸着法などにより形成させて陰極とすることにより、目的の有機電界発光素子が得られる。なお、上述の有機電界発光素子の作製においては、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。

このようにして得られた有機電界発光素子に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として印加すればよく、電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、透明または半透明の電極側（陽極または陰極、および両方）より発光が観測できる。また、この有機電界発光素子は、パルス電流や交流電流を印加した場合にも発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

＜有機電界発光素子の応用例＞
また、本発明は、有機電界発光素子を備えた表示装置または有機電界発光素子を備えた照明装置などにも応用することができる。
有機電界発光素子を備えた表示装置または照明装置は、本実施形態にかかる有機電界発光素子と公知の駆動装置とを接続するなど公知の方法によって製造することができ、直流駆動、パルス駆動、交流駆動など公知の駆動方法を適宜用いて駆動することができる。

表示装置としては、例えば、カラーフラットパネルディスプレイなどのパネルディスプレイ、フレキシブルカラー有機電界発光（ＥＬ）ディスプレイなどのフレキシブルディスプレイなどがあげられる（例えば、特開平10-335066号公報、特開2003-321546号公報、特開2004-281086号公報など参照）。また、ディスプレイの表示方式としては、例えば、マトリクスおよび／またはセグメント方式などがあげられる。なお、マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。

マトリクスとは、表示のための画素が格子状やモザイク状など二次元的に配置されたものをいい、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状やサイズは用途によって決まる。例えば、パソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が３００μｍ以下の四角形の画素が用いられ、また、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリックスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。

セグメント方式（タイプ）では、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決められた領域を発光させることになる。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示および自動車のパネル表示などがあげられる。

照明装置としては、例えば、室内照明などの照明装置、液晶表示装置のバックライトなどがあげられる（例えば、特開2003-257621号公報、特開2003-277741号公報、特開2004-119211号公報など参照）。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途のバックライトとしては、従来方式のものが蛍光灯や導光板からなっているため薄型化が困難であることを考えると、本実施形態に係る発光素子を用いたバックライトは薄型で軽量が特徴になる。

４．その他の有機デバイス
本発明に係る多環芳香族アミノ化合物は、上述した有機電界発光素子の他に、有機電界効果トランジスタまたは有機薄膜太陽電池などの作製に用いることができる。

有機電界効果トランジスタは、電圧入力によって発生させた電界により電流を制御するトランジスタのことであり、ソース電極とドレイン電極の他にゲート電極が設けられている。ゲート電極に電圧を印加すると電界が生じ、ソース電極とドレイン電極間を流れる電子（あるいはホール）の流れを任意にせき止めて電流を制御することができるものである。電界効果トランジスタは、単なるトランジスタ（バイポーラトランジスタ）に比べて小型化が容易であり、集積回路などを構成する素子としてよく用いられている。

有機電界効果トランジスタの構造は、通常、本発明に係る多環芳香族アミノ化合物を用いて形成される有機半導体活性層に接してソース電極およびドレイン電極が設けられており、さらに有機半導体活性層に接した絶縁層（誘電体層）を挟んでゲート電極が設けられていればよい。その素子構造としては、例えば以下の構造があげられる。
（１）基板／ゲート電極／絶縁体層／ソース電極・ドレイン電極／有機半導体活性層
（２）基板／ゲート電極／絶縁体層／有機半導体活性層／ソース電極・ドレイン電極
（３）基板／有機半導体活性層／ソース電極・ドレイン電極／絶縁体層／ゲート電極
（４）基板／ソース電極・ドレイン電極／有機半導体活性層／絶縁体層／ゲート電極
このように構成された有機電界効果トランジスタは、アクティブマトリックス駆動方式の液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの画素駆動スイッチング素子等として適用できる。

有機薄膜太陽電池は、ガラスなどの透明基板上にＩＴＯなどの陽極、ホール輸送層、光電変換層、電子輸送層、陰極が積層された構造を有する。光電変換層は陽極側にｐ型半導体層を有し、陰極側にｎ型半導体層を有している。本発明に係る多環芳香族化合物は、その物性に応じて、ホール輸送層、ｐ型半導体層、ｎ型半導体層、電子輸送層の材料として用いることが可能である。本発明に係る多環芳香族アミノ化合物は、有機薄膜太陽電池においてホール輸送材料や電子輸送材料として機能しうる。有機薄膜太陽電池は、上記の他にホールブロック層、電子ブロック層、電子注入層、ホール注入層、平滑化層などを適宜備えていてもよい。有機薄膜太陽電池には、有機薄膜太陽電池に用いられる既知の材料を適宜選択して組み合わせて用いることができる。

以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない。まず、多環芳香族アミノ化合物の合成例について、以下に説明する。

合成例（１）
式（１Ａ−１）の化合物：Ｎ^５，Ｎ^５，Ｎ^１３，Ｎ^１３−テトラフェニル−７，１１−ジオキサ−１７ｃ−ボラフェナントロ［２，３，４−ｎｏ］テトラフェン−５，１３−ジアミンの合成

＜４−（ジフェニルアミノ）ナフタレン−２−オールの合成＞
窒素雰囲気下、ジフェニルアミン（２２．３ｇ）、４−ブロモナフタレン−２−オール（２８．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（ジョンソン・マッセイ）（０．９ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（３０．０ｇ）およびトルエン（２５２ｍｌ）の入ったフラスコを加熱し、４時間還流した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。更にシリカゲルカラム（溶離液：トルエン）で精製し、中間体化合物の４−（ジフェニルアミノ）ナフタレン−２−オールを３５ｇ（収率：８９．５％）得た。

＜３，３’−（（２−ブロモ−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミン）の合成＞
窒素雰囲気下、４−（ジフェニルアミノ）ナフタレン−２−オール（１６．０ｇ）、２−ブロモ−１，３−ジフルオロベンゼン（５．０ｇ）、炭酸カリウム（１７．８ｇ）および１−メチル−２−ピロリドン（３０ｍｌ）の入ったフラスコを、還流温度で８時間加熱撹拌した。反応停止後、反応液を室温まで冷却し、水を加えて析出した沈殿物を吸引ろ過にて採取した。得られた沈殿物を水、次いでメタノールで洗浄した後、シリカゲルカラム（溶離液：へプタン／トルエン＝２／１（容量比））で精製して、中間体化合物の３，３’−（（２−ブロモ−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミン）を１５．２ｇ（収率：７６.２％）得た。

＜ジメチル（２，６−ビス（（４−（ジフェニルアミノ）ナフタレン−２−イル）オキシ）フェニル）ボロネートの合成＞
窒素雰囲気下、３，３’−（（２−ブロモ−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミン）（８.６ｇ）およびテトラヒドロフラン（５２ｍｌ）をフラスコに入れ、−４０℃まで冷却し、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（８ｍｌ）を滴下した。滴下終了後、この温度で１時間撹拌した後、トリメチルボレート（１．７ｇ）を加えた。室温まで昇温して２時間撹拌した。その後、水（１００ｍｌ）をゆっくり滴下した。次に、反応混合液を酢酸エチルで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、乾燥剤を除去して、中間体化合物のジメチル（２，６−ビス（（４−ジフェニルアミノ）ナフタレン−２−イル）オキシ）フェニル）ボロネートを８．５ｇ（収率：９９．４％）得た。

＜式（１Ａ−１）の化合物の合成＞
窒素雰囲気下、ジメチル（２，６−ビス（（４−ジフェニルアミノ）ナフタレン−２−イル）オキシ）フェニル）ボロネート（７．９ｇ）、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ_３）（１３．７ｇ）およびクロロベンゼン（５０ｍｌ）をフラスコに入れて５分間攪拌した。その後、Ｎ−エチルジイソプロピルアミン（１６.７ｇ）を加え、１２５℃で１時間加熱撹拌した。加熱終了後に反応液を冷却し、氷水（５０ｍｌ）を添加した。その後、反応混合液をトルエンで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、乾燥剤を除去し、溶媒を減圧留去して得られた粗製品をシリカゲルでカラム精製（溶離液：ヘプタン／トルエン＝３／１（容量比））を行った後、ヘプタンで再沈殿を行った。次にＮＨ２シリカゲルでカラム精製（溶離液：ヘプタン／トルエン＝１／１（容量比））を行い、更に昇華精製をして、目的化合物（１Ａ−１）を０.８ｇ（収率：１１％）得た。

ＭＳスペクトルおよびＮＭＲ測定により目的化合物（１Ａ−１）の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝８．００（ｄ，２Ｈ）、７．８８（ｄ，２Ｈ）、７．７０（ｔ，１Ｈ）、７．４７（ｓ，２Ｈ）、７．３１〜７．２２（ｍ，１２Ｈ）、７．１８〜７．１６（ｍ，８Ｈ）、７．０９〜７．０４（ｍ，６Ｈ）．

合成例（２）
式（１Ａ−１７３）の化合物：Ｎ^５，Ｎ^５，Ｎ^１３，Ｎ^１３，８，１０−ヘキサフェニル−７，１１−ジオキサ−１７ｃ−ボラフェナントロ［２，３，４−ｎｏ］テトラフェン−５，１３−ジアミンの合成

＜３，３’−（（５’−ブロモ−［１，１’:３’，１”−テルフェニル］−４’，６’−ジイル）ビス（オキシ））ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミン）の合成＞
窒素雰囲気下、４−（ジフェニルアミノ）ナフタレン−２−オール（１６．１ｇ）、５’−ブロモ−４’，６’−ジフルオロ−１，１’:３’，１”−テルフェニル（８．５ｇ）、炭酸カリウム（１３．６ｇ）および１−メチル−２−ピロリドン（４３ｍｌ）の入ったフラスコを、還流温度で３時間加熱撹拌した。反応停止後、反応液を室温まで冷却し、水を加えて析出した沈殿物を吸引ろ過にて採取した。得られた沈殿物を水、次いでメタノールで洗浄した後、シリカゲルショートカラム（溶離液：トルエン）で精製した。次に、酢酸エチルで再沈殿を行い、中間体化合物の３，３’−（（５’−ブロモ−［１，１’:３’，１”−テルフェニル］−４’，６’−ジイル）ビス（オキシ））ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミン）を２２．６ｇ（収率：９８．９％）得た。

＜式（１Ａ−１７３）の化合物の合成＞
窒素雰囲気下、３，３’−（（５’−ブロモ−［１，１’:３’，１”−テルフェニル］−４’，６’−ジイル）ビス（オキシ））ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミン）（１３．０ｇ）およびキシレン（６５ｍｌ）の入ったフラスコを−４０℃まで冷却し、２．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（６ｍｌ）を滴下した。滴下終了後、この温度で０．５時間撹拌した後、６０℃まで昇温して２時間撹拌した。その後、反応液を減圧して低沸点の成分を留去した後、−４０℃まで冷却して三臭化ホウ素（４．６ｇ）を加えた。室温まで昇温して０．５時間撹拌した後、０℃まで冷却してＮ−エチルジイソプロピルアミン（４．０ｇ）を添加し、１２５℃で５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、酢酸ナトリウム水溶液を加えて反応を停止させた後、トルエンを加えて分液した。有機層をシリカゲルショートパスカラム（溶離液：トルエン）、次いでシリカゲルカラム（溶離液：へプタン／トルエン＝２／１（容量比））で精製した後、ヘプタンで再沈殿を行い、更に昇華精製をして、目的化合物（１Ａ−１７３）を２．５ｇ（収率：２１％）得た。

ＭＳスペクトルおよびＮＭＲ測定により目的化合物（１Ａ−１７３）の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝８．００（ｄ，２Ｈ）、７．９１（ｓ，１Ｈ）、７．８９（ｄ，２Ｈ）、７．７８（ｄｄ，４Ｈ）、７．４９（ｔ，４Ｈ）、７．４３（ｓ，２Ｈ）、７．３９（ｔ，２Ｈ）、７．２９〜７．２３（ｍ，１０Ｈ）、７．１７〜７．１４（ｍ，８Ｈ）、７．０９〜７．０１（ｍ，６Ｈ）．

合成例（３）
式（１Ａ−１５３）の化合物：９−メチル−Ｎ^５，Ｎ^５，Ｎ^１３，Ｎ^１３−テトラフェニル−７，１１−ジオキサ−１７ｃ−ボラフェナントロ［２，３，４−ｎｏ］テトラフェン−５，１３−ジアミンの合成

＜３，３’−（（５−メチル−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミン）の合成＞
窒素雰囲気下、４−（ジフェニルアミノ）ナフタレン−２−オール（２９．２ｇ）、１，３−ジフルオロ−５−メチルベンゼン（６．０ｇ）、リン酸三カリウム（４９．７ｇ）および１−メチル−２−ピロリドン（６０ｍｌ）の入ったフラスコを還流温度で１８時間加熱撹拌した。反応停止後、反応液を室温まで冷却し、水を加えて析出した沈殿物を吸引ろ過にて採取した。得られた沈殿物を水、次いでメタノールで洗浄した後、シリカゲルカラム（溶離液：トルエン／ヘプタン＝１／２（容量比））で精製し、中間体化合物の３，３’−（（５−メチル−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミン）を２０ｇ（収率：６０％）得た。

＜式（１Ａ−１５３）の化合物の合成＞
窒素雰囲気下、３，３’−（（５−メチル−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミン）（１９．０ｇ）およびキシレン（１３３ｍｌ）の入ったフラスコを０℃まで冷却し、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１８.４ｍｌ）を滴下した。滴下終了後、この温度で０．５時間撹拌した後、８０℃まで昇温して１時間撹拌した。その後、反応液を減圧して低沸点の成分を留去した後、−３０℃まで冷却して三臭化ホウ素（１０．０ｇ）を加えた。室温まで昇温して０．５時間撹拌した後、０℃まで冷却してＮ−エチルジイソプロピルアミン（４．０ｇ）を添加し、室温で１０分間撹拌した。次に、塩化アルミニウム（７．１ｇ）を加え、１００℃で６時間加熱した。反応液を室温まで冷却し、酢酸カリウム水溶液を加えて反応を停止させた後、酢酸エチルを加えて分液した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、乾燥剤を除去し、溶媒を減圧留去して得られた粗製品をＮＨ２シリカゲルでカラム精製（溶離液：酢酸エチル→トルエン）を行った。次に、シリカゲルカラム（溶離液：トルエン／ヘプタン＝１／３（容量比））で精製し、更に昇華精製をして、目的化合物（１Ａ−１５３）を１．２ｇ（収率：６％）得た。

ＭＳスペクトルおよびＮＭＲ測定により目的化合物（１Ａ−１５３）の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝８．００（ｄ，２Ｈ）、７．８９（ｄ，２Ｈ）、７．４５（ｓ，２Ｈ）、７．３０〜７．１６（ｍ，１８Ｈ）、７．０８〜７．０３（ｍ，８Ｈ）、２．５５（ｓ，３Ｈ）．

合成例（４）
式（１Ｂ−９２）の化合物：７−（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）―（Ｎ，Ｎ，１０−トリフェニル−７Ｈ−３−オキサ−７−アザ−１１ｂ−ボラフェナントロ［３，２，１−ｎｏ］テトラフェン−１−アミンの合成

＜３−（３−ブロモ−２−クロロフェノキシ）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミンの合成＞
窒素雰囲気下、４−（ジフェニルアミノ）ナフタレン−２−オール（３２．０ｇ）、１−ブロモ−２−クロロ−３−フルオロベンゼン（２３．７ｇ）、炭酸カリウム（３５．５ｇ）および１−メチル−２−ピロリドン（１６０ｍｌ）の入ったフラスコを、還流温度で３時間加熱撹拌した。反応停止後、反応液を室温まで冷却し、水を加えて析出した沈殿物を吸引ろ過にて採取した。得られた沈殿物を水、次いでメタノールで洗浄した後、シリカゲルカラム（溶離液：トルエン／へプタン＝１／５（容量比））で精製して、中間体化合物の３−（３−ブロモ−２−クロロフェノキシ）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミンを４６．５ｇ（収率：９０．３％）得た。

＜３−（２−クロロ−３−（ジ（［１,１’−ビフェニル］−４−イル）アミノ）フェノキシ）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミンの合成＞
窒素雰囲気下、３−（３−ブロモ−２−クロロフェノキシ）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミン（１５．０ｇ）、ジ（［１,１’−ビフェニル］−４−イル）アミン（９．６ｇ）、Ｐｄ−１３２（ジョンソン・マッセイ）（０．６４ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（７．２ｇ）およびキシレン（７５ｍｌ）の入ったフラスコを１００℃で２時間加熱した。反応液を室温まで冷却した後、水およびトルエンを加えて分液した。更にシリカゲルカラム（溶離液：トルエン／へプタン＝１/２（容量比））で精製して、中間体化合物の３−（２−クロロ−３−（ジ（［１,１’−ビフェニル］−４−イル）アミノ）フェノキシ）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミンを１９．６ｇ（収率：８８．３％）を得た。

＜４−（３−（ジ（［１,１’−ビフェニル］−４−イル）アミノ）−２−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェノキシ）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミンの合成＞
窒素雰囲気下で、３−（２−クロロ−３−（ジ（［１,１’−ビフェニル］−４−イル）アミノ）フェノキシ）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミン（４．０ｇ）およびキシレン（３０ｍｌ）の入ったフラスコを０℃まで冷却した後、２．６Ｍのｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（４．２ｍｌ）を加えた。７０℃まで昇温し、１時間撹拌した。その後、フラスコを−２０℃まで冷却し、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（^ｉＰｒＯ−ＢＰｉｎ）（３．０ｇ）を加え、室温で２時間攪拌した後、水およびトルエンを加えて分液した。更にシリカゲルカラム（溶離液：トルエン／へプタン＝１／１（容量比））で精製して、中間体化合物の４−（３−（ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）アミノ）−２−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェノキシ）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミンを３．１ｇ（収率：６９．０％）得た。

＜式（１Ｂ−９２）の化合物の合成＞
４−（３−（ジ（［１,１’−ビフェニル］−４−イル）アミノ）−２−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェノキシ）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−１−アミン（０．８ｇ）、塩化アルミニウム（１．３ｇ）およびトルエン（８ｍｌ）をフラスコに入れて３分間攪拌した。その後、Ｎ−エチルジイソプロピルアミン（０．２５ｇ）を加え、１２０℃で２時間撹拌した。加熱終了後に反応液を冷却した後、氷浴で冷却しながら、反応液を氷水（２０ｍｌ）と酢酸エチル（２０ｍｌ）との混合溶液に加え、３０分間攪拌した。その後、反応混合液の有機層をシリカゲルショートパスカラム（溶離液：トルエン）、次いでシリカゲルカラム（溶離液：トルエン／へプタン＝１／２（容量比））で精製した。さらに、ＮＨ２シリカゲルでカラム精製（溶離液：トルエン／ヘプタン＝２／１（容量比））を行い、目的化合物（１Ｂ−９２）を０．１ｇ（収率：１４．５％）得た。

ＭＳスペクトルおよびＮＭＲ測定により目的化合物（１Ｂ−９２）の構造を確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝９．１０（ｄ，１Ｈ）、８．９２（ｓ，１Ｈ）、８．０４（ｄ，１Ｈ）、７．９６（ｄ，２Ｈ）、７．７８〜７．７３（ｍ，３Ｈ）、７．６６（ｄ，２Ｈ）、７．５６〜７．３７（ｍ，１０Ｈ）、７．２９〜７．２４（ｍ，５Ｈ）、７．１７〜７．１５（ｍ，５Ｈ）、７．０５〜７．０１（ｍ，４Ｈ）、６．５２（ｄ，１Ｈ）．

原料の化合物を適宜変更することにより、上述した合成例に準じた方法で、本発明の他の多環芳香族アミノ化合物を合成することができる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために各実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＜蛍光量子収率測定＞
式（１Ａ−１）、式（１Ａ−１７３）、式（１Ａ−１５３）で表される化合物および比較例の化合物の蛍光量子収率を測定した。蛍光量子収率測定は、評価対象の化合物を市販のＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）樹脂に分散後、薄膜化して評価する手法にて行った。

まず、次のようにして３重量％（試料：ＰＭＭＡ＝３：９７［重量比］）のＰＭＭＡ分散膜サンプルを調製した。ＰＭＭＡ樹脂（４００ｍｇ）をトルエン（２．４ｍＬ）に溶解させた溶液に、試料をそれぞれＰＭＭＡ樹脂に対して３重量％になるように溶解させた。この溶液を合成石英基板（１０ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍｔ）上にスピンコーティング法（３０００ｒｍｐ×２０秒間）により塗布した。この基板をホットプレート（９０℃×１０分間）上で乾燥後、更に真空デシゲーター中で加熱することで残留溶剤を減圧留去（１ｋＰａ以下×９０℃×１時間）し、ＰＭＭＡ分散膜サンプルを得た。

測定装置は、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置Ｃ９９２０−０２Ｇを使用した。励起光源はＸｅランプ分光光源１５０Ｗを用い、励起光は３２０ｎｍの単色光を用いた。

Japanese Journal of Applied Physics Vol.43, No.11A, 2004, pp. 7729-7730.によれば、蛍光量子収率η_ＰＬは以下の式で与えられる。
Ｎ_emissionは材料から放出されたフォトン数、Ｎ_Absorptionは材料が吸収したフォトン数であり、蛍光量子収率はその比として求められる。ここで、αは測定系の補正係数、λは波長、ｈはプランク定数、ｃは光速、Ｉ_ｅｍ（λ）はサンプルの発光強度、Ｉ_ｅｘ（λ）はサンプルを設置する前の励起光強度、Ｉ’_ｅｘ（λ）はサンプルへ励起光を照射した時に観測される励起光強度である。Ｉ_ｅｍとＩ’_ｅｘ＋Ｉ_ｅｍとの２つのスペクトル観測を行うことで、蛍光量子収率の測定が可能である。

測定にはＰＭＭＡ分散膜サンプルと同様の合成石英基板をブランク基板とした。ブランク基板を絶対ＰＬ量子収率用のサンプルホルダにセットし、Ｉ_ｅｘ（λ）の測定を行った。サンプルホルダよりブランク基板を取り外し、ＰＭＭＡ分散膜サンプルをセットし、Ｉ’_ｅｘ（λ）＋Ｉ_ｅｍ（λ）の観測を行った。

蛍光量子収率の測定結果を表１に示した。なお、表２Ａおよび表２Ｂは比較例化合物の蛍光量子収率を本発明の化合物と同じ方法で測定した結果であり、国際公開第２０１５／１０２１１８号公報に記載された化合物構造およびその化合物番号と共に載せている。

＜有機ＥＬ素子の評価（１）＞
実施例１〜３および比較例１〜１１に係る有機ＥＬ素子を作製し、それぞれ１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性である電圧（Ｖ）、ＥＬ発光波長（ｎｍ）および外部量子効率（％）の測定し、次に１０ｍＡ/ｃｍ^２の電流密度で定電流駆動した際の初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間を測定した。

作製した有機ＥＬ素子における、各層の材料構成を下記表３に示す。なお、比較例１〜１０におけるドーパント材料は全て国際公開第２０１５／１０２１１８号公報に開示された公知化合物である。

表において、「ＨＩ」はＮ^４，Ｎ^４’−ジフェニル−Ｎ^４，Ｎ^４’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、「ＨＡＴ−ＣＮ」は１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル、「ＨＴ」はＮ−（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−Ｎ−（４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、「ＢＨ１」は９−フェニル−１０−（４−フェニルナフタレン−１−イル）アントラセン、「ＥＴ５」は９−（７−（ジメシチルボリル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−３，６−ジメチル−９Ｈ−カルバゾール、「ＥＴ６」は５，５’−（（２−フェニルアントラセン−９，１０−ジイル）ビス（３，１−フェニレン））ビス（３−メチルピリジン）である。「Ｌｉｑ」と共に以下に化学構造を示す。

＜実施例１＞
＜化合物（１Ａ−１７３）を発光層のドーパントに用いた素子＞
スパッタリングにより１８０ｎｍの厚さに製膜したＩＴＯを１５０ｎｍまで研磨した、２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板（（株）オプトサイエンス）を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置（（株）長州産業）の基板ホルダーに固定し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ、ＢＨ１、本発明の化合物（１Ａ−１７３）、ＥＴ５およびＥＴ６のぞれぞれを入れたタンタル製蒸着用ルツボ、Ｌｉｑ、マグネシウムおよび銀のそれぞれを入れた窒化アルミニウム製蒸着用ルツボを装着した。

透明支持基板のＩＴＯ膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を２．０×１０^−４Ｐａまで減圧し、まず、ＨＩを加熱して膜厚４０ｎｍになるように蒸着し、次いで、ＨＡＴ−ＣＮを加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着し、更にＨＴを加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着することで３層からなる正孔注入層および正孔輸送層を形成した。次に、ＢＨ１と本発明の化合物（１Ａ−１７３）を同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して発光層を形成した。ＢＨ１と本発明の化合物（１Ａ−１７３）の重量比がおよそ９８対２になるように蒸着速度を調節した。次に、ＥＴ５を加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着し、１層目の電子輸送層とした。次いで、ＥＴ６とＬｉｑを同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して２層目の電子輸送層を形成した。ＥＴ６とＬｉｑの重量比がおよそ１：１になるように蒸着速度を調節した。各層の蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／秒であった。

その後、Ｌｉｑを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着した。次いで、マグネシウムと銀を同時に加熱して、膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成し、有機電界発光素子を得た。このとき、マグネシウムと銀の原子数比が１０対１となるように０．１ｎｍ〜１０ｎｍ／秒の間で蒸着速度を調節した。

ＩＴＯ電極を陽極、Ｌｉｑ／マグネシウム＋銀電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定すると、駆動電圧は４．２５Ｖ、外部量子効率は６．１％（波長約４６８ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１２５，０．１７０）であった。また、１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で定電流駆動試験を実施した結果、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は２２３時間であった。

＜実施例２＞
＜化合物（１Ａ−１７３）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層において、ＢＨ１と本発明の化合物（１Ａ−１７３）の重量比をおよそ９５対５になるように蒸着速度を調節した以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は３．９５Ｖ、外部量子効率は６．７％（波長約４７０ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１２２，０．１８１）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は２７０時間であった。

＜実施例３＞
＜化合物（１Ａ−１）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１７３）を化合物（１Ａ−１）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は４．２５Ｖ、外部量子効率は６．０％（波長約４６５ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１２８，０．１４３）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は１８０時間であった。

＜比較例１＞
＜公知化合物（１−１０）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１７３）を公知化合物（１−１０）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は５．４０Ｖ、外部量子効率は２．０％（波長約４４５ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１５１，０．０７５）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は３１時間であった。

＜比較例２＞
＜公知化合物（１−１００）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１７３）を公知化合物（１−１００）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は４．７２Ｖ、外部量子効率は２．８％（波長約４５６ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１４４，０．０９２）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は５７時間であった。

＜比較例３＞
＜公知化合物（１−１４１）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１７３）を公知化合物（１−１４１）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は３．８１Ｖ、外部量子効率は４．３％（波長約５１０ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．２１７，０．５３７）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は８７時間であった。

＜比較例４＞
＜公知化合物（１−１７６）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１７３）を公知化合物（１−１７６）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は４．８８Ｖ、外部量子効率は２．９％（波長約４４９ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１５０，０．０６３）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は２７時間であった。

＜比較例５＞
＜公知化合物（１−４４７）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１７３）を公知化合物（１−４４７）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は４．８９Ｖ、外部量子効率は４．２％（波長約４４９ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１４６，０．０４８）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は７２時間であった。

＜比較例６＞
＜公知化合物（１−４０１）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１７３）を公知化合物（１−４０１）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は３．９７Ｖ、外部量子効率は４．５％（波長約４５７ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１３８，０．０６３）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は１０６時間であった。

＜比較例７＞
＜公知化合物（１−１２０１）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１７３）を公知化合物（１−１２０１）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は４．３８Ｖ、外部量子効率は３．６％（波長約４３９ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１５３，０．０４２）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は５７時間であった。

＜比較例８＞
＜公知化合物（１−１２１０）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１７３）を公知化合物（１−１２１０）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は４．２０Ｖ、外部量子効率は４．４％（波長約４３９ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１５５，０．０２９）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は４７時間であった。

＜比較例９＞
＜公知化合物（１−７９）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１７３）を公知化合物（１−７９）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は４．２０Ｖ、外部量子効率は３．５％（波長約４４５ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１４８，０．０６５）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は５４時間であった。

＜比較例１０＞
＜公知化合物（１−１００６）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１７３）を公知化合物（１−１００６）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は４．８１Ｖ、外部量子効率は２．０％（波長約４５７ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１４８，０．１１７）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は４９時間であった。

＜比較例１１＞
＜公知化合物（１−２３０５）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１７３）を公知化合物（１−２３０５）に替えた以外は実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は３．８９Ｖ、外部量子効率は４．５％（波長約４５９ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１４２，０．１１３）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は７９時間であった。

以上の結果を表４にまとめた。

＜有機ＥＬ素子の評価（２）＞
実施例４および比較例１２に係る有機ＥＬ素子を作製し、それぞれ１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性である電圧（Ｖ）、ＥＬ発光波長（ｎｍ）および外部量子効率（％）の測定し、次に１０ｍＡ/ｃｍ^２の電流密度で定電流駆動した際の初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間を測定した。

作製した有機ＥＬ素子における、各層の材料構成を下記表５に示す。なお、比較例１２におけるドーパント材料は国際公開第２０１５／１０２１１８号公報に開示された公知化合物である。

＜実施例４＞
＜化合物（１Ａ−１５３）を発光層のドーパントに用いた素子＞
スパッタリングにより１８０ｎｍの厚さに製膜したＩＴＯを１５０ｎｍまで研磨した、２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板（（株）オプトサイエンス）を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置（（株）長州産業）の基板ホルダーに固定し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ、ＢＨ１、本発明の化合物（１Ａ−１５３）、ＥＴ５およびＥＴ６のぞれぞれを入れたタンタル製蒸着用ルツボ、Ｌｉｑ、マグネシウムおよび銀のそれぞれを入れた窒化アルミニウム製蒸着用ルツボを装着した。

透明支持基板のＩＴＯ膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を２．０×１０^−４Ｐａまで減圧し、まず、ＨＩを加熱して膜厚４０ｎｍになるように蒸着し、次いで、ＨＡＴ−ＣＮを加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着し、更にＨＴを加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着することで３層からなる正孔注入層および正孔輸送層を形成した。次に、ＢＨ１と本発明の化合物（１Ａ−１５３）を同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して発光層を形成した。ＢＨ１と本発明の化合物（１Ａ−１５３）の重量比がおよそ９８対２になるように蒸着速度を調節した。次に、ＥＴ５を加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着し、１層目の電子輸送層とした。次いで、ＥＴ６とＬｉｑを同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して２層目の電子輸送層を形成した。ＥＴ６とＬｉｑの重量比がおよそ１：１になるように蒸着速度を調節した。各層の蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／秒であった。

その後、Ｌｉｑを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着した。次いで、マグネシウムと銀を同時に加熱して、膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成し、有機電界発光素子を得た。このとき、マグネシウムと銀の原子数比が１０対１となるように０．１ｎｍ〜１０ｎｍ／秒の間で蒸着速度を調節した。

ＩＴＯ電極を陽極、Ｌｉｑ／マグネシウム＋銀電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定すると、駆動電圧は３．９４Ｖ、外部量子効率は６．８％（波長約４６０ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１３４，０．１０７）であった。また、１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で定電流駆動試験を実施した結果、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は１６１時間であった。

＜比較例１２＞
＜公知化合物（１−２６８０）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１５３）を公知化合物（１−２６８０）に替えた以外は実施例４に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は３．９９Ｖ、外部量子効率は５．９％（波長約４５５ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１４２，０．０５１）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は１０３時間であった。

以上の結果を表６にまとめた。

＜有機ＥＬ素子の評価（３）＞
実施例５および比較例１３に係る有機ＥＬ素子を作製し、それぞれ１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性である電圧（Ｖ）、ＥＬ発光波長（ｎｍ）および外部量子効率（％）の測定し、次に１０ｍＡ/ｃｍ^２の電流密度で定電流駆動した際の初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間を測定した。

作製した有機ＥＬ素子における、各層の材料構成を下記表７に示す。なお、比較例１３におけるドーパント材料は国際公開第２０１５／１０２１１８号公報に開示された公知化合物である。

表において、「ＨＴ２」はＮ，Ｎ−ビス（４−ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−４−イル）フェニル）−［１，１’：４’，１”−テルフェニル］−４−アミン、「ＢＨ２」は２−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）ナフト［２，３−ｂ］ベンゾフラン、「ＥＴ７」は４，６，８，１０−テトラフェニル−５，９−ジオキサ−１３ｂ−ボランナフト［３，２，１−ｄｅ］アントラセン、「ＥＴ８」は３，３’−（（２−フェニルアントラセン−９，１０−ジイル）ビス（４，１−フェニレン））ビス（４−メチルピリジン）である。以下に化学構造を示す。

＜実施例５＞
＜化合物（１Ａ−１）を発光層のドーパントに用いた素子＞
スパッタリングにより１８０ｎｍの厚さに製膜したＩＴＯを１５０ｎｍまで研磨した、２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板（（株）オプトサイエンス）を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置（（株）長州産業）の基板ホルダーに固定し、ＨＩ、ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ、ＨＴ２、ＢＨ２、本発明の化合物（１Ａ−１）、ＥＴ７およびＥＴ８のそれぞれを入れたタンタル製蒸着用ルツボ、Ｌｉｑ、マグネシウムおよび銀のそれぞれを入れた窒化アルミニウム製蒸着用ルツボを装着した。

透明支持基板のＩＴＯ膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を２．０×１０^−４Ｐａまで減圧し、まず、ＨＩを加熱して膜厚４０ｎｍになるように蒸着し、次いで、ＨＡＴ−ＣＮを加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着することで２層からなる正孔注入層を形成した。次に、ＨＴを加熱して膜厚１５ｎｍになるように蒸着し、次いで、ＨＴ２を加熱して膜厚１０ｎｍになるように蒸着することで２層からなる正孔輸送層を形成した。次に、ＢＨ２と本発明の化合物（１Ａ−１）を同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して発光層を形成した。ＢＨ２と本発明の化合物（１Ａ−１）の重量比がおよそ９８対２になるように蒸着速度を調節した。次に、ＥＴ７を加熱して膜厚５ｎｍになるように蒸着し、１層目の電子輸送層とした。次いで、ＥＴ８とＬｉｑを同時に加熱して膜厚２５ｎｍになるように蒸着して２層目の電子輸送層を形成した。ＥＴ８とＬｉｑの重量比がおよそ１：１になるように蒸着速度を調節した。各層の蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／秒であった。

その後、Ｌｉｑを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着した。次いで、マグネシウムと銀を同時に加熱して、膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成し、有機電界発光素子を得た。このとき、マグネシウムと銀の原子数比が１０対１となるように０．１ｎｍ〜１０ｎｍ／秒の間で蒸着速度を調節した。

ＩＴＯ電極を陽極、Ｌｉｑ／マグネシウム＋銀電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ^２発光時の特性を測定すると、駆動電圧は３．３３Ｖ、外部量子効率は６．４％（波長約４６３ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１３２，０．１２２）であった。また、１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で定電流駆動試験を実施した結果、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は６５５時間であった。

＜比較例１３＞
＜公知化合物（１−１１５２）を発光層のドーパントに用いた素子＞
発光層のドーパントである化合物（１Ａ−１）を公知化合物（１−１１５２）に替えた以外は実施例５に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。同様に特性を測定すると、駆動電圧は３．５９Ｖ、外部量子効率は５．９％（波長約４６５ｎｍの青色発光）であり、その時のＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．１２６，０．０９９）であった。また、初期輝度の９０％以上の輝度を保持する時間は３５６時間であった。

以上の結果を表８にまとめた。

以上、本発明に係る一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表される多環芳香族アミノ化合物の一部について、有機ＥＬ素子用材料としての評価を行い、優れた有機デバイス用材料であること示したが、評価を行っていない他の化合物も同じ基本骨格を有し、全体としても類似の構造を有する化合物であり、当業者においては同様に優れた有機デバイス用材料であることを理解できる。

本発明では、新規な多環芳香族アミノ化合物を提供することで、有機ＥＬ素子用材料の選択肢を増やすことができる。また、新規な多環芳香族アミノ化合物を有機電界発光素子用材料として用いることで、優れた有機ＥＬ素子、それを備えた表示装置およびそれを備えた照明装置などを提供することができる。

１００ 有機電界発光素子
１０１ 基板
１０２ 陽極
１０３ 正孔注入層
１０４ 正孔輸送層
１０５ 発光層
１０６ 電子輸送層
１０７ 電子注入層
１０８ 陰極

Claims (18)

1. 下記一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）で表される多環芳香族アミノ化合物。
   （上記式（１Ａ）または式（１Ｂ）中、
   Ａｒは、それぞれ独立して、アリールまたはヘテロアリールであり、
   Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリル、アリールオキシまたはシアノであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノまたはアルキルで置換されていてもよく、
   Ｒ^４が複数の場合、隣接するＲ^４同士は結合してａ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリル、アリールオキシまたはシアノで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノまたはアルキルで置換されていてもよく、
   Ｒ^１とＲ^３が隣接する場合には、これらは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）_２−または単結合により結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）_２−のＲは水素または炭素数１〜６のアルキルであり、
   ｍは０〜３の整数であり、ｎはそれぞれ独立して０からＡｒに最大置換可能な数までの整数であり、ｐは０〜４の整数であり、ｑはそれぞれ独立して０〜５の整数であり、
   Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、ＯまたはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１２のアリール、炭素数２〜１５のヘテロアリールまたは炭素数１〜６のアルキルであり、また、Ｘ^２が前記Ｎ−Ｒである場合のＲは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）_２−または単結合により前記ａ環と結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）_２−のＲは水素または炭素数１〜６のアルキルであり、そして、
   式（１Ａ）または式（１Ｂ）で表される化合物における少なくとも１つの水素はハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい。）
2. Ａｒは、それぞれ独立して、アリールであり、
   Ｒ^２〜Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリルまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、
   Ｒ^４が複数の場合、隣接するＲ^４同士は結合してａ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリルまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、
   ｍは０〜３の整数であり、ｎはそれぞれ独立して０からＡｒに最大置換可能な数までの整数であり、ｐは０〜４の整数であり、ｑは０であり、
   Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、ＯまたはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１２のアリール、炭素数２〜１５のヘテロアリールまたは炭素数１〜６のアルキルである、
   請求項１に記載する多環芳香族アミノ化合物。
3. 下記一般式（１Ａ’）または一般式（１Ｂ’）で表される、請求項１に記載する多環芳香族アミノ化合物。
   （上記式（１Ａ’）または式（１Ｂ’）中、
   Ｒ^２〜Ｒ^４は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリルまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、
   Ｒ^４が複数の場合、隣接するＲ^４同士は結合してａ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、アルキル、アルコキシ、トリアルキルシリルまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよく、
   ｍは０〜３の整数であり、ｎはそれぞれ独立して０〜５の整数であり、ｐは０〜４の整数であり、
   Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、ＯまたはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１２のアリール、炭素数２〜１５のヘテロアリールまたは炭素数１〜６のアルキルである。）
4. 下記一般式（１Ａ’）で表される、請求項１に記載する多環芳香族アミノ化合物。
   （上記式（１Ａ’）中、
   Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリール、炭素数６〜３０のジアリールアミノ、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数１〜２４のアルコキシ、炭素数１〜４のアルキルを有するトリアルキルシリルまたは炭素数６〜３０のアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素は炭素数６〜１６のアリール、炭素数２〜２５のヘテロアリールまたは炭素数１〜１８のアルキルで置換されていてもよく、
   ｍは０〜３の整数であり、ｎはそれぞれ独立して０〜５の整数であり、
   Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、ＯまたはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１０のアリール、炭素数２〜１０のヘテロアリールまたは炭素数１〜４のアルキルである。）
5. Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリール、炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数１〜４のアルキルを有するトリアルキルシリルであり、
   ｍは０または１であり、ｎはそれぞれ独立して０または１であり、
   Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、ＯまたはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１０のアリール、炭素数２〜１０のヘテロアリールまたは炭素数１〜４のアルキルである、
   請求項４に記載する多環芳香族アミノ化合物。
6. 下記式（１Ａ−１）、式（１Ａ−１５３）、式（１Ａ−１７３）または式（１Ｂ−９２）で表される、請求項１に記載する多環芳香族アミノ化合物。
   
7. 請求項１〜６のいずれかに記載する多環芳香族アミノ化合物を含有する、有機デバイス用材料。
8. 前記有機デバイス用材料が、有機電界発光素子用材料、有機電界効果トランジスタ用材料または有機薄膜太陽電池用材料である、請求項７に記載する有機デバイス用材料。
9. 発光層用材料である、請求項８に記載する有機電界発光素子用材料。
10. 電子注入層用材料または電子輸送層用材料である、請求項８に記載する有機電界発光素子用材料。
11. 正孔注入層用材料または正孔輸送層用材料である、請求項８に記載する有機電界発光素子用材料。
12. 陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置され、請求項９に記載する発光層用材料を含有する発光層とを有する、有機電界発光素子。
13. 陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置された発光層と、前記陰極および前記発光層の間に配置され、請求項１０に記載する電子注入層用材料および／または電子輸送層用材料を含有する電子注入層および／または電子輸送層とを有する、有機電界発光素子。
14. 陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置された発光層と、前記陽極および前記発光層の間に配置され、請求項１１に記載する正孔注入層用材料および／または正孔輸送層用材料を含有する正孔注入層および／または正孔輸送層とを有する、有機電界発光素子。
15. 前記陰極と該発光層との間に配置される電子輸送層および／または電子注入層を有し、該電子輸送層および電子注入層の少なくとも１つは、キノリノール系金属錯体、ピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体、ボラン誘導体およびベンゾイミダゾール誘導体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、請求項１２〜１４のいずれかに記載する有機電界発光素子。
16. 前記電子輸送層および／または電子注入層が、さらに、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、請求項１５に記載の有機電界発光素子。
17. 請求項１２〜１６のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた表示装置。
18. 請求項１２〜１６のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた照明装置。