JPWO2018105032A1 - ダイ部品供給装置 - Google Patents

ダイ部品供給装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2018105032A1
JPWO2018105032A1 JP2018555359A JP2018555359A JPWO2018105032A1 JP WO2018105032 A1 JPWO2018105032 A1 JP WO2018105032A1 JP 2018555359 A JP2018555359 A JP 2018555359A JP 2018555359 A JP2018555359 A JP 2018555359A JP WO2018105032 A1 JPWO2018105032 A1 JP WO2018105032A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die
component
wafer
inspection
characteristic data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018555359A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6623310B2 (ja
Inventor
早川 昌志
昌志 早川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of JPWO2018105032A1 publication Critical patent/JPWO2018105032A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6623310B2 publication Critical patent/JP6623310B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • G01N21/9505Wafer internal defects, e.g. microcracks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/043Feeding one by one by other means than belts
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/08Monitoring manufacture of assemblages
    • H05K13/081Integration of optical monitoring devices in assembly lines; Processes using optical monitoring devices specially adapted for controlling devices or machines in assembly lines
    • H05K13/0813Controlling of single components prior to mounting, e.g. orientation, component geometry
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/08Monitoring manufacture of assemblages
    • H05K13/084Product tracking, e.g. of substrates during the manufacturing process; Component traceability

Abstract

ダイ部品供給装置(1)は、半導体ウエハがダイシングされて形成された複数のダイ部品(D)を上面に保持する伸縮可能な部品保持シート(23)、および部品保持シートの周縁を支持する支持リング(22)を有するウエハ保持部(2)と、部品保持シートからダイ部品を1個ずつ吸着する吸着ノズル(5)と、吸着ノズルが吸着するダイ部品を、吸着される以前に周囲の状況とともに撮像して、部品画像データを取得する撮像カメラ(6)と、ウエハ保持部に対して、吸着ノズルおよび撮像カメラを相対的に移動させる駆動部(4)と、複数のダイ部品に対応してそれぞれ取得される複数の部品画像データ、または、複数の部品画像データをそれぞれ画像処理して求められる複数の部品特性データを、ウエハ特性データ(88)にまとめて記憶するデータ処理記憶部(87)と、を備える。

Description

本発明は、半導体ウエハがダイシングされて形成されたダイ部品を供給するダイ部品供給装置に関する。
多数の部品が実装された基板を生産する設備として、はんだ印刷機、電子部品装着機、リフロー機、基板検査機などがある。これらの設備を連結して基板生産ラインを構成することが一般的になっている。このうち電子部品装着機は、基板搬送装置、部品供給装置、部品移載装置、および制御装置を備える。部品供給装置の一種に、複数のダイ部品を伸縮可能な部品保持シートの上面に保持して供給するダイ部品供給装置がある。ダイ部品供給装置に関する一技術例が特許文献1に開示されている。
特許文献1の半導体装置の製造方法は、ダイシングされる以前の複数の半導体チップ(ダイ部品)の良品・不良品を判定した位置情報を有する第1マップデータを取得し、ダイシング後の良品の半導体チップを第1マップデータに基づいてピックアップし、ダイシング溝の検出によって特定される残存半導体チップの位置情報を有する第2マップデータを取得し、第1マップデータと第2マップデータの照合により、残存半導体チップの位置情報を特定する。これによれば、不良品半導体チップの流出を未然に防止できる、とされている。
特開2011−61069号公報
ところで、ダイ部品供給装置では、吸着ノズルでダイ部品を吸着する際に、ダイ部品の品質を低下させてしまうおそれが皆無でない。例えば、部品保持シートのエキスパンド状態が悪かったり、突き上げポットによる突き上げ状態が悪かったりすると、吸着するダイ部品が隣のダイ部品に擦れて、欠けを生じさせてしまう。また例えば、多数のダイ部品が吸着された後に、部品保持シートが伸びて垂れ下がり、残されているダイ部品同士が干渉して品質が低下する。したがって、ダイ部品の品質管理では、それぞれのダイ部品の吸着時の状況を記録しておくことが重要になる。
また、特許文献1の技術は、ダイ部品の取り違えを防止することによって、不良ダイ部品の流出を防止するものである。この種のダイ部品の取り違えは、部品保持シートのエキスパンド状態が均一でないことに起因する場合が多い。例えば、初期状態において、部品保持シートの中央部と周縁部とで、エキスパンド状態が異なっている場合がある。また例えば、二次元格子状に保持されたダイ部品を端から順番に吸着してゆくと、残されたダイ部品の位置は、少しずつ変化し得る。したがって、それぞれのダイ部品の吸着時の状況を記録することは、ダイ部品の取り違えの防止にも役立つ。
別の言い方をすると、吸着するダイ部品の適否をリアルタイムで判定する技術は、従来から各種提案されてきた。しかしながら、後になって問題点が発生した場合、例えば、ダイ部品を実装した基板が所定の性能を有さない場合に、吸着時の問題点を追及することが困難であった。つまり、ダイ部品に関するトレーサビリティ機能が十分ではなかった。
本発明は、上記背景技術の問題点に鑑みてなされたものであり、ダイ部品に関するトレーサビリティ機能を備えたダイ部品供給装置を提供することを解決すべき課題とする。
本明細書で開示するダイ部品供給装置は、半導体ウエハがダイシングされて形成された複数のダイ部品を上面に保持する伸縮可能な部品保持シート、および前記部品保持シートの周縁を支持する支持リングを有するウエハ保持部と、前記部品保持シートから前記ダイ部品を1個ずつ吸着する吸着ノズルと、前記吸着ノズルが吸着する前記ダイ部品を、吸着される以前に周囲の状況とともに撮像して部品画像データを取得する撮像カメラと、前記ウエハ保持部に対して、前記吸着ノズルおよび前記撮像カメラを相対的に移動させる駆動部と、複数の前記ダイ部品に対応してそれぞれ取得される複数の前記部品画像データ、または、複数の前記部品画像データをそれぞれ画像処理して求められる複数の部品特性データを、ウエハ特性データにまとめて記憶するデータ処理記憶部と、を備える。
本明細書で開示するダイ部品供給装置によれば、1枚の半導体ウエハから形成されて吸着ノズルに吸着される全部のダイ部品に関して、吸着時の状況を記録した部品画像データ、または、吸着時の状況を定量化した部品特性データがウエハ特性データにまとめられて記憶される。したがって、問題点が後になって発生した場合などに、オペレータは、ウエハ特性データにアクセスして、個々のダイ部品の吸着時の状況を把握でき、さらに、半導体ウエハの取り扱い方法などを分析できる。したがって、ダイ部品供給装置は、ウエハ特性データを用いた追跡調査が可能であり、トレーサビリティ機能を備える。
電子部品装着機に搭載された第1実施形態のダイ部品供給装置を示す斜視図である。 第1実施形態のダイ部品供給装置の突き上げポットを説明する側面図である。 第1実施形態のダイ部品供給装置の制御に関する構成を示すブロック図である。 部品保持シートの上面におけるダイ部品の配置の一例を示した図である。 図4に示されたダイ部品の配置に対応するウエハマップの概念図である。 データ処理記憶部を含む制御装置の制御フローを示したフローチャートの図である。 データ処理記憶部が行う部品画像データの画像処理の内容を模式的に説明する図である。 第2実施形態のダイ部品供給装置の制御に関する構成を示すブロック図である。 検査実行部が隣接するダイ部品の離間距離を求めて検査を行う方法を説明する図である。 検査実行部が複数のダイ部品のサイズのばらつきを求めて検査を行う方法を説明する図である。 表示装置における検査結果のグラフィック表示方法を説明するイメージ図である。
(1.第1実施形態のダイ部品供給装置1の構成)
本発明の第1実施形態のダイ部品供給装置1について、図1〜図7を参考にして説明する。図1は、電子部品装着機9に搭載された第1実施形態のダイ部品供給装置1を示す斜視図である。図1の左上から右下に向かう方向が基板Kを搬送するx軸方向であり、右上から左下に向かう方向が電子部品装着機9の前後方向となるy軸方向である。また、図2は、第1実施形態のダイ部品供給装置1の突き上げポット3を説明する側面図である。電子部品装着機9は、基板搬送装置91、ダイ部品供給装置1、および機台99などで構成されている。なお、ダイ部品供給装置1は、部品移載装置を兼ねている。
基板搬送装置91は、一対のガイドレール92およびコンベアベルト、ならびにクランプ装置などで構成される。一対のガイドレール92は、機台99の上部中央を横断してX軸方向に延在し、かつ互いに平行するように機台99に組み付けられる。各ガイドレール92の直下に、互いに平行に配置された一対のコンベアベルトが並設される。一対のコンベアベルトは、コンベア搬送面に基板Kを戴置した状態で輪転して、基板Kを機台99の中央部に設定された装着実施位置に搬入および搬出する。また、機台99の中央部のコンベアベルトの下方にクランプ装置が設けられる。クランプ装置は、基板Kを押し上げて水平姿勢でクランプし、装着実施位置に位置決めする。
ダイ部品供給装置1は、ウエハ保持部2、突き上げポット3、駆動部4、吸着ノズル5、撮像カメラ6、部品カメラ7、および制御装置8などで構成されている。ウエハ保持部2は、機台99の上部の前側寄りに、着脱可能に装備される。ウエハ保持部2は、ウエハテーブル21、支持リング22、および部品保持シート23などで構成される。ウエハテーブル21は、略正方形で上下方向の厚さがあり、中央に穴部を有する。支持リング22は、円環状の部材であり、ウエハテーブル21の上部の穴部の周囲に交換可能に取り付けられる。支持リング22は、部品保持シート23の周縁を支持している。部品保持シート23は、伸縮可能な材料を用いて形成される。部品保持シート23は、その上面に複数のダイ部品Dを保持する。
複数のダイ部品Dは、上流側装置であるダイシング装置により、半導体ウエハがダイシングされて形成されたものである。複数のダイ部品Dは、部品保持シート23の上面に二次元格子状に配列されるのが一般的であるが、これに限定されない。複数のダイ部品Dを保持する部品保持シート23は、上流側装置であるエキスパンド装置によってテンションが加えられ、エキスパンド状態で支持リング22にセットされる。
図2に示されるように、ウエハテーブル21の穴部の中に、突き上げポット3が設けられる。突き上げポット3には、移動機構31および昇降機構32が付設される。移動機構31は、部品保持シート23の下側の指定された突き上げ位置まで、突き上げポット3を移動させる。突き上げ位置は、ウエハ保持部2に設定されたx−y座標系のx座標値x2およびy座標値y2により指定される。
昇降機構32は、ダイ部品Dごとに設定される突き上げ高さHまで、突き上げポット3を昇降駆動する。突き上げ高さHは、全部のダイ部品Dに同じ値が設定されてもよい。あるいは、突き上げ高さHは、複数の値が使い分けられてもよい。例えば、部品保持シート23の中央寄りの領域と周縁寄りの領域とで、異なる突き上げ高さHが設定されてもよい。上昇駆動された突き上げポット3は、ダイ部品Dを部品保持シート23とともに突き上げる。突き上げられたダイ部品Dは、吸着ノズル5によって吸着される。図2において、吸着ノズル5が吸着しているダイ部品Dの高さ位置が吸着高さであり、その他のダイ部品Dの高さ位置が保持高さである。
図1に戻り、駆動部4は、一対のY軸レール41、Y軸移動台42、およびX軸移動台44などで構成される。一対のY軸レール41は、機台99の後部から前部の上方に延在して配設される。Y軸移動台42は、Y軸レール41に装荷されている。Y軸移動台42は、サーボモータ43からボールねじ機構を介して駆動され、y軸方向に移動する。X軸移動台44は、Y軸移動台42に装荷されている。X軸移動台44は、サーボモータ45からボールねじ機構を介して駆動され、x軸方向に移動する。
X軸移動台44には、装着ヘッド48および撮像カメラ6が設けられる。装着ヘッド48の下側には、ノズルツール46が着脱可能に設けられる。ノズルツール46は、サーボモータ47によって昇降駆動される。ノズルツール46の下側に、吸着ノズル5が交換可能に取り付けられる。駆動部4は、ウエハ保持部2に対して、吸着ノズル5および撮像カメラ6を相対的に移動させる。駆動部4の制御に用いられるx−y座標系は、ウエハ保持部2に設定されたx−y座標系と整合する。
吸着ノズル5は、部品保持シート23から吸着高さのダイ部品Dを1個ずつ吸着する。吸着ノズル5は、さらに、吸着したダイ部品Dを基板Kの指定された装着位置に装着する。撮像カメラ6は、吸着される以前の保持高さのダイ部品Dを、周囲の状況とともに撮像して部品画像データを取得する。撮像カメラ6は、基板Kの表面に付設された位置マークを撮像して、基板Kの装着実施位置の位置誤差を把握する機能を兼ね備える。
部品カメラ7は、ウエハ保持部2の側方の機台99の上部に配設されている。部品カメラ7は、吸着ノズル5に吸着されたダイ部品Dを下方より撮像する。この撮像を行うため、ダイ部品Dを吸着した吸着ノズル5は、基板Kに向かう途中で部品カメラ7の上方に到達して一旦停止し、または、部品カメラ7の上方を定速で通過する。撮像によって取得された画像データは、画像処理されてダイ部品Dの位置のずれ、および回転方向のずれを表す回転角Qが認識される。位置のずれは、吸着ノズル5の中心に対するダイ部品Dの中心のずれを意味し、x−y座標系のx軸方向ずれ量Xcおよびy軸方向ずれ量Ycで表される。これにより、吸着ノズル5の装着動作時の装着位置が微調整される。
制御装置8は、電子部品装着機9の動作を総合的に制御する。制御装置8は、CPUを有してソフトウェアで動作する制御コンピュータで構成される。図3は、第1実施形態のダイ部品供給装置1の制御に関する構成を示すブロック図である。制御装置8は、基板搬送制御部81、駆動部制御部82、ノズル制御部83、突き上げ制御部84、撮像カメラ制御部85、および部品カメラ制御部86の機能を有する。
基板搬送制御部81は、基板搬送装置91に指令を発して、基板Kの搬入、位置決め、および搬出を制御する。駆動部制御部82は、駆動部4のサーボモータ43、サーボモータ45、およびサーボモータ47を制御して、吸着ノズル5の水平方向の位置および高さを制御する。ノズル制御部83は、吸着ノズル5を回転駆動する。これにより、ダイ部品Dの装着向きの調整、およびダイ部品Dの回転角Qの補償が行われる。また、ノズル制御部83は、吸着ノズル5の内部圧力を制御して、ダイ部品Dの吸着動作および装着動作を制御する。
突き上げ制御部84は、移動機構31および昇降機構32を制御して、突き上げポット3の突き上げ位置、すなわちx座標値x2およびy座標値y2、ならびに突き上げ高さHを制御する。撮像カメラ制御部85は、撮像カメラ6の撮像動作を制御するとともに、部品画像データの画像処理を行う。部品カメラ制御部86は、部品カメラ7の撮像動作を制御するとともに、画像データの画像処理を行う。
制御装置8は、さらに、データ処理記憶部87の機能を有する。データ処理記憶部87は、ウエハ保持部2に対応するウエハマップWMにアクセス可能となっている。データ処理記憶部87は、複数のダイ部品Dに対応してそれぞれ取得される複数の部品画像データをそれぞれ画像処理して、複数の部品特性データを求める。次に、データ処理記憶部87は、複数の部品特性データをウエハ特性データ88にまとめて、記憶装置89に記憶する。記憶装置89は、制御装置8に付属された内部記憶装置、および、電子部品装着機9の外部の外部記憶装置のどちらでもよい。データ処理記憶部87の機能については、後で、動作に併せて詳述する。
(2.ダイ部品Dの配置例およびウエハマップWM)
次に、ダイ部品Dの配置例およびウエハマップWMについて説明する。図4は、部品保持シート23の上面におけるダイ部品Dの配置の一例を示した図である。また、図5は、図4に示されたダイ部品Dの配置に対応するウエハマップの概念図である。図4および図5に示される例で、ダイ部品Dは、横方向に10個配置され、縦方向に5個配置され、合計で50個ある。それぞれのダイ部品Dは、図中の左下側から数えた横方向の横番地Tおよび縦方向の縦番地Uが括弧で括られて、ダイ部品D(T,U)と表される。例えば、左下隅のダイ部品D(1,1)、右下隅のダイ部品D(10,1)、左上隅のダイ部品D(1,5)、右上隅のダイ部品D(10,5)と表される。ウエハ保持部2が機台99の上部に装備されたとき、横方向はx軸方向に一致し、縦方向はy軸方向に一致する。
ウエハマップWMは、部品保持シート23の上面における複数のダイ部品Dの配置を表す。ウエハマップWMは、上流側装置であるダイ部品検査装置によって作成される。作成されたウエハマップWMは、通信装置や携帯式記憶装置を用いて制御装置8に送られる。ウエハマップWMおよびウエハ保持部2の両方に図略の識別コードが付与されている。識別コードの照合によって、ウエハマップWMとウエハ保持部2の実際のダイ部品Dとの対応関係が担保される。
ウエハマップWMには、50個のダイ部品Dの状態をそれぞれ表す記号が並んでいる。記号「0」および記号「1」は、ともに良品を表し、かつ特性に差があることを表している。記号「B」は、不良品を表し、吸着ノズル5で吸着せずに部品保持シート23に残しておくことを意味する。図5の例で、ダイ部品D(6、1)、ダイ部品D(6、2)、ダイ部品D(4、3)、ダイ部品D(8、4)、およびダイ部品D(6、5)が不良品となっている。なお、ダイ部品Dが欠落して存在しない場合には、記号「N」が用いられる。
複数のダイ部品Dを吸着する順序は、例えば、図4に破線の矢印で示されるように、予め定められている。図4の例で、最初に左下隅のダイ部品D(1,1)が吸着され、次いで右方へと順番に吸着されてゆく。そして、右下隅のダイ部品D(10,1)が吸着された次に、縦方向に移動してダイ部品D(10,2)が吸着される。次に、ダイ部品D(9,2)が吸着され、次いで左方へと順番に吸着されてゆく。そして、ダイ部品D(1,2)が吸着された次に、縦方向に移動してダイ部品D(1,3)が吸着される。次に、ダイ部品D(2,3)が吸着され、次いで右方へと順番に吸着されてゆく。以下、横方向の両端でUターンが繰り返され、最後に右上隅のダイ部品D(10,5)が吸着される。不良品のダイ部品Dは、吸着されず、部品保持シート23の上面に残る。
(3.第1実施形態のダイ部品供給装置1の動作および作用)
次に、第1実施形態のダイ部品供給装置1の動作および作用について、データ処理記憶部87の機能を含んで説明する。図6は、データ処理記憶部87を含む制御装置8の制御フローを示したフローチャートの図である。ウエハ保持部2が機台99の上部に装備され、かつ、基板搬送装置91によって基板Kが装着実施位置に位置決めされると、制御装置8は制御フローを開始する。ステップS1で、制御装置8は最初のダイ部品D(1,1)を選択する。
ステップS2で、駆動部制御部82は、撮像カメラ6をウエハ保持部2の上方まで移動して、撮像カメラ6の光軸P1(図7参照)をダイ部品Dの理想位置に一致させる。理想位置とは、ダイ部品Dの中央Cが存在すると予想される位置を意味する。理想位置は、例えば、ダイシング装置で設定されたダイ部品Dのサイズおよびダイシング幅(ダイシングソーの切削幅)に基づいて予め計算される。あるいは、理想位置は、同一種類の半導体ウエハの過去の使用実績における実位置の平均値としてもよい。駆動部制御部82は、このときの撮像カメラ6の光軸P1のx座標値x1およびy座標値y1(図7参照)をデータ処理記憶部87に送る。
ステップS3で、撮像カメラ制御部85は、撮像カメラ6を用いてダイ部品Dを撮像し、部品画像データを取得する。このとき、突き上げポット3は下降しているので、撮像カメラ6は、保持高さのダイ部品Dを周囲の状況とともに撮像する。次のステップS4で、撮像カメラ制御部85は、部品画像データを画像処理して、ダイ部品Dの実位置を求める。ダイ部品Dの実位置は、次のステップS5およびステップS6の制御に用いられる。また、撮像カメラ制御部85は、部品画像データをデータ処理記憶部87に送る。
ステップS5で、駆動部制御部82は、吸着ノズル5をダイ部品Dの実位置の上方まで移動する。次のステップS6で、突き上げ制御部84は、移動機構31を制御して、突き上げポット3をダイ部品Dの実位置の下方まで移動する。続いて、突き上げ制御部84は、昇降機構32を制御して、突き上げポット3を上昇させる。これにより、ダイ部品Dは吸着高さまで上昇する。突き上げ制御部84は、このときの突き上げ位置のx座標値x2およびy座標値y2、ならびに突き上げ高さHをデータ処理記憶部87に送る。
ステップS7で、駆動部制御部82は、吸着ノズル5下降させる。続いて、ノズル制御部83が吸着ノズル5を負圧に制御する。これにより、吸着ノズル5は、吸着高さのダイ部品Dを吸着する。
ステップS8で、駆動部制御部82は、ダイ部品Dを吸着した吸着ノズル5を上昇させ、さらに、部品カメラ7の上方まで移動させる。続いて、部品カメラ制御部86は、部品カメラ7を用いて、吸着ノズル5に吸着されたダイ部品Dを下方より撮像し、撮像データを取得する。部品カメラ制御部86は、さらに、画像データを画像処理して、x軸方向ずれ量Xc、y軸方向ずれ量Yc、および回転角Qを求める。
部品カメラ制御部86は、求めた諸量を参考にして、ダイ部品Dの吸着状態を判定する。吸着状態として、基板Kに装着してよい「良好」、および基板に装着できない「廃棄」がある。また、撮像失敗時や画像処理が行えなかったときの「エラー」も、吸着状態のひとつである。多くの場合に吸着状態は「良好」となり、求められたx軸方向ずれ量Xc、y軸方向ずれ量Yc、および回転角Qが次のステップS9の制御に用いられる。また、駆動部制御部82は、x軸方向ずれ量Xc、y軸方向ずれ量Yc、回転角Q、および吸着状態をデータ処理記憶部87に送る。
ステップS10で、データ処理記憶部87は、受け取った諸データに加えてウエハマップWMを参照しつつ、部品特性データを編集する。データ処理記憶部87は、まず、撮像カメラ制御部85から受け取った部品画像データを画像処理する。図7は、データ処理記憶部87が行う部品画像データの画像処理の内容を模式的に説明する図である。
図7には、ダイ部品D(5,2)が吸着される直前の状況が例示されている。すなわち、ダイ部品D(1,1)からダイ部品D(7,2)までが既に吸着されてなくなり、不良品のダイ部品D(6,2)が残った状態で、ダイ部品D(5,2)の撮像が行われる。図7において、撮像カメラ6の撮像領域Araが破線で示される。また、撮像カメラ6の光軸P1のx座標値x1、y座標値y1である。
データ処理記憶部87は、画像処理の一番目に、ダイ部品D(5,2)のサイズ、すなわち横寸法Xおよび縦寸法Yを求める。データ処理記憶部87は、二番目に、ダイ部品D(5,2)の中央Cの実位置を求める。データ処理記憶部87は、三番目に、ダイ部品D(5,2)の理想位置(光軸P1の位置)に対する中央Cの実位置の差分量、すなわちx差分量Δxおよびy差分量Δyを求める。
データ処理記憶部87は、また、隣接するダイ部品Dの相互間の離間距離を求める。図7の例で、ダイ部品D(5,2)とその左側のダイ部品D(4,2)との離間距離dx1が求められる。また、ダイ部品D(5,2)とその右側のダイ部品D(6,2)との離間距離dx2が求められる。さらに、ダイ部品D(5,2)とその縦方向の一方のダイ部品D(5,3)との離間距離dy1が求められる。また、ダイ部品D(5,2)とその縦方向の他方のダイ部品D(5,1)との離間距離は、ダイ部品D(5,1)が無いので求められない。離間距離は、最大で4個あり、ダイ部品Dの周囲の状況に応じて求められる個数が変化する。
なお、離間距離に代えて、理想離間距離に対する誤差量を求めるようにしてもよい。理想離間距離は、例えば、ダイシング装置で設定されたダイシング幅に基づいて予め設定される。さらになお、データ処理記憶部87は、ダイ部品Dの回転角、例えば、長方形のダイ部品Dの長辺とy軸とが成す角度を求めてもよい。
データ処理記憶部87は、画像処理で得られたデータに受け取った他のデータを対応付けて、部品特性データを完成させる。部品特性データは、吸着されるダイ部品Dごとに作成される。部品特性データは、次の1)〜11)までの各データを包含する。
1)ダイ部品Dの吸着順序
2)ダイ部品Dを吸着した日付および時刻
3)ダイ部品Dの横番地Tおよび縦番地U
4)ダイ部品Dの状態(記号「0」、「1」、「B」、「N」)
5)ダイ部品Dを撮像する撮像カメラ6の光軸P1の位置(x座標値x1、y座標値y1)
6)ダイ部品Dを突き上げる突き上げポット3の突き上げ位置(x座標値x2、y座標値y2)および突き上げ高さH
7)部品カメラ7で撮像したときの吸着ノズル5に対するダイ部品Dのずれ量(x軸方向ずれ量Xc、y軸方向ずれ量Yc)および回転角Q
8)部品カメラ7で撮像したときのダイ部品Dの吸着状態(「良好」、「廃棄」、「エラー」)
9)ダイ部品Dのサイズ(横寸法X、縦寸法Y)
10)ダイ部品Dの理想位置に対する実位置の差分量(x差分量Δx、y差分量Δy)
11)隣接するダイ部品Dの相互間の離間距離dx1、離間距離dx2、および離間距離dy1
図6に戻り、ステップS11で、データ処理記憶部87は、作成した部品特性データが最後のダイ部品D(10,5)に関するものであるか否かを判定する。否である場合、データ処理記憶部87は、ステップS12で、次のダイ部品Dを選択する。この後、データ処理記憶部87は、制御フローの実行をステップS2に戻す。なお、ステップS12において、不良品のダイ部品Dは選択されない。
ステップS2〜ステップS12のループは、良品のダイ部品Dが無くなるまで繰り返される。図5のウエハマップWMの場合、46回目のステップS10で、最後のダイ部品D(10,5)の部品特性データが作成される。したがって、データ処理記憶部87は、制御フローの実行をステップS11からステップS13へ進めて、ループを抜け出す。ステップS13で、データ処理記憶部87は、良品のダイ部品Dの個数に等しい部品特性データをウエハ特性データ88にまとめる編集作業を行う。次のステップS13で、データ処理記憶部87は、ウエハ特性データ88を記憶装置89に記憶する。
記憶されたウエハ特性データ88の内容は、いつでもアクセス可能である。ダイ部品Dを実装した基板Kが所定の性能を有さないなどの問題点が後になって発生した場合に、オペレータは、ウエハ特性データ88にアクセスする。これにより、オペレータは、個々のダイ部品Dの吸着時の状況を把握できる。加えて、オペレータは、吸着された全部のダイ部品Dに関する情報、換言すると半導体ウエハの全体にわたる情報を把握して、半導体ウエハの取り扱い方法などを追跡調査できる。例えば、半導体ウエハのダイシングが良好に行われたか否か、部品保持シートのエキスパンド状態が適正で有るか否か、などを分析できる。
(4.第1実施形態のダイ部品供給装置1の態様および効果)
第1実施形態のダイ部品供給装置1は、半導体ウエハがダイシングされて形成された複数のダイ部品Dを上面に保持する伸縮可能な部品保持シート23、および部品保持シート23の周縁を支持する支持リング22を有するウエハ保持部2と、部品保持シート23からダイ部品Dを1個ずつ吸着する吸着ノズル5と、吸着ノズル5が吸着するダイ部品Dを、吸着される以前に周囲の状況とともに撮像して部品画像データを取得する撮像カメラ6と、ウエハ保持部2に対して、吸着ノズル5および撮像カメラ6を相対的に移動させる駆動部4と、複数のダイ部品Dに対応してそれぞれ取得される複数の部品画像データ、または、複数の部品画像データをそれぞれ画像処理して求められる複数の部品特性データを、ウエハ特性データ88にまとめて記憶するデータ処理記憶部87と、を備える。
これによれば、1枚の半導体ウエハから形成されて吸着ノズル5に吸着される全部のダイ部品Dに関して、吸着時の状況を記録した部品画像データ、または、吸着時の状況を定量化した部品特性データがウエハ特性データ88にまとめられて記憶される。したがって、問題点が後になって発生した場合などに、オペレータは、ウエハ特性データ88にアクセスして、個々のダイ部品Dの吸着時の状況を把握できる。加えて、オペレータは、半導体ウエハの全体にわたる情報を把握して、半導体ウエハの取り扱い方法などを分析できる。したがって、ダイ部品供給装置1は、ウエハ特性データ88を用いた追跡調査が可能であり、トレーサビリティ機能を備える。
さらに、データ処理記憶部87は、複数の部品特性データをウエハ特性データ88にまとめて記憶し、部品特性データは、ウエハ保持部2に設定されたx−y座標系を用いて表されるダイ部品Dの実位置、ダイ部品Dのサイズ(横寸法X、縦寸法Y)、および隣接するダイ部品Dの離間距離(離間距離dx1、離間距離dx2、離間距離dy1)のうち少なくとも一項目を含む。
これによれば、部品画像データをそのまま記憶しておいて追跡調査に利用する構成と比較して、部品特性データを記憶すればよいので、記憶装置89のメモリ使用量を節約できる。また、追跡調査で重要な指標となるダイ部品Dの位置、ダイ部品Dのサイズ、および隣接するダイ部品Dの離間距離などを求めて記憶しておくので、効率的な追跡調査が可能となる。
さらに、ダイ部品Dを部品保持シート23とともに保持高さから吸着高さまで突き上げる突き上げポット3をさらに備え、撮像カメラ6は、保持高さにあるダイ部品Dを撮像し、吸着ノズル5は、吸着高さにあるダイ部品Dを吸着する。これによれば、突き上げポット3に突き上げられる直前のダイ部品Dが毎回個別に撮像されるので、ダイ部品Dの吸着時の状況が正確に把握される。
さらに、データ処理記憶部87は、ダイ部品Dごとに設定される突き上げポット3の突突き上げ位置(x座標値x2、y座標値y2)および突き上げ高さHの少なくとも一方の情報を、部品画像データに対応付けて記憶し、または部品特性データに含める。これによれば、ダイ部品Dの突き上げ時の状況が記憶されて、追跡調査に利用可能となる。
(5.第2実施形態のダイ部品供給装置10の構成、動作および作用)
次に、第2実施形態のダイ部品供給装置10について、第1実施形態と異なる点を主に説明する。図8は、第2実施形態のダイ部品供給装置10の制御に関する構成を示すブロック図である。第2実施形態の制御装置80は、第1実施形態と同じ機能を有して、ウエハ特性データ88を作成および記憶する。制御装置80は、さらに、検査実行部8Aの機能を有する。検査実行部8Aは、ウエハ特性データ88が記憶された時点で自動的に動作してもよく、オペレータからの指令で動作してもよい。
検査実行部8Aは、記憶されたウエハ特性データ88を用いて所定の検査を実行する。また、検査実行部8Aは、実行した検査の検査結果をウエハ保持部2の形状に対応付けて、表示装置8Bにグラフィック表示する。さらに、検査実行部8Aは、実行した検査の検査結果を上流側装置8Cおよび下流側装置8Dの少なくとも一方に出力する。上流側装置8Cとして、第1実施形態で言及したダイシング装置、ダイ部品検査装置、およびエキスパンド装置を例示できる。また、下流側装置8Dとして、ダイ部品Dが装着された基板Kの外観を検査する基板外観検査装置、および基板Kの性能を検査する基板性能検査装置を例示できる。
次に、検査実行部8Aが実行する検査の具体例について説明する。第1検査例で、検査実行部8Aは、ウエハマップWMとウエハ特性データ88とを比較して、吸着したダイ部品Dの適否を検査する。単純な例では、ウエハマップWMで不良品とされたダイ部品D(6,2)の部品特性データがウエハ特性データ88に含まれている場合、検査実行部8Aは、不良品のダイ部品D(6,2)を吸着した不適事項を検出できる。
また例えば、ウエハ保持部2の搬送中にダイ部品D(5,2)が欠落すると、撮像画像データの中央付近にダイ部品D(5,2)が検出されなくなる。この場合、データ処理記憶部87は、部品カメラ7でダイ部品D(5,2)を撮像できないという「エラー」を判定する。そして、データ処理記憶部87は、ダイ部品D(5,2)の部品特性データの吸着状態の欄に「エラー」を記録する。また、ダイ部品D(5,2)の部品特性データのサイズ(横寸法X、縦寸法Y)や実位置の差分量(x差分量Δx、y差分量Δy)などの欄は空白となる。
検査実行部8Aは、ウエハ特性データ88の中のダイ部品D(5,2)の部品特性データに基づいて、ダイ部品D(5,2)が基板Kに装着されなかったことを把握できる。さらに、検査実行部8Aは、次に吸着するダイ部品D(4,2)の部品特性データに基づいて、ダイ部品D(4,2)の吸着時の状況を把握できる。そして、吸着時の状況が妥当であれば、検査実行部8Aは、ダイ部品D(4,2)が基板Kに装着されたことを把握できる。このようにして、検査実行部8Aは、ダイ部品D(4,2)をダイ部品D(5,2)と誤認識する取り違えが発生したか否かを検査できる。
第2検査例で、検査実行部8Aは、ウエハ特性データ88に基づいて、隣接するダイ部品Dの離間距離を求めて検査を行う。この検査では、吸着したダイ部品Dの取り違えの可能性、ダイ部品Dの破損の可能性、および部品保持シート23のエキスパンド状態の良否を検査できる。図9は、検査実行部8Aが隣接するダイ部品Dの離間距離を求めて検査を行う方法を説明する図である。
図9で、ダイ部品D(1,1)とダイ部品D(2,1)の離間距離gx1である。以下右方向に順番に離間距離gx2、離間距離gx3、離間距離gx4、離間距離gx5となっている。また、ダイ部品D(1,2)とダイ部品D(2,2)の離間距離gx6である。検査実行部8Aは、ウエハ特性データ88の中の複数の部品特性データに基づいて、これらの離間距離を把握できる。仮に、離間距離gx1がダイ部品Dの横寸法Xよりも大きな場合、検査実行部8Aは、ダイ部品Dの取り違えの可能性を提示できる。つまり、検査実行部8Aは、離間距離gx1の中に有ったダイ部品Dが途中で欠落した可能性を提示できる。
しかしながら、離間距離gx1が大きいのは、部品保持シート23の当該部分のエキスパンド状態が局部的に過大なだけである、という別の可能性も残されている。検査実行部8Aは、縦方向に隣接するダイ部品D(1,2)とダイ部品D(2,2)の離間距離gx6を参照して、判定を行う。離間距離gx6が概ね理想離間距離に近く、離間距離gx1と比較して顕著に小さい場合、検査実行部8Aは、離間距離gx1の中に有ったダイ部品Dが欠落したと判定する。また、離間距離gx6が離間距離gx1と同程度に過大な場合、検査実行部8Aは、エキスパンド状態が局部的に過大であると判定する。
また、ダイ部品D(5,1)とダイ部品(6,1)の離間距離gx5は、離間距離gx2、離間距離gx3、および離間距離gx4と比較して小さい。さらに、離間距離gx5は、理想離間距離と比較しても極端に小さい。これは、部品保持シート23の当該部分のエキスパンド状態の過小に起因して発生する。離間距離gx5が極端に小さいと、吸着するダイ部品Dが隣のダイ部品Dに擦れて、欠けなどの破損を生じさせてしまうおそれがある。したがって、検査実行部8Aは、ダイ部品D(5,1)およびダイ部品(6,1)の破損の可能性を提示できる。
検査実行部8Aは、ダイ部品D(5,1)の破損の可能性を下流側装置8Dに出力する。これにより、下流側装置8Dである基板外観検査装置および基板性能検査装置は、ダイ部品D(5,1)が実装された基板Kを念入りに検査することができ、動作精度が向上する。なお、ダイ部品(6,1)は、元々不良品で基板Kに装着されないので、検査実行部8Aは、ダイ部品(6,1)の破損の可能性を下流側装置8Dに出力しない。
さらに、検査実行部8Aは、離間距離gx1、離間距離gx2、離間距離gx3、離間距離gx4、および離間距離gx5の大きさを把握して、部品保持シート23のエキスパンド状態の良否を検査できる。つまり、各離間距離が理想離間距離に近似し、かつばらつきが小さい場合に、エキスパンド状態は良好と判定される。そうでない場合に、エキスパンド状態は改善の余地が有ると判定される。
検査実行部8Aは、エキスパンド状態の検査結果を上流側装置8Cのうちのエキスパンド装置に出力する。このとき、エキスパンド状態の良否判定結果だけでなく、各離間距離の情報も出力される。これにより、エキスパンド装置は、受け取った各離間距離の情報を参考にして、部品保持シート23にテンションを加えるエキスパンド動作を改善できる。
第3検査例で、検査実行部8Aは、ウエハ特性データ88に基づいて、複数のダイ部品Dのサイズのばらつきを求め、半導体ウエハのダイシング状態の良否を検査する。検査実行部8Aは、上流側装置8Cのうちのダイ部品検査装置で個々のダイ部品Dのサイズが合格と判定されている場合でも、この検査を行う。図10は、検査実行部8Aが複数のダイ部品Dのサイズのばらつきを求めて検査を行う方法を説明する図である。
図10で、ダイ部品D(1,4)の縦寸法Y1である。以下右方向に順番に、ダイ部品D(2,4)の縦寸法Y2、ダイ部品D(3,4)の縦寸法Y3、ダイ部品D(4,4)の縦寸法Y4、ダイ部品D(5,4)の縦寸法Y5、およびダイ部品D(6,4)の縦寸法Y6となっている。ここで、縦寸法は、右方向に進むにしたがって小さくなっている。つまり、不等式で表すと、縦寸法Y1>縦寸法Y2>縦寸法Y3>縦寸法Y4>縦寸法Y5>縦寸法Y6の関係が成り立つ。このとき、検査実行部8Aは、ダイ部品Dの上辺側のダイシングラインL1と、ダイ部品Dの下辺側のダイシングラインL2とが平行でなく、ダイシング状態が良好でないと判定できる。
検査実行部8Aは、ダイシング状態が良好でないという検査結果を上流側装置8Cのうちのダイシング装置に出力する。このとき、ダイシングラインL1およびダイシングラインL2に関する情報も出力される。これにより、ダイシング装置は、受け取った情報を参考にして、ダイシングソーによるダイシング動作を改善できる。
次に、表示装置8Bにおける検査結果のグラフィック表示方法について説明する。図11は、表示装置8Bにおける検査結果のグラフィック表示方法を説明するイメージ図である。このイメージ図は、図9および図10で説明した検査結果を表示装置8Bの表示画面にグラフィック表示したものである。表示装置8Bは、ウエハ保持部2の形状をそのままグラフィック表示し、加えて、ウエハマップWMの不良品を表す記号「B」も併せて表示する。
表示装置8Bは、図9に示された大きな離間距離gx1、および破損の可能性を有するダイ部品D(5,1)を見易く表示する。また、表示装置8Bは、図10に示された平行でないダイシングラインL1およびダイシングラインL2を見易く表示する。見易く表示するために、表示色や表示線種を変更する方法、および点滅表示を行う方法などが適宜採用される。これにより、オペレータに注意喚起を促すことができ、かつ、検査結果の問題箇所を明瞭に表示できる。
(6.第2実施形態のダイ部品供給装置10の態様および効果)
第2実施形態のダイ部品供給装置10は、記憶されたウエハ特性データ88を用いて所定の検査を実行する検査実行部8Aをさらに備える。これによれば、個々のダイ部品Dの検査に加えて、半導体ウエハの全体に関係する検査を実行でき、従来よりも検査項目を拡げることができる。
さらに、検査実行部8Aは、実行した検査の検査結果をウエハ保持部2の形状に対応付けてグラフィック表示する。これによれば、見易い表示を用いて、オペレータに注意喚起を促すことができ、かつ、検査結果の問題箇所を明瞭に表示できる。
さらに、検査実行部は、実行した検査の検査結果を上流側装置8Cおよび下流側装置8Dの少なくとも一方に出力する。これによれば、上流側装置8Cおよび下流側装置8Dは、検査結果を参考にして、動作精度を向上したり、動作を改善したりできる。
また、検査実行部8Aは、部品保持シート23の上面における複数のダイ部品Dの配置を表すウエハマップと、ウエハ特性データ88とを比較して、吸着したダイ部品Dの適否を検査する。これによれば、不良品のダイ部品Dを吸着した不適事項や、ダイ部品Dの個体を誤認識する取り違えを検査できる。
また、検査実行部8Aは、ウエハ特性データ88に基づいて、隣接するダイ部品Dの離間距離を求め、吸着したダイ部品Dの取り違えの可能性、ダイ部品Dの破損の可能性、および部品保持シート23のエキスパンド状態の良否の少なくとも一項目を検査する。これによれば、隣接するダイ部品Dの離間距離を求めることで、様々な検査項目を実行できる。
また、検査実行部8Aは、ウエハ特性データ88に基づいて、複数のダイ部品Dのサイズのばらつきを求め、半導体ウエハのダイシング状態の良否を検査する。これによれば、単純に個々のダイ部品Dのサイズの合否を判定するのでなく、複数のダイ部品Dが関係するダイシング状態の良否を検査できる。
(7.実施形態の応用および変形)
なお、第1実施形態のダイ部品供給装置1および第2実施形態のダイ部品供給装置10は、ウエハマップWMを用いない運用形態でも実施できる。ウエハマップWMを用いない運用形態では、ダイ部品Dの良否判定結果をダイ部品D自体の上面に表示し、部品画像データの画像処理で表示を読み取る。また、第1実施形態において、データ処理記憶部87は、部品画像データを画像処理せずに、そのままウエハ特性データにまとめて記憶してもよい。これによれば、情報量の多い生データの形態で吸着時の状況が記憶されるので、後になって所望する任意のデータ加工や、任意の検査指標の抽出が可能になる。
さらに、第1実施形態において、装着ヘッド48および撮像カメラ6は、共通のX軸移動台44に設けられて一緒に移動するが、これに限定されない。つまり、装着ヘッド48および撮像カメラ6は、それぞれ別の移動台に設けられ、別々の駆動部で干渉しないように順番にダイ部品Dの上方に駆動されてもよい。これによれば、装着ヘッド48がダイ部品Dを基板Kに装着しているときに、撮像カメラ6は次のダイ部品Dを撮像できるので、所要時間が短縮される。本発明は、他にも様々な応用や変形が可能である。
1:第1実施形態のダイ部品供給装置 2:ウエハ保持部 22:支持リング 23:部品保持シート 3:突き上げポット 31:移動機構 32:昇降機構 4:駆動部 5:吸着ノズル 6:撮像カメラ 7:部品カメラ 8:制御装置 81:基板搬送制御部 82:駆動部制御部 83:ノズル制御部 84:突き上げ制御部 85:撮像カメラ制御部 86:部品カメラ制御部 87:データ処理記憶部 88:ウエハ特性データ 9:電子部品装着機 10:第2実施形態のダイ部品供給装置 80:制御装置 8A:検査実行部 8B:表示装置 8C:上流側装置 8D:下流側装置 D:ダイ部品 WM:ウエハマップ

Claims (10)

  1. 半導体ウエハがダイシングされて形成された複数のダイ部品を上面に保持する伸縮可能な部品保持シート、および前記部品保持シートの周縁を支持する支持リングを有するウエハ保持部と、
    前記部品保持シートから前記ダイ部品を1個ずつ吸着する吸着ノズルと、
    前記吸着ノズルが吸着する前記ダイ部品を、吸着される以前に周囲の状況とともに撮像して部品画像データを取得する撮像カメラと、
    前記ウエハ保持部に対して、前記吸着ノズルおよび前記撮像カメラを相対的に移動させる駆動部と、
    複数の前記ダイ部品に対応してそれぞれ取得される複数の前記部品画像データ、または、複数の前記部品画像データをそれぞれ画像処理して求められる複数の部品特性データを、ウエハ特性データにまとめて記憶するデータ処理記憶部と、
    を備えるダイ部品供給装置。
  2. 前記データ処理記憶部は、複数の前記部品特性データを前記ウエハ特性データにまとめて記憶し、
    前記部品特性データは、前記ウエハ保持部に設定された座標系を用いて表される前記ダイ部品の位置、前記ダイ部品のサイズ、および隣接する前記ダイ部品の離間距離のうち少なくとも一項目を含む、
    請求項1に記載のダイ部品供給装置。
  3. 前記ダイ部品を前記部品保持シートとともに保持高さから吸着高さまで突き上げる突き上げポットをさらに備え、
    前記撮像カメラは、前記保持高さにある前記ダイ部品を撮像し、
    前記吸着ノズルは、前記吸着高さにある前記ダイ部品を吸着する、
    請求項1または2に記載のダイ部品供給装置。
  4. 前記データ処理記憶部は、前記ダイ部品ごとに設定される前記突き上げポットの突き上げ位置および突き上げ高さの少なくとも一方の情報を、前記部品画像データに対応付けて記憶し、または前記部品特性データに含める請求項3に記載のダイ部品供給装置。
  5. 記憶された前記ウエハ特性データを用いて所定の検査を実行する検査実行部をさらに備える請求項1〜4のいずれか一項に記載のダイ部品供給装置。
  6. 前記検査実行部は、実行した検査の検査結果を前記ウエハ保持部の形状に対応付けてグラフィック表示する請求項5に記載のダイ部品供給装置。
  7. 前記検査実行部は、実行した検査の検査結果を上流側装置および下流側装置の少なくとも一方に出力する請求項5または6に記載のダイ部品供給装置。
  8. 前記検査実行部は、前記部品保持シートの前記上面における複数の前記ダイ部品の配置を表すウエハマップと、前記ウエハ特性データとを比較して、吸着した前記ダイ部品の適否を検査する請求項5〜7のいずれか一項に記載のダイ部品供給装置。
  9. 前記検査実行部は、前記ウエハ特性データに基づいて、隣接する前記ダイ部品の離間距離を求め、吸着した前記ダイ部品の取り違えの可能性、前記ダイ部品の破損の可能性、および前記部品保持シートのエキスパンド状態の良否の少なくとも一項目を検査する請求項5〜8のいずれか一項に記載のダイ部品供給装置。
  10. 前記検査実行部は、前記ウエハ特性データに基づいて、複数の前記ダイ部品のサイズのばらつきを求め、前記半導体ウエハのダイシング状態の良否を検査する請求項5〜9のいずれか一項に記載のダイ部品供給装置。
JP2018555359A 2016-12-06 2016-12-06 ダイ部品供給装置 Active JP6623310B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/086149 WO2018105032A1 (ja) 2016-12-06 2016-12-06 ダイ部品供給装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018105032A1 true JPWO2018105032A1 (ja) 2019-07-25
JP6623310B2 JP6623310B2 (ja) 2019-12-18

Family

ID=62490886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018555359A Active JP6623310B2 (ja) 2016-12-06 2016-12-06 ダイ部品供給装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10879096B2 (ja)
EP (1) EP3553813B1 (ja)
JP (1) JP6623310B2 (ja)
CN (1) CN110024098B (ja)
WO (1) WO2018105032A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI756142B (zh) * 2021-06-15 2022-02-21 博磊科技股份有限公司 基板切斷裝置及基板切斷裝置的作動方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3971848B2 (ja) 1998-06-23 2007-09-05 キヤノンマシナリー株式会社 ダイボンダ
JP4338374B2 (ja) * 2002-09-30 2009-10-07 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ ダイピックアップ装置及びダイピックアップ方法
JP2011061069A (ja) 2009-09-11 2011-03-24 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2013004794A (ja) * 2011-06-17 2013-01-07 Renesas Electronics Corp 半導体チップのピックアップ装置、ピックアップ方法、ダイボンディング装置、ダイボンディング方法、半導体装置の製造方法
JP5941715B2 (ja) * 2012-03-19 2016-06-29 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイピックアップ装置及びダイピックアップ方法
JP5988453B2 (ja) * 2012-03-27 2016-09-07 富士機械製造株式会社 ダイ供給装置
WO2013145202A1 (ja) * 2012-03-29 2013-10-03 富士機械製造株式会社 ウエハマップデータ照合システム及びウエハマップデータ照合方法
WO2014068763A1 (ja) * 2012-11-02 2014-05-08 富士機械製造株式会社 ダイ供給装置のエキスパンドリング内径計測システム及び突き上げ動作干渉回避システム
JP6049221B2 (ja) * 2012-11-27 2016-12-21 富士機械製造株式会社 ダイ供給装置
EP2938176B1 (en) * 2012-12-20 2018-02-14 Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. Die supply device
TWI570823B (zh) * 2013-08-14 2017-02-11 新川股份有限公司 半導體製造裝置以及半導體裝置的製造方法
JP6633616B2 (ja) * 2015-03-30 2020-01-22 株式会社Fuji 情報管理装置及び情報管理方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3553813A4 (en) 2020-01-01
JP6623310B2 (ja) 2019-12-18
US10879096B2 (en) 2020-12-29
EP3553813A1 (en) 2019-10-16
WO2018105032A1 (ja) 2018-06-14
EP3553813B1 (en) 2023-07-26
US20190355602A1 (en) 2019-11-21
CN110024098A (zh) 2019-07-16
CN110024098B (zh) 2023-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4767995B2 (ja) 部品実装方法、部品実装機、実装条件決定方法、実装条件決定装置およびプログラム
JP6411028B2 (ja) 管理装置
JP4629584B2 (ja) 実装システムおよび電子部品の実装方法
JP6522797B2 (ja) ダイピックアップ装置
JPWO2019163108A1 (ja) ダイピックアップ方法及び装置
JP6439138B2 (ja) 電子部品実装システム
JP2013115229A (ja) 部品実装方法及び部品実装システム
JP4824739B2 (ja) 部品実装装置および部品実装方法
JP6623310B2 (ja) ダイ部品供給装置
JP4989384B2 (ja) 部品実装装置
JP2004071641A (ja) 部品実装方法及び部品実装装置
JP2000227401A (ja) テープキャリア欠陥検査装置及びテープキャリア欠陥検査装置におけるテープキャリアの搬送方法
JP2007287838A (ja) 部品移載装置、実装機および部品検査機用部品移載装置
JP2016115754A (ja) 部品実装装置、表面実装機、及び部品厚み検出方法
JP7235603B2 (ja) 部品実装用データの変更装置、変更プログラム、及び、表面実装機
JP6086671B2 (ja) ダイ部品供給装置
JP4308736B2 (ja) 電子部品供給方法、同装置および表面実装機
JP6884494B2 (ja) 部品搬送装置、部品搬送方法および部品実装装置
JP6259331B2 (ja) 部品実装装置
JP4954666B2 (ja) 実装機およびこれを用いた部品実装システム
JP7321637B2 (ja) ノズルメンテナンス方法、ノズル検査装置
JP6921561B2 (ja) ダイ供給装置
JP2022078579A (ja) 部品実装装置および部品実装方法
JP2023070212A (ja) 部品装着装置およびツール確認方法
KR20050089107A (ko) 반도체 소자 테스트 핸들러의 픽커의 작업위치 인식 장치및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190412

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191119

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191125

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6623310

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250