JPWO2017203622A1 - 封止構造体及びその製造方法、並びに、封止材 - Google Patents
封止構造体及びその製造方法、並びに、封止材 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017203622A1 JPWO2017203622A1 JP2018518859A JP2018518859A JPWO2017203622A1 JP WO2017203622 A1 JPWO2017203622 A1 JP WO2017203622A1 JP 2018518859 A JP2018518859 A JP 2018518859A JP 2018518859 A JP2018518859 A JP 2018518859A JP WO2017203622 A1 JPWO2017203622 A1 JP WO2017203622A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- resin
- electronic component
- metal layer
- sealing structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 178
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 127
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 127
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 109
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 163
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 63
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 63
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 31
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 31
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 26
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 23
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 21
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 20
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 13
- -1 “HP-4710” Chemical compound 0.000 description 13
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 12
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 9
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 5
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 3
- GLTDLAUASUFHNK-UHFFFAOYSA-N n-silylaniline Chemical compound [SiH3]NC1=CC=CC=C1 GLTDLAUASUFHNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWEYKIWAZBBXJK-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloro-2,2-bis(4-hydroxyphenyl)ethylene Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=C(Cl)Cl)C1=CC=C(O)C=C1 OWEYKIWAZBBXJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPQAUEDTKNBRNG-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoylsilicon Chemical compound CC(=C)C([Si])=O ZPQAUEDTKNBRNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BATCUENAARTUKW-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxyphenyl)-diphenylmethyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BATCUENAARTUKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMPGNGRIGSEMTC-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(4-hydroxyphenyl)-3,3,5-trimethylcyclohexyl]phenol Chemical compound C1C(C)CC(C)(C)CC1(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 UMPGNGRIGSEMTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJWIRZQYWANBMP-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxy-3-propan-2-ylphenyl)propan-2-yl]-2-propan-2-ylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C(C)C)=CC(C(C)(C)C=2C=C(C(O)=CC=2)C(C)C)=C1 IJWIRZQYWANBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVFQHGDIOXNKIC-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[3-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=CC(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 PVFQHGDIOXNKIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGUJJOYLOCXENZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical class C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 DGUJJOYLOCXENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)pentan-2-imine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C(C)CC(C)C PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- VOWWYDCFAISREI-UHFFFAOYSA-N Bisphenol AP Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C=1C=CC(O)=CC=1)(C)C1=CC=CC=C1 VOWWYDCFAISREI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTVITOHKHWFJKO-UHFFFAOYSA-N Bisphenol B Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(CC)C1=CC=C(O)C=C1 HTVITOHKHWFJKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N Bisphenol P Chemical compound C=1C=C(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N Bisphenol Z Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)CCCCC1 SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- SMEGJBVQLJJKKX-HOTMZDKISA-N [(2R,3S,4S,5R,6R)-5-acetyloxy-3,4,6-trihydroxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound CC(=O)OC[C@@H]1[C@H]([C@@H]([C@H]([C@@H](O1)O)OC(=O)C)O)O SMEGJBVQLJJKKX-HOTMZDKISA-N 0.000 description 1
- NOKSMMGULAYSTD-UHFFFAOYSA-N [SiH4].N=C=O Chemical compound [SiH4].N=C=O NOKSMMGULAYSTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSFXLBMRGCVEMO-UHFFFAOYSA-N [SiH4].[S] Chemical compound [SiH4].[S] GSFXLBMRGCVEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- 229940081735 acetylcellulose Drugs 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 150000003934 aromatic aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N butyric aldehyde Natural products CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- DBKNGKYVNBJWHL-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-octylsilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](C)(C)Cl DBKNGKYVNBJWHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SJJCABYOVIHNPZ-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1CCCCC1 SJJCABYOVIHNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHYFIJRXGOQNFS-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-bis(2-methylpropyl)silane Chemical compound CC(C)C[Si](OC)(CC(C)C)OC NHYFIJRXGOQNFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHPUZTHRFWIGAW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-di(propan-2-yl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(C(C)C)C(C)C VHPUZTHRFWIGAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDSFBVVBFMKMRF-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis(prop-2-enyl)silane Chemical compound C=CC[Si](C)(C)CC=C ZDSFBVVBFMKMRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBNKDNRLUFTYIN-UHFFFAOYSA-N dodecyl(methoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[SiH2]OC QBNKDNRLUFTYIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MABAWBWRUSBLKQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C=C MABAWBWRUSBLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000011899 heat drying method Methods 0.000 description 1
- LKGYNSULFSODJP-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol;phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1.OC1=CC=CC=C1.CCCCCC(O)O LKGYNSULFSODJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N methyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C)OC1=CC=CC=C1 DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000011115 styrene butadiene Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-methylpropyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC(C)C)(OCC)OCC ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBBATURSCRIBHN-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(3-triethoxysilylpropyldisulfanyl)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCSSCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FBBATURSCRIBHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(3-triethoxysilylpropyltetrasulfanyl)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCSSSSCCC[Si](OCC)(OCC)OCC VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC=C LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- NLSXASIDNWDYMI-UHFFFAOYSA-N triphenylsilanol Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(O)C1=CC=CC=C1 NLSXASIDNWDYMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 125000002256 xylenyl group Chemical class C1(C(C=CC=C1)C)(C)* 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
図1及び図2は、本実施形態に係る封止構造体を示す模式断面図である。本実施形態に係る封止構造体(封止成形物、電子部品装置)100a,100b,100c,100d,100eは、電子部品(第1の電子部品。第1層目の電子部品)10と、電子部品10を封止する封止部(樹脂硬化物)20と、封止部20上に配置された金属層30,30aと、を備える。金属層30は、パターニングされていない金属層であり、金属層30aは、所定のパターン形状を有する金属パターンである。
本実施形態に係る封止構造体(封止成形物、電子部品装置)の製造方法は、金属層と、前記金属層上に配置された樹脂層と、を備える封止材の前記樹脂層により電子部品(第1の電子部品)を封止する封止工程を備える。前記封止工程は、例えば、樹脂層を加熱して溶融させると共に、圧力を加えて電子部品を樹脂層で封止する工程であってもよい。
本実施形態に係る封止材について説明する。本実施形態に係る封止材によれば、金属層をそのまま配線形成に利用できるため、電子部品を封止した後の配線形成プロセスを簡略化することができる。本実施形態に係る封止材によれば、被封止体(電子部品)上への樹脂の均一供給ができると共に発塵を低減することができる。
封止材1の製造方法は、例えば、樹脂組成物を金属層30上に塗布して塗膜を形成する工程と、塗膜を加熱乾燥して樹脂層20aを形成する工程と、を備えていてもよい。塗布方法としては、特に限定されず、ダイコート、コンマコート等が挙げられる。加熱乾燥方法としては、熱風吹き付け等が挙げられる。
a11:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(三菱化学株式会社製、商品名:JER806、エポキシ当量:160)(25℃で液状である成分)
a12:ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂(DIC株式会社製、商品名:EXA−4750、エポキシ当量:182)(25℃で液状ではない成分)
a13:ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂(DIC株式会社製、商品名:HP−4710、エポキシ当量:170)(25℃で液状ではない成分)
a14:ブタジエンエラストマー粒子含有ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂(株式会社カネカ製、商品名:MX−136、液状エポキシ樹脂の含有量:25質量%、エラストマー粒子の含有量:75質量%、エラストマー粒子の平均粒径:0.1μm)(25℃で液状の樹脂を含む成分)
a15:シリコーンエラストマー粒子含有液状エポキシ樹脂(ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂及びビスフェノールA型液状エポキシ樹脂の混合物。株式会社カネカ製、商品名:MX−965、液状エポキシ樹脂の含有量:25質量%、エラストマー粒子の含有量:75質量%)(25℃で液状の樹脂を含む成分)
a21:フェノールノボラック(旭有機材工業株式会社製、商品名:PAPS−PN2、フェノール性水酸基当量:104)(25℃で液状ではない成分)
a22:ナフタレンジオールノボラック(新日鉄住金化学株式会社製、商品名:SN−395)(25℃で液状ではない成分)
a23:フェノールノボラック(明和化成株式会社製、商品名:DL−92、フェノール性水酸基当量:103)(25℃で液状ではない成分)
a3:イミダゾール(四国化成工業株式会社製、商品名:2P4MZ)(25℃で液状ではない成分)
B1:酸化アルミニウム粒子(住友化学株式会社製、商品名:AA−1.5、平均粒径:1.5μm)
B2:シリカ粒子(株式会社アドマテックス製、商品名:SC5500−SXE、フェニルアミノシラン処理、平均粒径:1.6μm)
B3:シリカ粒子(株式会社アドマテックス製、商品名:SC2500−SXJ、フェニルアミノシラン処理、平均粒径:0.5μm)
B4:シリカスラリー(株式会社アドマテックス製、商品名:SC2050−MTK、平均粒径:0.5μm、シリカ粒子の含有量:70.18質量%)
D:メチルエチルケトン
(ワニスの調製)
表1に示す組成を有するワニス(ワニス状樹脂組成物)を以下のとおり調製した。10Lのポリエチレン製の容器に成分Dを100g入れた。次に、容器に成分B3を750.8g加えた後、撹拌羽根で成分B3を分散して分散液を得た。この分散液に、成分a11を90.1g、成分a13を31g、成分a14を24g、成分a15を9g、成分a21を93.1g加えた後に撹拌した。成分a21が溶解したことを確認した後、成分a3を1.9g加え、更に1時間撹拌した。得られた混合物をナイロン製#200メッシュ(開口径:75μm)でろ過した。ろ液を採取してワニスを得た。
塗工機を使用して銅箔(日本電解株式会社製、商品名:YGP−35R、銅箔厚み:35μm)上に前記ワニスを塗布して塗膜を得た後に塗膜を乾燥させて、銅箔上に樹脂層を形成した。塗布及び乾燥は、下記条件で行った。乾燥後の樹脂層の厚みは20μmであった。樹脂層の銅箔とは反対側に50μm厚の保護層(ポリエチレンテレフタレートフィルム)を配置することにより封止材Aを得た。なお、下記の各測定においては、保護層を剥離した上で測定を行った。
塗工機:株式会社ヒラノテクシード製のダイコータ
塗布ヘッド方式:ダイ
塗布及び乾燥速度:5m/分
乾燥条件(温度/炉長):60℃/3.3m、90℃/3.3m、110℃/3.3m
塗布及び乾燥速度を1m/分に変更したこと以外は、封止材Aの作製と同様にして封止材Bを作製した。乾燥後の樹脂層の厚みは200μmであった。
(1)樹脂層の最低溶融粘度
封止材Aの樹脂層の最低溶融粘度を、レオメータを用いて以下の手順で測定した。まず、銅箔から樹脂層を0.6g剥がし取り、圧縮成形機にて直径2cmのタブレットに成形した。このタブレットの粘度を以下の条件にて測定した。40℃から200℃まで温度を昇温しながら粘度を測定し、最も低い粘度を最低溶融粘度とした。樹脂層の溶融粘度が低い場合、電子部品を容易に封止できる。測定結果を表1に示す。
測定装置:レオメータ、TAインスツルメントジャパン株式会社製、商品名:ARES−G2
測定モード:Dynamic Temperature Ramp
周波数:1.0Hz
温度範囲:40〜200℃
昇温速度:5℃/分
封止材Aの樹脂層がシリコンウェハ(厚み:775μm)に接するように下記ラミネート条件で封止材Aをシリコンウェハにラミネートした。次に、前記シリコンウェハをSUS板に固定した後、下記硬化条件で樹脂層を熱硬化させた。続いて、銅箔の表面に幅5mmのマイラーテープを5cm以上の長さになるように3本貼り付け、銅箔の一部をエッチング除去した。次いで、下記条件で銅箔と硬化後の樹脂層との間の接着強度を測定した。銅箔と硬化後の樹脂層との接着強度が良好である場合、配線を形成するプロセス中に配線が封止構造体から剥離することを容易に防止できる。測定結果を表1に示す。
ラミネータ装置:株式会社名機製作所製、真空加圧ラミネータMVLP−500
ラミネート温度:110℃
ラミネート圧力:0.5MPa
真空引き時間:30秒
ラミネート時間:40秒
オーブン:エスペック株式会社製、SAFETY OVEN SPH−201
オーブン温度:140℃
時間:60分
接着強度測定装置:株式会社島津製作所製、EZTest/CE
引っ張り速度:5cm/分
封止材Bの樹脂層が12インチサイズのシリコンウェハ(厚み:800μm)に接するように下記ラミネート条件で封止材Bをシリコンウェハにラミネートした。次に、下記硬化条件で樹脂層を熱硬化して樹脂硬化体を得た。続いて、前記樹脂硬化体の反り量を反り測定ステージ装置(コムス株式会社製、商品名:CP−500)及び反り測定レーザー光装置(株式会社キーエンス製、商品名:LK−030)を用いて測定した。測定結果を表1に示す。
ラミネータ装置:株式会社名機製作所製、真空加圧ラミネータMVLP−500
ラミネート温度:90℃
ラミネート圧力:0.5MPa
真空引き時間:30秒
ラミネート時間:40秒
オーブン:エスペック株式会社製、SAFETY OVEN SPH−201
オーブン温度:140℃
時間:120分
無機充填材として689.6gの成分B1を用い、エポキシ樹脂として130.5gの成分a11、37.1gの成分a12及び17.1gの成分a13を用い、硬化剤として123.5gの成分a22を用い、硬化促進剤として2.3gの成分a3を用い、エラストマー含有エポキシ樹脂を用いなかったこと以外は実施例1と同様にして、表1に示す組成を有するワニス(ワニス状樹脂組成物)を調製した。そして、実施例1と同様にして、封止材を作製すると共に各測定を行った。測定結果を表1に示す。
無機充填材として802.2gの成分B1を用い、エポキシ樹脂として96.1gの成分a11及び24gの成分a13を用い、硬化剤として76.1gの成分a23を用い、硬化促進剤として1.5gの成分a3を用い、エラストマー含有エポキシ樹脂を用いなかったこと以外は実施例1と同様にして、表1に示す組成を有するワニス(ワニス状樹脂組成物)を調製した。そして、実施例1と同様にして、封止材を作製すると共に各測定を行った。測定結果を表1に示す。
10Lのポリエチレン製の容器に成分B4(無機充填材、シリカスラリー)を1104g入れ、成分B4に含まれるシリカ粒子を撹拌羽根で分散して分散液を得た。この分散液を用い、エポキシ樹脂として79.2gの成分a11及び28.1gの成分a13を用い、エラストマー含有エポキシ樹脂として24.1gの成分a14及び9gの成分a15を用い、硬化剤として83.2gの成分a23を用い、硬化促進剤として1.7gの成分a3を用いたこと以外は実施例1と同様にして、表1に示す組成を有するワニス(ワニス状樹脂組成物)を調製した。そして、実施例1と同様にして、封止材を作製すると共に各測定を行った。測定結果を表1に示す。
無機充填材として688.9gの成分B1を用い、エポキシ樹脂として129.3gの成分a11及び55.1gの成分a13を用い、硬化剤として124.3gの成分a22を用い、硬化促進剤として2.3gの成分a3を用い、エラストマー含有エポキシ樹脂を用いなかったこと以外は実施例1と同様にして、表1に示す組成を有するワニス(ワニス状樹脂組成物)を調製した。そして、実施例1と同様にして、封止材を作製すると共に各測定を行った。測定結果を表1に示す。
無機充填材として691.1gの成分B1、51.1gの成分B2及び74.1gの成分B3を用い、エポキシ樹脂として89.1gの成分a11及び22gの成分a12を用い、硬化剤として71.1gの成分a21を用い、硬化促進剤として1.4gの成分a3を用い、エラストマー含有エポキシ樹脂を用いなかったこと以外は実施例1と同様にして、表1に示す組成を有するワニス(ワニス状樹脂組成物)を調製した。そして、実施例1と同様にして、封止材を作製すると共に各測定を行った。測定結果を表1に示す。
Claims (12)
- 金属層と、前記金属層上に配置された樹脂層と、を備える封止材の前記樹脂層により第1の電子部品を封止する封止工程を備える、封止構造体の製造方法。
- 前記第1の電子部品が複数である、請求項1に記載の封止構造体の製造方法。
- 前記封止工程の後に、前記金属層をパターニングして金属パターンを得る工程を更に備える、請求項1又は2に記載の封止構造体の製造方法。
- 前記封止工程の前に、前記金属層として金属パターンを得る工程を更に備える、請求項1又は2に記載の封止構造体の製造方法。
- 前記封止工程の後に、前記金属層の前記樹脂層とは反対側に第2の電子部品を配置する工程を更に備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の封止構造体の製造方法。
- 前記封止工程の後に、前記第1の電子部品、前記樹脂層及び前記金属層を備える構造体をダイシングする工程を更に備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載の封止構造体の製造方法。
- 金属層と、前記金属層上に配置された樹脂層と、を備え、
前記樹脂層により電子部品を封止するために用いられる、封止材。 - 前記金属層が金属パターンである、請求項7に記載の封止材。
- 第1の電子部品と、前記第1の電子部品を封止する封止部と、前記封止部上に配置された金属層と、を備える、封止構造体。
- 前記金属層が金属パターンである、請求項9に記載の封止構造体。
- 前記第1の電子部品を複数備える、請求項9又は10に記載の封止構造体。
- 前記金属層の前記封止部とは反対側に第2の電子部品を更に備える、請求項9〜11のいずれか一項に記載の封止構造体。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/065434 WO2017203622A1 (ja) | 2016-05-25 | 2016-05-25 | 封止構造体及びその製造方法、並びに、封止材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017203622A1 true JPWO2017203622A1 (ja) | 2019-03-22 |
JP6705501B2 JP6705501B2 (ja) | 2020-06-03 |
Family
ID=60411719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018518859A Active JP6705501B2 (ja) | 2016-05-25 | 2016-05-25 | 封止構造体の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6705501B2 (ja) |
KR (2) | KR20230165396A (ja) |
CN (1) | CN109155256B (ja) |
WO (1) | WO2017203622A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI791716B (zh) | 2017-12-18 | 2023-02-11 | 南韓商Lg化學股份有限公司 | 封裝組成物 |
JP2019160868A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | 日東電工株式会社 | 封止用シート |
KR102455146B1 (ko) * | 2020-02-10 | 2022-10-17 | 주식회사 나노인 | 기판의 구조충진을 위한 가역적 코팅 방법 및 봉지 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006120943A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Shinko Electric Ind Co Ltd | チップ内蔵基板及びその製造方法 |
JP2010239150A (ja) * | 2003-09-09 | 2010-10-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
JP2014175459A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2014229771A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 日東電工株式会社 | 電子部品装置の製造方法、積層シート、及び、電子部品装置 |
JP2015185615A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置および電子回路装置 |
JP2016092275A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 信越化学工業株式会社 | 電磁波シールド性支持基材付封止材及び封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ並びに半導体装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS616615A (ja) | 1984-06-20 | 1986-01-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 屈折率分布型レンズ |
JP2001127095A (ja) | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001244372A (ja) | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3616615B2 (ja) | 2002-06-06 | 2005-02-02 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-05-25 JP JP2018518859A patent/JP6705501B2/ja active Active
- 2016-05-25 CN CN201680085878.7A patent/CN109155256B/zh active Active
- 2016-05-25 WO PCT/JP2016/065434 patent/WO2017203622A1/ja active Application Filing
- 2016-05-25 KR KR1020237041262A patent/KR20230165396A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-05-25 KR KR1020187033617A patent/KR20190010560A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010239150A (ja) * | 2003-09-09 | 2010-10-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
JP2006120943A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Shinko Electric Ind Co Ltd | チップ内蔵基板及びその製造方法 |
JP2014175459A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2014229771A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 日東電工株式会社 | 電子部品装置の製造方法、積層シート、及び、電子部品装置 |
JP2015185615A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置および電子回路装置 |
JP2016092275A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 信越化学工業株式会社 | 電磁波シールド性支持基材付封止材及び封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ並びに半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109155256B (zh) | 2022-06-24 |
KR20190010560A (ko) | 2019-01-30 |
KR20230165396A (ko) | 2023-12-05 |
WO2017203622A1 (ja) | 2017-11-30 |
CN109155256A (zh) | 2019-01-04 |
JP6705501B2 (ja) | 2020-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6341277B2 (ja) | フィルム状エポキシ樹脂組成物、フィルム状エポキシ樹脂組成物の製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6749887B2 (ja) | 封止用フィルム及びそれを用いた電子部品装置 | |
JP7115520B2 (ja) | 封止用フィルム及び封止構造体 | |
WO2016125350A1 (ja) | エポキシ樹脂組成物、フィルム状エポキシ樹脂組成物、硬化物及び電子装置 | |
JP6705501B2 (ja) | 封止構造体の製造方法 | |
TWI733014B (zh) | 密封薄膜、電子零件裝置的製造方法及電子零件裝置 | |
JP2018064054A (ja) | 封止材、及び、封止構造体の製造方法 | |
JP6834265B2 (ja) | 封止構造体の製造方法、封止材及び硬化物 | |
KR102441766B1 (ko) | 봉지용 필름 및 봉지 구조체, 및 이들의 제조 방법 | |
JP2024129384A (ja) | 封止フィルム及びその製造方法、並びに、電子部品装置及びその製造方法 | |
WO2016204182A1 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、硬化物、樹脂シート、封止構造体及びその製造方法、並びに、電子部品装置及びその製造方法 | |
JP2021034420A (ja) | 封止用フィルム、封止構造体、及び封止構造体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200327 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200414 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200427 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6705501 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |