JPWO2016139744A1

JPWO2016139744A1 - 半導体製造装置

Info

Publication number: JPWO2016139744A1
Application number: JP2017503247A
Authority: JP
Inventors: 宏幸村崎
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2015-03-03
Filing date: 2015-03-03
Publication date: 2017-05-25
Anticipated expiration: 2035-03-03
Also published as: JP6336196B2; WO2016139744A1

Abstract

本技術は、可動部に接続される金属配線の短絡を抑制できる絶縁性の筒状体を有する半導体製造装置に関するものである。本技術に関する半導体製造装置は、ステージ（２）と、金属配線（１１）と、複数の絶縁性の筒状体（３）とを備える。ここで、ステージ（２）は、移動可能であり、半導体基板（１）を配置する。また、金属配線（１１）は、金属細線（１１ａ）が束ねられて形成され、ステージ（２）に接続される。また、筒状体は、金属配線（１１）が通され、金属配線（１１）が屈曲可能なように個片化される。また、各筒状体は、金属配線（１１）に向き合う内周面（９）の、金属配線（１１）の軸方向における端部が面取りされた形状である。

Description

本技術は、半導体製造装置に関し、特に、移動可能なステージに接続される金属配線を覆う絶縁性の筒状体を有する半導体製造装置に関するものである。

炭化珪素（以下、ＳｉＣと称する場合がある）半導体装置の製造方法では、イオン注入装置を用いた不純物のイオン注入により、炭化珪素基板内の不純物濃度の制御が行われている。

炭化珪素からなる半導体基板上に不純物をイオン注入する際には、炭化珪素半導体基板はステージ上に配置される。そして、当該ステージは、たとえば銅製の金属配線を用いて高温に制御される（半導体ウエハに関する例としては、特許文献１を参照）。

特開平７−２８３２９２号公報

上記の温度制御に用いられる金属配線としては、たとえば、直径が０．０５ｍｍ程度の銅製の金属細線を束ねて直径を３ｍｍφ程度とした銅製の金属配線が複数用いられることが想定されるが、通常はさらに、各金属配線間を絶縁するためのカバーとしての、たとえば、内径が３．５ｍｍ程度であり、肉厚が１．７５ｍｍ程度であり、長さが６ｍｍ程度であるセラミックからなる絶縁性の筒状体が個片化されて断続的に取り付けられる。以下、このようなセラミックからなる絶縁性の筒状体の各個片を碍子と称する場合がある。

ステージ上に炭化珪素半導体基板が配置された後、不純物をイオン注入するために、たとえば、水平状態であった当該ステージの主面を垂直状態にする。

当該ステージの移動の際には、ステージに取り付けられた複数の金属配線も連動して移動する。そのため、当該ステージの移動の際、金属配線と、当該金属配線に取り付けられている碍子とが接触して擦れ、金属細線が断線してしまう場合がある。断線した金属細線は金属配線を覆う碍子からはみ出てしまう場合があり、はみ出た金属細線が隣接する金属配線と接触することによる短絡が生じる恐れがあった。短絡が生じれば、装置異常の原因となる。

本技術は、上記のような問題を解決するためのものであり、可動部に接続される金属配線の短絡を抑制できる絶縁性の筒状体を有する半導体製造装置に関するものである。

本技術の一態様に関する半導体製造装置は、移動可能であり、半導体基板を配置するステージと、金属細線が束ねられて形成され、前記ステージに接続される金属配線と、前記金属配線が通され、前記金属配線が屈曲可能なように個片化される、複数の絶縁性の筒状体とを備え、各前記筒状体は、前記金属配線に向き合う内周面の、前記金属配線の軸方向における端部が面取りされた形状である。

本技術の別の態様に関する半導体製造装置は、移動可能であり、半導体基板を配置するステージと、金属細線が束ねられて形成され、前記ステージに接続される金属配線と、前記金属配線が通され、前記金属配線が屈曲可能なように個片化される、複数の絶縁性の筒状体とを備え、各前記筒状体は、前記金属配線に向き合う内周面を有し、各前記筒状体は、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が一定である第１部分と、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が、前記金属配線の軸方向における前記筒状体の第１端部に近づくほど大きくなる第２部分とを有し、少なくとも前記第２部分は、前記金属配線の軸方向において前記筒状体の前記第１端部から連続する部分であり、各前記筒状体は、前記内周面の反対側の面である外周面を有し、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記外周面の直径が、前記第１部分および前記第２部分において、前記第１端部に近づくほど大きくなる。

本技術の別の態様に関する半導体製造装置は、移動可能であり、半導体基板を配置するステージと、金属細線が束ねられて形成され、前記ステージに接続される金属配線と、前記金属配線が通され、前記金属配線が屈曲可能なように個片化される、複数の絶縁性の筒状体とを備え、各前記筒状体は、前記金属配線に向き合う内周面を有し、各前記筒状体は、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が一定である第１部分と、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が、前記金属配線の軸方向における前記筒状体の第１端部に近づくほど大きくなる第２部分とを有し、少なくとも前記第２部分は、前記金属配線の軸方向において前記筒状体の前記第１端部から連続する部分であり、各前記筒状体は、前記内周面の反対側の面である外周面を有し、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記外周面の直径が、前記第１部分においては一定であり、前記第２部分においては前記第１端部に近づくほど大きくなる。

このような構成によれば、各筒状体の内周面における端部が面取りされた形状であるため、ステージを移動する際に、金属細線が断線してしまうことが抑制される。よって、金属配線の短絡を抑制することができる。

このような構成によれば、金属配線が曲がった場合に１つの筒状体と隣接する筒状体との間の曲がり角度が仮に２０°である場合でも、筒状体間から金属配線がはみ出さないような筒状体間の重なり状態を維持することができる。すなわち、仮に一部の金属細線の断線が発生した場合でも、筒状体間に重なり状態が維持されているため、断線した金属細線が筒状体の外部にはみ出すことが抑制される。よって、金属配線の短絡を抑制することができる。

このような構成によれば、金属配線が曲がった場合に１つの筒状体と隣接する筒状体との間の曲がり角度が仮に３０°である場合でも、筒状体間から金属配線がはみ出さないような筒状体間の重なり状態を維持することができる。すなわち、仮に一部の金属細線の断線が発生した場合でも、筒状体間に重なり状態が維持されているため、断線した金属細線が筒状体の外部にはみ出すことが抑制される。よって、金属配線の短絡を抑制することができる。

本技術の目的、特徴、局面および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。

実施形態に関する半導体製造装置の構成を概略的に示す図である。実施形態に関する半導体製造装置の構成（イオン注入時）を概略的に示す図である。金属配線が移動した場合に金属細線が断線し、断線した金属細線が金属配線を覆う碍子からはみ出した状態を示す写真である。金属配線を覆う一般的な碍子の構造を示す側面図である。一般的な碍子の詳細な構造を示す斜視図である。一般的な碍子の詳細な構造を示す断面図である。一般的な碍子の詳細な構造を示す側面図である。実施形態に関する碍子の詳細な構造を示す斜視図である。実施形態に関する碍子の詳細な構造を示す断面図である。実施形態に関する碍子の詳細な構造を示す側面図である。実施形態に関する碍子の詳細な構造を示す斜視図である。実施形態に関する碍子の詳細な構造を示す断面図である。実施形態に関する碍子の詳細な構造を示す側面図である。実施形態に関する碍子の詳細な構造を示す斜視図である。実施形態に関する碍子の詳細な構造を示す断面図である。実施形態に関する碍子の詳細な構造を示す側面図である。

以下、添付の図面を参照しながら実施形態について説明する。なお、図面は模式的に示されるものであり、異なる図面にそれぞれ示されている画像のサイズおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、以下の説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称および機能についても同様のものとする。よって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。

また、以下の説明では、「上」、「下」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置および方向を意味する用語が用いられる場合があるが、これらの用語は、実施形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられているものであり、実際に実施される際の方向とは関係しない。

＜第１実施形態＞
＜構成＞
以下、本実施形態に関する半導体製造装置について説明する。

図１は、本実施形態に関する半導体製造装置の構成を概略的に示す図である。

図１に示されるように、ＳｉＣウエハ１がステージ２上に配置される。また、ステージ２の温度制御に用いられる複数の金属配線１１は、一端にはステージ２が接続され、他端には固定部４が取り付けられている。金属配線１１は、たとえば、直径が０．０５ｍｍ程度の銅製の金属細線を束ねて直径を３ｍｍφ程度とした金属線である。なお、図１においては図示は省略されているが、図１に示される複数の金属配線１１は、各金属配線１１間を絶縁するための碍子でそれぞれ覆われた状態である。

図１に示されるようにステージ２上にＳｉＣウエハ１が配置されると、ＳｉＣウエハ１内にイオン注入６を行うために、たとえば図２に示されるように、ステージ２の主面を垂直状態にする。

このとき、碍子で覆われた複数の金属配線１１もステージ２に追従して移動するが、金属配線１１と、当該金属配線１１に取り付けられている碍子とが接触して擦れることにより、直径が０．０５ｍｍ程度である金属細線が断線し、断線した金属細線が金属配線１１を覆う碍子からはみ出してしまう場合がある。

図３は、上記のように金属配線１１が移動した場合に金属細線が断線し、断線した金属細線が金属配線１１を覆う碍子からはみ出した状態を示す写真である。図３に示されるように、金属細線１１ａが断線し、断線した金属細線１１ａが金属配線１１を覆う碍子３ａからはみ出している。このような状態となれば、図１に示されるように複数の金属配線１１が接続されている場合、はみ出した金属細線１１ａが隣接する金属配線１１と接触することによる短絡が生じる恐れがあり、装置異常の原因となる。

ここで、金属配線１１を覆う碍子の構造について説明する。図４は、金属配線１１を覆う一般的な碍子の構造を示す側面図である。

図４に示されるように、碍子３ａは絶縁性の筒状体の各個片であり、金属配線１１の軸周りに配置される。また、図４に示されるように碍子３ａが複数配置される場合には、各碍子３ａの間に隙間が形成され、当該隙間においては金属配線１１が露出している。このように、碍子３ａは、金属配線１１が通され、金属配線１１が屈曲可能なように個片化されている。

図５、図６および図７は、碍子３ａの詳細な構造を示す図である。図５は碍子３ａの斜視図であり、図６は碍子３ａの、金属配線１１の軸方向と垂直な面における断面図であり、図７は碍子３ａの側面図である。

図５に示されるように、碍子３ａは中空の円柱形状であり、たとえば、セラミックなどからなる。碍子３ａは、金属配線１１の軸方向に垂直な上面５ａと、上面５ａの反対側の面である下面７ａとを備える。

碍子３ａは、図６に示されるように、金属配線１１に向き合う面である内周面９ａを有する。また、碍子３ａは、図６に示されるように、内周面９ａとは反対側の面である外周面８ａを有する。

上面５ａにおいては、図７に示されるように、内周面９ａ側が、外周面８ａ側よりも突出して形成されている。また、下面７ａにおいては、図７に示されるように、外周面８ａ側が、内周面９ａ側よりも突出して形成されている。

次に、本実施形態に関する碍子について、以下に説明する。

図８、図９および図１０は、碍子３の詳細な構造を示す図である。図８は碍子３の斜視図であり、図９は碍子３の、金属配線１１の軸方向と平行な面における断面図であり、図１０は碍子３の側面図である。なお、図９は、図６におけるＡ−Ｂ断面図に相当する。

図８に示されるように、碍子３は中空の円柱形状であり、たとえば、セラミックなどからなる。碍子３は、金属配線１１の軸方向に垂直な上面５と、上面５の反対側の面である下面７とを備える。

碍子３は、図９に示されるように、金属配線１１に向き合う面である内周面９を有する。また、碍子３は、図９に示されるように、内周面９とは反対側の面である外周面８を有する。

上面５においては、図１０に示されるように、内周面９側が、外周面８側よりも突出して形成されている。また、下面７においては、図１０に示されるように、外周面８側が、内周面９側よりも突出して形成されている。

図８、図９および図１０に示されるように、内周面９における上面５側の端部１２ａおよび内周面９における下面７側の端部１２ｂが、面取りされた形状である。特に、図９においては、面取りされた範囲が点線で示されており、おおよそこの範囲において、端部１２ａおよび端部１２ｂは滑らかな曲面形状となっている。面取りされた形状である端部１２ａおよび端部１２ｂの曲率半径Ｒは、たとえば、０．１ｍｍ程度以上１．５ｍｍ程度以下である。

＜第２実施形態＞
＜構成＞
以下、本実施形態に関する半導体製造装置の、特に碍子について説明する。

以下では、上記実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。

図１１、図１２および図１３は、碍子３ｂの詳細な構造を示す図である。図１１は碍子３ｂの斜視図であり、図１２は碍子３ｂの、金属配線１１の軸方向と平行な面における断面図であり、図１３は碍子３ｂの側面図である。なお、図１２は、図６におけるＡ−Ｂ断面図に相当する。

図１１に示されるように、碍子３ｂは中空の形状であり、たとえば、セラミックなどからなる。碍子３ｂは、金属配線１１の軸方向に垂直な上面５ｂと、上面５ｂの反対側の面である下面７ｂとを備える。

碍子３ｂは、図１２に示されるように、金属配線１１に向き合う面である内周面９０および内周面９１を有する。また、碍子３ｂは、図１２に示されるように、内周面９０および内周面９１とは反対側の面である外周面８ｂを有する。

配線の軸方向と垂直な面における内周面９０の直径は、一定である。一方、配線の軸方向と垂直な面における内周面９１の直径は、碍子３ｂの下面７ｂに近づくほど大きくなる。また、下面７ｂでの内周面９１の直径は、上面５ｂでの外周面８ｂの配線の軸方向と垂直な面における直径よりも大きい。

また、配線の軸方向と垂直な面における外周面８ｂの直径は、全体に亘って下面７ｂ側に近づくほど大きくなる。

なお、内周面９０は上面５ｂから連続する内周面であり、内周面９１は下面７ｂから連続する内周面である。

また、内周面９０における上面５ｂ側の端部および内周面９１における下面７ｂ側の端部が、第１実施形態における場合と同様に面取りされた形状であってもよい。

このような構成となっているため、金属配線１１が曲がった場合に１つの碍子３ｂと隣接する碍子３ｂとの間の曲がり角度が仮に２０°である場合でも、碍子３ｂ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｂ間の重なり状態を維持することができる。すなわち、仮に一部の金属細線１１ａの断線が発生した場合でも、碍子３ｂ間に重なり状態が維持されているため、断線した金属細線１１ａが碍子３ｂの外部にはみ出すことが抑制される。

なお、内周面９０の上面５ｂからの距離は、碍子３ｂの寸法が、内径が３．５ｍｍ程度であり、肉厚が１．７５ｍｍ程度であり、長さが６ｍｍ程度である場合に、たとえば、０．２ｍｍ程度以上４ｍｍ程度以下の範囲内で設定可能である。

＜第３実施形態＞
＜構成＞
以下、本実施形態に関する半導体製造装置の、特に碍子について説明する。

図１４、図１５および図１６は、碍子３ｃの詳細な構造を示す図である。図１４は碍子３ｃの斜視図であり、図１５は碍子３ｃの、金属配線１１の軸方向と平行な面における断面図であり、図１６は碍子３ｃの側面図である。なお、図１５は、図６におけるＡ−Ｂ断面図に相当する。

図１４に示されるように、碍子３ｃは中空の形状であり、たとえば、セラミックなどからなる。碍子３ｃは、金属配線１１の軸方向に垂直な上面５ｂと、上面５ｂの反対側の面である下面７ｂとを備える。

碍子３ｃは、図１５に示されるように、金属配線１１に向き合う面である内周面９０および内周面９１を有する。また、碍子３ｃは、図１５に示されるように、内周面９０とは反対側の面である外周面８０を有する。また、碍子３ｃは、図１５に示されるように、内周面９１とは反対側の面である外周面８１を有する。

配線の軸方向と垂直な面における内周面９０の直径は、一定である。一方、配線の軸方向と垂直な面における内周面９１の直径は、碍子３ｃの下面７ｂに近づくほど大きくなる。また、下面７ｂでの内周面９１の直径は、上面５ｂでの外周面８０の配線の軸方向と垂直な面における直径よりも大きい。

配線の軸方向と垂直な面における外周面８０の直径は、一定である。一方、配線の軸方向と垂直な面における外周面８１の直径は、碍子３ｃの下面７ｂに近づくほど大きくなる。

このような構成となっているため、金属配線１１が曲がった場合に１つの碍子３ｃと隣接する碍子３ｃとの間の曲がり角度が仮に３０°である場合でも、碍子３ｃ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｃ間の重なり状態を維持することができる。すなわち、仮に一部の金属細線１１ａの断線が発生した場合でも、碍子３ｃ間に重なり状態が維持されているため、断線した金属細線１１ａが碍子３ｃの外部にはみ出すことが抑制される。

なお、内周面９０の上面５ｂからの距離は、碍子３ｃの寸法が、内径が３．５ｍｍ程度であり、肉厚が１．７５ｍｍ程度であり、長さが６ｍｍ程度である場合に、たとえば、２ｍｍ程度以上４ｍｍ程度以下の範囲内で設定可能である。

＜効果＞
以下に、上記の実施形態による効果を例示する。

上記の実施形態によれば、半導体製造装置が、ステージ２と、金属配線１１と、複数の絶縁性の筒状体に含まれる複数の碍子３とを備える。

ステージ２は、移動可能であり、半導体基板に含まれるＳｉＣウエハ１を配置する。金属配線１１は、金属細線１１ａが束ねられて形成され、ステージ２に接続される。碍子３は、金属配線１１が通され、金属配線１１が屈曲可能なように個片化される。

各碍子３は、金属配線１１に向き合う内周面９の、金属配線１１の軸方向における端部１２ａおよび端部１２ｂが面取りされた形状である。

このような構成によれば、各碍子３の内周面９における端部１２ａおよび端部１２ｂが面取りされた形状であるため、ステージ２を移動する際に、金属細線１１ａが断線してしまうことが抑制される。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。

また、金属配線１１の短絡が抑制されることで、半導体製造装置を安定に稼動させることができる。また、製造される半導体の加工品質を向上させることにも寄与できる。

なお、これらの構成以外の構成については適宜省略することができるが、本明細書に示される少なくとも１つの他の構成を適宜追加した場合でも、上記の効果を生じさせることができる。

また、上記の実施形態によれば、各碍子３の端部１２ａおよび端部１２ｂの曲率半径Ｒが、０．１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。

このような構成によれば、各碍子３の端部１２ａおよび端部１２ｂが上記の曲率半径で面取りされているため、ステージ２を移動する際に、金属細線１１ａが断線してしまうことが抑制される。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。

また、上記の実施形態によれば、半導体製造装置が、ステージ２と、金属配線１１と、複数の絶縁性の筒状体に含まれる複数の碍子３ｂとを備える。

ステージ２は、移動可能であり、半導体基板に含まれるＳｉＣウエハ１を配置する。金属配線１１は、金属細線１１ａが束ねられて形成され、ステージ２に接続される。碍子３ｂは、金属配線１１が通され、金属配線１１が屈曲可能なように個片化される。

各碍子３ｂは、金属配線１１に向き合う内周面９０および内周面９１を有する。また、各碍子３ｂは、金属配線１１の軸方向と垂直な面における内周面９０の直径が一定である第１部分と、金属配線１１の軸方向と垂直な面における内周面９１の直径が、金属配線１１の軸方向における碍子３ｂの第１端部としての下面７ｂに近づくほど大きくなる第２部分とを有する。少なくとも第２部分は、金属配線１１の軸方向において碍子３ｂの下面７ｂから連続する部分である。

また、各碍子３ｂは、内周面９１の反対側の面である外周面８ｂを有する。そして、金属配線１１の軸方向と垂直な面における外周面８ｂの直径が、第１部分および第２部分において、下面７ｂに近づくほど大きくなる。

このような構成によれば、金属配線１１が曲がった場合に１つの碍子３ｂと隣接する碍子３ｂとの間の曲がり角度が仮に２０°である場合でも、碍子３ｂ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｂ間の重なり状態を維持することができる。すなわち、仮に一部の金属細線１１ａの断線が発生した場合でも、碍子３ｂ間に重なり状態が維持されているため、断線した金属細線１１ａが碍子３ｂの外部にはみ出すことが抑制される。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。

また、上記の実施形態によれば、第１部分が、金属配線１１の軸方向において、碍子３ｂの下面７ｂの反対側の端部である第２端部としての上面５ｂから連続する部分である。

このような構成によれば、碍子３ｂ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｂ間の重なり状態を維持することができる。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。

また、上記の実施形態によれば、第１部分の金属配線１１の軸方向における長さが、０．１ｍｍ以上４ｍｍ以下である。

また、上記の実施形態によれば、各碍子３ｂが、内周面９０および内周面９１の、金属配線１１の軸方向における端部、すなわち、上面５ｂおよび下面７ｂの内周面側の端部が面取りされた形状である。

このような構成によれば、各碍子３ｂの内周面の端部が面取りされた形状であるため、ステージ２を移動する際に、金属細線１１ａが断線してしまうことが抑制される。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。

また、金属配線１１の短絡が抑制されることで、半導体製造装置を安定に稼動させることができる。

また、上記の実施形態によれば、半導体製造装置が、ステージ２と、金属配線１１と、複数の絶縁性の筒状体に含まれる複数の碍子３ｃとを備える。

ステージ２は、移動可能であり、半導体基板に含まれるＳｉＣウエハ１を配置する。金属配線１１は、金属細線１１ａが束ねられて形成され、ステージ２に接続される。碍子３ｃは、金属配線１１が通され、金属配線１１が屈曲可能なように個片化される。

各碍子３ｃは、金属配線１１に向き合う内周面９０および内周面９１を有する。また、各碍子３ｃは、金属配線１１の軸方向と垂直な面における内周面９０の直径が一定である第１部分と、金属配線１１の軸方向と垂直な面における内周面９１の直径が、金属配線１１の軸方向における碍子３ｃの第１端部としての下面７ｂに近づくほど大きくなる第２部分とを有する。少なくとも第２部分は、金属配線１１の軸方向において碍子３ｃの下面７ｂから連続する部分である。

また、各碍子３ｃは、内周面９１の反対側の面である外周面８０および外周面８１を有する。そして、金属配線１１の軸方向と垂直な面における外周面８０の直径が、第１部分において一定である。また、金属配線１１の軸方向と垂直な面における外周面８１の直径が、第２部分において下面７ｂに近づくほど大きくなる。

このような構成によれば、金属配線１１が曲がった場合に１つの碍子３ｃと隣接する碍子３ｃとの間の曲がり角度が仮に３０°である場合でも、碍子３ｃ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｃ間の重なり状態を維持することができる。すなわち、仮に一部の金属細線１１ａの断線が発生した場合でも、碍子３ｃ間に重なり状態が維持されているため、断線した金属細線１１ａが碍子３ｃの外部にはみ出すことが抑制される。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。

また、上記の実施形態によれば、第１部分が、金属配線１１の軸方向において、碍子３ｃの下面７ｂの反対側の端部である第２端部としての上面５ｂから連続する部分である。

このような構成によれば、碍子３ｃ間から金属配線１１がはみ出さないような碍子３ｃ間の重なり状態を維持することができる。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。

また、上記の実施形態によれば、第１部分の金属配線１１の軸方向における長さが、２ｍｍ以上４ｍｍ以下である。

また、上記の実施形態によれば、各碍子３ｃが、内周面９０および内周面９１の、金属配線１１の軸方向における端部、すなわち、上面５ｂおよび下面７ｂの内周面側の端部が面取りされた形状である。

このような構成によれば、各碍子３ｃの内周面の端部が面取りされた形状であるため、ステージ２を移動する際に、金属細線１１ａが断線してしまうことが抑制される。よって、金属配線１１の短絡を抑制することができる。

＜変形例＞
上記のステージ２の移動は、イオン注入６が行われる場合の移動に限られるものではなく、あらゆる場面におけるステージ２の移動を適用対象とすることができる。

上記実施形態では、各構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載している場合があるが、これらはすべての局面において例示であって、本明細書に記載されたものに限られることはない。よって、例示されていない無数の変形例が、本技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの実施形態における少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれる。

また、矛盾が生じない限り、上記実施形態において「１つ」備えられるものとして記載された構成要素は、「１つ以上」備えられていてもよい。さらに、各構成要素は概念的な単位であって、１つの構成要素が複数の構造物から成る場合および１つの構成要素がある構造物の一部に対応する場合、さらには、複数の構成要素が１つの構造物に備えられる場合を含む。また、各構成要素には、同一の機能を発揮する限り、他の構造または形状を有する構造物が含まれる。

また、本明細書における説明は、本技術のすべての目的のために参照され、いずれも、従来技術であると認めるものではない。

また、上記実施形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。

１ＳｉＣウエハ、２ステージ、３，３ａ，３ｂ，３ｃ碍子、４固定部、５，５ａ，５ｂ上面、６イオン注入、７，７ａ，７ｂ下面、８，８ａ，８ｂ，８０，８１
外周面、９，９ａ，９０，９１内周面、１１金属配線、１１ａ金属細線、１２ａ，１２ｂ端部。

Claims

移動可能であり、半導体基板を配置するステージと、
金属細線が束ねられて形成され、前記ステージに接続される金属配線と、
前記金属配線が通され、前記金属配線が屈曲可能なように個片化される、複数の絶縁性の筒状体とを備え、
各前記筒状体は、前記金属配線に向き合う内周面の、前記金属配線の軸方向における端部が面取りされた形状である、
半導体製造装置。
各前記筒状体の前記端部の曲率半径Ｒが、０．１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である、
請求項１に記載の半導体製造装置。
移動可能であり、半導体基板を配置するステージと、
金属細線が束ねられて形成され、前記ステージに接続される金属配線と、
前記金属配線が通され、前記金属配線が屈曲可能なように個片化される、複数の絶縁性の筒状体とを備え、
各前記筒状体は、前記金属配線に向き合う内周面を有し、
各前記筒状体は、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が一定である第１部分と、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が、前記金属配線の軸方向における前記筒状体の第１端部に近づくほど大きくなる第２部分とを有し、
少なくとも前記第２部分は、前記金属配線の軸方向において前記筒状体の前記第１端部から連続する部分であり、
各前記筒状体は、前記内周面の反対側の面である外周面を有し、
前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記外周面の直径が、前記第１部分および前記第２部分において、前記第１端部に近づくほど大きくなる、
半導体製造装置。
前記第１部分が、前記金属配線の軸方向において、前記筒状体の前記第１端部の反対側の端部である第２端部から連続する部分である、
請求項３に記載の半導体製造装置。
前記第１部分の前記金属配線の軸方向における長さが、０．１ｍｍ以上４ｍｍ以下である、
請求項３または請求項４に記載の半導体製造装置。
各前記筒状体は、前記内周面の、前記金属配線の軸方向における端部が面取りされた形状である、
請求項３または請求項４に記載の半導体製造装置。
移動可能であり、半導体基板を配置するステージと、
金属細線が束ねられて形成され、前記ステージに接続される金属配線と、
前記金属配線が通され、前記金属配線が屈曲可能なように個片化される、複数の絶縁性の筒状体とを備え、
各前記筒状体は、前記金属配線に向き合う内周面を有し、
各前記筒状体は、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が一定である第１部分と、前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記内周面の直径が、前記金属配線の軸方向における前記筒状体の第１端部に近づくほど大きくなる第２部分とを有し、
少なくとも前記第２部分は、前記金属配線の軸方向において前記筒状体の前記第１端部から連続する部分であり、
各前記筒状体は、前記内周面の反対側の面である外周面を有し、
前記金属配線の軸方向と垂直な面における前記外周面の直径が、前記第１部分においては一定であり、前記第２部分においては前記第１端部に近づくほど大きくなる、
半導体製造装置。
前記第１部分が、前記金属配線の軸方向において、前記筒状体の前記第１端部の反対側の端部である第２端部から連続する部分である、
請求項７に記載の半導体製造装置。
前記第１部分の前記金属配線の軸方向における長さが、２ｍｍ以上４ｍｍ以下である、
請求項７または請求項８に記載の半導体製造装置。
各前記筒状体は、前記内周面の、前記金属配線の軸方向における端部が面取りされた形状である、
請求項７または請求項８に記載の半導体製造装置。