JP2002069647A - プラズマｃｖｄ装置用ラジカルヒータの支持機構 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置用ラジカルヒータの支持機構Info
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- JP2002069647A JP2002069647A JP2000265725A JP2000265725A JP2002069647A JP 2002069647 A JP2002069647 A JP 2002069647A JP 2000265725 A JP2000265725 A JP 2000265725A JP 2000265725 A JP2000265725 A JP 2000265725A JP 2002069647 A JP2002069647 A JP 2002069647A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、絶縁不良の発生頻度の低減、装置の
大型化の回避、及びヒータエレメントの変形を回避する
ことを得ること課題とする。 【解決手段】プラズマＣＶＤ装置において基板と放電用
電極間に配置され、前記基板の表面に供給される材料ガ
スを加熱して製膜反応を促進するためのラジカルヒータ
を支持する機構であり、前記ラジカルヒータは、２つの
対向するフラットバーと該フラットバー間に形成された
網状のヒータエレメントから構成され、前記ラジカルヒ
ータから引き出される給電線２１と該給電線２１に張力
を付与するばね材２３とを具備することを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータの支持機構。
大型化の回避、及びヒータエレメントの変形を回避する
ことを得ること課題とする。 【解決手段】プラズマＣＶＤ装置において基板と放電用
電極間に配置され、前記基板の表面に供給される材料ガ
スを加熱して製膜反応を促進するためのラジカルヒータ
を支持する機構であり、前記ラジカルヒータは、２つの
対向するフラットバーと該フラットバー間に形成された
網状のヒータエレメントから構成され、前記ラジカルヒ
ータから引き出される給電線２１と該給電線２１に張力
を付与するばね材２３とを具備することを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータの支持機構。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ装
置に使用されるプラズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータの
支持機構に関する
置に使用されるプラズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータの
支持機構に関する
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマＣＶＤ装置としては、例
えば図１及び図２に示すものが知られている。図１に示
すように、プラズマＣＶＤ薄膜装置１は、製膜処理対象
としての基板２を所定の温度に加熱するための基板加熱
用ヒータ３を備えている。この基板加熱用ヒータ３と離
間した位置には、ラダー電極（放電用電極）４が前記基
板２に対面配置されている。ここで、ラダー電極４は、
断面が例えば円形状の複数の線材をはしご型に接続した
平面形コイル構成となっている。前記ラダー電極４の背
面側には、ガス供給機構５、防着板６が順次配置されて
いる。また、前記基板２とラダー電極４間には、基板２
の表面に供給される材料ガスを加熱して製膜反応を促進
させる基板表面ヒータ（ラジカルヒータ）７が配置され
ている。
えば図１及び図２に示すものが知られている。図１に示
すように、プラズマＣＶＤ薄膜装置１は、製膜処理対象
としての基板２を所定の温度に加熱するための基板加熱
用ヒータ３を備えている。この基板加熱用ヒータ３と離
間した位置には、ラダー電極（放電用電極）４が前記基
板２に対面配置されている。ここで、ラダー電極４は、
断面が例えば円形状の複数の線材をはしご型に接続した
平面形コイル構成となっている。前記ラダー電極４の背
面側には、ガス供給機構５、防着板６が順次配置されて
いる。また、前記基板２とラダー電極４間には、基板２
の表面に供給される材料ガスを加熱して製膜反応を促進
させる基板表面ヒータ（ラジカルヒータ）７が配置され
ている。
【０００３】前記ラジカルヒータ７は、具体的には図２
に示すような構成となっている。即ち、図２中の付番８
は外枠であり、この外枠８の内側に２つのフラットバー
９ａ，９ｂとこれら上下のフラットバー９ａ，９ｂ間に
支持、配置された網状のヒータエレメント１０が配置さ
れている。前記外枠８とラジカルヒータ７間の四方方向
にはラジカルヒータ７を外枠８に固定するための複数の
ばね材１１が配置され、これらのばね材１１によりラジ
カルヒータ７が四方向に引張られている（但し、上下方
向はフラットバー９ａ，９ｂを介してばね材１１により
引張られている）。また、前記フラットバー９ａ，９ｂ
には複数の給電線１２が上下に接続され、これらの給電
線１２は電源１３に接続されている。
に示すような構成となっている。即ち、図２中の付番８
は外枠であり、この外枠８の内側に２つのフラットバー
９ａ，９ｂとこれら上下のフラットバー９ａ，９ｂ間に
支持、配置された網状のヒータエレメント１０が配置さ
れている。前記外枠８とラジカルヒータ７間の四方方向
にはラジカルヒータ７を外枠８に固定するための複数の
ばね材１１が配置され、これらのばね材１１によりラジ
カルヒータ７が四方向に引張られている（但し、上下方
向はフラットバー９ａ，９ｂを介してばね材１１により
引張られている）。また、前記フラットバー９ａ，９ｂ
には複数の給電線１２が上下に接続され、これらの給電
線１２は電源１３に接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プラズマＣＶＤ装置によれば、ラジカルヒータ７が外枠
８やフラットバー９ａ，９ｂ、ばね材１１、給電線１２
等の多数の部材により構成されているため、構成物が多
く、絶縁不良の原因となり、装置の稼働率を低下させる
要因となっていた。また、従来装置の場合、ばね構造で
平面的にラジカルヒータ７に張力を与える構造であるの
で、全体構造が大きくなり、装置大型化の要因となって
いた。更に、従来装置の場合、ラジカルヒータ７のエレ
メント１０の左右方向を直接ばね材１１を連結して引張
るため、網状を構成するエレメント１０が変形する要因
となっていた。
プラズマＣＶＤ装置によれば、ラジカルヒータ７が外枠
８やフラットバー９ａ，９ｂ、ばね材１１、給電線１２
等の多数の部材により構成されているため、構成物が多
く、絶縁不良の原因となり、装置の稼働率を低下させる
要因となっていた。また、従来装置の場合、ばね構造で
平面的にラジカルヒータ７に張力を与える構造であるの
で、全体構造が大きくなり、装置大型化の要因となって
いた。更に、従来装置の場合、ラジカルヒータ７のエレ
メント１０の左右方向を直接ばね材１１を連結して引張
るため、網状を構成するエレメント１０が変形する要因
となっていた。
【０００５】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、ラジカルヒータを２つの対向するフラットバーと該
フラットバー間に形成された網状のヒータエレメントか
ら構成し、しかも前記ラジカルヒータから引き出される
給電線と該給電線に張力を付与するばね材とを具備した
構成にすることにより、絶縁不良の発生頻度を低減する
とともに、ラジカルヒータに立体的に張力を付与させて
装置の大型化を回避し、更にヒータエレメントの変形を
回避しえるプラズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータの支持
機構を提供することを目的とする。
で、ラジカルヒータを２つの対向するフラットバーと該
フラットバー間に形成された網状のヒータエレメントか
ら構成し、しかも前記ラジカルヒータから引き出される
給電線と該給電線に張力を付与するばね材とを具備した
構成にすることにより、絶縁不良の発生頻度を低減する
とともに、ラジカルヒータに立体的に張力を付与させて
装置の大型化を回避し、更にヒータエレメントの変形を
回避しえるプラズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータの支持
機構を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマＣＶ
Ｄ装置において基板と放電用電極間に配置され、前記基
板の表面に供給される材料ガスを加熱して製膜反応を促
進するためのラジカルヒータを支持する機構であり、前
記ラジカルヒータは、２つの対向するフラットバーと該
フラットバー間に形成された網状のヒータエレメントか
ら構成され、前記ラジカルヒータから引き出される給電
線と該給電線に張力を付与するばね材とを具備すること
を特徴とするプラズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータの支
持機構である。
Ｄ装置において基板と放電用電極間に配置され、前記基
板の表面に供給される材料ガスを加熱して製膜反応を促
進するためのラジカルヒータを支持する機構であり、前
記ラジカルヒータは、２つの対向するフラットバーと該
フラットバー間に形成された網状のヒータエレメントか
ら構成され、前記ラジカルヒータから引き出される給電
線と該給電線に張力を付与するばね材とを具備すること
を特徴とするプラズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータの支
持機構である。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明について更に詳しく
説明する。本発明において、前記支持機構は給電線とば
ね材とから構成されているが、給電線とばね材とは、例
えば、ばね材が給電線から分岐されている場合（請求項
２及び図３参照）、あるいは前記給電線に前記ばね材が
連結されている場合（請求項３及び図４参照）が挙げら
れる。
説明する。本発明において、前記支持機構は給電線とば
ね材とから構成されているが、給電線とばね材とは、例
えば、ばね材が給電線から分岐されている場合（請求項
２及び図３参照）、あるいは前記給電線に前記ばね材が
連結されている場合（請求項３及び図４参照）が挙げら
れる。
【０００８】本発明において、前記ラジカルヒータのヒ
ータエレメントに対し立体的な張力を付与する手段とし
ては、例えば前記ラジカルヒータの四方に折返し用棒を
配し、これらの折返し棒を介してヒータエレメント（給
電線）を折返すことが挙げられる（請求項４及び図５参
照）。このように、ヒータエレメントに対して立体的な
張力を付与することにより、装置の大型化を回避し、省
スペース化を実現できる。
ータエレメントに対し立体的な張力を付与する手段とし
ては、例えば前記ラジカルヒータの四方に折返し用棒を
配し、これらの折返し棒を介してヒータエレメント（給
電線）を折返すことが挙げられる（請求項４及び図５参
照）。このように、ヒータエレメントに対して立体的な
張力を付与することにより、装置の大型化を回避し、省
スペース化を実現できる。
【０００９】本発明において、折返し棒等により折返し
た後の前記給電線を外部へ導出するために再度折返す際
には、給電線を数珠碍子等により保護し、更にこの折返
し部に円弧型に加工した半割りチューブを介して折返す
ことが好ましい。これにより、給電線の切断等の不具合
を回避することができる（請求項５及び図５参照）。
た後の前記給電線を外部へ導出するために再度折返す際
には、給電線を数珠碍子等により保護し、更にこの折返
し部に円弧型に加工した半割りチューブを介して折返す
ことが好ましい。これにより、給電線の切断等の不具合
を回避することができる（請求項５及び図５参照）。
【００１０】本発明において、前記ラジカルヒータの四
方方向に張力を付与する手段としては、ラジカルヒータ
の四方の端部に夫々引張り治具を掛止し、この引張り治
具にばね材を連結することが挙げられる（請求項６参
照）。ここで、ばね材は、例えば複数の引張り治具を共
通のバーに掛止させ、このバーごとに１本のばね材で引
張るケース（図６参照）、あるいはばね材を複数の引張
り治具ごとに連結して引張るケース（図７参照）が挙げ
られる。このように、ばね材を直接ヒータエレメントに
接続させるのではなく、引張り治具を介して多数（例え
ば２０ｍｍピッチ）で引張るため、ヒータエレメントの
変形を防止することができる。
方方向に張力を付与する手段としては、ラジカルヒータ
の四方の端部に夫々引張り治具を掛止し、この引張り治
具にばね材を連結することが挙げられる（請求項６参
照）。ここで、ばね材は、例えば複数の引張り治具を共
通のバーに掛止させ、このバーごとに１本のばね材で引
張るケース（図６参照）、あるいはばね材を複数の引張
り治具ごとに連結して引張るケース（図７参照）が挙げ
られる。このように、ばね材を直接ヒータエレメントに
接続させるのではなく、引張り治具を介して多数（例え
ば２０ｍｍピッチ）で引張るため、ヒータエレメントの
変形を防止することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の各実施例について図面を参照
して説明する。但し、図１とラジカルヒータを除いて同
様なので、同部材は同付番を付して説明を省略する。
して説明する。但し、図１とラジカルヒータを除いて同
様なので、同部材は同付番を付して説明を省略する。
【００１２】（実施例１）図３を参照する。本実施例１
に係るプラズマＣＶＤ成膜装置用ラジカルヒータの支持
機構では、ラジカルヒータは、従来のように外枠を用い
ることなく、図２に示すようなフラットバー９ａ，９ｂ
と、ヒータエレメント１０とから構成されている。な
お、図示しないが、ラジカルヒータからの給電線はラジ
カルヒータ側で折り曲げ部材を介して折り曲げられた
後、チャンバー外壁側に導出されている。
に係るプラズマＣＶＤ成膜装置用ラジカルヒータの支持
機構では、ラジカルヒータは、従来のように外枠を用い
ることなく、図２に示すようなフラットバー９ａ，９ｂ
と、ヒータエレメント１０とから構成されている。な
お、図示しないが、ラジカルヒータからの給電線はラジ
カルヒータ側で折り曲げ部材を介して折り曲げられた
後、チャンバー外壁側に導出されている。
【００１３】図中の付番２１は給電線を示し、この給電
線２１より該給電線に張力を付与するばね材２３が分岐
されている。前記給電線２１の一端側（ラジカルヒータ
側）は碍子２４により保護されている。前記ばね材２３
のラジカルヒータと反対側の端部は、外側をセラミック
チューブ２５で保護されたばね止め具２６によりチャン
バー外壁２７に絶縁された状態で固定されている。前記
給電線２１の他端側は、チャンバー外壁に配置され周囲
をセラミックで絶縁された金属製のパイプ２８を通り電
流導入端子２９に接続されている。なお、図中の付番３
０はフランジを示す。
線２１より該給電線に張力を付与するばね材２３が分岐
されている。前記給電線２１の一端側（ラジカルヒータ
側）は碍子２４により保護されている。前記ばね材２３
のラジカルヒータと反対側の端部は、外側をセラミック
チューブ２５で保護されたばね止め具２６によりチャン
バー外壁２７に絶縁された状態で固定されている。前記
給電線２１の他端側は、チャンバー外壁に配置され周囲
をセラミックで絶縁された金属製のパイプ２８を通り電
流導入端子２９に接続されている。なお、図中の付番３
０はフランジを示す。
【００１４】実施例１によれば、ラジカルヒータはフラ
ットバー９ａ，９ｂと網状のヒータエレメント１０とか
ら構成され、支持機構はラジカルヒータから引き出され
る給電線２１と、この給電線２１から分岐して該給電線
２１に張力を付与するばね材２３とを具備した構成とな
っている。従って、従来と比べラジカルヒータを構成す
るための構成物を低減して絶縁不良を低減し、装置の稼
働率の低下を抑制できる。また、ラジカルヒータの網を
従来のように平面的でなく、立体的に張力を付与する構
造であるため、装置の大型化を回避することができる。
ットバー９ａ，９ｂと網状のヒータエレメント１０とか
ら構成され、支持機構はラジカルヒータから引き出され
る給電線２１と、この給電線２１から分岐して該給電線
２１に張力を付与するばね材２３とを具備した構成とな
っている。従って、従来と比べラジカルヒータを構成す
るための構成物を低減して絶縁不良を低減し、装置の稼
働率の低下を抑制できる。また、ラジカルヒータの網を
従来のように平面的でなく、立体的に張力を付与する構
造であるため、装置の大型化を回避することができる。
【００１５】（実施例２）図４を参照する。但し、図３
と同部材は同付番を付して説明を省略する。本実施例２
の支持機構は、給電線自体をばね構造としたことを特徴
とするもので、具体的には給電線３１は給電線本体３１
ａとこの給電線本体３１ａの一部とを一体的に連結した
ばね材３１ｂとを具備した構成となっている。前記給電
線３１の一端側には端子３２が取付けられ、該端子３２
はネジ３３などにより電流導入端子２９に接続されてい
る。実施例２によれば、実施例１と同様な効果が得られ
る。
と同部材は同付番を付して説明を省略する。本実施例２
の支持機構は、給電線自体をばね構造としたことを特徴
とするもので、具体的には給電線３１は給電線本体３１
ａとこの給電線本体３１ａの一部とを一体的に連結した
ばね材３１ｂとを具備した構成となっている。前記給電
線３１の一端側には端子３２が取付けられ、該端子３２
はネジ３３などにより電流導入端子２９に接続されてい
る。実施例２によれば、実施例１と同様な効果が得られ
る。
【００１６】（実施例３）図５（Ａ），（Ｂ）を参照す
る。ここで、図５（Ａ）は本実施例３に係る支持機構の
要部の説明図を示し、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のラジカ
ルヒータの詳細な説明図を示す。なお、図５（Ｂ）で
は、便宜上数珠碍子を１のみしか図示していないが、実
際はすべての給電線に数珠碍子が覆われている。但し、
図１、図３と同部材は同付番を付して説明を省略する。
本実施例３の支持機構は、ラジカルヒータ３４のヒータ
エレメント１０自体をセラミック製の折返し棒３５を介
して折り曲げるとともに、折り曲げた後のヒータエレメ
ントはフラットバー９ａ，９ｂとヒータエレメント１０
の端部との連結を溶接あるいは挟み込み等の手段により
行い、フラットバー９ａ，９ｂは数珠碍子３６で被覆さ
れた給電線に接続され、更にこの数珠碍子３６で被覆さ
れた給電線を折り曲げる際には半割りチューブ３７を円
弧型に加工して折り曲げのガイドとしたことを特徴とす
る。また、ヒータエレメント１０自体ではなく、フラッ
トバー９ａ，９ｂに接続された給電線をセラミック製の
折返し棒３５で折返してもよい。実施例３によれば、実
施例１と同様な効果が得られる。
る。ここで、図５（Ａ）は本実施例３に係る支持機構の
要部の説明図を示し、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のラジカ
ルヒータの詳細な説明図を示す。なお、図５（Ｂ）で
は、便宜上数珠碍子を１のみしか図示していないが、実
際はすべての給電線に数珠碍子が覆われている。但し、
図１、図３と同部材は同付番を付して説明を省略する。
本実施例３の支持機構は、ラジカルヒータ３４のヒータ
エレメント１０自体をセラミック製の折返し棒３５を介
して折り曲げるとともに、折り曲げた後のヒータエレメ
ントはフラットバー９ａ，９ｂとヒータエレメント１０
の端部との連結を溶接あるいは挟み込み等の手段により
行い、フラットバー９ａ，９ｂは数珠碍子３６で被覆さ
れた給電線に接続され、更にこの数珠碍子３６で被覆さ
れた給電線を折り曲げる際には半割りチューブ３７を円
弧型に加工して折り曲げのガイドとしたことを特徴とす
る。また、ヒータエレメント１０自体ではなく、フラッ
トバー９ａ，９ｂに接続された給電線をセラミック製の
折返し棒３５で折返してもよい。実施例３によれば、実
施例１と同様な効果が得られる。
【００１７】（実施例４）図６を参照する。但し、図
１、図３と同部材は同付番を付して説明を省略する。本
実施例４は、ラジカルヒータ３４の四方の端部に複数の
熊手型引張り治具３８の一端を掛止するとともに、これ
らの治具３８の他端を共通のバー３９を介してばね材４
０に連結した構成となっている。なお、ばね材４０の他
端が連結する付番４１は構造体（枠等）を示す。
１、図３と同部材は同付番を付して説明を省略する。本
実施例４は、ラジカルヒータ３４の四方の端部に複数の
熊手型引張り治具３８の一端を掛止するとともに、これ
らの治具３８の他端を共通のバー３９を介してばね材４
０に連結した構成となっている。なお、ばね材４０の他
端が連結する付番４１は構造体（枠等）を示す。
【００１８】実施例４によれば、実施例１と同様な効果
を有する他、ラジカルヒータ３４のヒータエレメント１
０をほぼ均等な張力を付与することができるので、網状
をなすヒータエレメントの変形を防止することができ
る。
を有する他、ラジカルヒータ３４のヒータエレメント１
０をほぼ均等な張力を付与することができるので、網状
をなすヒータエレメントの変形を防止することができ
る。
【００１９】（実施例５）図７を参照する。但し、図
１、図３と同部材は同付番を付して説明を省略する。本
実施例５は、ラジカルヒータ３４の四方の端部に複数の
熊手型引張り治具３８の一端を掛止するとともに、これ
らの治具３８の他端を夫々ばね材４０に連結した構成と
なっている。
１、図３と同部材は同付番を付して説明を省略する。本
実施例５は、ラジカルヒータ３４の四方の端部に複数の
熊手型引張り治具３８の一端を掛止するとともに、これ
らの治具３８の他端を夫々ばね材４０に連結した構成と
なっている。
【００２０】実施例５によれば、実施例５と同様な効果
を有する。
を有する。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、ラジ
カルヒータを２つの対向するフラットバーと該フラット
バー間に形成された網状のヒータエレメントから構成
し、しかも前記ラジカルヒータから引き出される給電線
と該給電線に張力を付与するばね材とを具備した構成に
することにより、絶縁不良の発生頻度を低減するととも
に、ラジカルヒータに立体的に張力を付与させて装置の
大型化を回避し、更にヒータエレメントの変形を回避し
えるプラズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータの支持機構を
提供できる。
カルヒータを２つの対向するフラットバーと該フラット
バー間に形成された網状のヒータエレメントから構成
し、しかも前記ラジカルヒータから引き出される給電線
と該給電線に張力を付与するばね材とを具備した構成に
することにより、絶縁不良の発生頻度を低減するととも
に、ラジカルヒータに立体的に張力を付与させて装置の
大型化を回避し、更にヒータエレメントの変形を回避し
えるプラズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータの支持機構を
提供できる。
【図１】プラズマＣＶＤ薄膜装置の全体図。
【図２】図１の薄膜装置の一構成要素であるラジカルヒ
ータの説明図。
ータの説明図。
【図３】本発明の実施例１に係るプラズマＣＶＤ薄膜装
置の支持機構の要部の説明図。
置の支持機構の要部の説明図。
【図４】本発明の実施例２に係るプラズマＣＶＤ薄膜装
置の支持機構の要部の説明図。
置の支持機構の要部の説明図。
【図５】本発明の実施例３に係るプラズマＣＶＤ薄膜装
置の支持機構の要部の説明図。
置の支持機構の要部の説明図。
【図６】本発明の実施例４に係るプラズマＣＶＤ薄膜装
置の支持機構の要部の説明図。
置の支持機構の要部の説明図。
【図７】本発明の実施例５に係るプラズマＣＶＤ薄膜装
置の支持機構の要部の説明図。
置の支持機構の要部の説明図。
１…プラズマＣＶＤ装置、 ２…基板、 ３…基板加熱用ヒータ、 ４…ラダー電極（放電用電極）、 ５…ガス供給機構、 ６…防着板、 ９ａ，９ｂ…フラットバー、 １０…ヒータエレメント、 ２１…給電線、 ２２，３１ｂ…ばね材、 ３４…ラジカルヒータ、 ３５…折返し棒、 ３６…数珠碍子、 ３７…半割りチューブ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青井 辰史 長崎県長崎市飽の浦町１番１号 三菱重工 業株式会社長崎造船所内 (72)発明者 大坪 栄一郎 長崎県長崎市飽の浦町１番１号 三菱重工 業株式会社長崎造船所内 Ｆターム(参考） 4K030 KA25 5F045 AA08 EK07
Claims (6)
- 【請求項１】 プラズマＣＶＤ装置において基板と放電
用電極間に配置され、前記基板の表面に供給される材料
ガスを加熱して製膜反応を促進するためのラジカルヒー
タを支持する機構であり、 前記ラジカルヒータは、２つの対向するフラットバーと
該フラットバー間に形成された網状のヒータエレメント
から構成され、 前記ラジカルヒータから引き出される給電線と該給電線
に張力を付与するばね材とを具備することを特徴とする
プラズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータの支持機構。 - 【請求項２】 前記給電線からばね材が分岐されている
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ用ラジ
カルヒータの支持機構。 - 【請求項３】 前記給電線に前記ばね材が連結されてい
ることを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置
用ラジカルヒータの支持機構。 - 【請求項４】 前記ラジカルヒータの四方に配置された
折返し用棒を有し、これらの折返し棒を介して前記給電
線が折返されていることを特徴とする請求項１〜請求項
３いずれか記載のプラズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータ
の支持機構。 - 【請求項５】 前記給電線を折返して外部へ取出す際、
その折返し部に円弧型に加工した半割りチューブを配置
することを特徴とする請求項１〜請求項４いずれか記載
のプラズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータの支持機構。 - 【請求項６】 前記ラジカルヒータの四方の端部に夫々
掛止された引張り治具と、この引張り治具に連結するば
ね材とを具備することを特徴とする請求項１記載のプラ
ズマＣＶＤ装置用ラジカルヒータの支持機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000265725A JP2002069647A (ja) | 2000-09-01 | 2000-09-01 | プラズマｃｖｄ装置用ラジカルヒータの支持機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000265725A JP2002069647A (ja) | 2000-09-01 | 2000-09-01 | プラズマｃｖｄ装置用ラジカルヒータの支持機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002069647A true JP2002069647A (ja) | 2002-03-08 |
Family
ID=18752951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000265725A Withdrawn JP2002069647A (ja) | 2000-09-01 | 2000-09-01 | プラズマｃｖｄ装置用ラジカルヒータの支持機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002069647A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017508237A (ja) * | 2013-12-16 | 2017-03-23 | デ ルーカ オーブン テクノロジーズ、 エルエルシー | ワイヤメッシュ加熱素子及び織り角度ワイヤメッシュの連続更新装置 |
| JPWO2016139744A1 (ja) * | 2015-03-03 | 2017-05-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
-
2000
- 2000-09-01 JP JP2000265725A patent/JP2002069647A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017508237A (ja) * | 2013-12-16 | 2017-03-23 | デ ルーカ オーブン テクノロジーズ、 エルエルシー | ワイヤメッシュ加熱素子及び織り角度ワイヤメッシュの連続更新装置 |
| US10912306B2 (en) | 2013-12-16 | 2021-02-09 | De Luca Oven Technologies, Llc | Continuous renewal system for a wire mesh heating element and a woven angled wire mesh |
| JPWO2016139744A1 (ja) * | 2015-03-03 | 2017-05-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
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