JPWO2016104347A1

JPWO2016104347A1 - プリント配線板用基板及びプリント配線板用基板の製造方法

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Publication number: JPWO2016104347A1
Application number: JP2016566185A
Authority: JP
Inventors: 元彦杉浦; 春日　隆; 隆春日; 岡　良雄; 良雄岡; 重明上村; 辰珠朴; 上田　宏; 上田　　宏; 宏介三浦
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd; Sumitomo Electric Printed Circuits Inc
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd; Sumitomo Electric Printed Circuits Inc
Priority date: 2014-12-22
Filing date: 2015-12-18
Publication date: 2017-10-05
Also published as: WO2016104347A1; CN107113981B; US10143083B2; US20170347449A1; CN107113981A

Abstract

本発明の一実施形態のプリント配線板用基板は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層される金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、上記ベースフィルム及び金属層間に複数の微細粒子が介在し、この微細粒子が上記金属層の主金属と同じ金属又はその金属化合物から形成されている。上記複数の微細粒子の平均粒子径としては、０．１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましい。上記複数の微細粒子が、金属酸化物又は金属水酸化物であるとよい。上記複数の微細粒子が、上記ベースフィルム及び金属層間に層状に存在するとよい。上記金属層が、ナノ金属粒子の焼成により形成される金属粒層を有しているとよい。

Description

本発明は、プリント配線板用基板及びプリント配線板用基板の製造方法に関する。

絶縁性のベースフィルムの表面に金属層を有し、この金属層をエッチングすることで導電パターンを形成してプリント配線板を得るためのプリント配線板用基板が広く使用されている。

このようなプリント配線板用基板を使用して形成したプリント配線板に曲げ折力が作用した際にベースフィルムから金属層が剥離しないよう、ベースフィルムと金属層との剥離強度が大きいプリント配線板用基板が求められている。

そこで、ポリイミド製のベースフィルムの表面に金属層を構成する銅箔を積層して形成される基板において、銅箔のベースフィルムに対する接着面の十点平均粗さ（Ｒｚ）を０．７〜２．２μｍとすることによって、ベースフィルムと金属層との剥離強度を大きくする技術が提案されている（特許文献１参照）。

特開２０１４−１４１０８３号公報

上記公報に開示される基板では、銅箔の接着面に凹凸があるので、銅箔表面の凸部がベースフィルムの内部に食い込んだ状態となる。このようにベースフィルムの内部に食い込んだ部分は、エッチングによる除去性が小さいので、このベースフィルム内に食い込んだ金属を除去するためにエッチング液の濃度を高くしたり、エッチング時間を長くしたりする必要がある。しかしながら、高濃度又は長時間のエッチングにより導電パターンを形成するとサイドエッチによって回路形状のテーパーが大きくなるため、上記公報に開示される基板は、導電パターンの形成性に劣る。

また、上記公報に開示される基板の金属層は、ベースフィルムに対する接着面に凹凸を有するので、この金属層をエッチングして形成した導電パターンに高周波を伝搬させた際に、表皮効果により表面近傍に集中する電流が、接着面の凹凸に沿って流れる。このため、実質的な電流の伝送経路が長くなり、その分だけ損失が大きくなるという不都合も生じる。このため、上記公報に開示される基板とは異なる構成で、ベースフィルムと金属層との剥離強度を向上させる方法が望まれている。

本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、良好なエッチング性を有しながら、ベースフィルムと金属層との剥離強度が大きいプリント配線板用基板及びそのようなプリント配線板用基板の製造方法を提供することを課題とする。

上記課題を解決するためになされた本発明の一態様に係るプリント配線板は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層される金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、上記ベースフィルム及び金属層間に複数の微細粒子が介在し、この微細粒子が上記金属層の主金属と同じ金属又はその金属化合物から形成されている。

また、上記課題を解決するためになされた本発明の別の態様に係るプリント配線板用基板の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層される金属層とを備えるプリント配線板用基板の製造方法であって、上記ベースフィルムの一方の面側に、ナノ金属粒子を含む導電性組成物を塗工する工程と、上記塗工した導電性組成物を焼成する工程とを備え、上記焼成工程が、上記ベースフィルム及び金属層間にこの金属層の主金属と同じ金属又はその金属化合物から形成される複数の微細粒子を介在させる工程を有する。

本発明の一態様に係るプリント配線板用基板は、良好なエッチング性を有しながら、ベースフィルムと金属層との剥離強度が大きい。また、本発明の別の態様に係るプリント配線板用基板の製造方法は、良好なエッチング性を有しながら、ベースフィルムと金属層との剥離強度が大きいプリント配線板用基板を製造できる。

図１は、本発明の一実施形態のプリント配線板用基板を示す模式的断面図である。図２は、図１のプリント配線板用基板の製造方法を示す流れ図である。図３Ａは、試作品１の断面電子顕微鏡写真である。図３Ｂは、試作品２の断面電子顕微鏡写真である。図３Ｃは、試作品３の断面電子顕微鏡写真である。図４Ａは、試作品１の断面の銅元素含有量をマッピングした図である。図４Ｂは、試作品２の断面の銅元素含有量をマッピングした図である。図４Ｃは、試作品３の断面の銅元素含有量をマッピングした図である。図５Ａは、試作品１の断面の炭素含有量をマッピングした図である。図５Ｂは、試作品２の断面の炭素含有量をマッピングした図である。図５Ｃは、試作品３の断面の炭素含有量をマッピングした図である。図６Ａは、試作品１の断面の酸素含有量をマッピングした図である。図６Ｂは、試作品２の断面の酸素含有量をマッピングした図である。図６Ｃは、試作品３の断面の酸素含有量をマッピングした図である。

［本発明の実施形態の説明］
本発明の一態様に係るプリント配線板用基板は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層される金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、上記ベースフィルム及び金属層間に複数の微細粒子が介在し、この微細粒子が上記金属層の主金属と同じ金属又はその金属化合物から形成されている。

当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム及び金属層間に、金属層の主金属と同じ金属又はその金属化合物から形成される複数の微細粒子が介在することによって、ベースフィルムと金属層との剥離強度が向上している。その詳細な理由は定かではないが、微細粒子は、金属層を構成する金属と結合できると共に、ベースフィルムを構成する樹脂等とも結合し易いので、金属層とベースフィルムとの隙間を埋めるように介在することによって金属層とベースフィルムとの剥離強度を向上させるものと推定される。また、微細粒子の介在により剥離強度を高める構成は金属層のエッチング性を低下させないので、当該プリント配線板用基板は導電パターンの成形性に優れる。

上記複数の微細粒子の平均粒子径としては、０．１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましい。このように、上記複数の微細粒子の平均粒子径を上記範囲内とすることによって、ベースフィルムと金属層との剥離強度をより確実に向上することができる。

上記複数の微細粒子が、金属酸化物又は金属水酸化物であるとよい。このように、上記複数の微細粒子が、金属酸化物又は金属水酸化物であることによって、微細粒子と金属層との結合性が高くなるため、ベースフィルムと金属層との剥離強度をより確実に向上することができる。

上記複数の微細粒子が、上記ベースフィルム及び金属層間に層状に存在するとよい。このように、上記複数の微細粒子が、上記ベースフィルム及び金属層間に層状に存在することによって、ベースフィルムと金属層との剥離強度を偏りなく向上することができる。

上記金属層が、ナノ金属粒子の焼成により形成される金属粒層を有しているとよい。このように、上記金属層が、ナノ金属粒子の焼成により形成される金属粒層を有していることによって、この金属層の形成が容易となる。また、ナノ金属粒子は、表面積が大きく、周囲の物質と反応し易いので、微細粒子を生成し易い。

上記金属層が、上記金属粒層の一方の面側に無電解メッキ又は電気メッキにより形成されるメッキ層をさらに有するとよい。このように、上記金属層が、上記金属粒層の一方の面側に無電解メッキ又は電気メッキにより形成されるメッキ層をさらに有することによって、金属層の厚さ又は強度を容易かつ安価に大きくすることができる。

上記主金属が銅であるとよい。このように、上記主金属が銅であることによって、電気抵抗が小さい金属層を安価に形成することができる。

上記ベースフィルムの金属層側の表面から深さ５０ｎｍまでの領域における酸素含有量としては、２０ａｔｍ％以上６０ａｔｍ％以下が好ましい。このように、上記ベースフィルムの金属層側の表面から深さ５０ｎｍまでの領域における酸素含有量が上記範囲内であることによって、金属層との剥離強度をより向上することができる。

本発明の別の態様に係るプリント配線板用基板の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層される金属層とを備えるプリント配線板用基板の製造方法であって、上記ベースフィルムの一方の面側に、ナノ金属粒子を含む導電性組成物を塗工する工程と、上記塗工した導電性組成物を焼成する工程とを備え、上記焼成工程が、上記ベースフィルム及び金属層間にこの金属層の主金属と同じ金属又はその金属化合物から形成される複数の微細粒子を介在させる工程を有する。

当該プリント配線板用基板の製造方法は、ナノ金属粒子を含む導電性組成物の塗工工程後にナノ金属粒子を微量の酸素存在下で焼成して金属層を形成する焼成工程において、上記ベースフィルム及び金属層間にこの金属層の主金属と同じ金属又はその金属化合物から形成される複数の微細粒子を介在させるので、この複数の微細粒子によりベースフィルムと金属層との剥離強度を向上できる。この複数の微細粒子は焼成工程において、ナノ金属粒子が熱によりベースフィルム中に拡散し、微量の酸素と反応することで形成されていると推定される。また、この複数の微細粒子は、金属層のエッチング性を低下させないので、導電パターンの成形性を担保できる。このため、当該プリント配線板用基板の製造方法によれば、良好なエッチング性を有しながら、ベースフィルムと金属層との剥離強度が大きいプリント配線板用基板を製造することができる。

ここで、「微細粒子」とは、電子顕微鏡で観察することにより粒子形状が確認されるものをいい、複数の粒子状のものが接続されたものであってもよい。金属層の「主金属」とは、微細粒子近傍（微細粒子からの距離が微細粒子の平均粒子径の１０倍以下）の金属層を形成する金属のうち最も原子数含有率が大きい金属を意味する。「平均粒子径」とは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により撮影される断面画像において１０以上の粒子を測定して平均した値をいう。また、「酸素含有量」とは、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）により測定される原子数含有率をいう。また、ベースフィルムの表面とは、ベースフィルの骨格となる分子構造（例えば樹脂の場合には炭素鎖）が存在する領域の境界面を意味する。

［本発明の実施形態の詳細］
以下、本発明に係るプリント配線板用基板の各実施形態について図面を参照しつつ詳説する。

〔プリント配線板用基板〕
図１のプリント配線板用基板は、絶縁性を有するベースフィルム１と、このベースフィルム１の少なくとも一方の面側に積層される金属層２とを備える。当該プリント配線板用基板は、金属層２をエッチングする工程を含む方法により導電パターンを形成してプリント配線板を得るために使用される。導電パターンを形成する具体的方法としては、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法等が挙げられる。

また、当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム１及び金属層２間に複数の微細粒子３が介在している。この複数の微細粒子３は、ベースフィルム１及び金属層２間に層状に存在する。

＜ベースフィルム＞
ベースフィルム１の材料としては、例えばポリイミド、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の可撓性を有する樹脂、紙フェノール、紙エポキシ、ガラスコンポジット、ガラスエポキシ、テフロン（登録商標）、ガラス基材等のリジッド材、硬質材料と軟質材料とを複合したリジッドフレキシブル材などを用いることが可能である。これらの中でも、微細粒子３の生成量が多く、金属酸化物等との結合力が大きいことから、ポリイミドが好ましい。さらに、ナノ金属粒子焼成工程でも流動しにくく、微細粒子３を層状に保持することができる非熱可塑性ポリイミドが特に好ましい。

上記ベースフィルム１の厚さは、当該プリント配線板用基板を利用して製造するプリント配線板の仕様に応じて設定されるものであり特に限定されないが、例えば上記ベースフィルム１の平均厚さの下限としては、５μｍが好ましく、１２μｍがより好ましい。一方、上記ベースフィルム１の平均厚さの上限としては、２ｍｍが好ましく、１．６ｍｍがより好ましい。上記ベースフィルム１の平均厚さが上記下限に満たない場合、ベースフィルム１の強度が不十分となるおそれがある。逆に、ベースフィルム１の平均厚さが上記上限を超える場合、プリント配線板の薄板化が困難となるおそれがある。

ベースフィルム１の金属層２側の表面から深さ５０ｎｍまでの領域における酸素含有量の下限としては、２０ａｔｍ％が好ましく、２２ａｔｍ％がより好ましい。一方、ベースフィルム１の金属層２側の表面から深さ５０ｎｍまでの領域における酸素含有量の上限としては、６０ａｔｍ％が好ましく、５０ａｔｍ％がより好ましい。ベースフィルム１の金属層２側の表面から深さ５０ｎｍまでの領域における酸素含有量が上記下限に満たない場合、ベースフィルム１と金属層２との剥離強度を十分に向上できないおそれがある。逆に、ベースフィルム１の金属層２側の表面から深さ５０ｎｍまでの領域における酸素含有量が上記上限を超える場合、ベースフィルム１が破断し易くなるおそれがある。

上記ベースフィルム１には、金属層２が積層される側の表面に親水化処理を施すことが好ましい。上記親水化処理として、例えばプラズマを照射して表面を親水化するプラズマ処理や、アルカリ溶液で表面を親水化するアルカリ処理等を採用することができる。ベースフィルム１に親水化処理を施すことにより、後述する金属層２の形成（具体例として、導電性組成物の塗工）が容易となる。

＜金属層＞
金属層２は、ナノ金属粒子の焼成により形成される金属粒層４と、この金属粒層４の一方の面側（ベースフィルム１と反対側）に無電解メッキ又は電気メッキにより形成されるメッキ層５とを有する。

（金属粒層）
金属粒層４は、ベースフィルム１の一方の面にナノ金属粒子を含む導電性組成物を塗工したものを熱処理することによって、つまり上記ナノ金属粒子の焼成によって形成される。この金属粒層４は、透過型電子顕微鏡で断面を観察すると、ナノ金属粒子に由来する結晶粒が確認される。これらの結晶粒は、焼結によって互いに接続されており、もはや独立した粒子ではない。

この金属粒層４の平均厚さの下限としては、０．０５μｍが好ましく、０．１μｍがより好ましい。一方、上記金属粒層４の平均厚さの上限としては、２μｍが好ましく、１．５μｍがより好ましい。上記金属粒層４の平均厚さが上記下限に満たない場合、金属粒層４に切れ目が生じて導電性が低下するおそれがある。逆に、上記金属粒層４の平均厚さが上記上限を超える場合、金属層２の薄膜化が困難となるおそれや、金属粒層４の空孔に後述するメッキ層５形成時に金属を充填できず、金属粒層４ひいては金属層２の導電性及び強度が不十分となるおそれがある。

上記金属粒層４を形成するナノ金属粒子の主金属としては、特に限定されるものではないが、後述する微細粒子３を構成する金属元素をベースフィルム１との界面に供給するため、その主金属に基づく金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基並びにその金属に基づく金属水酸化物又はその金属水酸化物に由来する基が生成されるものが好ましい。この好ましい金属としては、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀等を挙げることができ、中でも、安価で導電性に優れると共に、ベースフィルム１との密着性に優れる銅が特に好ましい。

上記金属粒層４を形成するナノ金属粒子の平均粒子径の下限としては、１ｎｍが好ましく、１０ｎｍがより好ましく、２０ｎｍがさらに好ましく、３０ｎｍが特に好ましい。一方、上記ナノ金属粒子の平均粒子径の上限としては、５００ｎｍが好ましく、１００ｎｍがより好ましい。上記ナノ金属粒子の平均粒子径が上記下限に満たない場合、導電性組成物中でのナノ金属粒子の分散性及び安定性が低下するおそれがある。逆に、上記ナノ金属粒子の平均粒子径が上記上限を超える場合、ナノ金属粒子が沈殿し易くなるおそれがあると共に、導電性組成物を塗工した際にナノ金属粒子の密度が均一になり難くなる。

（メッキ層）
上記メッキ層５は、無電解メッキにより金属粒層４のベースフィルム１と反対側の面に積層されている。このように上記メッキ層５が無電解メッキにより形成されているので、金属粒層４を形成するナノ金属粒子間の空隙にはメッキ層５の金属が充填されている。金属粒層４に空隙が残存していると、この空隙部分が破壊起点となって金属粒層４がベースフィルム１から剥離し易くなるが、この空隙部分にメッキ層５が充填されていることにより金属粒層４の剥離が防止される。

上記無電解メッキに用いる金属として、導通性のよい銅、ニッケル、銀等を用いることができるが、金属粒層４を形成するナノ金属粒子に銅を使用する場合には、金属粒層４との密着性を考慮して、銅又はニッケルを用いることが好ましい。

無電解メッキにより形成するメッキ層５の平均厚さの下限としては、０．２μｍが好ましく、０．３μｍがより好ましい。一方、上記無電解メッキにより形成するメッキ層５の平均厚さの上限としては、１μｍが好ましく、０．５μｍがより好ましい。上記無電解メッキにより形成するメッキ層５の平均厚さが上記下限に満たない場合、メッキ層５が金属粒層４の空隙部分に十分に充填されず導電性が低下するおそれがある。逆に、上記無電解メッキにより形成するメッキ層５の平均厚さが上記上限を超える場合、無電解メッキに要する時間が長くなり生産性が低下するおそれがある。

また、上記無電解メッキによる薄層を形成した後に、さらに電気メッキを行いメッキ層５を厚く形成することも好ましい。無電解メッキ後に電気メッキを行うことにより、導電層の厚さの調整が容易かつ正確に行え、また比較的短時間でプリント配線を形成するのに必要な厚さの導電層を形成することができる。この電気メッキに用いる金属として、導通性のよい銅、ニッケル、銀等を用いることができる。

上記電気メッキ後のメッキ層５の厚さは、どのようなプリント回路を作成するかによって設定されるもので特に限定されないが、例えば上記電気メッキ後のメッキ層５の平均厚さの下限としては、１μｍが好ましく、２μｍがより好ましい。一方、上記電気メッキ後のメッキ層５の平均厚さの上限としては、１００μｍが好ましく、５０μｍがより好ましい。上記電気メッキ後のメッキ層５の平均厚さが上記下限に満たない場合、金属層２の強度が不十分となるおそれがある。逆に、上記電気メッキ後のメッキ層５の平均厚さが上記上限を超える場合、当該プリント配線板用基板ひいては当該プリント配線板用基板を用いて製造するプリント配線板の薄板化が困難となるおそれがある。

＜微細粒子＞
微細粒子３は、ベースフィルム１と金属層２との間に複数介在して、ベースフィルム１及び金属層２間の剥離強度つまり接合強度を向上させる。特に、微細粒子３が層状に存在することにより、ベースフィルム１及び金属層２間の剥離強度を偏りなく向上できる。この微細粒子３は、当該プリント配線板用基板の断面を透過型電子顕微鏡で観察したときに、ベースフィルム１及び金属層２とは異なる微細な粒子として確認される。

微細粒子３は、金属層２の主金属、つまり金属層２の微細粒子近傍領域の金属粒層４を形成するナノ金属粒子の主成分と同じ金属又はその金属化合物から形成される。特に好ましい微細粒子３は、金属粒層４を形成するナノ金属粒子の主成分となっている金属の酸化物又は水酸化物で形成される。金属の酸化物及び水酸化物は、ベースフィルム１とも結合し易い。金属粒層４を形成するナノ金属粒子が銅を主成分とする場合、微細粒子３は、酸化銅又は水酸化銅で形成されることが望ましい。

微細粒子３の平均粒子径の下限としては、０．１ｎｍが好ましく、０．５ｎｍがより好ましく、１ｎｍがさらにより好ましい。一方、微細粒子３の平均粒子径の上限としては、２０ｎｍが好ましく、１０ｎｍがより好ましい。微細粒子３の平均粒子径が上記下限に満たない場合、ベースフィルム１及び金属層２間の剥離強度向上効果が不十分となるおそれがある。逆に、微細粒子３の平均粒子径が上記上限を超える場合、粒子を成長させるために当該プリント配線板用基板の製造コストが不必要に増大するおそれがある。

微細粒子３の層の厚さは、微細粒子３の平均粒子径以上、金属粒層４の金属粒の平均径以下とすることが好ましい。具体的には、微細粒子３の層の平均厚さの下限としては、０．１ｎｍが好ましく、０．５ｎｍがより好ましい。一方、微細粒子３の層の平均厚さの上限としては、１００ｎｍが好ましく、５０ｎｍがより好ましい。微細粒子３の層の平均厚さが上記下限に満たない場合、ベースフィルム１及び金属層２間の剥離強度向上効果が不十分となるおそれがある。逆に、微細粒子３の層の平均厚さが上記上限を超える場合、微細粒子３間の分離によりベースフィルム１及び金属層２間の剥離が生じ易くなるおそれがある。

また、微細粒子３の層は、ベースフィルム１側において微細粒子３の数が減少、つまりベースフィルム１側に向けて微細粒子３の存在密度が漸減してもよい。具体的には、微細粒子３は、ベースフィルム１を構成する樹脂の表面の微細な凹部又は高分子鎖の間に入り込むようにして存在することにより、ベースフィルム１とより強固に結合することができ、ベースフィルム１と金属層２との剥離強度をより効果的に向上することができる。

〔プリント配線板用基板の製造方法〕
図２のプリント配線板用基板の製造方法は、図１のプリント配線板用基板を製造する方法である。

当該プリント配線板用基板の製造方法は、ナノ金属粒子を含む導電性組成物を調製する工程（ステップＳ１：調製工程）と、ベースフィルム１の一方の面側に、調製工程で調製した導電性組成物を塗工する工程（ステップＳ２：塗工工程）と、この塗工工程で塗工した導電性組成物を乾燥する工程（ステップＳ３：乾燥工程）と、この乾燥工程で乾燥した導電性組成物を熱処理してナノ金属粒子を焼結する工程（ステップＳ４：焼成工程）と、この焼成工程でナノ金属粒子を焼成して形成される層の一方の面側にメッキする工程（ステップＳ５：メッキ工程）とを備える。上記ステップＳ４の焼成工程は、ベースフィルム１及び金属層２間にこの金属層２の主金属と同じ金属又はその金属化合物から形成される複数の微細粒子３を介在させる工程を有する。

＜調製工程＞
ステップＳ１の調製工程では、分散媒に分散剤を溶解し、上述のナノ金属粒子を分散媒中に分散させる。つまり、分散剤がナノ金属粒子を取り囲むことで凝集を防止してナノ金属粒子を分散媒中に良好に分散させる。なお、分散剤は、水又は水溶性有機溶媒に溶解した溶液の状態で反応系に添加することもできる。

（ナノ金属粒子の製造方法）
ここで、導電性組成物に分散させるナノ金属粒子の製造方法について説明する。上記ナノ金属粒子は、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造することができるが、粒子径が均一な粒子を比較的安価に製造できる液相還元法によることが好ましい。

液相還元法によって上記ナノ金属粒子を製造するためには、例えば水にナノ金属粒子を形成する金属のイオンのもとになる水溶性の金属化合物と分散剤とを溶解すると共に、還元剤を加えて一定時間金属イオンを還元反応させればよい。液相還元法の場合、製造されるナノ金属粒子は形状が球状又は粒状で揃っており、しかも微細な粒子とすることができる。上記金属イオンのもとになる水溶性の金属化合物として、例えば銅の場合は、硝酸銅（ＩＩ）（Ｃｕ（ＮＯ_３）_２）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ）等を挙げることができる。また銀の場合は硝酸銀（Ｉ）（ＡｇＮＯ_３）、メタンスルホン酸銀（ＣＨ_３ＳＯ_３Ａｇ）等、金の場合はテトラクロロ金（ＩＩＩ）酸四水和物（ＨＡｕＣｌ_４・４Ｈ_２Ｏ）、ニッケルの場合は塩化ニッケル（ＩＩ）六水和物（ＮｉＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏ）、硝酸ニッケル（ＩＩ）六水和物（Ｎｉ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏ）等を挙げることができる。他のナノ金属粒子についても、塩化物、硝酸化合物、硫酸化合物等の水溶性の化合物を用いることができる。

液相還元法によってナノ金属粒子を製造する場合の還元剤としては、液相（水溶液）の反応系において、金属イオンを還元及び析出させることができる種々の還元剤を用いることができる。この還元剤として、例えば水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、３価のチタンイオンや２価のコバルトイオン等の遷移金属のイオン、アスコルビン酸、グルコースやフルクトース等の還元性糖類、エチレングリコールやグリセリン等の多価アルコールなどを挙げることができる。このうち、３価のチタンイオンが４価に酸化する際の酸化還元作用によって金属イオンを還元し、ナノ金属粒子を析出させる方法がチタンレドックス法である。チタンレドックス法で得られるナノ金属粒子は、粒子径が小さくかつ揃っており、さらにチタンレドックス法はナノ金属粒子の形状を球形又は粒状にすることができる。そのため、チタンレドックス法を用いることで、ナノ金属粒子がより高密度に充填され、上記金属粒層４をより緻密な層に形成することができる。

ナノ金属粒子の粒子径を調整するには、金属化合物、分散剤、還元剤の種類及び配合割合を調整すると共に、金属化合物を還元反応させる際に、攪拌速度、温度、時間、ｐＨ等を調整すればよい。例えば反応系のｐＨは、微小な粒子径のナノ金属粒子を得るには、７以上１３以下とすることが好ましい。このときｐＨ調整剤を用いることで、反応系のｐＨを上記範囲に調整することができる。このｐＨ調整剤としては、塩酸、硫酸、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム等の一般的な酸又はアルカリが使用されるが、特に周辺部材の劣化を防止するために、アルカリ金属やアルカリ土類金属、塩素等のハロゲン元素、硫黄、リン、ホウ素等の不純物元素を含まない硝酸やアンモニアが好ましい。

なお、液相還元法でナノ金属粒子を製造する場合、液相（水溶液）の反応系で析出させたナノ金属粒子は、ろ別、洗浄、乾燥、解砕等の工程を経て、一旦粉末状としたものを用いて導電性組成物を調製することができる。この場合は、粉末状のナノ金属粒子と、分散媒である水と、分散剤と、必要に応じて水溶性の有機溶媒とを所定の割合で配合し、ナノ金属粒子を含む導電性組成物とすることができる。このとき、ナノ金属粒子を析出させた液相（水溶液）を出発原料として導電性組成物を調製することが好ましい。具体的には、析出したナノ金属粒子を含む液相（水溶液）を限外ろ過、遠心分離、水洗、電気透析等の処理に供して不純物を除去し、必要に応じて濃縮して水を除去する。又は、逆に水を加えてナノ金属粒子の濃度を調整した後、さらに必要に応じて水溶性の有機溶媒を所定の割合で配合することによってナノ金属粒子を含む導電性組成物を調製する。この方法では、ナノ金属粒子の乾燥時の凝集による粗大で不定形な粒子の発生を防止することができ、緻密で均一な金属粒層４を形成し易い。

（分散媒）
上記導電性組成物の分散媒としては、水、高極性溶媒、又はこれらの２種若しくは３種以上を混合したものを使用することができ、中でも水を主成分とし、水と相溶する高極性溶媒を混合したものが好適に使用される。

導電性組成物における分散媒の主成分となる水の含有割合の下限としては、ナノ金属粒子１００質量部当たり２０質量部が好ましく、５０質量部がより好ましい。一方、導電性組成物における分散媒の主成分となる水の含有割合の上限としては、ナノ金属粒子１００質量部当たり１，９００質量部が好ましく、１，０００質量部がより好ましい。分散媒の水は、分散剤を十分に膨潤させて分散剤で囲まれたナノ金属粒子を良好に分散させるが、上記水の含有割合が上記下限に満たない場合、水によるこの分散剤の膨潤効果が不十分となるおそれがある。逆に、上記水の含有割合が上記上限を超える場合、導電性組成物中のナノ金属粒子割合が少なくなり、ベースフィルム１の表面に必要な厚さと密度とを有する良好な金属粒層４を形成できないおそれがある。

上記導電性組成物に必要に応じて配合する有機溶媒として、水溶性である種々の有機溶媒が使用可能である。その具体例としては、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、エチレングリコール、グリセリン等の多価アルコールやその他のエステル類、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。

水溶性の有機溶媒の含有割合の下限としては、ナノ金属粒子１００質量部当たり３０質量部が好ましく、８０質量部がより好ましい。一方、水溶性の有機溶媒の含有割合の上限としては、ナノ金属粒子１００質量部当たり９００質量部が好ましく、５００質量部がより好ましい。上記水溶性の有機溶媒の含有割合が上記下限に満たない場合、上記有機溶媒による導電性組成物の粘度調整及び蒸気圧調整の効果が十分に得られないおそれがある。逆に、上記水溶性の有機溶媒の含有割合が上記上限を超える場合、水による分散剤の膨潤効果が不十分となり、導電性組成物中でナノ金属粒子の凝集が生じるおそれがある。

（分散剤）
上記導電性組成物に含まれる分散剤としては、当該プリント配線板用基板の劣化防止の観点より、硫黄、リン、ホウ素、ハロゲン及びアルカリを含まないものが好ましい。このような好ましい分散剤としては、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン等のアミン系の高分子分散剤、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース等の分子中にカルボン酸基を有する炭化水素系の高分子分散剤、ポバール（ポリビニルアルコール）、スチレン−マレイン酸共重合体、オレフィン−マレイン酸共重合体、１分子中にポリエチレンイミン部分とポリエチレンオキサイド部分とを有する共重合体等の極性基を有する高分子分散剤等を挙げることができる。

上記分散剤の分子量の下限としては、２，０００が好ましく、５，０００がより好ましい。一方、上記分散剤の分子量の上限としては、３００，０００が好ましく、１００，０００がより好ましい。上記分散剤の分子量が上記下限に満たない場合、ナノ金属粒子の凝集を防止して分散を維持する効果が十分に得られないおそれがあり、その結果、ベースフィルム１に積層される金属粒層４を緻密で欠陥の少ないものにできないおそれがある。逆に、上記分散剤の分子量が上記上限を超える場合、分散剤の嵩が大きすぎ、導電性組成物の塗工後に行う熱処理において、ナノ金属粒子同士の焼結を阻害してボイドを生じさせたりして金属粒層４の膜質の緻密さが低下するおそれや、分散剤の分解残渣が導電性を低下させるおそれがある。

導電性組成物における分散剤の含有割合の下限としては、ナノ金属粒子１００質量部当たり１質量部が好ましく、５質量部がより好ましい。一方、導電性組成物における分散剤の含有割合の上限としては、ナノ金属粒子１００質量部当たり６０質量部が好ましく、４０質量部がより好ましい。上記分散剤の含有割合が上記下限に満たない場合、この凝集防止効果が不十分となるおそれがある。逆に、上記分散剤の含有割合が上記上限を超える場合、導電性組成物の塗装後の熱処理時に、過剰の分散剤がナノ金属粒子の焼結を含む焼成を阻害してボイドが発生するおそれや、高分子分散剤の分解残渣が不純物として金属粒層４中に残存して導電性を低下させるおそれがある。

＜塗工工程＞
ステップＳ２の塗工工程では、ベースフィルム１の少なくとも一方の面にナノ金属粒子を含む導電性組成物を塗工する。

導電性組成物の塗工方法としては、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ダイコート法、スリットコート法、ロールコート法、ディップコート法等の従来公知の塗工方法を用いることができる。またスクリーン印刷、ディスペンサ等によりベースフィルム１の一方の面の一部のみに導電性組成物を塗工するようにしてもよい。

＜乾燥工程＞
ステップＳ３の乾燥工程では、ベースフィルム１に塗工した導電性組成物中の分散媒を蒸発させて、この導電性組成物を乾燥する。

導電性組成物の乾燥方法としては、自然乾燥、加熱による乾燥、温風による乾燥等を適用することができる。但し、乾燥前の導電性組成物にその表面を荒らすような強い風を当てないような方法とされる。

＜焼成工程＞
ステップＳ４の焼成工程では、加熱により、分散媒を熱分解すると共にナノ金属粒子を一体化させ、金属粒層４を形成する。このようにナノ金属粒子を焼結することにより、ベースフィルム１の表面に金属粒層４ひいては金属層２を比較的容易に形成できる。

また、この焼成工程は、複数の微細粒子３を形成してベースフィルム１及び金属層２間に介在させる工程を有する。つまり、焼成工程では、上記ナノ金属粒子を一体化させるのと並行して、ベースフィルム１及び金属層２間に介在する複数の微細粒子３の少なくとも一部を形成する。ナノ金属粒子は、表面積が大きく、周囲の物質と反応し易いので、微細粒子を生成し易い。

微細粒子３は、上記ナノ金属粒子の主金属又はその主金属の酸化物若しくは水酸化物から形成される。この微細粒子３は、樹脂製のベースフィルム１との親和性が高いため、主にベースフィルム１とナノ金属粒子の層との界面に形成される。このため、多数の微細粒子３が形成されると、ナノ金属粒子が焼成されて形成する金属粒層４とベースフィルム１との間に微細粒子３が層状に存在する状態となる。このようにして形成され、ベースフィルム１と金属粒層４（ひいては金属層２）との間に介在する微細粒子３は、ベースフィルム１及び金属粒層４の双方に対して比較的高い密着性を有するので、ベースフィルム１と金属層２との間の剥離強度を増大させる。

具体例として、ナノ金属粒子として銅を用いた場合、主にナノ金属粒子の層のベースフィルム１との界面近傍に酸化銅の微細粒子３及び水酸化銅の微細粒子３が生成するが、酸化銅の微細粒子３の方が多いことが好ましい。中でも酸化銅の微細粒子は、ベースフィルム１を構成する樹脂と結合し易いため、金属粒層４とベースフィルム１との間の密着力を増大させる。

この焼成工程における処理温度、つまりナノ金属粒子の焼結温度は、ナノ金属粒子及び分散剤の種類に応じて選択される。具体的には、ナノ金属粒子の焼結温度の下限としては、２６０℃が好ましく、３００℃がより好ましい。一方、ナノ金属粒子の焼結温度の上限としては、４００℃が好ましく、３８０℃がより好ましい。ナノ金属粒子の焼結温度が上記下限に満たない場合、微細粒子３の生成が起こらないおそれがある。逆に、ナノ金属粒子の焼結温度が上記上限を超える場合、ベースフィルム１が変形又は損傷するおそれがある。

上記焼成工程における熱処理は、一定量の酸素が含まれる雰囲気下で行うことが好ましい。熱処理時の雰囲気の酸素濃度の下限としては、１０体積ｐｐｍが好ましく、１００体積ｐｐｍがより好ましい。一方、熱処理時の雰囲気の酸素濃度の上限としては、５００体積ｐｐｍが好ましく、４００体積ｐｐｍがより好ましい。熱処理時の雰囲気の酸素濃度が上記下限に満たない場合、微細粒子３の生成量が少なくなり、ベースフィルム１と金属層２との間の密着力の向上効果が不十分となるおそれがある。逆に、熱処理時の雰囲気の酸素濃度が上記上限を超える場合、ナノ金属粒子が酸化して微細粒子３の生成ができず、ベースフィルム１と金属層２との間の密着力が不十分となるおそれがある。

＜メッキ工程＞
ステップＳ５のメッキ工程では、ステップＳ４の焼成工程において形成した金属粒層４のベースフィルム１と反対側の面に無電解メッキ又は電気メッキにより、メッキ層５を形成する。

このメッキ工程において、メッキ層５を無電解メッキにより形成する場合、上述したように、無電解メッキに用いる金属として、銅、ニッケル、銀等を用いることができる。例えば銅メッキを行う場合、無電解メッキで用いる銅メッキ液として、微量のニッケルを含有する銅メッキ液を用いる。ニッケル又はニッケル化合物を含有させた銅メッキ液を用いることにより、低応力のメッキ層５を形成することができる。上記銅メッキ液として、例えば１００モルの銅に対し０．１モル以上６０モル以下のニッケルを含有するものが好ましい。また、上記銅メッキ液に、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤等の他の成分を適宜配合させてもよい。

また、上記無電解メッキでは、メッキ金属の析出触媒としてパラジウムを用いてもよい。パラジウムを析出触媒として用いる場合、アクチベーター工程において、金属粒層４の表面を塩化パラジウム溶液に接触させることにより金属粒層４表面にパラジウムイオンを吸着させ、上記還元工程において金属粒層４に吸着したパラジウムイオンを金属パラジウムに還元する。そして、例えば無電解銅メッキを行う場合には、化学銅工程において、例えば硫酸銅とホルマリンとを含む水溶液に浸積することにより、パラジウムを触媒として金属粒層４表面に銅の皮膜が形成される。また、例えば無電解ニッケルメッキを行う場合には、化学ニッケル工程において、例えば硫酸ニッケルと次亜リン酸ナトリウムとを含む水溶液に浸漬することにより、パラジウムを触媒として金属粒層４表面にニッケルの皮膜が形成される。

なお、金属層２として例えば１μｍ以上の平均厚さが要求される場合には、電気メッキによりメッキ層５を形成するか、無電解メッキをした後、要求される導電層の厚さになるまでさらに電気メッキを行う。この電気メッキは、例えば銅、ニッケル、銀等のメッキする金属に応じた従来公知の電気メッキ浴を用いて、かつ適切な条件を選んで、所定厚の導電層が欠陥なく速やかに形成されるように行うことができる。

〔プリント配線板〕
プリント配線板は、図１のプリント配線板用基板に導電パターンを形成することにより製造される。上記導電パターンは、当該プリント配線板用基板の金属層２をベースとして、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法を用いて形成される。

例えばサブトラクティブ法では、当該プリント配線板用基板の金属層２が形成された面に、感光性のレジストを被覆形成し、露光、現像等によりレジストに対して導電パターンに対応するパターニングを行う。続いて、パターニングしたレジストをマスクとしてエッチングにより導電パターン以外の部分の金属層２を除去する。そして最後に、残ったレジストを除去することにより、導電パターンがベースフィルム上に形成されたプリント配線板が得られる。

また、セミアディティブ法では、当該プリント配線板用基板の金属層２が形成された面に、感光性のレジストを被覆形成し、露光、現像等によりレジストに対して導電パターンに対応する開口をパターニングする。続いて、パターニングしたレジストをマスクとしてメッキを行うことにより、このマスクの開口部に露出している金属層２に選択的に導体層を積層する。その後、レジストを剥離してからエッチングにより上記導体層の表面及び導体層が形成されていない金属層２を除去することにより、導電パターンがベースフィルム上に形成されたプリント配線板が得られる。

当該プリント配線板用基板を用いて形成したプリント配線板は、高密度のプリント配線の要求を満たすべく十分に薄く形成することができると共に、エッチング性に優れ、かつベースフィルム１と金属層２との密着力が大きく、ベースフィルム１から導電パターンが剥離し難い。

〔利点〕
当該プリント配線板用基板の製造方法によって製造される当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム１と金属層２との間に、これらベースフィルム１及び金属層２の双方との密着性が高い複数の微細粒子３が介在するため、ベースフィルム１と金属層２との間の剥離強度が大きい。

また、当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム１に金属を食い込ませることなく複数の微細粒子３によりベースフィルム１と金属層２との剥離強度を向上させるので、金属層２及び微細粒子３のエッチング性が良好である。従って、当該プリント配線板用基板は金属層２及び微細粒子３をエッチングにより容易に除去することができ、高精度のプリント配線板の製造を可能にする。

［その他の実施形態］
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

当該プリント配線板用基板における微細粒子は、金属元素、酸素及び水素以外の元素を含む化合物であってもよい。

当該プリント配線板用基板において、微細粒子が、明確に層を形成せず、ベースフィルムと金属層との間に不連続に介在してもよい。

また、当該プリント配線板用基板は、メッキ層を有しないものであってもよい。従って、当該プリント配線板用基板の製造方法におけるメッキ工程は省略可能である。当該プリント配線板用基板を例えばセミアディティブ法によりプリント配線板を形成するために使用する場合、金属層の厚さは小さくてよいため、メッキ層の省略が検討される。

当該プリント配線板用基板の製造方法は、メッキ工程後にアニール工程を有してもよい。アニール工程を設けることによって、微細粒子を成長させられる。従って、アニール工程における処理温度や時間により、微細粒子の粒子径等を調整できる。

このようなアニール工程の処理温度の下限としては、２６０℃が好ましく、３００℃がより好ましい。一方、アニール工程の処理温度の上限としては、４００℃が好ましく、３８０℃がより好ましい。アニール工程の処理温度が上記下限に満たない場合、微細粒子を成長させられないおそれがある。逆に、アニール工程の処理温度が上記上限を超える場合、ベースフィルム等を損傷するおそれがある。

また、アニール工程の処理時間の下限としては、１０分が好ましく、３０分がより好ましい。一方、アニール工程の処理時間の上限としては、７２０分が好ましく、３６０分がより好ましい。アニール工程の処理時間が上記下限に満たない場合、微細粒子を十分成長させられないおそれがある。逆に、アニール工程の処理時間が上記上限を超える場合、微細粒子が金属層を浸食するおそれや、当該プリント配線板用基板の製造コストが不必要に増大するおそれがある。

また、当該プリント配線板用基板の製造方法において、ナノ金属粒子によらず、金属層を形成してもよい。

以下、プリント配線板用基板を試作した結果に基づいて本発明を詳述するが、この試作品の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。

＜試作品＞
本発明の効果を確認するために、条件が異なるプリント配線板用基板の試作品１〜５を製作した。

（試作品１）
試作品１は、ベースフィルムとしてカネカ社の厚み２５μｍのポリイミドフィルム「アピカル（登録商標）２５ＮＰＩ」を用い、ナノ金属粒子として平均粒子径６４ｎｍの銅粒子を２６質量％濃度で水に分散させた導電性組成物を使用して金属粒層及び微細粒子を形成した。具体的には、上記ベースフィルムの表面に上記導電性組成物を塗工し（塗工工程）、大気中で乾燥した後、酸素濃度１００体積ｐｐｍで温度３５０℃の窒素ガス雰囲気下で３０分間加熱する熱処理（焼成工程）を行った。つまり、この熱処理により、ナノ金属粒子を焼成して金属粒層を形成すると共に、ベースフィルムと金属粒層の間に介在する微細粒子を形成した。そして、形成された金属粒層の表面に平均厚さ０．４μｍの銅の無電解メッキ（メッキ工程）を行い、さらに銅の電気メッキにより平均合計厚さ１８μｍの金属層を形成した。さらに、金属層を形成したベースフィルムを温度３５０℃で３０分間アニール処理することにより、試作品１を得た。

（試作品２）
試作品２は、ナノ金属粒子として平均粒子径１０２ｎｍの銅粒子を用いた以外は、上記試作品１と同じ条件で製作した。

（試作品３）
試作品３は、ナノ金属粒子として平均粒子径３８ｎｍの銅粒子を用いた以外は、上記試作品１と同じ条件で製作した。

（試作品４）
試作品４は、ナノ金属粒子として平均粒子径４５５ｎｍの銅粒子を用いた以外は、上記試作品１と同じ条件で製作した。

（試作品５）
試作品５は、焼成時間を６００分とした以外は、上記試作品１と同じ条件で製作した。

＜評価＞
上記試作品１〜５について、以下のように評価を行った。

（断面撮影）
試作品１〜５のプリント配線板用基板の断面を日本電子株式会社の透過型電子顕微鏡「ＪＥＭ−２１００Ｆ」を用いて撮影した。

図３Ａ〜３Ｃに、試作品１〜３のプリント配線板用基板の断面を透過型電子顕微鏡で撮影した画像を示す。

これらの画像において、下部の色の濃い部分がベースフィルムであり、上部の色の薄い部分が金属粒層である。金属粒層には、径が数十ｎｍから数百ｎｍ程度の結晶粒が確認できる。また、これらの画像の上下中程には、ベースフィルムと金属粒層との間に粒子径が数ｎｍ程度の微細粒子が層状に存在することが確認できる。つまり、試作品１〜３は、いずれもベースフィルムと金属層との間に介在する微細粒子が形成されている。

（平均粒子径）
これらの撮影画像において、１０以上の微細粒子の直径を測定した値を平均することにより平均粒子径を算出した。

（元素濃度）
また、試作品１〜５のプリント配線板用基板の断面を、上記断面撮影に用いた透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分析機能を用いて、加速電圧３ｋＶで分析することにより、ベースフィルムと金属層との界面近傍領域における銅、炭素及び酸素の含有量を測定した。図４Ａ〜６Ｃに示す２次元マッピング画像において、原子の含有量（ａｔｍ％）は色の濃淡で段階的に示されている。色が濃いほど含有量が小さく、色が薄くなるほど含有量が大きいことを表す。

図４Ａ〜４Ｃに、試作品１〜３のプリント配線板用基板の断面の銅の含有量の分析結果を２次元マッピングした図を示す。

これらの銅含有量のマッピングは、試作品１〜３における金属層又は微細粒子の存在範囲を示す。

図５Ａ〜５Ｃに、試作品１〜３のプリント配線板用基板の断面の炭素の含有量の分析結果を２次元マッピングした図を示す。

これらの炭素含有量のマッピングは、試作品１〜３におけるベースフィルムの存在範囲を示す。

図６Ａ〜６Ｃに、試作品１〜３のプリント配線板用基板の断面の酸素の含有量の分析結果を２次元マッピングした図を示す。

この酸素含有量マッピングを上記銅含有量のマッピング及び炭素含有量のマッピングと重ね合わせることにより、微細粒子が酸素を含み、金属酸化物又は金属水酸化物であること、及びベースフィルムの表面近傍に酸素が含まれることが分かる。

（表面近傍領域の酸素含有量）
上記酸素含有量の分析結果から、試作品１〜５のプリント配線板用基板のベースフィルムの表面近傍領域、つまりベースフィルムの表面から深さ５０ｎｍまでの範囲の酸素含有量（マッピングデータの平均値）を算出した。

（剥離強度）
さらに、試作品１〜５のプリント配線板用基板について、ベースフィルムからの金属層の剥離強度を、ＪＩＳ−Ｃ６４７１（１９９５）に準拠して、金属層をポリイミドフィルムに対して１８０°方向に引き剥がす方法で測定した。なお、剥離強度は、７００ｇｆ／ｃｍ以上であれば、プリント配線板用基板としては十分な値であると考えられる。

上記試作品１〜５のプリント配線板用基板について、微細粒子の平均粒子径、ベースフィルム表面近傍領域（表面から深さ５０ｎｍまでの範囲）の酸素含有量、及びベースフィルムからの金属層の剥離強度の測定結果を次の表１にまとめて示す。

＜評価結果＞
表１に示すように、試作品１〜５のプリント配線板用基板は、ベースフィルムと金属層との間に微細粒子が形成されることによって、ベースフィルムと金属層との剥離強度が７４０ｇｆ／ｃｍ以上の十分に大きい値となっている。一方、表１には示さないが、ベースフィルムと金属層との間に微細粒子を形成しないように、焼成工程での焼結温度や雰囲気の酸素濃度を調整した以外は試作品１と同じ条件で製作したプリント配線板用基板では、ベースフィルムと金属層との剥離強度は７００ｇｆ／ｃｍ未満の低い値を示した。このことから、ベースフィルムと金属層との間に複数の微細粒子が介在することによりベースフィルムと金属層との剥離強度が向上すると考えられる。

また、試作品１〜５のプリント配線板用基板は、ベースフィルムと金属層との間に形成された微細粒子の平均粒子径が１ｎｍ〜１８ｎｍであった。いずれの試作品でもベースフィルム及び金属層間に介在する複数の微細粒子の平均粒子径が、０．１ｎｍ以上２０ｎｍ以下となっており、金属層の剥離強度が向上していると考えられる。
さらに、試作品１〜５のプリント配線板用基板は、ベースフィルムの表面近傍領域（表面から深さ５０ｎｍまでの範囲）における酸素含有量が２０ａｔｍ％以上６０ａｔｍ％以下であり、これによって微細粒子との密着性がさらに向上していると考えられる。

本発明のプリント配線板用基板及びプリント配線板用基板の製造方法は、エッチング性に優れ、金属層の剥離強度が高いため、高密度のプリント配線が要求されるプリント配線板を製造するために好適に用いられる。

１ベースフィルム２金属層３微細粒子４金属粒層５メッキ層
Ｓ１調製工程Ｓ２塗工工程Ｓ３乾燥工程Ｓ４焼成工程
Ｓ５メッキ工程

Claims

絶縁性を有するベースフィルムと、
上記ベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層される金属層と
を備えるプリント配線板用基板であって、
上記ベースフィルム及び金属層間に複数の微細粒子が介在し、
上記微細粒子が上記金属層の主金属と同じ金属又はその金属化合物から形成されているプリント配線板用基板。
上記複数の微細粒子の平均粒子径が、０．１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である請求項１に記載のプリント配線板用基板。
上記複数の微細粒子が、金属酸化物又は金属水酸化物である請求項１又は請求項２に記載のプリント配線板用基板。
上記複数の微細粒子が、上記ベースフィルム及び金属層間に層状に存在する請求項１、請求項２又は請求項３に記載のプリント配線板用基板。
上記金属層が、ナノ金属粒子の焼成により形成される金属粒層を有している請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプリント配線板用基板。
上記金属層が、上記金属粒層の一方の面側に無電解メッキ又は電気メッキにより形成されるメッキ層をさらに有する請求項５に記載のプリント配線板用基板。
上記主金属が銅である請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のプリント配線板用基板。
上記ベースフィルムの金属層側の表面から深さ５０ｎｍまでの領域における酸素含有量が２０ａｔｍ％以上６０ａｔｍ％以下である請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のプリント配線板用基板。
絶縁性を有するベースフィルムと、
このベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層される金属層と
を備えるプリント配線板用基板の製造方法であって、
上記ベースフィルムの一方の面側に、ナノ金属粒子を含む導電性組成物を塗工する工程と、
上記塗工した導電性組成物を焼成する工程と
を備え、
上記焼成工程が、上記ベースフィルム及び金属層間にこの金属層の主金属と同じ金属又はその金属化合物から形成される複数の微細粒子を介在させる工程を有するプリント配線板用基板の製造方法。