JPWO2016063510A1 - ホール素子 - Google Patents

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Abstract

本発明は、S/N比の優れたホール素子に関する。基板(100)と、基板上に配置される第1の電極(22a)及び第2の電極(23a)と、基板上で、かつ、第1の電極と対向する位置に配置される第3の電極(22b)と、基板上で、かつ、第2の電極と対向する位置に配置される第4の電極(23b)と、第1から第4の電極に接続する感磁部(10)とを備える。感磁部(10)は、矩形状である第1の感磁領域(10−1)と、第1の感磁領域と垂直に交差する第2の感磁領域(10−2)と、第1の感磁領域と第2の感磁領域の交差する領域である交差領域(10−0)の近傍に形成された第3の感磁領域(10−3)から第6の感磁領域(10−6)とを備える。

Description

本発明は、ホール素子に関する。
従来から磁気センサは、電流検出装置や位置検出装置など多くの磁気センサ製品に応用されている。磁気センサの代表例として、ホール効果を利用したホール素子がある。
ホール素子は、一般に、感磁部と、感磁部に電流を流すための電流電極対と、ホール起電力を検出するための出力電極対を有している、そして、出力電極対から検出されるホール起電力から感磁部に印加された磁気の大きさ及び向きを検出する。
例えば、特許文献1に記載のホール素子は、十字型のホール素子の4箇所の内隅部分を直角でなく斜めに角取りを施した形状にしたものである。
図1は、特許文献1に記載のホール素子を説明するための構成図である。特許文献1に記載のホール素子は、十字型の感磁部2を有しており、一方向の両端部にホール端子5が設けられ、他方向の両端部に電流端子6が設けられている。感磁部2は、十字型の形状をしているので4箇所の内隅部分3を有している。そして、これらの内隅部分3はいずれも直角ではなく斜めに角取りされている。この角取り部7は、内隅部分3に対して三角板状に張り出しており、縦横の寸法Lが200μm、幅Wが100μmの十字形状のパターンに対して、角取り部7の一辺がX=10μmの大きさとなっている。このような構成により、内隅部分3の幾何学的アンバランスにより生じていた不平衡電圧を小さくすることができる。
また、特許文献2に記載のホール素子は、感磁部の形状を十字型にして、さらに感磁部を半導体チップの表裏両面に設けて感度の向上を図るようにしたものである。
特開平1−298354号公報 特開2003−101096号公報
近年、磁気センサ製品の小型化が要求されており、それに伴い、ホール素子の小型化が要求される。ホール素子の小型化は、感磁部の小型化につながり、感磁部の小型化はS/N(シグナルとノイズの比)の悪化につながる。S/Nが悪化すると、感磁部に印加された磁気の大きさを正確に検出することが出来なくなる。
上述した特許文献1のホール素子、特許文献2のホール素子どちらもS/Nが十分ではないという問題があった。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、S/Nの優れたホール素子を提供することにある。
本発明の第1の態様においては、基板と、前記基板上に形成された第1の電極から第4の電極と、前記第1の電極から第4の電極のそれぞれに接続される感磁部と、を備えるホール素子であって、前記感磁部は、平面視で矩形状である第1の感磁領域と、平面視で矩形状であり、かつ、前記第1の感磁領域と垂直に交差する第2の感磁領域と、平面視で前記第1の感磁領域と前記第2の感磁領域の交差する領域である交差領域の近傍に形成された第3の感磁領域から第6の感磁領域と、を有し、前記第1の電極と前記第3の電極は、平面視で、前記交差領域を挟んで対向する位置に配置されており、前記第2の電極と前記第4の電極は、平面視で、前記交差領域を挟んで対向する位置に配置されており、前記第1の感磁領域の各頂点を時計回りに順にA1、A2、A3、A4とし、前記第2の感磁領域の各頂点を時計回りに順にB1、B2、B3、B4としたときに、前記第1の電極は、平面視で、前記A1及び前記A2と接続しており、前記第2の電極は、平面視で、前記B1及び前記B2と接続しており、前記第3の電極は、平面視で、前記A3及び前記A4と接続しており、前記第4の電極は、平面視で、前記B3及び前記B4と接続しており、前記A1及び前記A4を結ぶ線分と前記B2及び前記B3を結ぶ線分との交点をC1、前記A2及び前記A3を結ぶ線分と前記B2及び前記B3を結ぶ線分との交点をC2、前記A2及び前記A3を結ぶ線分と前記B1及び前記B4を結ぶ線分との交点をC3、前記A1及び前記A4を結ぶ線分と前記B1及び前記B4を結ぶ線分との交点をC4、前記B2及び前記C1を結ぶ線分上の点をD1、前記A1及び前記C1を結ぶ線分上の点をD2、前記A2及び前記C2を結ぶ線分上の点をD3、前記B3及び前記C2を結ぶ線分上の点をD4、前記B4及び前記C3を結ぶ線分上の点をD5、前記A3及び前記C3を結ぶ線分上の点をD6、前記A4及び前記C4を結ぶ線分上の点をD7、前記B1及び前記C4を結ぶ線分上の点をD8、としたときに、前記第3の感磁領域は、前記C1、前記D1及び前記D2を結ぶ三角形の領域であり、前記第4の感磁領域は、前記C2、前記D3及び前記D4を結ぶ三角形の領域であり、前記第5の感磁領域は、前記C3、前記D5及び前記D6を結ぶ三角形の領域であり、前記第6の感磁領域は、前記C4、前記D7及び前記D8を結ぶ三角形の領域であり、前記A1及び前記A2を結ぶ線分の長さをWIN、前記B1及び前記B2を結ぶ線分の長さをWOUT、前記A1及び前記A4を結ぶ線分の長さをLIN、前記B1及び前記B4を結ぶ線分の長さをLOUT、前記第3の感磁領域から第6の感磁領域の合計面積をS、としたときに、以下の式(1)〜(3)
Figure 2016063510
x>0、y>0、0.7x+y≦0.7 ・・・(2)
ただし、
Figure 2016063510
0<a≦0.14、0<b≦0.68、x=0.08、y=0.59
の関係を満たす。
本発明の第2の態様においては、基板と、前記基板上に形成された第1の電極から第4の電極と、前記第1の電極から第4の電極のそれぞれに接続される感磁部と、を備えるホール素子であって、前記感磁部は、平面視で矩形状である第1の感磁領域と、平面視で矩形状であり、かつ、前記第1の感磁領域と垂直に交差する第2の感磁領域と、平面視で前記第1の感磁領域と前記第2の感磁領域の交差する領域である交差領域の近傍に形成された第3の感磁領域から第6の感磁領域と、を有し、前記第1の電極と前記第3の電極は、平面視で、前記交差領域を挟んで対向する位置に配置されており、前記第2の電極と前記第4の電極は、平面視で、前記交差領域を挟んで対向する位置に配置されており、前記第1の感磁領域の各頂点を順に時計回りにA1、A2、A3、A4とし、前記第2の感磁領域の各頂点を順に時計回りにB1、B2、B3、B4としたときに、前記第1の電極は、平面視で、前記A1及び前記A2と接続しており、前記第2の電極は、平面視で、前記B1及び前記B2と接続しており、前記第3の電極は、平面視で、前記A3及び前記A4と接続しており、前記第4の電極は、平面視で、前記B3及び前記B4と接続しており、前記A1及び前記A4を結ぶ線分と前記B2及び前記B3を結ぶ線分との交点をC1、前記A2及び前記A3を結ぶ線分と前記B2及び前記B3を結ぶ線分との交点をC2、前記A2及び前記A3を結ぶ線分と前記B1及び前記B4を結ぶ線分との交点をC3、前記A1及び前記A4を結ぶ線分と前記B1及び前記B4を結ぶ線分との交点をC4、前記B2及び前記C1を結ぶ線分上の点をD1、前記A1及び前記C1を結ぶ線分上の点をD2、前記A2及び前記C2を結ぶ線分上の点をD3、前記B3及び前記C2を結ぶ線分上の点をD4、前記B4及び前記C3を結ぶ線分上の点をD5、前記A3及び前記C3を結ぶ線分上の点をD6、前記A4及び前記C4を結ぶ線分上の点をD7、前記B1及び前記C4を結ぶ線分上の点をD8、としたときに、前記第3の感磁領域は、前記C1、前記D1及び前記D2を結ぶ三角形の領域であり、前記第4の感磁領域は、前記C2、前記D3及び前記D4を結ぶ三角形の領域であり、前記第5の感磁領域は、前記C3、前記D5及び前記D6を結ぶ三角形の領域であり、前記第6の感磁領域は、前記C4、前記D7及び前記D8を結ぶ三角形の領域であり、前記A1及び前記A2を結ぶ線分の長さをWIN、前記B1及び前記B2を結ぶ線分の長さをWOUT、前記A1及び前記A4を結ぶ線分の長さをLIN、前記B1及び前記B4を結ぶ線分の長さをLOUT、前記第3の感磁領域から第6の感磁領域の合計面積をS、としたときに、以下の式(4)〜(6)
Figure 2016063510
x>0、y>0、0.7x+y≦0.7 ・・・(5)
ただし、
Figure 2016063510
0<a≦0.1、0<b≦0.54、x=0.08、y=0.62
の関係を満たす。
本発明の第3の態様においては、基板と、前記基板上に形成される第1の電極と、前記第1の電極と向かい合って形成される第3の電極と、第2の電極と、前記第2の電極と向かい合って形成される第4の電極と、前記第1の電極から第4の電極のそれぞれに接続される感磁部と、を備えるホール素子であって、前記感磁部は、前記第1の電極と前記第3の電極とで挟まれた間の領域であり、前記感磁部をはみ出さない最大の大きさの平面視で矩形状である第1の感磁領域と、前記第2の電極と前記第4の電極とで挟まれた間の領域であり、前記感磁部をはみ出さない最大の大きさの平面視で矩形状であり、かつ、前記第1の感磁領域と垂直に交差する第2の感磁領域と、平面視で前記第1の感磁領域と前記第2の感磁領域の交差する領域である交差領域の近傍に形成された第3の感磁領域から第6の感磁領域と、を有し、前記第1の感磁領域の各頂点を、第1の電極側をA1、A2、第3の電極側をA3、A4とし、前記第2の感磁領域の各頂点を、第2の電極側をB1、B2、第3の電極側をB3、B4とし、前記A1及び前記A4を結ぶ線分と前記B2及び前記B3を結ぶ線分との交点をC1、前記A2及び前記A3を結ぶ線分と前記B2及び前記B3を結ぶ線分との交点をC2、前記A2及び前記A3を結ぶ線分と前記B1及び前記B4を結ぶ線分との交点をC3、前記A1及び前記A4を結ぶ線分と前記B1及び前記B4を結ぶ線分との交点をC4、前記B2及び前記C1を結ぶ線分上の点をD1、前記A1及び前記C1を結ぶ線分上の点をD2、前記A2及び前記C2を結ぶ線分上の点をD3、前記B3及び前記C2を結ぶ線分上の点をD4、前記B4及び前記C3を結ぶ線分上の点をD5、前記A3及び前記C3を結ぶ線分上の点をD6、前記A4及び前記C4を結ぶ線分上の点をD7、前記B1及び前記C4を結ぶ線分上の点をD8、としたときに、前記第3の感磁領域は、前記C1、前記D1及び前記D2を結ぶ三角形の領域であり、前記第4の感磁領域は、前記C2、前記D3及び前記D4を結ぶ三角形の領域であり、前記第5の感磁領域は、前記C3、前記D5及び前記D6を結ぶ三角形の領域であり、前記第6の感磁領域は、前記C4、前記D7及び前記D8を結ぶ三角形の領域であり、前記A1及び前記A2を結ぶ線分の長さをWIN、前記B1及び前記B2を結ぶ線分の長さをWOUT、前記A1及び前記A4を結ぶ線分の長さをLIN、前記B1及び前記B4を結ぶ線分の長さをLOUT、前記第3の感磁領域から第6の感磁領域の合計面積をS、としたときに、以下の式(7)〜(9)
Figure 2016063510
x>0、y>0、0.7x+y≦0.7 、0<a≦0.1、0<b≦0.54、x=0.08、y=0.62・・・(8)
ただし、
Figure 2016063510
の関係を満たす。
本発明の一態様によれば、S/N比の優れたホール素子を実現することができる。
図1は、特許文献1に記載のホール素子を説明するための構成図である。 図2は、本発明に係るホール素子の実施形態を説明するための構成図(その1)である。 図3は、本発明に係るホール素子の実施形態を説明するための構成図(その2)である。 図4(a)及び(b)は、図3に示したARM1及びARM2を有することにより、電極の位置がずれた時のホール素子の特性変動が少ないことを説明するための図である。 図5、感磁部に隣接する隣接領域を示す図である。 図6、図2における第1の感磁領域及び第2の感磁領域を説明するための図である。 図7は、図2における第3の感磁領域を説明するための図である。 図8(a)〜(c)は、S/Nが1.2倍以上から1.4倍以上となった領域を示したグラフを示す図である。 図9(a)〜(c)は、S/Nが1.5倍以上から1.7倍以上となった領域を示したグラフを示す図である。 図10は、本実施形態のホール素子の最適な形状を説明するための構成図である。 図11は、本実施形態における感磁部がメサ構造内に形成されているホール素子の断面図である。 図12は、本実施形態における感磁部が基板内に形成されているホール素子の断面図である。
以下の詳細な説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するように多くの特定の具体的な構成について記載されている。しかしながら、このような特定の具体的な構成に限定されることなく他の実施態様が実施できることは明らかであろう。また、以下の実施形態は、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図2は、本発明に係るホール素子の実施形態を説明するための構成図(その1)である。本実施形態のホール素子は、基板100と、基板100上に形成された第1の電極22aから第4の電極23bと、第1の電極22aから第4の電極23bに接続する感磁部10とを備えているホール素子である。
つまり、本実施形態のホール素子は、基板100と、基板100上に配置される第1の電極22a及び第2の電極23aと、基板100上で、かつ、第1の電極22aと対向する位置に配置される第3の電極22bと、基板100上で、かつ、第2の電極23aと対向する位置に配置される第4の電極23bと、第1から第4の電極に接続する感磁部10とを備えている。第1の電極22aと第3の電極22bは感磁部10に電流を流すための電流電極対である。第2の電極23aと第4の電極23bはホール起電力を検出するための出力電極対である。
なお、本実施形態では、第1の電極22aと第3の電極22bを電流電極対、第2の電極23aと第4の電極23bを出力電極対としているが、第1の電極22a及び第3の電極22bからなる電極対、又は、第2の電極23a及び第4の電極23bからなる電極対のどちらか一方の電極対が、感磁部10に電流を流すための電流電極対で、他方の電極対が、ホール起電力を検出するため出力電極対であればよい。
感磁部10は、基板100を平面視したときに矩形状である第1の感磁領域10−1と、基板100を平面視したときに矩形状であり、かつ、第1の感磁領域10−1と垂直に交差する第2の感磁領域10−2と、基板100を平面視したときに第1の感磁領域10−1と第2の感磁領域10−2の交差する領域である交差領域10−0の近傍に形成された第3の感磁領域10−3から第6の感磁領域10−6とを備えている。なお、「平面視したとき」とは、「基板100を平面視したとき」を意味している。
第1の感磁領域10−1の各頂点を時計回りに順にA1、A2、A3、A4とする。第1の電極22aは、平面視で、A1及びA2と接続しており、第3の電極22bは、平面視で、A3及びA4と接続している。
また、第2の感磁領域10−2の各頂点を時計回りに順にB1、B2、B3、B4とする。第2の電極23aは、平面視で、B1及びB2と接続しており、第4の電極23bは、平面視で、B3及びB4と接続している。
A1及びA4を結ぶ線分とB2及びB3を結ぶ線分との交点をC1、A2及びA3を結ぶ線分とB2及びB3を結ぶ線分との交点をC2、A2及びA3を結ぶ線分とB1及びB4を結ぶ線分との交点をC3、A1及びA4を結ぶ線分とB1及びB4を結ぶ線分との交点をC4とする。C1〜C4で囲まれた領域が、交差領域10−0となる。
B2及びC1を結ぶ線分上の点をD1、A1及びC1を結ぶ線分上の点をD2、A2及びC2を結ぶ線分上の点をD3、B3及びC2を結ぶ線分上の点をD4、B4及びC3を結ぶ線分上の点をD5、A3及びC3を結ぶ線分上の点をD6、A4及びC4を結ぶ線分上の点をD7、B1及びC4を結ぶ線分上の点をD8としたときに、第3の感磁領域10−3は、C1、D1及びD2を結ぶ三角形の領域であり、第4の感磁領域10−4は、C2、D3及びD4を結ぶ三角形の領域であり、第5の感磁領域10−5は、C3、D5及びD6を結ぶ三角形の領域であり、第6の感磁領域10−6は、C4、D7及びD8を結ぶ三角形の領域である。
また、A1及びA2を結ぶ線分の長さをWIN、B1及びB2を結ぶ線分の長さをWOUT、A1及びA4を結ぶ線分の長さをLIN、B1及びB4を結ぶ線分の長さをLOUT、第3の感磁領域10−3から第6の感磁領域10−6の合計面積をS、としたときに、以下の式(10)〜(12)
Figure 2016063510
x>0、y>0、0.7x+y≦0.7 ・・・(11)
ただし、
Figure 2016063510
0<a≦0.14、0<b≦0.68、x=0.08、y=0.59
の関係を満たすように構成されている。
図3は、本発明に係るホール素子の実施形態を説明するための構成図(その2)である。図2と同じ機能を有する構成要素には同一の符号を付してある。
A1及びD2を結ぶ線分の長さをARM1、A2及びD3を結ぶ線分の長さをARM2、A3及びD6を結ぶ線分の長さをARM3、A4及びD7を結ぶ線分の長さをARM4、B1及びD8を結ぶ線分の長さをARM5、B2及びD1を結ぶ線分の長さをARM6、B3及びD4を結ぶ線分の長さをARM7、B4及びD5を結ぶ線分の長さをARM8とする。ARM1からARM8は全て0であってもよく、また、電極の位置がずれた時のホール素子の特性変動を少なくするために、ARM1からARM8は全て0でなくてもよい。
図4(a)及び(b)は、図3に示したARM1及びARM2を有することにより、電極の位置がずれた時のホール素子の特性変動が少ないことを説明するための図である。図4(a)は、ARM1及びARM2がある場合で、図4(b)は、ARM1及びARM2が無い場合を示している。なお、図2と同じ機能を有する構成要素には同一の符号を付してある。
図4(a)において、ARM1及びARM2があるので、第1の電極が矢印方向に位置ずれしてもA1,A2間の距離は変わらない。したがって、第1の電極の位置ずれが生じても特性の変動は極めて小さい。
また、図4(b)において、ARMがないので、第1の電極を形成する過程で、第1の電極が本来の位置から矢印方向に位置がずれて形成されたときに、A1,A2間の距離が大きく変わる。後述するように、ホール素子のS/NはA1,A2間の距離、即ち、WINによって大きく変化する。したがって、第1の電極の位置ずれが生じたときに特性は大きく変動する。
同様に、ARM3から8を有するホール素子は、第2から第4の電極の位置ずれが生じても特性の変動は極めて小さい。
ARM1から8が大きいほど、電極が大きく位置ずれしたときの特性の変動が少なくなる。ARM1、ARM2、ARM3及びARM4の少なくとも一つは0.5%×LIN以上であってもよく、1.0%×LIN以上であってもよく、2.0%×LIN以上であってもよい。
ARM1とARM2は同じ大きさであることが好ましく、ARM3とARM4は同じ大きさであることが好ましい。
同様に、ARM5、ARM6、ARM7及びARM8の少なくとも一つは、0.5%×LOUT以上であってもよく、1.0%×LOUT以上であってもよく、2.0%×LOUT以上であってもよい。ARM5とARM6は同じ大きさであることが好ましく、ARM7とARM8は同じ大きさであることが好ましい。
また、第3の感磁領域10−3及び第4の感磁領域10−4は、平面視で、A1及びA2を結ぶ線分の中点と、A3及びA4を結ぶ線分の中点とを結ぶ直線M1に対して線対称な位置に配置されており、第5の感磁領域10−5及び第6の感磁領域10−6は、平面視で、直線M1に対して線対称な位置に配置されている。
このような構成にすることにより、電流を第2の電極23aから第4の電極23bに流したときのホール起電力と、電流を第4の電極23bから第2の電極23aに流したときのホール起電力との差が小さくなる。つまり、電流の向きを自由に設定することが可能となり、ホール素子の実装自由度が向上する。
第3の感磁領域10−3及び第6の感磁領域10−6は、平面視で、B1及びB2を結ぶ線分の中点と、B3及びB4を結ぶ線分の中点とを結ぶ直線M2に対して線対称な位置に配置されており、第4の感磁領域10−4及び第5の感磁領域10−5は、平面視で、直線M2に対して線対称な位置に配置されている。
このような構成にすることにより、電流を第1の電極22aから第3の電極22bに流したときのホール起電力と、電流を第3の電極22bから第1の電極22aに流したときのホール起電力との差が小さくなる。つまり、電流の向きを自由に設定することが可能となり、ホール素子の実装自由度が向上する。
また、感磁部10は、平面視で、直線M1に対して線対称な形状であり、かつ、直線M2に対して線対称な形状である。
また、第3の感磁領域10−3から第6の感磁領域10−6の形状は、平面視で、互いに合同の形状である。
このような構成により、電流電極対と出力電極対を入れ替えて使用することができ、ホール素子の実装自由度が向上する。
なお、第3の感磁領域10−3から第6の感磁領域10−6の形状は、平面視で、互いに合同の形状でなくてもよい。
また、第3の感磁領域10−3及び第4の感磁領域10−4は、平面視で直線M1に対して線対称な位置に配置されていなくてもよく、第5の感磁領域10−5及び第6の感磁領域10−6は、平面視で、直線M1に対して線対称な位置に配置されていなくてもよい。
また、第3の感磁領域10−3及び第6の感磁領域10−6は、平面視で、直線M2に対して線対称な位置に配置されていなくてもよく、第4の感磁領域10−4及び第5の感磁領域10−5は、平面視で、直線M2に対して線対称な位置に配置されていなくてもよい。
また、感磁部10は、平面視で、直線M1に対して線対称な形状でなくてもよく、直線M2に対して線対称な形状でなくてもよい。
第1の電極22a及び第3の電極22bは、平面視で、直線M1に対して線対称な形状であり、第2の電極23a及び第4の電極23bは、平面視で、直線M2に対して線対称な形状である。
電極が位置ずれしても感磁領域と電極との接触長さの変動が少なく、電極が位置ずれしても特性の変動が少ない。
また、第1の電極22aから第4の電極23bは、第1の電極22aと第3の電極22bとを結ぶ仮想直線と、第2の電極23aと第4の電極23bとを結ぶ仮想直線とが、平面視で交差するように基板100上に配置されている。本実施形態では、第1の電極22aと第3の電極22bとを結ぶ仮想直線と、第2の電極23aと第4の電極23bとを結ぶ仮想直線とが、平面視で直交している。
また、WIN/WOUTは、例えば、0.05以上20以下であり、0.1以上10以下であり、0.2以上5以下である。
IN/LOUTは、例えば、0.05以上20以下であり、0.2以上5以下であり、0.5以上2以下であり、0.8以上1.25以下である。
INは、例えば、1μm以上300μm以下であり、10μm以上200μm以下であり、30μm以上150μm以下である。
OUTは、例えば、1μm以上300μm以下であり、10μm以上200μm以下であり、30μm以上150μm以下である。
図5は、感磁部に隣接する隣接領域を示す図である。感磁部10と隣接領域は抵抗率によって区別され、隣接領域の抵抗率は、感磁部10の抵抗率よりも10倍以上高い。図中符号31−3〜31−6は、第3の感磁領域10−3から第6の感磁領域10−6に隣接する隣接領域を示している。なお、図2と同じ機能を有する構成要素には同一の符号を付してある。
感磁部10は、GaAs,InSb,InAs,Siなどの半導体にドナー又はアクセプタとなる不純物が添加された領域である。隣接領域も同様に、GaAs,InSb,InAs,Siなどの半導体で形成されているが、ドナー又はアクセプタとなる不純物が少ないため、抵抗率が高い。
第1の感磁領域10−1から第6の感磁領域10−6のそれぞれの領域の抵抗率は、同程度の抵抗率である。例えば、第1の感磁領域10−1の抵抗率をR1(Ω・m)とすると、第2の感磁領域10−2から第6の感磁領域10−6の抵抗率R2〜R6は、0.25×R1以上4×R1以下であることが好ましく、0.5×R1以上2×R1以下であることがより好ましい。
隣接領域のシートキャリア密度は、感磁部10のシートキャリア密度よりも小さく、例えば、感磁部10のシートキャリア密度の2.0%以下である。
第1の感磁領域10−1から第6の感磁領域10−6のそれぞれの領域のシートキャリア密度は、同程度の密度である。例えば、第1の感磁領域10−1のシートキャリア密度をD1(個/cm)とすると、第2の感磁領域10−2から第6の感磁領域10−6のシートキャリア密度D2〜D6は、0.25×D1以上4×D1以下であることが好ましく、0.5×D1以上2×D1以下であることがより好ましい。
基板100は、GaAs,InSb,InAs,Si基板などの半導体基板であってもよい。
図6は、図2における第1の感磁領域及び第2の感磁領域を説明するための図である。第1の感磁領域10−1とは、感磁部10のうち、第1の電極22aと第3の電極22bに接続し、第1の電極22aと第3の電極22bの間の領域で感磁部10をはみ出さない最大の大きさの矩形状の領域である。つまり、電極の下の領域や電極付近のすそ野の領域は、第1の感磁領域10−1に含まれない。
また、第2の感磁領域10−2とは、感磁部10のうち、第2の電極23aと第4の電極23bに接続し、第2の電極23aと第4の電極23bの間の領域で感磁部10をはみ出さない最大の大きさの矩形状の領域である。つまり、電極の下の領域や電極付近のすそ野の領域は、第2の感磁領域10−2に含まれない。
図7は、図2における第3の感磁領域を説明するための図である。
第3の感磁領域10−3は、C1、D1及びD2を結ぶ三角形の領域である。D1とD2は、C1、D1及びD2を結ぶ三角形が感磁部10をはみ出さず、かつ、C1、D1及びD2を結ぶ三角形の面積が最大となる点である。第4から第6の感磁領域も同様に、D3からD8が定義される。
<シミュレーション結果>
まず、WIN=WOUT=52μm、LIN=LOUT=100μm、第3の感磁領域から第6の感磁領域の合計面積S=0の形状のホール素子(以下、基準ホール素子)のS/Nを測定した。
次に、本実施形態のホール素子について、LINを100μmに固定し、LOUTを80μm、90μm、100μm、110m、120μmに変化させ、WIN、WOUT、点D1〜点D8の位置を様々変化させて、13万点のサンプルを作成した。
最後に、作成したサンプルのS/Nを測定し、基準ホール素子のS/Nで規格化をした。
図8(a)〜(c)及び図9(a)〜(c)は、得られた測定結果を横軸x及び縦軸yでプロットした図である。ただし、xとyの定義は以下の通りである。
Figure 2016063510
なお、Sは第3の感磁領域から第6の感磁領域の合計面積である。
図8(a)は、S/Nが1.2倍以上となった領域をグラフに示した図である。図8(a)の楕円A(点線)は、S/Nが1.2倍以上となった領域を近似するための点線である。図8(a)に示した楕円Aは、下記式(14)にa=0.14、b=0.68、x=0.08、y=0.59を代入して得られた楕円である。
Figure 2016063510
楕円Aの領域内で、かつ、下記式(15)を満たす領域内(図8(a)の領域A’)のホール素子で、S/Nが1.2倍以上となった。S/Nを1.2倍以上改善すると、手振れ補正の際の位置分解能を2倍にすることが可能となる。
x>0、y>0、0.7x+y≦0.7 ・・・(15)
なお、aはホール素子の測定されたS/Nのプロット値の領域を示す楕円の短軸の長さ、bは楕円の長軸の長さ、となる。
図8(b)は、S/Nが1.3倍以上となった領域をグラフに示した図である。図8(b)の楕円B(点線)は、S/Nが1.3倍以上となった領域を近似するための点線である。図8(b)に示した楕円Bは、式(14)にa=0.12、b=0.61、x=0.08、y=0.59を代入して得られた楕円である。楕円Bの領域内で、かつ、式(15)を満たす領域内(図8(b)の領域B’)のホール素子で、S/Nが1.3倍以上となった。S/Nを1.3倍以上改善すると、微弱な磁気信号でも検出可能となる。
図8(c)は、S/Nが1.4倍以上となった領域をグラフに示した図である。図8(c)の楕円C(点線)は、S/Nが1.4倍以上となった領域を近似するための点線である。図8(c)に示した楕円Cは、式(14)にa=0.1、b=0.54、x=0.08、y=0.62を代入して得られた楕円である。楕円Cの領域内で、かつ、式(15)を満たす領域内(図8(c)の領域C’)のホール素子で、S/Nが1.4倍以上となった。
図9(a)は、S/Nが1.5倍以上となった領域をグラフに示したである。図9(a)の楕円D(点線)は、S/Nが1.5倍以上となった領域を近似するための点線である。図9(a)に示した楕円Dは、式(14)にa=0.09、b=0.45、x=0.08、y=0.62を代入して得られた楕円である。楕円Dの領域内で、かつ、式(15)を満たす領域内(図9(a)の領域D’)のホール素子で、S/Nが1.5倍以上となった。
図9(b)は、S/Nが1.6倍以上となった領域をグラフに示した図である。図9(b)の楕円E(点線)は、S/Nが1.6倍以上となった領域を近似するための点線である。図9(b)に示した楕円Eは、式(14)にa=0.064、b=0.32、x=0.08、y=0.62を代入して得られた楕円である。楕円Eの領域内で、かつ、式(15)を満たす領域内(図9(b)の領域E’)のホール素子で、S/Nが1.6倍以上となった。
図9(c)は、S/Nが1.7倍以上となった領域をグラフに示した図である。図9(c)の楕円F(点線)は、S/Nが1.7倍以上となった領域を近似するための点線である。図9(c)に示した楕円Fは、式(14)にa=0.04、b=0.19、x=0.08、y=0.62を代入して得られた楕円である。楕円Fの領域内で、かつ、式(15)を満たす領域内(図9(c)の領域F’)のホール素子で、S/Nが1.7倍以上となった。
a,b,x,yの関係は、以下の表1のとおりである。
Figure 2016063510
図10は、本実施形態のホール素子の最適な形状を説明するための構成図である。測定結果から、WINとWOUTが小さく、第3の感磁領域から第6の感磁領域の合計面積Sが大きいと高いS/Nとなることがわかった。しかし、面積Sを大きくすることは、ARM1から8を小さくすることに繋がり、ホール素子の特性変動に繋がる。S/Nが大きく、かつ、電極の位置ずれによる特性変動が少ないホール素子を得るためには、図10に示すように、感磁部の形状を、短いARM1から8と、小さいWINとWOUTと、大きい面積Sを有する形状にすればよい。
図11は、本実施形態における感磁部がメサ構造内に形成されているホール素子の断面図である。感磁部10は、基板100上に形成されたメサ構造内に形成されていてもよい。
つまり、感磁部10は、基板100上に形成されたメサ構造内に形成されており、メサ構造の外縁は、平面視で、B2及びD1を結ぶ線分、D1及びD2を結ぶ線分、D2及びA1を結ぶ線分、A2及びD3を結ぶ線分、D3及びD4を結ぶ線分、D4及びB3を結ぶ線分、B4及びD5を結ぶ線分、D5及びD6を結ぶ線分、D6及びA3を結ぶ線分、A4及びD7を結ぶ線分、D7及びD8を結ぶ線分及びD8及びB1を結ぶ線分に沿っている。
図12は、本実施形態における感磁部が基板内に形成されているホール素子の断面図で、第1の電極22aと第3の電極22bを結ぶ直線が切断面である。第1の感磁領域10−1から第6の感磁領域10−6は、基板100内に形成されていてもよい。
従来のホール素子として、単純な十字型のホール素子の場合、つまり、感磁部が第1の感磁領域と第2の感磁領域のみ有している場合、本実施形態における第3〜第6の感磁領域がないため、Sが0となり、yは0となる。
また、本実施形態のホール素子において、幾何学的に存在し得るホール素子の形状はx>0かつ、y>0かつ、0.7x+y≦0.7の数式で定義される。
<製造方法>
感磁部10の形状を、上述した距離関係を有する形状とするためには、感磁部10の形状を形成する際に使用するマスクの形状を上述した距離関係となるように設計すればよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の技術的範囲は、上述した実施形態に記載の技術的範囲には限定されない。上述した実施形態に、多様な変更又は改良を加えることも可能であり、そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
2 感磁部
3 内隅部分
5 ホール端子
6 電流端子
7 角取り部
10 感磁部
10−0 交差領域
10−1 第1の感磁領域
10−2 第2の感磁領域
10−3 第3の感磁領域
10−4 第3の感磁領域
10−5 第3の感磁領域
10−6 第6の感磁領域
22a 第1の電極
22b 第3の電極
23a 第2の電極
23b 第4の電極
31−3〜31−6 隣接領域
100 基板

Claims (23)

  1. 基板と、前記基板上に形成された第1の電極から第4の電極と、前記第1の電極から第4の電極のそれぞれに接続される感磁部と、を備えるホール素子であって、
    前記感磁部は、
    平面視で矩形状である第1の感磁領域と、
    平面視で矩形状であり、かつ、前記第1の感磁領域と垂直に交差する第2の感磁領域と、
    平面視で前記第1の感磁領域と前記第2の感磁領域の交差する領域である交差領域の近傍に形成された第3の感磁領域から第6の感磁領域と、
    を有し、
    前記第1の電極と前記第3の電極は、平面視で、前記交差領域を挟んで対向する位置に配置されており、
    前記第2の電極と前記第4の電極は、平面視で、前記交差領域を挟んで対向する位置に配置されており、
    前記第1の感磁領域の各頂点を時計回りに順にA1、A2、A3、A4とし、
    前記第2の感磁領域の各頂点を時計回りに順にB1、B2、B3、B4としたときに、
    前記第1の電極は、平面視で、前記A1及び前記A2と接続しており、
    前記第2の電極は、平面視で、前記B1及び前記B2と接続しており、
    前記第3の電極は、平面視で、前記A3及び前記A4と接続しており、
    前記第4の電極は、平面視で、前記B3及び前記B4と接続しており、
    前記A1及び前記A4を結ぶ線分と前記B2及び前記B3を結ぶ線分との交点をC1、
    前記A2及び前記A3を結ぶ線分と前記B2及び前記B3を結ぶ線分との交点をC2、
    前記A2及び前記A3を結ぶ線分と前記B1及び前記B4を結ぶ線分との交点をC3、
    前記A1及び前記A4を結ぶ線分と前記B1及び前記B4を結ぶ線分との交点をC4、
    前記B2及び前記C1を結ぶ線分上の点をD1、
    前記A1及び前記C1を結ぶ線分上の点をD2、
    前記A2及び前記C2を結ぶ線分上の点をD3、
    前記B3及び前記C2を結ぶ線分上の点をD4、
    前記B4及び前記C3を結ぶ線分上の点をD5、
    前記A3及び前記C3を結ぶ線分上の点をD6、
    前記A4及び前記C4を結ぶ線分上の点をD7、
    前記B1及び前記C4を結ぶ線分上の点をD8、としたときに、
    前記第3の感磁領域は、前記C1、前記D1及び前記D2を結ぶ三角形の領域であり、
    前記第4の感磁領域は、前記C2、前記D3及び前記D4を結ぶ三角形の領域であり、
    前記第5の感磁領域は、前記C3、前記D5及び前記D6を結ぶ三角形の領域であり、
    前記第6の感磁領域は、前記C4、前記D7及び前記D8を結ぶ三角形の領域であり、
    前記A1及び前記A2を結ぶ線分の長さをWIN
    前記B1及び前記B2を結ぶ線分の長さをWOUT
    前記A1及び前記A4を結ぶ線分の長さをLIN
    前記B1及び前記B4を結ぶ線分の長さをLOUT
    前記第3の感磁領域から第6の感磁領域の合計面積をS、
    としたときに、以下の式(1)〜(3)
    Figure 2016063510
    x>0、y>0、0.7x+y≦0.7 ・・・(2)
    ただし、
    Figure 2016063510
    0<a≦0.14、0<b≦0.68、x=0.08、y=0.59
    の関係を満たすホール素子。
  2. 前記a及びbが、0<a≦0.12、0<b≦0.61の関係を満たす請求項1に記載のホール素子。
  3. 基板と、前記基板上に形成された第1の電極から第4の電極と、前記第1の電極から第4の電極のそれぞれに接続される感磁部と、を備えるホール素子であって、
    前記感磁部は、
    平面視で矩形状である第1の感磁領域と、
    平面視で矩形状であり、かつ、前記第1の感磁領域と垂直に交差する第2の感磁領域と、
    平面視で前記第1の感磁領域と前記第2の感磁領域の交差する領域である交差領域の近傍に形成された第3の感磁領域から第6の感磁領域と、
    を有し、
    前記第1の電極と前記第3の電極は、平面視で、前記交差領域を挟んで対向する位置に配置されており、
    前記第2の電極と前記第4の電極は、平面視で、前記交差領域を挟んで対向する位置に配置されており、
    前記第1の感磁領域の各頂点を時計回りに順にA1、A2、A3、A4とし、
    前記第2の感磁領域の各頂点を時計回りに順にB1、B2、B3、B4としたときに、
    前記第1の電極は、平面視で、前記A1及び前記A2と接続しており、
    前記第2の電極は、平面視で、前記B1及び前記B2と接続しており、
    前記第3の電極は、平面視で、前記A3及び前記A4と接続しており、
    前記第4の電極は、平面視で、前記B3及び前記B4と接続しており、
    前記A1及び前記A4を結ぶ線分と前記B2及び前記B3を結ぶ線分との交点をC1、
    前記A2及び前記A3を結ぶ線分と前記B2及び前記B3を結ぶ線分との交点をC2、
    前記A2及び前記A3を結ぶ線分と前記B1及び前記B4を結ぶ線分との交点をC3、
    前記A1及び前記A4を結ぶ線分と前記B1及び前記B4を結ぶ線分との交点をC4、
    前記B2及び前記C1を結ぶ線分上の点をD1、
    前記A1及び前記C1を結ぶ線分上の点をD2、
    前記A2及び前記C2を結ぶ線分上の点をD3、
    前記B3及び前記C2を結ぶ線分上の点をD4、
    前記B4及び前記C3を結ぶ線分上の点をD5、
    前記A3及び前記C3を結ぶ線分上の点をD6、
    前記A4及び前記C4を結ぶ線分上の点をD7、
    前記B1及び前記C4を結ぶ線分上の点をD8、としたときに、
    前記第3の感磁領域は、前記C1、前記D1及び前記D2を結ぶ三角形の領域であり、
    前記第4の感磁領域は、前記C2、前記D3及び前記D4を結ぶ三角形の領域であり、
    前記第5の感磁領域は、前記C3、前記D5及び前記D6を結ぶ三角形の領域であり、
    前記第6の感磁領域は、前記C4、前記D7及び前記D8を結ぶ三角形の領域であり、
    前記A1及び前記A2を結ぶ線分の長さをWIN
    前記B1及び前記B2を結ぶ線分の長さをWOUT
    前記A1及び前記A4を結ぶ線分の長さをLIN
    前記B1及び前記B4を結ぶ線分の長さをLOUT
    前記第3の感磁領域から第6の感磁領域の合計面積をS、としたときに、以下の式(4)〜(6)
    Figure 2016063510
    x>0、y>0、0.7x+y≦0.7 ・・・(5)
    ただし、
    Figure 2016063510
    0<a≦0.1、0<b≦0.54、x=0.08、y=0.62
    の関係を満たすホール素子。
  4. 前記a及びbが、0<a≦0.09、0<b≦0.45の関係を満たす請求項3に記載のホール素子。
  5. 前記a及びbが、0<a≦0.064、0<b≦0.32の関係を満たす請求項3に記載のホール素子。
  6. 前記a及びbが、0<a≦0.04、0<b≦0.19の関係を満たす請求項3に記載のホール素子。
  7. 前記A1及び前記D2を結ぶ線分の長さをARM1、
    前記A2及び前記D3を結ぶ線分の長さをARM2、
    前記A3及び前記D6を結ぶ線分の長さをARM3、
    前記A4及び前記D7を結ぶ線分の長さをARM4、
    前記B1及び前記D8を結ぶ線分の長さをARM5、
    前記B2及び前記D1を結ぶ線分の長さをARM6、
    前記B3及び前記D4を結ぶ線分の長さをARM7、
    前記B4及び前記D5を結ぶ線分の長さをARM8、
    としたときに、
    ARM1からARM8が全て0ではない請求項1〜6のいずれか1項に記載のホール素子。
  8. 前記ARM1、前記ARM2、前記ARM3及び前記ARM4が全て0.5%×LIN以上であり、
    前記ARM5、前記ARM6、前記ARM7及び前記ARM8が全て0.5%×LOUT以上である請求項7に記載のホール素子。
  9. 前記第3の感磁領域から第6の感磁領域の形状は、平面視で、互いに合同の形状である請求項1〜8のいずれか1項に記載のホール素子。
  10. 前記第3の感磁領域及び前記第4の感磁領域は、平面視で、前記A1及びA2を結ぶ線分の中点と、前記A3及びA4を結ぶ線分の中点と、を結ぶ直線M1に対して線対称な位置に配置されており、
    前記第5の感磁領域及び前記第6の感磁領域は、平面視で、前記直線M1に対して線対称な位置に配置されている
    請求項1〜9のいずれか1項に記載のホール素子。
  11. 前記感磁部は、平面視で、前記直線M1に対して線対称な形状である請求項10に記載のホール素子。
  12. 前記第3の感磁領域及び前記第6の感磁領域は、平面視で、前記B1及びB2を結ぶ線分の中点と、前記B3及びB4を結ぶ線分の中点と、を結ぶ直線M2に対して線対称な位置に配置されており、
    前記第4の感磁領域及び前記第5の感磁領域は、平面視で、前記直線M2に対して線対称な位置に配置されている請求項1〜11のいずれか1項に記載のホール素子。
  13. 前記感磁部は、平面視で、前記直線M2に対して線対称な形状である請求項12に記載のホール素子。
  14. 前記第1の感磁領域から第6の感磁領域の抵抗率は、前記基板内の領域で、かつ、平面視で、前記第1の感磁領域から第6の感磁領域に隣接する領域の抵抗率より低い請求項1〜13のいずれか1項に記載のホール素子。
  15. 前記第1の感磁領域から第6の感磁領域のキャリア密度は、前記基板内の領域で、かつ、平面視で、前記第1の感磁領域から第6の感磁領域に隣接する領域のキャリア密度より高い請求項1〜14のいずれか1項に記載のホール素子。
  16. 前記感磁部は、前記基板上に形成されたメサ構造内に形成されており、
    前記メサ構造の外縁は、平面視で、
    前記B2及びD1を結ぶ線分、
    前記D1及びD2を結ぶ線分、
    前記D2及びA1を結ぶ線分、
    前記A2及びD3を結ぶ線分、
    前記D3及びD4を結ぶ線分、
    前記D4及びB3を結ぶ線分、
    前記B4及びD5を結ぶ線分、
    前記D5及びD6を結ぶ線分、
    前記D6及びA3を結ぶ線分、
    前記A4及びD7を結ぶ線分、
    前記D7及びD8を結ぶ線分、及び
    前記D8及びB1を結ぶ線分
    に沿っている請求項1〜15のいずれか1項に記載のホール素子。
  17. 前記第1の感磁領域から第6の感磁領域は、前記基板内に形成されている請求項1〜15のいずれか1項に記載のホール素子。
  18. IN/WOUTは、0.05以上20以下であり、
    IN/LOUTは、0.05以上20以下であり、
    INは、1μm以上300μm以下であり、
    OUTは、1μm以上300μm以下である請求項1〜17のいずれか1項に記載のホール素子。
  19. 前記第1の感磁領域は、前記第1の電極と前記第3の電極とで挟まれた間の領域であり、前記感磁部をはみ出さない最大の大きさの平面視で矩形状の領域であり、
    前記第2の感磁領域は、前記第2の電極と前記第4の電極とで挟まれた間の領域であり、前記感磁部をはみ出さない最大の大きさの平面視で矩形状の領域であり、
    前記第3の感磁領域から第6の感磁領域は、感磁部をはみ出さない最大の三角形の領域である請求項1〜18のいずれか一項に記載のホール素子。
  20. 基板と、前記基板上に形成される第1の電極と、前記第1の電極と向かい合って形成される第3の電極と、第2の電極と、前記第2の電極と向かい合って形成される第4の電極と、前記第1の電極から第4の電極のそれぞれに接続される感磁部と、を備えるホール素子であって、
    前記感磁部は、
    前記第1の電極と前記第3の電極とで挟まれた間の領域であり、前記感磁部をはみ出さない最大の大きさの平面視で矩形状である第1の感磁領域と、
    前記第2の電極と前記第4の電極とで挟まれた間の領域であり、前記感磁部をはみ出さない最大の大きさの平面視で矩形状であり、かつ、前記第1の感磁領域と垂直に交差する第2の感磁領域と、
    平面視で前記第1の感磁領域と前記第2の感磁領域の交差する領域である交差領域の近傍に形成された第3の感磁領域から第6の感磁領域と、
    を有し、
    前記第1の感磁領域の各頂点を、第1の電極側をA1、A2、第3の電極側をA3、A4とし、
    前記第2の感磁領域の各頂点を、第2の電極側をB1、B2、第3の電極側をB3、B4とし、
    前記A1及び前記A4を結ぶ線分と前記B2及び前記B3を結ぶ線分との交点をC1、
    前記A2及び前記A3を結ぶ線分と前記B2及び前記B3を結ぶ線分との交点をC2、
    前記A2及び前記A3を結ぶ線分と前記B1及び前記B4を結ぶ線分との交点をC3、
    前記A1及び前記A4を結ぶ線分と前記B1及び前記B4を結ぶ線分との交点をC4、
    前記B2及び前記C1を結ぶ線分上の点をD1、
    前記A1及び前記C1を結ぶ線分上の点をD2、
    前記A2及び前記C2を結ぶ線分上の点をD3、
    前記B3及び前記C2を結ぶ線分上の点をD4、
    前記B4及び前記C3を結ぶ線分上の点をD5、
    前記A3及び前記C3を結ぶ線分上の点をD6、
    前記A4及び前記C4を結ぶ線分上の点をD7、
    前記B1及び前記C4を結ぶ線分上の点をD8、としたときに、
    前記第3の感磁領域は、前記C1、前記D1及び前記D2を結ぶ三角形の領域であり、
    前記第4の感磁領域は、前記C2、前記D3及び前記D4を結ぶ三角形の領域であり、
    前記第5の感磁領域は、前記C3、前記D5及び前記D6を結ぶ三角形の領域であり、
    前記第6の感磁領域は、前記C4、前記D7及び前記D8を結ぶ三角形の領域であり、
    前記A1及び前記A2を結ぶ線分の長さをWIN
    前記B1及び前記B2を結ぶ線分の長さをWOUT
    前記A1及び前記A4を結ぶ線分の長さをLIN
    前記B1及び前記B4を結ぶ線分の長さをLOUT
    前記第3の感磁領域から第6の感磁領域の合計面積をS、としたときに、以下の式(7)〜(9)
    Figure 2016063510
    x>0、y>0、0.7x+y≦0.7 、0<a≦0.1、0<b≦0.54、x=0.08、y=0.62・・・(8)
    ただし、
    Figure 2016063510
    の関係を満たすホール素子。
  21. 前記第3の感磁領域から第6の感磁領域は、感磁部をはみ出さない最大の三角形の領域である請求項20に記載のホール素子。
  22. 前記第3の感磁領域から第6の感磁領域の形状は、平面視で、互いに合同の形状である請求項20又は21に記載のホール素子。
  23. 前記A1及び前記D2を結ぶ線分の長さをARM1、
    前記A2及び前記D3を結ぶ線分の長さをARM2、
    前記A3及び前記D6を結ぶ線分の長さをARM3、
    前記A4及び前記D7を結ぶ線分の長さをARM4、
    前記B1及び前記D8を結ぶ線分の長さをARM5、
    前記B2及び前記D1を結ぶ線分の長さをARM6、
    前記B3及び前記D4を結ぶ線分の長さをARM7、
    前記B4及び前記D5を結ぶ線分の長さをARM8、
    としたときに、
    ARM1からARM8が全て0ではない請求項20〜22のいずれか1項に記載のホール素子。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5058666U (ja) * 1973-09-27 1975-05-31
JPH01298354A (ja) * 1988-05-26 1989-12-01 Murata Mfg Co Ltd GaAsホール素子用のフォトマスク
JPH05335649A (ja) * 1992-06-03 1993-12-17 Res Dev Corp Of Japan ホール素子
JPH06164015A (ja) * 1992-11-27 1994-06-10 Nippondenso Co Ltd 磁気センサ
WO2003010836A1 (fr) * 2001-07-26 2003-02-06 Asahi Kasei Electronics Co., Ltd. Capteur a effet hall semi-conducteur
JP2004519870A (ja) * 1999-02-26 2004-07-02 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 低減されたオフセット信号を持つホール・センサ
JP2015015390A (ja) * 2013-07-05 2015-01-22 木村 光照 ホール素子のオフセット電圧補正方法とこれを用いたホールセンサ

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4417107B2 (ja) * 2001-10-01 2010-02-17 旭化成エレクトロニクス株式会社 磁気センサ
EP2461174A4 (en) * 2009-08-26 2015-11-04 Panasonic Ip Man Co Ltd MAGNETIC FIELD SENSOR, AND MAGNETIC FIELD MEASURING METHOD, ENERGY MEASURING DEVICE, AND ENERGY MEASURING METHOD USING THE SAME

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5058666U (ja) * 1973-09-27 1975-05-31
JPH01298354A (ja) * 1988-05-26 1989-12-01 Murata Mfg Co Ltd GaAsホール素子用のフォトマスク
JPH05335649A (ja) * 1992-06-03 1993-12-17 Res Dev Corp Of Japan ホール素子
JPH06164015A (ja) * 1992-11-27 1994-06-10 Nippondenso Co Ltd 磁気センサ
JP2004519870A (ja) * 1999-02-26 2004-07-02 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 低減されたオフセット信号を持つホール・センサ
WO2003010836A1 (fr) * 2001-07-26 2003-02-06 Asahi Kasei Electronics Co., Ltd. Capteur a effet hall semi-conducteur
JP2015015390A (ja) * 2013-07-05 2015-01-22 木村 光照 ホール素子のオフセット電圧補正方法とこれを用いたホールセンサ

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