JPWO2016063409A1 - 極端紫外光生成システム及び極端紫外光を生成する方法 - Google Patents

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Abstract

極端紫外光生成システムは、レーザシステム及び制御部を含んでもよい。レーザシステムは、第１ターゲットに第１パルスレーザ光を照射して前記第１ターゲットを拡散させてミストターゲットを生成し、ミストターゲットに第２パルスレーザ光を照射してもよい。制御部は、ミストターゲットの第１ミスト径を計測し、第１ミスト径に基づいて、第２パルスレーザ光の照射タイミング及び第２ターゲットに照射する第１パルスレーザ光のエネルギの少なくとも一方を制御してもよい。

Description

本開示は、極端紫外光生成システム及び極端紫外光を生成する方法に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系（ｒｅｄｕｃｅｄ ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｏｐｔｉｃｓ）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
特表２００５−５２５６８７号 特開２０１２−１３４４３３号 米国特許出願公開第２０１２／０３０５８１１号 米国特許出願公開第２０１２／０３０７８５１号
概要
本開示の一例は、ターゲットにパルスレーザ光を複数回照射することによってプラズマ化し、極端紫外光を生成する極端紫外光生成システムであって、第１ターゲットを供給した後、第２ターゲットを供給するターゲット供給部と、前記ターゲット供給部から供給されたターゲットにパルスレーザ光を照射するレーザシステムと、制御部と、を含み、前記レーザシステムは、前記第１ターゲットに第１パルスレーザ光を照射して前記第１ターゲットを拡散させてミストターゲットを生成し、前記ミストターゲットに第２パルスレーザ光を照射し、前記制御部は、前記ミストターゲットのミスト径を計測し、前記ミスト径に基づいて、前記第２ターゲットに照射する第１パルスレーザ光のエネルギを制御してもよい。
本開示の他の一例は、ターゲットにパルスレーザ光を複数回照射することによってプラズマ化し、極端紫外光を生成する極端紫外光生成システムであって、ターゲットを供給するターゲット供給部と、前記ターゲット供給部から供給されたターゲットにパルスレーザ光を照射するレーザシステムと、制御部と、を含み、前記レーザシステムは、ターゲットに第１パルスレーザ光を照射してミストターゲットを生成し、前記ミストターゲットに第２パルスレーザ光を照射し、前記制御部は、前記ミストターゲットの第１ミスト径を計測し、前記第１ミスト径に基づいて、前記第２パルスレーザ光の照射タイミングを制御してもよい。
本開示の他の一例は、ターゲットにパルスレーザ光を照射することによってプラズマ化し、極端紫外光を生成する方法であって、第１ターゲットに第１パルスレーザ光を照射し、前記第１パルスレーザ光によって前記第１ターゲットから生成されたミストターゲットのミスト径を計測し、前記ミストターゲットに第２パルスレーザ光を照射し、前記ミスト径に基づいて、前記第１ターゲットより後に供給される第２ターゲットに照射する第１パルスレーザ光のエネルギを制御する、ことを含んでもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、ＥＵＶ光生成システムの構成例の一部断面図を示す。 図３は、ＥＵＶ光生成制御部による、ターゲット供給部及びレーザシステムの制御を説明するブロック図を示す。 図４は、比較例における第１及び第２プリパルスレーザ装置を含むＥＵＶ光生成システムの一部構成を示す。 図５Ａは、プリパルスレーザ光が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。 図５Ｂは、プリパルスレーザ光が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。 図５Ｃは、メインパルスレーザ光が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。 図５Ｄは、メインパルスレーザ光が照射された後の様子を概略的に示す。 図６Ａは、第１プリパルスレーザ光をドロップレットに照射する直前の様子を示す。 図６Ｂは、第１プリパルスレーザ光をドロップレットに照射した直後の様子を示す。 図６Ｃは、第２プリパルスレーザ光を２次ターゲットに照射する直前の様子を示す。 図６Ｄは、メインパルスレーザ光を３次ターゲットに照射する直前の様子を示す。 図６Ｅは、メインパルスレーザ光を３次ターゲットに照射した直後の様子を示す。 図７は、レーザ制御部の画像計測に係るタイムチャートであって、第２プリパルスレーザ光が照射される直前の２次ターゲットの画像計測を行う場合のタイムチャートを示す。 図８は、２次ターゲットの画像を示す。 図９は、第１プリパルスレーザ光をドロップレットに照射するフルーエンスに対するミストの拡散速度のグラフを示す。 図１０は、実施形態１において、ＥＵＶ光生成システムの一部構成例を示す。 図１１は、実施形態２において、レーザ制御部の動作のフローチャートを示す。 図１２は、実施形態２において、２次ターゲットの画像におけるミスト径Ｄ２を示す。 図１３は、実施形態３において、バースト先頭からの第１プリパルスレーザ光のパルス数と２次ターゲットのミスト径との関係についての実験結果を示す。 図１４Ａは、実施形態３において、初回バーストにおける、第１プリパルスレーザ光のパルス数に対する２次ターゲットのミスト径の計測結果を模式的に示す。 図１４Ｂは、実施形態３において、２回目バーストからのミスト径及びパルスエネルギの変化を模式的に示す。 図１５は、実施形態３において、レーザ制御部の動作のフローチャートを示す。 図１６は、図１５におけるステップＳ１２５の詳細のフローチャートを示す。 図１７は、図１５におけるステップＳ１２７の詳細のフローチャートを示す。 図１８Ａは、実施形態４において、学習バーストにおける、第１プリパルスレーザ光のパルス数に対する２次ターゲットのミスト径の計測結果を模式的に示す。 図１８Ｂは、実施形態４において、学習バーストの後の露光バーストにおける、ミスト径及びパルスエネルギの変化を模式的に示す。 図１９は、実施形態４において、レーザ制御部の動作のフローチャートを示す。 図２０は、図１９におけるステップＳ１８４の詳細のフローチャートを示す。 図２１は、図１９におけるステップＳ１８６の詳細のフローチャートを示す。 図２２は、図１９におけるステップＳ１８７の詳細のフローチャートを示す。 図２３は、実施形態５において、２次ターゲットのミスト径の時間変化の計測結果を示す。 図２４は、実施形態５において、レーザ制御部の動作のフローチャートを示す。 図２５は、実施形態５において、レーザ制御部の画像計測に係るタイムチャート示す。 図２６は、実施形態５において、画像計測器に撮像された２次ターゲットの画像を示す。 図２７は、実施形態５において、第２プリパルスレーザ光の照射タイミングを決定する他の方法のフローチャートを示す。
実施形態
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ＥＵＶ光生成システムの詳細
４．１ 構成
４．２ 動作
５．比較例
５．１ 構成
５．２ ターゲット状態
５．３ ターゲット中心位置の変化
５．４ 動作
５．５ 比較例における課題
６．実施形態１
７．実施形態２
７．１ 概要
７．２ 動作
７．３ 効果
８．実施形態３
８．１ 比較例における課題２
８．２ 概要
８．３ 動作
８．４ 効果
９．実施形態４
９．１ 概要
９．２ 動作
９．３ 効果
１０．実施形態５
１０．１ 概要
１０．２ 動作
１０．３ 効果
１０．４ 他の動作
１０．５ 効果
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．概要
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムは、ターゲットに第１プリパルスレーザ光を照射して生成したミストターゲットに、第２プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を続けて照射することによってプラズマを生成してもよい。これにより、ＥＵＶ光生成効率を向上させ得る。
発明者は、ミストターゲットの径はいくつかの要因で変動し得ることを見出した。具体的には、第１プリパルスレーザ光のエネルギ変動によるミスト拡散速度の変動により、ミストターゲットの径は変動し得る。さらに、連続したプラズマ生成によるターゲット位置の変動により、ミストターゲットの径は変動し得る。ミスト径が変動すると、ＥＵＶ光生成効率が変動し、ＥＵＶ光エネルギが不安定となり得る。
本開示の１つの観点によれば、極端紫外光生成システムは、第１ターゲットに第１パルスレーザ光を照射してミストターゲットを生成し、当該ミストターゲットに第２パルスレーザ光を照射してもよい。極端紫外光生成システムは、さらに、ミストターゲットのミスト径を計測し、当該ミスト径に基づいて、第１ターゲットより後の第２ターゲットに照射する第１パルスレーザ光のエネルギ及び第２パルスレーザ光の照射タイミングの少なくとも一方を制御してもよい。本開示の１つの観点によれば、第２パルスレーザ光を照射するミストターゲットのミスト径変動を抑制し、その結果、ＥＵＶ光エネルギの変動を抑制し得る。
２．用語の説明
「ターゲット」は、チャンバに導入されたパルスレーザ光の被照射物である。パルスレーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。「ミストターゲット」は、パルスレーザ光の照射により拡散したターゲットである。「ミスト径」は、ミストターゲットにおける特定方向の長さである。「バースト」は、所定時間、所定の繰り返し周波数でパルスレーザ光が出力され、所定時間外ではパルスレーザ光が出力されない場合に、当該所定時間内で繰り返されるパルスレーザ光のひとまとまりである。
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザシステム３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。
チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。
ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の少なくとも一つを検出するよう構成されてもよい。
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
３．２ 動作
図１を参照すると、レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。
放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が供給されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。
さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザシステム３の発光タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御および、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内少なくとも１つを行うよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
４．ＥＵＶ光生成システムの詳細
４．１ 構成
図２は、ＥＵＶ光生成システム１１の構成例の一部断面図を示す。図２では、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を導出する方向をＺ軸とする。Ｘ軸及びＹ軸は、Ｚ軸に直交し、且つ、互いに直交する軸とする。以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。
図２に示されるように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａ、ＥＵＶ集光ミラー２３、ターゲット回収部２８、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１、プレート８２、及びプレート８３が設けられてもよい。
チャンバ２には、プレート８２が固定されてもよい。プレート８２には、プレート８３が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１を介してプレート８２に固定されてもよい。
プレート８３は、３軸ステージ２２６によって位置及び姿勢を変更可能であってもよい。３軸ステージ２２６は、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向の３軸方向に、プレート８３を動かしてもよい。３軸ステージ２２６は、後述するレーザ制御部５５と接続されてもよい。３軸ステージ２２６は、レーザ制御部５５の制御信号に基づいてプレート８３を動かしてもよい。それにより、プレート８３の位置及び姿勢が変更されてもよい。
レーザ光集光光学系２２ａは、プレート８３に固定されてもよい。レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２と、ホルダ２２３及び２２４とを含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、それぞれ、ホルダ２２３及び２２４によって保持されてもよい。ホルダ２２３及び２２４は、プレート８３に固定されてもよい。
軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２によって反射されたパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５で集光されるように、これらのミラーの位置及び姿勢が保持されてもよい。ターゲット回収部２８は、ターゲット２７の軌道２７０の延長線上に配置されてもよい。
チャンバ２には、ターゲット供給部２６が取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６は、リザーバ６１を有していてもよい。リザーバ６１は、図３に示すヒータ２６１を用いてターゲットの材料を溶融した状態で内部に貯蔵してもよい。リザーバ６１には、ノズル孔６２としての開孔が形成されていてもよい。
リザーバ６１の一部が、チャンバ２の壁面に形成された貫通孔を貫通しており、リザーバ６１に形成されたノズル孔６２の位置がチャンバ２の内部に位置していてもよい。ターゲット供給部２６は、ノズル孔６２を介して、溶融したターゲットの材料をドロップレット状のターゲット２７としてチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に供給してもよい。本開示において、ターゲット２７をドロップレット２７とも呼ぶ。
チャンバ２には、タイミングセンサ４５０が取り付けられてもよい。タイミングセンサ４５０は、ターゲットセンサ４と発光部４５とを含んでもよい。ターゲットセンサ４は、光センサ４１と、受光光学系４２と、容器４３とを含んでもよい。発光部４５は、光源４６と、照明光学系４７と、容器４８とを含んでもよい。照明光学系４７は、シリンドリカルレンズを含んでもよい。光源４６の出力光は、照明光学系４７によって集光され得る。その集光位置はターゲット２７の略軌道２７０上であってもよい。
ターゲットセンサ４と発光部４５とは、ターゲット２７の軌道２７０を挟んで互いに反対側に配置されていてもよい。チャンバ２にはウインドウ２１ａ及び２１ｂが取り付けられていてもよい。ウインドウ２１ａは、発光部４５とターゲット２７の軌道２７０との間に位置していてもよい。ウインドウ２１ｂは、光センサ４１とターゲット２７の軌道２７０との間に位置していてもよい。
発光部４５は、ウインドウ２１ａを介してターゲット２７の軌道２７０の所定領域に光を集光してもよい。ターゲット２７が発光部４５による光の集光領域を通過するときに、ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の軌道２７０及びその周囲を通る光の変化を検出してもよい。受光光学系４２は、ターゲット２７の検出精度を向上させるために、ターゲット２７の軌道２７０及びその周囲における像をターゲットセンサ４の受光面に結像してもよい。図２に示された例において、ターゲットセンサ４によって検出されるターゲット２７の検出領域は、発光部４５による光の集光領域４０と一致し得る。
チャンバ２には、画像計測器４６０が取り付けられてもよい。画像計測器４６０は、プラズマ生成領域２５付近のチャンバ２の壁面部に設けられてもよい。画像計測器４６０は、ターゲット軌道２７０上におけるタイミングセンサ４５０の下流側に配置されてもよい。画像計測器４６０は、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５及びその付近を撮像し、その画像データを生成してもよい。画像計測器４６０は、プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７の画像計測を行ってもよい。
チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５とが設けられてもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４１及び３４２を含んでもよい。高反射ミラー３４１及び３４２は、レーザシステム３が出力するパルスレーザ光を、ウインドウ２１を介してレーザ光集光光学系２２ａに導いてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６、ターゲットセンサ４、及び画像計測器４６０からの信号を受信し、ターゲット供給部２６及びレーザシステム３を制御してもよい。
４．２ 動作
図３は、ＥＵＶ光生成制御部５による、ターゲット供給部２６及びレーザシステム３の制御を説明するブロック図を示す。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給制御部５１とレーザ制御部５５とを含んでもよい。ターゲット供給制御部５１は、ターゲット供給部２６の動作を制御してもよい。レーザ制御部５５は、レーザシステム３及びターゲット供給部２６の動作を制御してもよい。
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７の材料を溶融した状態で内部に貯蔵するリザーバ６１に加え、ヒータ２６１、温度センサ２６２、圧力調節器２６３、ピエゾ素子２６４、及び、ノズル２６５を含んでもよい。
ヒータ２６１と温度センサ２６２とは、リザーバ６１に固定されていてもよい。ピエゾ素子２６４は、ノズル２６５に固定されていてもよい。ノズル２６５は、例えば液体スズのドロップレットであるターゲット２７を出力するノズル孔６２を有していてもよい。圧力調節器２６３は、図示しない不活性ガス供給部からリザーバ６１内に供給される不活性ガスの圧力を調節するよう、図示しない不活性ガス供給部とリザーバ６１との間の配管上に設置されていてもよい。
ターゲット供給制御部５１は、温度センサ２６２の測定値に基づいてヒータ２６１を制御してもよい。例えば、ターゲット供給制御部５１は、リザーバ６１内のスズの融点以上の所定の温度になるように、ヒータ２６１を制御してもよい。その結果、リザーバ６１に貯蔵されたスズは融解し得る。スズの融点は２３２℃であり、所定の温度は、例えば、２５０℃〜３００℃の温度であってよい。
ターゲット供給制御部５１は、圧力調節器２６３によりリザーバ６１内の圧力を制御してもよい。圧力調節器２６３は、ターゲット供給制御部５１の制御により、ターゲット２７が所定の速度でプラズマ生成領域２５に到達するように、リザーバ６１内の圧力を調節してもよい。ターゲット供給制御部５１は、ピエゾ素子２６４に所定周波数の電気信号を送ってもよい。ピエゾ素子２６４は、受信した電気信号により振動し、ノズル２６５を上記周波数で振動させ得る。
その結果、ノズル孔６２からＪＥＴ状の液体スズが出力され、ピエゾ素子２６４によるノズル孔６２の振動によって、ドロップレット状のターゲット２７が所定間隔で生成され得る。このように、ターゲット供給部２６は、所定速度及び所定間隔で、プラズマ生成領域２５にドロップレット状のターゲット２７を供給し得る。例えば、ターゲット供給部２６は、数十ｋＨｚ〜数百ｋＨｚにおける所定周波数で、ドロップレットを生成してもよい。
タイミングセンサ４５０は、所定領域を通過するターゲット２７を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７が発光部４５による光の集光領域を通過するときに、ターゲット２７の軌道及びその周囲を通る光の変化を検出し、ターゲット２７の検出信号として通過タイミング信号ＰＴを出力してもよい。１つのターゲット２７が検出される毎に、通過タイミング信号ＰＴがレーザ制御部５５に出力されてもよい。
画像計測器４６０は、光源部４６１と、撮像部４６５とを備えてもよい。光源部４６１と撮像部４６５とは、ターゲット軌道２７０上のプラズマ生成領域２５を挟んで互いに対向配置されてもよい。光源部４６１と撮像部４６５との対向方向は、ターゲットの軌道２７０と直交してもよい。光源部４６１と撮像部４６５との対向方向は、他の方向であってもよい。
光源部４６１は、ターゲット軌道２７０を進行してプラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７にパルス光を照射してもよい。光源部４６１は、光源４６２、照明光学系４６３、及びウインドウ４６４を含んでもよい。光源４６２は、例えば、キセノンフラッシュランプやレーザ光源等のパルス点灯する光源であってもよい。光源４６２は、レーザ制御部５５と接続されてもよい。光源４６２には、レーザ制御部５５から出力された点灯信号ＬＵが入力されてもよい。レーザ制御部５５から出力される点灯信号ＬＵは、所定のタイミングで光源４６２がパルス点灯するよう光源４６２の動作を制御するための制御信号であってもよい。光源４６２は、レーザ制御部５５の点灯信号ＬＵに基づいてパルス光を発光してもよい。
照明光学系４６３は、コリメータ等の光学系であってよく、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。照明光学系４６３は、光源４６２から発光されたパルス光を、ウインドウ４６４を介してターゲット軌道２７０上のプラズマ生成領域２５に導いてもよい。
上記構成によって光源部４６１は、パルス光をターゲット軌道２７０上のプラズマ生成領域２５に向かって発光し得る。ターゲット軌道２７０を進行するターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達すると、光源部４６１から発光されたパルス光が当該ターゲット２７を照射し得る。
撮像部４６５は、光源部４６１によってパルス光が照射されたターゲット２７の影の像を撮像し、その画像データをレーザ制御部５５に出力してもよい。撮像部４６５は、イメージセンサ４６９、転写光学系４６７、及びウインドウ４６６を含んでもよい。転写光学系４６７は、一対のレンズ等の光学素子であってもよい。転写光学系４６７は、ウインドウ４６６を介して導かれたターゲット２７のプラズマ生成領域２５における影を、イメージセンサ４６９の受光面に結像してもよい。
イメージセンサ４６９は、ＣＣＤ等の２次元イメージセンサであってもよい。イメージセンサ４６９は、転写光学系４６７によって結像されたターゲット２７の影の像を撮像してもよい。イメージセンサ４６９は、シャッタ４６８を備えていてもよい。シャッタ４６８は、電気的シャッタであっても機械的シャッタであってもよい。シャッタ４６８は、レーザ制御部５５から出力された光シャッタ信号ＯＳによって開閉が制御されてもよい。イメージセンサ４６９は、シャッタ４６８が開いている間のみ撮像するようにしてもよい。
イメージセンサ４６９は、レーザ制御部５５と接続されてもよい。イメージセンサ４６９には、レーザ制御部５５から出力された露光信号ＥＸが入力されてもよい。レーザ制御部５５から出力される露光信号ＥＸは、所定のタイミングでイメージセンサ４６９がターゲット２７の影の像を撮像するようイメージセンサ４６９の動作を制御するための制御信号であってもよい。
イメージセンサ４６９は、レーザ制御部５５の露光信号ＥＸに基づいてターゲット２７の影の像を撮像してもよい。そして、イメージセンサ４６９は、撮像したターゲット２７の影の像に係る画像データを生成してもよい。イメージセンサ４６９は、生成した画像データＩＭをレーザ制御部５５に出力してもよい。
上記構成によって画像計測器４６０は、プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７の画像データをレーザ制御部５５に出力し得る。それにより、レーザ制御部５５は、プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７の画像データＩＭを取得し得る。
画像計測器４６０は、レーザ制御部５５による撮像タイミングの制御によって１次ターゲット（ドロップレット）、２次ターゲット、３次ターゲット、及びプラズマ光の画像データを取得してレーザ制御部５５に出力してもよい。
レーザ制御部５５は、露光装置６から、バースト信号ＢＴを受信してもよい。バースト信号ＢＴは、所定期間においてＥＵＶ光を生成すべきことをＥＵＶ光生成システム１１に指示する信号であってもよい。レーザ制御部５５は、当該所定期間の間、ＥＵＶ光を露光装置６に出力するための制御を行ってもよい。
レーザ制御部５５は、バースト信号ＢＴがＯＮの期間において、レーザシステム３が通過タイミング信号ＰＴに応じてパルスレーザ光を出力するように制御してもよい。レーザ制御部５５は、バースト信号ＢＴがＯＦＦの期間において、レーザシステム３がパルスレーザ光の出力を停止するように制御してもよい。
レーザ制御部５５は、露光装置６から受信したバースト信号ＢＴと、通過タイミング信号ＰＴに対して所定の時間遅延させた発光トリガ信号ＥＴとを、レーザシステム３に出力してもよい。バースト信号ＢＴがＯＮである間、レーザシステム３は、発光トリガ信号ＥＴに応答して、パルスレーザ光を出力し得る。レーザ制御部５５は、画像計測器４６０からの画像データＩＭに基づいて発光トリガ信号ＥＴを制御してもよい。
５．比較例
５．１ 構成
図４は、比較例における第１及び第２プリパルスレーザ装置３０１及び３０２を含むＥＵＶ光生成システム１１の一部構成を示す。レーザシステム３は、第１プリパルスレーザ装置３０１、第２プリパルスレーザ装置３０２、及びメインパルスレーザ装置３０３を含んでもよい。レーザシステム３は、さらに、高反射ミラー３０７と、第１及び第２ビームコンバイナ３０８及び３０９、並びに第１、第２、及び第３ビーム調節器３０４、３０５、及び３０６を含んでもよい。
第１プリパルスレーザ装置３０１は、１００ｆＳ以上１ｎＳ未満のピコ秒パルス幅のレーザ光を出力するレーザ装置であってもよく、１ｎＳ以上のナノ秒パルス幅のレーザ光を出力するレーザ装置であってもよい。第１プリパルスレーザ装置３０１は、固体レーザ装置であってもよい。固体レーザ装置は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、或いはＮｄ：ＹＶＯ４レーザ等であってもよく、その高調波光を出力してもよい。第１プリパルスレーザ装置３０１は、ガスレーザ装置であってもよい。ガスレーザ装置は、例えば、ＣＯ２レーザ又はエキシマレーザであってもよい。第１プリパルスレーザ装置３０１は、直線偏光のレーザ光を出力してもよい。
第２プリパルスレーザ装置３０２は、ピコ秒パルス幅のレーザ光を出力するレーザ装置であってもよく、ナノ秒パルス幅のレーザ光を出力するレーザ装置であってもよい。第２プリパルスレーザ装置３０２は、固体レーザ装置であってもよい。固体レーザ装置は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、或いはＮｄ：ＹＶＯ４レーザであってもよく、その高調波光を出力してもよい。第２プリパルスレーザ装置３０２は、ガスレーザ装置であってもよい。ガスレーザ装置は、例えば、ＣＯ２レーザ又はエキシマレーザであってもよい。第２プリパルスレーザ装置３０２は、第１プリパルスレーザ光と異なる直線偏光のレーザ光を出力してもよい。
メインパルスレーザ装置３０３は、メインパルスレーザ光Ｍを出力するＣＯ２レーザ装置であってもよい。メインパルスレーザ光ＭＰは、プリパルスレーザ光ＰＰ１及びプリパルスレーザ光ＰＰ２と異なる波長のレーザ光であってもよい。
高反射ミラー３０７は、高反射ミラーでもよい。または、高反射ミラー３０７は、偏光ビームスプリッタでもよい。高反射ミラー３０７は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１を高反射するよう構成されていてもよい。
第１ビームコンバイナ３０８は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１と第２プリパルスレーザ光ＰＰ２の光路軸が略一致するように配置されてもよい。第１ビームコンバイナ３０８は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１を高反射し、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２を高透過するよう構成されてもよい。
第２ビームコンバイナ３０９は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１と第２プリパルスレーザ光ＰＰ２との光路軸と、メインパルスレーザ光ＭＰの光路軸とが略一致するように配置されてもよい。第２ビームコンバイナ３０９は、第１及び第２プリパルスレーザ光ＰＰ１及びＰＰ２を高反射し、メインパルスレーザ光ＭＰを高透過するよう構成されてもよい。
第１、第２、及び第３ビーム調節器３０４、３０５、及び３０６は、それぞれ第１プリパルスレーザ光ＰＰ１と、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２と、メインパルスレーザ光ＭＰとの光路上に配置されてもよい。第１、第２、及び第３ビーム調節器３０４、３０５、及び３０６は、レーザ制御部５５からの制御によって入射するレーザ光の波面、進行方向を調節して出力してもよい。
レーザ制御部５５は、第１発光トリガ信号ＥＴ１を第１プリパルスレーザ装置３０１に出力してもよい。第１プリパルスレーザ装置３０１は、第１発光トリガ信号ＥＴ１に応答して、第１発光トリガ信号ＥＴ１が指定するエネルギの第１プリパルスレーザ光ＰＰ１を出力してもよい。
レーザ制御部５５は、第２発光トリガ信号ＥＴ２を第２プリパルスレーザ装置３０２に出力してもよい。第２プリパルスレーザ装置３０２は、第２発光トリガ信号ＥＴ２に応答して、第２発光トリガ信号ＥＴ２が指定するエネルギの第２プリパルスレーザ光ＰＰ２を出力してもよい。
レーザ制御部５５は、第３発光トリガ信号ＥＴ３を、メインパルスレーザ装置３０３に出力してもよい。メインパルスレーザ装置３０３は、第３発光トリガ信号ＥＴ３に応答して、第３発光トリガ信号ＥＴ３が指定するエネルギのメインパルスレーザ光ＭＰを出力してもよい。
レーザ制御部５５は、タイミングセンサ４５０からの通過タイミング信号ＰＴを受信した後、第１発光トリガ信号ＥＴ１、第２発光トリガ信号ＥＴ２、及び第３発光トリガ信号ＥＴ３の順に出力してもよい。レーザ制御部５５は、第１発光トリガ信号ＥＴ１、第２発光トリガ信号ＥＴ２、第３発光トリガ信号ＥＴ３のそれぞれを、通過タイミング信号ＰＴから所定時間遅延させて、出力してもよい。レーザシステム３は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２、及びメインパルスレーザ光ＭＰの順に、パルスレーザ光をターゲット２７に照射してもよい。
５．２ ターゲット状態
図５Ａは、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。破線２７０は、ターゲット２７の軌道及びその延長線を示す。プリパルスレーザ光ＰＰ１は、ターゲット２７の径と略同じか、ターゲット２７の径より少し大きい集光径を有してもよい。例えば、プリパルスレーザ光ＰＰ１の集光径は、２０μｍ〜１００μｍであってもよい。
図５Ｂは、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。液滴状のターゲット２７に第１プリパルスレーザ光ＰＰ１が照射されると、液滴状のターゲット２７が複数の微粒子状に破壊されて拡散することにより、２次ターゲット２７１が生成され得る。
図５Ｂにおけるドットの粗密は、ターゲット物質の分布密度に対応し得る。図５Ｂに示されるように、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１が照射されて生成された２次ターゲット２７１は、円盤部２７３と、ドーム部２７２とを有し得る。
円盤部２７３は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の光路の下流側に拡散し、ターゲット物質の密度が比較的高くなり得る。ドーム部２７２は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の光路の上流側に拡散し、ターゲット物質の密度が比較的低くなり得る。ドーム部２７２の内側には、さらにターゲット物質の密度が低い部分２７４が生成され得る。
図５Ｂに示されるように、この拡散した２次ターゲット２７１に、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２が照射されてもよい。第２プリパルスレーザ光ＰＰ２は、拡散した２次ターゲット２７１の径Ｄ２とほぼ同じか、それより少し大きい集光径を有してもよい。集光径は、例えば、３００μｍ〜４００μｍでもよい。集光径は焦点におけるスポット径でなくともよい。つまり、プリパルスレーザ光Ｐ２は、デフォーカスで照射されてもよい。
図５Ｃは、メインパルスレーザ光ＭＰが照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。図５Ｂに示された２次ターゲット２７１に第２プリパルスレーザ光ＰＰ２が照射されると、蒸気又はプリプラズマ２７６を少なくとも含む３次ターゲット２７５が生成され得る。
図５Ｃに示されるように、蒸気又はプリプラズマ２７６を少なくとも含む３次ターゲット２７５に、メインパルスレーザ光ＭＰが照射されてもよい。メインパルスレーザ光ＭＰは、３次ターゲット２７５の径Ｄ３とほぼ同じか、それより少し大きい集光径を有していてもよい。集光径は、例えば、３００μｍ〜４００μｍでもよい。
図５Ｄは、メインパルスレーザ光ＭＰが照射された後の様子を概略的に示す。図５Ｃに示された３次ターゲット２７５にメインパルスレーザ光ＭＰが照射されると、３次ターゲット２７５はプラズマ化し、当該プラズマ２８０からＥＵＶ光が放射され得る。
５．３ ターゲット中心位置の変化
図６Ａ〜図６Ｅは、パルスレーザ光の照射に伴ってターゲット中心位置が変化する様子を示す。図６Ａは、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１をドロップレット２７（１次ターゲット）に照射する直前の様子を示す。第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の集光位置３２１は、ドロップレット中心位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）に略一致してもよい。
図６Ｂは、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１をドロップレット２７に照射した直後の様子を示す。第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の照射によって、ドロップレット２７のパルスレーザ光照射側の表面２７７からアブレーションされ得る。アブレーションの反作用により、ドロップレット２７には、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の照射方向であるＺ方向への推進力が働き得る。
図６Ｃは、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２を２次ターゲット２７１に照射する直前の様子を示す。アブレーションの反作用によってドロップレット２７は、２次ターゲット２７１となって拡散し得る。２次ターゲット２７１の中心位置Ｃｓ１（Ｘｓ１、Ｙｓ１、Ｚｓ１）は、当該微粒子の空間分布における中心位置であってよい。
２次ターゲット２７１は、ターゲット軌道２７０を進行中であるドロップレット２７から生成した物であるため、ドロップレット２７が保持していたＹ方向へ進行しようとする慣性力を保存し得る。よって、２次ターゲット２７１には、アブレーションによるＺ方向への推進力と、Ｙ方向への慣性力とが働き得る。
このため、２次ターゲット２７１の中心位置Ｃｓ１は、ドロップレット２７の中心位置ＣｄからＺ方向及びＹ方向に移動し得る。レーザ制御部５５は、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２の集光位置を、移動した２次ターゲット２７１の中心位置Ｃｓ１に略一致させてもよい。
図６Ｄは、メインパルスレーザ光ＭＰを３次ターゲット２７５に照射する直前の様子を示す。３次ターゲット２７５の中心位置Ｃｓ２（Ｘｓ２、Ｙｓ２、Ｚｓ２）は、微粒子の空間分布における中心位置であってよい。
３次ターゲット２７５には、アブレーションによるＺ方向への推進力と、Ｙ方向への慣性力とが働き得る。このため、３次ターゲット２７５の中心位置Ｃｓ２は、２次ターゲット２７１の中心位置Ｃｓ１からＺ方向及びＹ方向に移動し得る。レーザ制御部５５は、メインパルスレーザ光ＭＰの集光位置を、移動した３次ターゲット２７５の中心位置Ｃｓ２に略一致させてもよい。
図６Ｅは、メインパルスレーザ光ＭＰを３次ターゲット２７５に照射した直後の様子を示す。メインパルスレーザ光ＭＰの照射によって、３次ターゲット２７５はプラズマ化してプラズマ光２８０を放射し得る。プラズマ光２８０の中心Ｃｐｍ（Ｘｐｍ、Ｙｐｍ、Ｚｐｍ）は、３次ターゲット２７５のパルスレーザ光照射側の表面又はその付近に位置し得る。よって、プラズマ光２８０の中心は、３次ターゲット２７５の中心Ｃｓ２から−Ｚ方向にずれ得る。
５．４ 動作
比較例におけるＥＵＶ光生成システム１１は、ターゲットの状態を示す画像を画像計測器４６０によって撮像し、その画像データに基づいてターゲット位置とレーザ照射位置を制御してもよい。レーザ制御部５５は、パルスレーザ光をそれぞれ適正な位置のターゲットに照射し得る。さらに、レーザ制御部５５は、ＥＵＶ光を放射するプラズマの位置を、露光装置６が指定した位置に制御し得る。
レーザ制御部５５は、プラズマ光２８０の目標中心位置Ｐｃｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）を読み込んでもよい。目標中心位置Ｐｃｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）は、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光ＭＴが照射された直後のドロップレットから放射されたプラズマ光の中心位置に関する目標値であってもよい。目標中心位置Ｐｃｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）は、露光装置６の指令に基づき、ＥＵＶ光生成制御部５によって予め定められた値であってもよい。レーザ制御部５５は、ＥＵＶ光生成制御部５に記憶されている目標中心位置Ｐｃｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）を読み込んでもよい。
レーザ制御部５５は、通過タイミング信号ＰＴに基づいて画像計測器４６０を制御することで、プラズマ生成領域２５のドロップレット（一次ターゲット）２７、２次ターゲット２７１、３次ターゲット２７５、及び３次ターゲット２７５にメインパルスレーザ光ＭＰの照射によって生成したプラズマ光２８０を計測してもよい。
具体的には、レーザ制御部５５は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１が照射される直前のドロップレット中心位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２が照射される直前の２次ターゲット中心位置Ｃｓ１（Ｘｓ１、Ｙｓ１、Ｚｓ１）、メインパルスレーザ光ＭＰが照射される直前の３次ターゲット中心位置Ｃｓ２（Ｘｓ２、Ｙｓ２、Ｚｓ２）、３次ターゲット２７５にメインパルスレーザ光ＭＰが照射された直後のプラズマ光中心位置Ｃｐm（Ｘｐｍ，Ｙｐｍ，Ｚｐｍ）、をそれぞれ計測し得る。
レーザ制御部５５は、プラズマ光２８０の目標中心位置Ｐｃｔとメインパルスレーザ光ＭＰの照射直後に生成されたプラズマ光２８０の計測中心位置Ｃｐｍの差を計算してもよい。レーザ制御部５５は、当該計算結果に基づいて、以下の制御を行ってもよい。
レーザ制御部５５は、ターゲット供給部２６によるドロップレット射出位置及びドロップレット射出タイミングを制御することで、ドロップレット２７の位置を制御してもよい。レーザ制御部５５は、レーザ光集光光学系２２ａの３軸ステージ２２６及び第１ビーム調節器３０４を制御することで、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の集光位置を制御してもよい。
レーザ制御部５５は、レーザ光集光光学系２２ａの３軸ステージ２２６及び第２ビーム調節器３０５を制御することで、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２の集光位置を制御してもよい。レーザ制御部５５は、レーザ光集光光学系２２ａの３軸ステージ２２６及び第３ビーム調節器３０６を制御することで、メインパルスレーザ光ＭＰの集光位置を制御してもよい。レーザ制御部５５の当該制御によって、３次ターゲット２７５にメインパルスレーザ光ＭＰが照射されることによって生成されるプラズマ光の位置Ｃｐｍは、プラズマ光２８０の目標中心位置Ｐｃｔに近づき得る。
図７は、レーザ制御部５５の画像計測に係るタイムチャートであって、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２が照射される直前の２次ターゲット２７１の画像計測を行う場合のタイムチャートを示す。レーザ制御部５５は、タイミングセンサ４５０から出力される通過タイミング信号ＰＴに基づいて、画像計測に係る各種信号の出力タイミングを、以下のように制御してもよい。
レーザ制御部５５は、ターゲット供給制御部５１を制御して、ターゲット供給部２６を駆動し、ターゲット２７を出力させてもよい。ターゲット２７がタイミングセンサ４５０の検出範囲を通過すると、タイミングセンサ４５０から通過タイミング信号ＰＴがレーザ制御部５５に出力されてもよい。
レーザ制御部５５は、通過タイミング信号ＰＴが入力されると、遅延時間Ｔｄｉだけ遅延して、露光時間Ｔｒのパルス幅を有する露光信号ＥＸをイメージセンサ４６９に出力してもよい。イメージセンサ４６９は、露光信号ＥＸが入力されてから露光時間Ｔｒが経過するまで、露光し得る。遅延時間Ｔｄｉ及び露光時間Ｔｒは、予め設定されていてもよい。
レーザ制御部５５は、通過タイミング信号ＰＴが入力されると、遅延時間Ｔｄｌｐ１だけ遅延して、第１プリパルスレーザ装置３０１に第１発光トリガ信号ＥＴ１を出力してもよい。第１プリパルスレーザ装置３０１は、第１発光トリガ信号ＥＴ１が入力されるとＡ１時間経過後に、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１をプラズマ生成領域２５に照射してもよい。第１プリパルスレーザ光ＰＰ１によって、低強度の第１プラズマ光ＰＬ１が生成され得る。
レーザ制御部５５は、通過タイミング信号ＰＴが入力されると、遅延時間Ｔｄｌｐ２だけ遅延して、第２プリパルスレーザ装置３０２に第２発光トリガ信号ＥＴ２を出力してもよい。第２プリパルスレーザ装置３０２は、第２発光トリガ信号ＥＴ２が入力されるとＡ２時間経過後に、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２をプラズマ生成領域２５に照射してもよい。第２プリパルスレーザ光ＰＰ２によって、低強度の第２プラズマ光ＰＬ２が生成され得る。
レーザ制御部５５は、通過タイミング信号ＰＴが入力されると、遅延時間Ｔｄｌｍだけ遅延して、メインパルスレーザ装置３０３に第３発光トリガ信号ＥＴ３を出力してもよい。メインパルスレーザ装置３０３は、第３発光トリガ信号ＥＴ３が入力されるとＡ３時間経過後に、メインパルスレーザ光ＭＰをプラズマ生成領域２５に照射してもよい。メインパルスレーザ光ＭＰによって、第３プラズマ光ＰＬ３が生成され得る。第３プラズマ光ＰＬ３によりＥＵＶ光が生成され得る。
レーザ制御部５５は、通過タイミング信号ＰＴが入力されると、遅延時間Ｔｄｓｃだけ遅延して、シャッタ開時間Ｔｅｘｃのパルス幅を有する光シャッタ信号ＯＳをシャッタ４６８に出力してもよい。シャッタ４６８は、光シャッタ信号ＯＳが入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｃが経過するまで、開かれ得る。
レーザ制御部５５は、光シャッタ信号ＯＳと同じタイミングで、シャッタ開時間Ｔｅｘｃのパルス幅を有する点灯信号ＬＵを光源４６２に出力してもよい。光源４６２は、点灯信号ＬＵが入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｃが経過するまで、パルス光を点灯し得る。
撮像部４６５の撮像タイミングは、２次ターゲット２７１に第２プリパルスレーザ光ＰＰ２が照射される直前に設定されてもよい。具体的には、光シャッタ信号ＯＳの出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｓｃとシャッタ開時間Ｔｅｘｃとの合計値「Ｔｄｓｃ＋Ｔｅｘｃ」は、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２の照射タイミングを規定する「遅延時間Ｔｄｌｐ２＋時間Ａ２」と同じか小さい値であってもよい。
撮像部４６５は、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２が照射される直前の２次ターゲット２７１の画像を撮像し得る。第２プラズマ光ＰＬ２は、シャッタ４６８が開かれてからシャッタ開時間Ｔｅｘｃが経過した後に放射され得る。
イメージセンサ４６９は、露光時間Ｔｒの経過後に、画像データＩＭを生成してレーザ制御部５５に出力してもよい。レーザ制御部５５は、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２が照射される直前の２次ターゲット２７１の画像データＩＭを取得し得る。第２プリパルスレーザ光ＰＰ２が照射される直前の２次ターゲット２７１の画像は、例えば図８に示すような画像であり得る。レーザ制御部５５は、画像計測器４６０の制御タイミングを変化させることで、２次ターゲット２７１と同様に、１次ターゲット２７及び３次ターゲット２７５の画像データを取得し得る。
５．５ 比較例における課題
適正な位置に存在するターゲットに各パルスレーザ光を照射したとしても、ＥＵＶ光エネルギが変動し得る。発明者は、２次ターゲット２７１におけるミスト拡散速度が、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のフルーエンスに依存して変動することを見出した。
図９は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１をドロップレット２７に照射するフルーエンスに対するミスト拡散速度のグラフを示す。図９は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のフルーエンスが変動すると、レーザ集光径に拠らず、ミスト拡散速度が変動することを示す。図９は、４５μｍ、６５μｍ及び７５μｍのレーザ集光径の測定結果を示す。
ミスト拡散速度が変動すると、ある時刻におけるミスト径が変動し得る。ミスト径が変動すると、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２による３次ターゲット２７５の拡散状態が変動し得る。これに伴って、３次ターゲット２７５によるメインパルスレーザ光ＭＰの吸収が変動し得る。この結果、ＥＵＶ光生成効率が変動し、ＥＵＶ光エネルギが不安定となり得る。つまり、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のフルーエンスが変動すると、ＥＵＶ光エネルギが不安定となり得る。
６．実施形態１
図１０は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成システム１１の一部構成例を示す。図４に示す比較例と異なり、ＥＵＶ光生成システム１１は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のエネルギを検出するエネルギセンサ３１１を含んでもよい。エネルギセンサ３１１は、高反射ミラー３０７をわずかに透過した第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のエネルギを検出してもよい。エネルギセンサ３１１は、レーザ制御部５５に接続され、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のエネルギ計測値をレーザ制御部５５に出力してもよい。
レーザ制御部５５は、エネルギセンサ３１１の計測値に基づいて、第１プリパルスレーザ装置３０１の出力エネルギを一定に保つように、第１発光トリガ信号ＥＴ１を第１プリパルスレーザ装置３０１に出力してもよい。
本実施形態は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のエネルギ変動を抑制し得る。第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のフルーエンス変動はエネルギ変動に依存するため、本実施形態は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のフルーエンス変動を抑制し得る。この結果、ミストターゲットの拡散速度変動が抑制され、ＥＵＶ光エネルギの変動が抑制され得る。
７．実施形態２
７．１ 概要
本実施形態のＥＵＶ光生成システム１１は、２次ターゲット２７１のミスト径を計測し、計測ミスト径に基づき、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のエネルギを制御してもよい。これにより、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２が照射される２次ターゲット２７１のミスト径を略一定に維持し、ＥＵＶ光エネルギを略一定に維持し得る。
７．２ 動作
以下において、本実施形態の動作について具体的に説明する。本実施形態のＥＵＶ光生成システム１１の構成は、図１〜図４に示す構成であってよい。図１１は、本実施形態のレーザ制御部５５の動作のフローチャートを示す。レーザ制御部５５は、基準ミスト径ＤＲ２、許容範囲Ｄｔ、及び第１プリパルスエネルギＥＰ１を読み込んでもよい（Ｓ１０１）。ＤＲ２、Ｄｔ、ＥＰ１は、オペレータによって入力されてもよく、ＥＵＶ光生成制御部５内において予め保持されていてもよい。
レーザ制御部５５は、画像計測器４６０から２次ターゲット２７１の画像データを取得し（Ｓ１０２）、２次ターゲット２７１の画像データにおいて２次ターゲット２７１のミスト径Ｄ２を計測してもよい（Ｓ１０３）。図１２は、２次ターゲット２７１の画像におけるミスト径Ｄ２を示す。
レーザ制御部５５は、計測ミスト径Ｄ２と基準ミスト径ＤＲ２との差の絶対値が、許容範囲Ｄｔ内であるか判定してもよい（Ｓ１０４）。計測ミスト径Ｄ２と基準ミスト径ＤＲ２との差の絶対値が、許容範囲Ｄｔ内である場合（Ｓ１０４：Ｙ）、レーザ制御部５５は、第１プリパルスエネルギＥＰ１を変更することなく、現在の第１プリパルスエネルギＥＰ１を次回の第１発光トリガ信号ＥＴ１に反映してもよい（Ｓ１０６）。
計測ミスト径Ｄ２と基準ミスト径ＤＲ２との差の絶対値が、許容範囲Ｄｔ外である場合（Ｓ１０４：Ｎ）、レーザ制御部５５は、計測ミスト径Ｄ２及び基準ミスト径ＤＲ２に基づき、第１プリパルスエネルギＥＰ１を修正してもよい。具体的には、レーザ制御部５５は、以下の式に従って新たな第１プリパルスエネルギＥＰ１を算出してもよい（Ｓ１０５）。
ＥＰ１=ＥＰ１+ｆ（ＤＲ２−Ｄ２）
関数ｆは、図９に示すような実験データに基づいて、予め定められていてもよい。
レーザ制御部５５は、修正した第１プリパルスエネルギＥＰ１を、次回の第１発光トリガ信号ＥＴ１に反映してもよい（Ｓ１０６）。ステップＳ１０６において、レーザ制御部５５は、次回以降のいずれかの第１発光トリガ信号ＥＴ１に決定した第１プリパルスエネルギＥＰ１を反映してもよい。
レーザ制御部５５は、バースト信号ＢＴに基づき、第１プリパルスエネルギＥＰ１の制御を継続するいか否か判定してもよい（Ｓ１０７）。第１プリパルスエネルギＥＰ１の制御を継続すると判定した場合（Ｓ１０７：Ｙ）、レーザ制御部５５は、ステップＳ１０１に戻ってもよい。第１プリパルスエネルギＥＰ１の制御を継続しないと判定した場合（Ｓ１０７：Ｎ）、レーザ制御部５５は本フローを終了してもよい。
７．３ 効果
本実実施形態は、２次ターゲット２７１の計測ミスト径に応じて第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルスエネルギをフィードバック制御することで、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２が照射される２次ターゲット２７１のミスト径の変動を抑制し、ＥＵＶ光エネルギの変動を抑制し得る。
８．実施形態３
８．１ 比較例における課題２
発明者は、２次ターゲット２７１におけるミスト拡散速度は、１バースト内において、バースト先頭からのパルス数に依存して変動することを見出した。レーザシステム３は、１バースト期間において、所定繰り返し周波数における所定パルス数の、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２及びメインパルスレーザ光ＭＰを照射してもよい。
図１３は、バースト先頭からの第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルス数と、２次ターゲット２７１のミスト径との関係についての実験結果を示す。図１３は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の各パルスにおいて、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１を照射してから同一時間経過した時の２次ターゲット２７１のミスト径を示す。図１３は、ミスト径が、バーストの先頭からパルス数が増加するにつれて大きく減少した後、略一定値に漸近することを示す。
第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の照射から同一タイミングで計測したミスト径が減少するということは、バースト内のパルス数に応じてミストの拡散速度が減少することを意味し得る。この原因は、ＥＵＶ光を生成するプラズマの影響によって、次に照射されるドロップレット位置がずれるためと推定され得る。バースト内パルス数に応じて、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２を照射される２次ターゲット２７１のミスト径が変動すると、ＥＵＶ光エネルギが変動し得る。
８．２ 概要
本実施形態のＥＵＶ光生成システム１１は、１または複数のバースト内において、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルス数に対する２次ターゲット２７１のミスト径の変化を計測してもよい。当該バーストは、学習バーストと呼ばれてもよい。ＥＵＶ光生成システム１１は、計測結果をＥＵＶ光生成制御部５のメモリに記憶してもよい。ＥＵＶ光生成システム１１は、次回以降のバーストにおいて、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルスそれぞれを、計測結果に基づき決定されたパルスエネルギにおいて照射してもよい。次回以降のバーストは、露光バーストと呼ばれてもよい。ＥＵＶ光生成システム１１は、学習バーストにおけるＮ番目のパルスの計測結果に基づいて、露光バーストにおけるＮ番目のパルスのエネルギを決定してもよい。
図１４Ａは、学習バーストである初回バーストにおける、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルス数に対する２次ターゲット２７１のミスト径の計測結果を模式的に示す。初回バーストにおいて、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の全パルスのエネルギは一定であってもよい。ミスト径は、先頭パルスから徐々に減少し、あるパルスからは略一定であり得る。
ＥＵＶ光生成システム１１は、メモリに記憶されている計測結果に基づいて、次回以降の露光バーストにおいて、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のエネルギを制御してもよい。図１４Ｂは、２回目バーストからのミスト径及びパルスエネルギの変化を模式的に示す。ＥＵＶ光生成システム１１は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１において、先頭パルスから徐々にパルスエネルギを増加させ、所定のパルスからパルスエネルギを一定に維持してもよい。
第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の上記パルスエネルギ制御によって、第２プリパルスレーザ光が照射される２次ターゲット２７１のミスト径を略一定に維持し、ＥＵＶ光エネルギを略一定に維持し得る。
８．３ 動作
以下において、本実施形態の動作について具体的に説明する。本実施形態のＥＵＶ光生成システム１１の構成は、図１〜図４に示す構成であってよい。図１５は、本実施形態のレーザ制御部５５の動作のフローチャートを示す。
まず、レーザ制御部５５は、基準ミスト径ＤＲ２、許容範囲Ｄｔ、及びパルスエネルギＥｐ０を読み込んでもよい（Ｓ１２１）。ＤＲ２、Ｄｔ、及びＥｐ０は、オペレータによって入力されてもよく、ＥＵＶ光生成制御部５内において予め保持されていてもよい。
次に、レーザ制御部５５は、露光装置６からバースト信号を受信しているか否か判定してもよい（Ｓ１２２）。露光装置６からバースト信号ＢＴを受信していない場合（Ｓ１２２：Ｎ）、レーザ制御部５５は、ステップＳ１２２を繰り返してもよい。
露光装置６からバースト信号ＢＴを受信すると（Ｓ１２２：Ｙ）、レーザ制御部５５は、バーストパルス数Ｎｐ及びバースト数Ｋｐを取得してもよい（Ｓ１２３）。バーストパルス数Ｎｐは、各バーストを構成する第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルス数を示す。バースト数Ｋｐは、本露光処理で照射されるバーストの数を示す。レーザ制御部５５は、バーストパルス数Ｎｐ及びバースト数Ｋｐを予め保持してもよいし、バースト信号ＢＴから取得してもよい。
次に、レーザ制御部５５は、変数Ｋに０を代入してもよい（Ｓ１２４）。Ｋは、照射済みのバースト数を示す。次に、レーザ制御部５５は、初回バーストにおいて、２次ターゲット２７１のミスト径Ｄ２１〜Ｄ２Ｎｐを計測してもよい（Ｓ１２５）。ミスト径Ｄ２Ｎは、バーストにおけるＮ番目のパルスによる２次ターゲット２７１のミスト径を示す。Ｎは１〜Ｎｐの整数である。
次に、レーザ制御部５５は、変数Ｋに１を加算してもよい（Ｓ１２６）。次に、レーザ制御部５５は、パルスエネルギＥｐ１〜ＥｐＮｐで、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の１バーストを照射してもよい（Ｓ１２７）。パルスエネルギＥｐＮは、バーストにおけるＮ番目のパルスのエネルギを示す。Ｎは１〜Ｎｐの整数である。パルスエネルギＥｐＮは、ミスト径Ｄ２Ｎに基づき計算されてもよい。
次に、レーザ制御部５５は、変数Ｋがバースト数Ｋｐに達しているか判定してもよい（Ｓ１２８）。変数Ｋがバースト数Ｋｐに達していない場合（Ｓ１２８：Ｎ）、レーザ制御部５５は、ステップＳ１２６に戻ってもよい。変数Ｋがバースト数Ｋｐに達している場合（Ｓ１２８：Ｙ）、レーザ制御部５５は、本フローを終了してもよい。
図１６は、図１５におけるステップＳ１２５の詳細のフローチャートを示す。レーザ制御部５５は、初回バーストにおいて一定のパルスエネルギで第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルスを照射し、各パルスにおけるミスト径を計測し、パルスの順番に対応づけてメモリに記憶してもよい。
具体的には、レーザ制御部５５は、変数Ｎに１を代入してもよい（Ｓ１４２）。変数Ｎは、バースト内での次のパルスの順番を示す。次に、レーザ制御部５５は、第１プリパルスレーザ装置３０１に、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルスを、パルスエネルギＥｐ０で出力させてもよい（Ｓ１４３）。次に、レーザ制御部５５は、画像計測器４６０から、２次ターゲット２７１の画像データを取得してもよい（Ｓ１４４）。
次に、レーザ制御部５５は、２次ターゲット２７１の画像データにおいて、２次ターゲット２７１のミスト径Ｄ２を計測してもよい（Ｓ１４５）。次に、レーザ制御部５５は、計測したミスト径Ｄ２を、Ｎ番目のパルスの計測ミスト径Ｄ２Ｎとしてメモリに記憶してもよい（Ｓ１４６）。
次に、レーザ制御部５５は、変数Ｎがバーストパルス数Ｎｐに達しているか判定してもよい（Ｓ１４７）。変数Ｎがバーストパルス数Ｎｐに達していない場合（Ｓ１４７：Ｎ）、レーザ制御部５５は、変数Ｎに１を加算して（Ｓ１４８）、ステップＳ１４３に戻ってもよい。変数Ｎがバーストパルス数Ｎｐに達している場合（Ｓ１４７：Ｙ）、レーザ制御部５５は、図１５のフローに戻ってもよい。
図１７は、図１５におけるステップＳ１２７の詳細のフローチャートを示す。レーザ制御部５５は、メモリに記憶している計測ミスト径に基づき、第１プリパルスレーザ光のバースト内のパルスそれぞれのエネルギを算出し、算出したエネルギのパルスを１次ターゲット２７に照射してもよい。
具体的には、レーザ制御部５５は、変数Ｎに１を代入してもよい（Ｓ１６２）。変数Ｎは、バースト内でのパルスの順番を示す。次に、レーザ制御部５５は、計測ミスト径Ｄ２Ｎと基準ミスト径ＤＲ２との差の絶対値が、許容範囲Ｄｔ内であるか判定してもよい（Ｓ１６３）。
計測ミスト径Ｄ２Ｎと基準ミスト径ＤＲ２との差の絶対値が、許容範囲Ｄｔ内である場合（Ｓ１６３：Ｙ）、レーザ制御部５５は、Ｎ番目パルスのエネルギＥｐＮを、ミスト径計測（Ｓ１２５）におけるエネルギＥｐ０と決定してもよい（Ｓ１６４）。
計測ミスト径Ｄ２Ｎと基準ミスト径ＤＲ２との差の絶対値が、許容範囲Ｄｔ外である場合（Ｓ１６３：Ｎ）、レーザ制御部５５は、計測ミスト径Ｄ２Ｎ及び基準ミスト径ＤＲ２に基づき、パルスエネルギＥｐＮを決定してもよい。具体的には、レーザ制御部５５は、以下の式に従ってパルスエネルギＥｐＮを算出してもよい。
ＥｐＮ=Ｅｐ０+ｆ（Ｄ２Ｎ−ＤＲ２）
関数ｆは、実施形態２と同様に予め定められていてもよい。
次に、レーザ制御部５５は、第１プリパルスレーザ装置３０１に、決定したパルスエネルギＥｐＮにおいてＮ番目のパルスを照射させてもよい（Ｓ１６６）。次に、レーザ制御部５５は、変数Ｎがバーストパルス数Ｎｐに達しているか判定してもよい（Ｓ１６７）。変数Ｎがバーストパルス数Ｎｐに達していない場合（Ｓ１６７：Ｎ）、レーザ制御部５５は、変数Ｎに１を加算して（Ｓ１６８）、ステップＳ１６３に戻ってもよい。変数Ｎがバーストパルス数Ｎｐに達している場合（Ｓ１６７：Ｙ）、レーザ制御部５５は、図１５のフローに戻ってもよい。
８．４ 効果
本実施形態は、バーストにおける２次ターゲット２７１のミスト径変動に応じて第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルスエネルギを制御することで、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２が照射される２次ターゲット２７１のミスト径の変動を抑制し、ＥＵＶ光エネルギの変動を抑制し得る。
なお、２次ターゲット２７１のミスト径を計測するための初回バーストは、露光に使用されなくてもよい。例えば、ＥＵＶ光生成システム１１は、ＥＵＶ光出力部に配置されたシャッタを含み、初回バーストの間はシャッタを閉じていてもよい。
９．実施形態４
９．１ 概要
本実施形態のＥＵＶ光生成システム１１は、バーストにおける照射済みパルス数に応じて、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルスエネルギの制御を、第１のパルスエネルギ制御から第２のパルスエネルギ制御に切り替えてもよい。第１のパルスエネルギ制御と第２のパルスエネルギ制御は、異なる方法の制御であってもよい。
ＥＵＶ光生成システム１１は、露光の前に、露光に使用しない学習バーストによる照射を行ってもよい。ＥＵＶ光生成システム１１は、学習バーストにおいて、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の一定パルスエネルギにおける所定数のパルスを照射し、２次ターゲット２７１のミスト径を計測してもよい。計測結果は、ＥＵＶ光生成制御部５のメモリに記憶されてもよい。
図１８Ａは、学習バーストにおける、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルス数に対する２次ターゲット２７１のミスト径の計測結果を模式的に示す。図１８Ａは、先頭パルスからＣｐ番目パルスまでのミスト径の計測結果を示す。ミスト径は、先頭パルスから大きく減少していき、Ｃｐ番目パルスより前のあるパルスから小さい変動を示し得る。
ＥＵＶ光生成システム１１は、先頭パルスからＣｐ番目パルスまでの各ミスト径に基づき、先頭パルスからＣｐ番目のパルスまでの各パルスエネルギを決定してもよい。パルス数Ｃｐは、第１のパルスエネルギ制御から第２のパルスエネルギ制御への切り替えパルス数であってもよい。Ｃｐは予め定められていてもよく、例えば、３０でもよい。
図１８Ｂは、学習バーストの後の露光バーストにおける、ミスト径及びパルスエネルギの変化を模式的に示す。ＥＵＶ光生成システム１１は、先頭パルスからＣｐ番目パルスまで、学習バーストにおける計測結果に基づくパルスエネルギ制御を行ってもよい。Ｃｐ番目パルスより後のパルスにおいて、ＥＵＶ光生成システム１１は、実施形態２において説明したパルスエネルギ制御を行ってもよい。
上述のようにバースト内でパルスエネルギ制御方法を切り替えることで、より適切に２次ターゲット２７１のミスト径変動及びそれに起因するＥＵＶ光エネルギ変動を抑制し得る。
なお、学習バーストの数は１でもよい。ＥＵＶ光生成システム１１は、複数回学習バーストにおけるミスト径の平均値に基づいて、バーストの先頭パルスからＣｐ番目パルスまでのパルスエネルギを決定してもよい。ＥＵＶ光生成システム１１は、複数学習バーストにおいて、それぞれ異なる順番のパルスのミスト径を計測してもよい。これらの点は実施形態３に適用し得る。
９．２ 動作
以下において、本実施形態の動作について具体的に説明する。本実施形態のＥＵＶ光生成システム１１の構成は、図１〜図４に示す構成であってよい。図１９は、本実施形態のレーザ制御部５５の動作のフローチャートを示す。レーザ制御部５５は、先頭パルスからＣｐ番目パルスまで、実施形態３と同様のパルスエネルギ制御を行い、（Ｃｐ＋１）番目パルス以降において実施形態２と同様のパルスエネルギ制御を行ってもよい。
まず、レーザ制御部５５は、学習バーストを開始してもよい。レーザ制御部５５は、基準ミスト径ＤＲ２、許容範囲Ｄｔ、パルスエネルギＥｐ０、及び制御切り替えパルス数Ｃｐを読み込んでもよい（Ｓ１８１）。ＤＲ２、Ｄｔ、Ｅｐ０、及びＣｐは、オペレータによって入力されてもよく、ＥＵＶ光生成制御部５内において予め保持されていてもよい。
次に、レーザ制御部５５は、露光装置６からバースト信号を受信しているか否か判定してもよい（Ｓ１８２）。露光装置６からバースト信号ＢＴを受信していない場合（Ｓ１８２：Ｎ）、レーザ制御部５５は、ステップＳ１８２を繰り返してもよい。
露光装置６からバースト信号ＢＴを受信すると（Ｓ１８２：Ｙ）、レーザ制御部５５は、バーストパルス数Ｎｐ及びバースト数Ｋｐを取得してもよい（Ｓ１８３）。バーストパルス数Ｎｐは、各バーストを構成する第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルス数を示す。バースト数Ｋｐは、本露光処理で照射されるバーストの数を示す。レーザ制御部５５は、バーストパルス数Ｎｐ及びバースト数Ｋｐを予め保持してもよいし、バースト信号ＢＴから取得してもよい。次に、レーザ制御部５５は、先頭パルスからＣｐ番目パルスまでのパルスエネルギＥｐ１〜ＥｐＣｐを決定してもよい（Ｓ１８４）。
次に、レーザ制御部５５は、露光バーストに移行してもよい。まず、レーザ制御部５５は、変数Ｋに１を代入してもよい（Ｓ１８５）。Ｋは、照射済みのバースト数を示す。次に、レーザ制御部５５は、先頭パルスからＣｐ番目パルスを、パルスエネルギＥｐ１〜ＥｐＣｐでそれぞれ照射してもよい（Ｓ１８６）。続いて、レーザ制御部５５は、（Ｃｐ＋１）番目パルスからＮｐ番目パルスまでを照射してもよい（Ｓ１８７）。
次に、レーザ制御部５５は、変数Ｋがバースト数Ｋｐに達しているか判定してもよい（Ｓ１８８）。変数Ｋがバースト数Ｋｐに達していない場合（Ｓ１８８：Ｎ）、レーザ制御部５５は、変数Ｋに１を加算し（Ｓ１８９）、ステップＳ１８６に戻ってもよい。変数Ｋがバースト数Ｋｐに達している場合（Ｓ１８８：Ｙ）、レーザ制御部５５は、本フローを終了してもよい。
図２０は、図１９におけるステップＳ１８４の詳細のフローチャートを示す。学習バーストのステップＳ１８４において、レーザ制御部５５は、先頭パルスからＣｐ番目パルスまでの２次ターゲット２７１のミスト径を計測すると共に、計測したミスト径に基づいて先頭パルスからＣｐ番目パルスまでのパルスエネルギを決定してもよい。
図２０のフローチャートにおいて、ステップＳ２０２〜Ｓ２０６は、実施形態３において説明した図１６のフローチャートにおけるステップＳ１４２〜Ｓ１４６と同様であり、説明を省略する。図２０のフローチャートにおいて、ステップＳ２０７〜Ｓ２０９は、実施形態３において説明した図１７のフローチャートにおけるステップＳ１６３〜Ｓ１６５と同様であり、説明を省略する。
図２０のフローチャートにおいて、レーザ制御部５５は、ステップＳ２０８又はＳ２０９を実行した後、変数Ｎが制御切り替えパルス数Ｃｐに達しているか判定してもよい（Ｓ２１０）。変数ＮがＣｐに達していない場合（Ｓ２１０：Ｎ）、レーザ制御部５５は、変数Ｎに１を加算してステップＳ２０３に戻ってもよい。変数Ｎが制御切り替えパルス数Ｃｐに達している場合（Ｓ２１０：Ｙ）、レーザ制御部５５は、図１９のフローに戻ってもよい。
図２１は、図１９におけるステップＳ１８６の詳細のフローチャートを示す。露光バーストのステップＳ１８６において、レーザ制御部５５は、ステップＳ１８４で決定したパルスエネルギにおけるパルスを第１プリパルスレーザ装置３０１に出力させてもよい。
まず、レーザ制御部５５は、変数Ｎに１を代入してもよい（Ｓ２２２）。次に、レーザ制御部５５は、第１プリパルスレーザ装置３０１に、決定したパルスエネルギＥｐＮにおいてＮ番目のパルスを照射させてもよい（Ｓ２２３）。
次に、レーザ制御部５５は、変数Ｎが制御切り替えパルス数Ｃｐに達しているか判定してもよい（Ｓ２２４）。変数Ｎが制御切り替えパルス数Ｃｐに達していない場合（Ｓ２２４：Ｎ）、レーザ制御部５５は、変数Ｎに１を加算して（Ｓ２２５）、ステップＳ２２３に戻ってもよい。変数Ｎが制御切り替えパルス数Ｃｐに達している場合（Ｓ２２４：Ｙ）、レーザ制御部５５は、図１９のフローに戻ってもよい。
図２２は、図１９におけるステップＳ１８７の詳細のフローチャートを示す。露光バーストのステップＳ１８４において、レーザ制御部５５は、実施形態２と同様の制御によって、第１プリパルスレーザ装置３０１に、（Ｃｐ＋１）番目以降のパルスを出力させてもよい。
まず、レーザ制御部５５は、変数Ｎに（Ｃｐ＋１）を代入してもよい（Ｓ２４２）。ステップＳ２４３〜Ｓ２４７は、実施形態２において説明した図１１のフローチャートにおけるステップＳ１０２〜Ｓ１０６と同様である。ただし、図１１におけるパルスエネルギＥＰ１が、パルスエネルギＥｐ０に変更されている。
ステップＳ２４７を実行した後、レーザ制御部５５は、変数Ｎがバーストパルス数Ｎｐに達しているか判定してもよい（Ｓ２４８）。変数Ｎがバーストパルス数Ｎｐに達していない場合（Ｓ２４８：Ｎ）、レーザ制御部５５は、変数Ｎに１を加算して（Ｓ２４９）、ステップＳ２４３に戻ってもよい。変数Ｎがバーストパルス数Ｎｐに達している場合（Ｓ２４８：Ｙ）、レーザ制御部５５は、図１９のフローに戻ってもよい。
９．３ 効果
本実施形態は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のバースト内において、照射済みパルス数に応じてパルスエネルギ制御を切り替えることで、バースト内での２次ターゲット２７１のミスト径変動に応じた適切な第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルスエネルギ制御を実現し、ＥＵＶ光エネルギ変動をより適切に抑制し得る。
１０．実施形態５
１０．１ 概要
図２３は、２次ターゲット２７１のミスト径の時間変化の計測結果を示す。ミスト径は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の照射後、時間とともに略線形に拡大し得る。ミスト径の時間変化の傾きは、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルスエネルギに依存し得る。ミスト径の時間変化の切片は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１のパルスエネルギに拠らず略一定であり得る。ミスト径の切片が存在する理由は、次のように推定できる。第１プリパルスレーザ光照射で発生するプラズマのアブレーション反作用によって、ドロップレットは粉砕されミストとなって爆発的に拡散し得る。ミストが爆発的に拡散している時間は、非常に短時間なので図２３の様な時間スケールでは切片と見做し得る。また、プラズマ発生以降は、ミストを構成する粒子は慣性力によって拡散するので、その拡散速度は巨視的にはほぼ一定と見做し得る。
本実施形態のＥＵＶ光生成システム１１は、第１プリパルスレーザ光ＰＰ１の照射から所定時間経過後のミスト径を計測し、計測値と予め定められた関数に基づいて最適なミスト径となる時刻を予測してもよい。ＥＵＶ光生成システム１１は、予測時刻に２次ターゲット２７１に第２プリパルスレーザ光ＰＰ２を照射してもよい。関数は、ミスト径の時間変化が線形であることを前提として決められていてもよい。
ＥＵＶ光生成システム１１は、異なる複数のタイミングにおいて２次ターゲット２７１のミスト径を計測し、計測タイミングと計測ミスト径に基づいて２次ターゲット２７１の拡散速度を算出してもよい。ＥＵＶ光生成システム１１は、計測したミスト径と算出した拡散速度に基づいて、２次ターゲット２７１が所望サイズとなる時刻を決定してもよい。
ＥＵＶ光生成システム１１は、単一の所定タイミングにおいて２次ターゲット２７１のミスト径を計測し、計測タイミング及び計測ミスト径、並びに規定計測タイミング及び規定ミスト径に基づいて、２次ターゲット２７１の拡散速度を算出してもよい。ＥＵＶ光生成システム１１は、計測したミスト径と算出した拡散速度に基づいて、２次ターゲット２７１が所望サイズとなる時刻を決定してもよい。
ＥＵＶ光生成システム１１は、決定した時刻に第２プリパルスレーザ光ＰＰ２が照射されるよう、第２プリパルスレーザ装置３０２の照射タイミングを制御してもよい。さらに、ＥＵＶ光生成システム１１は、第２プリパルスレーザ装置３０２の照射タイミングに合わせて、メインパルスレーザ装置３０３の照射タイミングを制御してもよい。第１プリパルスレーザ光のエネルギは一定でよい。
第２プリパルスレーザ光ＰＰ２の照射タイミングを２次ターゲット２７１のミスト径の計測値に基づいて制御することで、第２プリパルスレーザ光が照射される２次ターゲット２７１のミスト径を略一定に維持し、ＥＵＶ光エネルギを略一定に維持し得る。
１０．２ 動作
以下において、本実施形態の動作について具体的に説明する。本実施形態のＥＵＶ光生成システム１１の構成は、図１〜図４に示す構成であってよい。図２４は、本実施形態のレーザ制御部５５の動作のフローチャートを示す。本フローにおいて、レーザ制御部５５は、２次ターゲット２７１のミスト径を２回計測し、当該計測結果に基づいて第２プリパルスレーザ光ＰＰ２及びメインパルスレーザ光ＭＰの照射タイミングを決定してもよい。
まず、レーザ制御部５５は、第１計測遅延時間Ｔｃ１、第２計測遅延時間Ｔｃ２、遅延時間Ｔｍ、目標ミスト径Ｄｃ２を読み込み、タイマを初期化してもよい（Ｓ２６１）。Ｔｃ１、Ｔｃ２、Ｔｍ、及びＤｃ２は、オペレータによって入力されてもよく、ＥＵＶ光生成制御部５内において予め保持されていてもよい。第１計測遅延時間Ｔｃ１は、第１発光トリガ信号ＥＴ１の出力から２次ターゲット２７１の第１画像計測までの時間を示す。第２計測遅延時間Ｔｃ２は、第１発光トリガ信号ＥＴ１の出力からから２次ターゲット２７１の第２画像計測までの時間を示す。
遅延時間Ｔｍは、第２発光トリガ信号ＥＴ２の出力から第３発光トリガ信号ＥＴ３の出力までの時間を示す。目標ミスト径Ｄｃ２は、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２を照射する２次ターゲット２７１の所望のミスト径を示す。
次に、レーザ制御部５５は、通過タイミング信号ＰＴから遅延時間Ｔｄｌｐ１経過したタイミングで、予め設定されたパルスエネルギＥｐ０を示す第１発光トリガ信号ＥＴ１を出力してもよい（Ｓ２６２）。次に、レーザ制御部５５は、タイマによる計時を開始してもよい（Ｓ２６３）。
次に、レーザ制御部５５は、タイマの計測時間Ｔが、第１計測遅延時間Ｔｃ１に達しているか判定してもよい（Ｓ２６４）。タイマの計測時間Ｔが、第１計測遅延時間Ｔｃ１に達しない場合（Ｓ２６４：Ｎ）、レーザ制御部５５は、ステップＳ２６４を繰り返してもよい。タイマの計測時間Ｔが、第１計測遅延時間Ｔｃ１に達している場合（Ｓ２６４：Ｙ）、レーザ制御部５５は、画像計測器４６０から２次ターゲット２７１の第１画像データを取得してもよい（Ｓ２６５）。次に、レーザ制御部５５は、第１画像データにおいて２次ターゲット２７１のミスト径Ｄ２ｃ１を計測してもよい（Ｓ２６６）。
次に、レーザ制御部５５は、タイマの計測時間Ｔが、第２計測遅延時間Ｔｃ２に達しているか判定してもよい（Ｓ２６７）。タイマの計測時間Ｔが、第２計測遅延時間Ｔｃ２に達しない場合（Ｓ２６７：Ｎ）、レーザ制御部５５は、ステップＳ２６７を繰り返してもよい。タイマの計測時間Ｔが、第２計測遅延時間Ｔｃ２に達している場合（Ｓ２６７：Ｙ）、レーザ制御部５５は、画像計測器４６０から２次ターゲット２７１の第２画像データを取得してもよい（Ｓ２６８）。次に、レーザ制御部５５は、第２画像データにおいて２次ターゲット２７１のミスト径Ｄ２ｃ２を計測してもよい（Ｓ２６９）。
次に、レーザ制御部５５は、第２発光トリガ信号ＥＴ２及び第３発光トリガ信号ＥＴ３の出力タイミングを決定してもよい（Ｓ２７０）。本例において、レーザ制御部５５は、通過タイミング信号ＰＴと第２発光トリガ信号ＥＴ２との間の遅延時間Ｔｄｌｐ２、及び通過タイミング信号ＰＴと第３発光トリガ信号ＥＴ３との間の遅延時間Ｔｄｌｍを算出してもよい。
具体的には、Ｔｄｌｐ２は、計測した２次ターゲット２７１のミスト径Ｄ２ｃ１、Ｄ２ｃ２、第１計測遅延時間Ｔｃ１、第２計測遅延時間Ｔｃ２、目標ミスト径Ｄｃ２、及び第１発光トリガ信号ＥＴ１の遅延時間Ｔｄｌｐ１に基づいて決定されてもよい。
例えば、Ｔｄｌｐ２は、次の数式で表わされ得る。
Ｔｄｌｐ２＝（Ｔｃ２−Ｔｃ１）＊（Ｄｃ２−Ｄ２ｃ１）
／（Ｄ２ｃ２−Ｄ２ｃ１）＋Ｔｃ１＋Ｔｄｌｐ１
Ｔｄｌｍは、算出されたＴｄｌｐ２と予め取得されているＴｍに基づいて決定されてもよい。例えば、Ｔｄｌｍは、次の数式で表わされ得る。
Ｔｄｌｍ＝Ｔｄｌｐ２＋Ｔｍ
次に、レーザ制御部５５は、第２発光トリガ信号ＥＴ２を、通過タイミング信号ＰＴから遅延時間Ｔｄｌｐ２が経過したタイミングで、出力してもよい（Ｓ２７１）。次に、レーザ制御部５５は、第３発光トリガ信号ＥＴ３を、通過タイミング信号ＰＴから遅延時間Ｔｄｌｍが経過したタイミングで、出力してもよい（Ｓ２７２）。
次に、レーザ制御部５５は、バースト信号ＢＴに基づき、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２及びメインパルスレーザ光ＭＰのタイミング制御を継続するか否か判定してもよい（Ｓ２７３）。当該制御を継続すると判定した場合（Ｓ２７３：Ｙ）、レーザ制御部５５は、ステップＳ２６１に戻ってもよい。当該制御を継続しないと判定した場合（Ｓ２７３：Ｎ）、レーザ制御部５５は本フローを終了してもよい。
図２５は、本実施形態におけるレーザ制御部５５の画像計測に係るタイムチャート示す。以下においては、図７のタイムチャートとの相違点を主に説明する。レーザ制御部５５は、第１発光トリガ信号ＥＴ１を出力してからＴｃ１時間が経過したタイミングで、点灯信号ＬＵ１と光シャッタ信号ＯＳ１を出力してもよい。点灯時間及びシャッタ開時間は、共にＴｅｘｃ２であってもよい。画像計測器４６０は、点灯信号ＬＵ１と光シャッタ信号ＯＳ１に応じて、２次ターゲット２７１を撮像し、第１画像データをレーザ制御部５５に送信してもよい。
レーザ制御部５５は、第１発光トリガ信号ＥＴ１を出力してからＴｃ２時間が経過したタイミングで、点灯信号ＬＵ２と光シャッタ信号ＯＳ２を出力してもよい。点灯時間及びシャッタ開時間は、共にＴｅｘｃ２であってもよい。画像計測器４６０は、点灯信号ＬＵ２と光シャッタ信号ＯＳ２に応じて、２次ターゲット２７１を撮像し、第２画像データをレーザ制御部５５に送信してもよい。
図２６は、画像計測器４６０に撮像された２次ターゲット２７１の第１画像６２１及び第２画像６２２を示す。第１画像６２１は、第１発光トリガ信号ＥＴ１からＴｃ１時間経過したタイミングで撮像された２次ターゲット２７１を示す。第２画像６２２は、第１発光トリガ信号ＥＴ１からＴｃ２時間経過したタイミングで撮像された２次ターゲット２７１を示す。２次ターゲット２７１のミスト径は、時間経過と共に、Ｄ２ｃ１からＤ２ｃ２に拡大し得る。
レーザ制御部５５は、図２５を参照して説明した方法により、計測ミスト径Ｄ２ｃ１及びＤ２ｃ２に基づいて第２発光トリガ信号ＥＴ２の遅延時間Ｔｄｌｐ２を算出してもよい。さらに、レーザ制御部５５は、算出した遅延時間Ｔｄｌｐ２と予め定められた遅延時間Ｔｍとからメインパルスレーザ光ＭＰの遅延時間Ｔｄｌｍを算出してもよい。
レーザ制御部５５は、通過タイミング信号ＰＴから算出した遅延時間Ｔｄｌｐ２だけ遅延して、第２プリパルスレーザ装置３０２に第２発光トリガ信号ＥＴ２を出力してもよい。レーザ制御部５５は、通過タイミング信号ＰＴから算出した遅延時間Ｔｄｌｍだけ遅延して、メインパルスレーザ装置３０３に第３発光トリガ信号ＥＴ３を出力してもよい。
１０．３ 効果
上記構成は、異なるタイミングにおいて２次ターゲット２７１のミスト径を計測し、計測したミスト径に基づいて第２プリパルスレーザ光の照射タイミングを決定することで、
２次ターゲット２７１が所望サイズとなる時刻をより正確に推定し得る。これにより、ＥＵＶ光エネルギの変動をより適切に抑制し得る。
１０．４ 他の動作
レーザ制御部５５は、図２５のフローチャートが示す方法と異なる方法によって、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２の照射タイミングを決定してもよい。図２７は、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２の照射タイミングを決定する他の方法のフローチャートを示す。
本フローにおいて、レーザ制御部５５は、２次ターゲット２７１の一回の撮像による画像データにおいてミスト径を計測し、当該計測ミスト径及び計測タイミング並びに規定の基準ミスト径及び基準計測タイミングに基づき、第２プリパルスレーザ光ＰＰ２の照射タイミングを決定してもよい。本方法は、ミスト径の時間変化が線形であることを前提として第２プリパルスレーザ光ＰＰ２の照射タイミングを決定してもよい。
まず、レーザ制御部５５は、計測遅延時間Ｔｃ１、遅延時間Ｔｍ、目標ミスト径Ｄｃ２、及び切片Ｃを読み込み、タイマを初期化してもよい（Ｓ３０１）。Ｔｃ１、Ｔｍ、Ｄｃ２、及びＣは、オペレータによって入力されてもよく、ＥＵＶ光生成制御部５内において予め保持されていてもよい。計測遅延時間Ｔｃ１は、本フローにおける基準計測タイミングを規定する遅延時間であってよい。切片Ｃは、ミスト径とタイマの計測時間との間の関係における切片であってもよく、基準計測時刻における基準ミスト径を示し得る。例えば、図２３に示した計測結果が適用できるシステムにおいて基準計測時刻０μＳにタイマが計時開始した場合、切片Ｃは時刻０μＳにおけるミスト径であってよい。ステップＳ３０２〜Ｓ３０６は、図２４のフローチャートにおけるステップＳ２６２〜２６６と同様であり、説明を省略する。
ステップＳ３０６の実行後、レーザ制御部５５は、第２発光トリガ信号ＥＴ２及び第３発光トリガ信号ＥＴ３の出力タイミングを決定してもよい（Ｓ３０７）。本例において、レーザ制御部５５は、通過タイミング信号ＰＴと第２発光トリガ信号ＥＴ２との間の遅延時間Ｔｄｌｐ２、及び通過タイミング信号ＰＴと第３発光トリガ信号ＥＴ３との間の遅延時間Ｔｄｌｍを算出してもよい。
具体的には、Ｔｄｌｐ２は、２次ターゲット２７１の計測ミスト径Ｄ２ｃ１、計測遅延時間Ｔｃ１、目標ミスト径Ｄｃ２、切片Ｃ、及び第１発光トリガ信号ＥＴ１の遅延時間Ｔｄｌｐ１に基づいて決定されてもよい。
例えば、Ｔｄｌｐ２は、次の数式で表わされ得る。
Ｔｄｌｐ２＝Ｔｃ１＊（Ｄｃ２−Ｃ）／（Ｄ２ｃ１−Ｃ）＋Ｔｄｌｐ１
Ｔｄｌｍは、算出されたＴｄｌｐ２と予め取得されているＴｍに基づいて決定されてもよい。例えば、Ｔｄｌｍは、次の数式で表わされ得る。
Ｔｄｌｍ＝Ｔｄｌｐ２＋Ｔｍ
ステップＳ３０８〜Ｓ３１０は、図２４のフローチャートにおけるステップＳ２７１〜２７３と同様であり、説明を省略する。
１０．５ 効果
図２７を参照して説明した方法は、１回の２次ターゲット２７１の撮像により第２プリパルスレーザ光ＰＰ２の照射タイミングを決定するので、画像データによるミスト径の計測に時間を要するシステムにおいても適切に第２プリパルスレーザ光ＰＰ２の照射タイミングを決定し得る。これにより、ＥＵＶ光エネルギの変動を抑制し得る。
なお、本開示のレーザ制御は、３回以上のプリパルスレーザ光を照射するＥＵＶ光生成システム及び１回のプリパルスレーザ光の後にメインパルスレーザ光を照射するＥＵＶ光生成システムに適用し得る。同一ターゲットに照射される複数のレーザパルスは同一のレーザ装置から照射されてもよい。
以上、本発明を、実施形態を参照して説明したが、本発明の範囲は上記実施形態に限定されるものではない。ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換え得る。ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加え得る。各実施形態の構成の一部について、削除、他の構成の追加、他の構成による置換をし得る。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
２ チャンバ、３ レーザシステム、４ ターゲットセンサ、５ ＥＵＶ光生成制御部、７ ＥＵＶ光パルスエネルギセンサ、１１ ＥＵＶ光生成システム、２５ プラズマ生成領域、２６ ターゲット供給部、２７ ドロップレット（ターゲット）、３１〜３３ パルスレーザ光、４１ 光センサ、４４ 信号生成部、４５ 発光部、５１ ターゲット供給制御部、５５ レーザ制御部、２７１ ２次ターゲット、２７５ ３次ターゲット、３０１ 第１プリパルスレーザ装置、３０２ 第２プリパルスレーザ装置、３０３ メインパルスレーザ装置、３１１ エネルギセンサ、４５０ タイミングセンサ、４６０ 画像計測器、４６２ 光源、４６８ シャッタ、４６９ イメージセンサ

Claims (11)

  1. ターゲットにパルスレーザ光を複数回照射することによってプラズマ化し、極端紫外光を生成する極端紫外光生成システムであって、
    第１ターゲットを供給した後、第２ターゲットを供給するターゲット供給部と、
    前記ターゲット供給部から供給されたターゲットにパルスレーザ光を照射するレーザシステムと、
    制御部と、を含み、
    前記レーザシステムは、
    前記第１ターゲットに第１パルスレーザ光を照射して前記第１ターゲットを拡散させてミストターゲットを生成し、
    前記ミストターゲットに第２パルスレーザ光を照射し、
    前記制御部は、
    前記ミストターゲットのミスト径を計測し、
    前記ミスト径に基づいて、前記第２ターゲットに照射する第１パルスレーザ光のエネルギを制御する、極端紫外光生成システム。
  2. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記制御部は、前記ミスト径と予め定められた基準ミスト径と差に基づいて、前記第２ターゲットに照射する前記第１パルスレーザ光のエネルギを決定する、極端紫外光生成システム。
  3. 請求項２に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記制御部は、前記ミスト径と前記基準ミスト径と差が閾値内にある場合、前記第１ターゲットと前記第２ターゲットに照射する前記第１パルスレーザ光のエネルギを同一と決定する、極端紫外光生成システム。
  4. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記制御部は、
    １又は複数の学習バーストにおいて、異なる順番のパルスそれぞれについてミスト径を計測し、
    前記計測されたそれぞれのミスト径に基づいて、前記異なる順番のパルスそれぞれに対応した第１パルスレーザ光のエネルギを決定し、
    前記１又は複数の学習バーストより後のバーストにおいて、異なる順番のパルスそれぞれに対応して前記決定したエネルギの第１パルスレーザ光を照射する、極端紫外光生成システム。
  5. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記第１ターゲットとは異なるバーストにおいて、前記第２ターゲットを供給し、
    前記第２ターゲットが供給されるバースト内での先頭パルスからの順番は、前記第１ターゲットが供給されるバースト内での先頭パルスからの順番と同一である、極端紫外光生成システム。
  6. 請求項４に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記制御部は、
    バースト内の先頭パルスから規定数のパルスの第１パルスレーザ光のエネルギを、前記１又は複数の学習バーストにおいて計測されたミスト径に基づき制御し、
    前記バースト内の前記規定数のパルスより後のパルスそれぞれの第１パルスレーザ光のエネルギを、前記バースト内ですでに計測されたミスト径に基づき制御する、極端紫外光生成システム。
  7. ターゲットにパルスレーザ光を複数回照射することによってプラズマ化し、極端紫外光を生成する極端紫外光生成システムであって、
    ターゲットを供給するターゲット供給部と、
    前記ターゲット供給部から供給されたターゲットにパルスレーザ光を照射するレーザシステムと、
    制御部と、を含み、
    前記レーザシステムは、
    ターゲットに第１パルスレーザ光を照射してミストターゲットを生成し、
    前記ミストターゲットに第２パルスレーザ光を照射し、
    前記制御部は、
    前記ミストターゲットの第１ミスト径を計測し、
    前記第１ミスト径に基づいて、前記第２パルスレーザ光の照射タイミングを制御する、極端紫外光生成システム。
  8. 請求項７に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記制御部は、
    前記第１ミスト径の計測タイミングと異なるタイミングにおいて前記ミストターゲットの第２ミスト径を計測し、
    前記第１ミスト径及び前記第２ミスト径に基づいて、前記第２パルスレーザ光の照射タイミングを制御する、極端紫外光生成システム。
  9. 請求項７に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記制御部は、前記第１ミスト径及び予め定められた基準ミスト径に基づいて、前記第２パルスレーザ光の照射タイミングを制御する、極端紫外光生成システム。
  10. 請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    前記第１パルスレーザ光のエネルギを計測するエネルギセンサをさらに含み、
    前記制御部は、前記エネルギセンサによる計測結果に基づき、前記第１パルスレーザ光のエネルギを制御する、極端紫外光生成システム。
  11. ターゲットにパルスレーザ光を照射することによってプラズマ化し、極端紫外光を生成する方法であって、
    第１ターゲットに第１パルスレーザ光を照射し、
    前記第１パルスレーザ光によって前記第１ターゲットから生成されたミストターゲットのミスト径を計測し、
    前記ミストターゲットに第２パルスレーザ光を照射し、
    前記ミスト径に基づいて、前記第１ターゲットより後に供給される第２ターゲットに照射する第１パルスレーザ光のエネルギを制御する、ことを含む方法。
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